JPH11274135A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

Info

Publication number
JPH11274135A
JPH11274135A JP7883598A JP7883598A JPH11274135A JP H11274135 A JPH11274135 A JP H11274135A JP 7883598 A JP7883598 A JP 7883598A JP 7883598 A JP7883598 A JP 7883598A JP H11274135 A JPH11274135 A JP H11274135A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
supply port
processing liquid
gas
gas supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7883598A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4017239B2 (ja
Inventor
Katsuhiko Miya
勝彦 宮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP07883598A priority Critical patent/JP4017239B2/ja
Publication of JPH11274135A publication Critical patent/JPH11274135A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4017239B2 publication Critical patent/JP4017239B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 乾燥のスループットの低下やウォーターマー
クの発生を防止する。 【解決手段】 基板Wはスピンベース1に保持されて軸
芯J周りで回転される。スピンベース1に保持された基
板Wの下面にはスピンベース12が対向配置され、上面
には上部雰囲気遮断部材2が対向配置される。スピンベ
ース12には基板Wの下面の中央部に処理液を供給する
処理液供給口33と基板Wの下面の中央部に気体を供給
する気体供給口34とが設けられ、上部雰囲気遮断部材
2には基板Wの上面の中央部に処理液を供給する処理液
供給口43と基板Wの上面の中央部に気体を供給する気
体供給口44とが設けられている。各気体供給口34、
44を、スピンベース1に保持された基板Wの回転中心
軸芯Jに対して非対称になるようにスピンベース12、
上部雰囲気遮断部材2に設けた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示器用のガラス基板、フォトマスク用のガラス基
板、光ディスク用の基板などの基板に薬液や純水などの
処理液を供給して洗浄処理などの処理液を用いた所定の
基板処理を行った後、基板に気体を供給しながら基板を
回転させて基板を乾燥させる乾燥処理を行う基板処理装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の基板処理装置は、図8に
示すように、基板Wを保持して回転させるスピンチャッ
ク1と、スピンチャック1に保持された基板Wの上面に
対向配置される円盤状の上部雰囲気遮断部材2とを備え
ている。
【0003】スピンチャック1は、図示しない電動モー
ターによって鉛直方向の軸芯J周りに回転される円筒状
の回転軸11の上端に円盤状のスピンベース12が連結
され、このスピンベース12の上面に基板Wの外周部を
3箇所以上で把持して、基板Wをスピンベース12の上
面から離間させて保持する3個以上の基板保持部材13
が設けられ、基板Wを水平姿勢で保持して軸芯J周りで
回転させるように構成されている。
【0004】スピンベース12は、スピンチャック1に
保持された基板Wの下面に対向配置される雰囲気遮断部
材としての機能を果たしている。回転軸11の中空部に
は、薬液や純水などの処理液を送液するための送液路と
して用いられる内径R10の円柱状の中空部100を有
する円筒状の部材101が、その中心軸を軸芯Jと同軸
にして挿通されている。この部材101の中空部(送液
路)100の上端がスピンチャック1に保持された基板
Wの下面の中央部に処理液を供給する処理液供給口10
2になっている。すなわち、従来装置のスピンベース1
2に設けられた処理液供給口102は、図9に示すよう
に、軸芯Jを中心とした直径R10の円形の形状に形成
されている。
【0005】部材101の外径R20は、回転軸11の
中空部の内径R30よりも小さく、部材101の外壁面
と回転軸11の中空部の内壁面との間に円筒状の中空部
110が形成されている。この中空部110は、窒素ガ
スなどの不活性ガスやドライエアーなどの所定の気体を
流す気体流路として用いられ、その上端がスピンチャッ
ク1に保持された基板Wの下面の中央部に気体を供給す
る気体供給口111になっている。すなわち、従来装置
のスピンベース12に設けられた気体供給口111は、
図9に示すように、軸芯Jを中心とした直径R30の円
と軸芯Jを中心とした直径R20の円との間の、基板W
の回転中心軸芯Jに対して円対称なリング状の形状に形
成され、処理液供給口102の周囲から均等に気体が噴
出されるようになっている。
【0006】上部雰囲気遮断部材2は、中心軸が軸芯J
と同軸に配置された円筒状の回転支軸21の下端に連結
されている。そして、回転軸11及びスピンベース12
と同様の構造によって、図9に示すように、処理液供給
