KR20140016196A - 웨이퍼-형상 물품의 액체 처리 방법 및 장치 - Google Patents

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KR20140016196A
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세멜락 크리스토프
푸글 미카엘
브욜크 앤더스 조엘
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램 리서치 아게
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Abstract

웨이퍼-형상 물품 처리 장치 및 방법이, 홀더 상에 위치된 경우 웨이퍼 형상 물품의 전체 또는 실질적으로 전체를 커버하도록 홀더 상의 작업 위치에 위치될 수 있는 가스 공급 후드를 이용한다. 가스 공급 후드는 홀더 상에 위치된 웨이퍼 형상 물품의 상면 상에 적어도 하나의 유체를 디스펜싱하기 위한 유체 디스펜서를 수용한다. 가스 공급 후드는, 가스 공급 후드가 작업 위치에 있는 동안 및 가스 공급 후드를 이동함이 없는 동안 유체 디스펜서가 홀더 및 가스 공급 후드의 측방향으로 이동되는 것을 허용한다.

Description

웨이퍼-형상 물품의 액체 처리 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR LIQUID TREATMENT OF WAFER-SHAPED ARTICLES}
본 발명은 일반적으로 반도체 웨이퍼와 같은 웨이퍼-형상 물품의 액체 처리 방법 및 장치에 관한 것으로서, 하나 이상의 프로세스 액체가 웨이퍼-형상 물품의 표면 상에 디스펜싱된다 (dispensed).
반도체 웨이퍼는 에칭, 세정, 연마 및 물질 증착과 같은 다양한 표면 처리 프로세스의 대상이다. 그러한 프로세스를 수용하기 위해, 단일 웨이퍼는, 하나 이상의 처리 유체 노즐에 대하여, 예를 들어, 미국 특허 번호 제 4,903,717 호 및 제 5,513,668 호에 설명된 바와 같은 회전 가능한 캐리어와 관련된 척에 의해 지지될 수도 있다.
디바이스의 소형화 및 반도체 웨이퍼 상에 제조되는 특징이 증가함과 함께, 제어되지 않은 개방 환경에서 웨이퍼를 프로세싱하는 것은 보다 문제가 되고 있다. 예를 들어, 웨이퍼가 주위 공기에 개방된 스테이션에서 습식 프로세싱을 겪는 경우, 공기의 산소 함유량이 웨이퍼의 전면 상의 구리의 원하지 않는 부식을 야기한다.
개방 환경에서의 단일 웨이퍼의 프로세싱 동안, 공기로부터의 산소가 웨이퍼 상의 액체층을 통해 웨이퍼 표면으로 확산할 수 있고, 구리 산화로 이어지고, 따라서 코발트와 같은 다른 금속층에도 영향을 미치는 현상인 구리 손실로 이어진다. 이 영향은 액체층이 매우 얇은 곳, 예를 들어, 웨이퍼 에지에서 강화된다.
게다가, 제어되지 않은 개방 환경에서의 프로세싱 동안의 웨이퍼의 표면을 가로질러 작동하는 기계력 및 유체력은 패턴 붕괴, 다양한 디바이스 및 웨이퍼의 표면 상에 제조된 특징들에 대한 왜곡 또는 다른 손상으로 이어질 수 있다.
예를 들어, 회전하는 웨이퍼의 표면을 가로질러 방사상으로 바깥쪽으로 이동하는 액체의 표면 장력이 손상 또는 파괴력을 웨이퍼 표면 상에 형성된 초현미경적인 (submicroscopic) 구조에 적용시키는 경우, 패턴 붕괴가 발생할 수 있다. 패턴 붕괴의 문제는, 반도체 웨이퍼의 직경이 증가하고 초현미경적인 구조의 종횡비 (aspect ratio) 가 증가함에 따라, 보다 심각해진다.
제어되지 않은 개방 환경에서의 액체 처리의 어플리케이션 및 제거는 또한 웨이퍼의 표면 상의 워터마크의 생성으로 이어진다.
반면에, 환경적으로 실링된 (sealed) 챔버가 제공된 웨이퍼 프로세싱 툴은 통상적으로 큰 자본 투자를 요구하고, 또한 개방 프로세싱 툴에 비해 고비용이고 보다 복잡하다.
개방 웨이퍼 프로세싱 툴 내에 지역적으로 제어된 가스 주변을 제공하기 위한 이전의 시도는 충분히 만족스럽지 않았다. 예를 들어, 미국 특허 제 6,193,798 호는 고정 질소 후드가 제공된 척을 설명하나, 처리 유체를 디스펜싱하기 위한 노즐은 후드에 고정되고, 따라서 웨이퍼와의 관계에서 이동할 수 없다. 공동-소유의 현재-펜딩인 미국 출원 공개 제 2012/0131815 호는 중앙 유체 디스펜서 (dispenser) 를 포함하고, 작업물 (workpiece) 의 직경과의 관계에서 작은 가스 디스펜서를 기재한다. 따라서, 가스 디스펜서 및 유체 디스펜서는 함께 이동될 수 있으나, 독립적으로 이동될 수 없고, 둘 모두의 이동은 전체 웨이퍼 표면을 처리하는데 필요하다.
