TWI583497B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI583497B TW101149714A TW101149714A TWI583497B TW I583497 B TWI583497 B TW I583497B TW 101149714 A TW101149714 A TW 101149714A TW 101149714 A TW101149714 A TW 101149714A TW I583497 B TWI583497 B TW I583497B
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荏原製作所股份有限公司
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Description

基板處理裝置
本發明係有關以包圍保持在前述基板保持機構之基板外周之方式配置在基板處理裝置，以防止從該基板脫離之處理液的飛散之防止液體飛散之罩體、具備該罩體之基板處理裝置及基板研磨裝置，該基板處理裝置係具備將例如半導體晶圓、玻璃基板、液晶顯示器等的基板予以保持且使之旋轉之基板保持機構，且將預定的處理液供應到基板來處理基板，之後，使基板旋轉且利用其離心力使處理液從基板脫離。
例如，在半導體裝置之製造步驟中，普遍進行的是於半導體晶圓等之基板表面施加銅鍍覆處理與CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學機械研磨)處理後，施行去除存在基板表面之雜質與污染物之清洗處理。
以進行此基板的清洗處理之基板清洗裝置 (基板處理裝置)而言，一般所熟知者係具備：基板保持機構，將基板水平地保持且使之旋轉；以及處理液供應部(處理液供應噴嘴)，係將藥液與純水等處理液供應到以此基板保持機構所保持之基板的表面及背面，而一邊使基板旋轉，一邊將處理液供應到該基板，之後，將清洗用的純水供應到基板來清洗基板。在此種基板清洗裝置中，普遍進行的是結束基板的清洗後，以高速度使基板旋轉，並利用離心力將附著在基板之液滴予以去除且使之旋乾。
在旋乾作業中，為了防止因離心力而從旋轉之基板去除之液滴的飛散，一般而言係以包圍保持在基板保持機構之基板外周之方式配置防止液體飛散之罩體，且利用防止液體飛散之罩體來防止因離心力從基板脫離之液滴飛散到遠方。藉由設置此種防止液體飛散之罩體，可利用防止液體飛散之罩體來防止從基板脫離而欲飛散到遠方之液滴的飛散。但是，防止從基板脫離，而碰撞到防止液體飛散之罩體的內周面且從該內周面彈回的液滴之飛散，一般而言乃困難之事。因此從防止液體飛散之罩體的內周面彈回之液滴再次附著到基板，而成為在基板表面形成水印之一因。
在基板表面形成水印時，會在該部分產生洩漏，而成為密合性不佳的原因等，乃成為使製品的良率降低的原因。因此，如何減少水印的形成乃成為課題。
就此種防止液體飛散之罩體的材料而言，為了防止從內周面彈回之液滴的飛散，一般而言係使用與純 水等之接觸角較小的樹脂材料，例如PVC(聚氯乙烯)等。但是，雖然與純水等之接觸角較小，但例如與未處理的PVC之純水等的接觸角為90度左右，要利用PVC製的防止液體飛散之罩體來防止液滴從防止液體飛散之罩體彈回乃不夠充分。
因此，例如將由PVC所構成的防止液體飛散之罩體的內周面之純水等的接觸角予以縮小，換言之進行各種用以提高親水性之試驗(參照專利文獻1至4)。
亦即，專利文獻1所記載的發明係藉由在預定的液體噴灑混合有預定的磨粒之漿料的濕式噴砂處理等，而記載在專利文獻2之發明係藉由使用有銼削等之物理處理或電漿處理等，將防止液體飛散之罩體的內周面的親水性予以提升。專利文獻3所記載之發明係透過塗布玻璃纖維(被膜)系的塗層劑，或透過利用電漿CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積)法將二氧化鈦膜進行成膜，而專利文獻4所記載的發明係藉由將二氧化鈦(TiO2)光觸媒薄膜等之超親水性材料予以被覆後，照射紫外線，以提升防止液體飛散之罩體的內周面之親水性。
此外，專利申請人提案將PVA(PVA，Polyvinyl Alcohol，聚乙烯醇)海綿等之親水性構件裝設在防止液體飛散之罩體的內周面(參照專利文獻5,6)。
(先前技術文獻) (專利文獻)
專利文獻1：日本特開2004-356299號公報
專利文獻2：日本特開2006-147672號公報
專利文獻3：日本特開2010-157528號公報
專利文獻4：日本特開平10-258249號公報
專利文獻5：日本特開2010-149003號公報
專利文獻6：日本特開2009-117794號公報
但是，例如專利文獻3所記載的發明，藉由將親水性材料(二氧化鈦光觸媒)以被覆方式形成為薄膜狀，且長時間照射紫外線，以對防止液體飛散之罩體的內周面施行親水化處理時，則可能必須有紫外線照射裝置，同時處理時間會變長，並且親水性薄膜的耐久性(親水性維持期間)並不一定足夠。
此外，在藉由濕式噴砂等對防止液體飛散之罩體的內周面進行表面粗糙化處理，或藉由大氣壓電漿放電處理等來形成親水性表面之方法中，可能即使進行處理，防止液體飛散之罩體的內周面亦維持PVC等之塑膠材料之原樣，而無法抑制來自罩體材料之雜質的發生。在復藉由大氣壓電漿放電處理來形成親水性表面之方法中，必須有大氣壓電漿放電裝置。
本發明係鑑於上述課題而研創者，其目的係在提供一種防止液體飛散之罩體、具備該罩體之基板處理裝置及基板研磨裝置，俾能以比較簡單的構成而容易製作，且其耐久性佳，而更確實地抑制液滴從內周面的彈回。
