JP2000133685A - 半導体集積回路の検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 不良品の半導体集積回路素子の検査用電極の
上に形成された絶縁部が検査用電極とコンタクタのプロ
ーブ端子とを確実に絶縁する一方、良品の半導体集積回
路素子の検査用電極とコンタクタのプローブ端子とを確
実に導通させるようにする。 【解決手段】 半導体集積回路の検査装置は、絶縁性樹
脂供給装置と共に、該絶縁性樹脂供給装置により供給さ
れた絶縁性樹脂からなる絶縁部４の高さを測定する高さ
測定装置を備えている。高さ測定装置を構成するレーザ
出射装置２１、光検出器２３及び演算装置２４によっ
て、半導体ウエハ１上の不良品の半導体集積回路素子の
検査用電極３Ａの上に形成されている絶縁性樹脂からな
る絶縁部４の高さを測定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ上に
形成された複数の半導体集積回路素子の電気特性をウエ
ハ状態で一括して検査するための半導体集積回路の検査
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体集積回路装置は、半導体集
積回路素子（半導体チップ）とリードフレームとがボン
ディングワイヤによって電気的に接続された後、半導体
集積回路素子とリードフレームのリードとが樹脂又はセ
ラミックにより封止された状態で供給され、プリント基
板に実装されていた。

【０００３】ところが、電子機器の小型化及び低価格化
の要求から、半導体集積回路素子を半導体ウエハから切
り出したままのベアチップ状態で回路基板に実装する方
法が開発されており、品質が保証されたベアチップを低
価格で供給することが望まれている。

【０００４】ベアチップに対して品質保証を行なうため
には、半導体集積回路素子の電気的特性をウエハ状態で
一括してバーインを行なうことが低コスト化の点で望ま
しい。このため、半導体ウエハ上に形成された複数の半
導体集積回路素子の各検査用電極と接続されるプローブ
端子を有するコンタクタを用いて、半導体ウエハ上に形
成された複数の半導体集積回路素子に対してウエハ状態
で一括してバーインを行なう検査方法が知られている。
この場合、複数の半導体集積回路素子の各検査用電極に
対して、電源電圧、設置電圧又は信号を印加する必要が
あるが、配線の引回しを簡素化するために、コンタクタ
上又は半導体ウエハ上に共通の電源電圧線、接地電圧線
又は信号線（以下、共通の配線と称する。）を設けてお
き、共通の配線と各検査用電極とを電気的に接続する方
法が提案された。

【０００５】ところが、コンタクタ上又は半導体ウエハ
上に共通の配線を設けると、電気的に短絡している不良
の半導体集積回路素子が存在する場合、共通の配線と、
他の電源電圧線、他の接地電圧線又は他の信号線とが不
良の半導体集積回路素子を介して短絡してしまうことが
ある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】そこで、我々は、図６
に示すような絶縁性樹脂供給装置を提案した。すなわ
ち、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸方向に移動可能なステージ１０
の上には、素子良否判定工程において、電気的特性の検
査が完了し、半導体集積回路素子の良否の判定が行なわ
れた半導体ウエハ１が載置されている。ステージ１０に
は、該ステージ１０をＸ軸方向に移動させる第１の駆動
手段１１、Ｙ軸方向に移動させる第２の駆動手段１２、
Ｚ方向に移動させる第３の駆動手段１３がそれぞれ設け
られており、これら第１〜第３の駆動手段１１〜１３は
コントローラ１４からの駆動信号に基づきステージ１０
をＸ軸、Ｙ軸又はＺ軸の方向にそれぞれ所定量だけ移動
させる。

【０００７】ステージ１０の上に載置された半導体ウエ
ハ１の上方には、該半導体ウエハ１に形成されている複
数の半導体集積回路素子の所定の検査用電極に液状の絶
縁性樹脂を滴下して絶縁部を形成するシリンジ１５が配
置されており、該シリンジ１５の基部は絶縁性樹脂を供
給するディスペンサ１６に接続されている。

【０００８】ディスペンサ１６はコントローラ１４から
の制御信号に基づき、シリンジ１５に、半導体ウエハ１
上に形成されている複数の半導体集積回路素子のうち、
不良品と判定された半導体集積回路素子の検査用電極に
絶縁性樹脂を供給して該絶縁性樹脂からなる絶縁部を形
成する。これによって、不良品と判定された半導体集積
回路素子の検査用電極が絶縁されるので、共通の配線
と、他の電源電圧線、他の接地電圧線又は他の信号線と
が不良の半導体集積回路素子を介して短絡してしまう事
態を回避できる。

