JP2005322782A - 薄板の枚葉型回転処理装置及び方法 - Google Patents

薄板の枚葉型回転処理装置及び方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005322782A
JP2005322782A JP2004139775A JP2004139775A JP2005322782A JP 2005322782 A JP2005322782 A JP 2005322782A JP 2004139775 A JP2004139775 A JP 2004139775A JP 2004139775 A JP2004139775 A JP 2004139775A JP 2005322782 A JP2005322782 A JP 2005322782A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
processing cup
cup
rotation
workpiece
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004139775A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuzuru Sonoda
譲 園田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Heavy Industries Ltd filed Critical Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority to JP2004139775A priority Critical patent/JP2005322782A/ja
Publication of JP2005322782A publication Critical patent/JP2005322782A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

【課題】枚葉状被処理物の表面及び裏面を同一の装置で洗浄可能とする。
【解決手段】被処理物(10)を挟み込んで処理するための上部処理カップ20及び下部処理カップ30と、被処理物装着時に上部処理カップを持ち上げるための上部処理カップ押し上げ機構50と、被処理物装着後に下ろされた上部処理カップと下部処理カップを連結して一体とする連結機構(22)と、前記上部処理カップ及び下部処理カップを含む回転処理部を回転するための回転機構70と、を備える。
【選択図】図4

