JPH10284555A - 半導体集積回路の検査方法及び半導体集積回路の検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェハ上に形成された複数の半導体集
積回路素子の検査用電極に共通の電源線又は共通の信号
線から電圧又は信号を印加して、複数の半導体集積回路
素子に対して一括してバーンインを行なう場合に、全て
の良品の半導体集積回路素子に対して確実にバーンイン
を行なえるようにする。 【解決手段】 半導体ウェハ２０上に形成された各半導
体集積回路素子が良品であるか又は不良品であるかを判
定した後、不良品の半導体集積回路素子の上における検
査用電極２２が形成されていない塗布開始部２３ａにお
いて、紫外線硬化型の絶縁性樹脂２３を供給し始め、不
良品の半導体集積回路素子の複数の検査用電極２２の上
を経由して、不良品の半導体集積回路素子の上における
検査用電極２２が形成されていない塗布終了部２３ｂに
おいて絶縁性樹脂２３の供給を停止する。塗布された絶
縁性樹脂２３に紫外線を照射して硬化させた後、良品の
半導体集積回路素子の検査用電極２２とプローブシート
のバンプ２７とを接続してバーンインを行なう。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハに形
成された複数の半導体集積回路素子に対して一括してバ
ーンインを行なう半導体集積回路の検査方法及び検査装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体集積回路装置は、半導体集
積回路素子とリードフレームとがボンディングワイヤに
よって電気的に接続された後、半導体集積回路素子とリ
ードフレームのリードとが樹脂又はセラミックスにより
封止された状態で供給されて、プリント基板に実装され
る。

【０００３】ところが、電子機器の小型化及び低価格化
の要求から、半導体集積回路装置を半導体ウェハから切
り出したままのベアチップ状態で回路基板に実装する方
法が開発されており、品質が保証されたベアチップを低
価格で供給することが望まれている。ベアチップに対し
て品質保証を行なうためには、一の半導体ウェハ上に形
成された複数の半導体集積回路素子に対して一括してバ
ーンインを行なうことが低コスト化の点で好ましい。

【０００４】このため、半導体ウェハ上に形成された複
数の半導体集積回路素子の各検査用電極と接続されるプ
ローブ端子を有するコンタクタを用いて、半導体ウェハ
上に形成された複数の半導体集積回路素子に対してウェ
ハ状態で一括してバーンインを行なう検査方法が知られ
ている。この場合、複数の半導体集積回路素子の各検査
用電極に対して、電源電圧、接地電圧又は信号を印加す
る必要があるが、複数の半導体集積回路素子の各検査用
電極に電源電圧、接地電圧又は信号を個別に印加しよう
とすると、著しく多数の配線をコンタクト上又は半導体
ウェハ上に引き回さなければならなくなるので、現実的
ではない。

【０００５】そこで、コンタクタ上又は半導体ウェハ上
に共通の電源電圧線、接地電圧線又は信号線（以下、こ
れらを共通配線と総称する。）を設けておき、該共通配
線と各検査用電極とを電気的に接続することにより、著
しく多数の配線を引き回す事態を避ける方法が提案され
た。

【０００６】ところが、コンタクタ上又は半導体ウェハ
上に共通配線を設けると、内部において電気的に短絡し
ている不良の半導体集積回路素子が存在すると、例え
ば、共通の電源電圧線と共通の接地電圧線と、又は共通
の電源電圧線と共通の信号線とが不良の半導体集積回路
素子を介して短絡してしまうことがある。

【０００７】そこで、特開平７−１６９８０６号公報に
示されるように、バーンインを行なう前に、各半導体集
積回路素子の電気的特性の検査を行ない、該検査により
不良品と判断された半導体集積回路素子の検査用電極に
液状の溶剤を塗布した後、該液状の溶剤を硬化させて、
不良の半導体集積回路素子の検査用電極の上に不導体層
を形成し、不良の半導体集積回路素子に電流が流れない
ようにして、全ての良品の半導体集積回路素子に対して
一括してバーンインを行なう半導体集積回路の検査方法
が提案されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記従来の
半導体集積回路の検査方法によって、不良の半導体集積
回路素子の検査用電極の上に不導体層を形成すると、以
下に説明するような問題がある。図７は、従来の半導体
集積回路の検査方法におけるバーンイン工程、すなわ
ち、半導体ウェハ１の上に形成された検査用電極２と、
配線基板３に異方性導電ゴムシート４を介して保持され
た絶縁性のポリイミドシート５に設けられたバンプ５と
を接続する工程を示している。尚、不良品の半導体集積
回路の検査用電極２の上には不導体層７が形成されてい
る。

【０００９】ところで、不良品の半導体集積回路素子の
検査用電極２の上に不導体層７を形成する場合、不導体
層７の厚さを４μｍ未満に設定すると、不導体層７の膜
厚が不安定になって絶縁性が確保できないことがある。
そこで、不導体層７の厚さは４μｍ以上に設定する必要
があるが、不導体層７の厚さを正確に制御することは極
めて困難であるため、図７に示すように、不良品の半導
体集積回路素子の検査用電極２の上に不導体層７が盛り
上がって形成されることがある。このため、不導体層７
が形成されている検査用電極２の近傍に位置する検査用
電極２とバンプ６とが電気的に接続されないことがあ
る。従って、従来の半導体集積回路の検査方法による
と、全ての良品の半導体集積回路素子に対して確実にバ
ーンインを行なうことができないという第１の問題があ
る。

【００１０】また、前記従来の半導体集積回路の検査方
法は、検査用電極に塗布された液状の溶剤を硬化させて
絶縁膜を形成するので、絶縁膜を形成する工程に多大の
時間を要すると共に、液状の溶剤が硬化するまでに良品
の半導体集積回路素子の検査用電極に流動し、良品の半
導体集積回路素子の検査用電極とプローブシートのバン
プとの電気的導通を損なわせることがあるため、やは
り、全ての良品の半導体集積回路素子に対して確実にバ
ーンインを行なうことができないという第２の問題があ
る。

【００１１】前記に鑑み、本発明は、全ての良品の半導
体集積回路素子に対して確実にバーンインを行なうこと
ができるようにすることを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明に係る第１の半導
体集積回路の検査方法は、それぞれが検査用電極を有す
る複数の半導体集積回路素子が形成された半導体ウェハ
に、検査用電極と対応する位置にプローブ端子を有する
コンタクタを接触させて、複数の半導体集積回路素子の
検査用電極に共通の電源線又は共通の信号線から電圧又
は信号を印加することにより、複数の半導体集積回路素
子に対して一括してバーンインを行なう半導体集積回路
の検査方法を対象とし、複数の半導体集積回路素子の電
気的特性の良否を判定する素子良否判定工程と、素子良
否判定工程において電気的特性が不良であると判定され
た不良品半導体集積回路素子の検査用電極に絶縁性の光
硬化型樹脂を塗布した後、塗布された光硬化型樹脂に光
を照射して、不良品半導体集積回路素子の検査用電極に
光硬化型樹脂よりなる絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程
と、半導体ウェハにコンタクタを接触させた後、素子良
否判定工程において電気的特性が良であると判定された
良品半導体集積回路素子の検査用電極に共通の電源線又
は共通の信号線から電圧又は信号を印加してバーンイン
を行なうバーンイン工程とを備えている。

