JP3461642B2 - 基板乾燥装置 - Google Patents
基板乾燥装置Info
- Publication number
- JP3461642B2 JP3461642B2 JP30892295A JP30892295A JP3461642B2 JP 3461642 B2 JP3461642 B2 JP 3461642B2 JP 30892295 A JP30892295 A JP 30892295A JP 30892295 A JP30892295 A JP 30892295A JP 3461642 B2 JP3461642 B2 JP 3461642B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- isopropyl alcohol
- vapor
- substrate drying
- heat exchange
- ipa
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 37
- 238000001035 drying Methods 0.000 title claims description 35
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 63
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 11
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 9
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 6
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 6
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 5
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000003245 coal Substances 0.000 claims 1
- 239000006187 pill Substances 0.000 claims 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 34
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 206010000369 Accident Diseases 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 235000015067 sauces Nutrition 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B21/00—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
- F26B21/14—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects using gases or vapours other than air or steam, e.g. inert gases
- F26B21/145—Condensing the vapour onto the surface of the materials to be dried
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B3/00—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat
- F26B3/28—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by radiation, e.g. from the sun
- F26B3/30—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by radiation, e.g. from the sun from infrared-emitting elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Microbiology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
Description
ェハやLCD用ガラス基板等の基板を乾燥するための基
板乾燥装置に関する。
工程ごとにウェハに異物が付着残留しない状態で次工程
にウェハを送ることが重要である。このため、ある1つ
の工程が終了して次の工程に移行する前の段階でウェハ
を洗浄処理し、付着した異物を除去してウェハ表面をク
リーンにする。洗浄後はウェハを超純水で水洗し、これ
を乾燥処理する。
ハの乾燥処理には蒸気式の基板乾燥装置が用いられる。
蒸気式の基板乾燥装置では、イソプロピルアルコール
(以後、IPAと略称する)のような低沸点(沸騰点が
約82℃)の有機溶媒を加熱し、発生させたIPA蒸気
中にウェハを曝し、ウェハ表面に付着した水分をIPA
で置換する。そして、ウェハを処理槽外に移動させ、付