【０００９】しかしながら、図６に示すような絶縁性樹
脂供給装置を用いて検査用電極の上に絶縁部を形成する
場合には、以下に説明するような問題が発生する。

【００１０】図７は、半導体ウエハ１とコンタクタとを
接触させる状態を示しており、半導体ウエハ１には、周
縁部がパッシベーション膜２によって覆われた複数の検
査用電極３Ａ、３Ｂが形成されている。尚、図７におい
て、検査用電極３Ａは不良品の半導体集積回路素子に形
成されていると共に、検査用電極３Ｂは良品の半導体集
積回路素子に形成されているものとし、不良品の半導体
集積回路素子の検査用電極３Ａの上には図６に示した半
導体集積回路の検査装置によって絶縁性樹脂からなる絶
縁部４が形成されている。尚、以下の説明においては、
不良品の半導体集積回路素子に形成されている検査用電
極のことを不良品の検査用電極３Ａと称し、良品の半導
体集積回路素子に形成されている検査用電極のことを良
品の検査用電極３Ｂと称する。

【００１１】コンタクタは、配線基板５と、該配線基板
５に異方性導電ゴムシート６を介して保持された絶縁性
のポリイミドシート７と、該ポリイミドシート７に設け
られた複数のプローブ端子８とを備えており、各プロー
ブ端子８は、半導体ウエハ１に形成されている不良品の
検査用電極３Ａ又は良品の検査用電極３Ｂと対応する位
置に設けられている。

【００１２】図７に示すように、不良品の検査用電極３
Ａの上に形成される絶縁部４の高さが高くなり過ぎる
と、不良品の検査用電極３Ａの近傍に位置する良品の検
査用電極３Ｂとプローブ端子８とが電気的に接続されな
い事態が発生するので、半導体ウエハの上に形成されて
いる良品の半導体集積回路素子に対して一括して電気的
特性の検査を行なうことができないという問題が発生す
る。

【００１３】一方、図示は省略しているが、不良品の検
査用電極３Ａの上に形成される絶縁部４の高さが低くな
り過ぎると、絶縁部４にプローブ端子８を押し付けたと
きに絶縁部４が損傷して、不良品の検査用電極３Ａとプ
ローブ端子８とが電気的に導通したり、又は、絶縁部４
がプローブ端子８から不良品の検査用電極３Ａに供給さ
れる印加電圧に対して所定以上の抵抗値を保つことが困
難になったりするという問題が発生する。

【００１４】前記に鑑み、本発明は、不良品の半導体集
積回路素子の検査用電極の上に形成された絶縁部が検査
用電極とコンタクタのプローブ端子とを確実に絶縁する
一方、良品の半導体集積回路素子の検査用電極とコンタ
クタのプローブ端子とを確実に導通させることを目的と
する。

【００１５】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明は、半導体集積回路素子の検査用電極にコン
タクタのプローブ端子を接触させる前に、不良品の半導
体集積回路素子の検査用電極の上に形成された絶縁部の
高さを測定し、絶縁部の高さを所定の範囲内に収めるも
のである。

【００１６】具体的には、本発明に係る半導体集積回路
の検査装置は、複数の半導体集積回路素子が形成された
半導体ウエハにおける複数の半導体集積回路素子のうち
電気的特性が不良であると判定された半導体集積回路素
子の検査用電極に絶縁性樹脂からなる絶縁部を形成する
絶縁部形成手段と、絶縁部の高さを測定する高さ測定手
段とを備えている。

【００１７】本発明の半導体集積回路の検査装置による
と、電気的特性が不良であると判定された半導体集積回
路素子の検査用電極に形成されている絶縁部の高さを測
定する高さ測定手段を備えているため、絶縁部の高さが
所定範囲を超えるとき又は所定範囲に達しないときに
は、絶縁部の形成をやり直すことができる。

【００１８】本発明の半導体集積回路の検査装置におい
て、絶縁部形成手段は、検査用電極の上に光硬化型の絶
縁性樹脂を供給する樹脂供給手段と、検査用電極の上に
供給された絶縁性樹脂に光を照射することにより、絶縁
性樹脂を硬化させて絶縁部を形成する光照射手段とを有
していることが好ましい。

【００１９】このようにすると、検査用電極の上に供給
された光硬化型の絶縁性樹脂は、光照射手段により照射
される光によって速やかに硬化する。

【００２０】本発明の半導体集積回路の検査装置におい
て、絶縁部形成手段は、検査用電極の上に熱硬化型の絶
縁性樹脂を供給する樹脂供給手段と、検査用電極の上に
供給された絶縁性樹脂を加熱することにより、絶縁性樹
脂を硬化させて絶縁部を形成する加熱手段とを有してい
ることが好ましい。

【００２１】このようにすると、検査用電極の上に供給
された熱硬化型の絶縁性樹脂は、加熱手段により供給さ
れる熱によって速やかに硬化する。

【００２２】本発明の半導体集積回路の検査装置におい
て、検査用電極の上に絶縁性樹脂を供給する樹脂供給手
段は半導体ウエハが載置されるステージを有しており、
複数枚の半導体ウエハを収納しているウエハカセットか
ら１枚の半導体ウエハを取り出すと共に、取り出した半
導体ウエハを樹脂供給手段のステージに移送するウエハ
移送手段をさらに備えていることが好ましい。

