TW201411714A - 晶圓狀物件之液體處理用方法及設備 - Google Patents

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Karl-Heinz Hohenwarter
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Abstract

本發明係提供一種晶圓狀物件之處理設備及方法，其利用可定位於支撐件上方之工作位置的氣體供應罩，俾使當晶圓狀物件定位於該支撐件上時可被其整個或實質整個的覆蓋住。該氣體供應罩乃容納一流體配送器，用以供應至少一流體至位於支撐件上晶圓狀物件的上表面上。該氣體供應罩可讓流體配送器在氣體供應罩位於工作位置時、相對於支撐件以及氣體供應罩橫向移動而不需移動氣體供應罩。

Description

晶圓狀物件之液體處理用方法及設備
本發明係大致關於晶圓狀物件之液體處理用方法及設備，例如在半導體晶圓中，一或多種處理液體係配送至該晶圓狀物件的表面。
半導體晶圓需接受各種不同的表面處理製程，例如蝕刻、潔淨、拋光以及材料沈積。為了容納這些製程，單一晶圓可由連接於旋轉載體之夾盤支撐而放置在相對於一或多個處理流體噴嘴處，如同美國專利號第4,903,717以及5,513,668的範例中所述。
隨著半導體晶圓上製造之裝置及特徵極小化的增加，在未受控制的開放環境下處理這些晶圓變得越來越有問題。例如，當晶圓在開放於周遭空氣的站上進行濕式處理時，空氣中的氧含量會引起晶圓正面上的銅腐蝕。
在開放環境下處理單一晶圓期間，空氣中的氧可透過晶圓上的液體層擴散至晶圓表面，引發銅氧化而因此產生銅損耗，此現象也會影響例如鈷的金屬層。此等效果在液體層很薄的地方更是嚴重，例如在晶圓邊緣處。
且，在開放環境下進行處理時，橫跨整個晶圓表面作用的機械力及流體力可導致圖案塌陷、扭曲或其他對組裝於晶圓表面上的各種裝置及特徵部的傷害。
圖案塌陷可例如發生在當液體向外徑向移動通過旋轉晶圓的表面，其表面張力會施加傷害性或毀滅性的力至形成於該晶圓表面上的超顯微鏡結構。此種圖案塌陷的問題隨著半導體 晶圓直徑的增加以及超顯微鏡結構的深寬比增加而變得更為嚴重。
在未受控制的開放環境下，處理液體的應用及移除亦會導致晶圓表面水漬的產生。
另一方面，具有環境密封腔室的晶圓處理工具通常需要較大的資本投資，且相較於開放式處理工具，其較為昂貴且操作較為複雜。
之前嘗試於在開放式晶圓處理工具內提供局部控制之氣體環境並不完全令人滿意。例如，在美國專利第6,193,798號中描述一具有固定式氮氣罩的夾盤，然而，用以配送處理流體的噴嘴乃固定於罩中，故此無法相對於晶圓而移動。共同持有且仍在審查中之美國專利公開號第2012/0131815中，描述一相對於工作件之直徑較為小型的氣體配送器，且其包含一中央流體配送器。該氣體配送器以及流體配送器可因此一起移動，但非獨立移動，且兩者的動作對於處理整個晶圓表面是必須的。
因此在一實施態樣中，本發明係關於一晶圓狀物件之處理設備，其包含：一支撐件，用以支撐具有預定直徑之晶圓狀物件；一流體配送器，用以配送至少一流體至位於該支撐件上之晶圓狀物件的上表面；以及一氣體供應裝置，可位於該支撐件上方之一工作位置，當晶圓狀物件位於該支撐件上時，該氣體供應裝置便覆蓋住整個或實質整個的晶圓狀物件。氣體供應裝置乃將流體配送器容納於一氣體供應罩內，並在氣體供應罩位於工作位置時，可讓流體配送器相對於支撐件及氣體供應罩橫向移動而不需移動氣體供應罩。
