KR101933231B1 - 웨이퍼 습식 프로세싱을 위한 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

웨이퍼 형상 물품들의 습식 프로세싱을 위한 프로세스 모듈에서의 기체 디스펜서는, 프로세싱될 물품보다 실질적으로 더 작고, 그 물품 위에 불활성 기체를 분배하면서 그 물품의 가로 방향으로 이동가능하다.

Description

웨이퍼 습식 프로세싱을 위한 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR WAFER WET PROCESSING}
본 발명은 일반적으로 반도체 웨이퍼들과 같은 웨이퍼 형상 물품들 (wafer-shaped articles) 의 표면들을 처리하기 위한 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼들은 에칭, 세정, 연마, 및 재료 증착과 같은 다양한 표면 처리 프로세스들을 겪는다. 이러한 프로세스들을 수용하기 위해, 예를 들어 미국 특허 제 4,903,717 호 및 제 5,513,668 호에서 설명된 바와 같이, 단일 웨이퍼는 회전가능 캐리어와 연관된 척에 의해 하나 이상의 처리 유체 노즐들에 관해 지지될 수도 있다.
반도체 웨이퍼들 상에 제작되는 디바이스들의 증가하는 소형화와 함께, 산소 함유 분위기에서 그들 웨이퍼들을 프로세싱하는 것은 더욱 문제가 많게 되었다. 예를 들어, 웨이퍼들이, 주위 공기에 개방된 스테이션들에서 습식 프로세싱을 겪을 때, 공기의 산소 함량은 웨이퍼의 전면 측에 원하지 않는 구리의 부식을 야기한다. 더욱 구체적으로, 화학 물질 내에 용해된 산소는 액체 분배 동안 개선된 BEOL (back-end-of-line) 기술들에서 구리 및 캡 층들의 산화를 야기하고, 이는 생성된 구리의 산화물들의 분해에 의해 증가된 구리 손실을 야기한다. 측면 재료 손실은 디바이스 성능의 열화에 특히 심각한 문제이다.
개방 환경에서 단일 웨이퍼 선회 툴 (spinning tool) 상에서 프로세싱하는 동안, 공기로부터의 산소는 웨이퍼 상의 액체 층을 통해 웨이퍼 표면으로 확산될 수 있고, 이는 추가적인 구리 산화를 야기하여, 추가적인 구리 손실을 야기한다. 이러한 효과는 액체 층이 매우 얇은 곳에서, 예를 들어 웨이퍼 에지에서 증대된다. 이는 또한 건조 동안 워터마크 (watermark) 형성에 대해서도 나타난다.
화학 물질에서의 용해된 산소로 인한 구리의 산화는 산소를 질소 같은 불활성 기체로 대체함으로써 회피될 수 있다. 유사하게, 워터마크 형성은 단일 웨이퍼 선회 툴들 상에서 건조 동안 분위기에서 산소를 감소시킴으로써 완화될 수 있다.
미국 특허 제 6,807,974 호는 그러한 목적을 위해 기체 분사부가 구비된 챔버를 설명한다. 하지만, 그 특허에 설명된 구조는, 불활성 기체가 기체 분사부에 의해 도입되는 동안 웨이퍼 상에 분배될 액체들을 프로세싱 또는 린스하는 것을 허용하지 않는다. 더욱이, 이 특허의 기체 분사부는 처리될 웨이퍼보다 더 큰 직경의 것으로서 묘사되고, 밀봉된 내부 챔버에 대해 리드 (lid) 를 형성한다.
미국 특허 제 6,273,104 호는, 워크피스 (workpiece) 보다 약간 더 작은 직경의 수직으로 이동가능한 블록킹 플레이트 (blocking plate) 가 웨이퍼의 표면 상으로 질소를 하방으로 분배하고, 워크피스를 린스하기 위해 탈이온수 (deionized water) 를 분배하기 위한 중앙 노즐을 더 구비하는, 기판을 프로세싱하기 위한 장치를 설명한다. 블록킹 플레이트가 워크피스에 대해 동축으로 고정되므로, 워크피스에 대한 기체 노즐들 및 액체 노즐들의 상대적인 측방 위치들은 고정된다.
따라서, 기체 분위기가 제어될 수 있고 또한 프로세싱 모듈에 로드된 웨이퍼에 대해 다양한 프로세스들을 수행하는 것을 허용하는 웨이퍼 프로세싱 스테이션들에 대한 필요가 존재한다.