口102及び気体供給口111と同様の構成の処理液供
給口202及び気体供給口211が上部雰囲気遮断部材
2に設けられている。なお、処理液供給口202はスピ
ンチャック1に保持された基板Wの上面の中央部に処理
液を供給する供給口、気体供給口211はスピンチャッ
ク1に保持された基板Wの上面の中央部に気体を供給す
る供給口である。また、円筒状の部材201、中空部2
00、210は、上述した回転軸11及びスピンベース
12側の部材101、中空部100、110に対応する
構成要素である。
【0007】この従来装置によって、例えば、薬液によ
る薬液洗浄処理、純水によって薬液を洗い流すリンス処
理、乾燥処理を基板Wの上下両面に対して行う場合の動
作は以下のとおりである。
【0008】すなわち、スピンチャック1に基板Wを保
持して軸芯J周りで回転させ、処理液供給口102、2
02から基板Wの上下両面の各中央部に薬液を供給す
る。基板Wの上下両面の各中央部に供給された薬液は基
板Wの回転の遠心力によって基板Wの上面の全面及び下
面の全面に拡げられて基板Wの上下両面に対する薬液に
よる洗浄が行われる。
【0009】予め決められた薬液洗浄処理時間が経過す
ると、処理液供給口102、202から供給する処理液
を薬液から純水に切り替える。基板Wの上下両面の各中
央部に供給された純水は基板Wの回転の遠心力によって
基板Wの上面の全面及び下面の全面に拡げられて基板W
の上下両面に対するリンス処理が行われる。なお、上記
薬液洗浄処理または/およびこのリンス処理の際に、必
要に応じて気体供給口111、211から気体を供給す
ることもある。
【0010】そして、予め決められたリンス処理時間が
経過すると、処理液供給口102、202からの純水の
供給を停止し、気体供給口111、211から気体を供
給しながら基板Wを回転させ、基板Wの回転の遠心力に
よって、基板Wの上下両面に残留する純水を基板Wの外
周部から振り切らせて除去し、基板Wの上下両面を乾燥
させる。このとき、供給される気体が基板Wの上面の全
面及び下面の全面に拡げられて基板Wの乾燥が促進され
る。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。
【0012】すなわち、従来装置の気体供給口111、
211は、基板Wの回転中心軸芯Jに対して円対称なリ
ング状の形状に形成され、処理液供給口102、202
の周囲から均等に気体が噴出されるように構成している
ので、図10に示すように、気体供給口111、211
から供給された気体の一部が基板Wの回転中心の周囲か
ら基板Wの回転中心に向かって流れ、この気体の流れG
F10によって、基板Wの回転中心付近に残留する純水
が遠心力で基板Wの外周部に流れるのが妨げられる。ま
た、基板Wの回転の遠心力は、回転中心に向かうに従っ
て小さくなり、基板Wの回転中心では遠心力が最も弱
い。そのため、基板Wの回転中心付近に純水が残留し易
くなり、基板Wの回転中心付近の乾燥が外周部に比べて
遅れ、基板Wの全面を乾燥させる時間が長引き、乾燥処
理のスループットが低下したり、基板Wの全面に対する
乾燥が不均一になってウォーターマークが発生するなど
の不都合がある。
【0013】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、基板の乾燥を高速かつ均一に行える基
板処理装置を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の発明は、基板を保持して回転させ
る基板保持回転手段と、前記基板保持回転手段に保持さ
れた基板の少なくとも1方の面に対向配置される雰囲気
遮断部材と、前記雰囲気遮断部材に設けられ、その雰囲
気遮断部材に対向する基板の面の中央部に処理液を供給
する処理液供給口と、前記雰囲気遮断部材に設けられ、
その雰囲気遮断部材に対向する基板の面の中央部に気体
を供給する気体供給口と、を備えた基板処理装置におい
て、前記気体供給口を、前記基板保持回転手段に保持さ
れた基板の回転中心軸芯に対して非対称になるように前
記雰囲気遮断部材に設けたことを特徴とするものであ
る。
【0015】請求項2に記載の発明は、上記請求項1に
記載の基板処理装置において、前記処理液供給口を、前
記気体供給口の側方に並べて前記雰囲気遮断部材に設け
たことを特徴とするものである。
【0016】
【作用】請求項1に記載の発明によれば、気体供給口
を、基板保持回転手段に保持された基板の回転中心軸芯
に対して非対称になるように雰囲気遮断部材に設けたの
で、気体供給口から供給される気体によって、遠心力が
小さい基板の回転中心の周囲から基板の回転中心に向か
って均等に流れる気体の流れが形成されることがない。
従って、基板の回転中心付近に残留する処理液が遠心力
で基板の外周部に流れるのが妨げられず、基板の回転中
心付近の乾燥の遅延を抑制できる。
【0017】請求項2に記載の発明によれば、基板保持
回転手段に保持された基板の回転中心軸芯に対して非対
称になるように設けた気体供給口の側方に並べて処理液
供給口を設けているので、気体供給口から基板の対向面
に供給された気体によって、1方向から遠心力が小さい
基板の回転中心に向かう気体の流れを形成でき、基板の
回転中心付近に残留する処理液は、遠心力に加えて、上
記1方向から基板の回転中心に向かう気体の流れによっ
て基板の外周部に速やかに流れ、乾燥が遅い基板の回転
中心付近の乾燥を促進できる。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図1は本発明の一実施例に係る基
板処理装置の全体構成を示す一部省略正面図であり、図
2は実施例装置の要部の構成を示す拡大縦断面図、図3
は実施例装置の処理液供給口と気体供給口を基板の対向
面から見た図である。