根據本發明之設備的較佳實施例中，氣體供應裝置包含一具有氣體配送出口陣列之氣體噴淋頭，該氣體配送出口陣列乃向下朝向當位於該支撐件上時之晶圓狀物件。
根據本發明之設備的較佳實施例中，該支撐件乃為半導體晶圓之單一晶圓濕式處理中之處理模組裡的旋轉夾盤。
根據本發明之設備的較佳實施例中，一流體收集器環繞該支撐件，且該收集器將該支撐件以及該氣體供應罩暴露至大氣中。
根據本發明之設備的較佳實施例中，該氣體供應罩之外部邊緣的形狀係對應於流體收集器的內部邊緣。氣體供應罩之外部邊緣與收集器之內部邊緣的間距較佳是在0.3mm至5mm的範圍內。
根據本發明之設備的較佳實施例中，氣體供應罩覆蓋的區域係為95%至99%之收集器所環繞的區域。
根據本發明之設備的較佳實施例中，每一個氣體配送出口均包含一上游開口而與形成於氣體噴淋頭內的充氣部相通、以及一面向支撐件之下游開口，而氣體配送出口的橫剖面積乃自上游出口往下游出口增加。
根據本發明之設備的較佳實施例中，氣體配送出口之下游開口係由氣體噴淋頭之配送面的蜂巢狀圖案所界定。
根據本發明之設備的較佳實施例中，氣體供應罩之裝設係用以在工作位置以及預備位置之間的樞軸轉動。
根據本發明之設備的較佳實施例中，氣體供應罩更包含由一對壁所界定之通道，該對壁之上端係結合在一起，而其下端則是穿過該氣體噴淋頭之一配送板，其中該下端的第一個結束於或連接於氣體供應罩之最下端，而該下端的第二個則結束於該第一下端上方之一預定距離處，藉此該通道有著一不對稱形狀。
根據本發明之設備的較佳實施例中，氣體供應裝置包含供應氣體至氣體噴淋頭之至少一第一外部入口、以及分別供應氣體至該通道之至少一第二外部入口。
根據本發明之設備的較佳實施例中，該設備包含電腦控制閥門，其用以控制流入氣體噴淋頭之氣體流速以及流入通道的氣體流速，該兩者係彼此獨立。
根據本發明之設備的較佳實施例中，該通道包含位於氣體供應罩之一外表面上的氣體入口，其與形成於通道壁內之充氣部相通，該通道更包含形成於通道之至少一內壁內之氣體出口陣列而與該充氣部相通。
根據本發明之設備的較佳實施例中，該通道更包含形成於通道之至少一內壁內之氣體入口陣列而與形成於通道之至少一外壁內之氣體出口陣列相通。
根據本發明之設備的較佳實施例中，該通道於其兩相對內壁中的每一個內壁內各包含一水平列的氣體出口，該複數水平列的氣體出口乃彼此相對。
根據本發明之設備的較佳實施例中，該流體配送器的安裝係用以在與該旋轉夾盤之旋轉軸垂直之平面上的橫向移動。
根據本發明之設備的較佳實施例中，該橫向移動乃是沿著該旋轉夾盤之一徑向的線性移動。
根據本發明之設備的較佳實施例中，該橫向移動為搖擺移動，且該流體配送器包含一近端及一遠端，該近端的安裝乃用以環繞一軸而樞軸轉動，該軸係平行並偏離該旋轉夾盤之該旋轉軸，而該遠端則可以一圓弧方式移動。
根據本發明之設備的較佳實施例中，一第二流體配送器係容納於氣體供應罩下方，其包含一近端及一遠端，該近端的安裝乃用以環繞一軸而樞軸轉動，該軸係平行並偏離該旋轉夾盤之該旋轉軸以及該流體配送器之樞接軸，而該遠端則可以一圓弧方式移動。
