TW202122166A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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TW202122166A
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内山圭介
中西正行
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日商荏原製作所股份有限公司
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Abstract

本發明係關於處理晶圓等之基板的基板處理裝置及基板處理方法者。基板處理裝置（1）具備：基板保持部（2）；研磨頭（13）；及將清洗流體供給至研磨中之基板（W）的周緣部，來清洗基板（W）之周緣部的周緣部清洗機構（50）。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種處理晶圓等之基板的基板處理裝置及基板處理方法者。
半導體元件之製造工序係將各種材料成膜於矽晶圓上。因而，會在基板之周緣部形成不需要的膜及表面粗糙。殘留於周緣部之不需要的膜在經過各種工序的過程剝離而附著在形成於基板的元件上，造成成品率降低。因此，為了除去形成於基板周緣部之不需要的膜，而使用研磨裝置研磨基板之周緣部。
（發明所欲解決之問題）
但是，研磨基板之周緣部時，研磨屑等之異物會附著在基板上。此時，可能因附著異物而污染基板。因此，應迅速除去藉由研磨基板之周緣部所產生的異物。
因此，本發明之目的為提供可迅速除去藉由研磨基板之周緣部所產生的異物，防止因附著異物而污染基板之基板處理裝置及基板處理方法。 （解決問題之手段）
一個樣態提供一種基板處理裝置，係具備：基板保持部，其係保持基板並使其旋轉；研磨頭，其係將研磨帶按壓於前述基板之周緣部，來研磨前述基板之周緣部；及周緣部清洗機構，其係將清洗流體供給至研磨中之前述基板的周緣部來清洗前述基板之周緣部。
一個樣態係前述周緣部清洗機構具備：雙流體噴嘴，其係鄰接配置於前述基板之周緣部；雙流體供給管線，其係連接於前述雙流體噴嘴；及開閉閥，其係安裝於前述雙流體供給管線。 一個樣態係前述雙流體噴嘴係以其噴射口朝向前述基板之半徑方向外側，並與前述基板之最外周面相對的方式配置。 一個樣態係前述周緣部清洗機構具備噴嘴旋轉裝置，其係以前述雙流體噴嘴之噴射口朝向前述基板之半徑方向外側，並與前述基板之最外周面相對的方式使前述雙流體噴嘴旋轉。
一個樣態係前述周緣部清洗機構具備噴嘴傾斜機構，其係使前述雙流體噴嘴對前述基板之周緣部傾斜移動。 一個樣態係前述基板處理裝置具備：頭蓋，其係覆蓋前述研磨頭；及頭傾斜機構，其係使前述研磨頭與前述頭蓋一起對前述基板之周緣部傾斜移動；前述雙流體噴嘴安裝於前述頭蓋。 一個樣態係前述基板處理裝置具備動作控制部，其係具備：記憶裝置，其係儲存程式；及處理裝置，其係按照前述程式執行運算；前述動作控制部在前述基板研磨前或研磨中打開前述開閉閥，並朝向前述基板之周緣部噴射雙流體噴流。 一個樣態係前述周緣部清洗機構在前述基板之旋轉方向，鄰接配置於前述研磨頭之下游側。
一個樣態提供一種基板處理方法，係保持基板並使其旋轉，將研磨帶按壓於前述基板之周緣部，來研磨前述基板之周緣部，使用雙流體噴嘴將清洗流體供給至研磨中之前述基板的周緣部，來清洗前述基板之周緣部。