着したIPAをウェハ表面から揮発させる。その結果、
パーティクルや薬剤等の汚染物質が付着残留しないクリ
ーンかつドライな表面をもつウェハが得られる。
シーズヒータまたはカートリッジヒータ埋設型のホット
プレートを備えている。このホットプレートは処理槽の
底部外面に接して取り付けられ、処理槽内のIPAを間
接的に加熱するようにしている。この理由は、IPAは
引火性の強い物質であるため火災事故を起こしやすく、
安全性の観点から処理槽内のIPAを電気ヒータで直接
加熱することはできないからである。また、従来装置の
電気ヒータは低容量である。この理由は、電気ヒータの
制御系が故障すると、IPA蒸気の発生量がオーバーシ
ュートして大幅に過剰になり危険であるからである。
置のヒータでは石英製またはステンレス鋼製の壁を介し
てIPAを間接加熱するため、伝熱効率が低く、熱応答
性がよくない。このため、加熱開始からIPA蒸気が処
理に必要かつ十分な量になるまでに時間がかかりすぎ、
多量のウェハを安全かつ迅速に乾燥処理することができ
ない。
のウェハを一括にバッチ処理するので、このようなバッ
チ処理方式では消費エネルギの低減およびIPA消費量
の低減を図る必要がある。しかし、従来装置では蒸気発
生量を制御するための制御系の応答が遅いので、常に乾
燥処理に必要な蒸気発生量を維持させなくてはならない
ため、消費エネルギおよびIPA消費量ともに増大して
しまう。本発明の目的とするところは、多量の基板を短
時間で安全かつ迅速に乾燥処理することができる基板乾
燥装置を提供することにある。
置は、水で濡らされた複数枚の基板を一括に乾燥処理す
る基板乾燥装置において、水の沸点よりも低い沸点をも
つイソプロピルアルコールが収容される処理槽と、この
処理槽内にイソプロピルアルコールを供給する有機溶媒
供給源と、前記処理槽内のイソプロピルアルコールに浸
漬され、かつ、内部に飽和水蒸気又は過飽和水蒸気が通
流される熱交換チューブを備えており、前記飽和水蒸気
又は過飽和水蒸気とイソプロピルアルコールとを熱交換
させてイソプロピルアルコールの蒸気を発生させる第1
の熱交換器と、前記処理槽の上部または上方に設けら
れ、かつ、内部に冷媒が通流される熱交換チューブを備
えており、冷媒とイソプロピルアルコールの蒸気とを熱
交換させてイソプロピルアルコールの蒸気を凝縮させる
第2の熱交換器と、前記第1熱交換チューブ内を通流す
る前記飽和水蒸気又は過飽和水蒸気の流量を可変するモ
ータ駆動式のボールバルブを備えた流量可変調整機構
と、イソプロピルアルコールの蒸気凝縮領域の異なる高
さ位置において温度をそれぞれ検出する2つの温度セン
サと、前記2つの温度センサによって検出された検出信
号に基づき前記流量可変調整機構を制御し、イソプロピ
ルアルコールの蒸気を上昇又は下降させるべく前記飽和
水蒸気又は過飽和水蒸気の流量を増減させる制御手段
と、前記有機溶媒供給源に内蔵され、イソプロピルアル
コール中に含まれる水分を分離除去する分離フィルタ
と、を有することを特徴とする。本発明の基板乾燥装置
は、流量可変調整機構、温度センサおよび制御手段を有
するので、有機溶媒蒸気の発生量制御を迅速かつ簡単に
実行することができる。また、本発明の基板乾燥装置
は、分離フィルタを有機溶媒供給源のなかに有するの
で、この供給源から処理槽内に高純度の有機溶媒を供給
することができ、長期間にわたり有機溶媒の蒸気発生効
率が劣化しない。
℃)を用いるので、熱媒体として温度が90〜150℃
の範囲、好ましくは130℃前後の飽和水蒸気又は過飽
和水蒸気を使用する。このため、火災事故を生じるおそ
れがほとんどなく、安全である。さらに、本発明の装置
は、処理槽の上方に異常検知用の温度センサを有するの
で、IPA蒸気が適正量を超えて多量に発生した場合等
に、その異常が迅速にコントロール室のオペレータに報
知され、火災の発生を未然に防ぐことができる。
本発明の好ましい実施の形態について説明する。図1〜
図3に示すように、基板乾燥装置10はステンレス鋼製
の外槽11を備え、外槽11のなかに石英ガラス製また
はステンレス鋼製の処理槽12が設けられている。処理
槽12のなかには液状のIPA6が収容されている。外
槽11及び処理槽12ともに上部開口をもつ箱形容器で
ある。処理槽12と外槽11との間には断熱層13が設
けられ、処理槽12が外槽11から断熱されるようにな
っている。また、処理槽12は保温台16の上に載置さ
れている。
タ51が被せられている。各シャッタ51はフィルタ5
2及びエア導入管53を備え、フィルタ52を介して外
槽11の上部スペース15Bに清浄エアが導入されるよ
うになっている。また、各シャッタ51にはシリンダ5
4の水平ロッド54aが連結され、シャッタ51のそれ
ぞれは水平方向にスライドされるようになっている。
上方に設けられ、ウェハボート82がボート昇降装置の
支持棒81により支持されている。ボート82には洗浄
装置(図示せず)で洗浄された25〜50枚の半導体ウ
ェハWが積み込まれている。基板乾燥装置10はウェハ
Wの直径及び枚数に応じてその容量サイズが決まる。ウ
ェハボート82は、外槽11の上部開口から装置10内
に導入され、上部スペース15Bを通って下部スペース
15Aに置かれるようになっている。下部スペース15
Aは処理槽12内で発生されるIPA蒸気が存在する領
域にあたる。