【００１３】第１の半導体集積回路の検査方法による
と、素子良否判定工程において不良であると判定された
不良品半導体集積回路素子の検査用電極に絶縁性の光硬
化型樹脂を塗布した後、該光硬化型樹脂に光を照射して
絶縁膜を形成するため、絶縁性樹脂を塗布してから硬化
させるまでの時間を大きく短縮することができる。

【００１４】第１の半導体集積回路の検査方法におい
て、絶縁膜形成工程における光硬化型樹脂は紫外線硬化
型樹脂であり、絶縁膜形成工程において照射する光は紫
外線であることが好ましい。

【００１５】本発明に係る第２の半導体集積回路の検査
方法は、それぞれが検査用電極を有する複数の半導体集
積回路素子が形成された半導体ウェハに、検査用電極と
対応する位置にプローブ端子を有するコンタクタを接触
させて、複数の半導体集積回路素子の検査用電極に共通
の電源線又は共通の信号線から電圧又は信号を印加する
ことにより、複数の半導体集積回路素子に対して一括し
てバーンインを行なう半導体集積回路の検査方法を対象
とし、複数の半導体集積回路素子の電気的特性の良否を
判定する素子良否判定工程と、素子良否判定工程におい
て電気的特性が不良であると判定された不良品半導体集
積回路素子におけるプローブ端子と対向しない塗布開始
部に対して絶縁性樹脂の供給を開始した後、塗布開始部
から不良品半導体集積回路素子の検査用電極に架けて連
続して絶縁性樹脂を塗布し、その後、塗布された絶縁性
樹脂を硬化させて、不良品半導体集積回路素子の検査用
電極に絶縁性樹脂よりなる絶縁膜を形成する絶縁膜形成
工程と、半導体ウェハにコンタクタを接触させた後、素
子良否判定工程において電気的特性が良であると判定さ
れた良品半導体集積回路素子の検査用電極に共通の電源
線又は共通の信号線から電圧又は信号を印加してバーン
インを行なうバーンイン工程とを備えている。

【００１６】第２の半導体集積回路の検査方法による
と、不良品半導体集積回路素子におけるプローブ端子と
対向しない塗布開始部に対して絶縁性樹脂の供給を開始
した後、塗布開始部から不良品半導体集積回路素子の検
査用電極に架けて連続して絶縁性樹脂を塗布するため、
絶縁性樹脂の供給開始直後に多量の絶縁性樹脂が半導体
集積回路素子上に付着しても、多量の絶縁性樹脂が付着
するのは半導体集積回路素子におけるプローブ端子と対
向しない塗布開始部であって、半導体集積回路素子にお
けるプローブ端子と対向する検査用電極には多量の絶縁
性樹脂が付着しない。

【００１７】本発明に係る第３の半導体集積回路の検査
方法は、それぞれが検査用電極を有する複数の半導体集
積回路素子が形成された半導体ウェハに、検査用電極と
対応する位置にプローブ端子を有するコンタクタを接触
させて、複数の半導体集積回路素子の検査用電極に共通
の電源線又は共通の信号線から電圧又は信号を印加する
ことにより、複数の半導体集積回路素子に対して一括し
てバーンインを行なう半導体集積回路の検査方法を対象
とし、複数の半導体集積回路素子の電気的特性の良否を
判定する素子良否判定工程と、素子良否判定工程におい
て電気的特性が不良であると判定された不良品半導体集
積回路素子における検査用電極からプローブ端子と対向
しない塗布終了部に架けて連続して絶縁性樹脂を塗布し
た後、塗布終了部において絶縁性樹脂の供給を終了し、
その後、塗布された絶縁性樹脂を硬化させて、不良品半
導体集積回路素子の検査用電極に絶縁性樹脂よりなる絶
縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、半導体ウェハにコン
タクタを接触させた後、素子良否判定工程において電気
的特性が良であると判定された良品半導体集積回路素子
の検査用電極に共通の電源線又は共通の信号線から電圧
又は信号を印加してバーンインを行なうバーンイン工程
とを備えている。

【００１８】第３の半導体集積回路の検査方法による
と、不良品半導体集積回路素子における検査用電極から
プローブ端子と対向しない塗布終了部に架けて連続して
絶縁性樹脂を塗布した後、塗布終了部において絶縁性樹
脂の供給を終了するため、絶縁性樹脂の供給終了直前に
多量の絶縁性樹脂が半導体集積回路素子上に付着して
も、多量の絶縁性樹脂が付着するのは半導体集積回路素
子におけるプローブ端子と対向しない塗布終了部であっ
て、半導体集積回路素子におけるプローブ端子と対向す
る検査用電極には多量の絶縁性樹脂が付着しない。

【００１９】本発明に係る第４の半導体集積回路の検査
方法は、それぞれが検査用電極を有する複数の半導体集
積回路素子が形成された半導体ウェハに、検査用電極と
対応する位置にプローブ端子を有するコンタクタを接触
させて、複数の半導体集積回路素子の検査用電極に共通
の電源線又は共通の信号線から電圧又は信号を印加する
ことにより、複数の半導体集積回路素子に対して一括し
てバーンインを行なう半導体集積回路の検査方法を対象
とし、複数の半導体集積回路素子の電気的特性の良否を
判定する素子良否判定工程と、素子良否判定工程におい
て電気的特性が不良であると判定された不良品半導体集
積回路素子におけるプローブ端子と対向しない塗布開始
部に対して絶縁性樹脂の供給を開始した後、塗布開始部
から不良品半導体集積回路素子の検査用電極の上を経由
して不良品半導体集積回路素子におけるプローブ端子と
対向しない塗布終了部に架けて連続して絶縁性樹脂を塗
布し、塗布終了部において絶縁性樹脂の供給を終了し、
その後、塗布された絶縁性樹脂を硬化させて、不良品半
導体集積回路素子の検査用電極に絶縁性樹脂よりなる絶
縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、半導体ウェハにコン
タクタを接触させた後、素子良否判定工程において電気
的特性が良であると判定された良品半導体集積回路素子
の検査用電極に共通の電源線又は共通の信号線から電圧
又は信号を印加してバーンインを行なうバーンイン工程
とを備えている。

【００２０】第４の半導体集積回路の検査方法による
と、不良品半導体集積回路素子におけるプローブ端子と
対向しない塗布開始部に対して絶縁性樹脂の供給を開始
すると共に、半導体集積回路素子におけるプローブ端子
と対向しない塗布終了部において絶縁性樹脂の供給を終
了するため、絶縁性樹脂の供給開始直後及び供給終了直
前に多量の絶縁性樹脂が半導体集積回路素子上に付着し
ても、多量の絶縁性樹脂が付着するのは半導体集積回路
素子におけるプローブ端子と対向しない塗布開始部及び
塗布終了部であって、半導体集積回路素子におけるプロ
ーブ端子と対向する検査用電極には多量の絶縁性樹脂が
付着しない。

【００２１】本発明に係る第５の半導体集積回路の検査
方法は、それぞれが検査用電極を有する複数の半導体集
積回路素子が形成された半導体ウェハに、検査用電極と
対応する位置にプローブ端子を有するコンタクタを接触
させて、複数の半導体集積回路素子の検査用電極に共通
の電源線又は共通の信号線から電圧又は信号を印加する
ことにより、複数の半導体集積回路素子に対して一括し
てバーンインを行なう半導体集積回路の検査方法を対象
とし、複数の半導体集積回路素子の電気的特性の良否を
判定する素子良否判定工程と、素子良否判定工程におい
て電気的特性が不良であると判定された不良品半導体集
積回路素子の複数の検査用電極に跨って連続して絶縁性
樹脂を塗布した後、塗布された絶縁性樹脂を硬化させ
て、不良品半導体集積回路素子の検査用電極に絶縁性樹
脂よりなる絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、半導体
ウェハにコンタクタを接触させた後、素子良否判定工程
において電気的特性が良であると判定された良品半導体
集積回路素子の検査用電極に共通の電源線又は共通の信
号線から電圧又は信号を印加してバーンインを行なうバ
ーンイン工程とを備えている。

【００２２】第５の半導体集積回路の検査方法による
と、不良品半導体集積回路素子の複数の検査用電極に跨
って連続して絶縁性樹脂を塗布して絶縁膜を形成するた
め、不良品半導体集積回路素子の複数の検査用電極のう
ち、いずれの検査用電極を絶縁すると電気的短絡が避け
られるかを検出する工程、いずれの検査用電極に絶縁性
樹脂を塗布するべきかを制御する工程、絶縁性樹脂を塗
布する度毎に半導体ウェハを上昇させる工程、及び絶縁
性樹脂を供給する工程を省略できる。

【００２３】第２〜第５の半導体集積回路の検査方法に
おいて、絶縁膜形成工程は、絶縁性樹脂として紫外線硬
化型樹脂を塗布する工程と、塗布された紫外線硬化型樹
脂に紫外線を照射することにより硬化させる工程とを含
むことが好ましい。

【００２４】本発明に係る第６の半導体集積回路の検査
方法は、それぞれが検査用電極を有する複数の半導体集
積回路素子が形成された半導体ウェハに、検査用電極と
対応する位置にプローブ端子を有するコンタクタを接触
させて、複数の半導体集積回路素子の検査用電極に共通
の電源線又は共通の信号線から電圧又は信号を印加する
ことにより、複数の半導体集積回路素子に対して一括し
てバーンインを行なう半導体集積回路の検査方法を対象
とし、複数の半導体集積回路素子の電気的特性の良否を
判定する素子良否判定工程と、素子良否判定工程におい
て電気的特性が不良であると判定された不良品半導体集
積回路素子における検査用電極を含む領域に絶縁性薄膜
を転写する絶縁性薄膜転写工程と、半導体ウェハにコン
タクタを接触させた後、素子良否判定工程において電気
的特性が良であると判定された良品半導体集積回路素子
の検査用電極に共通の電源線又は共通の信号線から電圧
又は信号を印加してバーンインを行なうバーンイン工程
とを備えている。

【００２５】第６の半導体集積回路の検査方法による
と、素子良否判定工程において不良であると判定された
不良品半導体集積回路素子における検査用電極を含む領
域に絶縁性薄膜を転写するのみで、不良品半導体集積回
路素子に絶縁性樹脂を塗布することなく、不良品半導体
集積回路素子に共通の電源線又は共通の信号線から電圧
又は信号が印加される事態を回避できる。

【００２６】本発明に係る第１の半導体集積回路の検査
装置は、それぞれが検査用電極を有する複数の半導体集
積回路素子が形成された半導体ウェハに、検査用電極と
対応する位置にプローブ端子を有するコンタクタを接触
させて、複数の半導体集積回路素子に対して一括してバ
ーンインを行なうバーンイン手段と、複数の半導体集積
回路素子の電気的特性の良否を判定する素子良否判定手
段と、素子良否判定手段により電気的特性が不良である
と判定された不良品半導体集積回路素子におけるプロー
ブ端子と対向しない塗布開始部から不良品半導体集積回
路素子の検査用電極に架けて連続して絶縁性樹脂を塗布
する樹脂塗布手段とを備えている。

【００２７】第１の半導体集積回路の検査装置による
と、素子良否判定手段により不良であると判定された不
良品半導体集積回路素子におけるプローブ端子と対向し
ない塗布開始部から不良品半導体集積回路素子の検査用
電極に架けて連続して絶縁性樹脂を塗布する樹脂塗布手
段を備えているため、半導体集積回路素子におけるプロ
ーブ端子と対向する検査用電極に多量の絶縁性樹脂が付
着する事態を回避できる。

【００２８】本発明に係る第２の半導体集積回路の検査
装置は、それぞれが検査用電極を有する複数の半導体集
積回路素子が形成された半導体ウェハに、検査用電極と
対応する位置にプローブ端子を有するコンタクタを接触
させて、複数の半導体集積回路素子に対して一括してバ
ーンインを行なうバーンイン手段と、複数の半導体集積
回路素子の電気的特性の良否を判定する素子良否判定手
段と、素子良否判定手段により電気的特性が不良である
と判定された不良品半導体集積回路素子における検査用
電極からプローブ端子と対向しない塗布終了部に架けて
連続して絶縁性樹脂を塗布する樹脂塗布手段とを備えて
いる。

【００２９】第２の半導体集積回路の検査装置による
と、素子良否判定手段により不良であると判定された不
良品半導体集積回路素子における検査用電極からプロー
ブ端子と対向しない塗布終了部に架けて連続して絶縁性
樹脂を塗布する樹脂塗布手段を備えているため、半導体
集積回路素子におけるプローブ端子と対向する検査用電
極に多量の絶縁性樹脂が付着する事態を回避できる。

【００３０】本発明に係る第３の半導体集積回路の検査
装置は、それぞれが検査用電極を有する複数の半導体集
積回路素子が形成された半導体ウェハに、検査用電極と
対応する位置にプローブ端子を有するコンタクタを接触
させて、複数の半導体集積回路素子に対して一括してバ
ーンインを行なうバーンイン手段と、複数の半導体集積
回路素子の電気的特性の良否を判定する素子良否判定手
段と、素子良否判定手段により電気的特性が不良である
と判定された不良品半導体集積回路素子におけるプロー
ブ端子と対向しない塗布開始部から不良品半導体集積回
路素子の検査用電極の上を経由し不良品半導体集積回路
素子におけるプローブ端子と対向しない塗布終了部に架
けて連続して絶縁性樹脂を塗布する樹脂塗布手段とを備
えている。

【００３１】第３の半導体集積回路の検査装置による
と、素子良否判定手段により不良であると判定された不
良品半導体集積回路素子におけるプローブ端子と対向し
ない塗布開始部から不良品半導体集積回路素子の検査用
電極の上を経由し不良品半導体集積回路素子におけるプ
ローブ端子と対向しない塗布終了部に架けて連続して絶
縁性樹脂を塗布する樹脂塗布手段を備えているため、半
導体集積回路素子におけるプローブ端子と対向する検査
用電極に多量の絶縁性樹脂が付着する事態を回避でき
る。

【００３２】本発明に係る第４の半導体集積回路の検査
装置は、それぞれが検査用電極を有する複数の半導体集
積回路素子が形成された半導体ウェハに、検査用電極と
対応する位置にプローブ端子を有するコンタクタを接触
させて、複数の半導体集積回路素子に対して一括してバ
ーンインを行なうバーンイン手段と、複数の半導体集積
回路素子の電気的特性の良否を判定する素子良否判定手
段と、素子良否判定手段により電気的特性が不良である
と判定された不良品半導体集積回路素子における検査用
電極を含む領域に絶縁性薄膜を転写する絶縁性薄膜転写
手段とを備えている。

【００３３】第４の半導体集積回路の検査装置による
と、素子良否判定手段により不良であると判定された不
良品半導体集積回路素子における検査用電極を含む領域
に絶縁性薄膜を転写する手段を備えているため、不良品
半導体集積回路素子に絶縁性樹脂を塗布することなく、
不良品半導体集積回路素子に共通の電源線又は共通の信
号線から電圧又は信号が印加される事態を回避すること
ができる。

【００３４】

【発明の実施の形態】

（第１の実施形態）図１は、本発明の第１の実施形態に
係る半導体集積回路の検査方法に用いる絶縁性樹脂塗布
装置を示しており、該絶縁性樹脂塗布装置は、Ｘ軸、Ｙ
軸及びＺ軸方向に移動可能な移動テーブル１０を有して
いる。移動テーブル１０の上には、後述する素子良否判
定工程において、電気的特性の検査が完了し、半導体集
積回路素子の良否の判定が行なわれた半導体ウェハ１１
が載置されている。移動テーブル１０には、該移動テー
ブル１０をＸ軸方向に移動させる第１の駆動手段１２、
Ｙ軸方向に移動させる第２の駆動手段１３、Ｚ方向に移
動させる第３の駆動手段１４がそれぞれ設けられてお
り、これら第１〜第３の駆動手段１２〜１４はコントロ
ーラ１５からの駆動信号に基づき移動テーブル１０をＸ
軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向にそれぞれ所定量だけ移動させる。

【００３５】移動テーブル１０の上に載置された半導体
ウェハ１１の上方には、該半導体ウェハ１１の検査用電
極に、光硬化型の絶縁性樹脂、例えば紫外線硬化型の絶
縁性樹脂（一例として、グレースジャパン社製：ＵＶ３
００が挙げられる。）を供給するシリンジ１６が配置さ
れており、該シリンジ１６の基部は絶縁性樹脂をシリン
ジ１６に供給するディスペンサ１７に接続されている。
また、ディスペンサ１７はコントローラ１５に接続され
ており、該コントローラ１５からの制御信号に基づき、
シリンジ１６は半導体ウェハ１１の検査用電極に絶縁性
樹脂を供給する。

【００３６】これらの構成により、第１及び第２の駆動
手段１２、１３を駆動させて、半導体ウェハ１１の所定
部位がシリンジ１６の先端の針の直下になるように、移
動テーブル１０を移動した後、第３の駆動手段１４を駆
動させて、半導体ウェハ１１の所定部位とシリンジ１６
の先端の針との距離が３．０μｍ程度になるように、移
動テーブル１０を上昇させる。その後、コントローラ１
５からの制御信号により、シリンジ１６から絶縁性樹脂
が、供給時間：６００ｍＳ及び停止時間：７００ｍＳ毎
に断続して半導体ウェハ１１の所定部位に供給される。
このようにすると、半導体ウェハ１１上に、適当な厚さ
例えば４μｍ〜７μｍの厚さを有する連続する絶縁性樹
脂が形成される。

【００３７】以下、第１の実施形態に係る半導体集積回
路の検査方法及び検査装置について説明する。

【００３８】まず、素子良否判定工程において、半導体
ウェハ上に形成されている全ての半導体集積回路素子に
対して電気的特性の良否の検査を行なって、各半導体集
積回路素子が良品であるか又は不良品であるかを判定す
る。

【００３９】次に、絶縁膜形成工程において、不良品で
あると判定された半導体集積回路素子の検査用電極の上
に図１で示した絶縁性樹脂塗布装置を用いて絶縁膜を形
成する方法について説明する。

【００４０】図２は、不良品の半導体集積回路素子２１
の検査用電極２２に絶縁性樹脂２３を塗布する方法を示
しており、不良品の半導体集積回路素子２１の上におけ
る検査用電極２２が形成されていない領域である塗布開
始部２３ａにおいて絶縁性樹脂２３を供給し始め、その
後、移動テーブル１０を移動させることにより、絶縁性
樹脂２３を検査用電極２２の上に連続して帯状に塗布し
た後、不良品の半導体集積回路素子２１の上における検
査用電極２２が形成されていない領域である塗布終了部
２３ｂにおいて絶縁性樹脂２３の供給を停止する。

【００４１】次に、バーンイン工程において、図３に示
すように、不良品である半導体集積回路素子２１の検査
用電極２２の上に絶縁性樹脂２３が塗布された半導体ウ
ェハ２０に対して、配線基板２４に異方性導電ゴムシー
ト２５を介して保持されたポリイミドシート２６に設け
られたバンプ２７を有するコンタクタとしてプローブシ
ートを接触させた後、良品の半導体集積回路素子２１の
検査用電極２２に共通の電源線又は共通の信号線から電
圧又は信号を印加して、良品の半導体集積回路素子２１
に対して一括してバーンインを行なう。このバーンイン
工程において用いるコンタクタは特に限定されず、特開
平７−１６９８０６号公報及び特開平８−５６６６号公
報等において示されているプローブカードやプローブシ
ート等を適宜用いることができる。

【００４２】第１の実施形態においては、紫外線硬化型
の絶縁性樹脂２３を塗布するようにしたため、塗布され
た絶縁性樹脂２３に紫外線を照射することによって、絶
縁性樹脂２３を数秒間で硬化させることができる。半導
体集積回路の微細化に伴って、検査用電極２２同士の間
隔も極めて小さくなっているので、熱硬化型の絶縁性樹
脂を用いる場合には、半導体ウェハを熱処理炉に投入す
る時間及び半導体ウェハの温度が上昇する時間等におい
て、絶縁性樹脂が良品の半導体集積回路素子の検査用電
極に流動してしまう恐れがあるが、第１の実施形態によ
ると、極めて短時間で絶縁性樹脂２３を硬化させること
ができるので、絶縁性樹脂２３を硬化させる工程に要す
る時間を大きく短縮できると共に、良品の半導体集積回
路素子２１の検査用電極２２が絶縁性樹脂が付着して不
導電性化する事態を避けることができる。

