JP3482976B2 - レティクルパターンをターゲット基板上でつなぎ合わせる方法及び装置 - Google Patents
レティクルパターンをターゲット基板上でつなぎ合わせる方法及び装置Info
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- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/13625—Patterning using multi-mask exposure
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ホトリソグラフプロセ
スに関し、より詳細には、多数のレティクルパターンを
基板上で一緒に重ね合わせし、該基板上に大きな単一の
像を形成する改善された方法に関する。
スに関し、より詳細には、多数のレティクルパターンを
基板上で一緒に重ね合わせし、該基板上に大きな単一の
像を形成する改善された方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フラットパネル型の液晶ディスプレイ
（ＬＣＤ）のアレー（列）は、ホトリソグラフ法を用い
て形成することができ、そのようなホトリソグラフ法に
おいては、反復的なレティクル像を用いて、アレー全体
の大きな部分をパターニングする。レティクルは、投影
露光装置のステップアンドリピート型の精密なステージ
の上に設け、これにより、意図された全体のアレー領域
が露光されるまで、基板上のホトレジスト層の部分を段
階的に、レティクルパターンで露光することができる。
このようにすると、単一のレティクルを用いて、レティ
クルの反復するパターンを有する非常に大きなパターン
を形成することができる。
（ＬＣＤ）のアレー（列）は、ホトリソグラフ法を用い
て形成することができ、そのようなホトリソグラフ法に
おいては、反復的なレティクル像を用いて、アレー全体
の大きな部分をパターニングする。レティクルは、投影
露光装置のステップアンドリピート型の精密なステージ
の上に設け、これにより、意図された全体のアレー領域
が露光されるまで、基板上のホトレジスト層の部分を段
階的に、レティクルパターンで露光することができる。
このようにすると、単一のレティクルを用いて、レティ
クルの反復するパターンを有する非常に大きなパターン
を形成することができる。
【０００３】基板上の既に露光されたレティクルパター
ンの縁部を、その前に露光されたレティクルパターンに
隣接する前進したレティクルの像の縁部と厳密につなぎ
合わせるのは困難であることが分かっている。フラット
パネル型のトランジスタが、隣接するレティクルパター
ンの間の境界部に形成されない場合には、レティクルパ
ターンの正確な整合は重要な問題ではない。
ンの縁部を、その前に露光されたレティクルパターンに
隣接する前進したレティクルの像の縁部と厳密につなぎ
合わせるのは困難であることが分かっている。フラット
パネル型のトランジスタが、隣接するレティクルパター
ンの間の境界部に形成されない場合には、レティクルパ
ターンの正確な整合は重要な問題ではない。
【０００４】しかしながら、隣接するパターンの正確な
整合、及び、ある程度の重なり合いは、隣接するレティ
クルパターンの境界部に沿ってトランジスタを適正に形
成するためには必要とされる。その結果、そのようなタ
イプのフラットパネル型のアレーに関しては、隣接する
レティクルパターンの間には、その結果生ずるフラット
パネル型のディスプレイを厳密に検査した時に視覚的に
認識することのできる、何等かの不完全な重なり合いが
生ずる。そのような不完全に重なり合うパターンは、最
終的なディスプレイにおいて認識され、その理由は、そ
のような不完全な重なり合いは、その結果生じたトラン
ジスタのパターンを歪め、アレーを形成する時に、基板
上のホトレジスト層の露光時間を増大させる。マスクさ
れた放射線に対するホトレジスト層の露光時間は、ホト
レジストに形成される特徴部のライン幅に影響を与え
る。そのようなライン幅が減少するかあるいは増大する
かは、ホトレジストが、ポジ形のホトレジスト（ポジレ
ジスト）であるか、あるいは、ネガ形のホトレジスト
（ネガレジスト）であるかに依存し、また、アレーを製
造するために使用される特定の処理に依存する。高品質
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）ＬＣＤアレーにおいては、
その製造者は一般に、レティクルパターンが重なり合う
アレーの部分における０．１−０．２ミクロンよりも大
きなの特徴部の変化を望まない。その理由は、特徴部の
サイズの大きな変化は、アレーのその部分に位置するピ
クセルの明るさすなわち輝度（すなわち、トランジスタ
の利得）に大きく影響を与えるからである。ＴＦＴ Ｌ
ＣＤアレーの代表的なプロセスにおいては、隣接するレ
ティクルパターンの間の重なり合いは、約１ｍｍであ
る。各々のピクセルは、０．２ｍｍであり、従って、そ
の重なり合いは、５つのピクセルに影響を与える。従っ
て、その重なり合った部分が、正確な重なり合いでない
場合、あるいは、隣接するレティクルの像の二重露光に
より過度に露光される場合には、各々のレティクルパタ
ーンの周囲の５つの隣接するピクセルの急激に増大する
輝度が、ユーザに認識される。
整合、及び、ある程度の重なり合いは、隣接するレティ
クルパターンの境界部に沿ってトランジスタを適正に形
成するためには必要とされる。その結果、そのようなタ
イプのフラットパネル型のアレーに関しては、隣接する
レティクルパターンの間には、その結果生ずるフラット
パネル型のディスプレイを厳密に検査した時に視覚的に
認識することのできる、何等かの不完全な重なり合いが
生ずる。そのような不完全に重なり合うパターンは、最
終的なディスプレイにおいて認識され、その理由は、そ
のような不完全な重なり合いは、その結果生じたトラン
ジスタのパターンを歪め、アレーを形成する時に、基板
上のホトレジスト層の露光時間を増大させる。マスクさ
れた放射線に対するホトレジスト層の露光時間は、ホト
レジストに形成される特徴部のライン幅に影響を与え
る。そのようなライン幅が減少するかあるいは増大する
かは、ホトレジストが、ポジ形のホトレジスト（ポジレ
ジスト）であるか、あるいは、ネガ形のホトレジスト
（ネガレジスト）であるかに依存し、また、アレーを製
造するために使用される特定の処理に依存する。高品質
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）ＬＣＤアレーにおいては、
その製造者は一般に、レティクルパターンが重なり合う
アレーの部分における０．１−０．２ミクロンよりも大
きなの特徴部の変化を望まない。その理由は、特徴部の
サイズの大きな変化は、アレーのその部分に位置するピ
クセルの明るさすなわち輝度（すなわち、トランジスタ
の利得）に大きく影響を与えるからである。ＴＦＴ Ｌ
ＣＤアレーの代表的なプロセスにおいては、隣接するレ
ティクルパターンの間の重なり合いは、約１ｍｍであ
る。各々のピクセルは、０．２ｍｍであり、従って、そ
の重なり合いは、５つのピクセルに影響を与える。従っ
て、その重なり合った部分が、正確な重なり合いでない
場合、あるいは、隣接するレティクルの像の二重露光に
より過度に露光される場合には、各々のレティクルパタ
ーンの周囲の５つの隣接するピクセルの急激に増大する
輝度が、ユーザに認識される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、基板
のホトレジスト層に形成される反復的なレティクルパタ
ーンを互いにつなぎ合わせ、これにより、反復されるレ
ティクルパターンのボーダーを正確に重ね合わせするた
めの、改善された方法及び装置を提供することである。
のホトレジスト層に形成される反復的なレティクルパタ
ーンを互いにつなぎ合わせ、これにより、反復されるレ
ティクルパターンのボーダーを正確に重ね合わせするた
めの、改善された方法及び装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】基板のホトレジスト層に
形成されるレティクルパターンを互いにつなぎ合わせる
ための改善された方法が提供される。基板は、フラット
パネル型のディスプレイを形成するために使用されるタ
イプのものとすることができる。好ましい実施例におい
ては、レティクルに関して走査される紫外線（ＵＶ）の
放射源を有する、走査型露光装置が使用される。この好
ましい実施例においては、ＵＶ放射源は、長方形の放射
線フィールドを出し、該フィールドは、その長方形の両
端部に、三角形の部分を有している。従って、そのよう
な形状に比例して、そのような三角形の端部から出る放
射線の強度は、フィールドの直線部分に沿って出される
放射線よりも小さい。
形成されるレティクルパターンを互いにつなぎ合わせる
ための改善された方法が提供される。基板は、フラット
パネル型のディスプレイを形成するために使用されるタ
イプのものとすることができる。好ましい実施例におい
ては、レティクルに関して走査される紫外線（ＵＶ）の
放射源を有する、走査型露光装置が使用される。この好
ましい実施例においては、ＵＶ放射源は、長方形の放射
線フィールドを出し、該フィールドは、その長方形の両
端部に、三角形の部分を有している。従って、そのよう
な形状に比例して、そのような三角形の端部から出る放
射線の強度は、フィールドの直線部分に沿って出される
放射線よりも小さい。
【０００７】そのレティクルパターンが基板上で互いに
つなぎ合わされる１又はそれ以上のレティクルが、Ｘ−
Ｙ方向に運動可能なステージの上に設けられる。各々の
レティクルは、少なくとも１つの他のレティクルのボー
ダーパターンと同一のボーダーパターンを有しており、
従って、そのようなレティクルのボーダーパターンの像
が、基板上で重なり合うと、そのような重なり合ったボ
ーダーパターンは、基板上に単一の像を効果的に形成す
る。
つなぎ合わされる１又はそれ以上のレティクルが、Ｘ−
Ｙ方向に運動可能なステージの上に設けられる。各々の
レティクルは、少なくとも１つの他のレティクルのボー
ダーパターンと同一のボーダーパターンを有しており、
従って、そのようなレティクルのボーダーパターンの像
が、基板上で重なり合うと、そのような重なり合ったボ
ーダーパターンは、基板上に単一の像を効果的に形成す
る。
【０００８】本プロセスの一実施例の第１の工程におい
ては、第１のレティクルが、基板の第１の領域の上に整
合され、放射源が、レティクルに関して、左側から右側
へ走査する。レティクルの上方及び下方のボーダーパタ
ーンは、長円形の放射線フィールドの三角形の端部によ
って走査され、そのようなボーダーパターンによって、
ホトレジスト層の勾配型の露光が得られる。
ては、第１のレティクルが、基板の第１の領域の上に整
合され、放射源が、レティクルに関して、左側から右側
へ走査する。レティクルの上方及び下方のボーダーパタ
ーンは、長円形の放射線フィールドの三角形の端部によ
って走査され、そのようなボーダーパターンによって、
ホトレジスト層の勾配型の露光が得られる。
【０００９】レティクルの左側及び右側のボーダーパタ
ーンは、勾配型のフィルタ又は運動可能なブラインドに
よって、部分的に遮光され、そのようなボーダーパター
ンによって、ホトレジスト層の勾配型の露光が得られ
る。第２の工程においては、同じレティクル又は別のレ
ティクルが、基板に形成された第１のレティクルパター
ンに関して整合され、これにより、走査方向に対して直
交するその第２のレティクルの左側のボーダーパターン
が、その前の走査工程において第１のレティクルによっ
て形成された基板上の右側のボーダーパターンに重な
る、ボーダーパターンの像を形成する。従って、放射源
が、第２のレティクルの上で左側から右側へ走査する際
に、重なり合ったボーダーパターンは、ホトレジスト層
を効果的に二重露光する。この二重露光が、ホトレジス
トを過剰に露光するのを防止するために、また、重なり
合ったパターンの間の不整合が、重なり合った部分を横