Description

本発明は、薄板の枚葉型回転処理装置及び方法に係り、特に、半導体ウェハの洗浄や処理流体の塗布に用いるのに好適な、表面及び裏面を同一の装置で処理可能な、薄板の枚葉型回転処理装置及び方法に関する。
超LSIデバイスの素子微細化による高集積化が加速しているが、LSIの信頼性確保が重要な課題であり、LSI製造工程中に占める洗浄工程数が増加しており、精密洗浄の役割が益々重要となってきている。
洗浄の課題としては、(1)ウェハ表面については配線の歩留りや信頼性を向上させる意味では超微細なパーティクルの除去、(2)新しく導入された銅(Cu)やHigh−k重金属材料やLow−k材料のエッチング残渣の除去、(3)銅(Cu)配線や重金属の採用に伴なう汚染金属の拡散によるデバイス信頼性低下の問題があり、金属汚染防止するためのウェハ裏面の金属汚染除去や露光精度の信頼性向上のための裏面パーティクル除去、更には、ウェハ裏面から表面への汚染転写やウェハ間の汚染転写を防止する必要があり、例えば20〜30枚をまとめて水にジャブ付けする従来のバッチ式洗浄装置に代えて、1枚ずつ洗浄する枚葉洗浄装置の導入が進みつつある。
枚葉洗浄装置は、上に述べたような課題を解決する機能を有することが必要であるが、これらの課題全てを一つの装置で解決することは困難であり、現状では表面洗浄装置と裏面洗浄装置は専用であることが普通であり、表面及び裏面を両用できるものや、表面及び裏面の洗浄を連続して行なえる枚葉洗浄装置は殆どない。即ち、枚葉洗浄装置では表面又は裏面を洗浄薬液で洗浄する時に、窒素ガス等の不活性ガスで非洗浄面を飛散する薬液から保護する必要があるが、その保護の方法が困難であり、このため、表面を洗浄する装置は裏面を窒素で保護し、裏面を洗浄する装置は表面を保護するといった専用の装置となっていた。
従来使用されている枚葉洗浄装置は、図1に示すように、ウェハ10を把持ピン14で回転テーブル12に保持させ、回転しているウェハに、上側より洗浄液を吹き付けてウェハ上面を洗浄し、ウェハ下面に窒素等の不活性ガスをパージガスとして吹き付けて、上面側から回り込む洗浄液や、洗浄液回収用壁16に衝突して、図2に示す如く跳ね返ってくる洗浄液より保護するようになっているのが普通である(特許文献1参照)。依って裏面を洗浄する場合には、ウェハを洗浄室に持ち込む前にウェハを反転させて洗浄室に持ち込み、ウェハ裏面を上面として洗浄する方法を採っている。
特開平10−247632号公報
この従来方法の場合は、図1に示した如く、ウェハ下面から非洗浄面保護用のパージガスを供給しているが、洗浄液の跳ね返りに対して非洗浄面の保護が不十分であり、図2に示した如く、パージガス供給部は回転しないため、パージガス全方向噴出しでウェハ下面でのパージガス流速を上げるには、ウェハ下面と回転テーブル上面の間隔をできるだけ狭め、mmオーダ以下にする必要があり、又多量のパージガス流量が必要となる。一方、ピンホール噴出しでは、ピンホール間への洗浄液跳ね返りを防御できない。
別の方法として、図3に示す如く、図1とは逆にウェハ下面から洗浄液を噴出してウェハ裏面を洗浄すると共に、ウェハ上面側に上下する非回転の上部プレート18を設け、これをウェハ上面に接するように下降させてウェハ上面にパージガスを流すものがあるが、回転するウェハ上面と非回転の上部プレート下面との平行精度を上げて間隔を狭めることが困難であり、ウェハ面上のパージガス流速を上げることが難しい。
又、いずれの方法でも、洗浄液の上部噴出しと下部噴出しの両用による両面洗浄が困難である等の問題を有する。
本発明は、前記従来の問題点を解消するべくなされたもので、表面及び裏面を同一の装置で処理可能とすることを課題とする。
本発明は、半導体ウェハ等の薄板の枚葉型回転処理装置(洗浄装置、塗布装置等)において、被処理物を挟み込んで処理するための上部処理カップ及び下部処理カップと、被処理物装着時に上部処理カップを持ち上げるための、例えば下部処理カップの下に設けた上部処理カップ押し上げ機構と、被処理物装着後に下ろされた上部処理カップと下部処理カップを連結して一体とする連結機構と、前記上部処理カップ及び下部処理カップを含む回転処理部を回転するための回転機構とを備えることにより、前記課題を解決したものである。
又、前記回転処理部を少なくとも1連以上の圧縮気体(圧縮空気や圧縮窒素や不活性ガス等)で浮上させる機構を有し、更に圧縮気体連に挟まれた部分又は圧縮気体とシール部に挟まれた部分に設けた溝を持ち、その溝に浮上用の圧縮気体と供給源を別にする、もう一つの圧縮気体を回転処理部に送り込む機構を有するようにしたものである。
又、前記上部処理カップと下部処理カップの連結機構が配管形状を持ち、前記回転処理部(例えば下部処理カップ)に送り込まれた圧縮気体が、上部処理カップと下部処理カップとの連結配管を通して上部処理カップ(又は下部処理カップ)に送り込まれるようにしたものである。
又、前記上部処理カップと下部処理カップの連結機構が配管形状を持ち、前記回転処理部に送り込まれた圧縮気体を、上部処理カップ又は下部処理カップの何れか選択された側に送り込むことを可能とする切り替え機構を、例えば回転処理部内に設けたものである。