根據本發明之設備的較佳實施例中，該流體配送器為一乾燥單元，被供以去離子水。
根據本發明之設備的較佳實施例中，該乾燥單元更被供應有異丙醇以及氣態氮，且用來進行旋轉晶圓狀物件之馬蘭哥尼乾燥(Marangoni drying)。
在另一實施態樣中，本發明係關於一種氣體供應裝置，用於對預定直徑之晶圓狀物件的處理設備中，其包含一氣體噴淋頭，在晶圓狀物件安裝在用以處理晶圓狀物件的設備上且位於工作位置時，該氣體噴淋頭的尺寸可覆蓋住整個或實質整個的該晶圓狀物件。一樞軸安裝件，用於該氣體噴淋頭，其可使該氣體噴淋頭在該工作位置以及一預備位置之間移動。該氣體供應裝置係用以將一流體配送器接收至該氣體噴淋頭之一出口側內，俾使該流體配送器可相對於該氣體噴淋頭橫向移 動。
根據本發明之氣體供應裝置的較佳實施例中，一通道自該氣體噴淋頭向上突出，且用以容納一流體配送器，俾使該流體配送器可在該通道內線性移動。
根據本發明之氣體供應裝置的較佳實施例中，該氣體噴淋頭包含一流體配送器，其樞軸地安裝於該氣體噴淋頭之一出口側上。
根據本發明之氣體供應裝置的較佳實施例中，該氣體噴淋頭包含兩個流體配送器，每一配送器均樞軸地安裝於該氣體噴淋頭之出口側的各自相對的周圍區域上。
根據本發明之氣體供應裝置的較佳實施例中，該氣體噴淋頭包含朝向該氣體噴淋頭之一出口側的氣體配送出口陣列。
根據本發明之氣體供應裝置的較佳實施例中，該氣體配送出口的每一個均包含一上游開口而與氣體噴淋頭所界定之充氣部相通、以及一位於出口側上之下游開口，而氣體配送出口的橫剖面積乃自上游出口往下游出口逐步增加。
根據本發明之氣體供應裝置的較佳實施例中，氣體配送出口之下游開口係由氣體噴淋頭之配送面的蜂巢狀圖案所界定。
根據本發明之氣體供應裝置的較佳實施例中，該通道包含位於氣體供應罩之一外表面上的氣體入口，其與形成於通道壁內之充氣部相通，該通道更包含形成於通道之至少一內壁內之氣體出口陣列而與該充氣部相通。
根據本發明之氣體供應裝置的較佳實施例中，該通道更包含形成於通道之至少一內壁內之氣體入口陣列而與形成於通道之至少一外壁內之氣體出口陣列相通。
根據本發明之氣體供應裝置的較佳實施例中，該通道於其兩相對內壁中的每一個內壁內各包含一水平列的氣體出口，該等水平列的氣體出口乃彼此相對。
在另一實施態樣中，本發明係關於一種晶圓狀物件之處理方法，其步驟包含：將預定直徑之一晶圓狀物件定位於一支撐件上；將一 氣體供應罩定位於該支撐件上方之一工作位置上，其中該氣體供應罩覆蓋住整個或實質整個位於該支撐件上之該晶圓狀物件，並覆蓋住一流體配送器之一配送部，該流體配送器係用以將至少一流體配送至該晶圓狀物件之一上表面上；將一非氧化氣體通過該氣體供應罩進行配送，以清洗該晶圓狀物件上方之局部大氣；及將該流體配送器相對於該支撐件及該氣體供應罩橫向移動，同時保持該氣體供應罩相對於該支撐件固定不動。
根據本發明方法的較佳實施例中，該定位的步驟包含將氣體供應罩從一預備位置樞軸轉動至工作位置。
根據本發明方法的較佳實施例中，該非氧化氣體係通過氣體供應罩而以50-300l/min的速率配送。
根據本發明方法的較佳實施例中，該流體配送器乃安裝於氣體供應罩之一面向下之表面，且係由安裝於氣體供應罩之面朝上之表面上的馬達驅使而以橫向搖擺的模式移動。