【００２３】このようにすると、ウエハ移送手段によっ
て、ウエハカセットから１枚の半導体ウエハを取り出
し、取り出した半導体ウエハを、検査用電極の上に絶縁
性樹脂を供給する樹脂供給手段のステージの上に載置す
ることができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】本発明の各実施形態に係る半導体
集積回路の検査装置は、図６に示すような絶縁性樹脂供
給装置を備えており、該絶縁性樹脂供給装置は、前述し
た各機能を有する、ステージ１０、第１の駆動手段１
１、第２の駆動手段１２、第３の駆動手段１３、コント
ローラ１４、シリンジ１５及びディスペンサ１６を有し
ている。

【００２５】（第１の実施形態）本発明の第１の実施形
態に係る半導体集積回路の検査装置は、図６に示す絶縁
性樹脂供給装置と共に、該絶縁性樹脂供給装置により供
給された絶縁性樹脂からなる絶縁部４の高さをレーザ変
位計（レーザ距離計）を用いて測定する図１に示すよう
な高さ測定装置を備えている。

【００２６】図１に示すように、絶縁性樹脂供給装置の
ステージ１０が第１の駆動手段１１又は第２の駆動手段
１２によってＸ軸方向又はＹ軸方向に移動したときのス
テージ１０の上方にはレーザ出射装置２１が配置されて
いる。

【００２７】レーザ出射装置２１は、図示しないレーザ
保持手段に保持されてＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能
に設けられている。レーザ出射装置２１は、出射面２１
ａからステージ１０の上に載置されている半導体ウエハ
１に向かってレーザビームを出射すると共に、半導体ウ
エハ１の反射面から反射されてくる反射ビームを上方へ
透過させる。

【００２８】レーザ出射装置２１の後方側つまりレーザ
出射装置２１の出射面２１ａと反対側には、レーザ出射
装置２１を透過した後、光ファイバ２２を経由して送ら
れてくる反射ビームを受光し、受光した反射ビームに基
づいて、レーザ出射装置２１と半導体ウエハ１の反射面
との距離を計測する光検出器２３が設けられている。

【００２９】光検出器２３の後方側つまり光検出器２３
に対するレーザ出射装置２１の反対側には演算装置２４
が接続されており、該演算装置２４は、光検出器２３が
計測したレーザ出射装置２１と半導体ウエハ１上の反射
面との距離に基づき、半導体ウエハ１の不良品の検査用
電極３Ａの上に形成されている絶縁部４の高さを演算
し、演算結果をディスプレイに出力する。

【００３０】以下、図１に示す高さ測定装置を用いて、
不良品の検査用電極３Ａの上に塗布された絶縁部４の高
さを測定する方法について説明する。

【００３１】まず、ステージ１０をＸ軸方向、Ｙ軸方向
又はＺ軸方向に移動して、図１において一点鎖線で示す
ように、ステージ１０の上に載置されている半導体ウエ
ハ１の表面を覆っているパッシベーション膜２の表面
に、レーザ出射装置２１から出射されるレーザビームの
焦点を合わせると共に、パッシベーション膜２の表面か
ら反射してくる反射ビームを光検出器２３で検出するこ
とによって、パッシベーション膜２の表面からレーザ出
射装置２１までの距離を測定する。

【００３２】次に、演算装置２４により、予め測定され
ている良品の検査用電極３Ｂの表面からパッシベーショ
ン膜２の表面までの距離と、光検出器２３により測定さ
れたパッシベーション膜２の表面からレーザ出射装置２
１までの距離とを合計することにより、良品の検査用電
極３Ｂの表面からレーザ出射装置２１までの第１の距離
を演算する。尚、半導体ウエハ１から不良品の検査用電
極３Ａの表面までの距離（不良品の検査用電極３Ａの厚
さ）と半導体ウエハ１から良品の検査用電極３Ｂの表面
までの距離（良品の検査用電極３Ｂの厚さ）との差は無
視できると共に、パッシベーション膜２の膜厚のばらつ
きも無視できるので、良品の検査用電極３Ｂの表面から
レーザ出射装置２１までの第１の距離は、不良品の検査
用電極３Ａの表面からレーザ出射装置２１までの距離と
みなすことができる。

【００３３】次に、ステージ１０をＸ軸方向、Ｙ軸方向
又はＺ軸方向に移動して、図１において実線で示すよう
に、半導体ウエハ１上の絶縁部４の頂面に、レーザ出射
装置２１から出射されるレーザビームの焦点を合わせる
と共に、絶縁部４の頂面から反射してくる反射ビームを
光検出器２３で検出することによって、絶縁部４の頂面
からレーザ出射装置２１までの第２の距離を測定する。

