WO2021117376A1

WO2021117376A1 - 基板処理装置および基板処理方法

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Publication number: WO2021117376A1
Application number: PCT/JP2020/041036
Authority: WO
Inventors: 圭介内山; 正行中西
Original assignee: 株式会社荏原製作所
Priority date: 2019-12-10
Filing date: 2020-11-02
Publication date: 2021-06-17
Also published as: JP2021091030A; TW202122166A

Abstract

本発明は、ウェハなどの基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関するものである。基板処理装置（１）は、基板保持部（２）と、研磨ヘッド（１３）と、洗浄流体を研磨中の基板（Ｗ）の周縁部に供給して、基板（Ｗ）の周縁部を洗浄する周縁部洗浄機構（５０）と、を備える。

Description

基板処理装置および基板処理方法

　本発明は、ウェハなどの基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関するものである。

　半導体デバイスの製造工程では、種々の材料がシリコンウェハ上に成膜される。このため、基板の周縁部には不要な膜や表面荒れが形成される。周縁部に残存した不要な膜が種々の工程を経ていく間に剥離して基板に形成されたデバイスに付着し、歩留まりを低下させてしまう。そこで、基板の周縁部に形成された不要な膜を除去するために、研磨装置を用いて基板の周縁部が研磨される。

特開２０１８－１６１７２１号公報特開２００９－１５４２８５号公報

　しかしながら、基板の周縁部を研磨すると、基板上には、研磨くずなどの異物が付着する場合がある。この場合、異物の付着に起因して基板が汚染されるおそれがある。したがって、基板の周縁部の研磨によって発生した異物を速やかに除去することが望ましい。

　そこで、本発明は、基板の周縁部の研磨によって発生した異物を速やかに除去して、異物の付着に起因する基板の汚染を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。

　一態様では、基板を保持して回転させる基板保持部と、研磨テープを前記基板の周縁部に押し付けて、前記基板の周縁部を研磨する研磨ヘッドと、洗浄流体を研磨中の前記基板の周縁部に供給して、前記基板の周縁部を洗浄する周縁部洗浄機構と、を備える、基板処理装置が提供される。

　一態様では、前記周縁部洗浄機構は、前記基板の周縁部に隣接して配置された二流体ジェットノズルと、前記二流体ジェットノズルに接続された二流体供給ラインと、前記二流体供給ラインに取り付けられた開閉弁と、を備えている。
　一態様では、前記二流体ジェットノズルは、その噴射口が前記基板の半径方向外側を向きつつ、前記基板の最外周面に対向するように配置されている。
　一態様では、前記周縁部洗浄機構は、前記二流体ジェットノズルの噴射口が前記基板の半径方向外側を向きつつ、前記基板の最外周面に対向するように、前記二流体ジェットノズルを回転させるノズル回転装置を備えている。

　一態様では、前記周縁部洗浄機構は、前記二流体ジェットノズルを前記基板の周縁部に対して傾動させるノズルチルト機構を備えている。
　一態様では、前記基板処理装置は、前記研磨ヘッドを覆うヘッドカバーと、前記研磨ヘッドを前記ヘッドカバーとともに前記基板の周縁部に対して傾動させるヘッドチルト機構と、を備えており、前記二流体ジェットノズルは、前記ヘッドカバーに取り付けられている。
　一態様では、前記基板処理装置は、プログラムを格納した記憶装置と、前記プログラムに従って演算を実行する処理装置と、を備えた動作制御部を備えており、前記動作制御部は、前記基板の研磨前または研磨中に前記開閉弁を開いて、前記基板の周縁部に向けて二流体ジェット流を噴射させる。
　一態様では、前記周縁部洗浄機構は、前記基板の回転方向において、前記研磨ヘッドの下流側に隣接して配置されている。

　一態様では、基板を保持して回転させ、研磨テープを前記基板の周縁部に押し付けて、前記基板の周縁部を研磨し、二流体ジェットノズルを用いて洗浄流体を研磨中の前記基板の周縁部に供給して、前記基板の周縁部を洗浄する、基板処理方法が提供される。