又、前記下部処理カップの中央部又は上部処理カップの中央部の少なくとも一方に、固定された(回転しない)処理室を設け、回転する被処理物に対して少なくとも1種類以上の気体又は液体を噴出し処理するようにしたものである。
又、前記下部処理カップに、上下する被処理物の一時保持機構を設け、処理済みの被処理物及び未処理の被処理物をロボット等の搬送機構に受け渡す機構を有し、上部処理カップに設けた被処理物把持機構又は下部処理カップに設けた被処理物把持機構の何れにも受渡し可能としたものである。
又、前記下部処理カップ及び上部処理カップが被処理物の把持機構を備え、処理に応じて下部処理カップに把持するか、上部処理カップに把持するかを選択可能としたものである。
又、前記下部処理カップの一時保護機構の上下動作及び被処理物把持機構の把持動作及び上部処理カップの被処理物把持機構部の把持動作に必要な駆動用電源を、前記上部処理カップ押し上げ機構が連結した時点で通電し、各駆動機構に電力を供給可能としたものである。
本発明は、又、前記薄板の枚葉型回転処理装置を用いて処理する際に、被処理物の表面を処理する場合は、被処理物を下部処理カップに保持させ、上部処理室より噴出した処理流体(気体又は液体)にて処理し、裏面には圧縮気体(圧縮空気や圧縮窒素や不活性ガス等)を吹き付けて処理流体の飛散から保護し、被処理物の裏面を処理する場合は、被処理物を上部処理カップに保持させ、下部処理室より噴出した処理流体にて処理し、表面には圧縮気体を吹き付け処理物の飛散を保護するようにして、同じく前記課題を解決したものである。
又、一時保護機構による被処理物の持ち替えを可能として、表面処理を行った後に被処理物を持ち替えて裏面処理を連続して行なうことを可能とし、又は、裏面処理を行なった後に表面処理を行なう等、表面及び裏面の処理を指定に応じて連続的に行なうことができるようにしたものである。
本発明の概要は、図4に下面洗浄中を示すように、ウェハ10を、例えばリング状の上部処理カップ20と下部処理カップ30の間に挟み込み、連結機構(例えば連結管22)で一体化して回転することにより処理するものであり、両面処理が可能となる。又、回転処理部を、例えば、固定側の回転部支持リング40に設けた浮上ガス供給機構から供給する浮上用圧縮気体(圧縮空気や圧縮窒素や不活性ガス等)により浮上させて、図5に示す如く回転させ、パーティクル等の汚染発生を極力抑えるようにし、更に、同じく回転部支持リング40に設けたパージガス供給機構により、例えば浮上用圧縮気体の間の溝44Cから、処理面に吹き付けられた処理液の非処理面への回り込みや飛散から回転する非処理面を保護する、供給源を別とする圧縮気体(パージ用ガス)を上部処理カップ20と下部処理カップ30に送り込むことを可能としている。このように、図5に示した如く、例えば上下の処理カップ20、30に設けた噴出し部20A、30Aも回転させ、回転処理部にパージガスを供給することで、ピンホール噴出しでも、パージガス方向が接線方向となり、相対速度が上昇して、処理液跳ね返りの防御が可能となる。
本発明の従来方法に比して有効な点は次のとおりである。
(1)上部処理カップ20と下部処理カップ30の間に被処理物(10)を挟み込み、上部処理カップ20と下部処理カップ30を連結し一体として回転することで、外部からの余分な汚染を防御することが可能であり、処理カップ内での気流制御が簡単になる。
(2)回転する上部処理カップ20及び下部処理カップ30からパージガスを噴出することで、非処理面から吹き出るパージガス流速の相対速度を上げ、回転処理部の外部からの処理液飛散液滴からの保護を完全にすることができる。
(3)下部処理カップ30に送り込まれたパージガスを、連結管22を通して上部処理カップ20に送風することで、ウェハ上面でのパージガスによる保護が可能となり、ウェハ下面から処理液を吹き付けて洗浄する裏面洗浄が可能になる。
(4)回転支持を圧縮気体による浮上方式にすることで、回転支持体と回転部との接触によるパーティクル等の汚染物を生成することが無いので、例えば浮上用圧縮気体間を通り回転処理部に送り込まれるパージ用圧縮気体を清浄に保つことができる。
次に図6乃至図10を用いて本発明の実施形態の機構について具体的に説明する。
図6に示す上部処理カップ20は、円筒状の中空のリング構造をしており、周囲に上部処理カップ押し上げ機構50の押し上げピン52により押し上げられる支持棒54を有し、その上端は上部処理カップ20に固定されている。支持棒54は、少なくとも1本以上あれば良いが、上部処理カップ20を持ち上げて安定して上下するには3本以上が良い。又、図7に示す如く、上部処理カップ20を持ち上げたときに処理ウェハ10を上部処理カップ20と下部処理カップ30の間に搬送できるようにするため、3本の支持棒54はウェハ搬送側(図7の右側)に配置できず、ウェハ搬送側と反対側(図7の左側)に上部処理カップ20の重心を含み、搬送ウェハが搬送可能な配置を取る。