【００３４】次に、演算装置２４により、前記の第１の
距離から前記の第２の距離を減算することによって、絶
縁部４の高さ：ｄ_m を演算する。

【００３５】尚、絶縁部４の高さ：ｄ_m を第１の距離と
第２の距離との差として求めたが、これに代えて、良品
の検査用電極３Ｂからレーザ出射装置２１までの距離と
絶縁部４の頂面からレーザ出射装置２１までの距離との
差に、良品の検査用電極３Ｂの表面からパッシベーショ
ン膜２の表面までの距離を加算することによって、絶縁
部４の高さ：ｄ_m を求めてもよい。

【００３６】次に、演算装置２４により絶縁部４の高さ
を順次求め、求めた絶縁部４の高さが所定の範囲に達し
ていないときには、図６に示す絶縁性樹脂供給装置を用
いて、絶縁部４の上にさらに絶縁性樹脂を塗布すること
により、絶縁部４の高さを所定の範囲内にする。一方、
求めた絶縁部４の高さが所定の範囲を超えているときに
は、絶縁部４を除去した後、図６に示す絶縁性樹脂供給
装置を用いて、不良品の検査用電極３Ａの上に新たな絶
縁部４を形成する。

【００３７】（第２の実施形態）本発明の第２の実施形
態に係る半導体集積回路の検査装置は、図６に示す絶縁
性樹脂供給装置と共に、該絶縁性樹脂供給装置により供
給された絶縁性樹脂からなる絶縁部４の高さをマイクロ
メータを用いて測定する図２に示すような高さ測定装置
を備えている。

【００３８】図２に示すように、絶縁性樹脂供給装置の
ステージ１０が第１の駆動手段１１又は第２の駆動手段
１２によってＸ軸方向又はＹ軸方向に移動したときのス
テージ１０の上方にはマイクロメータ３１が設けられて
おり、該マイクロメータ３１は保持アーム３２の水平方
向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）への移動に伴って水平方向
に移動可能である。

【００３９】以下、図２に示す高さ測定装置を用いて、
不良品の検査用電極３Ａの上に塗布された絶縁部４の高
さを測定する方法について説明する。

【００４０】まず、ステージ１０をＸ軸方向、Ｙ軸方向
又はＺ軸方向に移動して、図２において一点鎖線で示す
ように、ステージ１０の上に載置されている半導体ウエ
ハ１の表面を覆っているパッシベーション膜２をマイク
ロメータ３１の直下に位置させる。その後、マイクロメ
ータ３１を駆動して、マイクロメータ３１の先端部をパ
ッシベーション膜２の表面に接触させてマイクロメータ
３１の目盛りを読み取ることにより、マイクロメータ３
１の所定位置からパッシベーション膜２の表面までの第
１の距離を読み取る。

【００４１】次に、ステージ１０をＸ軸方向、Ｙ軸方向
又はＺ軸方向に移動して、図２において実線で示すよう
に、半導体ウエハ１上の絶縁部４をマイクロメータ３１
の直下に位置させる。その後、マイクロメータ３１を駆
動して、マイクロメータ３１の先端部を絶縁部４の頂面
に接触させてマイクロメータ３１の目盛りを読み取るこ
とにより、マイクロメータ３１の所定位置から絶縁部４
の頂面までの第２の距離を読み取る。

【００４２】次に、第２の距離と第１の距離との差に、
予め求めておいた良品の検査用電極３Ｂの表面からパッ
シベーション膜２の表面までの距離を加算することによ
って、絶縁部４の高さ：ｄ_m を求める。

【００４３】尚、半導体ウエハ１から不良品の検査用電
極３Ａの表面までの距離と半導体ウエハ１から良品の検
査用電極３Ｂの表面までの距離との差は無視できると共
に、パッシベーション膜２の膜厚のばらつきも無視でき
るので、マイクロメータ３１の所定位置から良品の検査
用電極３Ｂまでの距離は、マイクロメータ３１の所定位
置から不良品の検査用電極３Ａまでの距離とみなすこと
ができる。

【００４４】次に、絶縁部４の高さを順次求め、求めた
絶縁部４の高さが所定の範囲に達していないときには、
図６に示す絶縁性樹脂供給装置を用いて、絶縁部４の上
にさらに絶縁性樹脂を塗布することにより、絶縁部４の
高さを所定の範囲内にする。一方、求めた絶縁部４の高
さが所定の範囲を超えているときには、絶縁部４を除去
した後、図６に示す絶縁性樹脂供給装置を用いて、不良
品の検査用電極３Ａの上に新たな絶縁部４を形成する。

【００４５】ここで、第１の実施形態及び第２の実施形
態において説明した絶縁部４の高さの所定範囲について
説明する。

【００４６】絶縁部４の高さ：ｄ_m の所定範囲として
は、本件発明者らの実験によると、不良品の検査用電極
３Ａが例えば一辺が１００μｍの正方形である場合、絶
縁部４の高さ：ｄ_m としては４μｍ〜１０μｍの間が好
ましい。その理由は次のとおりである。