따라서, 일 양태에서, 본 발명은, 미리 결정된 직경의 웨이퍼-형상 물품을 홀딩 (holding) 하기 위한 홀더 (holder), 홀더 상에 위치된 웨이퍼 형상의 물품 상면 상으로 적어도 하나의 유체를 디스펜싱 (dispensing) 하기 위한 유체 디스펜서 (dispenser), 및 홀더 상의 작업 위치에 위치 가능한 가스 공급 디바이스를 포함하는 웨이퍼-형상 물품 처리 장치에 관한 것이고, 가스 공급 디바이스는 홀더 상에 위치된 경우에 웨이퍼 형상 물품의 전체 또는 실질적으로 전체를 커버한다. 가스 공급 디바이스는, 가스 공급 후드 내에 유체 디스펜서를 수용하고, 가스 공급 후드가 작업 위치에 있는 동안 및 가스 공급 후드를 이동함이 없는 동안 유체 디스펜서가 홀더 및 가스 공급 후드의 측방향으로 이동되는 것을 허용한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태에서, 가스 공급 디바이스는, 홀더 상의 위치인 경우 웨이퍼-형상 물품을 향해 아래 방향으로 향하는 가스 디스펜싱 배출구의 어레이를 갖는 가스 샤워헤드를 포함한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태에서, 홀더는 반도체 웨이퍼의 단일 웨이퍼 습식 프로세싱을 위한 프로세스 모듈의 스핀 척이다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태에서, 유체 컬렉터는 홀더를 둘러싸고, 컬렉터는 홀더 및 가스 공급 후드를 주변 공기에 노출시킨다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태에서, 가스 공급 후드의 외부 엣지 (edge) 는 유체 컬렉터의 내부 엣지에 대응하는 형상을 갖는다. 바람직하게는, 가스 공급의 외부 엣지와 컬렉터의 내부 엣지 사이의 간격은 0.3㎜ 내지 5㎜의 범위이다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태에서, 가스 공급 후드는 컬렉터에 의해 둘러싸인 영역의 95% 내지 99%인 영역을 커버한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태에서, 가스 디스펜싱 배출구 각각은 가스 샤워헤드 내에 형성된 플레넘과 소통하는 업스트림 (upstream) 개구부 및 홀더에 대향하는 다운스트림 (downstream) 개구부를 포함하고, 가스 디스펜싱 배출구는 업스트림 개구부로부터 다운스트림 개구부로의 단면적을 증가시킨다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태에서, 가스 디스펜싱 배출구의 다운스트림 개구부는 가스 샤워헤드의 디스펜싱면의 벌집 패턴에 의해 정의된다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태에서, 가스 공급 후드는 작업 위치와 대기 위치 사이의 피봇 (pivotal) 이동을 위해 장착된다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태에서, 가스 공급 후드는 상단이 서로 연결되고 하단이 가스 샤워헤드의 분배 플레이트를 통해 통과하는 한 쌍의 벽에 의해 정의되는 터널을 더 포함하고, 하단 중 제1 하단은 가스 공급 후드의 최저 엣지에서 또는 최저 엣지에 인접하게 종료되고, 하단 중 제2 하단은 제1 하단 상에 미리 결정된 거리에서 종료되어, 터널은 비대칭 형상을 갖는다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태에서, 가스 공급 디바이스는 가스 샤워헤드에 가스를 공급하는 적어도 하나의 제1 외부 유입구 및 터널로 가스를 별개로 공급하는 적어도 하나의 제2 외부 유입구를 포함한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태에서, 장치는 가스 샤워헤드로의 가스의 유속 및 서로 독립적인 터널로의 가스의 유속을 제어하도록 구성된 컴퓨터-제어된 밸브를 포함한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태에서, 터널은 가스 공급 후드의 외부면 상에 위치되고 터널의 벽 내에 형성된 플레넘과 소통하는 가스 유입구를 포함하고, 터널은 터널의 적어도 하나의 내부 벽에 형성되고 플레넘과 소통하는 가스 배출구의 어레이를 더 포함한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태에서, 터널은 터널의 적어도 하나의 내부 벽에 형성되고 터널의 적어도 하나의 내부 벽에 형성된 가스 배출구의 어레이와 소통하는 가스 유입구의 어레이를 더 포함한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태에서, 터널은 터널의 2개의 대향하는 내부 벽 각각에 형성된 가스 배출구의 수평 로우 (row) 를 포함하고, 가스 배출구의 수평 로우는 서로 대향한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태에서, 유체 디스펜서는 스핀 척의 회전 축에 수직한 평면에서의 측방향 이동을 위해 장착된다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태에서, 측방향 이동은 스핀 척의 방사상 방향을 따른 선형 이동이다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태에서, 측방향 이동은 스윙 (swinging) 이동이고, 유체 디스펜서는 스핀 척의 회전 축에 평행하고 스핀 척의 회전 축으로부터 오프셋 (offset) 된 축에 대한 피봇 이동을 위해 장착된 근접 단 (end) 및 원형 아크로 이동가능한 말단을 포함한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태에서, 제2 유체 디스펜서는 가스 공급 후드 아래에 수용되고, 스핀 척의 회전 축 및 유체 디스펜서의 피봇 축에 평행하고 스핀 척의 회전 축 및 유체 디스펜서의 피봇 축으로부터 오프셋된 축에 대한 피봇 이동을 위해 장착된 근접 단 및 원형 아크로 이동가능한 말단을 포함한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태에서, 유체 디스펜서는 탈이온수를 공급하는 건조부이다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태에서, 건조부에는 이소프로필 알코올 및 기체 질소가 더 공급되고, 건조부에는 회전하는 웨이퍼-형상 물품의 마랑고니 (Marangoni) 건조를 수행하도록 수행된다.