根據本發明方法的較佳實施例中，該流體配送器的裝設乃獨立於該氣體供應罩，且可沿著自該氣體供應罩向上突出之一通道內的一線性路徑而橫向移動。
根據本發明方法的較佳實施例中，該非氧化氣體係於該氣體供應罩內之該流體配送器的橫向移動期間，自該氣體供應罩進行供應。
根據本發明方法的較佳實施例中，去離子水乃於移動步驟期間，自流體配送器配送出。
根據本發明方法的較佳實施例中，於移動步驟期間，異丙醇以及氣態氮均自流體配送器流出，俾利執行旋轉晶圓狀物件之馬蘭哥尼乾燥。
1‧‧‧氣體供應裝置
2‧‧‧設備
10‧‧‧氣體罩
11‧‧‧擾流片
12‧‧‧通道
13‧‧‧下環
14‧‧‧入口
15‧‧‧內邊緣
16‧‧‧入口
18‧‧‧入口
20‧‧‧馬達
22‧‧‧底板
24‧‧‧樞軸連桿
26‧‧‧開口
28‧‧‧壁
28c‧‧‧蓋
30‧‧‧壁
30c‧‧‧蓋
32‧‧‧開口
34‧‧‧開口
36‧‧‧開口
38‧‧‧充氣部
40‧‧‧氣體噴淋頭
41‧‧‧孔
42‧‧‧短壁端
43‧‧‧出口
44‧‧‧長壁端
45‧‧‧上游面
48‧‧‧充氣部
50‧‧‧夾盤
51‧‧‧夾持插銷
52‧‧‧導流片
54‧‧‧導流片
56‧‧‧收集器
60‧‧‧微流量控制器
62‧‧‧閥
63‧‧‧管路
64‧‧‧閥
65‧‧‧管路
66‧‧‧閥
67‧‧‧管路
68‧‧‧供應器
69‧‧‧整體操作電腦
70‧‧‧流體配送器
72‧‧‧配送臂
74‧‧‧轉軸
76‧‧‧底板
80‧‧‧氣體罩
82‧‧‧側入口
84‧‧‧中央氣體入口
90‧‧‧流體配送器
91‧‧‧流體管路
92‧‧‧馬達
93‧‧‧前送給料箱
94‧‧‧遠端
94’‧‧‧遠端
96‧‧‧近端
96’‧‧‧近端
本發明之其他目的、特徵以及優點在閱讀下列本發明之較佳實施例並參照所附圖示的詳細描述之後將更為明顯：圖1顯示一上方透視圖，說明根據本發明之第一實施例的氣體供應裝置；圖2顯示從圖1的氣體供應裝置下方觀看的一透視圖； 圖3顯示圖1的氣體供應裝置的一頂視平面圖；圖4顯示沿圖3之IV-IV線之一剖面圖；圖5顯示沿圖3之V-V線之供應罩10的剖面圖；圖6顯示一頂視平面圖，說明安裝於旋轉夾盤上之圖1的氣體供應裝置，該氣體供應罩位於其工作位置，而旋轉夾盤之流體配送器則容納於氣體供應罩之通道中；圖7顯示沿圖6之VII-VII線的剖面圖；圖8顯示圖7標明之VIII的詳細放大圖；圖9a顯示一局部剖面圖，說明圖1之實施例的氣體噴淋頭之氣體配送板；圖9b顯示圖9a之氣體配送板之上游面上的入口圖案；圖9c顯示圖9a之氣體配送板之下游面上的出口圖案；圖10顯示一貫穿根據本發明之另一較佳實施例之氣體供應罩的示意軸向橫剖面圖；圖11顯示一底視圖，說明圖10之氣體供應罩；圖12顯示一示意底視圖，說明根據本發明之再另一實施例中之氣體供應罩；圖13顯示一示意側視圖，說明位於預備位置之圖12之實施例；
在圖1中，根據本發明之第一實施例中之氣體供應裝置1，其包含一透過樞軸連桿24而連接至馬達20的氣體罩10。該整體裝置乃透過底板22而安裝至處理晶圓狀物件之設備，且較佳是安裝至半導體晶圓之單一晶圓濕式處理用之處理模組中的旋轉夾盤。罩10對馬達20以及底板22的方向乃對應於氣體供應裝置1的工作位置，其可透過樞軸連桿24而藉由馬達20驅動、進而從該工作位置樞轉至預備位置。