　一態様では、前記二流体ジェットノズルは、その噴射口が前記基板の半径方向外側に向きつつ、前記基板の最外周面に対向するように配置されている。

　周縁部洗浄機構は、洗浄流体を研磨中の基板の周縁部に供給して、基板の周縁部を洗浄する。したがって、周縁部洗浄機構は、基板の周縁部の研磨によって発生した異物を速やかに除去することができる。

図１Ａは、基板の周縁部を示す拡大断面図である。図１Ｂは、基板の周縁部を示す拡大断面図である。基板処理装置の一実施形態を示す平面図である。研磨ヘッドがウェハの周縁部を研磨している状態を示す図である。研磨ヘッドがウェハの周縁部を研磨している状態を示す図である。研磨ヘッドがウェハの周縁部を研磨している状態を示す図である。ウェハの上方に配置された二流体ジェットノズルを示す図である。ウェハの上方に配置された二流体ジェットノズルおよびウェハの下方に配置された二流体ジェットノズルを示す図である。周縁部洗浄機構の他の実施形態を示す図である。図９Ａは、二流体ジェットノズルの動作を説明するための図である。図９Ｂは、二流体ジェットノズルの動作を説明するための図である。図９Ｃは、二流体ジェットノズルの動作を説明するための図である。図１０Ａは、二流体ジェットノズルの動作を説明するための図である。図１０Ｂは、二流体ジェットノズルの動作を説明するための図である。周縁部洗浄機構のさらに他の実施形態を示す図である。図１２Ａは、ヘッドカバーに取り付けられた二流体ジェットノズルを示す図である。図１２Ｂは、ヘッドカバーに取り付けられた二流体ジェットノズルを示す図である。噴射口がウェハの最外周面を向くように配置された二流体ジェットノズルを示す図である。噴射口がウェハの最外周面を向くように配置された二流体ジェットノズルを示す図である。ノズル回転装置を備えた周縁部洗浄機構を示す図である。噴射口がウェハの最外周面を向くように回転された二流体ジェットノズルを示す図である。噴射口がウェハの最外周面を向くように回転された二流体ジェットノズルを示す図である。図２に示す実施形態、図８に示す実施形態、および図１１に示す実施形態の組み合わせを示す図である。

　以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
　図１Ａおよび図１Ｂは、基板の周縁部を示す拡大断面図である。より詳しくは、図１Ａはいわゆるストレート型の基板の断面図であり、図１Ｂはいわゆるラウンド型の基板の断面図である。

　図１ＡのウェハＷにおいて、ベベル部は、上側傾斜部（上側ベベル部）Ｐ、下側傾斜部（下側ベベル部）Ｑ、および側部（アペックス）Ｒから構成されるウェハＷの最外周面（符号Ｂで示す）である。図１ＢのウェハＷにおいては、ベベル部は、ウェハＷの最外周面を構成する、湾曲した断面を有する部分（符号Ｂで示す）である。

　トップエッジ部は、ベベル部Ｂよりも半径方向内側に位置する領域であって、かつデバイスが形成される領域Ｄよりも半径方向外側に位置する平坦部Ｅ１である。ボトムエッジ部は、トップエッジ部とは反対側に位置し、ベベル部Ｂよりも半径方向内側に位置する平坦部Ｅ２である。これらトップエッジ部Ｅ１およびボトムエッジ部Ｅ２は、総称してニアエッジ部と呼ばれることもある。以下、本明細書では、ウェハＷの周縁部を、ウェハＷの最外周に位置するベベル部と、このベベル部の半径方向内側に位置するトップエッジ部およびボトムエッジ部とを含む領域として定義する。

　図２は、基板処理装置の一実施形態を示す平面図である。図２に示すように、基板処理装置１は、研磨対象であるウェハ（基板）Ｗを水平に保持して回転させる基板保持部２と、研磨テープＰＴをウェハＷの周縁部に押し付けてウェハＷの周縁部を研磨する研磨ユニット３と、基板保持部２および研磨ユニット３の動作を制御する動作制御部１０と、を備えている。