為了解決前述課題，本發明之防止液體飛散之罩體係保持在基板保持機構且以包圍旋轉的基板外周之方式配置，來防止從此旋轉的基板脫離之液體的飛散，該防止液體飛散之罩體係保持在前述基板保持機構且在與旋轉的基板相對向之內周面的至少一部分，施加表面粗糙化處理並形成親水性皮膜。
如此，藉由在防止液體飛散之罩體的內周面的至少一部分施加表面粗糙化處理來形成親水性皮膜，一邊提高親水性皮膜之對防止液體飛散之罩體的內周面之密接性，一邊利用親水性皮膜來防止罩體材料露出到外部，而且可一邊將碰撞到親水性皮膜的表面之液滴保持在該表面並在該表面形成被膜，一邊將該液滴予以吸收，而可抑制液滴朝基板彈回。
前述罩體本體係由與純水等之接觸角較小之例如PVC等合成樹脂所構成。亦可將罩體本體設為鋁等之金屬製。
前述表面粗糙化處理最好是中心線的平均粗糙度(Ra)成為0.5至5μm之範圍的處理。表面粗糙化處理例如為使用有SiC(碳化矽)細粒之噴砂處理，而可藉由調整此噴砂處理時間與SiC細粒的粒徑，將防止液體飛散之罩體的內周面設為所希望範圍之粗糙度。
前述親水性皮膜例如由SiO2由半導體層間絕緣膜材料所構成。就半導體層間絕緣膜材料而言，可列舉 SOG(旋塗式玻璃：spin on Glass)等。一般而言，藉由將親水性皮膜設為高純度且具有耐藥品性之半導體層間絕緣膜材料，而可防止因罩體材料的溶出所造成之基板污染。
前述親水性皮膜的厚度最好為0.5至2.0μm。如此，藉由將親水性皮膜的厚度設為0.5至2.0μm，即可防止親水性皮膜太厚而在親水性皮膜產生裂痕，或親水性皮膜太薄而使罩體材料露出到外部之現象。
前述親水性皮膜表面之與水的接觸角最好在60度以下。藉此方式，可重現性佳地形成親水性皮膜。
前述親水性皮膜係例如由噴塗塗層所形成。藉此方式，可容易且迅速地形成親水性皮膜。
本發明的基板處理裝置具備前述防止液體飛散之罩體。此外，本發明的基板研磨裝置具備前述基板處理裝置。
依據本發明，藉由在防止液體飛散之罩體的內周面的至少一部分施加表面粗糙化處理並形成親水性皮膜，一邊提升親水性皮膜之對防止液體飛散的罩體的內周面之密接性，一邊利用親水性皮膜來防止罩體材料露出到外部，而且，一邊可將碰撞到親水性皮膜表面之液滴保持在該表面且在該表面形成被膜，一邊該液滴將予以吸收，而可抑制液滴彈回到基板。如此一來，可大幅地抑制起因於液滴的彈回而形成在基板表面之缺陷與水印。
1‧‧‧基板保持機構
2‧‧‧馬達(旋轉機構)
3‧‧‧防止液體飛散之罩體
4‧‧‧前噴嘴(液體供應噴嘴)
10‧‧‧夾頭
11‧‧‧基座
11A‧‧‧第1基座
11B‧‧‧第2基座
12A‧‧‧第1支撐軸
12B‧‧‧第2支撐軸
17‧‧‧後噴嘴
18‧‧‧氣體噴嘴
20,21‧‧‧噴嘴
23‧‧‧致動器
24‧‧‧連結機構
25‧‧‧排出孔
26‧‧‧輔助排出孔
28‧‧‧護板
30‧‧‧排液道
31‧‧‧排氣道
32‧‧‧吸引源
35‧‧‧固定板
40‧‧‧親水性皮膜
53‧‧‧親水性皮膜
53a‧‧‧裂痕
60‧‧‧基板保持機構
61‧‧‧基座
62‧‧‧支撐軸
63‧‧‧液體接收器
64‧‧‧排出埠
70‧‧‧防止液體飛散之罩體
70a‧‧‧防止液體飛散之罩體的內周面
100‧‧‧機殼
101a、101b、101c‧‧‧隔壁
102‧‧‧載入/載出部
111、112、113、114‧‧‧擋板
120‧‧‧前載入部
121‧‧‧行進機構
122‧‧‧第1搬運機器人
130、130a、130b‧‧‧研磨部
131A,131B,131C,131D‧‧‧研磨單元
132A,132B,132C,132D‧‧‧研磨台
133A,133B,133C,133D‧‧‧頂環
134A,134B,134C,134D‧‧‧研磨液供應噴嘴
135A,135B,135C,135D‧‧‧修整器
136A,136B,136C,136D‧‧‧噴灑器
137A,137B,137C,137D‧‧‧頂環軸心
140‧‧‧清洗部
141、151‧‧‧倒置機器
142至145‧‧‧清洗單元
146‧‧‧搬運單元
150‧‧‧第1直線搬運裝置
152、155、166‧‧‧升降機
153、154、168‧‧‧推進器
160‧‧‧第2直線搬運裝置
300A‧‧‧第1研磨單元
300B‧‧‧第2研磨單元
300C‧‧‧第3研磨單元
300D‧‧‧第4研磨單元
TP1‧‧‧第1搬運位置
TP2‧‧‧第2搬運位置
TP3‧‧‧第3搬運位置
TP4‧‧‧第4搬運位置
TP5‧‧‧第5搬運位置
TP6‧‧‧第6搬運位置
TP7‧‧‧第7搬運位置
W‧‧‧基板
第1圖係示意性顯示具備本發明實施形態之防止液體飛散的罩體之基板處理裝置(基板清洗裝置)的剖面圖。
第2圖係第1圖所示之防止液體飛散之罩體的主要部分之放大剖面圖。
第3圖係示意性顯示在防止液體飛散之罩體的內周面不施加表面粗糙化處理，而直接形成親水性皮膜時的狀態之圖。
第4圖係顯示在施加有防止液體飛散之罩體的表面粗糙化處理的內周面形成有不同的膜厚之親水性皮膜的各樣本(樣本1至7)中的親水性皮膜與純水等之接觸角的關係之圖。
第5圖係分別示意性顯示(a)對應樣本1,2之防止液體飛散之罩體的內周面與親水性皮膜之關係，(b)對應樣本3至6之防止液體飛散之罩體的內周面與親水性皮膜的關係，(c)對應樣本7之防止液體飛散之罩體的內周面與親水性皮膜的關係的圖。
第6圖係示意性顯示具備有本發明其他的實施形態之防止液體飛散之罩體的基板處理裝置(基板清洗裝置)之剖面圖。
第7圖係分別顯示由PVC所構成的防止液體飛散之罩體(參考例1)的表面與純水等之接觸角的關係、施加有表面粗糙化處理之由PVC所構成的防止液體飛散之罩體(參考例2)的表面與純水等的接觸角之關係、以及施加表面粗糙 化處理而形成有親水性皮膜之由PVC所構成的防止液體飛散之罩體(實施例1)的表面與純水等的接觸角之關係的柱狀圖。