罩10包含一設置於罩10內的通道12，其目的將從下列的描述中變得明顯。入口14及16係分別供應非氧化氣體(較佳為氮)至通道12的左右壁，然而入口18則分開供應非氧化氣體(較佳亦為氮)至罩 10的氣體噴淋頭40。
現在請參照圖2，吾人從下方可以看到，罩10包含一氣體噴淋頭40，其具有以陣列形成的大量開口26，用以向下配送非氧化氣體至晶圓狀物件之上表面上。且，從下方觀看之通道12包含一對相對的壁28及30。在壁28的內表面上可見一列開口32以及一垂直排的開口34。雖然在圖2中看不到，但壁30在其內表面上亦具有相同的開口陣列。
在本實施例中，每一通道壁28、30均具有25個開口32，該開口32係為透過形成於壁28內部的充氣部38而與入口14相通的出口。而在壁30的相對應開口則透過壁30內之充氣部而與入口16相通。充氣部38乃形成於壁28及30內，並被蓋28c及30c所覆蓋住。在本實施例中，每一通道壁28、30均具有8個開口34，該等開口34更是與充氣部38相通的出口。
如圖2也可見到，通道12在其背側端是開放的，那裡有著開口36可容許罩正好蓋上流體配送器，並可讓流體配送器相對於罩10橫向移動而平行於壁28及30的方向，下面將更加詳細描述。
現在轉而來看圖3~5，本實施例之氣體供應裝置10的數個額外的特徵部均被強調出來。尤其，圖5顯示了每一壁28、30中的充氣部，其將入口14、16與形成於壁28、30之內表面上之各自的出口陣列32連結在一起。圖5亦顯示出本實施例之壁28比壁30短了約1cm的距離(在設計用來與處理300mm晶圓的夾盤一起使用之氣體供應裝置的情況下)，其係為了產生與使用該裝置有關的效果，下面將加以描述。
在圖6~8中，氣體供應裝置10乃裝設於設備2中以處理半導體晶圓。具體而言，在圖7中可看到，設備2包含具有圓狀系列的夾持插銷51的旋轉夾盤50，該等夾持插銷51可在半導體晶圓W的邊緣處共同接觸晶圓並將其支撐。因此此種的夾盤50乃設計用來處理一預定直徑的晶圓，而最新及下一代的矽晶圓世代的直徑為200mm、300mm或450mm。此種夾盤之各種習知特徵在此省略以便輕易瞭解，例如環繞著夾盤50之中心軸(與晶圓W的軸重合)而旋轉夾盤50的旋轉軸。
一個特別的流體配送器70係與設備2一同顯示，但吾人應瞭解可有其他額外的流體配送器未顯示出，例如熟習本技藝者所熟知之 晶圓W頂側用之額外的介質配送器，以及引導流體介質至晶圓W底側之管路。
夾盤50係顯示出被收集器56所環繞，其包含一對導流片52、54，雖然實務上典型至少會有三個此種導流片。此等同軸重疊導流片52、54為多層夾盤之特徵，其中夾盤50不僅可旋轉移動、更可垂直移動以便定位於每一收集器位階。不同的導流片52、54係用以引導廢處理介質至不同的收集器排放口，藉此讓更大範圍的處理可讓一給定的夾盤執行。收集器56亦包含適於處理自設備2排放氣體的管路。
此種型態的設備2並非設於密封式腔室中，也就是說，大氣可能會進入該設備，如圖8之箭頭A所顯示。雖然如此，氣體供應裝置10在緊鄰晶圓W的區域提供了局部非氧化環境空氣，如此防止了形成於晶圓W上之銅及鈷的此種腐蝕，否則本來腐蝕會因為透過介質(例如配送至晶圓W上表面之去離子水)的氧擴散而發生。通過導流片52及罩10之間的間隔而流入的環境空氣會與沿著圖8之箭頭E的方向而自夾盤中被逐出的氣體混合，接著會在導流片52及54之間被徑向排出。