　図２は、基板保持部２がウェハＷを保持している状態を示している。基板保持部２は、中空シャフト５と、中空シャフト５を回転させるモータ（図示しない）と、を備えている。中空シャフト５は、ボールスプライン軸受（図示しない）によって上下動自在に支持されている。

　研磨ユニット３は、ウェハＷの周縁部に研磨テープＰＴを押し当てて、この周縁部を研磨する研磨ヘッド組立体１１と、研磨ヘッド組立体１１に研磨テープＰＴを供給する研磨テープ供給回収機構１２と、を備えている。研磨ヘッド組立体１１は、隔壁２０によって形成された研磨室２２の内部に配置されており、研磨テープ供給回収機構１２は、研磨室２２の外部に配置されている。

　研磨テープ供給回収機構１２は、研磨テープＰＴを研磨ヘッド組立体１１に供給する供給リール１４と、ウェハＷの研磨に使用された研磨テープＰＴを回収する回収リール１５と、を備えている。なお、図２に示す実施形態では、回収リール１５は供給リール１４の下方に配置されているため、回収リール１５は描かれていない。

　供給リール１４および回収リール１５のそれぞれには、モータ１９が連結されている。なお、図２では、供給リール１４に連結されたモータ１９のみが描かれている。各モータ１９は、供給リール１４および回収リール１５に所定のトルクを与え、研磨テープＰＴに所定のテンションを掛ける。

　研磨ヘッド組立体１１は、研磨テープＰＴをウェハＷの周縁部に当接させるための研磨ヘッド１３を備えている。研磨テープＰＴは、研磨テープＰＴの研磨面がウェハＷを向くように研磨ヘッド１３に供給される。研磨ヘッド１３は、研磨テープＰＴをウェハＷの周縁部に押し付けて、ウェハＷの周縁部を研磨する。

　研磨ヘッド１３は、アーム２５の一端に固定され、アーム２５は、ウェハＷの接線方向に平行な回転軸Ｃｔ１まわりに回転自在に構成されている。アーム２５の他端はプーリーｐ１，ｐ２およびベルトｂ１を介してモータ３０に連結されている。モータ３０が時計回りおよび反時計回りに所定の角度だけ回転することで、アーム２５が軸Ｃｔ１まわりに所定の角度だけ回転する。本実施形態では、モータ３０、アーム２５、プーリーｐ１，ｐ２、およびベルトｂ１によって、ウェハＷの表面（上面および下面）に対して研磨ヘッド１３を傾斜させるヘッドチルト機構４０が構成されている。

　ヘッドチルト機構４０は、移動台３４に搭載されている。移動台３４は、ウェハＷの半径方向に直線的に移動可能に構成されている。したがって、研磨ヘッド組立体１１は、ウェハＷの半径方向に沿って、ウェハＷへ近接および離間するように、動作する。

　図３乃至図５は、研磨ヘッド１３がウェハＷの周縁部を研磨している状態を示す図である。ウェハＷのベベル部を研磨するときは、図３に示すように、上述したヘッドチルト機構４０により、研磨ヘッド１３の傾斜角度を連続的に変化させながら、押圧パッド４５により研磨テープＰＴをウェハＷのベベル部に押し当てる。研磨中は、研磨テープＰＴは所定の速度で送られる。さらに、研磨ヘッド１３は、ウェハＷのトップエッジ部およびボトムエッジ部を研磨することができる。すなわち、図４に示すように、研磨ヘッド１３を上方に傾けて、研磨テープＰＴをウェハＷのトップエッジ部に押圧し、トップエッジ部を研磨することができる。さらに、図５に示すように、研磨ヘッド１３を下方に傾けて、研磨テープＰＴをウェハＷのボトムエッジ部に押圧し、ボトムエッジ部を研磨することができる。

　上述したように、研磨ヘッド１３がウェハＷの周縁部を研磨すると、ウェハＷ上には、研磨くずなどの異物が付着し、結果として、ウェハＷが汚染されるおそれがある。そこで、基板処理装置１は、ウェハＷの周縁部の研磨によって発生した異物を速やかに除去する周縁部洗浄機構５０を備えている。以下、周縁部洗浄機構５０の構成について、説明する。