【0019】なお、本実施例では、薬液による薬液洗浄
処理と、純水によって薬液を洗い流すリンス処理と、乾
燥処理とを基板Wの上下両面に対して行う装置を例に採
り説明する。
【0020】本実施例装置は、基板Wを保持して回転さ
せるスピンチャック1と、スピンチャック1に保持され
た基板Wの上面に対向配置される円盤状の上部雰囲気遮
断部材2とを備えている。
【0021】スピンチャック1は、電動モーター10に
よって鉛直方向の軸芯J周りに回転される円筒状の回転
軸11の上端に円盤状のスピンベース12が連結され、
このスピンベース12の上面に基板Wの外周部を3箇所
以上で把持して、基板Wをスピンベース12の上面から
離間させて保持する3個以上の基板保持部材13が設け
られ、基板Wを水平姿勢で保持して軸芯J周りで回転さ
せるように構成されている。
【0022】スピンベース12は、スピンチャック1に
保持された基板Wの下面に対向配置される雰囲気遮断部
材としての機能を果たしている。回転軸11の中空部に
は、内径R1の円柱状の中空部30と内径R2の円柱状
の中空部31とが並設された円柱状の部材32が、その
中心軸を軸芯Jと同軸にして挿通されている。
【0023】この部材32は固定立設され、回転軸11
は軸芯J周りで回転可能に立設されている。部材32の
外径R3は、回転軸11の中空部の内径R30よりも若
干小さく、部材32の外壁面と回転軸11の中空部の内
壁面との間に図示しないベアリングが介在されていて、
固定立設された部材32の周囲で回転軸11が軸芯J周
りで回転されるようになっている。
【0024】中空部30の中心軸は部材32の中心軸
(軸芯J)からずらされている。この中空部30は、薬
液や純水などの処理液を送液するための送液路として用
いられ、その上端がスピンチャック1に保持された基板
Wの下面の中央部に処理液を供給する処理液供給口33
になっている。中空部30の基端には、薬液と純水とを
選択的に供給可能に構成された処理液供給部50が接続
されている。これにより、処理液供給口33からスピン
チャック1に保持された基板Wの下面の中央部への薬液
の供給、純水の供給、薬液及び純水の供給停止が選択的
に行えるようになっている。
【0025】中空部31の中心軸も部材32の中心軸
(軸芯J)からずらされている。この中空部31は、窒
素ガスなどの不活性ガスやドライエアーなどの所定の気
体を流す気体流路として用いられ、その上端がスピンチ
ャック1に保持された基板Wの下面の中央部に気体を供
給する気体供給口34になっている。中空部31の基端
には、開閉弁51を介して気体供給部52が接続されて
いる。開閉弁51の開閉によって、気体供給口34から
スピンチャック1に保持された基板Wの下面の中央部へ
の気体の供給とその停止が切換えられるようになってい
る。
【0026】図3に示すように、処理液供給口33は軸
芯Jからずれた位置を中心とした直径R1の円形の形状
に形成され、気体供給口34は軸芯Jからずれた位置を
中心とした直径R2の円形の形状に形成されている。す
なわち、気体供給口34は、基板Wの回転中心軸芯Jに
対して非対称になるようにスピンベース12に設けら
れ、処理液供給口33は、その気体供給口34の側方に
並べてスピンベース12に設けられている。
【0027】なお、気体供給口34の面積が小さいと、
気体供給口34から吹き出される気体の噴出圧が高くな
り、基板Wの下面に供給された処理液を吹き飛ばして処
理液による処理を均一に行えないなどの不都合を招く。
従って、R2>R1として、気体供給口34の面積を処
理液供給口33の面積よりも大きくすることが好まし
い。例えば、R1を4〜6mmに対してR2を8〜10mm
程度の比率にすることが好ましい。
【0028】上部雰囲気遮断部材2は、円筒状の回転支
軸21の下端に連結されている。回転支軸21は、その
中心軸が軸芯Jと同軸に配置され、モーター22によっ
て軸芯J周りで回転可能に支持アーム23の先端部に懸
垂支持されている。回転支軸21の回転によって、上部
雰囲気遮断部材2は回転支軸21とともに軸芯J周りに
回転されるようになっている。支持アーム23は、エア
シリンダやボールネジなどの周知の1軸方向駆動機構で
構成される図示しない昇降駆動部によって昇降可能に構
成されている。この支持アーム23の昇降により、回転
支軸21を介して上部雰囲気遮断部材2がスピンチャッ
ク1に対して接離可能になっている。
【0029】そして、回転軸11及びスピンベース12
と同様の構造によって、図3に示すように、処理液供給
口33及び気体供給口34と同様の構成の処理液供給口
43及び気体供給口44が上部雰囲気遮断部材2に設け
られている。なお、処理液供給口43はスピンチャック
1に保持された基板Wの上面の中央部に処理液を供給す
る供給口、気体供給口44はスピンチャック1に保持さ
れた基板Wの上面の中央部に気体を供給する供給口であ
る。また、円柱状の部材42、中空部40、41は、上
述した回転軸11及びスピンベース12側の部材32、
中空部30、31に対応する構成要素である。部材42
は支持アーム23に固定的に懸垂支持され、部材42の
外壁面と回転支軸21の中空部の内壁面との間に図示し
ないベアリングが介在されていて、固定支持された部材
42の周囲で回転支軸21が軸芯J周りで回転されるよ
うになっている。また、処理液供給部50は、中空部3
0とは個別に中空部40に薬液と純水とを選択的に供給
可能に構成されていて、処理液供給口43からスピンチ
ャック1に保持された基板Wの上面の中央部への薬液の
供給、純水の供給、薬液及び純水の供給停止が選択的に
行える。さらに、中空部31及び気体供給口34側と同
様の構成で、開閉弁53の開閉によって、気体供給口4
4からスピンチャック1に保持された基板Wの上面の中
央部への気体の供給とその停止が切換えられるようにな
っている。