본 발명은, 기체 디스펜서 (dispenser) 가 워크피스에 대한 홀더 (holder) 위에 그에 대향하여 위치되고, 워크피스에 대향하는 기체 디스펜서의 면적은 워크피스의 면적보다 실질적으로 더 적은, 장치 및 방법을 제공함으로써, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치에서 분위기를 제어하기 위한 새로운 접근법을 제공한다. 워크피스에 대한 유지 면적 (holding area) 에 대한 기체 디스펜서의 실질적으로 더 작은 사이즈는 기체 디스펜서가 워크피스에 대해 가로 방향 (lateral) 이동을 위해 장착되는 것을 허용하여, 워크피스가 원형 웨이퍼인 경우에, 기체 디스펜서는, 기체가 그로부터 분배됨에 따라, 웨이퍼 표면을 방사상으로 가로질러 이동될 수 있다.
기체 디스펜서는 또한 바람직하게는, 홀더에 대한 디스펜서의 가로방향 이동 동안 또는 디스펜서의 이동이 미리결정된 위치에서 정지된 후에 중 어느 일방 또는 양자 모두에서, 동일한 디스펜서로부터 액체 및 기체가 교대로 및/또는 동시에 분배될 수도 있도록, 홀더를 향해 직하방으로 향하는 액체 노즐에서 종단되는 액체 도관을 통합한다.
본 발명자들은 놀랍게도, 본 방법 및 장치가, 폐쇄된 챔버를 사용할 필요 없이, 워크피스에 대해 디스펜서의 비교적 작은 면적에도 불구하고, 전술된 산소의 부정적인 영향을 효과적으로 방지한다는 점을 발견하였다.
본 발명의 다른 목적들, 특징들, 및 이점들은, 첨부된 도면들을 참조하여 주어진, 본 발명의 선호되는 실시형태들의 이하의 상세한 설명을 읽은 후에 더욱 분명하게 될 것이다.
도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 따른 장치의 개략도이다.
도 2 는 도 1 의 실시형태에서 사용되는 기체 디스펜서의 수직 및 축 단면도이다.
도 3 은 묘사된 장치의 컴포넌트들 사이의 일정한 치수 관계들이 강조된, 도 1 과 유사한 도면이다.
도 4 는, 본 발명에 따른 기체 디스펜서를 이용하지 않고 프로세싱된 웨이퍼에 대해 획득된 결과와 대비된, 본 발명에 따른 방법 및 장치의 실시형태에 따른 300mm 웨이퍼 프로세스에 걸친 구리 손실의 비율을 나타내는 그래프이다.
도 1 에서, 본 발명에 따른 장치는, 반도체 웨이퍼들의 단일 웨이퍼 습식 프로세싱을 위한 프로세스 모듈에서 스핀 척 (spin chuck; 5) 으로서 구현된다. 척 (5) 은 반도체 웨이퍼 (W) 를 유지하도록 설계된다. 이러한 척들은, 미국 특허 제 4,903,717 호에서와 같이, 베르누이 원리 (Bernoulli principle) 에 따라 균형 잡힌 아래의 기체 유동 상에서 원하는 배향으로 웨이퍼 (W) 를 유지하도록 설계될 수도 있고, 또는, 웨이퍼의 주변 에지와 맞물리는 그립핑 핑거들 (gripping fingers) (미도시) 에 의해 온전히 기계적으로 웨이퍼를 유지할 수도 있다.
웨이퍼 그 자체는 청구되는 장치의 일부가 아니지만, 이러한 척들은 일정한 직경의 웨이퍼들을 위해 설계되며, 300mm 가 현재 사용되는 가장 일반적인 웨이퍼 직경이다. 따라서, 웨이퍼 직경의 명세는 척의 연관된 유지 컴포넌트들, 예를 들어, 300mm 직경을 초과하는 플랫폼을 특정하고, 이 플랫폼에서, 그립핑 핀들은 그들의 가장 안쪽 위치들에서 대략 300mm 직경의 원을 그린다.
기체 디스펜서 (6) 는, 액체 디스펜서 (3) 의 하단에 장착되고, 웨이퍼 (W) 의 표면에 일반적으로 평행하게 기체를 향하게 하는 환상 (annular) 노즐 (12), 및 웨이퍼 표면을 향해 수직 하방으로 기체를 향하게 하는 수직 기체 유출구로서 기능하는 샤워헤드 스크린 (showerhead screen; 15) 을 포함한다.