다른 양태에서, 본 발명은 미리 결정된 직경의 웨이퍼-형상 물품을 처리하기 위한 장치에서 사용되는 가스 공급 디바이스에 관한 것으로, 웨이퍼-형상 물품을 처리하기 위해 장치 상에 장착된 경우 및 작업 위치인 경우 웨이퍼-형상 물품의 전체 또는 실질적으로 전체를 커버하기 위한 크기의 가스 샤워헤드를 포함한다. 가스 샤워헤드를 위한 피봇 마운팅 (pivotal mounting) 은 가스 샤워헤드가 작업 위치와 대기 위치 사이를 이동하는 것을 허용한다. 가스 공급 디바이스는, 유체 디스펜서가 가스 샤워헤드의 측방향으로 이동 가능하기 위해, 가스 샤워헤드의 배출구 측 내에 유체 디스펜서를 받아 들이도록 구성된다.
본 발명에 따른 가스 공급 디바이스의 바람직한 실시형태에서, 터널은 가스 샤워헤드로부터 상방향으로 돌출되고, 유체 디스펜서가 터널 내에서 선형으로 이동가능하기 위해 유체 디스펜서를 수용하도록 구성된다.
본 발명에 따른 가스 공급 디바이스의 바람직한 실시형태에서, 가스 샤워헤드는 가스 샤워헤드의 배출구 측에 피봇식으로 장착된 유체 디스펜서를 포함한다.
본 발명에 따른 가스 공급 디바이스의 바람직한 실시형태에서, 가스 샤워헤드는 가스 샤워헤드의 배출구 측의 각각의 반대 외연 영역에 각각 피봇식으로 장착된 2개의 유체 디스펜서를 포함한다.
본 발명에 따른 가스 공급 디바이스의 바람직한 실시형태에서, 가스 샤워헤드는 가스 샤워헤드의 배출구 측으로 향하는 가스 디스펜싱 배출구의 어레이를 포함한다.
본 발명에 따른 가스 공급 디바이스의 바람직한 실시형태에서, 가스 디스펜싱 배출구는 각각 가스 샤워헤드에 의해 정의된 플레넘과 소통하는 업스트림 개구부 및 배출구 측의 다운스트림 개구부를 포함하고, 가스 디스펜싱 배출구는 업스트림 개구부로부터 다운스트림 개구부로의 단면적을 증가시킨다.
본 발명에 따른 가스 공급 디바이스의 바람직한 실시형태에서, 가스 디스펜싱 배출구의 다운스트림 개구부는 가스 샤워헤드의 디스펜싱면의 벌집 패턴에 의해 정의된다.
본 발명에 따른 가스 공급 디바이스의 바람직한 실시형태에서, 터널은 가스 공급 후드의 외부면 상에 위치되고 터널의 벽 내에 형성된 플레넘과 소통하는 가스 유입구를 포함하고, 터널은 터널의 적어도 하나의 내부 벽에 형성되고 플레넘과 소통하는 가스 배출구의 어레이를 더 포함한다.
본 발명에 따른 가스 공급 디바이스의 바람직한 실시형태에서, 터널은 터널의 적어도 하나의 내부 벽에 형성되고 터널의 적어도 하나의 내부 벽에 형성된 가스 배출구의 어레이와 소통하는 가스 유입구의 어레이를 포함한다.
본 발명에 따른 가스 공급 디바이스의 바람직한 실시형태에서, 터널은 터널의 2개의 대향하는 내부 벽 각각에 형성된 가스 배출구의 수평 로우를 포함하고, 가스 배출구의 수평 로우는 서로 대향한다.
다른 양태에서, 본 발명은 웨이퍼-형상 물품 처리 방법에 관한 것으로서, 미리 결정된 직경의 웨이퍼-형상 물품을 홀더 상에 위치시키는 단계, 홀더 상의 작업 위치에, 홀더에 위치된 웨이퍼-형상 물품의 전체 또는 실질적으로 전체를 커버하고, 웨이퍼 형상 물품의 상면 상으로 적어도 하나의 유체를 디스펜싱하기 위한 유체 디스펜서의 디스펜싱 위치도 커버하는 가스 공급 후드를 위치시키는 단계, 웨이퍼-형상 물품 상의 지역적 부분을 퍼지 (purge) 하기 위해, 가스 공급 후드를 통해 비-산화 가스를 디스펜싱하는 단계, 및 홀더에 대해 가스 공급 후드를 고정식으로 유지하는 동안, 홀더 및 가스 공급 후드의 측방향으로 유체 디스펜서를 이동시키는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 방법의 바람직한 실시형태에서, 위치시키는 단계는 가스 공급 후드를 대기 위치에서 작업 위치로 피봇시키는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 방법의 바람직한 실시형태에서, 비-산화 가스는 50 내지 300 l/min의 유속에서 가스 공급 후드를 통해 디스펜싱된다.
본 발명에 따른 방법의 바람직한 실시형태에서, 유체 디스펜서는 가스 공급 후드의 아래 방향으로 대향하는 면에 장착되고, 가스 공급 후드의 상방향으로 대향하는 면 상에 장착된 모터에 의해 측방향 스윙 패턴으로 이동된다.
본 발명에 따른 방법의 바람직한 실시형태에서, 유체 디스펜서는 가스 공급 후드에 독립적으로 장착되고, 가스 공급 후드로부터 상방향으로 돌출된 터널 내의 선형 경로를 따라 측방향으로 이동된다.
본 발명에 따른 방법의 바람직한 실시형태에서, 비-산화 가스는 가스 공급 후드 내의 유체 디스펜서의 측방향 이동 동안 가스 공급 후드로부터 디스펜싱된다.
본 발명에 따른 방법의 바람직한 실시형태에서, 탈이온수는 이동시키는 단계 동안 유체 디스펜서로부터 디스펜싱된다.