一個樣態係前述雙流體噴嘴以其噴射口朝向前述基板之半徑方向外側，並與前述基板之最外周面相對的方式配置。 （發明之效果）
周緣部清洗機構將清洗流體供給至研磨中之基板的周緣部，來清洗基板之周緣部。因此，周緣部清洗機構可迅速除去藉由研磨基板之周緣部所產生的異物。
以下，就本發明之實施形態，參照圖式作說明。 圖1A及圖1B係顯示基板之周緣部的放大剖面圖。更詳細而言，圖1A係所謂直邊型之基板的剖面圖，圖1B係所謂圓型之基板的剖面圖。
圖1A之晶圓W中，斜面部係由上側傾斜部（上側斜面部）P、下側傾斜部（下側斜面部）Q、及側部（頂點）R構成之晶圓W的最外周面（以符號B表示）。圖1B之晶圓W中，斜面部係構成晶圓W之最外周面且具有彎曲剖面的部分（以符號B表示）。
頂緣部係比斜面部B位於半徑方向內側的區域，且係比形成元件之區域D位於半徑方向外側的平坦部E1。底緣部位於與頂緣部相反側，且係比斜面部B位於半徑方向內側之平坦部E2。此等頂緣部E1及底緣部E2亦統稱為近緣部。以下，本說明書係將晶圓W之周緣部定義為包含位於晶圓W之最外周的斜面部；與位於該斜面部之半徑方向內側的頂緣部及底緣部之區域。
圖2係顯示基板處理裝置之一種實施形態的俯視圖。如圖2所示，基板處理裝置1具備：水平保持研磨對象之晶圓（基板）W並使其旋轉的基板保持部2；將研磨帶PT按壓於晶圓W之周緣部來研磨晶圓W之周緣部的研磨單元3；及控制基板保持部2及研磨單元3之動作的動作控制部10。
圖2顯示基板保持部2保持了晶圓W之狀態。基板保持部2具備：中空軸桿5；及使中空軸桿5旋轉之馬達（無圖示）。中空軸桿5藉由球花鍵軸承（無圖示）而上下移動自如地支撐。
研磨單元3具備：將研磨帶PT接觸於晶圓W之周緣部來研磨該周緣部的研磨頭組合體11；及供給研磨帶PT至研磨頭組合體11之研磨帶供給回收機構12。研磨頭組合體11配置於藉由分隔壁20所形成之研磨室22的內部，研磨帶供給回收機構12配置於研磨室22之外部。
研磨帶供給回收機構12具備：將研磨帶PT供給至研磨頭組合體11之供給卷軸14；及回收使用於研磨晶圓W之研磨帶PT的回收卷軸15。另外，圖2所示之實施形態因為係將回收卷軸15配置於供給卷軸14之下方，所以並未描繪回收卷軸15。
供給卷軸14及回收卷軸15分別連接有馬達19。另外，圖2僅描繪連接於供給卷軸14之馬達19。各馬達19對供給卷軸14及回收卷軸15賦予指定的轉矩，並對研磨帶PT施加指定的張力。
研磨頭組合體11具備用於使研磨帶PT抵接於晶圓W之周緣部的研磨頭13。研磨帶PT係以研磨帶PT之研磨面朝向晶圓W的方式供給至研磨頭13。研磨頭13將研磨帶PT按壓於晶圓W之周緣部來研磨晶圓W的周緣部。
研磨頭13固定於手臂25之一端，手臂25在平行於晶圓W之切線方向的旋轉軸Ct1周圍旋轉自如地構成。手臂25之另一端經由滑輪p1, p2及皮帶b1而連結於馬達30。藉由馬達30順時鐘及逆時鐘地旋轉指定角度程度，而手臂25在旋轉軸Ct1周圍旋轉指定角度程度。本實施形態係藉由馬達30、手臂25、滑輪p1, p2、及皮帶b1構成使研磨頭13對晶圓W之表面（上面及下面）傾斜的頭傾斜機構40。
頭傾斜機構40搭載於移動台34。移動台34可在晶圓W之半徑方向直線性移動地構成。因此，研磨頭組合體11係以沿著晶圓W之半徑方向對晶圓W接近及分離的方式動作。