【００４７】絶縁部４の高さ：ｄ_m が４μｍよりも低く
なると、絶縁部４の硬化が完了しても、プローブ端子８
を押し付けたときに絶縁部４が損傷して不良品の検査用
電極３Ａとプローブ端子８とが電気的に導通してしまっ
たり、又はプローブ端子８から不良品の検査用電極３Ａ
に供給される印加電圧に対して絶縁部４が所定以上の抵
抗値を保つことができなくなってしまう。

【００４８】一方、絶縁部４の高さ：ｄ_m が１０μｍを
超えると、不良品の検査用電極３Ａの隣りに位置する良
品の検査用電極３Ｂとプローブ端子８とが電気的に接続
されない事態が発生する。

【００４９】尚、絶縁部４の高さ：ｄ_m が好ましい範囲
として４μｍ〜１０μｍを挙げたが、検査の対象となる
半導体ウエハ１の種類が異なると、絶縁部４の高さｄ_m
の好ましい範囲も変化する。もっとも、実験によって、
絶縁部４の高さ：ｄ_m が大きくなるに伴って、プローブ
端子８を良品の検査用電極３Ｂに接触させるために要す
る押圧力も大きくなることは確かめられた。

【００５０】尚、絶縁部４の高さを測定するために、第
１の実施形態においてはレーザ変位計を用い、第２の実
施形態においてはマイクロメータを用いたが、絶縁部４
の高さを測定する手段は、前記のものに限られず、他の
適当な手段を用いて絶縁部４の高さを求めてもよい。

【００５１】以上説明したように、第１又は第２の実施
形態によると、絶縁部４の高さが所定の範囲（例えば４
μｍ〜１０μｍ）内に収まっていないときには、絶縁部
４の形成をやり直すことができるため、絶縁部４の高さ
が大きくなり過ぎて、不良品の検査用電極４Ａの近傍に
位置する良品の検査用電極４Ｂとコンタクタのプローブ
端子８とが電気的に接続されなくなる事態が防止される
と共に、絶縁部４の高さが小さくなり過ぎて、コンタク
タのプローブ端子８を押し付けたときに絶縁部４が損傷
したり、印加電圧に対して所定以上の抵抗値を持たなく
なる事態が防止される。

【００５２】（第３の実施形態）本発明の第３の実施形
態に係る半導体集積回路の検査装置は、図６に示す絶縁
性樹脂供給装置と共に、該絶縁性樹脂供給装置により供
給された光硬化型の絶縁性樹脂に光を照射して絶縁部４
を形成する図３に示すような光照射装置を備えている。

【００５３】図３に示すように、絶縁性樹脂供給装置の
ステージ１０が第１の駆動手段１１又は第２の駆動手段
１２によってＸ軸方向又はＹ軸方向に移動したときのス
テージ１０の上方には光照射装置４１が設けられてお
り、該光照射装置４１は、半導体ウエハ１の不良品の検
査用電極（図示は省略している）の上に塗布された光硬
化型の絶縁性樹脂に対して光照射部４１ａから紫外線等
の光を照射して、絶縁性樹脂を硬化させて絶縁部４を形
成する。光照射部４１ａから照射する光の照射密度及び
照射する光の広がり角度は調整可能である。

【００５４】光照射装置４１は保持アーム４２に保持さ
れていると共に、保持アーム４２は支持柱４３に対して
上下動可能に設けられており、これによって、光照射装
置４１の光照射部４１ａと絶縁部４との距離は調整可能
である。

【００５５】光照射装置４１の後方側、つまり光照射部
４１ａに対する光照射装置４１の反対側には、光ファイ
バ４４を介して接続され、紫外線等の光を発生する光発
生装置４５が設けられている。光発生装置４５において
発生した光は、光ファイバ４４を介して光照射装置４１
に供給された後、該光照射装置４１から照射密度、広が
り角度及び絶縁部４までの距離等が調整された状態で光
硬化型の絶縁性樹脂に照射されるので、絶縁性樹脂は速
やかに硬化して絶縁部４となる。

【００５６】このように、光照射装置４１から、照射密
度、広がり角度、及び出射面４１ａから絶縁部４までの
距離等が調整された光を光硬化型の絶縁性樹脂に照射す
ることができるので、絶縁性樹脂の硬化時間、及び一度
の照射で硬化させることができる絶縁性樹脂の範囲等を
調整することができる。

【００５７】第３の実施形態によると、不良品の検査用
電極４Ａの上に供給された光硬化型の絶縁性樹脂は、光
照射装置４１の光照射部４１ａから照射される光によっ
て速やかに硬化するため、未硬化の絶縁性樹脂がコンタ
クタのプローブ端子８に付着する事態が防止されると共
に、絶縁部４はコンタクタのプローブ端子８との接触圧
力に耐える硬度及び耐久性を有するようになる。