れ、この受皿19の上にウェハボート82が置かれるよ
うになっている。受皿19はIPA6の液面6aよりも
上方に位置するように部材19aによって支持されてい
る。受皿19のほぼ中央には内部通路33に連通する孔
33aが開口している。内部通路33は外部の回収容器
(図示せず)に連通している。
連通する供給管31及び戻り管32を備えている。IP
A供給源30は供給管31を介して処理槽12内にほぼ
室温のIPA6を供給し、戻り管32を介して処理槽1
2内のIPA6を排出するようになっている。IPA供
給源30は、流量制御弁(図示せず)及び分離フィルタ
(図示せず)を内蔵している。分離フィルタはIPA6
から水分を分離する機能を有する。分離された水分はド
レン(図示せず)を介して外部に排出されるようになっ
ている。
通し、液面表示管36の垂直部にIPA液面6aの位置
が表示されるようになっている。液面表示管36の垂直
部は透明材料でつくられ、2つの光学センサ36a,3
6bによりIPA液面6aが検出されるようになってい
る。一方の光学センサ36aは液面6aの下限レベル位
置に設けられている。他方の光学センサ38は液面6a
の上限レベル位置に設けられている。両センサ36a,
36bともに投光素子及び受光素子をそれぞれ備え、制
御器40の入力部にそれぞれ接続されている。下センサ
36aでIPA液面6aを検出すると、制御器40はI
PA供給源30に指令信号を送り、処理槽12内にIP
A6が供給されるようになっている。上センサ36bで
IPA液面6aを検出すると、制御器40はIPA供給
源30に指令信号を送り、処理槽12内からIPA6が
排出されるようになっている。
内底部の直上に設けられている。第1熱交換器17は、
最適レベルの液面6aから約5cm下方に位置するよう
に、IPA6内に水没していることが好ましい。第1熱
交換チューブ17は石英ガラスのチューブまたはステン
レス鋼のパイプで形成されている。
7の上流部17aは熱媒供給源20の供給側に連通して
いる。熱媒供給源20内には熱媒として飽和スチーム又
は過飽和スチームが収容されている。スチームの温度は
約130℃を中心として120〜140℃の範囲にコン
トロールされている。上流部17aの適所にボールバル
ブ38が設けられている。ボールバルブ38の開閉動作
部にはモータ37の駆動軸が連結され、モータ37の電
源スイッチには制御器40の出力部が接続されている。
一方、第1熱交換チューブ17の下流部17bは他の熱
交換器(図示せず)又は回収容器(図示せず)に連通さ
れている。
7は処理槽12の底部に沿って蛇行している。なお、第
1熱交換チューブ17は直線状、U字状、又はコイル状
など他の形状としてもよい。また、第1熱交換チューブ
17の外周に必要に応じて多数のフィンを突設してもよ
い。第1熱交換チューブ17は、石英製またはステンレ
ス鋼製のチューブからなり、外径は10〜20mm、内径
は8〜18mm、肉厚は1〜2mmである。
り囲むように設けられている。樋22のなかにはコイル
状の第2熱交換チューブ21が収納されている。この第
2熱交換チューブ21は内周開口22aを介して樋22
内に侵入するIPA蒸気を冷却し、凝縮させる機能を有
する。樋22のドレン22bは処理槽12の上部内壁に
沿って取り付けられている。凝縮したIPA液はドレン
22bを通って処理槽12の内壁を伝わり底部に戻るよ
うになっている。さらに、樋22のベント22cは処理
槽12の外に向けて開口している。一方、外槽11の側
壁には排気装置60に連通する通路61が開口してい
る。この排気通路61を介して過剰なIPA蒸気が装置
外部へ排出されるようになっている。排出されたIPA
蒸気は回収容器(図示せず)に回収されるようになって
いる。
は冷媒供給源28に連通し、これに冷媒が循環されるよ
うになっている。冷媒供給源28には冷媒として水や特
殊アルコール類が収容されている。第2熱交換チューブ
21は、石英製またはステンレス鋼製のチューブからな
り、外径は10〜20mm、内径は9〜19mm、肉厚は
0.5〜2.5mmである。なお、冷媒供給源28は冷媒
そのものを冷却するための熱交換システム(図示せず)
を備えている。
ス15Aの上限領域、すなわちIPA蒸気の凝縮領域に
設けられている。各温度センサ23,24は制御器40
にそれぞれ接続されている。これら温度センサ23,2
4の検出感度はIPAの沸点より低い温度、例えば70
℃にそれぞれ設定されている。第1の温度センサ23の
検出端はIPA蒸気凝縮領域のなかでも下のほうに位置
し、第2の温度センサ24の検出端はIPA蒸気凝縮領
域のなかでも上のほうに位置している。第2温度センサ
24の検出端は第1温度センサ23の検出端よりも4〜
6cmほど上方に設けられている。
の第3の温度センサ25が設けられている。この第3温
度センサ25は制御器40を介して火災報知器(図示せ
ず)及び自動消火装置(図示せず)に接続されている。
自動消火装置は処理槽12からIPAを緊急排出すると
ともに、ガス状の消火剤を散布する機能を有する。
にIPA蒸気雰囲気と隔離された状態で設けられ、上部
スペース15Bを通過するウェハWに赤外線が照射さ
れ、ウェハWを乾燥するようになっている。各ランプ7
1は反射板72でバックアップされている。なお、ラン
プ71の代わりにノズルを設けて、クリーンなドライガ
スをウェハWに吹き付けるようにしてもよい。