액체 디스펜서 (3) 및 기체 디스펜서 (6) 의 어셈블리 (assembly) 가 아암 (arm; 17) 에 장착되고, 이 아암은 다시 프로세스 모듈에 피봇가능하게 (pivotally) 장착된다. 액체 디스펜서 (3) 및 기체 디스펜서 (6) 의 어셈블리는 따라서 척 (5) 에 대해, 따라서 척 (5) 상에 위치된 웨이퍼 (W) 의 표면에 대해, 가로방향으로 (laterally) 이동될 수도 있다. 척 (5) 을 둘러싸는 프로세스 모듈의 구조가, 척이 로딩 또는 언로딩되는 경우와 같이 기체 디스펜서가 척 (5) 에서 완전히 비켜나도록 스윙되도록 그들 구조들 위에서 들어올려지는 것을 필요로 할 수도 있을 것이므로, 아암 (17) 은 바람직하게는 또한 수직으로 이동가능하다.
이제 도 2 로 가면, 액체 디스펜서 (3) 는, 기체 디스펜서 (6) 의 중앙을 동축으로 통과하고 웨이퍼 (W) 의 상향 대향 (upward-facing) 표면 상으로 세정 액체, 에칭 액체, 및/또는 린스 액체를 분배 (dispensing) 하기 위한 노즐 (16) 에서 종단되는 액체 도관 (liquid conduit; 4) 을 포함하는 것을 볼 수 있을 것이다.
기체 디스펜서 (6) 는, 질소와 같은 불활성 기체의 소스 (미도시) 에 연결되도록 구성된 기체 유입구들 (gas inlets; 9) 을 포함한다. 이 실시형태의 기체 디스펜서는 워크피스에 대해 2 개의 방향들로 기체를 내보내도록 설계되며, 환상 노즐 (12) 이 워크피스 표면에 실질적으로 평행하게 불활성 기체를 분배한다. 그 기체 스트림 (stream) 의 목적은, 분위기로부터의 산소가 웨이퍼 (W) 에 (또는, 액체 노즐 (16) 에 의해 생성된 웨이퍼 (W) 상의 액체 막에) 도달하는 것을 회피하기 위해, 워크피스에 접근하는 공기를 위에서부터 프로세스 모듈의 배기부가 위치된 측으로 리다이렉팅 (re-direct) 시키기 위한 것이다.
샤워헤드 스크린 (15) 은, 액체가 웨이퍼를 때리는 웨이퍼 표면의 상부에 산소가 감소된 또는 산소가 없는 환경을 형성하기 위해, 그리고, 노즐 (16) 로부터의 액체 스트림이 개방 공기를 통해 이동하여 그것이 이 경로를 따라 산소를 나를 수 없도록 하는 산소가 감소된 또는 산소가 없는 환경을 형성하기 위해, 웨이퍼 표면에 대해 수직 하방으로 불활성 기체를 분배한다. 이들 수직으로 배향된 유출구들 (outlets) 이 본 실시형태에서는 스크린 (15) 으로서 구현되지만, 그것들은 그 대신에 임의의 원하는 수의 샤워헤드 노즐들의 그룹으로서 구현될 수도 있을 것이다.
기체 디스펜서 (6) 는 상이한 형상들, 예를 들어, 타원형, 원형, 또는 직사각형의 것일 수 있다. 본 실시형태에서, 그것은 원형이다.
도면에는 묘사되지 않았지만, 이 타입의 프로세스 모듈들은, 주위 환경에 대해 개방되어 있을 때에도, 선회하는 웨이퍼의 방사상 바깥쪽으로 내던져지는 액체를 회수하도록 기능할 뿐만 아니라 그 프로세스 모듈로부터 기체들을 안전하게 멀리 배출하도록 기능하는 배기부 레벨들 및 수집기 레벨들에 의해 통상적으로 가깝게 둘러싸여져 있다. 따라서, 수평 방향 치수들이 웨이퍼 (W) 의 수평 방향 치수들과 가깝게 크거나 그보다 더 큰 기체 디스펜서는, 동작 위치에 있을 때 웨이퍼에 대해 가로 방향으로 이동가능하지 않을 것이다.