　周縁部洗浄機構５０は、洗浄流体を研磨中のウェハＷの周縁部に供給して、ウェハＷの周縁部を洗浄するように構成されている。図２に示す実施形態では、周縁部洗浄機構５０は、液体と気体との混合流体の噴流をウェハＷの周縁部に供給する二流体ジェットノズル５１と、二流体ジェットノズル５１に接続された二流体供給ライン５２と、二流体供給ライン５２に取り付けられた開閉弁５３と、を備えている。

　周縁部洗浄機構５０（より具体的には、二流体ジェットノズル５１）は、研磨室２２内のウェハＷに隣接して配置されており、ウェハＷの回転方向において、研磨ヘッド１３の下流側に隣接して配置されている。二流体ジェットノズル５１から供給される混合流体の一例は、炭酸水（ＣＯ_２水）と窒素ガス（Ｎ_２ガス）との組み合わせである。

　図２に示す実施形態では、開閉弁５３は、研磨室２２の内部に配置されているが、研磨室２２の外部に配置されてもよい。動作制御部１０は、開閉弁５３に電気的に接続されており、開閉弁５３の開閉動作を制御することができる。より具体的には、動作制御部１０は、プログラムを格納した記憶装置１０ａと、プログラムに従って演算を実行する処理装置１０ｂと、を備えている。コンピュータからなる動作制御部１０は、記憶装置１０ａに電気的に格納されたプログラムに従って動作する。プログラムは、少なくとも、研磨テープＰＴを供給するためにモータ１９を動作させる指令、研磨ヘッド１３を傾斜させるためにモータ３０を動作させる指令、および開閉弁５３を開閉させる指令を含んでいる。

　上記プログラムは、非一時的な有形物であるコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録され、記録媒体を介して動作制御部１０に提供される。または、プログラムは、インターネットまたはローカルエリアネットワークなどの通信ネットワークを介して通信装置（図示しない）から動作制御部１０に入力されてもよい。

　図６は、ウェハＷの上方に配置された二流体ジェットノズル５１を示す図である。図６に示すように、二流体ジェットノズル５１は、基板保持部２に保持されたウェハＷの上方に配置されている。二流体ジェットノズル５１の傾斜角度は、特に限定されない。図６に示す実施形態では、二流体ジェットノズル５１は、その噴射口５１ａがウェハＷの半径方向外側を向きつつ、ウェハＷの最外周面Ｂに対向するように配置されている。

　基板保持部２に保持されたウェハＷと平行な仮想面を面Ｓ１と定義した場合、二流体ジェットノズル５１と面Ｓ１との間の角度θ１は、鈍角（すなわち、＋９０度～＋１８０度の範囲内）であることが好ましい。図６に示す実施形態では、角度θ１は＋１３５度である。

　このような配置により、二流体ジェットノズル５１から噴射された混合流体は、ウェハＷの外側（すなわち、半径方向外側）に向かって供給されるため、ウェハＷの周縁部の研磨によって発生した異物は、混合流体とともにウェハＷの外部まで吹き飛ばされる。さらに、このような配置により、周縁部洗浄機構５０は、ウェハＷと混合流体との衝突による水しぶきを抑制し、周縁部洗浄機構５０は、その洗浄性能を向上させることができる。

　本実施形態によれば、動作制御部１０がウェハＷの研磨前または研磨中に開閉弁５３を開くことによって、周縁部洗浄機構５０は、洗浄流体としての混合流体を研磨中のウェハＷの周縁部に供給する。したがって、周縁部洗浄機構５０は、ウェハＷの周縁部の研磨によって発生した異物を速やかに除去することができる。より具体的には、二流体ジェットノズル５１は、研磨中に混合流体を噴射することによって、異物のウェハＷへの付着を抑制することができ、さらには、ウェハＷに付着した異物の除去、または異物のウェハＷへの再付着を防止することができる。なお、周縁部洗浄機構５０は、ウェハＷの研磨後においても、混合流体の供給を継続してもよい。