更に上部処理カップ20は、該上部処理カップ20が下げられた時に、図8に示す如く下部処理カップ30と連結され、又、連結と兼用してパージ用の圧縮気体を下部処理カップ30を通して上部処理カップ20に送り込む配管形状の連結管22を有しており、その上端が上部処理カップ20に固定されている。連結管22の下端は、上部処理カップ20が持ち上げられた時には、図7に示したように、下部処理カップ30から離脱し、下げられた時には、図8に示したように、下部処理カップ30に開けられた穴に入り下部処理カップ30と一体化できるようになっている。
ウェハ10を搬送する場合には、図7に示したように、上部処理カップ20と共に連結管22が下部処理カップ30を離れ、連結管22の下を潜り抜けるようにウェハ10が搬送される。連結の意味では支持棒54も上部処理カップ20と下部処理カップ30を連結しているので、連結管22は少なくとも1本以上あれば良いが、パージガスを上部処理カップ20に均一に送り込むことを考えると、3本以上が好ましい。なお、連結管とパージガス送風管を別のものとしてもよい。
又、上部処理カップ20の中心の中空部には、装置架台60に固定された、ノズルを含む上部処理カップ薬液供給ユニット62が配置される。この上部処理カップ薬液供給ユニット62は、上部処理カップ20と接触しないように配置されるが、できるだけ間隙を少なくし、間隙は窒素ガス等の不活性気体でシールするのが好ましいし、場合によってはシール機構を設けても良い。上部処理カップ20の内部は、連結管22を通して送り込まれたパージガスを、上部処理カップ20のウェハ面に接する外周部に設けられたパージガス噴出口(細孔又はスリット)20Aに導くようにガスシールされている。
下部処理カップ30も、中央部が円筒状の中空のリング構造をしている。その周囲には、上部処理カップ押し上げ機構50により押し上げられる押し上げピン52が通る孔が貫通している。連結管用の孔は上部が開口しており、連結管22が下ろされた時には下部処理カップ30内のパージガス導入口に通じるようになっており、連結管22を通り上部処理カップ20にパージガスが送られる。
連結管22は内部をパージガスが流れるように配管形状をしているが、外形は上部処理カップ20と下部処理カップ30が確実に連結し、平行度を保つように連結部は円錐形状にすることが好ましい。
下部処理カップ30下部の支持台36は、浮上用圧縮気体の圧力で持ち上がり浮上するように研磨された面を持ち、その研磨面と研磨面の間にはリング状の溝36Cと、該溝36Cから下部処理カップ30内にパージガスを導く孔が数箇所開けてある。下部処理カップ30の内部は、導入されたパージガスを噴出口(細孔又はスリット)30Aに導くようにシールされている。又、パージガスを、下部処理カップ30のウェハ面に接する外周部噴出口30Aに導くか、又は、上部処理カップ20への連結管22に導くかを選別する、リング状の穴の開いたスライドバルブ(図示省略)を備え、該スライドバルブをスライドさせることでパージガスの送風路を選択することもできる。
又、下部処理カップ30は、搬送されたウェハ10を一時的に保持するための、上下するウェハ一時保持ピン34を備えており、処理前後のウェハを一時的にウェハ搬送ロボット8(図8参照)とウェハ一時保持ピン34との間で受け渡しを行ない、一時保持ピン34とウェハ把持部との間の受け渡しは、一時保持ピン34を上下させる一時保持機構(図示省略)によって行なう。図6では、上下する一時保持ピン34は下部処理カップ30の下側に取り付けられているが、下部処理カップ30内部に上下機構を組み付けても良い。
更に、下部処理カップ30の中央部には、図9に示す如く、円筒状の回転軸72が固定されており、下部処理カップ30の下にある、浮上用圧縮気体を噴出する回転部支持リング40の中心部を貫通しカップ回転機構70に繋がっている。
下部処理カップ30と該下部処理カップ30に固定された回転軸72が、浮上用圧縮気体によって数μm持ち上げられて回転することになる。回転軸72の更に内側の下部処理カップ30の中心の中空部には、装置架台60に固定された下部処理カップ薬液供給ユニット64が配置されるが、できるだけ間隙を少なくし、間隙はシール機構を設けると共に窒素ガス等の不活性気体でシールしている。
上部処理カップ20及び下部処理カップ30には、ウェハ10をウェハ端部で把持する把持ピン14及び把持機構(図示省略)が付いており、上部処理カップ20と下部処理カップ30の連結管22の連結圧力を用いた把持動作又は上部処理カップ押し上げピン52を介して電力を供給し、電気的に動作させることで把持するようになっている。下部処理カップ30に組み込まれるウェハ一時保持機構及びパージガス送風切り換えのスライドバルブも同様に上部処理カップ押し上げピン52を介して電力を供給し動作させることができる。又、上部処理カップ20又は下部処理カップ30内に充電器を配置し、回転部が回転していないウェハ受け渡し時に上部処理カップ押し上げピン52を通して電力を供給し充電することも可能である。本実施形態の回路構成を図10に示す。
ここで、回転部である下部処理カップ30及び上部処理カップ20への電源供給は、上部処理カップ20の押し上げ機構50を通じ、ピン52の接触時に行なう。蓄電バッテリを有することも可能である。回転部への制御信号の伝達は無線(電波又は光通信)を用いて行なう。勿論、電源系と同様に押し上げ機構50を通じてピン52の接触時に制御信号を伝達することも可能である。
浮上用の圧縮気体を下部処理カップ支持台36の下面に向けて噴出する回転部支持リング40が、図9に示したように、上部の研磨された面を持つ上部板42と、浮上用圧縮気体及びパージ用圧縮気体を導入する溝44Aを有する土台44から成っている。上部板42は、図9に示したように、下部処理カップ支持台36と接する支持面に浮上用圧縮気体を噴出する細孔44Bがリング状に内側と外側2連に開けられており、又、その2連の細孔リングの間には、下部処理カップ支持台36のパージ用圧縮気体溝36Aに通り易いように大きな孔が、回転部へのパージガス送風口44Cとして円周上に開けられている。上部板42の下にある土台44には、浮上用の圧縮気体を導入する溝44Aが2連と、その間にパージ用圧縮気体を導入する溝44Bを掘ってあり、各溝に通じる導入口(送風口)44D、44Eがあり、浮上用圧縮気体とパージ用圧縮気体は、土台44の内部では干渉しないように別の通路を通るように設けられている。
浮上用圧縮気体とパージ用圧縮気体は、パーティクル等の汚染のない清浄な圧縮窒素又は圧縮空気等を用いるが、浮上用圧縮気体は、圧力変動の少ない圧縮気体が望ましい。パージ用圧縮気体は、処理工程によってパージ量を増減させる必要があり、浮上用圧縮気体とは別の供給源を用いる方が良い。
前記回転部支持リング40は、装置下部の架台60に固定して取り付けられている。回転部支持リング40とその内側の下部処理カップ30に繋がる回転軸72は、接触しないように僅かの間隙を持つが、その間隙には浮上用の圧縮気体が流れ込むことになりシールされることになる。
図6(B)に示したように、円筒状の上部処理カップ薬液供給ユニット62は装置架台60の上部に固定され、下部処理カップ薬液供給ユニット64は装置架台60の下部に固定され、それぞれ上部処理カップ20の円筒状中空部及び下部処理カップ30の円筒状中空部を貫通し、処理ウェハ10の上面及び下面に向き合うように設置されており、薬液供給ユニット62、64の円筒部を通して薬液供給配管及びリンス用純水供給配管が導入され、先端の薬液噴出ノズルより処理ウェハ10に吹き付けて洗浄できるようになっている。
上部及び下部の薬液供給ユニット62、64からウェハ上面及び下面に同時に薬液を吹き付け洗浄処理することも可能であるが、ウェハ上面とウェハ下面を処理する薬液が異なることから、ウェハ上面とウェハ下面の処理は別々に行なうことが普通である。その場合に、非洗浄ウェハ面を洗浄薬液の飛散等による汚染から完全に保護するには、非処理面は処理カップとの間隙を極力小さくし、パージガス流速を上げる方が良いので、ウェハ上面を薬液処理する場合には、上部処理カップ薬液供給ユニット62からウェハ上面に向けて薬液を吹き付けて処理し、処理ウェハは下部処理カップ30で把持し、パージガスを下部処理カップ30からウェハ下面に向けて吹き付ける方が良い。逆にウェハ下面を薬液処理する場合には、下部処理カップ薬液供給ユニット64からウェハ下面に向けて薬液を吹き付けて処理し、処理ウェハは上部処理カップ20で把持し、パージガスを上部処理カップ20からウェハ上面に向けて吹き付ける方が良い。
ウェハ上面を薬液処理した後に続けてウェハ下面を薬液処理する場合には、ウェハ上面の処理後に回転を止め、下部処理カップ30に組み込まれている一時保持機構を用いて下部処理カップ30に把持されているウェハを上部処理カップ20で把持させるように移動させた後にウェハ下面の薬液処理を行なえば良い。ウェハ上面処理及びウェハ下面処理の順序は処理内容によって決まるものであるので、任意の順番で処理を行なうかを洗浄レシピとして登録指定することができるようにすれば良い。
なお、前記説明においては、本発明が半導体ウェハの洗浄装置に適用されていたが、本発明の適用対象はこれに限定されず、塗布装置等、枚葉一般の各種のスピン型の回転処理装置にも同様に適用できることは明らかである。又、両面洗浄でなく、表面又は裏面のいずれか一方のみの処理を行なう装置とすることもできる。
従来の枚葉型洗浄装置の一例の構成を示す断面図 従来例の問題点を説明するための平面図 他の従来例の構成を示す断面図 本発明の原理的な構成を示す断面図 本発明の効果を概念的に示す図 半導体ウェハ洗浄装置に適用した本発明の実施形態の構成を示す(A)平面図及び(B)正面図 前記実施形態のウェハ搬送装着時の状態を示す斜視図 同じくウェハ処理時の状態を示す斜視図 同じく浮上用圧縮気体及びパージ用圧縮気体送風機構を示す(A)正面図及び(B)平面図 同じく制御系の構成を示すブロック図
符号の説明
10…ウェハ
14…ウェハ把持ピン
20…上部処理カップ
20A、30A…パージガス噴出口
22…連結管
30…下部処理カップ
34…ウェハ一時保持ピン
40…回転部支持リング
44C…パージガス送り込み溝
50…上部処理カップ押し上げ機構
52…上部処理カップ押し上げピン
54…支持棒
60…装置架台
62、64…薬液供給ユニット
70…カップ回転機構

Claims (10)

  1. 被処理物を挟み込んで処理するための上部処理カップ及び下部処理カップと、
    被処理物装着時に上部処理カップを持ち上げるための上部処理カップ押し上げ機構と、
    被処理物装着後に下ろされた上部処理カップと下部処理カップを連結して一体とする連結機構と、
    前記上部処理カップ及び下部処理カップを含む回転処理部を回転するための回転機構と、
    を備えたことを特徴とする薄板の枚葉型回転処理装置。
  2. 前記回転処理部を少なくとも1連以上の圧縮気体で浮上させる機構を有し、更に圧縮気体連に挟まれた部分又は圧縮気体とシール部に挟まれた部分に設けた溝を持ち、その溝に浮上用の圧縮気体と供給源を別にする、もう一つの圧縮気体を回転処理部に送り込む機構を有することを特徴とする請求項1に記載の薄板の枚葉型回転処理装置。
  3. 前記上部処理カップと下部処理カップの連結機構が配管形状を持ち、前記回転処理部に送り込まれた圧縮気体が、上部処理カップと下部処理カップとの連結配管を通して上部処理カップに送り込まれることを特徴とする請求項2に記載の薄板の枚葉型回転処理装置。
  4. 前記上部処理カップと下部処理カップの連結機構が配管形状を持ち、前記回転処理部に送り込まれた圧縮気体を、上部処理カップ又は下部処理カップの何れか選択された側に送り込むことを可能とする切り替え機構が設けられていることを特徴とする請求項2に記載の薄板の枚葉型回転処理装置。
  5. 前記下部処理カップの中央部又は上部処理カップの中央部の少なくとも一方に固定された処理室を設け、回転する被処理物に対して少なくとも1種類以上の気体又は液体を噴出し処理することを特徴とする請求項1に記載の薄板の枚葉型回転処理装置。
  6. 前記下部処理カップに、上下する被処理物の一時保持機構が設けられ、処理済みの被処理物及び未処理の被処理物を搬送機構に受け渡す機構を有し、上部処理カップに設けた被処理物把持機構又は下部処理カップに設けた被処理物把持機構の何れにも受渡し可能とされていることを特徴とする請求項1に記載の薄板の枚葉型回転処理装置。
  7. 前記下部処理カップ及び上部処理カップが被処理物の把持機構を備え、処理に応じて下部処理カップに把持するか、上部処理カップに把持するかを選択可能とされていることを特徴とする請求項1に記載の薄板の枚葉型回転処理装置。
  8. 前記下部処理カップの一時保護機構の上下動作及び被処理物把持機構の把持動作及び上部処理カップの被処理物把持機構部の把持動作に必要な駆動用電源が、前記上部処理カップ押し上げ機構が連結した時点で通電され、各駆動機構に電力を供給可能とされていることを特徴とする請求項1に記載の薄板の枚葉型回転処理装置。
  9. 請求項1乃至8のいずれかに記載の薄板の枚葉型回転処理装置を用いて処理する際に、
    被処理物の表面を処理する場合は、被処理物を下部処理カップに保持させ、上部処理室より噴出した処理流体にて処理し、裏面には圧縮気体を吹き付けて処理流体の飛散から保護し、被処理物の裏面を処理する場合は、被処理物を上部処理カップに保持させ、下部処理室より噴出した処理流体にて処理し、表面には圧縮気体を吹き付けて処理流体の飛散から保護することを特徴とする薄板の枚葉型回転処理方法。
  10. 一時保持機構による被処理物の持ち替えを可能として、表面及び裏面の処理を指定に応じて連続的に行なうことを特徴とする請求項9に記載の薄板の枚葉型回転処理方法。
JP2004139775A 2004-05-10 2004-05-10 薄板の枚葉型回転処理装置及び方法 Pending JP2005322782A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004139775A JP2005322782A (ja) 2004-05-10 2004-05-10 薄板の枚葉型回転処理装置及び方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004139775A JP2005322782A (ja) 2004-05-10 2004-05-10 薄板の枚葉型回転処理装置及び方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005322782A true JP2005322782A (ja) 2005-11-17