도 3 에서, "d" 는 기체 디스펜서 (6) 와 처리 중인 웨이퍼 (W) 사이의 수직 간격을 나타내고, "d1" 은 웨이퍼 (W) 의 표면에 평행한 방향에서 기체 디스펜서 (6) 의 폭 (또는 직경) 을 나타내며, "d2" 는 이 경우 300mm 인 웨이퍼 (W) 의 직경을 나타낸다. 따라서, "d1" 은 "d2" 보다 상당히 작다. 더욱 구체적으로는, 웨이퍼 (W) 에 평행한 방향에서의 기체 디스펜서 (6) 의 사이즈는, 그 기체 디스펜서의 면적이 바람직하게는 웨이퍼 (W) 의 면적의 5~50 % 의 범위 내에 있도록, 더욱 바람직하게는 웨이퍼 면적의 10~30 % 의 범위 내에 있도록 선택된다. 따라서, 300mm 웨이퍼 및 원형 기체 디스펜서 (6) 에 대해, "d1" 의 값은 바람직하게는 67~212 mm 의 범위 내일 것이고, 더욱 바람직하게는 95~165 mm 의 범위 내일 것이다.
본 발명의 장치 및 방법에 따르면, 기체 디스펜서 (6) 를 통한 기체 공급은 노즐 (16) 을 통해 분배되는 프로세스 액체와는 독립적으로 켜질 수 있다. 따라서, 기체 디스펜서 (6) 를 통해 공급된 불활성 기체는 오직 불활성 기체를 분배하는 것에 의해, 예를 들어 액체 분배 전에, 웨이퍼 가까이의 프로세스 챔버에서의 산소를 대체하는데 이용될 수 있다. 대안으로서, 불활성 기체 및 프로세스 액체는, 프로세스 액체 분배 동안 웨이퍼 가까이에 불활성 기체 분위기를 형성하기 위해 동시에 분배될 수 있다. 효과를 강화시키기위해, 추가적인 액체 디스펜서가 린스를 위해 기체 디스펜서 상에 장착될 수 있지만, 프로세스 액체 및 린스 액체를 위한 디스펜서가 동일한 것 또한 가능하다.
노즐 (12) 및 샤워헤드 (15) 를 통한 불활성 기체의 분배는 또한, 유입구들 (9) 과 소통하는 유출구들의 어느 일방 또는 양방 모두에 배치하기 위한 적합한 밸브들을 기체 디스펜서 (6) 에 장착함으로써 독립적으로 제어될 수 있다. 따라서 이는 다음의 가능한 동작 모드들의 각각을 불러일으키고, 이들의 각각은 노즐 (16) 을 통한 프로세스 액체의 분배와 동시에 또는 그것 없이 중 어느 일방으로 수행될 수 있다:
(1) 환상 노즐로부터의 기체 분배만;
(2) 샤워헤드 스크린으로부터의 기체 분배만;
(3) 환상 노즐로부터 및 샤워헤드 스크린으로부터 병행하여 기체 분배.
동작 모드 (3) 이 최근 선호된다. 특히, 선호되는 동작 범위들은, 전체 N2 유동의 1~50% 사이가 샤워헤드 스크린 (15) 을 통해 분배되고 전체 N2 유동의 50~99% 사이가 환상 노즐 (12) 을 통해 분배된다. 전체 N2 유동은 바람직하게는 1 lpm (리터/분) 과 1000 lpm 사이이다.
본 방법의 일 실시형태에 따른 통상적인 프로세스 순서는 다음의 단계들을 포함하고, 이 단계들은 열거된 순서로 수행된다:
1) 웨이퍼를 척 상에 로딩하고 회전을 시작한다;
2) 디스펜서를 웨이퍼 위에서 소정 거리 "d" 에서 이동시킨다;
3) 웨이퍼와 디스펜서 사이에 산소 함량을 감소시키기 위해 N2 분배를 시작한다;
4) N2 분배를 계속하면서 액체 분배를 시작한다;
5) 린스;
6) 건조 (예를 들어 선회에 의해 수행되고, 불활성 기체에 의해 운반되는 이소프로판올 증기에 의해 도움을 받을 수 있다), 및 웨이퍼가 건조한 경우 N2 분배를 중지;
7) 디스펜서를 (웨이퍼와 중첩되지 않는) "파킹" 위치로 이동; 및
8) 회전을 중지하고 웨이퍼를 언로딩.
상기 순서에서 단계 3) 은 단계 4) 에 선행할 수 있고, 또는, 단계 4) 와 동시에 시작할 수 있다. 단계 5) (린스) 동안, N2 분배는 계속될 수 있다. 또한, 단계 4) 및 단계 5) 는 프로세싱될 워크피스의 성질에 의해 요구되면 다수 회 반복될 수 있다.