　図７は、ウェハＷの上方に配置された二流体ジェットノズル５１ＡおよびウェハＷの下方に配置された二流体ジェットノズル５１Ｂを示す図である。図７に示すように、周縁部洗浄機構５０は、ウェハＷの上方に配置された二流体ジェットノズル５１ＡのみならずウェハＷの下方に配置された二流体ジェットノズル５１Ｂをも備えてもよい。

　二流体ジェットノズル５１Ａは二流体供給ライン５２Ａに接続されており、二流体ジェットノズル５１Ｂは二流体供給ライン５２Ｂに接続されている。これら二流体供給ライン５２Ａおよび二流体供給ライン５２Ｂは、別々に設けられたラインであってもよく、または統一されたラインであってもよい。二流体ジェットノズル５１Ｂと上述した面Ｓ１との間の角度θ２は、鈍角（－９０度～－１８０度の範囲内）であることが好ましい。図７に示す実施形態では、角度θ２は、－１３５度である。

　図８は、周縁部洗浄機構５０の他の実施形態を示す図である。特に説明しない本実施形態の構成および動作は、上述した実施形態と同じであるので、その重複する説明を省略する。図８に示すように、周縁部洗浄機構５０は、二流体ジェットノズル５１をウェハＷの周縁部に対して傾動させるノズルチルト機構６０を備えている。ノズルチルト機構６０は、基本的にヘッドチルト機構４０と同様の構成を有している。したがって、以下、ノズルチルト機構６０の構成について、図８を参照して簡略的に説明する。

　二流体ジェットノズル５１は、アーム６１の一端に固定され、アーム６１は、ウェハＷの接線方向に平行な回転軸Ｃｔ２まわりに回転自在に構成されている。アーム６１の他端はプーリーｐ３，ｐ４およびベルトｂ２を介してモータ６２に連結されている。モータ６２が時計回りおよび反時計回りに所定の角度だけ回転することで、アーム６１が軸Ｃｔ２まわりに所定の角度だけ回転する。図８に示す実施形態では、ノズルチルト機構６０は、モータ６２、アーム６１、プーリーｐ３，ｐ４、およびベルトｂ２によって構成されている。

　図８に示すように、周縁部洗浄機構５０（より具体的には、ノズルチルト機構６０）は、二流体ジェットノズル５１を、その噴射口５１ａがウェハＷの半径方向外側を向きつつ、ウェハＷの最外周面を向くように、回転させるノズル回転装置６５を備えてもよい。ノズル回転装置６５の一例として、サーボモータを挙げることができる。ノズル回転装置６５は、動作制御部１０に電気的に接続されており、動作制御部１０がノズル回転装置６５を動作させると、二流体ジェットノズル５１は、ウェハＷの接線方向に平行な回転軸Ｃｒ１まわりに回転する。

　図９Ａ乃至図９Ｃは、二流体ジェットノズル５１の動作を説明するための図である。図９Ａおよび図９Ｂに示すように、動作制御部１０がノズルチルト機構６０のモータ６２を動作させると、二流体ジェットノズル５１はウェハＷの周縁部に対して傾動し、ウェハＷの上方に位置する。その後、動作制御部１０がノズル回転装置６５を動作させると、二流体ジェットノズル５１は回転軸Ｃｒ１まわりに反時計回りに回転し、図９Ｃに示すように、二流体ジェットノズル５１の噴射口５１ａは、ウェハＷの半径方向外側を向きつつ、ウェハＷの最外周面Ｂを向く。

　図１０Ａおよび図１０Ｂは、二流体ジェットノズル５１の動作を説明するための図である。図１０Ａおよび図１０Ｂに示すように、動作制御部１０は、二流体ジェットノズル５１がウェハＷの下方に位置するようにモータ６２を動作させる。その後、動作制御部１０がノズル回転装置６５を動作させると、二流体ジェットノズル５１は回転軸Ｃｒ１まわりに時計回りに回転し、二流体ジェットノズル５１の噴射口５１ａは、ウェハＷの半径方向外側を向きつつ、ウェハＷの最外周面Ｂを向く。