第8圖係顯示將使用參考例1的防止液體飛散之罩體來清洗基板時所發生之缺陷數目、及使用參考例2的防止液體飛散之罩體清洗基板時之缺陷數目、以及使用實施例1的防止液體飛散之罩體清洗基板時之缺陷數目分別予以測量時的一例之柱狀圖。
第9圖係顯示使用參考例2的防止液體飛散之罩體清洗基板時的水印發生頻率、以及使用實施例1的防止液體飛散之罩體清洗基板時之水印發生頻率的一例之柱狀圖。
第10圖係顯示具備有第1圖或第6圖所示之基板處理裝置之基板研磨裝置的配置構成之平面圖。
第11圖係顯示第10圖所示之基板研磨裝置的概要之斜視圖。
以下，參照圖式就本發明實施形態加以說明。第1圖係示意性地表示本發明實施形態之具備有防止液體飛散之罩體的基板處理裝置(基板清洗裝置)之剖面圖。
如第1圖所示，此基板處理裝置具有：基板保持機構60，係水平地保持基板W；馬達(旋轉機構)2，係透過基板保持機構60而旋轉於基板W的中心周圍；本發明的實施形態之防止液體飛散之罩體70，係配置在基板W的周圍；以及前噴嘴4，係作為清洗液供應純水到基板W 表面。基板保持機構60具有：基座61；中空的支撐軸62，支撐此基座61；以及複數個夾頭10，係固定在基座61之上面。
在支撐軸62之內部配置有連接在清洗液供應源之後噴嘴17、以及連接在乾燥氣體供應源之氣體噴嘴18。於清洗液供應源，係儲存有純水作為清洗液，且通過後噴嘴17將純水供應到基板W的背面。此外，在乾燥氣體供應源，係儲存有N2氣體或乾燥空氣等以作為乾燥氣體，且通過氣體噴嘴18而供應乾燥氣體到基板W的背面。
前噴嘴4係朝基板W的中心而配置。此前噴嘴4係連接在未圖示的純水供應源(清洗液供應源)，而通過前噴嘴4供應純水到基板W表面的中心。此外，在基板W之上方，排列配置有用以施行馬蘭根尼乾燥(Marangoni drying)之2個噴嘴20,21。噴嘴20係用以供應IPA(Isopropyl Alcohol，異丙醇)蒸氣(異丙醇與N2氣體之混合氣體)到基板W之表面者，噴嘴21係為了防止基板W之表面的乾燥而供應純水者。上述噴嘴20,21係沿著基板W的徑向而以可移動之方式所構成。
防止液體飛散之罩體70具有傾斜於徑向內側之內周面70a。防止液體飛散之罩體70的上端係位於基板W的更上方。於防止液體飛散之罩體70的內周面70a固定有親水性皮膜53。此液體吸收體53係大致覆蓋整個防止液體飛散之罩體70的內周面70a。
於基座61及防止液體飛散之罩體70的下 方，配置有用以回收液體(作為從前噴嘴4、後噴嘴17供應之清洗液之純水以及從噴嘴21所供應的純水)之液體接收器63。在液體接收器63的底部設置有排出埠64。此排出埠64係連接在未圖示的吸引源，而利用液體接收器63所回收的液體係與周圍的氣體一起通過排出埠64而被強制性地排出。
防止液體飛散之罩體70係呈大致圓筒狀且上部為朝內側上方傾斜的傾斜部。以防止液體飛散之罩體70的材料而言，在此例中，使用與純水等之接觸角比較小的樹脂材料之PVC(聚氯乙烯)。再者，取代PVC，亦可使用PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PA(聚醯胺)、PP(聚丙烯)或PE(聚乙烯)等之合成樹酯，此外，亦可使用鋁等之金屬。
第2圖係表示防止液體飛散之罩體70的主要部分放大剖面圖。如第2圖所示，在此例中，在防止液體飛散之罩體70的內周面70a之該大致整面施加表面粗糙化處理。此表面粗糙化處理例如為使用有# 100左右的SiC(碳化矽)細粒之噴砂處理，利用此表面粗糙化處理，防止液體飛散之罩體70的內周面(表面粗糙化處理面)70a的中心線平均粗糙度(Ra)落在例如0.5至5μm之範圍內。藉由調整噴砂處理時間，可將防止液體飛散之罩體70的內周面(表面粗糙化處理面)70a設為所希望範圍之粗糙度。
如此，藉由將防止液體飛散之罩體70的內周面(表面粗糙化處理面)70a之中心線平均粗糙度(Ra)，例如設在0.5至5μm之範圍內，即可將可防止液體飛散之罩體 70的內周面(表面粗糙化處理面)70a與形成在此表面之親水性皮膜53的密接性予以提升。表面粗糙化處理例如為使用有SiC(碳化矽)細粒之噴砂處理處理，而藉由調整此噴砂處理時間與SiC細粒的粒徑，可將防止液體飛散之罩體的內周面設為所希望範圍的粗糙度。
進行表面粗糙化處理後的可防止液體飛散之罩體70的內周面(表面粗糙化處理面)70a，最好以在噴砂中所使用之SiC細粒等不殘留之方式，利用乾冰噴砂等之方法來予以清理乾淨。
然後，在進行表面粗糙化處理後之防止液體飛散之罩體7的內周面(表面粗糙化處理面)70a，形成例如膜厚在0.5至2.0μm、或與純水等之接觸角在60度以下之親水性皮膜53。在此例中，藉由進行全氫聚矽氮烷(PHPS，Perhydropolysilazane)系塗層劑的噴塗塗層，且使之乾燥，使得在防止液體飛散之罩體70的內周面(表面粗糙化處理面)70a形成親水性皮膜53。就PHPS系塗層劑而言，最好使用例如NAXl20-20(AZ Electronic Materials公司製造)。
全氫聚矽氮烷(PHPS)系塗層劑與大氣中的水分產生反應而轉變為SiO2，因此最好使用氮氣體等之惰性氣體來作為噴灑氣體。此外，此塗層液太濃時容易產生塗佈不均勻，故最好利用適當的溶劑予以稀釋(例如以1：1之比率)來使用。親水性皮膜53的膜厚，係藉由調整噴塗塗層次數來進行。
前述親水性皮膜53係例如由SiO2或半導體 層間絕緣膜材料所構成。就半導體層間絕緣膜材料而言，可列舉SOG(旋塗式玻璃：Spin on Glass)等。藉由將親水性皮膜53，一般而言設為具高純度且具有耐藥品性之半導體層間絕緣膜材料，即可防止因罩體材料的溶出所造成的基板污染。