【００５８】（第４の実施形態）本発明の第４の実施形
態に係る半導体集積回路の検査装置は、図６に示す絶縁
性樹脂供給装置と共に、該絶縁性樹脂供給装置により供
給された熱硬化型の絶縁性樹脂に光を照射して絶縁部４
を形成する図４に示すような加熱装置を備えている。

【００５９】図４に示すように、絶縁性樹脂供給装置の
ステージ１０が第１の駆動手段１１又は第２の駆動手段
１２によってＸ軸方向又はＹ軸方向に移動したときのス
テージ１０の上方には、熱風噴射部５１ａから熱風を照
射する熱風噴射装置５１が設けられており、該熱風噴射
装置５１は、半導体ウエハ１の不良品の検査用電極（図
示は省略している）の上に供給された熱硬化型の絶縁性
樹脂を硬化させて絶縁部４を形成する。熱風噴射装置５
１は保持アーム５２に保持されていると共に、保持アー
ム５２は支持柱５３に対して上下動可能に設けられてお
り、これにより、熱風噴射装置５１の熱風噴射部５１ａ
と絶縁部４との距離は調整可能である。

【００６０】熱風噴射装置５１の後方側、つまり熱風噴
射部５１ａに対する熱風噴射装置５１の反対側には、熱
風供給路５４を介して接続された熱風発生装置５５が設
けられており、該熱風発生装置５５において発生し且つ
風量及び温度が調整された熱風は、熱風供給路５４を介
して熱風噴射装置５１に供給され、熱風噴射部５１ａか
ら噴射される。

【００６１】ステージ１０の内部における周縁部には、
例えば熱電対からなる第１の温度センサ５６Ａが設けら
れており、該第１の温度センサ５６Ａにより検出された
ステージ５０の温度は熱風発生装置５５にフィードバッ
クされる。

【００６２】熱風発生装置５５は、第１の温度センサ５
６Ａにより検出されたステージ１０の温度に基づき、ス
テージ１０の温度が所定値になるように風量及び温度が
調整された熱風を熱風供給路５４を介して熱風噴射装置
５１に供給するので、熱風噴射装置５１は風量及び温度
が調整された熱風を熱硬化型の絶縁性樹脂に噴射し、該
絶縁性樹脂を速やかに硬化させて絶縁部５を形成する。

【００６３】ステージ１０の内部にはヒーター５７が設
けられていると共に、該ヒーター５７はヒーター制御装
置５８に接続されている。また、ステージ１０の内部に
おけるヒーター５７の近傍には例えば熱電対からなる第
２の温度センサ５６Ｂが設けられており、該第２の温度
センサ５６Ｂにより検出されたステージ１０の温度はヒ
ーター制御装置５８にフィードバックされる。

【００６４】ヒーター制御装置５８は、第２の温度セン
サ５６Ｂにより検出されたステージ１０の温度に基づ
き、ステージ１０の温度が所定値になるようにヒーター
５７を制御するので、絶縁性樹脂は速やかに熱硬化して
絶縁部４となる。

【００６５】尚、第４の実施形態においては、ステージ
１０を加熱する手段として、熱風発生装置５５及び熱風
噴射装置５１からなる第１の加熱手段、並びにヒーター
５７からなる第２の加熱手段が設けられているが、第１
の加熱手段及び第２の加熱手段はいずれか一方のみ設け
られていてもよいと共に、第１の加熱手段及び第２の加
熱手段に代えて、半導体ウエハ１が載置されているステ
ージ１０を収納できると共に加熱温度及び加熱時間が調
整可能な恒温器を設けてもよい。

【００６６】第４の実施形態によると、不良品の検査用
電極４Ａの上に供給された熱硬化型の絶縁性樹脂は、第
１又は第２の加熱手段によって速やかに硬化するため、
未硬化の絶縁性樹脂がコンタクタのプローブ端子８に付
着する事態が防止されると共に、絶縁部４はコンタクタ
のプローブ端子８との接触圧力に耐える硬度及び耐久性
を有するようになる。

【００６７】尚、第３の実施形態においては、光硬化型
の絶縁性樹脂に光を照射して硬化させ、第４の実施形態
においては、熱硬化型の絶縁性樹脂を加熱して硬化させ
たが、不良品の検査用電極３Ａの上に供給される絶縁性
樹脂の種類及び絶縁性樹脂を硬化させるためのエネルギ
ー源について限定されない。

【００６８】（第５の実施形態）本発明の第５の実施形
態に係る半導体集積回路の検査装置は、図６に示す絶縁
性樹脂供給装置と共に、複数枚の半導体ウエハを収納し
ているウエハカセット６１から１枚の半導体ウエハ１を
取り出すと共に、取り出した半導体ウエハ１を絶縁性樹
脂供給装置のステージ１０に移送する図５に示すような
ウエハ移送装置を備えている。

【００６９】ステージ１０とウエハカセット６１との間
には、ステージ１０とウエハカセット６１とを結ぶ移送
方向に延びる移送台６２が設けられていると共に、該移
送台６２には移送方向に移動可能で且つウエハカセット
６１に沿って上下動可能である移載アーム６３が設けら
れている。また、移載アーム６３はウエハカセット６１
に収納されている半導体ウエハ１を下側から保持するア
ーム部６３ａを有している。

【００７０】以下、図５に示すウエハ移送装置を用いて
半導体ウエハ１を移送する方法について説明する。

【００７１】まず、素子良否判定工程において半導体集
積回路素子の良否の判定が行なわれた複数枚の半導体ウ
エハ１が収納されているウエハカセット６１が移送台６
２の一端部（図５における右端部）の近傍に搬送されて
くると、移載アーム６３を移送台６２の一端部側に移動
すると共に、移載アーム６３のアーム部６３ａをウエハ
カセット６１における移送の対象となる半導体ウエハ１
が収納されている部位の近傍に上昇させる。

【００７２】次に、移載アーム６３のアーム部６３ａに
よって所定の半導体ウエハ１を保持した後、アーム部６
３ａを降下させ、その後、移載アーム６３を移送台６２
の他端部側に移動する。移載アーム６３が移送台６２の
他端部側に到着すると、アーム部６３ａを上昇させて、
アーム部６３ａに保持されている半導体ウエハ１をステ
ージ１０の上に移載する。

【００７３】次に、ステージ１０の上で半導体ウエハ１
０に対する所定の工程、例えば、絶縁性樹脂の供給工
程、絶縁性樹脂の硬化工程又は絶縁性樹脂からなる絶縁
部４の高さ測定工程が完了すると、ステージ１０の上に
載置されている半導体ウエハ１を移載アーム６３のアー
ム部６３ａによって保持した後、アーム部６３ａを降下
させ、その後、移載アーム６３を移送台６２の一端部側
に移動する。移載アーム６３が移送台６２の一端部側に
到着すると、アーム部６３ａを上昇させて、アーム部６
３ａに保持されている半導体ウエハ１をウエハカセット
６１の所定の収納部に収納する。

【００７４】次に、再び、移載アーム６３のアーム部６
３ａをウエハカセット６１における次に移送の対象とな
る半導体ウエハ１が収納されている部位の近傍に移動さ
せ、前述した動作を繰り返す。

【００７５】第５の実施形態によると、移載アーム６３
によって、ウエハカセット６１から１枚の半導体ウエハ
１を取り出し、取り出した半導体ウエハ１を、検査用電
極の上に絶縁性樹脂を供給する樹脂供給手段のステージ
１０の上に載置することができるので、半導体ウエハ１
の絶縁性樹脂供給装置への供給工程を自動化することが
できる。

【００７６】

【発明の効果】本発明の半導体集積回路の検査装置によ
ると、電気的特性が不良であると判定された半導体集積
回路素子の検査用電極に形成されている絶縁部の高さを
測定する高さ測定手段を備えているため、絶縁部の高さ
が所定範囲を超えるとき又は所定範囲に達しないときに
は、絶縁部の形成をやり直すことができるので、絶縁部
の高さが大きくなり過ぎて、不良品の検査用電極の近傍
に位置する良品の検査用電極とコンタクタのプローブ端
子とが電気的に接続されなくなる事態が防止されると共
に、絶縁部の高さが小さくなり過ぎて、コンタクタのプ
ローブ端子を押し付けたときに絶縁部が損傷したり、印
加電圧に対して所定以上の抵抗値を持たなくなる事態が
防止される。

【００７７】従って、不良品の半導体集積回路素子の検
査用電極の上に形成された絶縁部は検査用電極とコンタ
クタのプローブ端子とを確実に絶縁する一方、良品の半
導体集積回路素子の検査用電極とコンタクタのプローブ
端子とを確実に導通させることが可能になる。

【００７８】本発明の半導体集積回路の検査装置におい
て、絶縁部形成手段が光硬化型の絶縁性樹脂を供給する
樹脂供給手段と、絶縁性樹脂に光を照射する光照射手段
とを有していると、検査用電極の上に供給された光硬化
型の絶縁性樹脂は、光照射手段により照射される光によ
って硬化が促進されるので未硬化の絶縁性樹脂がコンタ
クタのプローブ端子に付着する事態が防止されると共
に、絶縁性樹脂の硬化により形成される絶縁部は、コン
タクタのプローブ端子との接触圧力に耐える硬度及び耐
久性を有するようになる。

【００７９】本発明の半導体集積回路の検査装置におい
て、絶縁部形成手段が熱硬化型の絶縁性樹脂を供給する
樹脂供給手段と、絶縁性樹脂を加熱する加熱手段とを有
していると、検査用電極の上に供給された熱硬化型の絶
縁性樹脂は、加熱手段の熱によって硬化が促進されるの
で未硬化の絶縁性樹脂がコンタクタのプローブ端子に付
着する事態が防止されると共に、絶縁性樹脂の硬化によ
り形成される絶縁部は、コンタクタのプローブ端子との
接触圧力に耐える硬度及び耐久性を有するようになる。