　図１１は、周縁部洗浄機構５０のさらに他の実施形態を示す図である。特に説明しない本実施形態の構成および動作は、上述した実施形態と同じであるので、その重複する説明を省略する。図１１に示す実施形態では、ノズルチルト機構６０は設けられておらず、その代わりに、二流体ジェットノズル５１は、固定具７１を介して研磨ヘッド１３を覆うヘッドカバー７０に取り付けられている。ヘッドカバー７０は、研磨ユニット３の一構成要素である。なお、上述した実施形態においても、研磨ヘッド１３はヘッドカバー７０に覆われてもよい。

　図１２Ａおよび図１２Ｂは、ヘッドカバー７０に取り付けられた二流体ジェットノズル５１を示す図である。図１２Ａおよび図１２Ｂに示すように、ヘッドチルト機構４０がウェハＷの表面に対して研磨ヘッド１３を傾斜させると、ヘッドカバー７０に取り付けられた二流体ジェットノズル５１も研磨ヘッド１３（およびヘッドカバー７０）とともに、ウェハＷの表面（上面および下面）に対して傾斜する。図１２Ａおよび図１２Ｂに示す実施形態では、二流体ジェットノズル５１は、ヘッドチルト機構４０を動作させるだけの簡単な構造で、ウェハＷの上方および下方に配置可能である。

　図１３および図１４は、噴射口５１ａがウェハＷの最外周面Ｂを向くように配置された二流体ジェットノズル５１Ａ，５１Ｂを示す図である。図１３に示す実施形態では、二流体ジェットノズル５１Ａおよび二流体ジェットノズル５１Ｂが設けられており、これら二流体ジェットノズル５１Ａおよび二流体ジェットノズル５１Ｂは、互いに対称的に配置されている。

　二流体ジェットノズル５１Ａは、ヘッドカバー７０（および研磨ヘッド１３）がウェハＷの上方に配置されたとき、噴射口５１ａがウェハＷの最外周面Ｂを向くように折れ曲がった形状を有している。同様に、二流体ジェットノズル５１Ｂは、ヘッドカバー７０がウェハＷの下方に配置されたとき、噴射口５１ａがウェハＷの最外周面Ｂを向くように折れ曲がった形状を有している。

　図１４に示す実施形態では、二流体ジェットノズル５１Ａは、ヘッドカバー７０がウェハＷの上方に配置されたとき、噴射口５１ａがウェハＷの最外周面Ｂを向くように傾斜して配置されている。同様に、二流体ジェットノズル５１Ｂは、ヘッドカバー７０がウェハＷの下方に配置されたとき、噴射口５１ａがウェハＷの最外周面Ｂを向くように傾斜して配置されている。

　図１５は、ノズル回転装置６５を備えた周縁部洗浄機構５０を示す図である。図１５に示す実施形態では、ノズル回転装置６５は、ヘッドカバー７０に取り付けられており、固定具７１を介して二流体ジェットノズル５１に連結されている。図１５に示す実施形態では、固定具７１はヘッドカバー７０の外部に配置されており、ノズル回転装置６５はヘッドカバー７０の内部に配置されている。

　図１６および図１７は、噴射口５１ａがウェハＷの最外周面Ｂを向くように回転された二流体ジェットノズル５１を示す図である。図１６に示すように、二流体ジェットノズル５１がウェハＷの上方に配置された状態で、動作制御部１０がノズル回転装置６５を動作させると、二流体ジェットノズル５１は、回転軸Ｃｒ２まわりに反時計回りに回転して、二流体ジェットノズル５１の噴射口５１ａは、ウェハＷの最外周面Ｂを向く。

　図１７に示すように、二流体ジェットノズル５１がウェハＷの下方に配置された状態で、動作制御部１０がノズル回転装置６５を動作させると、二流体ジェットノズル５１は、回転軸Ｃｒ２まわりに時計回りに回転して、二流体ジェットノズル５１の噴射口５１ａは、ウェハＷの最外周面Ｂを向く。