第3圖係示意性地表示在由PVC所構成之防止液體飛散之罩體70內周面70a，不施加表面粗糙化處理，而直接形成親水性皮膜53時的狀態之圖。以此方式在防止液體飛散之罩體70的內周面70a直接形成親水性皮膜53時，親水性皮膜53對於防止液體飛散之罩體70的內周面70a之密接性變得更差。
第4圖係表示在施加有防止液體飛散之罩體70的表面粗糙化處理的內周面(表面粗糙化處理面)70a形成有不同的膜厚之親水性皮膜53的各樣本(樣本1至7)之親水性皮膜53之與純水等的接觸角之關係的圖。此外，第5圖(a)係示意性地表示對應樣本1,2之防止液體飛散之罩體70內周面(表面粗糙化處理面)70a與親水性皮膜53之關係的圖，第5圖(b)係示意性地表示對應樣本3至6之防止液體飛散之罩體70的內周面(表面粗糙化處理面)70a與親水性皮膜53之關係的圖，第5圖(c)係示意性地表示對應樣本7之防止液體飛散之罩體70的內周面(表面粗糙化處理面)70a與親水性皮膜53之關係的圖。
從第4圖及第5圖(a)得知，在防止液體飛散之罩體70的內周面(表面粗糙化處理面)70a形成之親水性 皮膜53的膜厚為2μm以上時，在親水性皮膜53會產生裂痕53a，再者，從第4圖及第5圖(c)得知，在防止液體飛散之罩體70的內周面(表面粗糙化處理面)70a形成之親水性皮膜53的膜厚為0.5μm以下時，防止液體飛散之罩體70的內周面(表面粗糙化處理面)70a之尤其是凸部不被親水性皮膜53所覆蓋，而露出到外部。相對地，得知親水性皮膜53的膜厚只要在0.5至2μm之範圍，則無此種弊病。
此外，在前述之例中，雖在防止液體飛散之罩體70的內周面70a之大致其整面施加表面粗糙化處理而形成親水性皮膜53，但亦可在防止液體飛散之罩體70的內周面70a之一部分施加表面粗糙化處理而形成親水性皮膜53。
其次，就第1圖所示之基板處理裝置的動作加以說明。
首先，利用馬達2使基板W旋轉。在此狀態下，從前噴嘴4及後噴嘴17供應純水到基板W表面及背面，且以純水清洗基板W的整面。純水係從旋轉的基板W被搖落，而受到防止液體飛散之罩體70所捕捉，並利用液體接收器63予以回收。在基板W的清洗處理之間，2個噴嘴20,21係位於從基板W分離之預定的待機位置。
其次，停止純水的供應，使前噴嘴4移動到從基板W分離之預定的待機位置，同時使2個噴嘴20,21移動到基板W上方之作業位置。然後，一邊以150至300min-1之速度使基板W進行低速旋轉，且一邊從噴嘴20 供應IPA蒸氣，且從噴嘴21將純水朝基板W之表面供應。此時，亦從後噴嘴17供應純水給基板W之背面。然後，使2個噴嘴20,21同時沿著基板W的徑向移動。藉此方式，將基板W表面(上表面)予以乾燥。
之後，使2個噴嘴20,21移動到預定的待機位置，且停止從後噴嘴17之純水的供應。接著，以1000至1500min-1的速度使基板W進行高速旋轉，將附著於基板W之背面的純水予以搖落。此時，從氣體噴嘴18將乾燥氣體噴灑到基板W之背面。以此方式將基板W之背面予以乾燥。
依據此例，從基板W被搖落的液體(純水)，係利用離心力從基板W成為液滴而飛散到外側，並碰撞到防止液體飛散之罩體70。在此例中，防止液體飛散之罩體70的內周面70a係施加表面粗糙化處理(噴砂處理)並形成親水性皮膜53，故碰撞親水性皮膜53表面之液滴係保持在該表面且在該表面一邊形成被膜一邊被吸收，藉此方式，抑制液滴彈回到基板W。
第6圖係示意性地顯示具備有本發明其他的實施形態之防止液體飛散之罩體的基板處理裝置(基板清洗裝置)之剖面圖。如第6圖所示，此基板處理裝置具備：基板保持機構1，係水平地保持基板W；馬達(旋轉機構)2，係透過基板保持機構1使基板W旋轉於其中心軸周圍；本發明其他的實施形態之防止液體飛散之罩體3，係配置在基板W之周圍；以及前噴嘴4，係作為清洗液供應純水到 基板W之表面(前面)。作為清洗液而言，除了純水之外可例舉藥液。
基板保持機構1具有：複數個夾頭10，係把持基板W的周緣部；圓形的第1基座11A，係固定上述夾頭10；中空狀的第1支撐軸12A，係支撐此第1基座11A；圓形的第2基座11B，係具有收容第1基座11A之凹部；以及中空狀的第2支撐軸12B，係支撐第2基座11B。第1支撐軸12A係通過第2支撐軸12B的內部而延伸。亦即，第1基座11A、第2基座11B、第1支撐軸12A以及第2支撐軸12B係配置在同軸上。防止液體飛散之罩體3係固定在第2基座11B的端部，且第2基座11B與防止液體飛散之罩體3係配置在同軸上。保持在夾頭10之基板W與防止液體飛散之罩體位於同軸上。
第1支撐軸12A與第2支撐軸12B係透過直動導向機構15而連結。此直動導向機構15係一邊容許第1支撐軸12A與第2支撐軸12B的長邊方向(旋轉軸方向)之相對移動，一邊在第1支撐軸12A與第2支撐軸12B之間可進行轉矩的傳達。以直動導向機構15之具體例而言，可列舉滾珠花鍵軸承。
在第2支撐軸12B之外周面連結有馬達2。馬達2的轉矩係透過直動導向機構15傳達到第1支撐軸12A，藉此方式保持在夾頭10之基板W會進行旋轉。第1基座11A與第2基座11B係透過直動導向機構15恆常地同步旋轉。亦即，基板W與防止液體飛散之罩體3係一體地 旋轉，且兩者的相對速度成為0。此外，基板W與防止液體飛散之罩體3之間亦可有若干的速度差。此時，可分別利用各自的旋轉機構使基板W與防止液體飛散之罩體3旋轉。再者，在本說明書中，所謂以大致相同的速度使基板W與防止液體飛散之罩體3旋轉，係指以相同的角速度使基板W與防止液體飛散之罩體3旋轉於相同的方向，而不包含使之相互旋轉於相反方向。