圖8亦說明氣體供應罩10在其外周圍包含一擾流片11，其界定了罩與收集器56之間的間隔，詳細來說是導流片52的內邊緣15，其間隔較佳落於0.3mm至5mm的範圍之間。氣體供應罩10更包含一下環13，其界定了罩10以及位於夾盤50上之晶圓W的邊緣之間的間隔。
在本實施例中，流體配送器70之配送臂72係透過通道12的後開口36而被接收於氣體供應裝置1之通道12內。流體配送器70係藉由一底板76並透過一轉軸74而安裝至設備2，俾使其可透過電腦控制之微型馬達而沿著箭頭H的水平線性運動以及沿著箭頭V的垂直運動而交互移動。通道12的尺寸以及形狀可容納配送臂72的此些運動，同時讓配送臂72被氣體罩10覆蓋住。本實施例中之配送臂72的內部管路乃供應去離子水以及氮氣中之異丙醇蒸汽，以便啟動旋轉晶圓W之上表面的馬蘭哥尼乾燥，如世界專利公開號第WO2008/041211的例子中之更詳盡的說明。
氣體供應裝置之入口14、16、18均分別連接至管路65、63及67，其供應非氧化氣體(較佳為氮氣)至每一該等入口。氮氣係由 供應器68所提供，而流至入口14、16、18的氮氣流則是由個別閥64、62、66彼此獨力控制，該等閥則是由整體操作電腦69所指示之微流量控制器60所輪流控制。
操作上，氣體供應裝置較佳是在開始操作流體配送器70之前先啟動，俾利實現緊鄰晶圓W以及通道12內部之環境空氣的洗淨程序。因此，氮氣係以上述說明之方式而以朝向較佳操作範圍50~300l/min的上限的流速來供應至每一入口14、16、18。夾盤50及晶圓W在洗淨程序中可維持不動或可旋轉。
在洗淨程序之後，配送器70乃執行晶圓W上的乾燥操作。具體而言，馬蘭哥尼效應係用來在去離子水以及氮氣中的IPA蒸汽之間、因這些流體間的表面張力梯度而產生一介面，隨著晶圓的旋轉，此介面係因配送臂72之徑向朝外之線性運動而被從晶圓W中心而移至其周圍。在此乾燥操作期間，氮氣可以相對較低之流速供應至氣體供應裝置，俾利維持緊鄰晶圓表面之非氧化大氣，或者也可停止氮氣流。
較佳地，氮氣流繼續至少供應至入口14、16，其供應通道壁28、30內的出口32、34。具體來說，流經通道壁28、30內之出口32、34的對接氣體流係作為對通道內部的持續清潔，並防止氧氣被吸入至緊鄰晶圓W上表面的區域。具體來說，流經出口32、34的對接氣體流係作為對抗進入的氧氣之屏障。
壁28、30的不對稱性會促進對通道12內之非氧化環境的維持。具體來說，相對於長壁端44的短壁端42係與快速旋轉的晶圓W結合，而在通道12內產生一種抽取作用，而迫使環境空氣自通道後端的開口36向外噴出。
類似地，如圖8所示，流至入口18的氣體流係經選擇而使氣體罩10的周圍維持正壓。依此方式，非氧化氣體係以箭頭E的方向自夾盤50徑向向外排出，該非氧化氣體乃作為進入緊鄰晶圓W上表面區域之空氣的屏障。
在圖9a-9c中，係顯示噴淋頭40之較佳結構。具體而言，噴淋頭40較佳在其上游面45包含一直徑相當小的孔陣列41，在本實施例中較佳為約0.5mm的直徑。噴淋頭40之上游面45以及環繞其之氣體 罩10界定了在噴淋頭40上游的充氣部48，充氣部48乃為一壓力分佈腔室。該入口孔以從入口側到出口側的方向通過噴淋頭40的厚度時會逐步放寬，而使出口43接近連續性且較佳是以蜂巢圖案構成，如圖9b所示。