断するピクセルの強度の知覚可能な変化を生ずるのを防
止するために、フィルタ又は運動可能なブラインドを再
度用いて、ＵＶ放射源がボーダーパターンを走査する際
に、重なり合ったボーダーパターンを部分的に遮光す
る。重なり合う左側及び右側のボーダーパターンによる
ホトレジストの勾配型の露光が組合わされ、基板上の重
なり合ったボーダーパターンを完全に露光する。勾配型
の露光はまた、重なり合ったパターンの不整合を生じさ
せて、重なり合った部分を横断するピクセル強度を徐々
に変化させ、これにより、そのような段階的な変化は、
ユーザに知覚されない。この手順を継続し、走査方向に
おいて互いに重ね合わせされた反復するレティクルパタ
ーンをもたらす。
ーンは、勾配型のフィルタ又は運動可能なブラインドに
よって、部分的に遮光され、そのようなボーダーパター
ンによって、ホトレジスト層の勾配型の露光が得られ
る。第２の工程においては、同じレティクル又は別のレ
ティクルが、基板に形成された第１のレティクルパター
ンに関して整合され、これにより、走査方向に対して直
交するその第２のレティクルの左側のボーダーパターン
が、その前の走査工程において第１のレティクルによっ
て形成された基板上の右側のボーダーパターンに重な
る、ボーダーパターンの像を形成する。従って、放射源
が、第２のレティクルの上で左側から右側へ走査する際
に、重なり合ったボーダーパターンは、ホトレジスト層
を効果的に二重露光する。この二重露光が、ホトレジス
トを過剰に露光するのを防止するために、また、重なり
合ったパターンの間の不整合が、重なり合った部分を横
断するピクセルの強度の知覚可能な変化を生ずるのを防
止するために、フィルタ又は運動可能なブラインドを再
度用いて、ＵＶ放射源がボーダーパターンを走査する際
に、重なり合ったボーダーパターンを部分的に遮光す
る。重なり合う左側及び右側のボーダーパターンによる
ホトレジストの勾配型の露光が組合わされ、基板上の重
なり合ったボーダーパターンを完全に露光する。勾配型
の露光はまた、重なり合ったパターンの不整合を生じさ
せて、重なり合った部分を横断するピクセル強度を徐々
に変化させ、これにより、そのような段階的な変化は、
ユーザに知覚されない。この手順を継続し、走査方向に
おいて互いに重ね合わせされた反復するレティクルパタ
ーンをもたらす。
【００１０】走査方向に対して平行に配列されたレティ
クルの上方又は下方のボーダーパターンを、基板に既に
形成されている同じボーダーパターンと重ね合わせする
ために、放射線フィールドの三角形の端部が、重なり合
うボーダーパターンに沿って、勾配型の強度プロフィー
ルをもたらし、これにより、そのような上方及び下方の
ボーダーパターンに対するホトレジストの二重露光は、
ホトレジストを過剰に露光させず、また、重なり合うパ
ターンの間の不整合は、重なり合った部分を横断して単
に徐々に変化するピクセルの輝度を生ずる。
クルの上方又は下方のボーダーパターンを、基板に既に
形成されている同じボーダーパターンと重ね合わせする
ために、放射線フィールドの三角形の端部が、重なり合
うボーダーパターンに沿って、勾配型の強度プロフィー
ルをもたらし、これにより、そのような上方及び下方の
ボーダーパターンに対するホトレジストの二重露光は、
ホトレジストを過剰に露光させず、また、重なり合うパ
ターンの間の不整合は、重なり合った部分を横断して単
に徐々に変化するピクセルの輝度を生ずる。
【００１１】上述の方法を用いて、走査方向に平行な方
向及び走査方向に直交する方向において、レティクルの
像の縁部を重ね合わせする間に、単一のレティクルパタ
ーンを基板表面の全体にわたって繰り返すことができ
る。また、この本発明は、同じ概念を用いて、複数のレ
ティクルのパターンを重ね合わせし、例えば、フラット
パネル型のアレー用の中央の大きなパターン、及び、そ
のようなアレー用の縁部パターンを形成することができ
る。
向及び走査方向に直交する方向において、レティクルの
像の縁部を重ね合わせする間に、単一のレティクルパタ
ーンを基板表面の全体にわたって繰り返すことができ
る。また、この本発明は、同じ概念を用いて、複数のレ
ティクルのパターンを重ね合わせし、例えば、フラット
パネル型のアレー用の中央の大きなパターン、及び、そ
のようなアレー用の縁部パターンを形成することができ
る。
【００１２】
【実施例】本明細書に記載する概念は、単一のレティク
ル又は複数のレティクルを用いて、単一のレティクルか
らの像よりもかなり大きな面積とすることのできる大き
な面積のホトレジストのパターンを基板上に描くことを
可能とする。基板上にイメージ化されたレティクルパタ
ーンのエッジが、基板上のＸ方向及びＹ方向において、
互いに重ね合わせすなわち調和される。
ル又は複数のレティクルを用いて、単一のレティクルか
らの像よりもかなり大きな面積とすることのできる大き
な面積のホトレジストのパターンを基板上に描くことを
可能とする。基板上にイメージ化されたレティクルパタ
ーンのエッジが、基板上のＸ方向及びＹ方向において、
互いに重ね合わせすなわち調和される。
【００１３】図１乃至図１０は、複数のレティクルを使
用することを示している。図１は、Ｘ−Ｙ方向に運動可
能なステージ１０の上に配列された４つの別個のレティ
クルＡ、Ｂ、Ｃ及びＤの単純化された平面図である。適
宜なＸ−Ｙステージが周知であり、高精度Ｘ−Ｙステー
ジの構造は、ここでは説明しない。ステージ１０は、レ
ティクルＡ−Ｄを０．２ミクロンのアライメント公差
（整合公差）内で位置決めすることができなければなら
ない。そのような位置決めは、干渉計を用いて、すなわ
ち、レティクル上のターゲットを基板上に形成されたタ
ーゲットに整合させることにより、行うことができる。
レティクルＡ−Ｄをステージ１０に関して予め整合さ
せ、従って、ステージを正確に位置決めすると、各々の
レティクルＡ−Ｄが、基板に関して適正な位置に着くよ
うにするのが好ましい。この構成は、露光時に各々のレ
ティクルＡ−Ｄを再整合させる必要を無くするので、時
間を節約する。
用することを示している。図１は、Ｘ−Ｙ方向に運動可
能なステージ１０の上に配列された４つの別個のレティ
クルＡ、Ｂ、Ｃ及びＤの単純化された平面図である。適
宜なＸ−Ｙステージが周知であり、高精度Ｘ−Ｙステー
ジの構造は、ここでは説明しない。ステージ１０は、レ
ティクルＡ−Ｄを０．２ミクロンのアライメント公差
（整合公差）内で位置決めすることができなければなら
ない。そのような位置決めは、干渉計を用いて、すなわ
ち、レティクル上のターゲットを基板上に形成されたタ
ーゲットに整合させることにより、行うことができる。
レティクルＡ−Ｄをステージ１０に関して予め整合さ
せ、従って、ステージを正確に位置決めすると、各々の
レティクルＡ−Ｄが、基板に関して適正な位置に着くよ
うにするのが好ましい。この構成は、露光時に各々のレ
ティクルＡ−Ｄを再整合させる必要を無くするので、時
間を節約する。
【００１４】ステージ１０は、米国特許第５，１９４，
８９３号、第４、９２４、２５７号、又は、第３，８１
９，２６５号に記載されている如き、周知のタイプの走
査型露光装置の中に組み込まれており、本明細書におい
ては、上記各米国特許の明細書を参照する。走査型露光
装置においては、ステップアンドリピート型の露光装置
とは異なり、紫外線（ＵＶ）の放射源によって生ずる視
野すなわちフィールドは細長く、走査すべきレティクル
の長さと少なくとも同じ長さを有している。一般に、放
射源は静止した状態に保持され、一方、レティクルは、
上記放射源に対して相対的に動かされ、上記放射源と基
板との間に介挿される。基板は、レティクルと共に、走
査型露光装置に使用される特定の光学系に依存する方向
及び速度で、移動される。後に詳細に説明する図１５及
び図１６は、走査型露光装置を示しており、この走査型
露光装置においては、走査されたレティクル像が、光学
系を用いて、基板上に焦点合わせされる。
８９３号、第４、９２４、２５７号、又は、第３，８１
９，２６５号に記載されている如き、周知のタイプの走
査型露光装置の中に組み込まれており、本明細書におい
ては、上記各米国特許の明細書を参照する。走査型露光
装置においては、ステップアンドリピート型の露光装置
とは異なり、紫外線（ＵＶ）の放射源によって生ずる視
野すなわちフィールドは細長く、走査すべきレティクル
の長さと少なくとも同じ長さを有している。一般に、放
射源は静止した状態に保持され、一方、レティクルは、
上記放射源に対して相対的に動かされ、上記放射源と基
板との間に介挿される。基板は、レティクルと共に、走
査型露光装置に使用される特定の光学系に依存する方向
及び速度で、移動される。後に詳細に説明する図１５及
び図１６は、走査型露光装置を示しており、この走査型
露光装置においては、走査されたレティクル像が、光学
系を用いて、基板上に焦点合わせされる。
【００１５】図１は、六角形の走査フィールド１２で代
表される特定の走査フィールドを有する放射源を示して
いる。走査フィールド１２においては、第１のレベルの
光線強度が、走査フィールド１２の矩形部分１４の全体
に沿って出力され、また、勾配を有する光線強度が、走
査フィールド１２の三角形の端部１６、１８から出力さ
れる。そのような六角形の走査フィールド１２は、紫外
線の光源とレティクルとの間に介挿された同様な形状の
テンプレートによって、発生させることができる。同様
なタイプの六角形の走査フィールドが、米国特許第４，
９２４，２５７号に記載されている。
表される特定の走査フィールドを有する放射源を示して
いる。走査フィールド１２においては、第１のレベルの
光線強度が、走査フィールド１２の矩形部分１４の全体
に沿って出力され、また、勾配を有する光線強度が、走
査フィールド１２の三角形の端部１６、１８から出力さ
れる。そのような六角形の走査フィールド１２は、紫外
線の光源とレティクルとの間に介挿された同様な形状の
テンプレートによって、発生させることができる。同様
なタイプの六角形の走査フィールドが、米国特許第４，
９２４，２５７号に記載されている。
【００１６】レティクルＡ、Ｂ、Ｃ及びＤのボーダーパ
ターン２０−２７は、勾配を有する放射線強度を選択的
にマスクするためのものである。向かい合うボーダーパ
ターンは、互いに同一である。例えば、ボーダーパター
ン２０は、ボーダーパターン２１と同じであり、また、
ボーダーパターン２２は、ボーダーパターン２４と同じ
である。
ターン２０−２７は、勾配を有する放射線強度を選択的
にマスクするためのものである。向かい合うボーダーパ
ターンは、互いに同一である。例えば、ボーダーパター
ン２０は、ボーダーパターン２１と同じであり、また、
ボーダーパターン２２は、ボーダーパターン２４と同じ
である。
【００１７】図示の実施例の第１の工程においては、ス
テージ１０が、図１に示すように位置決めされており、
従って、走査フィールド１２は、矢印２８で示すよう
に、レティクルＡを左側から右側へ走査する。その上に
ホトレジスト層を有する通常の基板（シリコン、ガラ
ス、あるいは、他の周知の基板）が、該基板と放射線フ
ィールド１２との間にステージ１０が介挿されるよう
に、位置決めされている。次に、フィールド１２は、レ
ティクルＡ及び基板に関して走査し、上記ホトレジスト
層をレティクルＡのパターンに対応するパターンで露光
する。好ましい実施例においては、ステージ１０及び基
板は、フィールド１２が静止している間に、移動する。
静止した光学要素が、レティクルパターンを基板上に焦
点合わせする。
テージ１０が、図１に示すように位置決めされており、
従って、走査フィールド１２は、矢印２８で示すよう
に、レティクルＡを左側から右側へ走査する。その上に
ホトレジスト層を有する通常の基板（シリコン、ガラ
ス、あるいは、他の周知の基板）が、該基板と放射線フ
ィールド１２との間にステージ１０が介挿されるよう
に、位置決めされている。次に、フィールド１２は、レ
ティクルＡ及び基板に関して走査し、上記ホトレジスト
層をレティクルＡのパターンに対応するパターンで露光
する。好ましい実施例においては、ステージ１０及び基