図7(a)〜(b)を参照しながら多数枚の濡れたウェ
ハWを上記装置10を用いて一括に乾燥処理する場合に
ついて説明する。
る(工程S1)。図6(a)及び図6(e)に示すよう
に、供給終了信号SP を受信すると制御器40からモー
タ37に指令信号SO が発信される。図6(b)及び図
6(e)に示すように、指令信号SO を受信するとモー
タ37はバルブ38を開度20〜30%に開け、第1の
熱交換チューブ17にスチームを供給し、処理槽内のI
PA6を加熱し、その状態を維持する(工程S2)。一
定時間を経過すると処理槽内のIPA6が温まり、IP
A蒸気6vの少量発生を維持し、処理可能な状態となる
(準備完了)。
に積み込み、ボート82を昇降装置により下降させはじ
めると、トリガー信号SL が制御器40に送られる。図
6(a)及び図6(e)に示すように、制御器40がト
リガー信号SL を受信すると(工程S21)、制御器4
0からモータ37に指令信号S90が発信される(工程S
22)。図6(b)及び図6(e)に示すように、指令
信号S90を受信すると、モータ37はバルブ38を開度
20〜30%から開度90%に変え、第1熱交換チュー
ブ17へのスチーム供給量を増大する。
ボート82を装置10内に搬入し(工程S4)、シャッ
タ51を閉める(工程S5)。ウェハボート82を受皿
19の上に載置し、ウェハWをスペース15AのIPA
蒸気6vに曝す(工程S6)。
されているので、IPA6の加熱が強まり、IPA蒸気
6vの発生量が増大し、ウェハ表面の水分がIPAに完
全に置換される。水分は受皿19内に流れ落ち、通路3
3を通って装置外部へ排出される。また、第2熱交換チ
ューブ21によりIPA蒸気6vは凝縮され、凝縮した
IPA6は樋22を介して処理槽12の底部に戻され
る。なお、制御器40は信号SU を受信するまで指令信
号Sc1 を発信し続ける(工程S25,工程S26)。
の層が徐々に上昇し、図7(b)に示すように第2温度
センサ24の検出端部に蒸気6vが到達すると、センサ
24は温度変化を検出し、検出信号Sd1 を制御器40
に送る(工程S23)。図6B及び図6Cに示すよう
に、検出信号Sd1 を受信すると、制御器40はモータ
37に指令信号Sc1 を発信する(工程S24,工程S
25)。これによりモータ37が駆動し、バルブ38の
開度を90%から50〜89%(予め設定をしておく)
の範囲に減じる。これによりIPA6の加熱が弱まり、
IPA蒸気6vの発生量が減少し、IPA蒸気6vの層
が徐々に下降する。
の層が第1温度センサ23の検出端部を下回ると、セン
サ23は温度変化を検出し、検出信号Sd2 を制御器4
0に送る。図6(b)及び図6(d)に示すように、検
出信号Sd2 を受信すると(工程S24)、制御器40
はモータ37に指令信号S90を発信する(工程S2
2)。これによりモータ37が駆動し、図6(e)に示
すように、バルブ38の開度を50〜89%の範囲から
90%に増大する。この繰り返しにより処理期間T1 中
においてはIPA蒸気6vの層は第1温度センサ23の
検出端部と第2温度センサ24の検出端部との間に制御
される。
了すると、ウェハボート82を上昇させる。ウェハボー
ト82を上昇させはじめると、トリガー信号SU が制御
器40に送られる。制御器40はトリガー信号SU を受
信すると(工程S26)、制御器40からモータ37に
指令信号SO が発信される(工程S27)。指令信号S
O を受信すると、モータ37はバルブ38の開度を20
〜30%に低減し、IPA6の加熱を弱める(工程S
8)。
一時停止させ、スペース15Bを排気するとともに(工
程S9)、ランプ71を点灯し、ウェハWを乾燥する
(工程S10)。シャッタ51を開け(工程S11)、
ウェハWを装置10から搬出し(工程S12)、シャッ
タ51を閉じる(工程S13)。
処理槽内のIPAを水蒸気により直接加熱するので、I
PAの加熱開始から蒸気発生までの応答が速く、多量の
IPA蒸気を迅速かつ安全に発生させることができる。
このため、処理期間T1が短縮され、スループットが大
幅に向上する。なお、期間T0はバルブ開度20〜30
%でIPA6をウォームアップする準備期間にあたり、
期間T2はバルブ開度50〜89%でIPA6を加熱す
る期間にあたる。
に大きくすることは容易に可能であり、さらに効率良く
IPA6を加熱することができるようになる。また、第
1熱交換チューブ17に用いる熱媒体として温度が13
0℃前後の飽和水蒸気を採用するので、火災を起こすお
それがほとんどなく、安全である。
制御器40によりスチームバルブ38をフィードバック
制御するので、IPA蒸気の発生量を迅速かつ細まめに
変えることができ、処理に要する時間をなお一層短縮す
ることができる。
よび第1熱交換器17は石英ガラス製またはステンレス
鋼製であるが、不純物の溶出が極めて少なければこれら
以外の他の材料でつくってもよい。また、上述した実施
例では半導体ウェハを乾燥する場合について説明した
が、この他にLCD基板の乾燥にも本発明の装置を用い
ることができる。
PAを直接加熱するので、IPAの加熱開始から蒸気発
生までの応答が速く、多量のIPA蒸気を迅速に発生さ
せることができる。このため、処理期間T1 が短縮さ
れ、スループットが大幅に向上する。また、本発明装置
の有機溶媒供給源は分離フィルタを内蔵しているので、