도 4 에서 볼 수 있는 바와 같이, 웨이퍼에 걸친 구리 에칭 균일성이 극적으로 향상될 수 있고, 주변 영역 (웨이퍼 에지 부근) 에서의 구리 손실은 약 50% 만큼 감소될 수 있다. 도 4 에서의 y-축은 에칭 후의 구리 손실을 두께 감소 비율로서 나타낸 것이고, 도 4 에서의 x-축은 300mm 웨이퍼에 대한 직경 분포이다. 도 4 에서 점선은 샤워헤드를 통한 불활성 기체 퍼지 (purge) 없는 경우의 구리 손실의 비율을 나타내고, 실선은 샤워헤드를 통한 불활성 기체 퍼지를 이용한 경우의 구리 손실을 나타낸다.
본 발명자들은 웨이퍼에 대해 가로방향으로 기체 디스펜서를 이동시키는 능력이 에칭 균일성을 향상시키는데 도움을 준다는 것을 발견하였다. 또한, 워크피스에 대한 기체 디스펜서의 상대적으로 작은 사이즈에도 불구하고, 완전하게 폐쇄된 프로세스 포트 (pot) 가 요구되지 않는다.
본 발명이 그것의 다양한 예시적인 실시형태들과 함께 설명되었지만, 그들 실시형태들은 첨부된 청구항들의 진정한 범위 및 사상에 의해 부여되는 보호의 범위를 제한하는 명분으로서 이용되어서는 아니된다는 것을 이해하여야 한다.

Claims (15)

  1. 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치에 있어서,
    미리결정된 사이즈의 웨이퍼 형상 물품을 유지하도록 치수가 맞추어진 플랫폼을 갖는 척; 및
    상기 플랫폼 위에 위치될 수 있도록 장착된 기체 디스펜서를 포함하고; 상기 기체 디스펜서는 상기 플랫폼 위에 불활성 기체를 방출하기 위한 노즐들을 갖는 기체 샤워헤드 및 웨이퍼 형상 물품 상으로 에칭 액체를 분배 (dispensing) 하기 위한 도관을 포함하고;
    상기 도관은 상기 플랫폼을 향해 상기 기체 디스펜서로부터 하방으로 향하는 노즐에서 종단 (terminating) 되고; 상기 기체 디스펜서는 상기 미리결정된 사이즈의 웨이퍼 형상 물품의 상방 대향 표면의 면적의 5% 내지 50% 인 면적에서 상기 플랫폼과 중첩하며; 상기 기체 디스펜서는 상기 플랫폼 위에 미리결정된 동작 거리에서 위치될 수 있고, 상기 기체 디스펜서는, 상기 플랫폼 위에 상기 미리결정된 동작 거리에서 위치되면서 상기 플랫폼에 대해 가로 방향으로 이동가능고,
    상기 척 및 상기 기체 디스펜서는 주위 환경 대기에 대해 밀봉되지 않은 프로세스 모듈에 위치되는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기체 디스펜서는, 상기 플랫폼 상에 위치된 웨이퍼 형상 물품의 주표면에 실질적으로 평행하게 불활성 기체를 분배하도록 구성된 환상 노즐을 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기체 디스펜서는, 상기 플랫폼 상에 위치된 웨이퍼 형상 물품의 주표면을 향해 하방으로 불활성 기체를 분배하도록 구성된 복수의 하향 기체 유출구들을 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기체 디스펜서는, 상기 플랫폼 상에 위치된 웨이퍼 형상 물품의 주표면에 실질적으로 평행하게 불활성 기체를 분배하도록 구성된 환상 노즐, 및 상기 플랫폼 상에 위치된 웨이퍼 형상 물품의 주표면을 향해 하방으로 불활성 기체를 분배하도록 구성된 복수의 하향 기체 유출구들을 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  6. 삭제
  7. 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치에 있어서,
    미리결정된 사이즈의 웨이퍼 형상 물품을 유지하도록 치수가 맞추어진 플랫폼을 갖는 척;
    상기 플랫폼 위에 위치될 수 있도록 장착된 기체 디스펜서; 및
    상기 기체 디스펜서를 운반하는 아암으로서, 상기 아암은 상기 플랫폼에 대한 상기 기체 디스펜서의 가로 방향 이동을 수행하도록 상기 장치에 피봇가능하게 장착되는, 상기 아암을 포함하고,
    상기 기체 디스펜서는 상기 플랫폼 위에 불활성 기체를 방출하기 위한 노즐들을 갖는 기체 샤워헤드 및 웨이퍼 형상 물품 상으로 에칭 액체를 분배 (dispensing) 하기 위한 도관을 포함하고;