板は、フィールド１２が静止している間に、移動する。
静止した光学要素が、レティクルパターンを基板上に焦
点合わせする。
【００１８】その結果ホトレジスト層に生じた露光パタ
ーン２９が、図２に示されている。その後、ホトレジス
ト層が現像されると、ホトレジストがポジ形ホトレジス
ト（ポジレジスト）である場合には、レティクルＡのパ
ターンに対応するホトレジストの露光された部分が溶解
することになる。ホトレジストが、ネガ形ホトレジスト
（ネガレジスト）である場合には、現像プロセスにおい
て、ホトレジストの露光された部分が硬化し、ホトレジ
ストの露光されていない部分が、溶解してなくなる。
ーン２９が、図２に示されている。その後、ホトレジス
ト層が現像されると、ホトレジストがポジ形ホトレジス
ト（ポジレジスト）である場合には、レティクルＡのパ
ターンに対応するホトレジストの露光された部分が溶解
することになる。ホトレジストが、ネガ形ホトレジスト
（ネガレジスト）である場合には、現像プロセスにおい
て、ホトレジストの露光された部分が硬化し、ホトレジ
ストの露光されていない部分が、溶解してなくなる。
【００１９】図２に示す露光されたホトレジスト層の底
部のボーダー部分３０（ボーダーパターン２２に対応す
る）は、部分的に露光されているだけであって、この部
分的な露光は、図１のフィールド１２の三角形の端部１
８の寸法に比例する。図２に示す右側のボーダー部分３
１（ボーダーパターン２０に対応する）も部分的に露光
されており、この部分的な露光は、図１３乃至図１８に
関して後に説明するように、フィルタ又は運動可能なブ
ラインドを用いて、ボーダー部分３０を露光した強度勾
配と同じ強度勾配で行われるのが好ましい。
部のボーダー部分３０（ボーダーパターン２２に対応す
る）は、部分的に露光されているだけであって、この部
分的な露光は、図１のフィールド１２の三角形の端部１
８の寸法に比例する。図２に示す右側のボーダー部分３
１（ボーダーパターン２０に対応する）も部分的に露光
されており、この部分的な露光は、図１３乃至図１８に
関して後に説明するように、フィルタ又は運動可能なブ
ラインドを用いて、ボーダー部分３０を露光した強度勾
配と同じ強度勾配で行われるのが好ましい。
【００２０】複数のレティクルを用いる好ましいプロセ
スの次の工程においては、ステージ１０が、図３に示す
ように移動し、これにより、レティクルＢが、フィール
ド１２で走査される位置にある。この時点において、基
板上のレティクルＢの像は、レティクルＢのボーダーパ
ターン２１が、ホトレジスト層に形成されたボーダー部
分３１に整合して重なるように、ホトレジスト層に既に
形成されたレティクルＡのパターン２９（図２）に整合
されなければならない。
スの次の工程においては、ステージ１０が、図３に示す
ように移動し、これにより、レティクルＢが、フィール
ド１２で走査される位置にある。この時点において、基
板上のレティクルＢの像は、レティクルＢのボーダーパ
ターン２１が、ホトレジスト層に形成されたボーダー部
分３１に整合して重なるように、ホトレジスト層に既に
形成されたレティクルＡのパターン２９（図２）に整合
されなければならない。
【００２１】次に、放射線フィールド１２が、矢印３２
の方向に、レティクルＢ及び基板を走査し、これによ
り、図４に示すようなホトレジストのパターンを描く
が、この時点においては、ホトレジスト層のボーダー部
分３１、３３は重なり合っている。ボーダー部分３３
は、図１のボーダーパターン２１に相当する。ボーダー
パターン２０、２１が走査される（後に説明する手段に
よって）際の光線強度の勾配は、ボーダーパターン２
０、２１が重なり合うホトレジストの複合された露光
が、レティクルＡ及びＢから生ずる露光パターン２９の
中央部分の中のホトレジストの露光に等くなるような勾
配である。
の方向に、レティクルＢ及び基板を走査し、これによ
り、図４に示すようなホトレジストのパターンを描く
が、この時点においては、ホトレジスト層のボーダー部
分３１、３３は重なり合っている。ボーダー部分３３
は、図１のボーダーパターン２１に相当する。ボーダー
パターン２０、２１が走査される（後に説明する手段に
よって）際の光線強度の勾配は、ボーダーパターン２
０、２１が重なり合うホトレジストの複合された露光
が、レティクルＡ及びＢから生ずる露光パターン２９の
中央部分の中のホトレジストの露光に等くなるような勾
配である。
【００２２】この段階において、図４のホトレジスト層
の底部のボーダー部分３０、３４（ボーダーパターン２
２、２３に相当する）は、走査フィールド１２の三角形
の端部１８の三角形の形状に比例する勾配型の強度プロ
フィールによって、等しく露光される。
の底部のボーダー部分３０、３４（ボーダーパターン２
２、２３に相当する）は、走査フィールド１２の三角形
の端部１８の三角形の形状に比例する勾配型の強度プロ
フィールによって、等しく露光される。
【００２３】図５は、レティクルＡ及びＢのボーダーパ
ターン２０、２１が走査される際の、ホトレジスト層の
露光を示している。重なり合うボーダー部分３１、３３
の複合された露光が、レティクルＡ及びＢによって形成
されるパターンの中央部分における露光に対して、どの
ようにして正確に等しくなるかに注意する必要がある。
ターン２０、２１が走査される際の、ホトレジスト層の
露光を示している。重なり合うボーダー部分３１、３３
の複合された露光が、レティクルＡ及びＢによって形成
されるパターンの中央部分における露光に対して、どの
ようにして正確に等しくなるかに注意する必要がある。
【００２４】走査方向に対して直交するボーダー（縁
部）に沿ってレティクルパターンを重ね合わせする上記
プロセスを繰り返し使用して、どのような長さの組合わ
されたパターンでも基板に形成することができる。別の
実施例においては、レティクルＡ及びＢは、２つの側部
だけにではなく、４つの総ての側部に、重ね合わせすべ
きボーダーパターンを有することができる。４つのボー
ダーパターンを有するそのようなレティクルの１つが、
後に詳細に説明する図１１に示されている。
部）に沿ってレティクルパターンを重ね合わせする上記
プロセスを繰り返し使用して、どのような長さの組合わ
されたパターンでも基板に形成することができる。別の
実施例においては、レティクルＡ及びＢは、２つの側部
だけにではなく、４つの総ての側部に、重ね合わせすべ
きボーダーパターンを有することができる。４つのボー
ダーパターンを有するそのようなレティクルの１つが、
後に詳細に説明する図１１に示されている。
【００２５】図６乃至図１１は、フィールド１２の走査
方向に対して平行な方向における、ボーダーパターンの
重ね合わせを示している。図６に示す次の工程において
は、ステージ１０及び基板は、今度はレティクルＣの像
がホトレジスト層に形成されたレティクルＡのパターン
（図４）に対して整合されるように、位置決めされてお
り、これにより、レティクルＣの頂部のボーダーパター
ン２４が、ホトレジストに形成された底部のボーダー部
分３０（図４）に正確に重なる。次に、フィールド１２
は、矢印３４で示す方向に走査し、ホトレジストを露光
する。フィールド１２の三角形の端部１６は、レティク
ルＣのボーダーパターン２４に対して、勾配を有する光
線強度を与え、これにより、図７に示すように、重なり
合ったボーダーパターン２２、２４に対するホトレジス
ト層の複合された露光は、レティクルＡ及びＣによって
形成されるパターンの中央部分におけるホトレジスト層
の露光に等しい。図７のボーダー部分３５は、レティク
ルＣのボーダーパターン２４に相当する。
方向に対して平行な方向における、ボーダーパターンの
重ね合わせを示している。図６に示す次の工程において
は、ステージ１０及び基板は、今度はレティクルＣの像
がホトレジスト層に形成されたレティクルＡのパターン
（図４）に対して整合されるように、位置決めされてお
り、これにより、レティクルＣの頂部のボーダーパター
ン２４が、ホトレジストに形成された底部のボーダー部
分３０（図４）に正確に重なる。次に、フィールド１２
は、矢印３４で示す方向に走査し、ホトレジストを露光
する。フィールド１２の三角形の端部１６は、レティク
ルＣのボーダーパターン２４に対して、勾配を有する光
線強度を与え、これにより、図７に示すように、重なり
合ったボーダーパターン２２、２４に対するホトレジス
ト層の複合された露光は、レティクルＡ及びＣによって
形成されるパターンの中央部分におけるホトレジスト層
の露光に等しい。図７のボーダー部分３５は、レティク
ルＣのボーダーパターン２４に相当する。
【００２６】その結果生ずるホトレジスト層の露光パタ
ーンが、図８に示されている。ホトレジスト層のボーダ
ー部分３７は、ボーダーパターン２６に相当する。図９
においては、ステージ１０及び基板は、今度はレティク
ルＤの像が、ホトレジストに形成されたレティクルのパ
ターンＢ及びＣに整合するように、再び位置決めされ、
これにより、レティクルＤのボーダーパターン２５、２
７は、ホトレジスト層に既に形成されているボーダー部
分３４、３７にそれぞれ重なる。次に、フィールド１２
は、矢印３８の方向に走査し、これにより、ホトレジス
ト層をレティクルパターンに露光する。三角形の端部１
６によって与えられる勾配を有する光線強度が、ボーダ
ーパターン２３、２５によって複合されたホトレジスト
の露光を、レティクルＢ及びＤによって形成されたパタ
ーンの中央部分におけるホトレジストの露光に等しくす
る。ボーダーパターン２６、２７を重ね合わせするため
の方法は、ボーダーパターン２０、２１を重ね合わせす
るために用いられた方法と同じであり、後に説明するよ
うに、フィルタ又は運動可能なブラインドを用いて実行
される。その結果ホトレジストに生ずる露光パターン
が、図１０に示されている。ボーダー部分３９、４０
は、レティクルＤのボーダーパターン２５、２７にそれ
ぞれ相当する。
ーンが、図８に示されている。ホトレジスト層のボーダ
ー部分３７は、ボーダーパターン２６に相当する。図９
においては、ステージ１０及び基板は、今度はレティク
ルＤの像が、ホトレジストに形成されたレティクルのパ
ターンＢ及びＣに整合するように、再び位置決めされ、
これにより、レティクルＤのボーダーパターン２５、２
７は、ホトレジスト層に既に形成されているボーダー部
分３４、３７にそれぞれ重なる。次に、フィールド１２
は、矢印３８の方向に走査し、これにより、ホトレジス
ト層をレティクルパターンに露光する。三角形の端部１
６によって与えられる勾配を有する光線強度が、ボーダ
ーパターン２３、２５によって複合されたホトレジスト
の露光を、レティクルＢ及びＤによって形成されたパタ
ーンの中央部分におけるホトレジストの露光に等しくす
る。ボーダーパターン２６、２７を重ね合わせするため
の方法は、ボーダーパターン２０、２１を重ね合わせす
るために用いられた方法と同じであり、後に説明するよ
うに、フィルタ又は運動可能なブラインドを用いて実行
される。その結果ホトレジストに生ずる露光パターン
が、図１０に示されている。ボーダー部分３９、４０
は、レティクルＤのボーダーパターン２５、２７にそれ
ぞれ相当する。
【００２７】図１１は、ホトレジスト層の大きな領域の
上に反復することを意図された、単一のレティクルＥを
示している。レティクルＥは、このレティクルＥの像を
用いてホトレジスト層を基板上に繰り返し露光する際
に、レティクルＥの向かい合う縁部に重なるボーダー４
１、４２、４３、４４を有している。フラットパネル型
のアレーに関しては、レティクルＥを用いて、そのアレ
ーの中央部分のパターンを描くことができ、一方、図１
０のレティクルＡ、Ｂ、Ｃ及びＤを用いて、そのアレー
の縁部（例えば、Ｉ／Ｏ回路すなわち入出力回路）のパ
ターンを描くことができる。レティクルＥを単独で、運
動可能なステージ１０の上に置くことができ、あるい
は、レティクルＥをレティクルＡ−Ｄと共にステージ１
０の上に置くことができる。次に、図１乃至図１０に関
して説明した位置決め及び走査のプロセスを、レティク
ルＥの走査と共に実行し、これにより、図１２に示す如
き、より大きなパターンを形成することができ、このパ
ターンにおいては、レティクルＥのパターンが、ホトレ
ジスト層に形成された完全なパターンの中央部分を形成
し、また、レティクルＡ−Ｄのパターンが、上記完全な
パターンの縁部を形成する。
上に反復することを意図された、単一のレティクルＥを
示している。レティクルＥは、このレティクルＥの像を
用いてホトレジスト層を基板上に繰り返し露光する際
に、レティクルＥの向かい合う縁部に重なるボーダー４
１、４２、４３、４４を有している。フラットパネル型
のアレーに関しては、レティクルＥを用いて、そのアレ
ーの中央部分のパターンを描くことができ、一方、図１
０のレティクルＡ、Ｂ、Ｃ及びＤを用いて、そのアレー
の縁部（例えば、Ｉ／Ｏ回路すなわち入出力回路）のパ
ターンを描くことができる。レティクルＥを単独で、運
動可能なステージ１０の上に置くことができ、あるい
は、レティクルＥをレティクルＡ−Ｄと共にステージ１
０の上に置くことができる。次に、図１乃至図１０に関
して説明した位置決め及び走査のプロセスを、レティク
ルＥの走査と共に実行し、これにより、図１２に示す如
き、より大きなパターンを形成することができ、このパ
ターンにおいては、レティクルＥのパターンが、ホトレ
ジスト層に形成された完全なパターンの中央部分を形成
し、また、レティクルＡ−Ｄのパターンが、上記完全な
パターンの縁部を形成する。
【００２８】また、露光プロセスの間に、本明細書で説
明する種々のフィルタ又はブラインドをレティクルの４
つの総てのボーダーパターンに採用することにより、ス
テップアンドリピート型の露光装置に、単一のレティク
ルＥを用い、これにより、ボーダー４１−４４を横断す
る方向に勾配を有する露光をもたらすことができる。
明する種々のフィルタ又はブラインドをレティクルの４
つの総てのボーダーパターンに採用することにより、ス
テップアンドリピート型の露光装置に、単一のレティク
ルＥを用い、これにより、ボーダー４１−４４を横断す
る方向に勾配を有する露光をもたらすことができる。
【００２９】次に、最終的なパターンが描かれたホトレ
ジスト層が、通常の技術を用いて、現像処理される。次
に、現像されたホトレジストを、その下にある総ての層
のためのマスクとして用い、種々のトランジスタ、並び
に、通常のフラットパネル型のアレーを形成するために
必要な相互接続部を形成することができる。露光された
ホトレジスト層のそのような処理、並びに、フラットパ
ネル型のアレーを形成するためのその後の工程は、通常
のものであり、本明細書では詳細に説明しない。上記プ
ロセスは、半導体基板上に任意のサイズを有する集積回
路を形成するために使用することもできる。
ジスト層が、通常の技術を用いて、現像処理される。次
に、現像されたホトレジストを、その下にある総ての層
のためのマスクとして用い、種々のトランジスタ、並び
に、通常のフラットパネル型のアレーを形成するために
必要な相互接続部を形成することができる。露光された
ホトレジスト層のそのような処理、並びに、フラットパ
ネル型のアレーを形成するためのその後の工程は、通常
のものであり、本明細書では詳細に説明しない。上記プ
ロセスは、半導体基板上に任意のサイズを有する集積回
路を形成するために使用することもできる。
【００３０】放射線が、フィールド１２の走査方向に対
して直交する方向に、ボーダーパターン上を走査する際
に、その放射線の強度に勾配を付ける方法を、図１３乃
至図１８に関して説明する。図１３は、レティクルＡと
組み合わせて中性フィルタ４６を用いる方法を示してお
り、上記中性フィルタの濾波特性が、図２の右側のボー
ダー部分に沿う、図５に示す露光勾配を達成する。フィ
ルタ４６は、フィルタ４６によってもたらされる、レテ
ィクルＡの右側のボーダーパターン２０に当たる放射線
の効果的なシェーディングを表すために、中間調を用い
て示されている。その結果生じ、フィルタ４６をその幅
に沿って通過する光束（ｆL）が、図１３にグラフで示
されている。フィルタ４６は、走査型露光装置、又は、
通常のステップアンドリピート型の露光装置で使用する
ことができる。フィルタ４６と同一のフィルタを用い
て、走査方向に対して直交して設けられ、図１及び図１
１に示す、各々のボーダーパターン２０、２１、２６、
２７、４１、４３を通る放射線を部分的にブロックする
ことができる。頂部及び底部のボーダーパターン（例え
ば、図１のボーダーパターン２２、２４）に沿うフィル
タは全く必要なく、その理由は、勾配を有する光線強度
が、フィールド１２の三角形の端部１６、１８によって
もたらされるからである。
して直交する方向に、ボーダーパターン上を走査する際
に、その放射線の強度に勾配を付ける方法を、図１３乃
至図１８に関して説明する。図１３は、レティクルＡと
組み合わせて中性フィルタ４６を用いる方法を示してお
り、上記中性フィルタの濾波特性が、図２の右側のボー
ダー部分に沿う、図５に示す露光勾配を達成する。フィ
ルタ４６は、フィルタ４６によってもたらされる、レテ
ィクルＡの右側のボーダーパターン２０に当たる放射線
の効果的なシェーディングを表すために、中間調を用い
て示されている。その結果生じ、フィルタ４６をその幅
に沿って通過する光束（ｆL）が、図１３にグラフで示
されている。フィルタ４６は、走査型露光装置、又は、
通常のステップアンドリピート型の露光装置で使用する
ことができる。フィルタ４６と同一のフィルタを用い
て、走査方向に対して直交して設けられ、図１及び図１
１に示す、各々のボーダーパターン２０、２１、２６、
２７、４１、４３を通る放射線を部分的にブロックする
ことができる。頂部及び底部のボーダーパターン（例え
ば、図１のボーダーパターン２２、２４）に沿うフィル
タは全く必要なく、その理由は、勾配を有する光線強度
が、フィールド１２の三角形の端部１６、１８によって
もたらされるからである。
【００３１】ステップアンドリピート型の露光装置にお
いて、レティクルＡが二次元的に傾斜している場合、あ
るいは、走査フィールド１２が、三角形の端部１６、１
８を備えない場合には、図１４に示すフィルタ４６、４
８をレティクルＡの残りのボーダー上に置くことができ
る。フィルタ４６、４８の重なりにより、レティクルＡ
のコーナー部に、二次元フィルタが形成される。フィル
タ４６、４８は、不透明なクロムのドット（小点）から
成るランダム又は準ランダムなアレー（列）をレティク
ル自体に形成することにより、形成することができる。
（規則的なドットのアレー（列）は、望ましくない回折
及びモアレ効果を生ずることになる。）。ランダムなド
ットの分布は、図１３及び図１４に示す中間調の密度に
対応している。上記クロムのドットは各々、ホトレジス
トを露光するために使用される光線の特定の波長におい
て、解像されないように十分に小さくなければならな
い。また、フィルタ４６、４８によってもたらされる濾
波作用は、基板、又は、レティクル上のボーダーパター
ンを部分的に遮光するように放射線の光路に位置決めさ
れた、別個のフィルタマスクによってもたらすこともで
きる。そのようなフィルタは、基板の表面上に焦点合わ
せされないように、設けられるのが好ましい。任意の勾
配の光線強度を得るための可変密度フィルタの形成は、
当業界において周知であり、更に説明する必要はない。
いて、レティクルＡが二次元的に傾斜している場合、あ
るいは、走査フィールド１２が、三角形の端部１６、１
８を備えない場合には、図１４に示すフィルタ４６、４
８をレティクルＡの残りのボーダー上に置くことができ
る。フィルタ４６、４８の重なりにより、レティクルＡ
のコーナー部に、二次元フィルタが形成される。フィル
タ４６、４８は、不透明なクロムのドット（小点）から
成るランダム又は準ランダムなアレー（列）をレティク
ル自体に形成することにより、形成することができる。
（規則的なドットのアレー（列）は、望ましくない回折
及びモアレ効果を生ずることになる。）。ランダムなド
ットの分布は、図１３及び図１４に示す中間調の密度に
対応している。上記クロムのドットは各々、ホトレジス
トを露光するために使用される光線の特定の波長におい
て、解像されないように十分に小さくなければならな
い。また、フィルタ４６、４８によってもたらされる濾
波作用は、基板、又は、レティクル上のボーダーパター
ンを部分的に遮光するように放射線の光路に位置決めさ
れた、別個のフィルタマスクによってもたらすこともで
きる。そのようなフィルタは、基板の表面上に焦点合わ
せされないように、設けられるのが好ましい。任意の勾
配の光線強度を得るための可変密度フィルタの形成は、
当業界において周知であり、更に説明する必要はない。
【００３２】図１５は、好ましい構造を示しており、こ
の構造においては、中性フィルタを用いる代わりに、運
動可能なブラインドを用いて、レティクルのボーダーパ
ターンを部分的に遮光している。図１５は、図１１のレ
ティクルＥを示しており、このレティクルは、放射源５
２によって現在走査されている、左側のボーダーパター
ン４３を有している。レティクルＥは、矢印５０で示す
方向に動いている。ボーダーパターン４３に当たる放射
線の強度を部分的に遮光するために、運動可能な左側の
ブラインド５６を、放射源５２とボーダーパターン４３
との間の光路の中に最初に挿入する。メインの固定スリ
ットブラインド５８、６０が、適所に固定され、図１の
フィールド１２と同様なフィールドへの放射線場を制限
している。照射強度レベル６２で示すように、フラット
パネル型のアレーの基板６６の上のホトレジスト層６４
が、運動可能な左側のブラインド５６が存在するため
に、ボーダーパターン４３の像によって部分的に露光さ
れる。
の構造においては、中性フィルタを用いる代わりに、運
動可能なブラインドを用いて、レティクルのボーダーパ
ターンを部分的に遮光している。図１５は、図１１のレ
ティクルＥを示しており、このレティクルは、放射源５
２によって現在走査されている、左側のボーダーパター
ン４３を有している。レティクルＥは、矢印５０で示す
方向に動いている。ボーダーパターン４３に当たる放射
線の強度を部分的に遮光するために、運動可能な左側の
ブラインド５６を、放射源５２とボーダーパターン４３
との間の光路の中に最初に挿入する。メインの固定スリ
ットブラインド５８、６０が、適所に固定され、図１の
フィールド１２と同様なフィールドへの放射線場を制限
している。照射強度レベル６２で示すように、フラット
パネル型のアレーの基板６６の上のホトレジスト層６４
が、運動可能な左側のブラインド５６が存在するため
に、ボーダーパターン４３の像によって部分的に露光さ
れる。
【００３３】レティクルＥは、左側へ走査され、表面６
６も、運動可能な左側のブラインド５６と共に、左側へ
走査される。ブラインド５６は、レティクルＥの速度及
びボーダーパターン４３の幅（すなわち、レティクルパ
ターン同士の重なり合う範囲）に依存する速度で、左側
へ移動する。ブラインド５６は、ボーダーパターン４３
の右側の縁部が、固定ブラインド６０の下で動くに連
れ、光路から完全に取り除かれ、これにより、ボーダー
パターン４３の右側のものが、ホトレジスト層６４上に
完全に露光されるようになっている必要がある。レティ
クルＥのパターンをホトレジスト層６４上に焦点合わせ
するために用いられる光学系は、ブロック６８によって
象徴的に示されている。
６も、運動可能な左側のブラインド５６と共に、左側へ
走査される。ブラインド５６は、レティクルＥの速度及
びボーダーパターン４３の幅（すなわち、レティクルパ
ターン同士の重なり合う範囲）に依存する速度で、左側
へ移動する。ブラインド５６は、ボーダーパターン４３
の右側の縁部が、固定ブラインド６０の下で動くに連
れ、光路から完全に取り除かれ、これにより、ボーダー
パターン４３の右側のものが、ホトレジスト層６４上に
完全に露光されるようになっている必要がある。レティ
クルＥのパターンをホトレジスト層６４上に焦点合わせ
するために用いられる光学系は、ブロック６８によって
象徴的に示されている。
【００３４】図１６に示すように、運動可能な右側のブ
ラインド７０が、レティクルＥの右側のボーダーパター
ン４１に当たる照射強度７２を制御するために、設けら
れている。図１５及び図１６に示すように、運動可能な
左側のブラインド５６は、走査の開始後に、光路の外方
へ移動し、また、運動可能な右側のブラインド７０は、
走査の終わりに光路の中へ入り、それぞれの強度勾配６
２、７２を確立する。
ラインド７０が、レティクルＥの右側のボーダーパター
ン４１に当たる照射強度７２を制御するために、設けら
れている。図１５及び図１６に示すように、運動可能な
左側のブラインド５６は、走査の開始後に、光路の外方
へ移動し、また、運動可能な右側のブラインド７０は、
走査の終わりに光路の中へ入り、それぞれの強度勾配６
２、７２を確立する。
【００３５】勿論、図１５及び図１６は、単純化した実
施例であって、光学系、及び、ブラインド５６、７０を
動かすための機構の詳細は省いてある。そのような光学
系、及び、必要とされる機構は、本明細書の開示を検討
した後に、当業者によって理解されるであろうし、ま
た、そのような光学系及び機構を実施することは、当業
者の技量の範囲であろう。図１７は、図１５及び図１６
に関して説明した装置と共に使用することのできる、あ
る光学系を示している。種々のブラインド５６、５８、
６０、７０が、レンズ７４、７５及びミラー７６と共に
示されている。
施例であって、光学系、及び、ブラインド５６、７０を
動かすための機構の詳細は省いてある。そのような光学
系、及び、必要とされる機構は、本明細書の開示を検討
した後に、当業者によって理解されるであろうし、ま
た、そのような光学系及び機構を実施することは、当業
者の技量の範囲であろう。図１７は、図１５及び図１６
に関して説明した装置と共に使用することのできる、あ
る光学系を示している。種々のブラインド５６、５８、
６０、７０が、レンズ７４、７５及びミラー７６と共に
示されている。
【００３６】図１８は、所望の光線強度の勾配プロフィ
ールを得るために、例えば、図１３に示すフィルタの如
き運動可能なフィルタを用いた構造の一実施例を示して
いる。フィルタ４６は、レティクルＥのボーダー部分４
１、４３が走査されている時に、適所に固定され、レテ
ィクルＥの中央部分が走査されている間には、完全に取
り除かれる。
ールを得るために、例えば、図１３に示すフィルタの如
き運動可能なフィルタを用いた構造の一実施例を示して
いる。フィルタ４６は、レティクルＥのボーダー部分４
１、４３が走査されている時に、適所に固定され、レテ
ィクルＥの中央部分が走査されている間には、完全に取
り除かれる。
【００３７】固定型のフィルタ、運動可能なフィルタ、
及び、運動可能なブラインドを用いる概念は、光線強度
の勾配付けが、本明細書で説明したフィルタ及びブライ
ンドを用いることにより、基板の表面上でＸ方向及びＹ
方向において実行される、ステップアンドリピート型の
露光装置にも応用することができる。図１７及び図１８
を用いて、そのようなステップアンドリピート型の装置
を説明することができ、この装置においては、フィルタ
及びブラインドが、Ｘ方向において勾配を有する光線強
度を提供する。２組のフィルタ又はブラインドを設け
て、Ｙ方向において勾配を有する光線強度を提供するこ
とができる。
及び、運動可能なブラインドを用いる概念は、光線強度
の勾配付けが、本明細書で説明したフィルタ及びブライ
ンドを用いることにより、基板の表面上でＸ方向及びＹ
方向において実行される、ステップアンドリピート型の
露光装置にも応用することができる。図１７及び図１８
を用いて、そのようなステップアンドリピート型の装置
を説明することができ、この装置においては、フィルタ
及びブラインドが、Ｘ方向において勾配を有する光線強
度を提供する。２組のフィルタ又はブラインドを設け
て、Ｙ方向において勾配を有する光線強度を提供するこ
とができる。
【００３８】上述の特徴を任意に組み合わせて、１又は
それ以上のレティクルのボーダーパターンを基板上で重
ね合わせするに必要な、所望の光線強度プロフィールを
得ることができる。勾配を有する光線強度のプロフィー
ルは、重なり合った部分の過剰露光を防止すると共に、
重なり合ったパターンの不整合すなわちミスアライメン
トから生ずる不利益な効果を減少させる。
それ以上のレティクルのボーダーパターンを基板上で重
ね合わせするに必要な、所望の光線強度プロフィールを
得ることができる。勾配を有する光線強度のプロフィー
ルは、重なり合った部分の過剰露光を防止すると共に、
重なり合ったパターンの不整合すなわちミスアライメン
トから生ずる不利益な効果を減少させる。
【００３９】本発明の特定の実施例を図示し且つ説明し
たが、本発明の広範な特徴から逸脱することなく、変形
及び変更を行うことができることは、当業者には明らか
であり、従って、請求の範囲は、本発明の真の精神及び
範囲に入るそのような総ての変形及び変更を含むもので
ある。
たが、本発明の広範な特徴から逸脱することなく、変形
及び変更を行うことができることは、当業者には明らか
であり、従って、請求の範囲は、本発明の真の精神及び
範囲に入るそのような総ての変形及び変更を含むもので
ある。
【図１】走査型露光装置のＸ−Ｙ方向に運動可能なステ
ージの上に配列された４つのレティクルの単純化した平
面図である。
ージの上に配列された４つのレティクルの単純化した平
面図である。
【図２】図１の形態を用いた第１の走査工程の後の、ホ
トレジスト層の露光パターンの平面図である。
トレジスト層の露光パターンの平面図である。
【図３】第２の走査工程が実行される前の、図１の形態
を示している。
を示している。
【図４】第２の走査工程の後の、露光されたホトレジス
トパターンの平面図である。
トパターンの平面図である。
【図５】本明細書で説明する方法を用いた、重なり合う
レティクルパターンの段階的な露光を示している。
レティクルパターンの段階的な露光を示している。
【図６】第３の走査工程を実行する前の、図１の形態を
示している。
示している。
【図７】本明細書で説明する方法を用いた、重なり合う
レティクルパターンの段階的な露光を示している。
レティクルパターンの段階的な露光を示している。
【図８】第３の走査工程の後の、露光されたホトレジス
トパターンの平面図である。
トパターンの平面図である。
【図９】第４の走査工程の前の、図１の形態を示してい
る。
る。
【図１０】第４の走査工程の後の、完成されたホトレジ
スト露光パターンの平面図である。
スト露光パターンの平面図である。
【図１１】Ｘ−Ｙステージ上の単一のレティクルを走査
型露光装置と共に用いて、基板上のホトレジスト層の大
きな領域を露光する、本発明の別の実施例を示してい
る。
型露光装置と共に用いて、基板上のホトレジスト層の大
きな領域を露光する、本発明の別の実施例を示してい
る。
【図１２】図１１のレティクルを図１のレティクルと共
に使用する、ホトレジスト露光パターンの平面図であ
る。
に使用する、ホトレジスト露光パターンの平面図であ
る。
【図１３】レティクルの中の１又はそれ以上のボーダー
パターンによって、ホトレジスト層に段階的な露光レベ
ルをもたらすためのフィルタを示している。
パターンによって、ホトレジスト層に段階的な露光レベ
ルをもたらすためのフィルタを示している。
【図１４】レティクルの中の１又はそれ以上のボーダー
パターンによって、ホトレジスト層に段階的な露光レベ
ルをもたらすためのフィルタを示している。
パターンによって、ホトレジスト層に段階的な露光レベ
ルをもたらすためのフィルタを示している。
【図１５】レティクルのボーダーパターンによるホトレ
ジスト層における段階的な露光レベルが、運動可能なブ
ラインドを用いることによって得られる、単純化された
走査型露光機構を示している。
ジスト層における段階的な露光レベルが、運動可能なブ
ラインドを用いることによって得られる、単純化された
走査型露光機構を示している。
【図１６】レティクルのボーダーパターンによるホトレ
ジスト層における段階的な露光レベルが、運動可能なブ
ラインドを用いることによって得られる、単純化された
走査型露光機構を示している。
ジスト層における段階的な露光レベルが、運動可能なブ
ラインドを用いることによって得られる、単純化された
走査型露光機構を示している。
【図１７】運動可能なブラインドを、光学系に対してど
のように配列することができるかを示す、露光装置の単
純化した図である。
のように配列することができるかを示す、露光装置の単
純化した図である。
【図１８】フィルタを、光学系に対してどのように配列
することができるかを示す、露光装置の単純化した図で
ある。
することができるかを示す、露光装置の単純化した図で
ある。
１０ ステージ
１２ 放射線走査フィールド
１４ 矩形部
１６、１８ 三角形の端部
２０、２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７ ボ
ーダーパターン ３０、３１、３３、３４、３５、３７、３９ ボーダー
部分 ４０、４１、４２、４３、４４ ボーダー部分 ４６、４８ フィルタ ５６、５８、６０、７０ ブラインド ６４ ホトレジスト層 ６６ 基板 ７４、７５ レンズ ７６ ミラー Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ レティクル
ーダーパターン ３０、３１、３３、３４、３５、３７、３９ ボーダー
部分 ４０、４１、４２、４３、４４ ボーダー部分 ４６、４８ フィルタ ５６、５８、６０、７０ ブラインド ６４ ホトレジスト層 ６６ 基板 ７４、７５ レンズ ７６ ミラー Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ レティクル
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−196513（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−229423（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−183518（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−247025（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−311025（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−9846（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−73520（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−57986（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
G03F 9/00
Claims (33)
- 【請求項１】 レティクルパターンをターゲット基板上
で互いにつなぎ合わせるための方法において、 走査型の投影露光装置のＸ−Ｙ方向に運動可能なステー
ジの上に第１のレティクルを準備する工程であって、前
記第１のレティクルは、該レティクルに形成された第１
のパターンを有しており、該第１のパターンは、４つの
側部を有しており、これら４つの側部は、第２の側部に
隣接する第１の側部と、前記第２の側部に隣接すると共
に前記第１の側部と向かい合う第３の側部と、該第３の
側部に隣接すると共に前記第２の側部と向かい合う第４
の側部とを含む、第１のレティクルを準備する工程と、 前記第１の側部は、第１のボーダーパターンを有するボ
ーダー部分を含み、前記第２の側部は、第２のボーダー
パターンを有するボーダー部分を含み、前記第３の側部
は、第３のボーダーパターンを有するボーダー部分を含
み、前記第４の側部は、第４のボーダーパターンを有す
るボーダー部分を含んでおり、 また、前記第１のパターンが、ターゲット基板の第１の
表面領域の上に露光されるように、前記Ｘ−Ｙ方向に運
動可能なステージを位置決めする工程と、 前記第２の側部に対して実質的に平行な走査方向におい
て、前記第１のレティクルを横断するように、放射源を
走査させ、これにより、前記基板の前記第１の表面領域
に第１の露光パターンを形成する工程とを備え、 前記第１の露光パターンは、前記第１のボーダーパター
ンに相当する第１の露光されたボーダーパターンと、前
記第２のボーダーパターンに相当する第２の露光された
ボーダーパターンと、前記第３のボーダーパターンに相
当する第３の露光されたボーダーパターンと、前記第４
のボーダーパターンに相当する第４の露光されたボーダ
ーパターンとを有しており、 更に、前記放射源が前記第１のボーダーパターン上を走
査する際に、前記基板に当たる前記放射線を部分的に阻
止する工程であって、前記放射源が前記第１のボーダー
パターン上を走査する際に前記基板に当たる前記放射線
の強度が、勾配型の強度プロフィールを有して、放射線
を部分的に阻止する工程と、 前記第１のレティクルの前記第１のパターンが、前記基
板の第２の表面領域に露光されるように、また、前記第
３のボーダーパターンに相当する像が、前記基板の前記
第１の表面領域上の前記第１の露光されたボーダーパタ
ーンに重なるように、前記Ｘ−Ｙ方向に運動可能なステ
ージを位置決めする工程と、 前記第１の露光パターンが、前記基板の前記第２の表面
領域に形成されるように、また、前記第２の表面領域に
形成された前記第１の露光パターンが、前記第１の表面
領域に以前に形成された前記第１の露光されたボーダー
パターンに重なる第３の露光されたボーダーパターンを
有するように、前記第２の側部に対して実質的に平行な
走査方向において、前記第１のレティクルを横断するよ
うに、前記放射源を走査させる工程と、 前記放射源が、前記第３のボーダーパターン上を走査す
る際に、前記基板に当たる前記放射線を部分的に阻止す
る工程とを備え、前記放射源が前記第３のボーダーパタ
ーン上を走査する際に前記基板に当たる前記放射線の強
度が、勾配型の強度プロフィールを有しており、これに
より、前記第１の表面領域の前記第１の露光されたボー
ダーパターン、及び、前記第２の表面領域の前記第３の
露光されたボーダーパターンの重なり合う露光が、前記
第１の表面領域の前記第１の露光パターン、及び、前記
第２の表面領域の前記第１の露光パターンの中央部分の
露光に概ね等しいことを特徴とする方法。 - 【請求項２】 請求項１の方法において、前記第１のパ
ターンが、前記基板の第３の表面領域に露光されるよう
に、また、前記第２のボーダーパターンに相当する像
が、前記基板の前記第１の表面領域の前記第４の露光さ
れたボーダーパターンに重なるように、前記Ｘ−Ｙ方向
に運動可能なステージを位置決めする工程と、 前記第１の露光パターンが、前記基板の前記第３の表面
領域に形成され、また、前記第３の表面領域の前記第２
の露光されたボーダーパターンが、前記第１の表面領域
の前記第４の露光されたボーダーパターンに重なるよう
に、前記第２の側部に対して実質的に平行に、前記第１
のレティクルを横断して、前記放射源を走査させる工程
と、 前記放射源が、前記第４のボーダーパターン及び前記第
２のボーダーパターン上を走査する際に、前記基板に当
たる前記放射線の強度を制御する工程とを更に備え、こ
れにより、前記第１の表面領域の前記第４の露光された
ボーダーパターン、及び、前記第３の表面領域の前記第
２の露光されたボーダーパターンの重なり合った露光
が、前記第１の表面領域の前記第１の露光パターン、及
び、前記第３の表面領域の前記第１の露光パターンの露
光に概ね等しいことを特徴とする方法。 - 【請求項３】 請求項２の方法において、前記第１のレ
ティクル上を走査する前記放射源が、前記第１のレティ
クルの前記第１の側部に対して実質的に平行な長さを有
する長方形の放射線フィールドを出し、該長方形のフィ
ールドが、第１の三角形の端部、及び、第２の三角形の
端部を有しており、前記第１の三角形の端部が、前記第
２のボーダーパターン上を走査して、前記放射源が前記
第２のボーダーパターン上を走査する時に、勾配型の強
度を有する放射線を発生することを特徴とする方法。 - 【請求項４】 請求項３の方法において、前記第２の三
角形の端部が、前記第４のボーダーパターン上を走査
し、前記放射源が前記第４のボーダーパターン上を走査
する時に、勾配型の強度を有する放射線を発生すること
を特徴とする方法。 - 【請求項５】 請求項１の方法において、前記放射源
が、前記第１のボーダーパターン上を走査する際に、前
記放射源が前記第１のボーダーパターン上を走査する時
にだけ、放射線通路の中に位置する運動可能なブライン
ドを用いて、前記放射線が部分的に阻止されることを特
徴とする方法。 - 【請求項６】 請求項５の方法において、前記放射源
が、前記第３のボーダーパターン上を走査する際に、前
記放射源が前記第３のボーダーパターン上を走査する時
にだけ、放射線通路の中に位置する運動可能なブライン
ドを用いて、前記放射線が部分的に阻止されることを特
徴とする方法。 - 【請求項７】 請求項１の方法において、前記放射源
が、前記第１のボーダーパターン上を走査する際に、前
記放射源が前記第１のボーダーパターン上を走査する時
にだけ、放射線通路の中に位置するフィルタを用いて、
前記放射線が部分的に阻止されることを特徴とする方
法。 - 【請求項８】 請求項７の方法において、前記放射源
が、前記第３のボーダーパターン上を走査する際に、前
記放射源が前記第３のボーダーパターン上を走査する時
にだけ、放射線通路の中に位置するフィルタを用いて、
前記放射線が部分的に阻止されることを特徴とする方
法。 - 【請求項９】 請求項７の方法において、前記フィルタ
が、前記第１のボーダーパターン上の前記第１のレティ
クルに形成されていることを特徴とする方法。 - 【請求項１０】 請求項７の方法において、前記フィル
タが、前記第１のレティクルから分離されて形成されて
いることを特徴とする方法。 - 【請求項１１】 請求項１の方法において、 前記Ｘ−Ｙ方向に運動可能なステージの上に第２のレテ
ィクルを準備する工程であって、前記第２のレティクル
は、これに形成された第２のパターンを有し、該第２の
パターンは、４つの側部を有し、これら４つの側部は、
第５の側部を含んでおり、該第５の側部は、第５のボー
ダーパターンを有するボーダー部分を含んでおり、前記
第５のボーダーパターンは、前記第１のボーダーパター
ンに実質的に同一である、第２のレティクルを準備する
工程と、 前記第２のパターンが、前記基板の第３の表面領域に露
光されるように、また、前記第５のボーダーパターンに
相当する像が、前記基板の前記第２の表面領域に以前に
形成された前記第１の露光されたボーダーパターンに重
なるように、前記Ｘ−Ｙ方向に運動可能なステージを位
置決めする工程と、 前記基板の前記第３の表面領域が、前記第２のパターン
に露光され、これにより、前記第３の表面領域に第２の
露光パターンが形成されると共に、前記第５のボーダー
パターンに相当する第５の露光されたボーダーパターン
が形成されるように、前記第５の側部に対して実質的に
直交する方向において、前記第２のレティクルを横断し
て、前記放射源を走査させる工程と、 前記放射源が、前記第５のボーダーパターン上を走査す
る際に、前記基板に当たる前記放射線を部分的に阻止す
る工程とを備え、前記放射源が前記第５のボーダーパタ
ーン上を走査する際に前記基板に当たる前記放射線の強
度が、勾配型の強度プロフィールを有しており、これに
より、前記第２の表面領域の前記第１の露光されたボー
ダーパターン、及び、前記第３の表面領域の前記第５の
露光されたボーダーパターンの重なり合う露光が、前記
第２の表面領域の前記第１の露光パターンの中央部分、
及び、前記第３の表面領域の前記第２の露光パターンの
中央部分の露光に概ね等しいことを特徴とする方法。 - 【請求項１２】 レティクルパターンをターゲット基板
上で互いにつなぎ合わせるための方法において、 走査型の投影露光装置のＸ−Ｙ方向に運動可能なステー
ジの上に第１のレティクル及び第２のレティクルを準備
する工程であって、前記第１のレティクルは、該レティ
クルに形成された第１のパターンを有しており、該第１
のパターンは、４つの側部を有しており、これら４つの
側部は、第２の側部に隣接する第１の側部と、前記第２
の側部に隣接すると共に前記第１の側部と向かい合う第
３の側部と、該第３の側部に隣接すると共に前記第２の
側部と向かい合う第４の側部とを含んでいる、第１のレ
ティクル及び第２のレティクルを準備する工程と、 前記第１の側部は、第１のボーダーパターンを有するボ
ーダー部分を含み、前記第２の側部は、第２のボーダー
パターンを有するボーダー部分を含み、前記第３の側部
は、第３のボーダーパターンを有するボーダー部分を含
み、前記第４の側部は、第４のボーダーパターンを有す
るボーダー部分を含んでおり、 前記第２のレティクルは、そこに形成された第２のパタ
ーンを有しており、該第２のパターンは、４つの側部を
有しており、これら４つの側部は、第５の側部を含み、
該第５の側部は、第５のボーダーパターンを有するボー
ダー部分を含み、前記第５のボーダーパターンは、前記
第１のボーダーパターンと実質的に同じであり、 また、前記第１のパターンが、ターゲット基板の第１の
表面領域の上に露光されるように、前記Ｘ−Ｙ方向に運
動可能なステージを位置決めする工程と、 前記第２の側部に対して実質的に平行な走査方向におい
て、前記第１のレティクルを横断するように、放射源を
走査させ、これにより、前記基板の前記第１の表面領域
に第１の露光パターンを形成する工程とを備え、 前記第１の露光パターンは、前記第１のボーダーパター
ンに相当する第１の露光されたボーダーパターンと、前
記第２のボーダーパターンに相当する第２の露光された
ボーダーパターンと、前記第３のボーダーパターンに相
当する第３の露光されたボーダーパターンと、前記第４
のボーダーパターンに相当する第４の露光されたボーダ
ーパターンとを有しており、 更に、前記放射源が前記第１のボーダーパターン上を走
査する際に、前記基板に当たる前記放射線を部分的に阻
止する工程であって、前記放射源が前記第１のボーダー
パターン上を走査する際に前記基板に当たる前記放射線
の強度が、勾配型の強度プロフィールを有している、放
射線を部分的に阻止する工程と、 前記第２のレティクルの前記第２のパターンが、前記基
板の第２の表面領域に露光されるように、また、前記第
５のボーダーパターンに相当する像が、前記基板の前記
第１の表面領域上の前記第１の露光されたボーダーパタ
ーンに重なるように、前記Ｘ−Ｙ方向に運動可能なステ
ージを位置決めする工程と、 前記第２の露光パターンが、前記基板の前記第２の表面
領域に形成されるように、また、前記第２の表面領域に
形成され、第５の露光されたボーダーパターンを有する
前記第２の露光パターンが、前記第１の表面領域に以前
に形成された前記第１の露光されたボーダーパターンに
重なるように、前記第５の側部に対して実質的に直交す
る走査方向において、前記第２のレティクルを横断する
ように、前記放射源を走査させる工程と、 前記放射源が、前記第５のボーダーパターン上を走査す
る際に、前記基板に当たる前記放射線を部分的に阻止す
る工程とを備え、前記放射源が前記第５のボーダーパタ
ーン上を走査する際に前記基板に当たる前記放射線の強
度が、勾配型の強度プロフィールを有しており、これに
より、前記第１の表面領域の前記第１の露光されたボー
ダーパターン、及び、前記第２の表面領域の前記第５の
露光されたボーダーパターンの重なり合う露光が、前記
第１の表面領域の前記第１の露光パターンの中央部分、
及び、前記第２の表面領域の前記第２の露光パターンの
中央部分の露光に概ね等しいことを特徴とする方法。 - 【請求項１３】 請求項１２の方法において、前記第１
のレティクル上を走査する前記放射源が、前記第１のレ
ティクルの前記第１の側部に対して実質的に平行な長さ
を有する長方形の放射線フィールドを出し、該長方形の
フィールドが、第１の三角形の端部、及び、第２の三角
形の端部を有しており、前記第１の三角形の端部が、前
記第２のボーダーパターン上を走査して、前記放射源が
前記第２のボーダーパターン上を走査する時に、勾配型
の強度を有する放射線を発生することを特徴とする方
法。 - 【請求項１４】 請求項１３の方法において、前記第２
の三角形の端部が、前記第４のボーダーパターン上を走
査し、前記放射源が前記第４のボーダーパターン上を走
査する時に、勾配型の強度を有する放射線を発生するこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項１５】 請求項１２の方法において、前記放射
源が、前記第１のボーダーパターン上を走査する際に、
前記放射源が前記第１のボーダーパターン上を走査する
時にだけ、放射線通路の中に位置する運動可能なブライ
ンドを用いて、前記放射線が部分的に阻止されることを
特徴とする方法。 - 【請求項１６】 請求項１２の方法において、前記放射
源が、前記第１のボーダーパターン上を走査する際に、
前記放射源が前記第１のボーダーパターン上を走査する
時にだけ、放射線通路の中に位置するフィルタを用い
て、前記放射線が部分的に阻止されることを特徴とする
方法。 - 【請求項１７】 請求項１６の方法において、前記フィ
ルタが、前記第１のボーダーパターン上の前記第１のレ
ティクルに形成されていることを特徴とする方法。 - 【請求項１８】 請求項１６の方法において、前記フィ
ルタが、前記第１のレティクルとは別個に形成されてい
ることを特徴とする方法。 - 【請求項１９】 レティクルパターンをターゲット基板
の上で互いにつなぎ合わせるための装置において、 走査型の投影露光装置のＸ−Ｙ方向に運動可能なステー
ジに設けられる第１のレティクルであって、該レティク
ルに形成された第１のパターンを有し、該第１のパター
ンは、４つの側部を有し、これら４つの側部は、当該第
１のレティクル上の放射源の走査方向に対して直交する
第１の側部を含んでいる、第１のレティクルを備え、 前記第１の側部は、第１のボーダーパターンを有するボ
ーダー部分を含んでおり、 また、前記放射源が、前記第１のボーダーパターン上を
走査する際に、基板に当たる放射線を部分的に阻止する
手段を備え、前記放射源が、前記第１のボーダーパター
ン上を走査する際に、前記基板に当たる前記放射線の強
度が、勾配型の強度プロフィールを有していることを特
徴とする、レティクルパターンをターゲット基板上で互
いにつなぎ合わせる装置。 - 【請求項２０】 請求項１９の装置において、前記放射
源が前記第１のボーダーパターン上を走査する際に、前
記放射線を部分的に阻止する前記手段が、前記放射源が
前記第１のボーダーパターン上を走査する時に、放射線
通路の中に位置する運動可能なブラインドを具備するこ
とを特徴とする装置。 - 【請求項２１】 請求項１９の装置において、前記放射
源が前記第１のボーダーパターン上を走査する際に、前
記放射線を部分的に阻止する前記手段が、前記放射源が
前記第１のボーダーパターン上を走査する時に、放射線
通路の中に位置するフィルタとを具備することを特徴と
する装置。 - 【請求項２２】 請求項２１の装置において、前記フィ
ルタが、前記第１のボーダーパターン上の前記第１のレ
ティクルに形成されることを特徴とする装置。 - 【請求項２３】 請求項２１の装置において、前記フィ
ルタが、前記第１のレティクルとは別個に形成されるこ
とを特徴とする装置。 - 【請求項２４】 放射源に対してレティクルとターゲッ
ト基板とを走査方向に移動させて前記レティクルのレテ
ィクルパターンを前記ターゲット基板の上で互いにつな
ぎ合わせるための装置において、 ４つの側部を有すると共に該４つの側部のうち前記走査
方向に対して平行する第１の側部に第１のボーダーパタ
ーンを含む第１のパターンを備えた第１のレティクル
と、 前記第１のボーダーパターン上を走査する前記放射源か
らの放射線の強度が、勾配型の強度プロフィールとなる
ように前記放射線を部分的に阻止する手段とを具備する
ことを特徴とする装置。 - 【請求項２５】 請求項２４の装置において、前記放射
線を部分的に阻止する手段は、放射線通路の中に位置す
る運動可能なブラインドを具備することを特徴とする装
置。 - 【請求項２６】 請求項２４の装置において、前記放射
線を部分的に阻止する前記手段は、放射線通路の中に位
置するフィルタとを具備することを特徴とする装置。 - 【請求項２７】 請求項２６の装置において、前記フィ
ルタが、前記第１のボーダーパターン上の前記第１のレ
クティルに形成されることを特徴とする装置。 - 【請求項２８】 請求項２６の装置において、前記フィ
ルタが、前記第１のレティクルとは別個に形成されるこ
とを特徴とする装置。 - 【請求項２９】 請求項２４から２８の少なくとも一項
の装置において、前記第１のパターンは、前記第１の側
面とは対向する位置に第２のボーダーパターンを備える
ことを特徴とする装置。 - 【請求項３０】 請求項２４から２８の少なくとも一項
の装置において、前記第１のレティクルは、前記第１の
パターンとは異なるとともに、前記走査方向に対して平
行する側部に第２のボーダーパターンを含む第２のパタ
ーンを備えることを特徴とする装置。 - 【請求項３１】 放射源に対してレティクルとターゲッ
ト基板とを走査方向に移動させて前記レティクルのパタ
ーンを前記ターゲット基板上で互いにつなぎ合わせるた
めの方法において、 ４つの側部を有すると共に該４つの側部のうち前記走査
方向に対して平行する第１の側部に第１のボーダーパタ
ーンを含む第１のパターンと、前記走査方向に対して平
行するとともに前記第１のパターンとは対照的な位置に
第２のボーダーパターンを含む第２のパターンを備えた
レティクルを準備する工程と、 前記第１のパターンが前記ターゲット基板の第１の表面
領域の上に露光されるように、前記レティクルを載置す
るとともにＸ−Ｙ方向に運動可能なステージを位置決め
する工程と、 前記第１のボーダーパターン上を走査する前記放射源か
らの放射線の強度が、勾配型の強度プロフィールとなる
ように前記放射線を部分的に阻止する工程と、 前記第１のパターンを前記ターゲット基板上に露光する
工程と、 前記第２のパターンが前記ターゲット基板の前記第１の
表面領域に隣接した第２の表面領域の上に位置するとと
もに前記第１のボーダーパターンと前記第２のボーダー
パターンとを重ね合わせて露光されるように、前記レテ
ィクルを載置するとともにＸ−Ｙ方向に運動可能なステ
ージを位置決めする工程と、 前記第２のボーダーパターン上を走査する前記放射源か
らの放射線の強度が、勾配型の強度プロフィールとなる
ように前記放射線を部分的に阻止する工程と、 前記第２のパターンを前記ターゲット基板上に露光する
工程とを含むことを特徴とする方法。 - 【請求項３２】 請求項３１の方法において、前記第１
のパターンと前記第２のパターンとは、異なるレティク
ル上に設けられ、前記Ｘ−Ｙ方向に運動可能なステージ
の移動により位置決めされることを特徴とする方法。 - 【請求項３３】 請求項３１の方法において、前記第１
のパターンと前記第２のパターンとは、同じレティクル
上に設けられ、前記Ｘ−Ｙ方向に運動可能なステージの
移動により位置決めされることを特徴とする方法。
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|---|---|---|---|---|
| US5663017A (en) * | 1995-06-07 | 1997-09-02 | Lsi Logic Corporation | Optical corrective techniques with reticle formation and reticle stitching to provide design flexibility |
| US5795686A (en) * | 1995-12-26 | 1998-08-18 | Fujitsu Limited | Pattern forming method and method of manufacturing liquid crystal display device |
| EP0786687A1 (en) * | 1996-01-29 | 1997-07-30 | Hughes-Jvc Technology Corporation | Projected image blending for multiple images |
| US5914205A (en) * | 1996-12-27 | 1999-06-22 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device whereby photomasks comprising partial patterns are projected onto a photoresist layer so as to merge into one another |
| US6030752A (en) * | 1997-02-25 | 2000-02-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of stitching segments defined by adjacent image patterns during the manufacture of a semiconductor device |
| TW388801B (en) * | 1997-03-10 | 2000-05-01 | Canon Kk | Liquid crystl display device, projector using it, and production method of liquid crystal display device |
| JPH116957A (ja) * | 1997-04-25 | 1999-01-12 | Nikon Corp | 投影光学系および投影露光装置並びに投影露光方法 |
| US6051344A (en) * | 1997-06-17 | 2000-04-18 | Intel Corporation | Multiple reduction photolithography technique |
| US5990540A (en) * | 1997-12-15 | 1999-11-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JPH11214293A (ja) | 1998-01-22 | 1999-08-06 | Nikon Corp | 投影光学系及び該光学系を備えた露光装置並びにデバイス製造方法 |
| US6700645B1 (en) | 1998-01-22 | 2004-03-02 | Nikon Corporation | Projection optical system and exposure apparatus and method |
| AU4167199A (en) * | 1998-06-17 | 2000-01-05 | Nikon Corporation | Method for producing mask |
| EP0969326B1 (en) * | 1998-07-01 | 2012-10-17 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| TW530189B (en) | 1998-07-01 | 2003-05-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus for imaging of a mask pattern and method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus |
| US6177218B1 (en) * | 1998-08-07 | 2001-01-23 | Lucent Technologies Inc. | Lithographic process for device fabrication using electron beam imaging |
| TW447009B (en) | 1999-02-12 | 2001-07-21 | Nippon Kogaku Kk | Scanning exposure method and scanning type exposure device |
| US6284443B1 (en) | 1999-04-30 | 2001-09-04 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for image adjustment |
| JP2001154371A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Nikon Corp | 回路デバイスや表示デバイスの製造方法、及び大型ディスプレー装置 |
| JP2001319871A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Nikon Corp | 露光方法、濃度フィルタの製造方法、及び露光装置 |
| US6928184B2 (en) * | 2000-06-16 | 2005-08-09 | Jeol Ltd. | Instrument and method for metrology |
| EP1291721B1 (en) * | 2001-09-07 | 2008-02-27 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP3836418B2 (ja) * | 2001-09-07 | 2006-10-25 | エイエスエムエル ネザランドズ ベスローテン フエンノートシャップ | リソグラフィ装置およびデバイスの製造方法 |
| US6744494B2 (en) * | 2001-12-07 | 2004-06-01 | Motorola, Inc. | Continuously adjustable neutral density area filter |
| WO2003065427A1 (fr) * | 2002-01-29 | 2003-08-07 | Nikon Corporation | Dispositif et procede d'exposition |
| JP4294311B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2009-07-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法および表示装置の加工基板 |
| KR100575230B1 (ko) * | 2002-12-28 | 2006-05-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 노광 장치를 이용한 노광 방법 |
| US20060104413A1 (en) * | 2003-03-05 | 2006-05-18 | Tadahiro Ohmi | Mask repeater and mask manufacturing method |
| DE10314253B4 (de) * | 2003-03-29 | 2005-02-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur scannenden Beleuchtung eines Retikels sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
| TWI233541B (en) * | 2003-10-29 | 2005-06-01 | Hannstar Display Corp | An exposure method and an apparatus thereof |
| KR101050312B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2011-07-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 분할 노광 방법 |
| US7718326B2 (en) * | 2005-06-17 | 2010-05-18 | Vincent E Stenger | Seamless stitching of patterns formed by interference lithography |
| US20090135200A1 (en) * | 2005-06-28 | 2009-05-28 | Mark Alan Schultz | Selective Edge Blending Based on Displayed Content |
| WO2008019249A1 (en) * | 2006-08-03 | 2008-02-14 | 3M Innovative Properties Company | Long length flexible circuits and method of making same |
| US7790336B2 (en) * | 2006-11-14 | 2010-09-07 | Dalsa Corporation | Method of joining a plurality of reticles for use in producing a semiconductor layout pattern, a computerized system for implementing such a method and a semiconductor mask arrangement produced by implementing such a method |
| US20080239263A1 (en) * | 2007-03-29 | 2008-10-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic system and device manufacturing method |
| US8343716B2 (en) * | 2007-10-16 | 2013-01-01 | Analog Devices, Inc. | Method of forming variable patterns using a reticle |
| JP4799575B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2011-10-26 | 株式会社東芝 | インプリント方法 |
| SG174439A1 (en) * | 2009-03-20 | 2011-10-28 | Bio Rad Laboratories | Serial-line-scan-encoded multi-color fluorescence microscopy and imaging flow cytometry |
| JP5294489B2 (ja) * | 2009-12-14 | 2013-09-18 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光方法及び露光装置 |
| US8761486B2 (en) | 2011-02-22 | 2014-06-24 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Line scan cytometry systems and methods |
| KR101829778B1 (ko) * | 2011-06-29 | 2018-02-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 노광 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102044771B1 (ko) | 2011-12-19 | 2019-11-14 | 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 | 임프린트 리소그래피용 이음매 없는 대면적 마스터 템플릿의 제조 |
| WO2013097897A1 (en) * | 2011-12-28 | 2013-07-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Mask and scanning projection exposure method for microlithography |
| US8957512B2 (en) * | 2012-06-19 | 2015-02-17 | Xilinx, Inc. | Oversized interposer |
| US8869088B1 (en) | 2012-06-27 | 2014-10-21 | Xilinx, Inc. | Oversized interposer formed from a multi-pattern region mask |
| US9026872B2 (en) | 2012-08-16 | 2015-05-05 | Xilinx, Inc. | Flexible sized die for use in multi-die integrated circuit |
| US9547034B2 (en) | 2013-07-03 | 2017-01-17 | Xilinx, Inc. | Monolithic integrated circuit die having modular die regions stitched together |
| US20150332996A1 (en) * | 2014-05-19 | 2015-11-19 | United Microelectronics Corp. | Interposer and method of fabricating the same |
| US9915869B1 (en) | 2014-07-01 | 2018-03-13 | Xilinx, Inc. | Single mask set used for interposer fabrication of multiple products |
| JP6701596B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2020-05-27 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法 |
| KR20230062883A (ko) * | 2017-03-31 | 2023-05-09 | 가부시키가이샤 니콘 | 패턴 산출 장치, 패턴 산출 방법, 마스크, 노광 장치, 디바이스 제조 방법, 컴퓨터 프로그램, 및, 기록 매체 |
| CN111552125B (zh) * | 2020-05-27 | 2022-11-22 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 掩膜版及掩膜组 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3819265A (en) * | 1972-08-02 | 1974-06-25 | Bell Telephone Labor Inc | Scanning projection printer apparatus and method |
| US4924257A (en) * | 1988-10-05 | 1990-05-08 | Kantilal Jain | Scan and repeat high resolution projection lithography system |
| JP2830492B2 (ja) * | 1991-03-06 | 1998-12-02 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
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