【0030】次に本実施例装置によって、薬液洗浄処
理、リンス処理、乾燥処理を基板Wの上下両面に対して
行う動作を説明する。
【0031】上部雰囲気遮断部材2を上昇させた状態
で、スピンチャック1に基板Wを保持させる。基板Wが
スピンチャック1に保持されると、上部雰囲気遮断部材
2を下降させて、スピンチャック1に保持された基板W
の上面に上部雰囲気遮断部材2を近接させて対向配置さ
せる。これにより、スピンチャック1に保持された基板
Wは、スピンベース12と上部雰囲気遮断部材2との間
に挟まれ、その状態で以下の処理が行われる。
【0032】まず、電動モーター10を駆動してスピン
チャック1に保持された基板Wを軸芯J周りで回転さ
せ、処理液供給口33、43から基板Wの上下両面の各
中央部に薬液を供給する。基板Wの上下両面の各中央部
に供給された薬液は基板Wの回転の遠心力によって基板
Wの上面の全面及び下面の全面に拡げられて基板Wの上
下両面に対する薬液による洗浄が行われる。
【0033】予め決められた薬液洗浄処理時間が経過す
ると、処理液供給口33、43から供給する処理液を薬
液から純水に切り替える。基板Wの上下両面の各中央部
に供給された純水は基板Wの回転の遠心力によって基板
Wの上面の全面及び下面の全面に拡げられて基板Wの上
下両面に対するリンス処理が行われる。なお、上記薬液
洗浄処理または/およびこのリンス処理の際に、必要に
応じて気体供給口34、44から気体を供給することも
ある。
【0034】そして、予め決められたリンス処理時間が
経過すると、処理液供給口33、43からの純水の供給
を停止し、気体供給口34、44から気体を供給しなが
ら基板Wを回転させ、基板Wの上下両面に残留する純水
を基板Wの外周部から振り切らせて除去し、基板Wの上
下両面を乾燥させる。
【0035】予め決められた乾燥処理時間が経過する
と、気体供給口34、44からの気体の供給を停止する
とともに、基板Wの回転を停止する。そして、上部雰囲
気遮断部材2を上昇させて、スピンチャック1から処理
済の基板Wが取り出される。
【0036】なお、上記処理において、必要に応じて上
部雰囲気遮断部材2を軸芯J周りで回転させることもあ
る。
【0037】本実施例によれば、気体供給口34、44
を、スピンチャック1に保持された基板Wの回転中心軸
芯Jに対して非対称になるようにスピンベース12、上
部雰囲気遮断部材2に設けたので、図4に示すように、
気体供給口34、44から供給される気体によって、遠
心力の小さい基板Wの回転中心の周囲から基板Wの回転
中心に向かって均等に流れる気体の流れが形成されるこ
とがない。従って、基板Wの回転中心付近に残留する処
理液が遠心力で基板Wの外周部に流れるのが妨げられ
ず、基板Wの回転中心付近の乾燥の遅延を抑制できる。
【0038】また、本実施例によれば、スピンチャック
1に保持された基板Wの回転中心軸芯Jに対して非対称
になるように設けた気体供給口34、44の側方に並べ
て処理液供給口33、43を設けているので、図4に示
すように、気体供給口34、44から基板Wの各面に供
給された気体によって、1方向から遠心力の小さい基板
Wの回転中心に向かう気体の流れGF1を形成でき、基
板Wの回転中心付近に残留する処理液は、遠心力に加え
て、上記1方向から基板Wの回転中心に向かう気体の流
れGF1によって基板Wの外周部に速やかに流れ、乾燥
が遅い基板Wの回転中心付近の乾燥を促進できる。
【0039】従って、基板の乾燥を高速かつ均一に行う
ことができ、乾燥処理のスループットの低下やウォータ
ーマークの発生などを防止できる。
【0040】なお、上記実施例では、処理液供給口3
3、43を軸芯Jからずれた位置を中心にしたが、図5
に示すように、処理液供給口33、43の中心を軸芯J
と同軸にしてもよい。
【0041】また、上記実施例や図5の変形では、スピ
ンチャック1に保持された基板Wの回転中心軸芯Jに対
して非対称になるように設けた気体供給口34、44の
側方に並べて処理液供給口33、43を設けているが、
気体供給口34、44が、スピンチャック1に保持され
た基板Wの回転中心軸芯Jに対して非対称であれば、気
体供給口34、44と処理液供給口33、43とが並設
されていなくてもよい。
【0042】例えば、図6に示すように、スピンチャッ
ク1に保持された基板Wの回転中心軸芯Jからずれた位
置を中心として処理液供給口43を設け、その周囲にリ
ング状の気体供給口44を設けて、気体供給口44をス
ピンチャック1に保持された基板Wの回転中心軸芯Jに
対して非対称になるようにしてもよい。この構成の場
合、基板Wの上面のうち、処理液供給口43から供給さ
れる処理液の着液位置Qには、気体供給口44から供給
される気体によって、その位置Qの周囲からその位置Q
に向かって均等に流れる気体の流れGF2が形成され
る。しかしながら、その位置Qは、基板Wの回転中心か
らずれているので、その位置Qの遠心力が強く、気体の
流れGF2によっても、その位置Qに残留する処理液が
遠心力で基板Wの外周部に流れるのが妨げられない。な
お、この変形例は、例えば、中心からずらせて円柱状の
気体流路60が形成された円柱状の部材61を、その中
心軸が軸芯Jと同軸になるように回転支軸21の中空部
に挿通し、処理液を送液する管62を、その中心軸が気
体流路60の中心軸と同軸になるように気体流路60に
挿通して構成することができる。
【0043】また、図7に示すように、スピンチャック
1に保持された基板Wの回転中心軸芯Jを中心として処
理液供給口43を設け、その周囲に、スピンチャック1
に保持された基板Wの回転中心軸芯Jからずれた位置を
中心としたリング状の気体供給口44を設けて、気体供
給口44をスピンチャック1に保持された基板Wの回転
中心軸芯Jに対して非対称になるようにしてもよい。こ