본 발명에 따른 방법의 바람직한 실시형태에서, 회전하는 웨이퍼-형상 물품의 마랑고니 건조를 수행하기 위해, 이소프로필 알코올 및 기체 질소는 이동시키는 단계 동안 유체 디스펜서로부터 디스펜싱된다.
본 발명의 다른 목적, 특징 및 이점은 첨부된 도면을 참조하여 주어진 본 발명의 바람직한 실시형태의 후속하는 상세한 설명을 읽은 후에 보다 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 가스 공급 디바이스의 상부로부터의 사시도이다.
도 2는 도 1의 가스 공급 디바이스의 하부로부터의 사시도이다.
도 4는 도 3의 IV-IV 선을 따른 단면도이다.
도 5는 도 3의 V-V 선을 따른 후드 (10) 의 단면도이다.
도 6은 작업 위치에서의 가스 공급 후드를 갖고, 가스 공급 후드의 터널에 수용된 스핀 척의 유체 디스펜서를 갖는, 스핀 척에 장착된 도 1의 가스 공급 디바이스의 상면도이다.
도 7은 도 6의 VII-VII 선을 따른 단면도이다.
도 8은 도 7에 지정된 VIII의 상세 확대도이다.
도 9a는 도 1의 실시형태의 가스 샤워헤드의 가스 분배 플레이트의 부분 단면도이다.
도 9b는 도 9a의 가스 분배 플레이트의 업스트림 면 상의 유입 개구부의 패턴을 도시한다.
도 9c는 도 9a의 가스 분배 플레이트의 다운스트림 면 상의 배출 개구부의 패턴을 도시한다.
도 10은 본 발명의 다른 바람직한 실시형태에 따른 가스 공급 후드를 통한 개략 축방향 단면이다.
도 11은 도 10의 가스 공급 후드의 저면도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 가스 공급 후드의 개략 저면도이다.
도 13은 대기 위치에서의 도 12의 실시형태의 개략 측면도이다.
도 1에서, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 가스 공급 디바이스 (1) 가 피봇 링크 (pivot link) (24) 를 통해 모터 (20) 에 장착된 가스 후드 (10) 를 포함한다. 전체 디바이스는 베이스 플레이트 (22) 를 통해 웨이퍼-형상 물품 처리 장치에 장착될 수 있고, 바람직하게는 반도체 웨이퍼의 단일 웨이퍼 습식 프로세싱을 위한 프로세스 모듈의 스핀 척에 장착될 수 있다. 모터 (20) 및 베이스 플레이트 (22) 를 향한 후드 (10) 의 배향은, 피봇 링크 (24) 를 통해 모터 (20) 의 동작에 의해 대기 위치로 피봇될 수 있는 곳으로부터, 가스 공급 디바이스 (1) 의 작업 위치에 대응한다.
후드 (10) 는 후드 (10) 에 만들어진 터널 (12) 을 포함하고, 그 목적은 후속하는 설명으로부터 명확해질 것이다. 유입구 (14 및 16) 는 비-산화 가스, 바람직하게는, 질소를 터널 (12) 의 좌측 벽 및 우측 벽 각각에 공급하는 반면, 유입구 (18) 는 바람직하게도 질소인 비-산화 가스를 후드 (10) 의 가스 샤워헤드 (40) 에 별개로 공급한다.
이제 도 2를 참조하면, 후드 (10) 가, 웨이퍼-형상 물품의 상면 상으로 비-산화 가스를 아래 방향으로 디스펜싱하기 위한, 어레이 형태로 형성된 다수의 개구부 (26) 를 갖는 가스 샤워헤드 (40) 를 포함하는 것이 하부로부터 보일 수 있다. 게다가, 아래로부터 보이는 바와 같은 터널 (12) 은 대향하는 한 쌍의 벽 (28, 30) 을 포함한다. 벽 (28) 의 내부 면 상에 개구부 (32) 의 로우 및 개구부 (34) 의 수직 컬럼 (column) 이 보일 수 있다. 벽 (30) 은 벽 (30) 의 내부 면에 동일한 어레이의 개구부를 갖지만, 그러한 개구부는 도 2에서 보이지 않는다.
본 실시형태의 각각의 터널 벽 (28, 30) 의 25개의 개구부 (32) 는 벽 (28) 의 내부에 형성된 플레넘 (plenum) (38) 을 통해 유입구 (14) 와 소통하는 배출구이다. 플레넘 (38) 은 벽 (28 및 30) 에 형성되고, 커버 (28c 및 30c) 에 의해 커버된다. 본 실시형태의 각각의 터널 벽 (28, 30) 의 8개의 개구부 (34) 는 플레넘 (38) 과 소통하는 추가적인 배출구이다.
도 2에서 또한 보이는 바와 같이, 터널 (12) 은, 후드가 유체 디스펜서에 핏 오버 (fit over) 하는 것뿐만 아니라, 이하에서 보다 충분히 설명될 바와 같이, 유체 디스펜서가 후드 (10) 에 대해 측방향으로, 벽 (28, 30) 에 평행한 방향으로 이동하는 것을 허용하는 개구부 (36) 를 갖는 터널 (12) 의 뒷단에서 개방된다.
이제 도 3 내지 도 5로 돌아가면, 본 실시형태의 가스 공급 디바이스 (10) 의 수개의 추가적인 특징이 강조된다. 특히, 도 5는 벽 (28, 30) 의 내부면에 형성된 배출구 (32) 의 각각의 어레이와 유입구 (14,16) 를 연결하는, 각각의 벽 (28, 30) 의 플레넘 (32) 을 도시한다. 도 5는 또한, 가스 공급 디바이스의 사용과 연결하여 설명될 효과를 생산하기 위해, 본 실시형태의 벽 (28) 이 (300㎜ 웨이퍼를 처리하는 척을 사용하도록 설계된 가스 공급 디바이스의 경우) 약 1㎝의 거리만큼 벽 (30) 보다 짧은 것을 드러낸다.