噴淋頭40的此種結構有助於維持緊鄰噴淋頭上游的充氣部48之所需正壓，並亦協助產生最適宜將氣體排除於晶圓W表面之外的低速氮氣紊流。
在圖10~13中，係顯示氣體供應裝置之另一實施例。此處所說明之特徵乃不同於前一實施例中的氣體供應裝置，然而兩實施例中共同的特徵則不再重複贅述。
在圖10中可見，本實施例之氣體罩80並不包含容納獨立安裝之流體配送器的通道，取而代之的是將流體配送器90直接安裝於氣體罩80本身上。具體來說，本實施例之流體配送器90具有一配有至少一噴嘴的遠端94，以便配送一或多數流體至晶圓的一上表面上，如同前述實施例中之相關說明。流體配送器90之近端96則樞軸式地安裝至氣體罩80的下側、尤其是安裝至馬達92之輸出軸，馬達92乃裝設於氣體罩80之外部上表面上，且其輸出軸乃透過一動態密封部而橫貫罩80。
氣體罩80較佳包含一中央氣體入口84以及側入口82，兩者均可被獨立供應以非氧化氣體，如同前述實施例中之說明。
圖11顯示從下方觀看氣體罩80，配送器90更進一步詳述係包含一連接流體管路91以及當其在近端96處被馬達92之輸出軸所樞軸移動時的軌跡T，該軌跡T乃位於配送器90之遠端94的噴嘴處。
圖12為一類似圖11之再另一氣體罩實施例之示意圖，其與圖10、11主要不同之處在於兩配送器係裝設於氣體罩80的底側。因此，第二流體配送器之近端96’乃透過裝設於罩80外部上側上之第二馬達(未顯示)而樞接至罩80之底側，而其配送遠端94’以接近於該第一流體配送器之鏡像而可以一圓弧方式移動。此實施例可讓不同的流體從罩中以更彈性多變的製程窗口配送出。
類似於前述實施例，圖10~13的實施例包含一氣體罩，其可在工作位置以及預備位置之間樞軸移動，而圖13係示意性說明此種位於預備位置的罩。圖10~13的實施例之一額外的特徵為可設有一鄰接 於流體配送器90之出口端94的其中之一或兩個的前送給料箱93，以在降低氣體罩80至其工作位置前，促成流體配送器之前送作業。
類似於前述實施例，圖10~13的實施例提供一包含在氣體供應裝置之氣體罩之內的流體配送器，並且在氣體罩位於其工作位置時，該流體配送器可相對於氣體罩而移動。圖10~13的實施例可提供對緊鄰於晶圓上表面之區域的較佳環境控制，因為它們並不具有像前述實施例中之有著後開口的通道。
雖然本發明係以各種例式性實施例來加以說明，但吾人應瞭解那些實施例不應被用來限定所附之申請專利範圍所賦予之真正範圍及精神的保護範圍。
1‧‧‧氣體供應裝置
10‧‧‧氣體罩
12‧‧‧通道
14‧‧‧入口
16‧‧‧入口
18‧‧‧入口
20‧‧‧馬達
22‧‧‧底板
24‧‧‧樞軸連桿

Claims (15)

  1. 一種晶圓狀物件的處理設備，包含：支撐件，用以支撐一預定直徑的晶圓狀物件；流體配送器，用以配送至少一流體至位於該支撐件上之該晶圓狀物件的上表面上；及氣體供應罩，可定位於該支撐件上方之工作位置，其中當該晶圓狀物件位於該支撐件上，該氣體供應罩乃覆蓋全部或實質全部之該晶圓狀物件；該氣體供應罩乃將該流體配送器容納於其中，並在該氣體供應罩位於該工作位置的同時，可讓該流體配送器相對於該支撐件及該氣體供應罩橫向移動而不需移動該氣體供應罩。