の構成の場合、気体供給口44から供給される気体によ
って、遠心力の小さい基板Wの回転中心の周囲から基板
Wの回転中心に向かって流れる気体の流れGF3、GF
4が形成されるが、基板Wの回転中心の周囲から基板W
の回転中心に向かって流れる気体の流れGF3、GF4
は均等ではない。従って、基板Wの回転中心の周囲の一
部から基板Wの回転中心に向かって強く流れる気体の流
れによって、基板Wの回転中心付近に残留する処理液は
基板Wの外周部に速やかに流さる。なお、この変形例
は、例えば、中心からずらせて円柱状の気体流路70が
形成された円柱状の部材71を、その中心軸が軸芯Jと
同軸になるように回転支軸21の中空部に挿通し、処理
液を送液する管72を、その中心軸が軸芯Jと同軸にな
るように気体流路70に挿通して構成することができ
る。
【0044】上記図6、図7では、上部雰囲気遮断部材
2側の処理液供給口43と気体供給口44とを例に採っ
たが、スピンベース12側の処理液供給口33と気体供
給口34も同様に変形実施することができる。
【0045】また、処理液供給口33、43や気体供給
口34、44は、円形に限らずその他の形状であっても
よい。
【0046】さらに、上記実施例やその変形例では、ス
ピンチャック1に保持された基板Wを挟んでスピンベー
ス12側の処理液供給口33及び気体供給口34と、上
部雰囲気遮断部材2側の処理液供給口43及び気体供給
口44とが対称形になるように構成しているが、スピン
ベース12側の処理液供給口33及び気体供給口34
と、上部雰囲気遮断部材2側の処理液供給口43及び気
体供給口44とは非対称であってもよい。
【0047】また、上記実施例やその変形例では、スピ
ンベース12側の気体供給口34の大きさと、上部雰囲
気遮断部材2側の気体供給口44の大きさとを同じにし
ているが、気体供給口34と気体供給口44とは同じ大
きさでなくてもよい。スピンベース12側の処理液供給
口33と、上部雰囲気遮断部材2側の処理液供給口43
に関しても同様に、これら気体供給口34と気体供給口
44とは同じ大きさであってもよいし、異なる大きさで
あってもよい。
【0048】上記実施例では、スピンチャック1に保持
された基板Wの下面と上面の両面に対向配置される、処
理液供給口33及び気体供給口34を設けたスピンベー
ス(雰囲気遮断部材)12と、処理液供給口43及び気
体供給口44を設けた上部雰囲気遮断部材2を備えた装
置を例に採ったが、本発明はそれに限定されない。例え
ば、上記実施例においてスピンベース12に処理液供給
口33及び気体供給口34を設けていない装置や、スピ
ンベース12に処理液供給口33及び気体供給口34を
設けているが上部雰囲気遮断部材2を備えていない装置
などで、基板Wの上面または下面のうちの一方の面のみ
に所定の基板処理を行う装置など、スピンチャック1に
保持された基板Wの一方の面に対向配置させる、処理液
供給口及び気体供給口を設けた雰囲気遮断部材のみを備
えた装置であっても本発明は同様に適用できる。
【0049】また、上記実施例では、処理液供給口3
3、43から薬液と純水とを切換え供給可能に構成し、
薬液洗浄処理とリンス処理と乾燥処理とを行える装置を
例に採っているが、例えば、処理液供給口33、43か
ら純水のみを供給可能に構成して、純水による水洗処理
と乾燥処理とを行う装置であっても本発明は同様に適用
できる。
【0050】さらに、処理液供給口から供給される処理
液は薬液や純水に限らずその他の適宜の処理液であって
もよい。
【0051】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1に記載の発明によれば、気体供給口を、基板保持回転
手段に保持された基板の回転中心軸芯に対して非対称に
なるように雰囲気遮断部材に設けたので、基板の回転中
心付近に残留する処理液が遠心力で基板の外周部に流れ
るのを妨げる気体の流れを形成することがなくなり、基
板の回転中心付近の乾燥の遅延を抑制でき、従来装置よ
りも基板の乾燥を高速かつ均一に行うことができる。
【0052】請求項2に記載の発明によれば、基板保持
回転手段に保持された基板の回転中心軸芯に対して非対
称になるように設けた気体供給口の側方に並べて処理液
供給口を設けたので、気体供給口から基板の対向面に供
給した気体によって、1方向から基板の回転中心に向か
う気体の流れを形成でき、遠心力が小さい基板の回転中
心付近に残留する処理液が基板の外周部に速やかに流
れ、乾燥が遅い基板の回転中心付近の乾燥を促進でき、
基板の乾燥をより高速かつ均一に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る基板処理装置の全体構
成を示す一部省略正面図である。
【図2】実施例装置の要部の構成を示す拡大縦断面図で
ある。
【図3】実施例装置の処理液供給口と気体供給口を基板
の対向面から見た図である。
【図4】実施例装置の作用効果を説明するための要部縦
断面図である。
【図5】実施例装置の変形例の処理液供給口と気体供給
口を基板の対向面から見た図である。
【図6】実施例装置の別の変形例の処理液供給口と気体
供給口を基板の対向面から見た図と、その変形例の作用
効果を説明するための要部縦断面図である。
【図7】実施例装置のさらに別の変形例の処理液供給口
と気体供給口を基板の対向面から見た図と、その変形例
の作用効果を説明するための要部縦断面図である。
【図8】従来装置の要部の構成を示す拡大縦断面図であ
る。
【図9】従来装置の処理液供給口と気体供給口を基板の
対向面から見た図である。
【図10】従来装置の問題点を説明するための要部縦断
面図である。
【符号の説明】
1:スピンチャック 2:上部雰囲気遮断部材 12:スピンベース 33、43:処理液供給口 34、44:気体供給口 W:基板 J:基板の回転中心軸芯