도 6 내지 도 8에서, 가스 공급 디바이스 (10) 는 반도체 웨이퍼 프로세싱 장치 (2) 에 장착된다. 특히, 도 7에서 보여질 수 있는 바와 같이, 장치 (2) 는 엣지에서 반도체 웨이퍼 (W) 와 함께 접촉하고 반도체 웨이퍼 (W) 를 함께 지지하는 원형의 일련의 그리핑 (gripping) 핀 (51) 을 갖는 스핀 척 (50) 을 포함한다. 따라서, 그러한 척 (50) 은 직경이 200㎜, 300㎜, 또는 450㎜인 실리콘 웨이퍼의 최근 및 다음 세대의 미리 결정된 직경의 웨이퍼를 처리하도록 설계된다. 웨이퍼 (W) 의 축과 일치하는 중심축에 대해 척 (50) 을 회전시키는 로터리 샤프트와 같은, 그러한 척의 다양한 종래 특징은 이해의 편의를 위해 생략된다.
특정 유체 디스펜서 (70) 가 장치 (2) 와 함께 도시되나, 당업자에게 알려진 바와 같이, 웨이퍼 (W) 의 상측을 위한 추가적인 매체 디스펜서 뿐만 아니라 유체 매체를 웨이퍼 (W) 의 하측으로 유도하는 도관과 같은 추가적인 도시되지 않은 유체 디스펜서가 존재할 수 있다는 것이 이해될 것이다.
한 쌍의 디플렉터 (deflector) (52, 54) 를 포함하는 컬렉터 (56) 에 의해 둘러싸인 척 (5) 이 도시되지만, 실제로 적어도 3개의 그러한 디플렉터가 통상적으로 사용될 것이다. 그러한 동축의 중첩된 디플렉터 (53, 54) 는, 척 (50) 이 각각의 컬렉터 레벨에 위치되도록 회전뿐만 아니라 수직적으로 이동가능한 멀티레벨 척의 특징이다. 다양한 디플렉터 (52, 54) 는 소비된 프로세스 매체를 상이한 컬렉터 드레인으로 향하게 하도록 기능하고, 이에 의해 미리 결정된 척에 의해 수행되는 프로세스의 더 넓은 범위를 허용한다. 컬렉터 (56) 는 또한 장치 (2) 로부터 배기 가스를 처리하기 위한 적합한 배관을 포함한다.
이러한 타입의 장치 (2) 는 실링된 챔버로 제공되지 않는데, 즉, 주위 공기는, 예를 들어 도 8에 도시된 화살표 (A) 에 의해 도시된 바와 같이 장치 내로 진입할 수도 있다. 그럼에도 불구하고, 가스 공급 장치 (10) 는 웨이퍼 (W) 에 바로 인접한 지역의 지역적 비-산화 주변 공기를 제공하고, 이는 웨이퍼 (W) 상면 상에 디스펜싱되는 탈이온수와 같은 매체를 통한 산소의 확산에 기인하여 발생하는 웨이퍼 (W) 상에 형성된 구리 및 코발트 구조의 부식을 방지한다. 디플렉터 (52) 와 후드 (10) 사이의 간격을 통해 내부로 들어가진 주변 공기는 도 8의 화살표 (E) 를 따라 척으로부터 배출된 가스와 혼합될 것이고, 그 후 디플렉터 (52) 와 디플렉터 (54) 사이로 방사상으로 고갈될 것이다.
도 8은 또한 가스 공급 후드 (10) 가 후드와 컬렉터 (56) 사이의 간격, 보다 상세하게는, 디플렉터 (52) 의 내부 에지 (15) 를 정의하는 스포일러 (11) 를 가스 공급 후드 (10) 의 외연에 포함하는 것을 설명하고, 간격은 바람직하게는 0.3㎜ 내지 5㎜의 범위이다. 게다가, 가스 공급 후드 (10) 는 후드 (10) 와 척 (5) 상에 위치된 웨이퍼 (W) 의 에지 사이의 간격을 정의하는 하부 링 (13) 을 포함한다.
본 실시형태에서, 유체 디스펜서 (70) 의 디스펜스 암 (72) 은 가스 공급 디바이스 (1) 의 뒤 개구부 (36) 를 통해 가스 공급 디바이스 (1) 의 터널 (12) 내로 수신된다. 유체 디스펜서 (70) 는, 컴퓨터-제어된 마이크로모터를 통해 화살표 (H) 를 따라 상호간의 선형 이동으로 수평하게, 그리고 화살표 (V) 를 따라 수직하게 모두 이동 가능하도록 샤프트 (74) 를 통해 베이스 플레이트 (76) 에 의해 장치 (2) 에 장착된다. 가스 후드 (10) 에 의해 커버된 디스펜스 암 (72) 을 유지하는 동안, 터널 (12) 의 크기 및 형상은 디스펜스 암 (72) 의 이러한 이동을 수용한다. 본 실시형태의 디스펜스 암 (72) 의 내부 도관은, 예를 들어, 공개된 국제 특허 출원 제 WO 2008/041211 호에 보다 상세하게 설명된 바와 같은, 회전하는 웨이퍼 (W) 의 상면의 마랑고니 건조를 가져오도록 탈이온수 뿐만 아니라 질소 가스 내의 이소프로필 알코올의 증기를 공급한다.