在第1支撐軸12A係透過連結機構24而連結有作為上下作動機構之致動器23。連結機構24係一邊容許第1支撐軸12A的旋轉，一邊將致動器23的旋轉軸方向之驅動力傳達到第1支撐軸12A。致動器23係透過連結機構(未圖示)而使第1基座11A、第1支撐軸12A以及夾頭10(亦即基板W)進行上下作動。如此，致動器23係發揮作為使基板W與防止液體飛散之罩體3沿著旋轉軸相對移動之相對移動機構的功能。
在第1支撐軸12A的內部，係配置有連接在清洗液供應源之後噴嘴17以及連接在乾燥氣體供應源之氣體噴嘴18。在清洗液供應源，係儲存有純水而作為清洗液，且通過後噴嘴17供應純水到基板W之背面。再者，在乾燥氣體供應源，係儲存有N2氣體或乾燥空氣等而作為乾燥氣體，且通過氣體噴嘴18將乾燥氣體供應到基板W背面。
前噴嘴4係朝向基板W的中心而配置。此前噴嘴4係連接在未圖示的純水供應源(清洗液供應源)，而 通過前噴嘴4將純水供應到基板W表面的中心。此外，在基板W上方，係排列配置有用以施行馬蘭根尼乾燥之2個噴嘴20,21。噴嘴20係供應IPA蒸氣(異丙醇與N2氣體之混合氣體)到基板W之表面，而噴嘴21係為了防止基板W表面的乾燥而供應純水。上述噴嘴20,21係沿著基板W的徑向而以可移動之方式構成。
在第2基座11B，係形成有複數個排出孔25。上述排出孔25具有位於防止液體飛散之罩體3的下端之上部開口、以及位於第2基座11B的下面之下部開口。排出孔25係延伸於防止液體飛散之罩體3的周方向之長孔，且排出孔25係朝該下部開口而傾斜於徑向外側。從上述前噴嘴4及後噴嘴17供應之清洗液(純水)與從噴嘴21供應之純水，係與來自氣體噴嘴18之氣體與周圍空氣(通常為空氣)一起通過此排出孔25而排出。
於第2基座11B中，形成有用以排出進入到第1基座11A與第2基座11B之間的液體(清洗液、純水)之複數個輔助排出孔26。此輔助排出孔26具有位於第1基座11A與第2基座11B之間隙的上部開口、以及位於第2基座11B下面的下部開口。輔助排出口26係與上述排出孔25相同地，朝該下部開口而傾斜於徑向外側。
於排出孔25與輔助排出孔26的下部開口之下方，設置有排液道30與排氣道31。上述排液道30及排氣道31皆形成為環狀，而排液道30係配置在排氣道31的徑向外側。依據此類構成，從排出孔25與輔助排出孔26 排出之液體及氣體係利用離心力而分離，而液體係流入到排液道30，氣體係流入到排氣道31。
排氣道31係連結在吸引源(例如真空幫浦)32。藉此方式，從基板W之表面，形成通過排出孔25、排氣道31而流動之向下流。
於第2基座11B的下方，隔介第2基座11B的下面與微小的間隙配置有圓板狀的固定板35。此固定板35係防止周圍的氣體將因旋轉之第2基座11B而被攪亂。於第2基座11B的周緣部，固定有延伸於下方之圓筒狀的護板28。此護板28係為了使從排出孔25及輔助排出孔26排出之液體不會飛散到周圍，且為了使液體的釋出位置不會遠離基板W而設置。
防止液體飛散之罩體3具有內周面(參照第2圖)，該內周面係以包圍由基板保持機構1所保持的基板W之方式形成。防止液體飛散之罩體3的內周面之上端係位於比基板W更上方。內周面的直徑(防止液體飛散之罩體3的內徑)係以朝向內周面的上端逐漸減小之方式形成。亦即，防止液體飛散之罩體3的內周面係整體而言傾斜於徑向內側，且內周面與水平面所形成之角度θ係未達90度。
防止液體飛散之罩體3的內周面之剖面形狀係由2個傾斜線所構成。但是，防止液體飛散之罩體3的內周面之剖面形狀並不限於此。
防止液體飛散之罩體3的上端之直徑係比基板W的直徑形成得稍大。防止液體飛散之罩體3的下端係 位於與排出孔25之上部開口的一部分重疊之位置。此係為了將沿著防止液體飛散之罩體3的內周面而流動於下方之液體順暢地引導到排出孔25之故。若排出孔25的上部開口位於從防止液體飛散之罩體3的下端分離之位置時，液體碰撞到第2基座11B的上表面，而液體不會順暢地流進到排出孔25。依據此例的配置，液體不會碰撞第2基座11B的上面，故液體係順暢地流進排出孔25。
就防止液體飛散之罩體3的材料而言，與前述的例相同，係使用屬於與純水等之接觸角較小的樹脂材料之PVC(聚氯乙烯)。此外，亦可取代PVC而使用PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PA(聚醯胺)、PP(聚丙烯)或PE(聚乙烯)等之合成樹酯，此外，亦可與前述相同使用鋁等之金屬。
與前述的例相同，防止液體飛散之罩體3的內周面，係在其大致整面施加噴砂處理並進行表面粗糙化處理後的防止液體飛散之罩體3的內周面(表面粗糙化處理面)，例如藉由進行全氫聚矽氮烷(PHPS)系塗層劑的噴塗塗層，且使之乾燥，而形成例如膜厚為0.5至2.0μm、或與純水等之接觸角為60度以下的親水性皮膜40。
其次，就第6圖所示之基板處理裝置的動作加以說明。
首先，利用馬達2使基板W及防止液體飛散之罩體3旋轉。在此狀態下，從前噴嘴4及後噴嘴17供應純水到基板W表面(上表面)及背面(下表面)，且利用純水清洗基板W的整面。供應到基板W之純水係利用離心力 傳到整個基板W表面及背面，藉此方式清洗整個基板W。從旋轉的基板W搖落之純水係由防止液體飛散之罩體3所捕捉，而流進排出孔25。在基板W的清洗處理時，2個噴嘴20,21係位於從基板W分離之預定的待機位置。
其次，停止來自前噴嘴4之純水的供應，且使前噴嘴4移動到從基板W分離之預定的待機位置，同時使2個噴嘴20,21移動到基板W上方的作業位置。然後，一邊以150至300min-1的速度使基板W進行低速旋轉，而一邊從噴嘴20供應IPA蒸氣，且從噴嘴21將純水供應至基板W之表面。此時，從後噴嘴17亦供應純水到基板W之背面。接著，使2個噴嘴20,21同時沿著基板W的徑向而移動。藉此方式，將基板W之表面(上表面)予以乾燥。
之後，使2個噴嘴20,21移動到預定的待機位置，且停止來自後噴嘴17之純水的供應。然後，以1000至1500min-1之速度使基板W進行高速旋轉，而將附著於基板W之背面之純水予以搖落。此時，從氣體噴嘴18將乾燥氣體噴灑到基板W之背面。以此方式將基板W之背面予以乾燥。
使基板W之表面(上表面)乾燥的期間，如上所述，供應純水到基板W之表面及背面。純水係利用離心力從基板W成為液滴而飛散到外側，而碰撞防止液體飛散之罩體3。在此例中，防止液體飛散之罩體3的內周面係施加表面粗糙化處理(噴砂處理)並形成親水性皮膜40，故碰撞到親水性皮膜40的表面之液滴係保持在該表面且一 邊在該表面形成被膜而一邊被吸收，如此一來，抑制液滴彈回到基板。
結束基板W的乾燥時，停止來自氣體噴嘴18之乾燥氣體的供應。然後，利用致動器23，使基板W上升至基板W位於比防止液體飛散之罩體3更上方之位置為止。進行乾燥過的基板W係利用未圖示的搬運機器人的手從基板保持機構1取出。
第7圖係分別顯示由PVC所構成的防止液體飛散之罩體(參考例1)的表面(內周面)與純水等之接觸角的關係、及施加有表面粗糙化處理之由PVC所構成的防止液體飛散之罩體(參考例2)的表面(內周面)與純水等的接觸角之關係、以及施加表面粗糙化處理而形成有親水性皮膜之由PVC所構成的防止液體飛散之罩體(實施例1)的表面(內周面)與純水等的接觸角之關係的柱狀圖。
第8圖係顯示使用參考例1的防止液體飛散之罩體來清洗基板時所產生之缺陷數目、使用參考例2的防止液體飛散之罩體清洗基板時之缺陷數目、以及使用實施例1的防止液體飛散之罩體清洗基板時之缺陷數目分別測量時的一例之柱狀圖。
第9圖係顯示使用參考例2的防止液體飛散之罩體清洗基板時的水印發生頻率、以及使用實施例1的防止液體飛散之罩體清洗基板時之水印發生頻率的一例之柱狀圖。
從此第7圖及第8圖得知，雖藉由在防止液 體飛散之罩體的表面(內周面)施加表面粗糙化處理(噴砂處理)，可稍微減小與純水等之接觸角，但清洗處理基板時之缺陷產生數目會變多。相反地，得知藉由在防止液體飛散之罩體的表面(內周面)施加表面粗糙化處理(噴砂處理)來形成親水性皮膜，即可大幅度減小與純水等之接觸角，且可大幅度減少清洗處理基板時之缺陷的產生數目。
此外，從第9圖得知，將藉由在防止液體飛散之罩體的表面(內周面)施加表面粗糙化處理(噴砂處理)來形成親水性皮膜的情況時，與僅在防止液體飛散之罩體的表面(內周面)施加表面粗糙化處理(噴砂處理)的情況作比較，可大幅度削減清洗基板時之水印發生頻率。
此係可能由於將碰撞到親水性皮膜表面之液滴保持在該表面且在該表面形成被膜，並利用此被膜吸收液滴，而可抑制液滴彈回到基板，且藉由利用親水性皮膜來覆蓋使罩體材料不會露出到外部，而可利用親水性皮膜來抑制來自罩體材料之雜質發生之故。如此一來，可大幅度抑制起因於液滴的彈回的缺陷與水印的產生。
並且，在防止液體飛散之罩體的表面(內周面)施加粗面化處理而形成親水性皮膜時，可防止因罩體材料的溶出所引起的基板污染，而且親水性皮膜之接著面積會增加且附著力會變高，故親水性皮膜變得不易從防止液體飛散之罩體的表面(內周面)剝離。而且，親水性皮膜不使用電漿CVD法與再紫外線處理等之花費成本與維修之形成方法，而可利用噴塗塗層而比較簡單地形成，而且不需 維修。
其次，就具備第1圖或第6圖所示之基板處理裝置之基板研磨裝置加以說明。第10圖係表示具備有此基板處理裝置之基板研磨裝置的配置構成之平面圖，第11圖係表示第10圖所示之基板研磨裝置的概要之斜視圖。如第10圖所示，基板研磨裝置具備有大致矩形狀的機殼100，而機殼100的內部係藉由隔壁101a,101b,101c而與載入/載出部120與研磨部130(130a,130b)以及清洗部140區隔。
載入/載出部102具備有載置用以貯存複數個基板的基板匣盒之2個以上(在第11圖中為3個)的前載入部120。上述前載入部120係與研磨裝置的寬度方向(與長邊方向垂直之方向)鄰接而排列。在前載入部120，可搭載開放式匣盒、SMIF(Standard Mechanical Interface，標準機械介面)晶圓盒、或FOUP(Front Opening Unified Pod，晶圓搬運盒)。在此，SMlF、FOUP係藉由在內部收納基板匣盒，且利用隔壁予以覆蓋，而為可與外部空間保持獨立的環境之密閉容器。
再者，在載入/載出部102，係沿著前載入部120的排列而敷設有行進機構121，而在此行進機構121上係設置有可沿著前載入部120的排列方向移動的第1搬運機器人122。第1搬運機器人122係藉由移動於行進機構121上而可存取搭載於前載入部120之基板匣盒。此第1搬運機器人122係在上下具備有2個手，例如，將所研磨的基板放回到基板匣盒時使用上側的手，且在搬運研磨前 的基板時使用下側的手，即可分開使用上下的手。
載入/載出部102為必須保持最乾淨的狀態之區域，故載入/載出部102的內部係恆常地維持在比裝置外部、研磨部130以及清洗部140之任一者更高的壓力。此外，在第1搬運機器人122之行進機構121的上部，設置有具有HEPA(high-efficiency particle arrestor，高效率微粒過濾器)過濾器與ULPA(Ultra Low Penetration Air Filter低穿透過濾器)過濾器等的清潔空氣過濾器之風扇濾網單元(未圖示)，且利用此風扇濾網單元使粒子與有毒蒸氣、去除掉氣體之乾淨的空氣恆常地朝下方噴出。
研磨部130係進行基板的研磨之區域，具備：第1研磨部130a，係在內部具有第1研磨單元131A與第2研磨單元131B；以及第2研磨部130b，係在內部具有第3研磨單元131C與第4研磨單元131D。上述第1研磨單元131A、第2研磨單元131B、第3研磨單元131C以及第4研磨單元131D係如第10圖所示，沿著裝置的長邊方向而排列。