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を保持して回転させる基板保持回転
    手段と、 前記基板保持回転手段に保持された基板の少なくとも1
    方の面に対向配置される雰囲気遮断部材と、 前記雰囲気遮断部材に設けられ、その雰囲気遮断部材に
    対向する基板の面の中央部に処理液を供給する処理液供
    給口と、 前記雰囲気遮断部材に設けられ、その雰囲気遮断部材に
    対向する基板の面の中央部に気体を供給する気体供給口
    と、 を備えた基板処理装置において、 前記気体供給口を、前記基板保持回転手段に保持された
    基板の回転中心軸芯に対して非対称になるように前記雰
    囲気遮断部材に設けたことを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の基板処理装置におい
    て、 前記処理液供給口を、前記気体供給口の側方に並べて前
    記雰囲気遮断部材に設けたことを特徴とする基板処理装
    置。
JP07883598A 1998-03-26 1998-03-26 基板処理装置 Expired - Fee Related JP4017239B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP07883598A JP4017239B2 (ja) 1998-03-26 1998-03-26 基板処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP07883598A JP4017239B2 (ja) 1998-03-26 1998-03-26 基板処理装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005268383A Division JP2006005382A (ja) 2005-09-15 2005-09-15 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11274135A true JPH11274135A (ja) 1999-10-08
JP4017239B2 JP4017239B2 (ja) 2007-12-05