　図１８は、図２に示す実施形態、図８に示す実施形態、および図１１に示す実施形態の組み合わせを示す図である。図１８に示すように、図２に示す周縁部洗浄機構５０、図８に示す周縁部洗浄機構５０、および図１１に示す周縁部洗浄機構５０が設けられてもよい。図１８に示す実施形態では、上述した実施形態に係るすべての周縁部洗浄機構５０が設けられているが、上述した実施形態に係る、少なくとも１つの周縁部洗浄機構５０が設けられてもよい。

　図１８に示す実施形態では、基板保持部２に保持されたウェハＷを取り囲むように、複数（図１８では、４つ）の研磨ヘッド１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄが等間隔で配置されている。研磨ヘッド１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄは、ウェハＷの回転方向において、この順に配列されている。本明細書では、研磨ヘッド１３Ａは最も上流側の研磨ヘッドに相当し、研磨ヘッド１３Ｄは最も下流側の研磨ヘッドに相当する。

　研磨ヘッド１３Ａを基準とした場合、研磨ヘッド１３Ａと研磨ヘッド１３Ｄとの間の領域は、研磨ヘッド１３Ａの上流側の領域であり、研磨ヘッド１３Ａと研磨ヘッド１３Ｂとの間の領域は、研磨ヘッド１３Ａの下流側の領域である。

　研磨ヘッド１３Ｂを基準とした場合、研磨ヘッド１３Ｂと研磨ヘッド１３Ａとの間の領域は、研磨ヘッド１３Ｂの上流側の領域であり、研磨ヘッド１３Ｂと研磨ヘッド１３Ｃとの間の領域は、研磨ヘッド１３Ｂの下流側の領域である。

　研磨ヘッド１３Ｃを基準とした場合、研磨ヘッド１３Ｃと研磨ヘッド１３Ｂとの間の領域は、研磨ヘッド１３Ｃの上流側の領域であり、研磨ヘッド１３Ｃと研磨ヘッド１３Ｄとの間の領域は、研磨ヘッド１３Ｃの下流側の領域である。

　研磨ヘッド１３Ｄを基準とした場合、研磨ヘッド１３Ｄと研磨ヘッド１３Ｃとの間の領域は、研磨ヘッド１３Ｄの上流側の領域であり、研磨ヘッド１３Ｄと研磨ヘッド１３Ａとの間の領域は、研磨ヘッド１３Ｄの下流側の領域である。

　図１８に示すように、各周縁部洗浄機構５０は、ウェハＷの回転方向において、各研磨ヘッド１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃの下流側に隣接して配置されている。このような配置により、各周縁部洗浄機構５０は、各研磨ヘッド１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃによって発生した異物をより速やかに除去することができる。したがって、基板処理装置１は、異物の付着に起因するウェハＷの汚染をより確実に防止することができる。

　一実施形態では、基板処理装置１は、粗研磨用の研磨ヘッド１３と、仕上げ研磨用の研磨ヘッド１３と、を備えてもよい。図１８に示す実施形態では、研磨ヘッド１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄのうちの少なくとも１つは粗研磨用の研磨ヘッドであり、残りの研磨ヘッドは、仕上げ研磨用の研磨ヘッドである。

　ウェハＷを粗研磨すると、ウェハＷの仕上げ研磨と比べて、多くの異物が発生する。したがって、ウェハＷの粗研磨によって発生した異物を速やかに除去することがウェハＷの汚染を防止する観点から望ましい。そこで、一実施形態では、周縁部洗浄機構５０は、ウェハＷの回転方向において、粗研磨用の研磨ヘッド１３の下流側に配置されている。なお、粗研磨用の研磨ヘッド１３は、ウェハＷの回転方向において、仕上げ研磨用の研磨ヘッド１３の上流側に配置されている。

　上述した実施形態は、必要に応じて、可能な限り、組み合わせることが可能である。一実施形態では、図８に示す実施形態と、図１３（および／または図１４）に示す実施形態と、を組み合わせてもよい。この場合、各二流体ジェットノズル５１Ａ，５１Ｂは、その噴射口５１ａがウェハＷの最外周面Ｂを向くように配置されており、周縁部洗浄機構５０は、ノズル回転装置６５を備えていない。

　他の実施形態では、図８に示す実施形態と、図１１に示す実施形態と、を組み合わせてもよい。この場合、周縁部洗浄機構５０は、ノズル回転装置６５を備えておらず、二流体ジェットノズル５１は、図１１に示す二流体ジェットノズル５１と同様の構造を有している。

　上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうることである。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲とすべきである。

　１　　　基板処理装置
　２　　　基板保持部
　３　　　研磨ユニット
　５　　　中空シャフト
１０　　　動作制御部
１０ａ　　記憶装置
１０ｂ　　処理装置
１１　　　研磨ヘッド組立体
１２　　　研磨テープ供給回収機構
１３　　　研磨ヘッド
１４　　　供給リール
１５　　　回収リール
１９　　　モータ
２０　　　隔壁
２２　　　研磨室
２５　　　アーム
３０　　　モータ
３４　　　移動台
４０　　　ヘッドチルト機構
４５　　　押圧パッド
５０　　　周縁部洗浄機構
５１，５１Ａ，５１Ｂ　　　二流体ジェットノズル
５１ａ　　噴射口
５２，５２Ａ，５２Ｂ　　　二流体供給ライン
５３　　　開閉弁
６０　　　ノズルチルト機構
６１　　　アーム
６２　　　モータ
６５　　　ノズル回転装置
７０　　　ヘッドカバー
７１　　　固定具
ｐ１，ｐ２，ｐ３，ｐ４　　　プーリー
ｂ１，ｂ２　　　ベルト
ＰＴ　　　研磨テープ

Claims

　基板を保持して回転させる基板保持部と、
　研磨テープを前記基板の周縁部に押し付けて、前記基板の周縁部を研磨する研磨ヘッドと、
　洗浄流体を研磨中の前記基板の周縁部に供給して、前記基板の周縁部を洗浄する周縁部洗浄機構と、を備える、基板処理装置。
　前記周縁部洗浄機構は、
　　前記基板の周縁部に隣接して配置された二流体ジェットノズルと、
　　前記二流体ジェットノズルに接続された二流体供給ラインと、
　　前記二流体供給ラインに取り付けられた開閉弁と、を備えている、請求項１に記載の基板処理装置。
　前記二流体ジェットノズルは、その噴射口が前記基板の半径方向外側を向きつつ、前記基板の最外周面に対向するように配置されている、請求項２に記載の基板処理装置。
　前記周縁部洗浄機構は、前記二流体ジェットノズルの噴射口が前記基板の半径方向外側を向きつつ、前記基板の最外周面に対向するように、前記二流体ジェットノズルを回転させるノズル回転装置を備えている、請求項２に記載の基板処理装置。
　前記周縁部洗浄機構は、前記二流体ジェットノズルを前記基板の周縁部に対して傾動させるノズルチルト機構を備えている、請求項２～請求項４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
　前記基板処理装置は、
　　前記研磨ヘッドを覆うヘッドカバーと、
　　前記研磨ヘッドを前記ヘッドカバーとともに前記基板の周縁部に対して傾動させるヘッドチルト機構と、を備えており、
　前記二流体ジェットノズルは、前記ヘッドカバーに取り付けられている、請求項２～請求項４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
　前記基板処理装置は、プログラムを格納した記憶装置と、前記プログラムに従って演算を実行する処理装置と、を備えた動作制御部を備えており、
　前記動作制御部は、前記基板の研磨前または研磨中に前記開閉弁を開いて、前記基板の周縁部に向けて二流体ジェット流を噴射させる、請求項２～請求項６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
　前記周縁部洗浄機構は、前記基板の回転方向において、前記研磨ヘッドの下流側に隣接して配置されている、請求項１～請求項７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
　基板を保持して回転させ、
　研磨テープを前記基板の周縁部に押し付けて、前記基板の周縁部を研磨し、
　二流体ジェットノズルを用いて洗浄流体を研磨中の前記基板の周縁部に供給して、前記基板の周縁部を洗浄する、基板処理方法。
　前記二流体ジェットノズルは、その噴射口が前記基板の半径方向外側に向きつつ、前記基板の最外周面に対向するように配置されている、請求項９に記載の基板処理方法。