圖3至圖5係顯示研磨頭13研磨晶圓W之周緣部的狀態圖。研磨晶圓W之斜面部時，如圖3所示，藉由上述之頭傾斜機構40使研磨頭13的傾斜角度連續性地變化，而且藉由按壓墊45將研磨帶PT接觸於晶圓W之斜面部。研磨中，以指定之速度輸送研磨帶PT。再者，研磨頭13可研磨晶圓W之頂緣部及底緣部。亦即，如圖4所示，將研磨頭13向上方傾斜，將研磨帶PT按壓於晶圓W的頂緣部，即可研磨頂緣部。再者，如圖5所示，將研磨頭13向下方傾斜，將研磨帶PT按壓於晶圓W之底緣部，即可研磨底緣部。
如上述，研磨頭13研磨晶圓W之周緣部時，晶圓W上會附著研磨屑等異物，結果可能污染晶圓W。因此，基板處理裝置1具備迅速除去藉由研磨晶圓W之周緣部所產生的異物之周緣部清洗機構50。以下，就周緣部清洗機構50之構成作說明。
周緣部清洗機構50係以將清洗流體供給至研磨中的晶圓W之周緣部，來清洗晶圓W之周緣部的方式構成。圖2所示之實施形態係周緣部清洗機構50具備：將液體與氣體之混合流體的噴流供給至晶圓W之周緣部的雙流體噴嘴51；連接於雙流體噴嘴51之雙流體供給管線52；及安裝於雙流體供給管線52之開閉閥53。
周緣部清洗機構50（更具體而言係雙流體噴嘴51）鄰接配置於研磨室22內之晶圓W，並在晶圓W之旋轉方向鄰接配置於研磨頭13的下游側。從雙流體噴嘴51供給之混合流體的一例係碳酸水（CO2 水）與氮氣（N2 氣）之組合。
圖2所示之實施形態係將開閉閥53配置於研磨室22的內部，不過亦可配置於研磨室22之外部。動作控制部10電性連接於開閉閥53，可控制開閉閥53之開閉動作。更具體而言，動作控制部10具備：儲存程式之記憶裝置10a；及按照程式執行運算之處理裝置10b。由電腦構成之動作控制部10按照電性儲存於記憶裝置10a之程式而動作。程式至少含有：為了供給研磨帶PT而使馬達19動作之指令；為了使研磨頭13傾斜而使馬達30動作之指令；及使開閉閥53開閉之指令。
上述程式記錄於永久性實體之電腦可讀取的記錄媒介，並經由記錄媒介而提供至動作控制部10。此外，程式亦可經由網際網路或區域網路等通信網路而從通信裝置（無圖示）輸入動作控制部10。
圖6係顯示配置於晶圓W上方之雙流體噴嘴51的圖。如圖6所示，雙流體噴嘴51配置於被基板保持部2所保持之晶圓W的上方。雙流體噴嘴51之傾斜角度並無特別限定。圖6所示之實施形態，雙流體噴嘴51係以其噴射口51a朝向晶圓W之半徑方向外側，且與晶圓W之最外周面B相對的方式配置。
將與被基板保持部2所保持之晶圓W平行的假設面定義為面S1時，雙流體噴嘴51與面S1之間的角度θ1宜係鈍角（亦即在+90度至+180度之範圍內）。圖6所示之實施形態的角度θ1係＋135度。
藉由如此配置，從雙流體噴嘴51噴射之混合流體因為朝向晶圓W之外側（亦即，半徑方向外側）供給，所以藉由研磨晶圓W之周緣部所產生的異物與混合流體一起噴灑至晶圓W的外部。再者，藉由如此配置，周緣部清洗機構50抑制因晶圓W與混合流體碰撞造成的水花。周緣部清洗機構50可使其清洗性能提高。
採用本實施形態時，藉由動作控制部10在晶圓W之研磨前或研磨中打開開閉閥53，周緣部清洗機構50將作為清洗流體之混合流體供給至研磨中的晶圓W之周緣部。因此，周緣部清洗機構50可迅速除去藉由研磨晶圓W之周緣部所產生的異物。更具體而言，雙流體噴嘴51藉由在研磨中噴射混合流體，可抑制異物附著於晶圓W，再者，可除去附著於晶圓W之異物，或是防止異物再度附著於晶圓W。另外，周緣部清洗機構50即使在晶圓W研磨後，仍可繼續供給混合流體。