Family

ID=13672897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP07883598A Expired - Fee Related JP4017239B2 (ja) 1998-03-26 1998-03-26 基板処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4017239B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7811412B2 (en) 2002-08-29 2010-10-12 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method drying substrate

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7811412B2 (en) 2002-08-29 2010-10-12 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method drying substrate

Also Published As

Publication number Publication date
JP4017239B2 (ja) 2007-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4976949B2 (ja) 基板処理装置
JP3563605B2 (ja) 処理装置
KR101931847B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI489543B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP5090089B2 (ja) 基板処理装置
JP4262004B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR101911145B1 (ko) 기판 유지 회전 장치 및 그것을 구비한 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법
JP6869093B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2012084931A (ja) 基板処理方法
US20080053488A1 (en) Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
JP4057396B2 (ja) 基板処理装置
JP3874261B2 (ja) 基板処理装置
JP2002110626A (ja) ベベルエッチング装置およびベベルエッチング方法
JP2004115872A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4679479B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JPH11274135A (ja) 基板処理装置
JP2006005382A (ja) 基板処理装置
JP5270263B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5143657B2 (ja) 液処理装置
JP2009105145A (ja) 基板処理装置
JP6405259B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2008060508A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP3619667B2 (ja) 基板処理装置
JPH10125648A (ja) 基板処理装置
JP2003117501A (ja) 基板処理方法および基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050719

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050915

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20050921

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20051216

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070918

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100928

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100928

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100928

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110928

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110928

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120928

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120928

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130928

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees