JP3467374B2 - 半導体集積回路の検査方法及び半導体集積回路の検査装置 - Google Patents
半導体集積回路の検査方法及び半導体集積回路の検査装置Info
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- JP3467374B2 JP3467374B2 JP08478297A JP8478297A JP3467374B2 JP 3467374 B2 JP3467374 B2 JP 3467374B2 JP 08478297 A JP08478297 A JP 08478297A JP 8478297 A JP8478297 A JP 8478297A JP 3467374 B2 JP3467374 B2 JP 3467374B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハに形
成された複数の半導体集積回路素子に対して一括してバ
ーンインを行なう半導体集積回路の検査方法及び検査装
置に関する。
成された複数の半導体集積回路素子に対して一括してバ
ーンインを行なう半導体集積回路の検査方法及び検査装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路装置は、半導体集
積回路素子とリードフレームとがボンディングワイヤに
よって電気的に接続された後、半導体集積回路素子とリ
ードフレームのリードとが樹脂又はセラミックスにより
封止された状態で供給されて、プリント基板に実装され
る。
積回路素子とリードフレームとがボンディングワイヤに
よって電気的に接続された後、半導体集積回路素子とリ
ードフレームのリードとが樹脂又はセラミックスにより
封止された状態で供給されて、プリント基板に実装され
る。
【０００３】ところが、電子機器の小型化及び低価格化
の要求から、半導体集積回路装置を半導体ウェハから切
り出したままのベアチップ状態で回路基板に実装する方
法が開発されており、品質が保証されたベアチップを低
価格で供給することが望まれている。ベアチップに対し
て品質保証を行なうためには、一の半導体ウェハ上に形
成された複数の半導体集積回路素子に対して一括してバ
ーンインを行なうことが低コスト化の点で好ましい。
の要求から、半導体集積回路装置を半導体ウェハから切
り出したままのベアチップ状態で回路基板に実装する方
法が開発されており、品質が保証されたベアチップを低
価格で供給することが望まれている。ベアチップに対し
て品質保証を行なうためには、一の半導体ウェハ上に形
成された複数の半導体集積回路素子に対して一括してバ
ーンインを行なうことが低コスト化の点で好ましい。
【０００４】このため、半導体ウェハ上に形成された複
数の半導体集積回路素子の各検査用電極と接続されるプ
ローブ端子を有するコンタクタを用いて、半導体ウェハ
上に形成された複数の半導体集積回路素子に対してウェ
ハ状態で一括してバーンインを行なう検査方法が知られ
ている。この場合、複数の半導体集積回路素子の各検査
用電極に対して、電源電圧、接地電圧又は信号を印加す
る必要があるが、複数の半導体集積回路素子の各検査用
電極に電源電圧、接地電圧又は信号を個別に印加しよう
とすると、著しく多数の配線をコンタクト上又は半導体
ウェハ上に引き回さなければならなくなるので、現実的
ではない。
数の半導体集積回路素子の各検査用電極と接続されるプ
ローブ端子を有するコンタクタを用いて、半導体ウェハ
上に形成された複数の半導体集積回路素子に対してウェ
ハ状態で一括してバーンインを行なう検査方法が知られ
ている。この場合、複数の半導体集積回路素子の各検査
用電極に対して、電源電圧、接地電圧又は信号を印加す
る必要があるが、複数の半導体集積回路素子の各検査用
電極に電源電圧、接地電圧又は信号を個別に印加しよう
とすると、著しく多数の配線をコンタクト上又は半導体
ウェハ上に引き回さなければならなくなるので、現実的
ではない。
【０００５】そこで、コンタクタ上又は半導体ウェハ上
に共通の電源電圧線、接地電圧線又は信号線（以下、こ
れらを共通配線と総称する。）を設けておき、該共通配
線と各検査用電極とを電気的に接続することにより、著
しく多数の配線を引き回す事態を避ける方法が提案され
た。
に共通の電源電圧線、接地電圧線又は信号線（以下、こ
れらを共通配線と総称する。）を設けておき、該共通配
線と各検査用電極とを電気的に接続することにより、著
しく多数の配線を引き回す事態を避ける方法が提案され
た。
【０００６】ところが、コンタクタ上又は半導体ウェハ
上に共通配線を設けると、内部において電気的に短絡し
ている不良の半導体集積回路素子が存在すると、例え
ば、共通の電源電圧線と共通の接地電圧線と、又は共通
の電源電圧線と共通の信号線とが不良の半導体集積回路
素子を介して短絡してしまうことがある。
上に共通配線を設けると、内部において電気的に短絡し
ている不良の半導体集積回路素子が存在すると、例え
ば、共通の電源電圧線と共通の接地電圧線と、又は共通
の電源電圧線と共通の信号線とが不良の半導体集積回路
素子を介して短絡してしまうことがある。
【０００７】そこで、特開平７−１６９８０６号公報に
示されるように、バーンインを行なう前に、各半導体集
積回路素子の電気的特性の検査を行ない、該検査により
不良品と判断された半導体集積回路素子の検査用電極に
液状の溶剤を塗布した後、該液状の溶剤を硬化させて、
不良の半導体集積回路素子の検査用電極の上に不導体層
を形成し、不良の半導体集積回路素子に電流が流れない