処理槽内には水分除去された高純度のIPAが供給さ
れ、長期間にわたりIPAの蒸気発生効率が劣化せず、
かつ多量の基板を乾燥処理するにもかかわらずIPA消
費量が少ない。
に大きくすることは容易に可能であり、さらに効率良く
IPA6を加熱することができるようになる。また、第
1熱交換チューブ17に用いる熱媒体として温度が13
0℃前後の飽和水蒸気を採用するので、火災を起こすお
それがほとんどなく、安全である。
0によりスチームバルブ38をフィードバック制御する
ので、IPA蒸気の発生量を迅速かつ細まめに変えるこ
とができ、処理に要する時間をなお一層短縮することが
できる。
す断面ブロック図。
す断面図。
すフローチャート。
テムの動作を説明するために各信号とバルブ開度との関
係を示すタイミングチャート。
御を説明するためにIPA蒸気発生領域の上限をそれぞ
れ模式的に示す略断面図である。
ューブ、19…受皿、20…熱媒供給源、 21…第2
の熱交換チューブ、22…樋、 23,24,25…温
度センサ、 28…冷媒供給源、30…IPA供給源、
37…モータ、 38…バルブ、 40…制御器。
Claims (10)
- 【請求項1】 水で濡らされた複数枚の基板を一括に乾
燥処理する基板乾燥装置において、 水の沸点よりも低い沸点をもつイソプロピルアルコール
が収容される処理槽と、 この処理槽内にイソプロピルアルコールを供給する有機
溶媒供給源と、 前記処理槽内のイソプロピルアルコールに浸漬され、か
つ、内部に飽和水蒸気又は過飽和水蒸気が通流される熱
交換チューブを備えており、前記飽和水蒸気又は過飽和
水蒸気とイソプロピルアルコールとを熱交換させてイソ
プロピルアルコールの蒸気を発生させる第1の熱交換器
と、 前記処理槽の上部または上方に設けられ、かつ、内部に
冷媒が通流される熱交換チューブを備えており、冷媒と
イソプロピルアルコールの蒸気とを熱交換させてイソプ
ロピルアルコールの蒸気を凝縮させる第2の熱交換器
と、前記第1熱交換チューブ内を通流する前記飽和水蒸気又
は過飽和水蒸気の流量を可変するモータ駆動式のボール
バルブを備えた 流量可変調整機構と、イソプロピルアルコールの蒸気凝縮領域の異なる高さ位
置において温度をそれぞれ検出する2つの温度センサ
と 、前記2つの温度センサによって検出された検出信号に基
づき前記流量可変調整機構を制御し、イソプロピルアル
コールの蒸気を上昇又は下降させるべく前記飽和水蒸気
又は過飽和水蒸気の流量を増減させる 制御手段と、前記有機溶媒供給源に内蔵され、イソプロピルアルコー
ル中に含まれる水分を分離除去する分離フィルタと、 を
有することを特徴とする基板乾燥装置。 - 【請求項2】 さらに、イソプロピルアルコールの蒸気
を発生させる領域より上方で、基板に付着したイソプロ
ピルアルコールを強制的に揮発させる手段を有すること
を特徴とする請求項1記載の基板乾燥装置。 - 【請求項3】 処理槽は石英ガラス製又はステンレス鋼
製であることを特徴とする請求項1記載の基板乾燥装
置。 - 【請求項4】 第1の熱交換チューブは石英ガラス製又
はステンレス鋼製で あることを特徴とする請求項1記載
の基板乾燥装置。 - 【請求項5】 第2の熱交換チューブは石英ガラス製又
はステンレス鋼製であることを特徴とする請求項1記載
の基板乾燥装置。 - 【請求項6】 さらに、第2の熱交換器により凝縮され
たイソプロピルアルコールを処理槽の下部に戻すための
樋を有することを特徴とする請求項1記載の基板乾燥装
置。 - 【請求項7】 さらに、処理槽内のイソプロピルアルコ
ールに浸漬しないように設けられ、基板から除去された
水分を受ける受皿と、この受皿に開口し除去水分を外部
に排出する排出通路と、を有することを特徴とする請求
項1記載の基板乾燥装置。 - 【請求項8】 さらに、イソプロピルアルコールの蒸気
発生領域よりも上方の領域を排気する排気手段を有する
ことを特徴とする請求項1記載の基板乾燥装置。 - 【請求項9】 さらに、イソプロピルアルコールの蒸気
発生領域とその上方領域との間で基板を移動させる搬送
手段を有することを特徴とする請求項1記載の基板乾燥
装置。 - 【請求項10】 さらに、前記処理槽の上方に設けられ
た異常検知用の温度センサを有することを特徴とする請
求項1記載の基板乾燥装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30892295A JP3461642B2 (ja) | 1994-11-29 | 1995-11-28 | 基板乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29527794 | 1994-11-29 | ||
JP6-295277 | 1994-11-29 | ||
JP30892295A JP3461642B2 (ja) | 1994-11-29 | 1995-11-28 | 基板乾燥装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08241881A JPH08241881A (ja) | 1996-09-17 |
JP3461642B2 true JP3461642B2 (ja) | 2003-10-27 |
Family