가스 공급 디바이스의 유입구 (14, 16, 18) 는 비활성 가스, 바람직하게는 질소를 각각의 유입구에 공급하는 각각의 도관 (65, 63, 67) 에 연결된다. 질소는 공급부 (68) 로부터 제공되고, 유입구 (14, 16, 18) 로의 질소의 흐름은 전체 동작 컴퓨터 (69)에 의해 지시된 바와 같이 미세 흐름 제어기 (60)에 의해 차례차례 제어되는 각각의 밸브 (64, 62, 66) 에 의해 서로 독립적으로 제어된다
동작 중에, 가스 공급 디바이스는 바람직하게는, 웨이퍼 (W) 뿐만 아니라 내부 터널 (12) 에 바로 인접한 주변 공기의 퍼지를 가져오도록, 유체 디스펜서 (70) 의 동작 시작 이전에 동작된다. 따라서, 질소 가스는, 50 내지 300 l/min 의 바람직한 동작 범위의 상한 쪽의 유속에서, 상술한 바와 같이 각각의 유입구 (14, 16, 18) 에 공급된다. 척 (50) 및 웨이퍼 (W) 는 퍼지 동안 정지되거나 회전 중일 수도 있다.
퍼지가 완료된 후, 디스펜서 (70) 는 웨이퍼 (W) 상의 건조 동작을 수행하도록 동작된다. 특히, 마랑고니 효과는 탈이온수와 IPA 증기 사이의 표면 장력 구배 (gradient) 때문에 질소 내의 탈이온수와 IPA 증기 사이의 인터페이스를 생성하도록 이용되고, 인터페이스는 웨이퍼가 회전함에 따라 디스펜스 암 (72) 의 방사상 바깥쪽으로의 선형 이동에 의해 웨이퍼 (W) 의 중앙에서 웨이퍼 (W) 의 외연으로 이동된다. 건조 동작 동안, 웨이퍼 표면에 인접하는 비-활성 주변을 유지하도록, 질소 가스는 상대적으로 낮은 유속에서 가스 공급 디바이스에 공급될 수도 있고, 또는 질소 흐름은 중단될 수도 있다.
바람직하게는, 질소 흐름은 터널 벽 (28, 30) 의 배출구 (32 및 24) 를 공급하는 유입구 (14 및 16) 로 적어도 계속된다. 특히, 터널 벽 (28, 30) 의 배출구 (32 및 34) 를 통한 대향 가스 흐름은 터널 내부의 연속하는 퍼지로서 기능하고, 산소가 웨이퍼 (W) 의 상면에 바로 인접한 영역으로 끌어 내려지는 것을 방지한다. 특히, 배출구 (32 및 34) 를 통한 대향 가스 흐름은 들어오는 산소에 대한 배리어 (barrier) 로서 기능한다.
벽 (28, 30) 의 비대칭은 터널 (12) 내의 비-산화 공기를 유지하는 것을 촉진한다. 특히, 더 긴 벽 단 (end) (44) 에 비해 더 짧은 벽 단 (42) 은 신속하게 회전하는 웨이퍼 (W) 와 결합하여, 터널 (12) 의 뒤에서 개방 단 (36) 을 통해 바깥쪽으로 주변 공기를 강요하도록 기능하는 터널 (12) 내의 펌핑 효과를 생성한다.
도 8에 도시된 바와 유사하게, 유입구 (18) 로의 가스 흐름은 정압이 가스 후드 (10) 의 외연에서 유지되도록 선택된다. 이러한 방식으로, 비-산화 가스는 화살표 (E) 의 방향으로 방사상으로 척 (5) 의 바깥쪽으로 방출되고, 웨이퍼 (W) 의 상면에 바로 인접한 영역에 진입하는 공기에 대한 배리어로서 동작한다.
도 9a 내지 9c에서, 샤워헤드 (40) 의 바람직한 구성이 도시된다. 특히, 샤워헤드 (40) 는 바람직하게는 샤워헤드 (40) 의 업스트림 면 (45) 상에 본 실시형태에서 바람직하게 약 0.5㎜의 직경으로 상대적으로 작은 직경인 홀 (41) 의 어레이를 포함한다. 샤워헤드 (40) 의 업스트림 면 (45) 및 둘러싸는 가스 후드 (10) 는 압력 분배 챔버인 샤워헤드 (40) 의 플레넘 (48) 업스트림을 정의한다. 배출구 (43) 가 거의 연속적이고 바람직하게는 도 9b에 도시된 바와 같은 벌집 패턴으로 구성되도록, 유입구 홀은 유입구 측으로부터 배출구 측으로 샤워헤드 (40) 의 두께를 통한 통과를 계속해서 넓힌다.
샤워헤드 (40) 의 본 구성은 샤워헤드의 플레넘 (48) 업스트림에 바람직한 정압을 즉시 유지하도록 돕고, 또한 웨이퍼 (W) 의 표면으로부터 공기의 차단에 최적인 난류의 저속 질소 흐름을 생성하는 것을 보조한다.
도 10 내지 도 13에서, 가스 공급 디바이스의 다른 실시형태가 도시된다. 도시된 특징은 선행하는 실시형태의 가스 공급 디바이스와 상이한 것이고, 2개의 실시형태의 공통 특징은 다시 기재되지 않는다.