Family

ID=35469828

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004139775A Pending JP2005322782A (ja) 2004-05-10 2004-05-10 薄板の枚葉型回転処理装置及び方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005322782A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014107313A (ja) * 2012-11-26 2014-06-09 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法および基板洗浄システム
JP2018111146A (ja) * 2017-01-10 2018-07-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理システムおよび基板処理方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014107313A (ja) * 2012-11-26 2014-06-09 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法および基板洗浄システム
US9443712B2 (en) 2012-11-26 2016-09-13 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning method and substrate cleaning system
JP2018111146A (ja) * 2017-01-10 2018-07-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理システムおよび基板処理方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1582269B1 (en) Proximity meniscus manifold
KR100804715B1 (ko) 반도체기판회전유지장치 및 반도체기판처리장치
US20030084925A1 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
KR101608105B1 (ko) 액 처리 장치 및 액 처리 방법
US9892955B2 (en) Substrate holding/rotating device, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method
US20140083468A1 (en) Substrate processing apparatus
JP7197376B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2006114884A (ja) 基板洗浄処理装置及び基板処理ユニット
WO2013133401A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2008108830A (ja) 二流体ノズルユニットおよびそれを用いた基板処理装置
KR100563843B1 (ko) 기판세정장치 및 기판세정방법
KR20170113388A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2008108829A (ja) 二流体ノズルおよびそれを用いた基板処理装置
US20180308729A1 (en) Hybrid substrate processing system for dry and wet process and substrate processing method thereof
KR20170126399A (ko) 기판 세정 장치
US9630296B2 (en) Substrate processing apparatus
TWI248156B (en) Cleaning and drying apparatus for substrate holder chuck and method thereof
TWI765989B (zh) 基板清洗裝置、基板清洗方法及基板清洗裝置之控制方法
JP2000100896A (ja) ウェハ搬送装置およびウェハ搬送方法
KR20200083790A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP3292639B2 (ja) 回転保持装置及び方法
JP2005322782A (ja) 薄板の枚葉型回転処理装置及び方法
KR20150003429A (ko) 기판 세정 장치의 챔버 배열 구조
CN115565925A (zh) 基板处理装置和防雾件的清洗方法
US20090217950A1 (en) Method and apparatus for foam-assisted wafer cleaning

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060714

A977 Report on retrieval

Effective date: 20081022

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081104

A02 Decision of refusal

Effective date: 20090303

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02