【００４３】また、第１の実施形態においては、絶縁性
樹脂２３を不良品の半導体集積回路素子２１の複数の検
査用電極２２に跨って連続的に供給して帯状に塗布する
ため、不良品の半導体集積回路素子２１の複数の検査用
電極２２のうち、いずれの検査用電極２２を絶縁する
と、電気的短絡が避けられるのかを検出する工程、及
び、いずれの検査用電極２２に絶縁性樹脂を塗布するべ
きかを制御する工程を省略できる。また、絶縁性樹脂２
３を塗布する検査用電極２２毎に、移動テーブル１０を
上昇する工程及びシリンジ１６から絶縁性樹脂２３を供
給する工程を省略できる。このため、各検査用電極２２
に個別に絶縁性樹脂２３を供給する場合に比べて、絶縁
性樹脂２３を塗布する工程を大きく簡略化することがで
きる。

【００４４】また、図４に示すように、絶縁性樹脂２３
の塗布開始時刻の直後及び塗布終了時刻の直前において
は、帯状に連続的に塗布する時間帯に比べて、シリンジ
１６から絶縁性樹脂２３が多量に供給されるので、絶縁
性樹脂２３が表面張力によって盛り上がってしまう。そ
こで、第１の実施形態においては、不良品の半導体集積
回路素子２１の上における検査用電極２２が形成されて
いない領域である塗布開始部２３ａ及び塗布終了部２３
ｂで、絶縁性樹脂２３の塗布の開始及び終了を行なって
いる。このため、図３に示すように、検査用電極２２の
上に塗布される絶縁性樹脂２３の膜厚がほぼ平坦になる
ので、つまり、検査用電極２２の上に塗布される絶縁性
樹脂２３が盛り上がらないので、絶縁性樹脂２３が塗布
された不良品の半導体集積回路素子の検査用電極２２の
近傍に位置する良品の半導体集積回路素子の検査用電極
２２は、プローブシートのバンプ２７と電気的に確実に
接続される。従って、全ての良品の半導体集積回路素子
に対して確実にバーンインを行なうことができる。

【００４５】尚、第１の実施形態においては、不良品の
半導体集積回路素子２１の上における検査用電極２２が
形成されていない領域、つまりバンプ２７と対向しない
領域である塗布開始部２３ａにおいて絶縁性樹脂２３を
供給し始めると共に、不良品の半導体集積回路素子２１
の上における検査用電極２２が形成されていない領域、
つまりバンプ２７と対向しない領域である塗布終了部２
３ｂにおいて絶縁性樹脂２３の供給を停止したが、塗布
開始部２３ａで絶縁性樹脂２３の供給を開始するか、又
は、塗布終了部２３ｂで絶縁性樹脂２３の供給を終了す
るかのいずれか一方のみを行なうようにしても差し支え
ない。

【００４６】また、前記第１の実施形態においては、光
硬化型の絶縁性樹脂２３を不良品の半導体集積回路素子
２１の検査用電極２２に塗布したが、これに代えて、熱
硬化型又は揮発性の絶縁性樹脂を塗布してもよい。熱硬
化型又は揮発性の絶縁性樹脂は硬化するまでに流動する
恐れがあるが、半導体集積回路素子２１の検査用電極２
２から離れた塗布開始部２３ａ又は塗布終了部２３ｂに
おいて、絶縁性樹脂２３の塗布開始又は塗布終了を行な
うと、良品の半導体集積回路素子２１の検査用電極２２
に絶縁性樹脂２３が付着する恐れが解消する。

【００４７】（第２の実施形態）図５（ａ）は、本発明
の第２の実施形態に係る半導体集積回路の検査方法に用
いる絶縁性薄膜転写装置を示し、図５（ｂ）及び図６は
絶縁性薄膜転写工程を示している。図５（ａ）に示すよ
うに、絶縁性薄膜転写装置は、互いに間隔をおいて配置
された第１のロール３１及び第２のロール３２と、第１
のロール３１及び第２のロール３２に掛け渡された転写
用テープ３３と、該転写用テープ３３の所定領域を半導
体ウェハ２０の上に形成された不良品の半導体集積回路
素子２１に押圧して転写する転写ツール３４とを備えて
いる。図６に示すように、転写用テープ３３は、テープ
本体３３ａの表面に全面的に絶縁性樹脂３３ｂが付着さ
れたものである。この場合、転写用テープ３３を構成す
る絶縁性樹脂３３ｂとしては、バーンインの温度で溶融
しないような耐熱性のものを選択することが好ましく、
熱転写法により半導体集積回路素子２１に転写されるも
のでもよいし、加圧転写法により半導体集積回路素子２
１に転写されるものでもよい。

【００４８】以下、第２の実施形態に係る半導体集積回
路の検査方法及び検査装置について説明する。

【００４９】まず、良否判定工程において、半導体ウェ
ハ上に形成されている全ての半導体集積回路素子に対し
て、電気的特性の良否の検査を行なって、各半導体集積
回路素子が良品であるか又は不良品であるかを判定す
る。

【００５０】次に、絶縁性薄膜転写工程において、図５
（ａ）で示した絶縁性薄膜転写装置を用いて、図５
（ｂ）及び図６に示すように、不良品であると判定され
た半導体集積回路素子２１の検査用電極の上に、転写用
テープ３３の絶縁性樹脂３３ｂを転写して絶縁性薄膜を
形成する。この場合、転写する絶縁性薄膜は、不良品の
半導体集積回路素子の全面でもよいし、不良品の半導体
集積回路素子における不導電性化しようとする特定の検
査用電極でもよい。特定の検査用電極に絶縁性薄膜を転
写する場合には、転写ツール３４における特定の検査用
電極と対応する部位を半導体集積回路素子に向かって突
出させてもよい。

【００５１】次に、バーンイン工程において、不良品で
ある半導体集積回路素子２１の検査用電極の上に絶縁性
薄膜が転写された半導体ウェハに、検査用電極と対応す
る位置にプローブ端子を有するコンタクタを接触させ
て、良品の半導体集積回路素子２１の検査用電極２２に
共通の電源線又は共通の信号線から電圧又は信号を印加
して、良品の半導体集積回路素子２１に対して一括して
バーンインを行なう。

【００５２】第２の実施形態においては、不良品である
半導体集積回路素子２１の検査用電極の上に絶縁性薄膜
が転写されているため、半導体ウェハ上の全て又は一部
の半導体集積回路素子に対して、共通の電源線又は共通
の信号線から電圧又は信号を印加する方式のコンタクタ
を用いたバーンインが可能になる。

【００５３】尚、転写用テープ３３に代えて、半導体ウ
ェハと同程度の大きさのシートの表面に全面的に絶縁性
樹脂が付着してなる転写用シートを用いて、転写ツール
３４の特定の部位を突出させて絶縁性薄膜を転写しても
よいし、転写ツール３４の特定の部位をスキャンさせな
がら絶縁性薄膜を転写してもよい。

【００５４】

【発明の効果】第１の半導体集積回路の検査方法による
と、絶縁性樹脂を塗布してから硬化させるまでの時間を
大きく短縮することができるので、絶縁性樹脂が硬化す
るまでに流動して良品半導体集積回路素子の検査用電極
に付着し、良品半導体集積回路素子の検査用電極が不導
電性化する事態が避けられるので、全ての良品半導体集
積回路素子の検査用電極に共通の電源線又は共通の信号
線から電圧又は信号を印加して確実にバーンインを行な
うことができる。また、絶縁性樹脂として熱硬化性樹脂
を用いる場合に比べて、熱硬化性樹脂を熱処理炉に投入
する時間及び熱処理炉内において半導体ウェハの温度を
上昇させる時間が不要になるので、絶縁性樹脂を塗布し
てから硬化させるまでの時間を大きく短縮することがで
きる。

【００５５】第１の半導体集積回路の検査方法におい
て、光硬化型樹脂として紫外線硬化型樹脂を用い、該紫
外線硬化型樹脂に紫外線を照射して硬化させるようにす
ると、特別な光照射装置を用いることなく絶縁性樹脂を
硬化させることができる。

【００５６】第２の半導体集積回路の検査方法による
と、絶縁性樹脂の供給開始直後に多量の絶縁性樹脂が半
導体集積回路素子上に付着しても、多量の絶縁性樹脂が
付着するのは半導体集積回路素子におけるプローブ端子
と対向しない塗布開始部であって、半導体集積回路素子
におけるプローブ端子と対向する検査用電極には多量の
絶縁性樹脂が付着しないため、不良品半導体集積回路素
子の近傍に位置する良品半導体集積回路素子の検査用電
極とコンタクタのプローブ端子とが確実に接続されるの
で、全ての良品半導体集積回路素子の検査用電極に共通
の電源線又は共通の信号線から電圧又は信号を印加して
確実にバーンインを行なうことができる。

【００５７】第３の半導体集積回路の検査方法による
と、絶縁性樹脂の供給終了直前に多量の絶縁性樹脂が半
導体集積回路素子上に付着しても、多量の絶縁性樹脂が
付着するのは半導体集積回路素子におけるプローブ端子
と対向しない塗布終了部であって、半導体集積回路素子
におけるプローブ端子と対向する検査用電極には多量の
絶縁性樹脂が付着しないため、不良品半導体集積回路素
子の近傍に位置する良品半導体集積回路素子の検査用電
極とコンタクタのプローブ端子とが確実に接続されるの
で、全ての良品半導体集積回路素子の検査用電極に共通
の電源線又は共通の信号線から電圧又は信号を印加して
確実にバーンインを行なうことができる。

【００５８】第４の半導体集積回路の検査方法による
と、絶縁性樹脂の供給開始直後及び供給終了直前に多量
の絶縁性樹脂が半導体集積回路素子上に付着しても、多
量の絶縁性樹脂が付着するのは半導体集積回路素子にお
けるプローブ端子と対向しない塗布開始部及び塗布終了
部であって、半導体集積回路素子におけるプローブ端子
と対向する検査用電極には多量の絶縁性樹脂が付着しな
いため、不良品半導体集積回路素子の近傍に位置する良
品半導体集積回路素子の検査用電極とコンタクタのプロ
ーブ端子とが確実に接続されるので、全ての良品半導体
集積回路素子の検査用電極に共通の電源線又は共通の信
号線から電圧又は信号を印加して確実にバーンインを行
なうことができる。

【００５９】第５の半導体集積回路の検査方法による
と、複数の検査用電極に跨って連続して絶縁性樹脂を塗
布して絶縁膜を形成するため、不良品半導体集積回路素
子の複数の検査用電極のうち、いずれの検査用電極を絶
縁すると、電気的短絡が避けられるかを検出する工程、
いずれの検査用電極に絶縁性樹脂を塗布するべきかを制
御する工程、絶縁性樹脂を塗布する度毎に、半導体ウェ
ハを上昇させる工程、及び絶縁性樹脂を供給する工程を
省略することができるので、不良品半導体集積回路素子
の各検査用電極に個別に絶縁性樹脂を供給する場合に比
べて、絶縁性樹脂を塗布する工程を大きく簡略化するこ
とができる。

【００６０】第２〜第５の半導体集積回路の検査方法に
おいて、絶縁性樹脂として紫外線硬化型樹脂を用い、該
紫外線硬化型樹脂に紫外線を照射して硬化させるように
すると、絶縁性樹脂を塗布してから硬化させるまでの時
間を大きく短縮できるため、絶縁性樹脂が硬化するまで
に流動して良品半導体集積回路素子の検査用電極に付着
し、良品半導体集積回路素子の検査用電極が不導電性化
する事態が避けられるので、全ての良品半導体集積回路
素子の検査用電極に共通の電源線又は共通の信号線から
電圧又は信号を印加して確実にバーンインを行なうこと
ができる。

【００６１】第６の半導体集積回路の検査方法による
と、不良品半導体集積回路素子における検査用電極を含
む領域に絶縁性薄膜を転写するのみで、不良品半導体集
積回路素子に絶縁性樹脂を塗布することなく、不良品半
導体集積回路素子に共通の電源線又は共通の信号線から
電圧又は信号が印加される事態を回避することができる
ので、簡易な方法によって、全ての良品半導体集積回路
素子に対して確実にバーンインを行なうことができる。

【００６２】第１の半導体集積回路の検査装置による
と、不良品半導体集積回路素子におけるプローブ端子と
対向しない塗布開始部から不良品半導体集積回路素子の
検査用電極に架けて連続して絶縁性樹脂を塗布する樹脂
塗布手段を備えているため、半導体集積回路素子におけ
るプローブ端子と対向する検査用電極に多量の絶縁性樹
脂が付着する事態を回避できるので、全ての良品半導体
集積回路素子の検査用電極に共通の電源線又は共通の信
号線から電圧又は信号を印加して確実にバーンインを行
なうことができる。

【００６３】第２の半導体集積回路の検査装置による
と、不良品半導体集積回路素子における検査用電極から
プローブ端子と対向しない塗布終了部に架けて連続して
絶縁性樹脂を塗布する樹脂塗布手段を備えているため、
半導体集積回路素子におけるプローブ端子と対向する検
査用電極に多量の絶縁性樹脂が付着する事態を回避でき
るので、全ての良品半導体集積回路素子の検査用電極に
共通の電源線又は共通の信号線から電圧又は信号を印加
して確実にバーンインを行なうことができる。

【００６４】第３の半導体集積回路の検査装置による
と、不良品半導体集積回路素子におけるプローブ端子と
対向しない塗布開始部から不良品半導体集積回路素子の
検査用電極の上を経由し不良品半導体集積回路素子にお
けるプローブ端子と対向しない塗布終了部に架けて連続
して絶縁性樹脂を塗布する樹脂塗布手段を備えているた
め、半導体集積回路素子におけるプローブ端子と対向す
る検査用電極に多量の絶縁性樹脂が付着する事態を回避
できるので、全ての良品半導体集積回路素子の検査用電
極に共通の電源線又は共通の信号線から電圧又は信号を
印加して確実にバーンインを行なうことができる。

【００６５】第４の半導体集積回路の検査装置による
と、素子良否判定手段により不良であると判定された不
良品半導体集積回路素子における検査用電極を含む領域
に絶縁性薄膜を転写する手段を備えているため、不良品
半導体集積回路素子に絶縁性樹脂を塗布することなく、
不良品半導体集積回路素子に共通の電源線又は共通の信
号線から電圧又は信号が印加される事態を回避すること
ができるので、簡易な方法によって、全ての良品半導体
集積回路素子に対して確実にバーンインを行なうことが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施形態に係る半導体集積回路の検査方
法に用いる絶縁性樹脂塗布装置の斜視図である。

【図２】第１の実施形態に係る半導体集積回路の検査方
法における絶縁膜形成工程を示す平面図である。

【図３】第１の実施形態に係る半導体集積回路の検査方
法におけるバーンイン工程を示す断面図である。

【図４】第１の実施形態に係る半導体集積回路の検査方
法の絶縁膜形成工程における塗布開始部及び塗布終了部
の塗布高さを示す特性図である。

【図５】（ａ）は第２の実施形態に係る半導体集積回路
の検査方法に用いる絶縁性薄膜転写装置の概略正面図で
あり、（ｂ）は第２の実施形態に係る半導体集積回路の
検査方法における絶縁性薄膜転写工程を示す概略斜視図
である。

【図６】第２の実施形態に係る半導体集積回路の検査方
法における絶縁性薄膜転写工程を示す断面図である。

【図７】従来の半導体集積回路の検査方法の問題点を説
明する断面図である。

【符号の説明】

１０ 移動テーブル １１ 半導体ウェハ １２ 第１の駆動手段 １３ 第２の駆動手段 １４ 第３の駆動手段 １５ コントローラ １６ シリンジ １７ ディスペンサ ２０ 半導体ウェハ ２１ 半導体集積回路素子 ２２ 検査用電極 ２３ 絶縁性樹脂 ２３ａ 塗布開始部 ２３ｂ 塗布終了部 ２４ 配線基板 ２５ 異方性導電ゴムシート ２６ ポリイミドシート ２７ バンプ ３１ 第１のローラ ３２ 第２のローラ ３３ 転写用テープ ３３ａ テープ本体 ３３ｂ 絶縁性樹脂 ３４ 転写ツール

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 それぞれが検査用電極を有する複数の半
   導体集積回路素子が形成された半導体ウェハに、前記検
   査用電極と対応する位置にプローブ端子を有するコンタ
   クタを接触させて、前記複数の半導体集積回路素子の前
   記検査用電極に共通の電源線又は共通の信号線から電圧
   又は信号を印加することにより、前記複数の半導体集積
   回路素子に対して一括してバーンインを行なう半導体集
   積回路の検査方法であって、 前記複数の半導体集積回路素子の電気的特性の良否を判
   定する素子良否判定工程と、 前記素子良否判定工程において電気的特性が不良である
   と判定された不良品半導体集積回路素子の検査用電極に
   絶縁性の光硬化型樹脂を塗布した後、塗布された光硬化
   型樹脂に光を照射して、前記不良品半導体集積回路素子
   の検査用電極に前記光硬化型樹脂よりなる絶縁膜を形成
   する絶縁膜形成工程と、 前記半導体ウェハに前記コンタクタを接触させた後、前
   記素子良否判定工程において電気的特性が良であると判
   定された良品半導体集積回路素子の検査用電極に共通の
   電源線又は共通の信号線から電圧又は信号を印加してバ
   ーンインを行なうバーンイン工程とを備えていることを
   特徴とする半導体集積回路の検査方法。
2. 【請求項２】 前記絶縁膜形成工程における光硬化型樹
   脂は紫外線硬化型樹脂であり、前記絶縁膜形成工程にお
   いて照射する光は紫外線であることを特徴とする請求項
   １に記載の半導体集積回路の検査方法。
3. 【請求項３】 それぞれが検査用電極を有する複数の半
   導体集積回路素子が形成された半導体ウェハに、前記検
   査用電極と対応する位置にプローブ端子を有するコンタ
   クタを接触させて、前記複数の半導体集積回路素子の前
   記検査用電極に共通の電源線又は共通の信号線から電圧
   又は信号を印加することにより、前記複数の半導体集積
   回路素子に対して一括してバーンインを行なう半導体集
   積回路の検査方法であって、 前記複数の半導体集積回路素子の電気的特性の良否を判
   定する素子良否判定工程と、 前記素子良否判定工程において電気的特性が不良である
   と判定された不良品半導体集積回路素子における前記プ
   ローブ端子と対向しない塗布開始部に対して絶縁性樹脂
   の供給を開始した後、前記塗布開始部から前記不良品半
   導体集積回路素子の検査用電極に架けて連続して前記絶
   縁性樹脂を塗布し、その後、塗布された前記絶縁性樹脂
   を硬化させて、前記不良品半導体集積回路素子の検査用
   電極に前記絶縁性樹脂よりなる絶縁膜を形成する絶縁膜
   形成工程と、 前記半導体ウェハに前記コンタクタを接触させた後、前
   記素子良否判定工程において電気的特性が良であると判
   定された良品半導体集積回路素子の検査用電極に共通の
   電源線又は共通の信号線から電圧又は信号を印加してバ
   ーンインを行なうバーンイン工程とを備えていることを
   特徴とする半導体集積回路の検査方法。
4. 【請求項４】 それぞれが検査用電極を有する複数の半
   導体集積回路素子が形成された半導体ウェハに、前記検
   査用電極と対応する位置にプローブ端子を有するコンタ
   クタを接触させて、前記複数の半導体集積回路素子の前
   記検査用電極に共通の電源線又は共通の信号線から電圧
   又は信号を印加することにより、前記複数の半導体集積
   回路素子に対して一括してバーンインを行なう半導体集
   積回路の検査方法であって、 前記複数の半導体集積回路素子の電気的特性の良否を判
   定する素子良否判定工程と、 前記素子良否判定工程において電気的特性が不良である
   と判定された不良品半導体集積回路素子における検査用
   電極から前記プローブ端子と対向しない塗布終了部に架
   けて連続して絶縁性樹脂を塗布した後、前記塗布終了部
   において前記絶縁性樹脂の供給を終了し、その後、塗布
   された前記絶縁性樹脂を硬化させて、前記不良品半導体
   集積回路素子の検査用電極に前記絶縁性樹脂よりなる絶
   縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、 前記半導体ウェハに前記コンタクタを接触させた後、前
   記素子良否判定工程において電気的特性が良であると判
   定された良品半導体集積回路素子の検査用電極に共通の
   電源線又は共通の信号線から電圧又は信号を印加してバ
   ーンインを行なうバーンイン工程とを備えていることを
   特徴とする半導体集積回路の検査方法。
5. 【請求項５】 それぞれが検査用電極を有する複数の半
   導体集積回路素子が形成された半導体ウェハに、前記検
   査用電極と対応する位置にプローブ端子を有するコンタ
   クタを接触させて、前記複数の半導体集積回路素子の前
   記検査用電極に共通の電源線又は共通の信号線から電圧
   又は信号を印加することにより、前記複数の半導体集積
   回路素子に対して一括してバーンインを行なう半導体集
   積回路の検査方法であって、 前記複数の半導体集積回路素子の電気的特性の良否を判
   定する素子良否判定工程と、 前記素子良否判定工程において電気的特性が不良である
   と判定された不良品半導体集積回路素子における前記プ
   ローブ端子と対向しない塗布開始部に対して絶縁性樹脂
   の供給を開始した後、前記塗布開始部から前記不良品半
   導体集積回路素子の検査用電極の上を経由して前記不良
   品半導体集積回路素子における前記プローブ端子と対向
   しない塗布終了部に架けて連続して絶縁性樹脂を塗布
   し、前記塗布終了部において前記絶縁性樹脂の供給を終
   了し、その後、塗布された前記絶縁性樹脂を硬化させ
   て、前記不良品半導体集積回路素子の検査用電極に前記
   絶縁性樹脂よりなる絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程
   と、 前記半導体ウェハに前記コンタクタを接触させた後、前
   記素子良否判定工程において電気的特性が良であると判
   定された良品半導体集積回路素子の検査用電極に共通の
   電源線又は共通の信号線から電圧又は信号を印加してバ
   ーンインを行なうバーンイン工程とを備えていることを
   特徴とする半導体集積回路の検査方法。
6. 【請求項６】 それぞれが検査用電極を有する複数の半
   導体集積回路素子が形成された半導体ウェハに、前記検
   査用電極と対応する位置にプローブ端子を有するコンタ
   クタを接触させて、前記複数の半導体集積回路素子の前
   記検査用電極に共通の電源線又は共通の信号線から電圧
   又は信号を印加することにより、前記複数の半導体集積
   回路素子に対して一括してバーンインを行なう半導体集
   積回路の検査方法であって、 前記複数の半導体集積回路素子の電気的特性の良否を判
   定する素子良否判定工程と、 前記素子良否判定工程において電気的特性が不良である
   と判定された不良品半導体集積回路素子の複数の検査用
   電極に跨って連続して絶縁性樹脂を塗布した後、塗布さ
   れた前記絶縁性樹脂を硬化させて、前記不良品半導体集
   積回路素子の検査用電極に前記絶縁性樹脂よりなる絶縁
   膜を形成する絶縁膜形成工程と、 前記半導体ウェハに前記コンタクタを接触させた後、前
   記素子良否判定工程において電気的特性が良であると判
   定された良品半導体集積回路素子の検査用電極に共通の
   電源線又は共通の信号線から電圧又は信号を印加してバ
   ーンインを行なうバーンイン工程とを備えていることを
   特徴とする半導体集積回路の検査方法。
7. 【請求項７】 前記絶縁膜形成工程は、前記絶縁性樹脂
   として紫外線硬化型樹脂を塗布する工程と、塗布された
   紫外線硬化型樹脂に紫外線を照射することにより硬化さ
   せる工程とを含むことを特徴とする請求項３〜６のいず
   れか１項に記載の半導体集積回路の検査方法。
8. 【請求項８】 それぞれが検査用電極を有する複数の半
   導体集積回路素子が形成された半導体ウェハに、前記検
   査用電極と対応する位置にプローブ端子を有するコンタ
   クタを接触させて、前記複数の半導体集積回路素子の前
   記検査用電極に共通の電源線又は共通の信号線から電圧
   又は信号を印加することにより、前記複数の半導体集積
   回路素子に対して一括してバーンインを行なう半導体集
   積回路の検査方法であって、 前記複数の半導体集積回路素子の電気的特性の良否を判
   定する素子良否判定工程と、 前記素子良否判定工程において電気的特性が不良である
   と判定された不良品半導体集積回路素子における検査用
   電極を含む領域に絶縁性薄膜を転写する絶縁性薄膜転写
   工程と、 前記半導体ウェハに前記コンタクタを接触させた後、前
   記素子良否判定工程において電気的特性が良であると判
   定された良品半導体集積回路素子の検査用電極に共通の
   電源線又は共通の信号線から電圧又は信号を印加してバ
   ーンインを行なうバーンイン工程とを備えていることを
   特徴とする半導体集積回路の検査方法。
9. 【請求項９】 それぞれが検査用電極を有する複数の半
   導体集積回路素子が形成された半導体ウェハに、前記検
   査用電極と対応する位置にプローブ端子を有するコンタ
   クタを接触させて、前記複数の半導体集積回路素子に対
   して一括してバーンインを行なうバーンイン手段と、 前記複数の半導体集積回路素子の電気的特性の良否を判
   定する素子良否判定手段と、 前記素子良否判定手段により電気的特性が不良であると
   判定された不良品半導体集積回路素子における前記プロ
   ーブ端子と対向しない塗布開始部から前記不良品半導体
   集積回路素子の検査用電極に架けて連続して絶縁性樹脂
   を塗布する樹脂塗布手段とを備えていることを特徴とす
   る半導体集積回路の検査装置。
10. 【請求項１０】 それぞれが検査用電極を有する複数の
    半導体集積回路素子が形成された半導体ウェハに、前記
    検査用電極と対応する位置にプローブ端子を有するコン
    タクタを接触させて、前記複数の半導体集積回路素子に
    対して一括してバーンインを行なうバーンイン手段と、 前記複数の半導体集積回路素子の電気的特性の良否を判
    定する素子良否判定手段と、 前記素子良否判定手段により電気的特性が不良であると
    判定された不良品半導体集積回路素子における検査用電
    極から前記プローブ端子と対向しない塗布終了部に架け
    て連続して絶縁性樹脂を塗布する樹脂塗布手段とを備え
    ていることを特徴とする半導体集積回路の検査装置。
11. 【請求項１１】 それぞれが検査用電極を有する複数の
    半導体集積回路素子が形成された半導体ウェハに、前記
    検査用電極と対応する位置にプローブ端子を有するコン
    タクタを接触させて、前記複数の半導体集積回路素子に
    対して一括してバーンインを行なうバーンイン手段と、 前記複数の半導体集積回路素子の電気的特性の良否を判
    定する素子良否判定手段と、 前記素子良否判定手段により電気的特性が不良であると
    判定された不良品半導体集積回路素子における前記プロ
    ーブ端子と対向しない塗布開始部から前記不良品半導体
    集積回路素子の検査用電極の上を経由し前記不良品半導
    体集積回路素子における前記プローブ端子と対向しない
    塗布終了部に架けて連続して絶縁性樹脂を塗布する樹脂
    塗布手段とを備えていることを特徴とする半導体集積回
    路の検査装置。
12. 【請求項１２】 それぞれが検査用電極を有する複数の
    半導体集積回路素子が形成された半導体ウェハに、前記
    検査用電極と対応する位置にプローブ端子を有するコン
    タクタを接触させて、前記複数の半導体集積回路素子に
    対して一括してバーンインを行なうバーンイン手段と、 前記複数の半導体集積回路素子の電気的特性の良否を判
    定する素子良否判定手段と、 前記素子良否判定手段により電気的特性が不良であると
    判定された不良品半導体集積回路素子における検査用電
    極を含む領域に絶縁性薄膜を転写する絶縁性薄膜転写手
    段とを備えていることを特徴とする半導体集積回路の検
    査装置。