도 10에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 실시형태의 가스 후드 (80) 는 독립적으로 장착된 유체 디스펜서를 수용하기 위한 터널을 포함하지 않으나, 대신에 가스 후드 (80) 자체에 직접 장착된 유체 디스펜서 (90) 를 포함한다. 특히, 본 실시형태의 유체 디스펜서 (90) 는, 선행하는 실시형태와 연결하여 설명된 바와 같이, 웨이퍼의 상면 상에 하나 이상의 유체를 디스펜싱하기 위한 적어도 하나의 노즐을 가진 말단 (94) 을 갖는다. 유체 디스펜서의 근접 단 (96) 은 가스 후드 (80) 의 하측, 보다 상세하게는, 가스 후드 (80) 의 상부 외면에 장착되는 모터 (92) 의 출력 샤프트에 피봇식으로 장착되고, 출력 샤프트는 동적 실 (seal) 을 통해 후드 (80) 를 가로지른다.
바람직하게는, 가스 후드 (80) 는 선행하는 실시형태와 연결하여 기재된 바와 같이 비-산화 가스가 독립적으로 공급되는 중앙 가스 유입구 (84) 및 측면 유입구 (82) 를 포함한다.
도 11은 아래로부터의 가스 후드 (80) 및 관련된 유체 도관 (91) 을 포함하는 디스펜서 (90) 를 다소 상세하게, 그리고 모터 (92) 의 출력 샤프트에 의한 근접 단 (96)에서 피봇된 바와 같은 디스펜서 (90) 의 말단 (94) 에서의 노즐의 궤적 (T) 을 도시한다.
도 12는 도 11의 도면과 유사하고, 가스 후드 (80) 의 하측에 장착된 2개의 유체 디스펜서라는 점에서 도 10 및 도 11의 도면과 주로 상이한 가스 후드의 또 다른 실시형태의 개략도이다. 따라서, 제2 유체 디스펜서의 근접 단 (96’) 이 후드 (80) 의 상부 외면 상에 장착된 제2 모터 (미도시) 를 통해 후드 (80) 의 하측에 피봇식으로 장착되고, 제2 유체 디스펜서의 디스펜싱 단 (94’) 이 제1 유체 디스펜서의 대략적인 거울 이미지인 원형 아크를 따라 이동가능하다. 본 실시형태는 상이한 유체가 보다 유연한 다양한 프로세스 창에서 후드로부터 디스펜싱되는 것을 허용한다.
도 10 내지 도 13의 실시형태는 선행하는 실시형태와 동일하게, 작업 위치와 대기 위치 사이에서 피봇될 수 있는 가스 후드를 포함하고, 도 13은 대기 위치에서의 그러한 후드를 개략적으로 도시한다. 도 10 내지 도 13의 실시형태의 추가적인 특징은, 가스 후드 (80) 를 가스 후드 (80) 의 작업 위치로 낮추기 이전에 유체 디스펜서의 프리플러싱 (preflushing) 을 용이하게 하기 위해, 프리플러쉬 호퍼 (preflush hopper) 가 유체 디스펜서 (90) 의 배출구 단 (94) 중 하나 또는 둘 모두에 인접하도록 제공될 수도 있다는 것이다.
도 10 내지 도 13의 실시형태는 선행하는 실시형태와 동일하게 가스 공급 디바이스의 가스 후드 내에 포함되고, 가스 후드가 가스 후드의 작업 위치에 있는 동안 가스 후드에 대해 이동가능한 유체 디스펜서를 제공한다. 도 10 내지 도 13의 실시형태는, 그들이 선행하는 실시형태에서와 같은 개방 뒤 부분을 갖는 터널을 포함하지 않기 때문에, 웨이퍼의 상면에 바로 인접한 지역의 공기의 향상된 제어를 제공할 수도 있다.
본 발명이 본 발명의 다양한 예시적인 실시형태와 연결하여 설명되었지만, 그러한 실시형태들이 첨부된 청구항의 진정한 범위 및 사상에 의해 부여되는 보호 범위를 제한하는 구실로서 사용되지 않아야 한다는 것이 이해될 것이다.

Claims (15)

  1. 미리 결정된 직경의 웨이퍼-형상 물품을 홀딩 (holding) 하기 위한 홀더 (holder);
    상기 홀더 상에 위치된 웨이퍼 형상 물품의 상면 상으로 적어도 하나의 유체를 디스펜싱 (dispensing) 하기 위한 유체 디스펜서 (dispenser); 및
    상기 홀더 상의 작업 위치에 위치 가능한 가스 공급 후드를 포함하고,
    상기 가스 공급 후드는 상기 홀더 상에 위치된 경우에 웨이퍼 형상의 물품의 전체 또는 실질적으로 전체를 커버하고,
    상기 가스 공급 후드는, 상기 가스 공급 후드 내에 상기 유체 디스펜서를 수용하고, 상기 가스 공급 후드가 상기 작업 위치에 있는 동안 및 상기 가스 공급 후드를 이동함이 없는 동안 상기 유체 디스펜서가 상기 홀더 및 상기 가스 공급 후드의 측방향으로 이동되는 것을 허용하는, 웨이퍼-형상 물품 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가스 공급 후드는, 상기 홀더 상의 위치인 경우 웨이퍼-형상 물품을 향해 아래 방향으로 향하는 가스 디스펜싱 배출구의 어레이를 갖는 가스 샤워헤드를 포함하는, 웨이퍼-형상 물품 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 홀더는 반도체 웨이퍼의 단일 웨이퍼 습식 프로세싱을 위한 프로세스 모듈의 스핀 척인, 웨이퍼-형상 물품 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 홀더를 둘러싸는 유체 컬렉터를 더 포함하고,
    상기 컬렉터는 상기 홀더 및 상기 가스 공급 후드를 주변 공기에 노출시키는, 웨이퍼-형상 물품 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 가스 공급 후드는 상기 작업 위치와 대기 위치 사이의 피봇 (pivotal) 이동을 위해 장착된, 웨이퍼-형상 물품 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 가스 공급 후드는 상단이 서로 연결되고 하단이 상기 가스 샤워헤드의 분배 플레이트를 통해 통과하는 한 쌍의 벽에 의해 정의되는 터널을 더 포함하는, 웨이퍼-형상 물품 처리 장치.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 유체 디스펜서는 상기 스핀 척의 회전 축에 수직한 평면에서의 측방향 이동을 위해 장착된, 웨이퍼-형상 물품 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 측방향 이동은 상기 스핀 척의 방사상 방향을 따른 선형 이동인, 웨이퍼-형상 물품 처리 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 측방향 이동은 스윙 (swinging) 이동이고,
    상기 유체 디스펜서는 상기 스핀 척의 회전 축에 평행하고 상기 스핀 척의 회전 축으로부터 오프셋 (offset) 된 축에 대한 피봇 이동을 위해 장착된 근접 단 (end) 및 원형 아크로 이동가능한 말단을 포함하는, 웨이퍼-형상 물품 처리 장치.