ID=17818523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30892295A Expired - Fee Related JP3461642B2 (ja) | 1994-11-29 | 1995-11-28 | 基板乾燥装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5657553A (ja) |
JP (1) | JP3461642B2 (ja) |
KR (1) | KR100401388B1 (ja) |
TW (1) | TW301761B (ja) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6050275A (en) | 1996-09-27 | 2000-04-18 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for and method of cleaning objects to be processed |
US5864966A (en) * | 1996-12-19 | 1999-02-02 | California Institute Of Technology | Two solvent vapor drying technique |
JP3171807B2 (ja) * | 1997-01-24 | 2001-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
JP3230051B2 (ja) * | 1997-05-16 | 2001-11-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 乾燥処理方法及びその装置 |
JPH10321585A (ja) * | 1997-05-22 | 1998-12-04 | Mitsubishi Electric Corp | 乾燥装置および乾燥方法 |
JPH10321584A (ja) * | 1997-05-22 | 1998-12-04 | Mitsubishi Electric Corp | 乾燥装置および乾燥方法 |
KR100707107B1 (ko) * | 1997-07-17 | 2007-12-27 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 세정.건조처리방법및장치 |
JP3897404B2 (ja) * | 1997-07-22 | 2007-03-22 | オメガセミコン電子株式会社 | ベーパ乾燥装置及び乾燥方法 |
US6026589A (en) * | 1998-02-02 | 2000-02-22 | Silicon Valley Group, Thermal Systems Llc | Wafer carrier and semiconductor apparatus for processing a semiconductor substrate |
US6108932A (en) * | 1998-05-05 | 2000-08-29 | Steag Microtech Gmbh | Method and apparatus for thermocapillary drying |
US6199564B1 (en) * | 1998-11-03 | 2001-03-13 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and apparatus |
GB2346953A (en) * | 1999-02-16 | 2000-08-23 | Stephen Rodger Henly | Removing water from articles |
US6192600B1 (en) | 1999-09-09 | 2001-02-27 | Semitool, Inc. | Thermocapillary dryer |
US6722056B2 (en) * | 2001-03-15 | 2004-04-20 | Akrion, Llc | Drying vapor generation |
US6405452B1 (en) * | 2001-03-28 | 2002-06-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method and apparatus for drying wafers after wet bench |
US6649883B2 (en) * | 2001-04-12 | 2003-11-18 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of calibrating a semiconductor wafer drying apparatus |
US20030136429A1 (en) * | 2002-01-22 | 2003-07-24 | Semitool, Inc. | Vapor cleaning and liquid rinsing process vessel |
DE10216786C5 (de) * | 2002-04-15 | 2009-10-15 | Ers Electronic Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterwafern und/oder Hybriden |