【００８０】本発明の半導体集積回路の検査装置が、ウ
エハカセットから１枚の半導体ウエハを取り出すと共
に、取り出した半導体ウエハを樹脂供給手段のステージ
に移送するウエハ移送手段を備えていると、ウエハカセ
ットから取り出した半導体ウエハを、検査用電極の上に
絶縁性樹脂を供給する樹脂供給手段のステージの上に載
置することができるので、半導体ウエハを樹脂供給手段
のステージに自動的に供給することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体集積回路
の検査装置に設けられている高さ測定装置の断面図であ
る。

【図２】本発明の第２の実施形態に係る半導体集積回路
の検査装置に設けられている高さ測定装置の断面図であ
る。

【図３】本発明の第３の実施形態に係る半導体集積回路
の検査装置に設けられている光照射装置の断面図であ
る。

【図４】本発明の第４の実施形態に係る半導体集積回路
の検査装置に設けられている加熱装置の断面図である。

【図５】本発明の第５の実施形態に係る半導体集積回路
の検査装置に設けられているウエハ移送装置の斜視図で
ある。

【図６】本発明の第１〜第５の実施形態に係る半導体集
積回路の検査装置に設けられている絶縁性樹脂供給装置
の斜視図である。

【図７】図６に示す絶縁性樹脂供給装置により絶縁性樹
脂を供給して絶縁部を形成するときの問題点を説明する
断面図である。

【符号の説明】

１ 半導体ウエハ ２ パッシベーション膜 ３Ａ 不良品の検査用電極 ３Ｂ 良品の検査用電極 ４ 絶縁部 １０ ステージ １１ 第１の駆動手段 １２ 第２の駆動手段 １３ 第３の駆動手段 １４ コントローラ １５ シリンジ １６ ディスペンサ ２１ レーザ出射装置 ２１ａ 出射面 ２２ 光ファイバ ２３ 光検出器 ２４ 演算装置 ３１ マイクロメータ ３２ 保持アーム ４１ 光照射装置 ４１ａ 光照射部 ４２ 保持アーム ４３ 支持柱 ４４ 光ファイバ ４５ 光発生装置 ５１ 熱風噴射装置 ５１ａ 熱風噴射部 ５２ 保持アーム ５３ 支持柱 ５４ 熱風供給路 ５５ 熱風発生装置 ５６Ａ 第１の温度センサ ５６Ｂ 第２の温度センサ ５７ ヒーター ５８ ヒーター制御装置 ６１ ウエハカセット ６２ 移送台 ６３ 移載アーム ６３ａ アーム部

フロントページの続き (72)発明者 實盛 健郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 古本 建二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2F069 AA42 BB13 CC08 DD16 GG07 GG11 GG62 HH09 HH24 JJ15 4M106 AA01 BA01 BA07 BA14 CA48 DA01 DA09 DD22 DD30 DH03 DH12 DH15 DH32 DJ04 DJ05 DJ23

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の半導体集積回路素子が形成された
   半導体ウエハにおける前記複数の半導体集積回路素子の
   うち電気的特性が不良であると判定された半導体集積回
   路素子の検査用電極に絶縁性樹脂からなる絶縁部を形成
   する絶縁部形成手段と、 前記絶縁部の高さを測定する高さ測定手段とを備えてい
   ることを特徴とする半導体集積回路の検査装置。
2. 【請求項２】 前記絶縁部形成手段は、 前記検査用電極の上に光硬化型の絶縁性樹脂を供給する
   樹脂供給手段と、 前記検査用電極の上に供給された絶縁性樹脂に光を照射
   することにより、前記絶縁性樹脂を硬化させて前記絶縁
   部を形成する光照射手段とを有していることを特徴とす
   る請求項１に記載の半導体集積回路の検査装置。
3. 【請求項３】 前記絶縁部形成手段は、 前記検査用電極の上に熱硬化型の絶縁性樹脂を供給する
   樹脂供給手段と、 前記検査用電極の上に供給された前記絶縁性樹脂を加熱
   することにより、前記絶縁性樹脂を硬化させて前記絶縁
   部を形成する加熱手段とを有していることを特徴とする
   請求項１に記載の半導体集積回路の検査装置。
4. 【請求項４】 前記樹脂供給手段は、前記半導体ウエハ
   が載置されるステージを有しており、 複数枚の半導体ウエハを収納しているウエハカセットか
   ら１枚の半導体ウエハを取り出すと共に、取り出した半
   導体ウエハを前記ステージに移送するウエハ移送手段を
   さらに備えていることを特徴とする請求項２又は３に記
   載の半導体集積回路の検査装置。