  10. 미리 결정된 직경의 웨이퍼-형상 물품을 처리하기 위한 장치에서 사용되는 가스 공급 디바이스로서,
    웨이퍼-형상 물품을 처리하기 위해 장치에 장착된 경우 및 작업 위치인 경우 웨이퍼-형상 물품의 전체 또는 실질적으로 전체를 커버하기 위한 크기의 가스 후드; 및
    상기 가스 후드가 상기 작업 위치와 대기 위치 사이를 이동하는 것을 허용하는 상기 가스 후드를 위한 피봇 마운팅 (pivotal mounting)을 포함하고,
    상기 가스 공급 후드는, 상기 유체 디스펜서가 상기 가스 후드의 측방향으로 이동 가능하기 위해, 상기 가스 후드의 배출구 측 내에 유체 디스펜서를 받아들이도록 구성된, 가스 공급 디바이스.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 가스 후드로부터 상방향으로 돌출되고, 유체 디스펜서가 상기 터널 내에서 선형으로 이동 가능하기 위해 상기 유체 디스펜서를 수용하도록 구성된 터널을 더 포함하는, 가스 공급 디바이스.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 가스 후드는 상기 가스 후드의 배출구 측에 피봇식으로 장착된 유체 디스펜서를 포함하는, 가스 공급 디바이스.
  13. 미리 결정된 직경의 웨이퍼-형상 물품을 홀더 상에 위치시키는 단계;
    상기 홀더 상의 작업 위치에, 상기 홀더 상에 위치된 상기 웨이퍼-형상 물품의 전체 또는 실질적으로 전체를 커버하고, 상기 웨이퍼 형상 물품의 상면 상으로 적어도 하나의 유체를 디스펜싱하기 위한 유체 디스펜서의 디스펜싱 부분도 커버하는 가스 공급 후드를 위치시키는 단계;
    상기 웨이퍼-형상 물품 상의 지역적 주변을 퍼지 (purge) 하기 위해, 상기 가스 공급 후드를 통해 비-산화 가스를 디스펜싱하는 단계; 및
    상기 홀더에 대해 상기 가스 공급 후드를 고정식으로 유지하는 동안, 상기 홀더 및 상기 가스 공급 후드의 측방향으로 상기 유체 디스펜서를 이동시키는 단계를 포함하는, 웨이퍼-형상 물품 처리 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 유체 디스펜서는 상기 가스 공급 후드에 독립적으로 장착되고, 상기 가스 공급 후드로부터 상방향으로 돌출된 터널 내의 선형 경로를 따라 측방향으로 이동되는, 웨이퍼-형상 물품 처리 방법.
  15. 제13항에 있어서,
    비-산화 가스는 상기 가스 공급 후드 내의 상기 유체 디스펜서의 측방향 이동 동안 상기 가스 공급 후드로부터 디스펜싱된, 웨이퍼-형상 물품 처리 방법.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI462148B (zh) * 2013-07-10 2014-11-21 Fluid nozzle and fluid nozzle device
KR20150116017A (ko) * 2014-04-03 2015-10-15 삼성전자주식회사 반도체 소자의 세정 및 건조 방법 및 이를 이용하는 반도체 소자의 제조 방법
US10167552B2 (en) * 2015-02-05 2019-01-01 Lam Research Ag Spin chuck with rotating gas showerhead
JP6626762B2 (ja) 2016-03-30 2019-12-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6722551B2 (ja) 2016-08-31 2020-07-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP7412340B2 (ja) 2017-10-23 2024-01-12 ラム・リサーチ・アーゲー 高アスペクト比構造のスティクションを防ぐためのシステムおよび方法、および／または、高アスペクト比の構造を修復するためのシステムおよび方法
CN112805808A (zh) 2018-10-03 2021-05-14 朗姆研究公司 预防高深宽比结构的黏滞和/或对其修补的含氟化氢、醇及添加剂的气体混合物
TWI821679B (zh) * 2020-08-25 2023-11-11 南韓商杰宜斯科技有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
US12068169B2 (en) * 2021-03-25 2024-08-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor processing tool and methods of operation

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003297788A (ja) * 2002-03-29 2003-10-17 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
US8926788B2 (en) * 2010-10-27 2015-01-06 Lam Research Ag Closed chamber for wafer wet processing
JP5694118B2 (ja) * 2011-01-18 2015-04-01 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP5604371B2 (ja) * 2011-06-09 2014-10-08 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
KR101811066B1 (ko) * 2011-07-12 2017-12-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치 및 액처리 방법

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