US10086511B2 (en) | 2003-11-10 | 2018-10-02 | Brooks Automation, Inc. | Semiconductor manufacturing systems |
US20070269297A1 (en) | 2003-11-10 | 2007-11-22 | Meulen Peter V D | Semiconductor wafer handling and transport |
US7458763B2 (en) | 2003-11-10 | 2008-12-02 | Blueshift Technologies, Inc. | Mid-entry load lock for semiconductor handling system |
EP1684951B1 (en) | 2003-11-10 | 2014-05-07 | Brooks Automation, Inc. | System for handling workpieces in a vacuum-based semiconductor handling system |
US7836900B2 (en) * | 2004-04-02 | 2010-11-23 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system, substrate processing method, recording medium and software |
US7637029B2 (en) * | 2005-07-08 | 2009-12-29 | Tokyo Electron Limited | Vapor drying method, apparatus and recording medium for use in the method |
JP2008082569A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Kojiro Okawa | 水切り乾燥装置及び水切り乾燥方法 |
JP5104174B2 (ja) | 2007-10-01 | 2012-12-19 | 富士通株式会社 | 洗浄乾燥装置及び洗浄乾燥方法 |
JP2009124025A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Fujitsu Ltd | 洗浄乾燥装置及び洗浄乾燥方法 |
JP5362503B2 (ja) * | 2009-09-24 | 2013-12-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄・乾燥処理方法、洗浄・乾燥処理装置、および記録媒体 |
US9377423B2 (en) | 2012-12-31 | 2016-06-28 | Cascade Microtech, Inc. | Systems and methods for handling substrates at below dew point temperatures |
CN113418383B (zh) * | 2021-06-24 | 2022-05-17 | 长沙韶光铬版有限公司 | 一种铬版湿法清洗工艺干燥用异丙醇蒸汽回流装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4393657A (en) * | 1981-04-29 | 1983-07-19 | Isao Takatama | Method for recovering waste heat as motive power |
US4800362A (en) * | 1986-02-10 | 1989-01-24 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Organic solvent cleaning apparatus |
JPS62260325A (ja) * | 1986-05-07 | 1987-11-12 | Sigma Gijutsu Kogyo Kk | 基板乾燥方法 |
US4822429A (en) * | 1986-07-07 | 1989-04-18 | Mccord James W | Liquid circulating means for a vapor generating and recovery apparatus |
US4977688A (en) * | 1989-10-27 | 1990-12-18 | Semifab Incorporated | Vapor device and method for drying articles such as semiconductor wafers with substances such as isopropyl alcohol |
JP2910402B2 (ja) * | 1992-04-27 | 1999-06-23 | 三菱電機株式会社 | 蒸気乾燥方法及び蒸気乾燥槽 |
JP2902222B2 (ja) * | 1992-08-24 | 1999-06-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 乾燥処理装置 |