第1研磨單元131A具備有：研磨台132A，係保持研磨墊；頂環133A，係保持基板且用以將基板朝著研磨台132A上的研磨墊之研磨面予以按壓；研磨液供應噴嘴134A，係用以將研磨液(例如，漿料)與修整液(例如，純水)供應到研磨墊的研磨面；修整器135A，係用以進行研磨墊的修整；噴灑器136A，將液體(例如純水)與氣體(例如氮)的混合流體形成為霧狀，且將該混合流體從噴嘴噴射 到研磨面。
相同地，第2研磨單元131B具備：研磨台132B；頂環133B；研磨液供應噴嘴134B；修整器135B；以及噴灑器136B；而第3研磨單元131C具備：研磨台132C；頂環133C；研磨液供應噴嘴134C；修整器135C；以及噴灑器136C，而第四研磨單元131D具備：研磨台132D；頂環133D；研磨液供應噴嘴302D；修整器135D；以及噴灑器136D。
在第1研磨部130a係在沿著長邊方向之4個搬運位置(從載入/載出部側依序設為第1搬運位置TP1、第2搬運位置TP2、第3搬運位置TP3、第4搬運位置TP4)之間配置有搬運基板之第1直線搬運裝置150。於此第1直線搬運裝置150的第1搬運位置TP1的上方，配置有將從第1搬運機器人122接收之基板予以倒置之倒置機器151，且在其下方配置有可上下升降之升降機152。再者，在第2搬運位置TP2之下方配置有可上下升降之推進器153，而在第3搬運位置TP3之下方配置有可上下升降之推進器154，而在第4搬運位置TP4之下方配置有可上下升降之升降機155。
此外，在第2研磨部130b係在與第1直線搬運裝置150鄰接，而沿著長邊方向之3個搬運位置(從載入/載出部側依序設為第5搬運位置TP5、第6搬運位置TP6、第7搬運位置TP7)之間配置有搬運基板之第2直線搬運裝置160。於此第2直線搬運裝置160之第5搬運位置TP5 的下方配置有可上下升降之升降機166，而於第6搬運位置TP6之下方配置有推進器167，且於第7搬運位置TP7之下方配置有推進器168。
如第11圖所示，第1直線搬運裝置150具備可直線往返移動之4個基座，亦即，第1基座、第2基座、第3基座、及第4基座。上述基座為上下2段的構成。亦即，在下段配置有第1基座、第2基座、第3基座，而在上段配置有第4基座。
下段的基座與上段的基座之所設置之高度不同，故下段的基座與上段的基座不會相互干擾而可自由移動。第1基座係在第1搬運位置TP1(為基板的收授位置)與第2搬運位置TP2之間搬運基板，而第2基座係在第2搬運位置TP2(為基板的收授位置)與第3搬運位置TP3之間搬運基板，而第3基座係在第3搬運位置TP3與第4搬運位置TP4之間搬運基板。此外，第4基座係在第1搬運位置TP1與第4搬運位置TP4之間搬運基板。
第2直線搬運裝置160具有與第1直線搬運裝置150實質上相同的構成。亦即，在上段配置有第5基座及第6基座，在下段配置有第7基座。第5基座係在第5搬運位置TP5(為基板的收授位置)與第6搬運位置TP6之間搬運基板，而第6基座係在第6搬運位置TP6(為基板的收授位置)與第7搬運位置TP7之間搬運基板，第7基座係在第5搬運位置TP5與第7搬運位置TP7之間搬運基板。
考慮到研磨時使用漿料得知，研磨部130為 最髒的區域。因此，藉由以研磨部130內的粒子不飛散到外部之方式，從各研磨台之周圍進行排氣，且使研磨部130的內部壓力減低為比裝置外部、周圍的清洗部140、載入/載出部102更低，以防止粒子的飛散。此外，通常，在研磨台的下方設置有排氣導管(未圖示)，且在上方設置過濾器(未圖示)，而將透過上述排氣導管及過濾器而清理乾淨的空氣予以噴出，而形成向下流。
清洗部140係清洗研磨後的基板之區域，具備有：第2搬運機器人124；倒置機器141，係將從第2搬運機器人124接收的基板予以倒置；4個清洗單元142至145，係清洗研磨後的基板；以及搬運單元146，係在倒置機器141及清洗單元142至145之間搬運基板。
第2搬運機器人124、倒置機器141及清洗單元142至145係沿著研磨裝置的長邊方向而以串聯方式配置。此外，在上述清洗單元142至145的上部，設置有具有清潔空氣過濾器之風扇濾網單元(未圖示)，透過此風扇濾網單元去除粒子之乾淨的空氣會恆常地朝下方噴出。再者，為了防止來自研磨部130之粒子的流入，清洗部140的內部係恆常地維持在比研磨部130更高的壓力。
搬運單元146係具有把持基板之複數個臂，而利用上述臂而使複數個基板在倒置機器141及清洗單元142至145之間同時朝水平方向移動。以清洗單元142及清洗單元143而言，例如，可使用一種滾輪型的清洗單元，其係使配置在上下之滾輪狀的海綿旋轉且將該海棉按壓在 基板表面及背面而將基板表面及背面予以清洗。此外，就清洗單元144而言，例如，可使用筆型的清洗單元，其係一邊使半球狀的海綿旋轉一邊將該海棉按壓於基板來予以清洗。清洗單元145係前述第1圖或第6圖所示之基板處理裝置。此外，在各清洗單元142至144中，除了上述滾輪型的清洗單元與筆型的清洗單元之外，亦可附加設置超音波型的清洗單元，其係將超音波抵接到清洗液進行清洗。
在倒置機器151與第1搬運機器人122之間設置有擋板110，且於搬運基板時開啟擋板110且在第1搬運機器人122與倒置機器151之間進行基板的收授。再者，亦在倒置機器141與第2搬運機器人124之間、倒置機器141與1次清洗單元142之間、第1研磨部130a與第2搬運機器人124之間、以及第2研磨部130b與第2搬運機器人124之間分別設置有擋板111、112、113、114，且在搬運基板時開啟上述擋板111、112、113、114來進行基板的收授。
在研磨台132A上固定有研磨墊(未圖示)。研磨台132A係連結在配置於其下方之馬達(未圖示)，且可旋轉於軸心周圍。如第11圖所示，頂環133A係透過頂環軸心137A而連結在馬達及升降汽缸(未圖示)。藉此方式，頂環133A為可升降且可旋轉於頂環軸心137A周圍。在此頂環133A之下面係利用真空吸附等保持基板W。研磨墊之上面係構成係基板W滑接之研磨面。
保持在頂環133A下面之基板W係一邊利用 頂環133A進行旋轉，一邊被按壓在旋轉之研磨台132A上的研磨墊。此時，從研磨液供應噴嘴134A將研磨液供應到研磨墊的研磨面(上表面)，且在基板W與研磨墊之間存在有研磨液之狀態下將基板W予以研磨。研磨台132A及頂環133A係構成使基板W與研磨面相對移動之機構。第2研磨單元300B、第3研磨單元300C以及第4研磨單元300D具有與第1研磨單元300A相同的構成，故省略其說明。
依據具有此種構成之研磨裝置，可利用4片研磨單元將1片基板進行連續研磨之連續處理、以及將2片基板同時進行研磨之平行處理。
連續處理基板時，基板係按照前載入部120之基板匣盒→第1搬運機器人122→倒置機器151→升降機152→第1直線搬運裝置150之第1基座→推進器153→頂環133A→研磨台132A→推進器153→第1直線搬運裝置150之第2基座→推進器15→頂環133B→研磨台132B→推進器154→第1直線搬運裝置150之第3基座→升降機155→第2搬運機器人124→升降機166→第2直線搬運裝置160之第5基座→推進器167→頂環133C→研磨台132C→推進器167→第2直線搬運裝置160之第6基座→推進器168→頂環133D→研磨台132D→推進器168→第2直線搬運裝置160之第7基座→升降機166→第2搬運機器人124→倒置機器141→搬運單元146→清洗單元142→搬運單元146→清洗單元143→搬運單元146→清洗單元144→搬運單元146→清洗單元145→第1搬運機器人122→前載入部 120之基板匣盒的路徑進行搬運。
平行處理基板時，一方的基板係按照前載入部120的基板匣盒→第1搬運機器人122→倒置機器151→升降機152→第1直線搬運裝置150之第1基座→推進器153→頂環133A→研磨台132A→推進器153→第1直線搬運裝置150之第2基座→推進器154→頂環133B→研磨台132B→推進器154→第1直線搬運裝置150之第3基座→升降機155→第2搬運機器人124→倒置機器141→搬運單元146→清洗單元142→搬運單元146→清洗單元143→搬運單元146→清洗單元144→搬運單元146→清洗單元145→第1搬運機器人122→前載入部120之基板匣盒的路徑進行搬運。
此外，另一方的基板係按照前載入部120的基板匣盒→第1搬運機器人122→倒置機器151→升降機152→第1直線搬運裝置150的第4基座→升降機155→第2搬運機器人124→升降機166→第2直線搬運裝置160之第5基座→推進器167→頂環133C→研磨台132C→推進器167→第2直線搬運裝置160的第6基座→推進器168→頂環133D→研磨台132D→推進器168→第2直線搬運裝置160之第7基座→升降機166→第2搬運機器人124→倒置機器141→搬運單元146→清洗單元142→搬運單元146→清洗單元143→搬運單元146→清洗單元144→搬運單元146→清洗單元145→第1搬運機器人122→前載入部120之基板匣盒的路徑進行搬運。
雖就以上本發明之實施形態作了說明，但本發明並不限於前述實施形態，在申請專利範圍及說明書與圖式所記載之技術的思想的範圍內可作種種變更。
2‧‧‧馬達(旋轉機構)
4‧‧‧前噴嘴(液體供應噴嘴)
10‧‧‧夾頭
17‧‧‧後噴嘴
18‧‧‧氣體噴嘴
20,21‧‧‧噴嘴
53‧‧‧親水性皮膜
60‧‧‧基板保持機構
61‧‧‧基座
62‧‧‧支撐軸
63‧‧‧液體接收器
64‧‧‧排出埠
70‧‧‧防止液體飛散之罩體
70a‧‧‧防止液體飛散之罩體的內周面
W‧‧‧基板

Claims (7)

  1. 一種基板處理裝置，係包括：基板保持機構，係保持基板並使該基板旋轉；處理液供應部，係對前述基板供應處理液；以及防止液體飛散之罩體，係以包圍被基板保持機構保持的基板的外周之方式配置，以防止從基板脫離之液體的飛散；前述防止液體飛散之罩體的內周面的至少一部分係施加有表面粗糙化處理之面；於施加有前述表面粗糙化處理之前述防止液體飛散之罩體的前述內周面，係形成有由SiO2或半導體層間絕緣膜材料所構成之親水性皮膜。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中，罩體材料為合成樹脂。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中，前述表面粗糙化處理係中心線平均粗糙度(Ra)成為0.5至5μm之範圍的處理。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中，前述親水性皮膜的厚度為0.5至2.0μm。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之基板處理裝置，其中，前述親水性皮膜表面之與水的接觸角為60度以下。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之基板處理裝置，其中前述親水性皮膜係經噴塗塗層之親水性皮 膜。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中前述防止液體飛散之罩體係與基板一體地旋轉。
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