    상기 도관은 상기 플랫폼을 향해 상기 기체 디스펜서로부터 하방으로 향하는 노즐에서 종단 (terminating) 되고; 상기 기체 디스펜서는 상기 미리결정된 사이즈의 웨이퍼 형상 물품의 상방 대향 표면의 면적의 5% 내지 50% 인 면적에서 상기 플랫폼과 중첩하며; 상기 기체 디스펜서는 상기 플랫폼 위에 미리결정된 동작 거리에서 위치될 수 있고, 상기 기체 디스펜서는, 상기 플랫폼 위에 상기 미리결정된 동작 거리에서 위치되면서 상기 플랫폼에 대해 가로 방향으로 이동가능한, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 척의 로딩 또는 언로딩 동안 아암이 상기 기체 디스펜서를 들어올리도록 수직으로 이동가능한, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  9. 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치에 있어서,
    미리결정된 사이즈의 웨이퍼 형상 물품을 유지하도록 치수가 맞추어진 플랫폼을 갖는 척; 및
    상기 플랫폼 위에 위치될 수 있도록 장착된 기체 디스펜서를 포함하고; 상기 기체 디스펜서는 상기 플랫폼 위에 불활성 기체를 방출하기 위한 노즐들을 갖는 기체 샤워헤드 및 웨이퍼 형상 물품 상으로 에칭 액체를 분배 (dispensing) 하기 위한 도관을 포함하고;
    상기 도관은 상기 플랫폼을 향해 상기 기체 디스펜서로부터 하방으로 향하는 노즐에서 종단 (terminating) 되고; 상기 기체 디스펜서는 상기 미리결정된 사이즈의 웨이퍼 형상 물품의 상방 대향 표면의 면적의 5% 내지 50% 인 면적에서 상기 플랫폼과 중첩하며; 상기 기체 디스펜서는 상기 플랫폼 위에 미리결정된 동작 거리에서 위치될 수 있고, 상기 기체 디스펜서는, 상기 플랫폼 위에 상기 미리결정된 동작 거리에서 위치되면서 상기 플랫폼에 대해 가로 방향으로 이동가능하고,
    상기 척 및 상기 기체 디스펜서는, 반도체 웨이퍼들의 단일 웨이퍼 습식 프로세싱을 위한 프로세스 모듈의 컴포넌트들인, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  10. 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 방법에 있어서,
    홀더 상에 웨이퍼 형상 물품을 위치시키는 단계;
    상기 웨이퍼 형상 물품 위에 기체 디스펜서를 소정 동작 거리에 위치시키는 단계;
    상기 웨이퍼 형상 물품 위에 불활성 기체를 분배하는 단계;
    상기 웨이퍼 형상 물품 위에 상기 불활성 기체를 분배하는 단계와 동시에, 상기 웨이퍼 형상 물품 상으로 에칭 액체를 분배하는 단계; 및
    상기 불활성 기체를 분배하면서 상기 기체 디스펜서를 상기 웨이퍼 형상 물품에 대해 가로 방향으로 이동시키는 단계를 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 기체 디스펜서는, 상기 웨이퍼 형상 물품의 상방 대향 표면의 면적의 5% 내지 50% 인 면적에서 상기 웨이퍼 형상 물품과 중첩되도록 하는 사이즈를 갖는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 방법.
  12. 삭제
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 형상 물품 위에 불활성 기체를 분배하는 단계는, 상기 웨이퍼 형상 물품의 상방 대향 표면에 실질적으로 평행한 방향에서 환상 노즐을 통해 불활성 기체를 분배하는 단계를 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 방법.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 형상 물품 위에 불활성 기체를 분배하는 단계는, 상기 웨이퍼 형상 물품을 향해 하방으로 불활성 기체를 분배하도록 구성된 복수의 하향 기체 유출구들을 통해 불활성 기체를 분배하는 단계를 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 방법.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 형상 물품 위에 불활성 기체를 분배하는 단계는, 상기 웨이퍼 형상 물품의 상방 대향 표면에 실질적으로 평행한 방향에서 환상 노즐을 통해 불활성 기체를 분배하는 단계, 및 상기 웨이퍼 형상 물품을 향해 하방으로 불활성 기체를 분배하도록 구성된 복수의 하향 기체 유출구들을 통해 불활성 기체를 분배하는 단계를 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 방법.
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