  2. 如申請專利範圍第1項之晶圓狀物件的處理設備，其中該氣體供應罩包含一具有氣體配送出口陣列之氣體噴淋頭，該氣體配送出口陣列乃向下朝向當位於該支撐件上時之晶圓狀物件。
  3. 如申請專利範圍第1項之晶圓狀物件的處理設備，其中該支撐件乃為半導體晶圓之單一晶圓濕式處理中之處理模組裡的旋轉夾盤。
  4. 如申請專利範圍第1項之晶圓狀物件的處理設備，其中更包含一環繞該支撐件之流體收集器，且其中該流體收集器將該支撐件以及該氣體供應罩暴露至大氣中。
  5. 如申請專利範圍第1項之晶圓狀物件的處理設備，其中該氣體供應罩的安裝係用以在該工作位置以及一預備位置之間樞軸轉動。
  6. 如申請專利範圍第1項之晶圓狀物件的處理設備，其中該氣體供應罩更包含由一對壁所界定之通道，該對壁之上端係結合在一起，而其下端則是穿過該氣體噴淋頭之一配送板。
  7. 如申請專利範圍第3項之晶圓狀物件的處理設備，其中該流體配送器的安裝係用以在與該旋轉夾盤之旋轉軸垂直之平面上的橫向移動。
  8. 如申請專利範圍第7項之晶圓狀物件的處理設備，其中該橫向移動乃是沿著該旋轉夾盤之一徑向的線性移動。
  9. 如申請專利範圍第7項之晶圓狀物件的處理設備，其中該橫向移動為搖擺移動，且該流體配送器包含一近端及一遠端，該近端的安裝乃用以環繞一軸而樞軸轉動，該軸係平行並偏離該旋轉夾盤之該旋轉軸，而該遠端則可以一圓弧方式移動。
  10. 一種氣體供應裝置，用於處理具有預定直徑之晶圓狀物件的設備中，包含：氣體罩，當該晶圓狀物件安裝在該用以處理晶圓狀物件的設備上且位於工作位置時，該氣體罩尺寸可覆蓋住整個或實質整個的該晶圓狀物件；樞軸安裝件，用於該氣體罩，其可使該氣體罩在該工作位置以及一預備位置之間移動；該氣體罩的配置係用以將一流體配送器接收至該氣體罩之一出口側內，俾使該流體配送器可相對於該氣體罩橫向移動。
  11. 如申請專利範圍第10項之氣體供應罩，其中更包含自該氣體罩向上突出之一通道，該通道之配置係用以容納該流體配送器，俾使該流體配送器可在該通道內線性移動。
  12. 如申請專利範圍第10項之氣體供應罩，其中該氣體罩包含該流體配送器，其樞軸地安裝於該氣體罩之一出口側上。
  13. 一種晶圓狀物件的處理方法，其步驟包含： 將具有一預定直徑之一晶圓狀物件定位於一支撐件上；將一氣體供應罩定位於該支撐件上方之一工作位置上，其中該氣體供應罩覆蓋住整個或實質整個位於該支撐件上之該晶圓狀物件，並覆蓋住一流體配送器之一配送部，該流體配送器係用以將至少一流體配送至該晶圓狀物件之一上表面上；將一非氧化氣體透過該氣體供應罩進行配送，以清洗該晶圓狀物件上方之局部大氣；及將該流體配送器相對於該支撐件及該氣體供應罩橫向移動，同時保持該氣體供應罩相對於該支撐件固定不動。
  14. 如申請專利範圍第13項之晶圓狀物件的處理方法，其中該流體配送器的裝設乃獨立於該氣體供應罩，且可沿著一線性路徑而在自該氣體供應罩向上突出之一通道內橫向移動。
  15. 如申請專利範圍第13項之晶圓狀物件的處理方法，其中該非氧化氣體係於該氣體供應罩內之該流體配送器的橫向移動期間，自該氣體供應罩進行供應。
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