ようにして、全ての良品の半導体集積回路素子に対して
一括してバーンインを行なう半導体集積回路の検査方法
が提案されている。
示されるように、バーンインを行なう前に、各半導体集
積回路素子の電気的特性の検査を行ない、該検査により
不良品と判断された半導体集積回路素子の検査用電極に
液状の溶剤を塗布した後、該液状の溶剤を硬化させて、
不良の半導体集積回路素子の検査用電極の上に不導体層
を形成し、不良の半導体集積回路素子に電流が流れない
ようにして、全ての良品の半導体集積回路素子に対して
一括してバーンインを行なう半導体集積回路の検査方法
が提案されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記従来の
半導体集積回路の検査方法によって、不良の半導体集積
回路素子の検査用電極の上に不導体層を形成すると、以
下に説明するような問題がある。図５は、従来の半導体
集積回路の検査方法におけるバーンイン工程、すなわ
ち、半導体ウェハ１の上に形成された検査用電極２と、
配線基板３に異方性導電ゴムシート４を介して保持され
た絶縁性のポリイミドシート５に設けられたバンプ５と
を接続する工程を示している。尚、不良品の半導体集積
回路の検査用電極２の上には不導体層７が形成されてい
る。
半導体集積回路の検査方法によって、不良の半導体集積
回路素子の検査用電極の上に不導体層を形成すると、以
下に説明するような問題がある。図５は、従来の半導体
集積回路の検査方法におけるバーンイン工程、すなわ
ち、半導体ウェハ１の上に形成された検査用電極２と、
配線基板３に異方性導電ゴムシート４を介して保持され
た絶縁性のポリイミドシート５に設けられたバンプ５と
を接続する工程を示している。尚、不良品の半導体集積
回路の検査用電極２の上には不導体層７が形成されてい
る。
【０００９】ところで、不良品の半導体集積回路素子の
検査用電極２の上に不導体層７を形成する場合、不導体
層７の厚さを４μｍ未満に設定すると、不導体層７の膜
厚が不安定になって絶縁性が確保できないことがある。
そこで、不導体層７の厚さは４μｍ以上に設定する必要
があるが、不導体層７の厚さを正確に制御することは極
めて困難であるため、図５に示すように、不良品の半導
体集積回路素子の検査用電極２の上に不導体層７が盛り
上がって形成されることがある。このため、不導体層７
が形成されている検査用電極２の近傍に位置する検査用
電極２とバンプ６とが電気的に接続されないことがあ
る。従って、従来の半導体集積回路の検査方法による
と、全ての良品の半導体集積回路素子に対して確実にバ
ーンインを行なうことができないという第１の問題があ
る。
検査用電極２の上に不導体層７を形成する場合、不導体
層７の厚さを４μｍ未満に設定すると、不導体層７の膜
厚が不安定になって絶縁性が確保できないことがある。
そこで、不導体層７の厚さは４μｍ以上に設定する必要
があるが、不導体層７の厚さを正確に制御することは極
めて困難であるため、図５に示すように、不良品の半導
体集積回路素子の検査用電極２の上に不導体層７が盛り
上がって形成されることがある。このため、不導体層７
が形成されている検査用電極２の近傍に位置する検査用
電極２とバンプ６とが電気的に接続されないことがあ
る。従って、従来の半導体集積回路の検査方法による
と、全ての良品の半導体集積回路素子に対して確実にバ
ーンインを行なうことができないという第１の問題があ
る。
【００１０】また、前記従来の半導体集積回路の検査方
法は、検査用電極に塗布された液状の溶剤を硬化させて
絶縁膜を形成するので、絶縁膜を形成する工程に多大の
時間を要すると共に、液状の溶剤が硬化するまでに良品
の半導体集積回路素子の検査用電極に流動し、良品の半
導体集積回路素子の検査用電極とプローブシートのバン
プとの電気的導通を損なわせることがあるため、やは
り、全ての良品の半導体集積回路素子に対して確実にバ
ーンインを行なうことができないという第２の問題があ
る。
法は、検査用電極に塗布された液状の溶剤を硬化させて
絶縁膜を形成するので、絶縁膜を形成する工程に多大の
時間を要すると共に、液状の溶剤が硬化するまでに良品
の半導体集積回路素子の検査用電極に流動し、良品の半
導体集積回路素子の検査用電極とプローブシートのバン
プとの電気的導通を損なわせることがあるため、やは
り、全ての良品の半導体集積回路素子に対して確実にバ
ーンインを行なうことができないという第２の問題があ
る。
【００１１】前記に鑑み、本発明は、全ての良品の半導
体集積回路素子に対して確実にバーンインを行なうこと
ができるようにすることを目的とする。
体集積回路素子に対して確実にバーンインを行なうこと
ができるようにすることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体集積
回路の検査方法は、それぞれが複数の検査用電極を有す
る複数の半導体集積回路素子が形成された半導体ウェハ
に、複数の検査用電極と対応する位置にそれぞれプロー
ブ端子を有するコンタクタを接触させて、複数の半導体
集積回路素子に対して一括してバーンインを行なう半導
体集積回路の検査方法を対象とし、複数の半導体集積回
路素子の電気的特性の良否を判定する素子良否判定工程
と、素子良否判定工程において電気的特性が不良である
と判定された不良品半導体集積回路素子上における検査
用電極が形成されていない領域において絶縁性樹脂の供
給を開始し、不良品半導体集積回路素子の複数の検査用
電極上に架けて連続して絶縁性樹脂を塗布し、不良品半
導体集積回路素子上における検査用電極が形成されてい
ない領域において絶縁性樹脂の供給を終了し、その後、
塗布された絶縁性樹脂を硬化させて、不良品半導体集積
回路素子の複数の検査用電極の上に絶縁性樹脂よりなる
絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、半導体ウェハにコ
ンタクタを接触させた後、素子良否判定工程において電
気的特性が良であると判定された良品半導体集積回路素
子の複数の検査用電極に共通の電源線又は共通の信号線
から電圧又は信号を印加してバーンインを行なうバーン
イン工程とを備えている。
回路の検査方法は、それぞれが複数の検査用電極を有す
る複数の半導体集積回路素子が形成された半導体ウェハ
に、複数の検査用電極と対応する位置にそれぞれプロー
ブ端子を有するコンタクタを接触させて、複数の半導体
集積回路素子に対して一括してバーンインを行なう半導
体集積回路の検査方法を対象とし、複数の半導体集積回
路素子の電気的特性の良否を判定する素子良否判定工程
と、素子良否判定工程において電気的特性が不良である
と判定された不良品半導体集積回路素子上における検査
用電極が形成されていない領域において絶縁性樹脂の供
給を開始し、不良品半導体集積回路素子の複数の検査用
電極上に架けて連続して絶縁性樹脂を塗布し、不良品半
導体集積回路素子上における検査用電極が形成されてい
ない領域において絶縁性樹脂の供給を終了し、その後、
塗布された絶縁性樹脂を硬化させて、不良品半導体集積
回路素子の複数の検査用電極の上に絶縁性樹脂よりなる
絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、半導体ウェハにコ
ンタクタを接触させた後、素子良否判定工程において電
気的特性が良であると判定された良品半導体集積回路素
子の複数の検査用電極に共通の電源線又は共通の信号線
から電圧又は信号を印加してバーンインを行なうバーン
イン工程とを備えている。
【００１３】本発明に係る半導体集積回路の検査方法に
よると、不良品半導体集積回路素子上における検査用電
極が形成されていない領域において絶縁性樹脂の供給を
開始すると共に、不良品半導体集積回路素子上における
検査用電極が形成されていない領域において絶縁性樹脂
の供給を終了するため、絶縁性樹脂の供給開始直後及び
供給終了直前に多量の絶縁性樹脂が半導体集積回路素子
上に付着しても、多量の絶縁性樹脂が付着するのは半導
体集積回路素子におけるプローブ端子と対向しない塗布
開始部及び塗布終了部であって、半導体集積回路素子に
おけるプローブ端子と対向する検査用電極には多量の絶
縁性樹脂が付着しない。
よると、不良品半導体集積回路素子上における検査用電
極が形成されていない領域において絶縁性樹脂の供給を
開始すると共に、不良品半導体集積回路素子上における
検査用電極が形成されていない領域において絶縁性樹脂
の供給を終了するため、絶縁性樹脂の供給開始直後及び
供給終了直前に多量の絶縁性樹脂が半導体集積回路素子
上に付着しても、多量の絶縁性樹脂が付着するのは半導
体集積回路素子におけるプローブ端子と対向しない塗布
開始部及び塗布終了部であって、半導体集積回路素子に
おけるプローブ端子と対向する検査用電極には多量の絶
縁性樹脂が付着しない。
【００１４】本発明に係る半導体集積回路の検査方法に
おいて、絶縁膜形成工程は、複数の検査用電極上の絶縁
性樹脂の膜厚が平坦になるように、絶縁性樹脂を供給す
る工程を含むことが好ましい。
おいて、絶縁膜形成工程は、複数の検査用電極上の絶縁
性樹脂の膜厚が平坦になるように、絶縁性樹脂を供給す
る工程を含むことが好ましい。
【００１５】本発明に係る半導体集積回路の検査方法に
おいて、絶縁膜形成工程は、複数の検査用電極上の絶縁
性樹脂の膜厚が４〜７[μｍ]になるように、絶縁性樹脂
を供給する工程を含むことが好ましい。
おいて、絶縁膜形成工程は、複数の検査用電極上の絶縁
性樹脂の膜厚が４〜７[μｍ]になるように、絶縁性樹脂
を供給する工程を含むことが好ましい。
【００１６】本発明に係る半導体集積回路の検査方法に
おいて、絶縁膜形成工程は、複数の検査用電極上の絶縁
性樹脂の塗布高さが、検査用電極が形成されていない領
域における絶縁性樹脂の塗布高さよりも小さくなるよう
に、絶縁性樹脂を供給する工程を含むことが好ましい。
おいて、絶縁膜形成工程は、複数の検査用電極上の絶縁
性樹脂の塗布高さが、検査用電極が形成されていない領
域における絶縁性樹脂の塗布高さよりも小さくなるよう
に、絶縁性樹脂を供給する工程を含むことが好ましい。
【００１７】本発明に係る半導体集積回路の検査装置
は、それぞれが複数の検査用電極を有する複数の半導体
集積回路素子が形成された半導体ウェハに、複数の検査
用電極と対応する位置にそれぞれプローブ端子を有する
コンタクタを接触させて、複数の半導体集積回路素子に
対して一括してバーンインを行なうバーンイン手段と、
複数の半導体集積回路素子の電気的特性の良否を判定す
る素子良否判定手段と、素子良否判定手段により電気的
特性が不良であると判定された不良品半導体集積回路素
子上における検査用電極が形成されていない領域におい
て絶縁性樹脂の供給を開始し、不良品半導体集積回路素
子の複数の検査用電極上に架けて連続して絶縁性樹脂を
塗布し、不良品半導体集積回路素子上における検査用電
極が形成されていない領域において絶縁性樹脂の供給を
終了する樹脂塗布手段とを備えている。
は、それぞれが複数の検査用電極を有する複数の半導体
集積回路素子が形成された半導体ウェハに、複数の検査
用電極と対応する位置にそれぞれプローブ端子を有する
コンタクタを接触させて、複数の半導体集積回路素子に
対して一括してバーンインを行なうバーンイン手段と、
複数の半導体集積回路素子の電気的特性の良否を判定す
る素子良否判定手段と、素子良否判定手段により電気的
特性が不良であると判定された不良品半導体集積回路素
子上における検査用電極が形成されていない領域におい
て絶縁性樹脂の供給を開始し、不良品半導体集積回路素
子の複数の検査用電極上に架けて連続して絶縁性樹脂を
塗布し、不良品半導体集積回路素子上における検査用電
極が形成されていない領域において絶縁性樹脂の供給を
終了する樹脂塗布手段とを備えている。
【００１８】本発明に係る半導体集積回路の検査装置に
よると、樹脂塗布手段は、不良品半導体集積回路素子上
における検査用電極が形成されていない領域において絶
縁性樹脂の供給を開始すると共に、不良品半導体集積回
路素子上における検査用電極が形成されていない領域に
おいて絶縁性樹脂の供給を終了するため、絶縁性樹脂の
供給開始直後及び供給終了直前に多量の絶縁性樹脂が半
導体集積回路素子上に付着しても、多量の絶縁性樹脂が
付着するのは半導体集積回路素子におけるプローブ端子
と対向しない塗布開始部及び塗布終了部であって、半導
体集積回路素子におけるプローブ端子と対向する検査用
電極には多量の絶縁性樹脂が付着しない。
よると、樹脂塗布手段は、不良品半導体集積回路素子上
における検査用電極が形成されていない領域において絶
縁性樹脂の供給を開始すると共に、不良品半導体集積回
路素子上における検査用電極が形成されていない領域に
おいて絶縁性樹脂の供給を終了するため、絶縁性樹脂の
供給開始直後及び供給終了直前に多量の絶縁性樹脂が半
導体集積回路素子上に付着しても、多量の絶縁性樹脂が
付着するのは半導体集積回路素子におけるプローブ端子
と対向しない塗布開始部及び塗布終了部であって、半導
体集積回路素子におけるプローブ端子と対向する検査用
電極には多量の絶縁性樹脂が付着しない。
【００１９】本発明に係る半導体集積回路の検査装置に
おいて、樹脂塗布手段は、複数の検査用電極上の絶縁性
樹脂の膜厚が平坦になるように、絶縁性樹脂を供給する
ことが好ましい。
おいて、樹脂塗布手段は、複数の検査用電極上の絶縁性
樹脂の膜厚が平坦になるように、絶縁性樹脂を供給する
ことが好ましい。
【００２０】本発明に係る半導体集積回路の検査装置に
おいて、樹脂塗布手段は、複数の検査用電極上の絶縁性
樹脂の膜厚が４〜７[μｍ]になるように、絶縁性樹脂を
供給することが好ましい。
おいて、樹脂塗布手段は、複数の検査用電極上の絶縁性
樹脂の膜厚が４〜７[μｍ]になるように、絶縁性樹脂を
供給することが好ましい。
【００２１】本発明に係る半導体集積回路の検査装置に
おいて、樹脂塗布手段は、複数の検査用電極上の絶縁樹
脂の塗布高さが、検査用電極が形成されていない領域に
おける絶縁樹脂の塗布高さよりも小さくなるように、絶
縁樹脂を塗布することが好ましい。
おいて、樹脂塗布手段は、複数の検査用電極上の絶縁樹
脂の塗布高さが、検査用電極が形成されていない領域に
おける絶縁樹脂の塗布高さよりも小さくなるように、絶
縁樹脂を塗布することが好ましい。
【００２２】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体集積回路
の検査方法に用いる絶縁性樹脂塗布装置を示しており、
該絶縁性樹脂塗布装置は、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸方向に移
動可能な移動テーブル１０を有している。移動テーブル
１０の上には、後述する素子良否判定工程において、電
気的特性の検査が完了し、半導体集積回路素子の良否の
判定が行なわれた半導体ウェハ１１が載置されている。
移動テーブル１０には、該移動テーブル１０をＸ軸方向
に移動させる第１の駆動手段１２、Ｙ軸方向に移動させ
る第２の駆動手段１３、Ｚ方向に移動させる第３の駆動
手段１４がそれぞれ設けられており、これら第１〜第３
の駆動手段１２〜１４はコントローラ１５からの駆動信
号に基づき移動テーブル１０をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向に
それぞれ所定量だけ移動させる。
の検査方法に用いる絶縁性樹脂塗布装置を示しており、
該絶縁性樹脂塗布装置は、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸方向に移
動可能な移動テーブル１０を有している。移動テーブル
１０の上には、後述する素子良否判定工程において、電
気的特性の検査が完了し、半導体集積回路素子の良否の
判定が行なわれた半導体ウェハ１１が載置されている。
移動テーブル１０には、該移動テーブル１０をＸ軸方向
に移動させる第１の駆動手段１２、Ｙ軸方向に移動させ
る第２の駆動手段１３、Ｚ方向に移動させる第３の駆動
手段１４がそれぞれ設けられており、これら第１〜第３
の駆動手段１２〜１４はコントローラ１５からの駆動信
号に基づき移動テーブル１０をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向に
それぞれ所定量だけ移動させる。
【００２３】移動テーブル１０の上に載置された半導体
ウェハ１１の上方には、該半導体ウェハ１１の検査用電
極に、光硬化型の絶縁性樹脂、例えば紫外線硬化型の絶
縁性樹脂（一例として、グレースジャパン社製：ＵＶ３
００が挙げられる。）を供給するシリンジ１６が配置さ
れており、該シリンジ１６の基部は絶縁性樹脂をシリン
ジ１６に供給するディスペンサ１７に接続されている。
また、ディスペンサ１７はコントローラ１５に接続され
ており、該コントローラ１５からの制御信号に基づき、
シリンジ１６は半導体ウェハ１１の検査用電極に絶縁性
樹脂を供給する。
ウェハ１１の上方には、該半導体ウェハ１１の検査用電
極に、光硬化型の絶縁性樹脂、例えば紫外線硬化型の絶
縁性樹脂（一例として、グレースジャパン社製：ＵＶ３
００が挙げられる。）を供給するシリンジ１６が配置さ
れており、該シリンジ１６の基部は絶縁性樹脂をシリン
ジ１６に供給するディスペンサ１７に接続されている。
また、ディスペンサ１７はコントローラ１５に接続され
ており、該コントローラ１５からの制御信号に基づき、
シリンジ１６は半導体ウェハ１１の検査用電極に絶縁性
樹脂を供給する。
【００２４】これらの構成により、第１及び第２の駆動
手段１２、１３を駆動させて、半導体ウェハ１１の所定
部位がシリンジ１６の先端の針の直下になるように、移
動テーブル１０を移動した後、第３の駆動手段１４を駆
動させて、半導体ウェハ１１の所定部位とシリンジ１６
の先端の針との距離が３．０μｍ程度になるように、移
動テーブル１０を上昇させる。その後、コントローラ１
５からの制御信号により、シリンジ１６から絶縁性樹脂
が、供給時間：６００ｍＳ及び停止時間：７００ｍＳ毎
に断続して半導体ウェハ１１の所定部位に供給される。
このようにすると、半導体ウェハ１１上に、適当な厚さ
例えば４μｍ〜７μｍの厚さを有する連続する絶縁性樹
脂が形成される。
手段１２、１３を駆動させて、半導体ウェハ１１の所定
部位がシリンジ１６の先端の針の直下になるように、移
動テーブル１０を移動した後、第３の駆動手段１４を駆
動させて、半導体ウェハ１１の所定部位とシリンジ１６
の先端の針との距離が３．０μｍ程度になるように、移
動テーブル１０を上昇させる。その後、コントローラ１
５からの制御信号により、シリンジ１６から絶縁性樹脂
が、供給時間：６００ｍＳ及び停止時間：７００ｍＳ毎
に断続して半導体ウェハ１１の所定部位に供給される。
このようにすると、半導体ウェハ１１上に、適当な厚さ
例えば４μｍ〜７μｍの厚さを有する連続する絶縁性樹
脂が形成される。
【００２５】以下、第１の実施形態に係る半導体集積回
路の検査方法及び検査装置について説明する。
路の検査方法及び検査装置について説明する。
【００２６】まず、素子良否判定工程において、半導体
ウェハ上に形成されている全ての半導体集積回路素子に
対して電気的特性の良否の検査を行なって、各半導体集
積回路素子が良品であるか又は不良品であるかを判定す
る。
ウェハ上に形成されている全ての半導体集積回路素子に
対して電気的特性の良否の検査を行なって、各半導体集
積回路素子が良品であるか又は不良品であるかを判定す
る。
【００２７】次に、絶縁膜形成工程において、不良品で
あると判定された半導体集積回路素子の検査用電極の上
に図１で示した絶縁性樹脂塗布装置を用いて絶縁膜を形
成する方法について説明する。
あると判定された半導体集積回路素子の検査用電極の上
に図１で示した絶縁性樹脂塗布装置を用いて絶縁膜を形
成する方法について説明する。
【００２８】図２は、不良品の半導体集積回路素子２１
の検査用電極２２に絶縁性樹脂２３を塗布する方法を示
しており、不良品の半導体集積回路素子２１の上におけ
る検査用電極２２が形成されていない領域である塗布開
始部２３ａにおいて絶縁性樹脂２３を供給し始め、その
後、移動テーブル１０を移動させることにより、絶縁性
樹脂２３を検査用電極２２の上に連続して帯状に塗布し
た後、不良品の半導体集積回路素子２１の上における検
査用電極２２が形成されていない領域である塗布終了部
２３ｂにおいて絶縁性樹脂２３の供給を停止する。
の検査用電極２２に絶縁性樹脂２３を塗布する方法を示
しており、不良品の半導体集積回路素子２１の上におけ
る検査用電極２２が形成されていない領域である塗布開
始部２３ａにおいて絶縁性樹脂２３を供給し始め、その
後、移動テーブル１０を移動させることにより、絶縁性
樹脂２３を検査用電極２２の上に連続して帯状に塗布し
た後、不良品の半導体集積回路素子２１の上における検
査用電極２２が形成されていない領域である塗布終了部
２３ｂにおいて絶縁性樹脂２３の供給を停止する。
【００２９】次に、バーンイン工程において、図３に示
すように、不良品である半導体集積回路素子２１の検査
用電極２２の上に絶縁性樹脂２３が塗布された半導体ウ
ェハ２０に対して、配線基板２４に異方性導電ゴムシー
ト２５を介して保持されたポリイミドシート２６に設け
られたバンプ２７を有するコンタクタとしてプローブシ
ートを接触させた後、良品の半導体集積回路素子２１の
検査用電極２２に共通の電源線又は共通の信号線から電
圧又は信号を印加して、良品の半導体集積回路素子２１
に対して一括してバーンインを行なう。このバーンイン
工程において用いるコンタクタは特に限定されず、特開
平７−１６９８０６号公報及び特開平８−５６６６号公
報等において示されているプローブカードやプローブシ
ート等を適宜用いることができる。
すように、不良品である半導体集積回路素子２１の検査
用電極２２の上に絶縁性樹脂２３が塗布された半導体ウ
ェハ２０に対して、配線基板２４に異方性導電ゴムシー
ト２５を介して保持されたポリイミドシート２６に設け
られたバンプ２７を有するコンタクタとしてプローブシ
ートを接触させた後、良品の半導体集積回路素子２１の
検査用電極２２に共通の電源線又は共通の信号線から電
圧又は信号を印加して、良品の半導体集積回路素子２１
に対して一括してバーンインを行なう。このバーンイン
工程において用いるコンタクタは特に限定されず、特開
平７−１６９８０６号公報及び特開平８−５６６６号公
報等において示されているプローブカードやプローブシ
ート等を適宜用いることができる。
【００３０】第１の実施形態においては、紫外線硬化型
の絶縁性樹脂２３を塗布するようにしたため、塗布され
た絶縁性樹脂２３に紫外線を照射することによって、絶
縁性樹脂２３を数秒間で硬化させることができる。半導
体集積回路の微細化に伴って、検査用電極２２同士の間
隔も極めて小さくなっているので、熱硬化型の絶縁性樹
脂を用いる場合には、半導体ウェハを熱処理炉に投入す
る時間及び半導体ウェハの温度が上昇する時間等におい
て、絶縁性樹脂が良品の半導体集積回路素子の検査用電
極に流動してしまう恐れがあるが、第１の実施形態によ
ると、極めて短時間で絶縁性樹脂２３を硬化させること
ができるので、絶縁性樹脂２３を硬化させる工程に要す
る時間を大きく短縮できると共に、良品の半導体集積回
路素子２１の検査用電極２２が絶縁性樹脂が付着して不
導電性化する事態を避けることができる。
の絶縁性樹脂２３を塗布するようにしたため、塗布され
た絶縁性樹脂２３に紫外線を照射することによって、絶
縁性樹脂２３を数秒間で硬化させることができる。半導
体集積回路の微細化に伴って、検査用電極２２同士の間
隔も極めて小さくなっているので、熱硬化型の絶縁性樹
脂を用いる場合には、半導体ウェハを熱処理炉に投入す
る時間及び半導体ウェハの温度が上昇する時間等におい
て、絶縁性樹脂が良品の半導体集積回路素子の検査用電
極に流動してしまう恐れがあるが、第１の実施形態によ
ると、極めて短時間で絶縁性樹脂２３を硬化させること
ができるので、絶縁性樹脂２３を硬化させる工程に要す
る時間を大きく短縮できると共に、良品の半導体集積回
路素子２１の検査用電極２２が絶縁性樹脂が付着して不
導電性化する事態を避けることができる。
【００３１】また、第１の実施形態においては、絶縁性
樹脂２３を不良品の半導体集積回路素子２１の複数の検
査用電極２２に跨って連続的に供給して帯状に塗布する
ため、不良品の半導体集積回路素子２１の複数の検査用
電極２２のうち、いずれの検査用電極２２を絶縁する
と、電気的短絡が避けられるのかを検出する工程、及
び、いずれの検査用電極２２に絶縁性樹脂を塗布するべ
きかを制御する工程を省略できる。また、絶縁性樹脂２
３を塗布する検査用電極２２毎に、移動テーブル１０を
上昇する工程及びシリンジ１６から絶縁性樹脂２３を供
給する工程を省略できる。このため、各検査用電極２２
に個別に絶縁性樹脂２３を供給する場合に比べて、絶縁
性樹脂２３を塗布する工程を大きく簡略化することがで
きる。
樹脂２３を不良品の半導体集積回路素子２１の複数の検
査用電極２２に跨って連続的に供給して帯状に塗布する
ため、不良品の半導体集積回路素子２１の複数の検査用
電極２２のうち、いずれの検査用電極２２を絶縁する
と、電気的短絡が避けられるのかを検出する工程、及
び、いずれの検査用電極２２に絶縁性樹脂を塗布するべ
きかを制御する工程を省略できる。また、絶縁性樹脂２
３を塗布する検査用電極２２毎に、移動テーブル１０を
上昇する工程及びシリンジ１６から絶縁性樹脂２３を供
給する工程を省略できる。このため、各検査用電極２２
に個別に絶縁性樹脂２３を供給する場合に比べて、絶縁
性樹脂２３を塗布する工程を大きく簡略化することがで
きる。
【００３２】また、図４に示すように、絶縁性樹脂２３
の塗布開始時刻の直後及び塗布終了時刻の直前において
は、帯状に連続的に塗布する時間帯に比べて、シリンジ
１６から絶縁性樹脂２３が多量に供給されるので、絶縁
性樹脂２３が表面張力によって盛り上がってしまう。そ
こで、第１の実施形態においては、不良品の半導体集積
回路素子２１の上における検査用電極２２が形成されて
いない領域である塗布開始部２３ａ及び塗布終了部２３
ｂで、絶縁性樹脂２３の塗布の開始及び終了を行なって
いる。このため、図３に示すように、検査用電極２２の
上に塗布される絶縁性樹脂２３の膜厚がほぼ平坦になる
ので、つまり、検査用電極２２の上に塗布される絶縁性
樹脂２３が盛り上がらないので、絶縁性樹脂２３が塗布
された不良品の半導体集積回路素子の検査用電極２２の
近傍に位置する良品の半導体集積回路素子の検査用電極
２２は、プローブシートのバンプ２７と電気的に確実に
接続される。従って、全ての良品の半導体集積回路素子
に対して確実にバーンインを行なうことができる。
の塗布開始時刻の直後及び塗布終了時刻の直前において
は、帯状に連続的に塗布する時間帯に比べて、シリンジ
１６から絶縁性樹脂２３が多量に供給されるので、絶縁
性樹脂２３が表面張力によって盛り上がってしまう。そ
こで、第１の実施形態においては、不良品の半導体集積
回路素子２１の上における検査用電極２２が形成されて
いない領域である塗布開始部２３ａ及び塗布終了部２３
ｂで、絶縁性樹脂２３の塗布の開始及び終了を行なって
いる。このため、図３に示すように、検査用電極２２の
上に塗布される絶縁性樹脂２３の膜厚がほぼ平坦になる
ので、つまり、検査用電極２２の上に塗布される絶縁性
樹脂２３が盛り上がらないので、絶縁性樹脂２３が塗布
された不良品の半導体集積回路素子の検査用電極２２の
近傍に位置する良品の半導体集積回路素子の検査用電極
２２は、プローブシートのバンプ２７と電気的に確実に
接続される。従って、全ての良品の半導体集積回路素子
に対して確実にバーンインを行なうことができる。
【００３３】尚、第１の実施形態においては、光硬化型
の絶縁性樹脂２３を不良品の半導体集積回路素子２１の
検査用電極２２に塗布したが、これに代えて、熱硬化型
又は揮発性の絶縁性樹脂を塗布してもよい。熱硬化型又
は揮発性の絶縁性樹脂は硬化するまでに流動する恐れが
あるが、半導体集積回路素子２１の検査用電極２２から
離れた塗布開始部２３ａ又は塗布終了部２３ｂにおい
て、絶縁性樹脂２３の塗布開始又は塗布終了を行なう
と、良品の半導体集積回路素子２１の検査用電極２２に
絶縁性樹脂２３が付着する恐れが解消する。
の絶縁性樹脂２３を不良品の半導体集積回路素子２１の
検査用電極２２に塗布したが、これに代えて、熱硬化型
又は揮発性の絶縁性樹脂を塗布してもよい。熱硬化型又
は揮発性の絶縁性樹脂は硬化するまでに流動する恐れが
あるが、半導体集積回路素子２１の検査用電極２２から
離れた塗布開始部２３ａ又は塗布終了部２３ｂにおい
て、絶縁性樹脂２３の塗布開始又は塗布終了を行なう
と、良品の半導体集積回路素子２１の検査用電極２２に
絶縁性樹脂２３が付着する恐れが解消する。
【００３４】
【発明の効果】本発明に係る半導体集積回路の検査方法
又は半導体集積回路の検査装置によると、絶縁性樹脂の
供給開始直後及び供給終了直前に多量の絶縁性樹脂が半
導体集積回路素子上に付着しても、多量の絶縁性樹脂が
付着するのは半導体集積回路素子におけるプローブ端子
と対向しない塗布開始部及び塗布終了部であって、半導
体集積回路素子におけるプローブ端子と対向する検査用
電極には多量の絶縁性樹脂が付着しないため、不良品半
導体集積回路素子の近傍に位置する良品半導体集積回路
素子の検査用電極とコンタクタのプローブ端子とが確実
に接続されるので、全ての良品半導体集積回路素子の検
査用電極に共通の電源線又は共通の信号線から電圧又は
信号を印加して確実にバーンインを行なうことができ
る。
又は半導体集積回路の検査装置によると、絶縁性樹脂の
供給開始直後及び供給終了直前に多量の絶縁性樹脂が半
導体集積回路素子上に付着しても、多量の絶縁性樹脂が
付着するのは半導体集積回路素子におけるプローブ端子
と対向しない塗布開始部及び塗布終了部であって、半導
体集積回路素子におけるプローブ端子と対向する検査用
電極には多量の絶縁性樹脂が付着しないため、不良品半
導体集積回路素子の近傍に位置する良品半導体集積回路
素子の検査用電極とコンタクタのプローブ端子とが確実
に接続されるので、全ての良品半導体集積回路素子の検
査用電極に共通の電源線又は共通の信号線から電圧又は
信号を印加して確実にバーンインを行なうことができ
る。
【図１】第１の実施形態に係る半導体集積回路の検査方
法に用いる絶縁性樹脂塗布装置の斜視図である。
法に用いる絶縁性樹脂塗布装置の斜視図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体集積回路の検査方
法における絶縁膜形成工程を示す平面図である。
法における絶縁膜形成工程を示す平面図である。
【図３】第１の実施形態に係る半導体集積回路の検査方
法におけるバーンイン工程を示す断面図である。
法におけるバーンイン工程を示す断面図である。
【図４】第１の実施形態に係る半導体集積回路の検査方
法の絶縁膜形成工程における塗布開始部及び塗布終了部
の塗布高さを示す特性図である。
法の絶縁膜形成工程における塗布開始部及び塗布終了部
の塗布高さを示す特性図である。
【図５】従来の半導体集積回路の検査方法の問題点を説
明する断面図である。
明する断面図である。
１０ 移動テーブル
１１ 半導体ウェハ
１２ 第１の駆動手段
１３ 第２の駆動手段
１４ 第３の駆動手段
１５ コントローラ
１６ シリンジ
１７ ディスペンサ
２０ 半導体ウェハ
２１ 半導体集積回路素子
２２ 検査用電極
２３ 絶縁性樹脂
２３ａ 塗布開始部
２３ｂ 塗布終了部
２４ 配線基板
２５ 異方性導電ゴムシート
２６ ポリイミドシート
２７ バンプ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平７−169806（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/66
G01R 31/26
Claims (8)
- 【請求項１】 それぞれが複数の検査用電極を有する複
数の半導体集積回路素子が形成された半導体ウェハに、
前記複数の検査用電極と対応する位置にそれぞれプロー
ブ端子を有するコンタクタを接触させて、前記複数の半
導体集積回路素子に対して一括してバーンインを行なう
半導体集積回路の検査方法であって、 前記複数の半導体集積回路素子の電気的特性の良否を判
定する素子良否判定工程と、 前記素子良否判定工程において電気的特性が不良である
と判定された不良品半導体集積回路素子上における前記
検査用電極が形成されていない領域において絶縁性樹脂
の供給を開始し、前記不良品半導体集積回路素子の前記
複数の検査用電極上に架けて連続して前記絶縁性樹脂を
塗布し、前記不良品半導体集積回路素子上における前記
検査用電極が形成されていない領域において前記絶縁性
樹脂の供給を終了し、その後、塗布された前記絶縁性樹
脂を硬化させて、前記不良品半導体集積回路素子の前記
複数の検査用電極の上に前記絶縁性樹脂よりなる絶縁膜
を形成する絶縁膜形成工程と、 前記半導体ウェハに前記コンタクタを接触させた後、前
記素子良否判定工程において電気的特性が良であると判
定された良品半導体集積回路素子の前記複数の検査用電
極に共通の電源線又は共通の信号線から電圧又は信号を
印加してバーンインを行なうバーンイン工程とを備えて
いることを特徴とする半導体集積回路の検査方法。 - 【請求項２】 前記絶縁膜形成工程は、前記複数の検査
用電極上の前記絶縁性樹脂の膜厚が平坦になるように、
前記絶縁性樹脂を供給する工程を含むことを特徴とする
請求項１に記載の半導体集積回路の検査方法。 - 【請求項３】 前記絶縁膜形成工程は、前記複数の検査
用電極上の前記絶縁性樹脂の膜厚が４〜７[μｍ]になる
ように、前記絶縁性樹脂を供給する工程を含むことを特
徴とする請求項１に記載の半導体集積回路の検査方法。 - 【請求項４】 前記絶縁膜形成工程は、前記複数の検査
用電極上の前記絶縁性樹脂の塗布高さが、前記検査用電
極が形成されていない領域における前記絶縁性樹脂の塗
布高さよりも小さくなるように、前記絶縁性樹脂を供給
する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導
体集積回路の検査方法。 - 【請求項５】 それぞれが複数の検査用電極を有する複
数の半導体集積回路素子が形成された半導体ウェハに、
前記複数の検査用電極と対応する位置にそれぞれプロー
ブ端子を有するコンタクタを接触させて、前記複数の半
導体集積回路素子に対して一括してバーンインを行なう
バーンイン手段と、 前記複数の半導体集積回路素子の電気的特性の良否を判
定する素子良否判定手段と、 前記素子良否判定手段により電気的特性が不良であると
判定された不良品半導体集積回路素子上における前記検
査用電極が形成されていない領域において絶縁性樹脂の
供給を開始し、前記不良品半導体集積回路素子の前記複
数の検査用電極上に架けて連続して前記絶縁性樹脂を塗
布し、前記不良品半導体集積回路素子上における前記検
査用電極が形成されていない領域において前記絶縁性樹
脂の供給を終了する樹脂塗布手段とを備えていることを
特徴とする半導体集積回路の検査装置。 - 【請求項６】 前記樹脂塗布手段は、前記複数の検査用
電極上の前記絶縁性樹脂の膜厚が平坦になるように、前
記絶縁性樹脂を供給することを特徴とする請求項５に記
載の半導体集積回路の検査装置。 - 【請求項７】 前記樹脂塗布手段は、前記複数の検査用
電極上の前記絶縁性樹脂の膜厚が４〜７[μｍ]になるよ
うに、前記絶縁性樹脂を供給することを特徴とする請求
項５に記載の半導体集積回路の検査装置。 - 【請求項８】 前記樹脂塗布手段は、前記複数の検査用
電極上の前記絶縁樹脂の塗布高さが、前記検査用電極が
形成されていない領域における前記絶縁樹脂の塗布高さ
よりも小さくなるように、前記絶縁樹脂を塗布すること
を特徴とする請求項５に記載の半導体集積回路の検査装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08478297A JP3467374B2 (ja) | 1997-04-03 | 1997-04-03 | 半導体集積回路の検査方法及び半導体集積回路の検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08478297A JP3467374B2 (ja) | 1997-04-03 | 1997-04-03 | 半導体集積回路の検査方法及び半導体集積回路の検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10284555A JPH10284555A (ja) | 1998-10-23 |
| JP3467374B2 true JP3467374B2 (ja) | 2003-11-17 |
Family
ID=13840275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08478297A Expired - Fee Related JP3467374B2 (ja) | 1997-04-03 | 1997-04-03 | 半導体集積回路の検査方法及び半導体集積回路の検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3467374B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2006025140A1 (ja) * | 2004-09-02 | 2008-05-08 | 松下電器産業株式会社 | 半導体集積回路装置およびその検査方法、半導体ウエハ、およびバーンイン検査装置 |
| JP5379527B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2013-12-25 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
| JP5721593B2 (ja) * | 2011-09-12 | 2015-05-20 | 積水化学工業株式会社 | 接続構造体の製造方法 |
-
1997
- 1997-04-03 JP JP08478297A patent/JP3467374B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10284555A (ja) | 1998-10-23 |
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