圖7係顯示配置於晶圓W上方之雙流體噴嘴51A及配置於晶圓W下方之雙流體噴嘴51B的圖。如圖7所示，周緣部清洗機構50不僅配置於晶圓W上方之雙流體噴嘴51A，亦可還具備配置於晶圓W下方之雙流體噴嘴51B。
雙流體噴嘴51A連接有雙流體供給管線52A，雙流體噴嘴51B連接於雙流體供給管線52B。此等雙流體供給管線52A及雙流體供給管線52B亦可係各別設置之管線，此外，亦可係統一之管線。雙流體噴嘴51B與上述面S1之間的角度θ2宜係鈍角（-90度至-180度之範圍內）。圖7所示之實施形態的角度θ2係－135度。
圖8係顯示周緣部清洗機構50之其他實施形態的圖。由於未特別說明之本實施形態的構成及動作與上述實施形態相同，因此省略其重複之說明。如圖8所示，周緣部清洗機構50具備使雙流體噴嘴51對晶圓W之周緣部傾斜移動的噴嘴傾斜機構60。噴嘴傾斜機構60基本上具有與頭傾斜機構40同樣之構成。因此，以下就噴嘴傾斜機構60之構成參照圖8簡略說明。
雙流體噴嘴51固定於手臂61之一端，手臂61在平行於晶圓W之切線方向的旋轉軸Ct2周圍旋轉自如地構成。手臂61之另一端經由滑輪p3, p4及皮帶b2而連結於馬達62。藉由馬達62順時鐘及逆時鐘地旋轉指定角度程度，而手臂61在旋轉軸Ct2周圍旋轉指定角度程度。圖8所示之實施形態，噴嘴傾斜機構60係藉由馬達62、手臂61、滑輪p3, p4、及皮帶b2而構成。
如圖8所示，周緣部清洗機構50（更具體而言係噴嘴傾斜機構60）亦可具備使雙流體噴嘴51以其噴射口51a朝向晶圓W之半徑方向外側，且朝向晶圓W之最外周面的方式而旋轉之噴嘴旋轉裝置65。噴嘴旋轉裝置65之一例可舉出伺服馬達。噴嘴旋轉裝置65電性連接於動作控制部10，動作控制部10使噴嘴旋轉裝置65動作時，雙流體噴嘴51在平行於晶圓W之切線方向的旋轉軸Cr1周圍旋轉。
圖9A至圖9C係雙流體噴嘴51之動作的說明圖。如圖9A及圖9B所示，動作控制部10使噴嘴傾斜機構60之馬達62動作時，雙流體噴嘴51對晶圓W之周緣部傾斜移動而位於晶圓W的上方。然後，動作控制部10使噴嘴旋轉裝置65動作時，雙流體噴嘴51在旋轉軸Cr1周圍逆時鐘旋轉，如圖9C所示，雙流體噴嘴51之噴射口51a朝向晶圓W之半徑方向外側，且朝向晶圓W之最外周面B。
圖10A及圖10B係雙流體噴嘴51之動作的說明圖。如圖10A及圖10B所示，動作控制部10以雙流體噴嘴51位於晶圓W下方之方式使馬達62動作。然後，動作控制部10使噴嘴旋轉裝置65動作時，雙流體噴嘴51在旋轉軸Cr1周圍順時鐘旋轉，雙流體噴嘴51之噴射口51a朝向晶圓W之半徑方向外側，且朝向晶圓W之最外周面B。
圖11係顯示周緣部清洗機構50之又其他實施形態的圖。由於未特別說明之本實施形態的構成及動作與上述實施形態相同，因此省略其重複之說明。圖11所示之實施形態並未設有噴嘴傾斜機構60，而改為將雙流體噴嘴51經由固定具71安裝於覆蓋研磨頭13之頭蓋70。頭蓋70係研磨單元3之一個元件。另外，即使在上述實施形態中，研磨頭13亦可被頭蓋70覆蓋。
圖12A及圖12B係顯示安裝於頭蓋70之雙流體噴嘴51的圖。如圖12A及圖12B所示，頭傾斜機構40使研磨頭13對晶圓W之表面傾斜時，安裝於頭蓋70之雙流體噴嘴51亦與研磨頭13（及頭蓋70）一起對晶圓W之表面（上面及下面）傾斜。圖12A及圖12B所示之實施形態，雙流體噴嘴51係僅使頭傾斜機構40動作的簡單構造，並可配置於晶圓W之上方及下方。
圖13及圖14係顯示朝向晶圓W之最外周面B配置噴射口51a的雙流體噴嘴51A, 51B。圖13所示之實施形態係設有雙流體噴嘴51A及雙流體噴嘴51B，此等雙流體噴嘴51A及雙流體噴嘴51B彼此對稱地配置。
雙流體噴嘴51A具有將頭蓋70（及研磨頭13）配置於晶圓W之上方時，噴射口51a朝向晶圓W之最外周面B彎曲的形狀。同樣地，雙流體噴嘴51B具有將頭蓋70配置於晶圓W之下方時，噴射口51a朝向晶圓W之最外周面B彎曲的形狀。
圖14所示之實施形態的雙流體噴嘴51A在將頭蓋70配置於晶圓W之上方時，係以噴射口51a朝向晶圓W之最外周面B的方式傾斜配置。同樣地，雙流體噴嘴51B在將頭蓋70配置於晶圓W之下方時，係以噴射口51a朝向晶圓W之最外周面B的方式傾斜配置。
圖15係顯示具備噴嘴旋轉裝置65之周緣部清洗機構50的圖。圖15所示之實施形態的噴嘴旋轉裝置65係安裝於頭蓋70，並經由固定具71而連結於雙流體噴嘴51。圖15所示之實施形態的固定具71係配置於頭蓋70之外部，噴嘴旋轉裝置65配置於頭蓋70之內部。
圖16及圖17係顯示噴射口51a朝向晶圓W之最外周面B而旋轉的雙流體噴嘴51之圖。如圖16所示，在將雙流體噴嘴51配置於晶圓W之上方的狀態下，動作控制部10使噴嘴旋轉裝置65動作時，雙流體噴嘴51在旋轉軸Cr2周圍逆時鐘旋轉，雙流體噴嘴51之噴射口51a朝向晶圓W之最外周面B。
如圖17所示，在將雙流體噴嘴51配置於晶圓W之下方的狀態下，動作控制部10使噴嘴旋轉裝置65動作時，雙流體噴嘴51在旋轉軸Cr2周圍順時鐘旋轉，雙流體噴嘴51之噴射口51a朝向晶圓W之最外周面B。
圖18係顯示圖2所示之實施形態、圖8所示之實施形態、及圖11所示之實施形態的組合圖。如圖18所示，亦可設置圖2所示之周緣部清洗機構50、圖8所示之周緣部清洗機構50、及圖11所示之周緣部清洗機構50。圖18所示之實施形態係設有關於上述實施形態的全部周緣部清洗機構50，不過亦可設置關於上述實施形態之至少1個周緣部清洗機構50。
圖18所示之實施形態係以包圍保持於基板保持部2之晶圓W的方式等間隔配置有複數個（圖18係4個）研磨頭13A, 13B, 13C, 13D。研磨頭13A, 13B, 13C, 13D在晶圓W之旋轉方向按照該順序排列。本說明書之研磨頭13A相當於最上游側之研磨頭，研磨頭13D相當於最下游側之研磨頭。
將研磨頭13A作為基準時，研磨頭13A與研磨頭13D之間的區域係研磨頭13A之上游側的區域，研磨頭13A與研磨頭13B之間的區域係研磨頭13A之下游側的區域。
將研磨頭13B作為基準時，研磨頭13B與研磨頭13A之間的區域係研磨頭13B之上游側的區域，研磨頭13B與研磨頭13C之間的區域係研磨頭13B之下游側的區域。
將研磨頭13C作為基準時，研磨頭13C與研磨頭13B之間的區域係研磨頭13C之上游側的區域，研磨頭13C與研磨頭13D之間的區域係研磨頭13C之下游側的區域。
將研磨頭13D作為基準時，研磨頭13D與研磨頭13C之間的區域係研磨頭13D之上游側的區域，研磨頭13D與研磨頭13A之間的區域係研磨頭13D之下游側的區域。
如圖18所示，各周緣部清洗機構50在晶圓W之旋轉方向鄰接配置於各研磨頭13A, 13B, 13C之下游側。藉由如此配置，各周緣部清洗機構50可更迅速除去藉由各研磨頭13A, 13B, 13C所產生的異物。因此，基板處理裝置1可更確實防止因附著異物造成晶圓W之污染。
一種實施形態係基板處理裝置1亦可具備：用於粗研磨之研磨頭13、及用於精加工研磨之研磨頭13。圖18所示之實施形態係研磨頭13A, 13B, 13C, 13D中之至少1個係用於粗研磨的研磨頭，其餘研磨頭係用於精加工研磨之研磨頭。
粗研磨晶圓W時，比精加工研磨晶圓W會產生許多異物。因此，從防止晶圓W污染之觀點而言，應迅速除去藉由晶圓W之粗研磨所產生的異物。因此，一種實施形態係周緣部清洗機構50在晶圓W之旋轉方向，配置於用於粗研磨之研磨頭13的下游側。另外，用於粗研磨之研磨頭13在晶圓W之旋轉方向，係配置於用於精加工研磨之研磨頭13的上游側。
上述實施形態依需要可儘量組合。一種實施形態亦可組合圖8所示之實施形態與圖13（及／或圖14）所示之實施形態。此時，各雙流體噴嘴51A, 51B係以其噴射口51a朝向晶圓W之最外周面B的方式配置，周緣部清洗機構50不具噴嘴旋轉裝置65。
其他實施形態亦可組合圖8所示之實施形態與圖11所示之實施形態。此時，周緣部清洗機構50不具噴嘴旋轉裝置65，雙流體噴嘴51具有與圖11所示之雙流體噴嘴51同樣的構造。
上述實施形態係以具有本發明所屬之技術領域的一般知識者可實施本發明為目的而記載者。熟悉本技術之業者當然可形成上述實施形態之各種修改例，本發明之技術性思想亦可適用於其他實施形態。因此，本發明不限定於記載之實施形態，而應為按照藉由申請專利範圍所定義之技術性思想的最廣範圍。
本發明係關於處理晶圓等之基板的基板處理裝置及基板處理方法者。
1:基板處理裝置 2:基板保持部 3:研磨單元 5:中空軸桿 10:動作控制部 10a:記憶裝置 10b:處理裝置 11:研磨頭組合體 12:研磨帶供給回收機構 13,13A,13B,13C,13D:研磨頭 14:供給卷軸 15:回收卷軸 19:馬達 20:分隔壁 22:研磨室 25:手臂 30:馬達 34:移動台 40:頭傾斜機構 45:按壓墊 50:周緣部清洗機構 51,51A,51B:雙流體噴嘴 51a:噴射口 52,52A,52B:雙流體供給管線 53:開閉閥 60:噴嘴傾斜機構 61:手臂 62:馬達 65:噴嘴旋轉裝置 70:頭蓋 71:固定具 b1,b2:皮帶 Ct1,Ct2,Cr1,Cr2:旋轉軸 p1,p2,p3,p4:滑輪 PT:研磨帶 W:晶圓
圖1A係顯示基板之周緣部的放大剖面圖。 圖1B係顯示基板之周緣部的放大剖面圖。 圖2係顯示基板處理裝置之一種實施形態的俯視圖。 圖3係顯示研磨頭研磨晶圓之周緣部的狀態圖。 圖4係顯示研磨頭研磨晶圓之周緣部的狀態圖。 圖5係顯示研磨頭研磨晶圓之周緣部的狀態圖。 圖6係顯示配置於晶圓上方之雙流體噴嘴的圖。 圖7係顯示配置於晶圓上方之雙流體噴嘴及配置於晶圓下方之雙流體噴嘴的圖。 圖8係顯示周緣部清洗機構之其他實施形態的圖。 圖9A係雙流體噴嘴之動作的說明圖。 圖9B係雙流體噴嘴之動作的說明圖。 圖9C係雙流體噴嘴之動作的說明圖。 圖10A係雙流體噴嘴之動作的說明圖。 圖10B係雙流體噴嘴之動作的說明圖。 圖11係顯示周緣部清洗機構之又其他實施形態的圖。 圖12A係顯示安裝於頭蓋之雙流體噴嘴的圖。 圖12B係顯示安裝於頭蓋之雙流體噴嘴的圖。 圖13係顯示噴射口朝向晶圓之最外周面而配置的雙流體噴嘴之圖。 圖14係顯示噴射口朝向晶圓之最外周面而配置的雙流體噴嘴之圖。 圖15係顯示具備噴嘴旋轉裝置之周緣部清洗機構的圖。 圖16係顯示噴射口朝向晶圓之最外周面而旋轉的雙流體噴嘴之圖。 圖17係顯示噴射口朝向晶圓之最外周面而旋轉的雙流體噴嘴之圖。 圖18係顯示圖2所示之實施形態、圖8所示之實施形態、及圖11所示之實施形態的組合圖。
1:基板處理裝置
2:基板保持部
3:研磨單元
5:中空軸桿
10:動作控制部
10a:記憶裝置
10b:處理裝置
11:研磨頭組合體
12:研磨帶供給回收機構
13:研磨頭
14:供給卷軸
15:回收卷軸
19:馬達
20:分隔壁
22:研磨室
25:手臂
30:馬達
34:移動台
40:頭傾斜機構
50:周緣部清洗機構
51:雙流體噴嘴
51a:噴射口
52:雙流體供給管線
53:開閉閥
b1,b2:皮帶
Ct1:旋轉軸
p1,p2:滑輪
PT:研磨帶
W:晶圓

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置，係具備： 基板保持部，其係保持基板並使其旋轉； 研磨頭，其係將研磨帶按壓於前述基板之周緣部，來研磨前述基板之周緣部；及 周緣部清洗機構，其係將清洗流體供給至研磨中之前述基板的周緣部來清洗前述基板之周緣部。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述周緣部清洗機構具備： 雙流體噴嘴，其係鄰接配置於前述基板之周緣部； 雙流體供給管線，其係連接於前述雙流體噴嘴；及 開閉閥，其係安裝於前述雙流體供給管線。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中前述雙流體噴嘴係以其噴射口朝向前述基板之半徑方向外側，並與前述基板之最外周面相對的方式配置。
  4. 如請求項2之基板處理裝置，其中前述周緣部清洗機構具備噴嘴旋轉裝置，其係以前述雙流體噴嘴之噴射口朝向前述基板之半徑方向外側，並與前述基板之最外周面相對的方式使前述雙流體噴嘴旋轉。
  5. 如請求項2至4中任一項之基板處理裝置，其中前述周緣部清洗機構具備噴嘴傾斜機構，其係使前述雙流體噴嘴對前述基板之周緣部傾斜移動。
  6. 如請求項2至4中任一項之基板處理裝置，其中前述基板處理裝置具備： 頭蓋，其係覆蓋前述研磨頭；及 頭傾斜機構，其係使前述研磨頭與前述頭蓋一起對前述基板之周緣部傾斜移動； 前述雙流體噴嘴安裝於前述頭蓋。
  7. 如請求項2至4中任一項之基板處理裝置，其中前述基板處理裝置具備動作控制部，其係具備：記憶裝置，其係儲存程式；及處理裝置，其係按照前述程式執行運算； 前述動作控制部在前述基板研磨前或研磨中打開前述開閉閥，並朝向前述基板之周緣部噴射雙流體噴流。
  8. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中前述周緣部清洗機構在前述基板之旋轉方向，鄰接配置於前述研磨頭之下游側。
  9. 一種基板處理方法，係保持基板並使其旋轉， 將研磨帶按壓於前述基板之周緣部，來研磨前述基板之周緣部， 使用雙流體噴嘴將清洗流體供給至研磨中之前述基板的周緣部，來清洗前述基板之周緣部。
  10. 如請求項9之基板處理方法，其中前述雙流體噴嘴以其噴射口朝向前述基板之半徑方向外側，並與前述基板之最外周面相對的方式配置。
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