JP3003016B2 (ja) * | 1992-12-25 | 2000-01-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
US5539995A (en) * | 1994-03-16 | 1996-07-30 | Verteq, Inc. | Continuous flow vapor dryer system |
-
1995
- 1995-11-25 TW TW084112564A patent/TW301761B/zh not_active IP Right Cessation
- 1995-11-27 KR KR1019950043996A patent/KR100401388B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-11-28 US US08/563,616 patent/US5657553A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-28 JP JP30892295A patent/JP3461642B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08241881A (ja) | 1996-09-17 |
KR100401388B1 (ko) | 2003-12-11 |
KR970030433A (ko) | 1997-06-26 |
US5657553A (en) | 1997-08-19 |
TW301761B (ja) | 1997-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3461642B2 (ja) | 基板乾燥装置 | |
EP0198169B1 (en) | Vapor drying apparatus | |
US9683780B2 (en) | Methods and apparatuses for drying electronic devices | |
JP2639771B2 (ja) | 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置 | |
US5443540A (en) | Apparatus and method for drying substrates | |
US4841645A (en) | Vapor dryer | |
US5226242A (en) | Vapor jet dryer apparatus and method | |
US6536450B1 (en) | Fluid heating system for processing semiconductor materials | |
US6736150B2 (en) | Fluid heating system for processing semiconductor materials | |
JP3127357B2 (ja) | 乾燥処理装置及び乾燥処理方法 | |
CN219575562U (zh) | 一种锗晶片的硫酸清洗回收装置 | |
JPH10125649A (ja) | 蒸気発生装置および該装置の処理液排出方法 | |
JPH09162154A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH10284463A (ja) | 乾燥装置及び乾燥方法 | |
JP2001126999A (ja) | 熱処理装置 | |
JPH0515060B2 (ja) | ||
JPH07120143A (ja) | 真空乾燥装置及び真空乾燥方法 | |
JP3059588B2 (ja) | ベーパ乾燥装置 | |
JP2720126B2 (ja) | 石英坩堝の乾燥装置 | |
JPH0128674Y2 (ja) | ||
JP2000035248A (ja) | 薬液加熱装置 | |
JPH08181100A (ja) | 蒸気乾燥装置 | |
KR20130068711A (ko) | 웨이퍼 건조장치 및 건조방법 | |
JPH0621242U (ja) | 超純水加温装置 | |
JPH0250375B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070815 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080815 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080815 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090815 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090815 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100815 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130815 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |