JP3456784B2 - 回路形成基板の製造方法および回路形成基板の製造装置 - Google Patents
回路形成基板の製造方法および回路形成基板の製造装置Info
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- JP3456784B2 JP3456784B2 JP6772895A JP6772895A JP3456784B2 JP 3456784 B2 JP3456784 B2 JP 3456784B2 JP 6772895 A JP6772895 A JP 6772895A JP 6772895 A JP6772895 A JP 6772895A JP 3456784 B2 JP3456784 B2 JP 3456784B2
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、回路形成基板の製造方
法および製造装置に関するものである。
法および製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子機器の小型化・高密度化に伴
って、電子部品を搭載する基板も従来の片面基板から両
面、多層基板の採用が進み、より多くの回路を基板上に
集積可能な基板の開発が行われている。
って、電子部品を搭載する基板も従来の片面基板から両
面、多層基板の採用が進み、より多くの回路を基板上に
集積可能な基板の開発が行われている。
【０００３】このような基板においては、表面実装技術
を用いて、微小な電子部品を高密度で基板上に実装する
ため基板の反りを極力低減する必要がある。特に部品端
子の半田付けをリフロー法などで行なう場合には熱によ
る基板の反りにも注意する必要がある。
を用いて、微小な電子部品を高密度で基板上に実装する
ため基板の反りを極力低減する必要がある。特に部品端
子の半田付けをリフロー法などで行なう場合には熱によ
る基板の反りにも注意する必要がある。
【０００４】また、多層基板の開発に伴って層間の接続
方法も従来の貫通スルーホールから、接続すべき層間に
のみビアホールを設けるＩＶＨ（インタースティシャル
ビアホール）の検討が行われている。
方法も従来の貫通スルーホールから、接続すべき層間に
のみビアホールを設けるＩＶＨ（インタースティシャル
ビアホール）の検討が行われている。
【０００５】ＩＶＨの構成については、従来の貫通スル
ーホールと同様にメッキを用いるものや導電性ペースト
を用いる方法が検討されている。特に導電性ペーストを
用いる方法は接続の信頼性が確保できればＩＶＨの構成
として非常に有望である（特開平４−３３８６９５
等）。
ーホールと同様にメッキを用いるものや導電性ペースト
を用いる方法が検討されている。特に導電性ペーストを
用いる方法は接続の信頼性が確保できればＩＶＨの構成
として非常に有望である（特開平４−３３８６９５
等）。
【０００６】以下に従来の回路形成基板の製造方法につ
いて図面を参照しながら説明する。図５は従来の回路形
成基板の製造方法を示す断面図である。まず（ａ）に示
すようなガラス繊維織布にエポキシ樹脂を含浸させ乾燥
によってエポキシ樹脂を半硬化状態にしたプリプレグ１
０を用意する。
いて図面を参照しながら説明する。図５は従来の回路形
成基板の製造方法を示す断面図である。まず（ａ）に示
すようなガラス繊維織布にエポキシ樹脂を含浸させ乾燥
によってエポキシ樹脂を半硬化状態にしたプリプレグ１
０を用意する。
【０００７】次にプリプレグ１０の両面に銅箔１１を重
ね熱板１２によって両面より加熱加圧する（ｂ）。これ
を積層工程と呼び、その加熱はエポキシ樹脂を流動させ
成形する温度（約１２０℃）と硬化させる温度（約１７
０℃）の２段階で行うのが一般的である。加圧は十分に
エポキシ樹脂を流動させるために４０〜５０ｋｇｆ／cm
2の圧力をかける。エポキシ樹脂が十分に硬化した後、
熱板１２を開放し（ｃ）に示すようにスルーホールが必
要な部分に貫通孔１３をドリル等を用いて加工する。
ね熱板１２によって両面より加熱加圧する（ｂ）。これ
を積層工程と呼び、その加熱はエポキシ樹脂を流動させ
成形する温度（約１２０℃）と硬化させる温度（約１７
０℃）の２段階で行うのが一般的である。加圧は十分に
エポキシ樹脂を流動させるために４０〜５０ｋｇｆ／cm
2の圧力をかける。エポキシ樹脂が十分に硬化した後、
熱板１２を開放し（ｃ）に示すようにスルーホールが必
要な部分に貫通孔１３をドリル等を用いて加工する。
【０００８】次に銅メッキを行い表面と裏面を導通させ
る（ｄ）。最後に（ｅ）に示すように銅箔１１と銅メッ
キ膜１４をエッチングし回路１５を両面に形成した回路
形成基板を完成する（回路形成工程）。
る（ｄ）。最後に（ｅ）に示すように銅箔１１と銅メッ
キ膜１４をエッチングし回路１５を両面に形成した回路
形成基板を完成する（回路形成工程）。
【０００９】図６はＩＶＨを持つ従来の回路形成基板の
製造方法を示す断面図である。まず（ａ）に示すように
プリプレグ１０に貫通孔１３をドリル、レーザー等を用
いて加工する。
製造方法を示す断面図である。まず（ａ）に示すように
プリプレグ１０に貫通孔１３をドリル、レーザー等を用
いて加工する。
【００１０】次に貫通孔１３に導電性ペースト１６を印
刷等の方法で充填する（ｂ）。導電性ペースト１６はエ
ポキシ樹脂等に銀、銅等の金属粒子を分散させたものを
用いる。
刷等の方法で充填する（ｂ）。導電性ペースト１６はエ
ポキシ樹脂等に銀、銅等の金属粒子を分散させたものを
用いる。
【００１１】次に前述の従来例と同様に銅箔１１を重ね
て加熱加圧する（ｃ）。樹脂の硬化が終了すると共に導
電性ペースト１６によって表裏の銅箔１１は導通してい
る。
て加熱加圧する（ｃ）。樹脂の硬化が終了すると共に導
電性ペースト１６によって表裏の銅箔１１は導通してい
る。
【００１２】最後に銅箔１１をエッチングして両面に回
路１５を形成した回路形成基板を完成する（ｄ）。さら
に工程を繰り返すことにより多層基板を製造することも
出来る（ｅ）。
路１５を形成した回路形成基板を完成する（ｄ）。さら
に工程を繰り返すことにより多層基板を製造することも
出来る（ｅ）。
【００１３】図７に回路形成基板への電子部品の取付方
法を示す。（ａ）に示すように回路形成基板１に搭載す
る電子部品の大きさに合わせた回路１５が銅箔により形
成されている。回路１５は電子部品を搭載するためのラ
ンドと配線からなるが図中にはランドのみ示した。
法を示す。（ａ）に示すように回路形成基板１に搭載す
る電子部品の大きさに合わせた回路１５が銅箔により形
成されている。回路１５は電子部品を搭載するためのラ
ンドと配線からなるが図中にはランドのみ示した。
【００１４】次に（ｂ）に示すように、回路１５上に半
田ペースト１７を印刷等の方法で塗布する。次に（ｃ）
に示すようにチップ状部品１８を半田ペースト１７上に
載せる。次に回路形成基板１を加熱すると半田ペースト
１７が溶融して（ｄ）に示すように回路１５にチップ状
部品１８が半田付けされる。
田ペースト１７を印刷等の方法で塗布する。次に（ｃ）
に示すようにチップ状部品１８を半田ペースト１７上に
載せる。次に回路形成基板１を加熱すると半田ペースト
１７が溶融して（ｄ）に示すように回路１５にチップ状
部品１８が半田付けされる。
【００１５】回路形成基板１が半田付け時の加熱によっ
て（ｅ）のように反りを生じると半田付け不良やチップ
状部品１８の脱落などの不良が発生する。
て（ｅ）のように反りを生じると半田付け不良やチップ
状部品１８の脱落などの不良が発生する。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、電子機器に用
いる回路形成基板の構成としてはエポキシ樹脂などの高
分子材料が用いられることが多く、半田付け時の加熱に
よって全く反りを生じない回路形成基板を製造すること
は難しい。
いる回路形成基板の構成としてはエポキシ樹脂などの高
分子材料が用いられることが多く、半田付け時の加熱に
よって全く反りを生じない回路形成基板を製造すること
は難しい。
【００１７】従来のリード付き部品を使用したような低
密度の回路形成基板においてはさほど問題にならなかっ
た程度の半田付け時の反りについても、チップ状部品の
高密度な表面実装を行うような回路形成基板では重要な
課題である。
密度の回路形成基板においてはさほど問題にならなかっ
た程度の半田付け時の反りについても、チップ状部品の
高密度な表面実装を行うような回路形成基板では重要な
課題である。
【００１８】半田付け時の反りの原因は次のように考え
られる。まず、半田付け時の加熱によるエポキシ樹脂の
硬化反応により、エポキシ樹脂の硬化収縮が生じる。こ
の硬化収縮は金属箔による回路パターンのある部分では
金属箔によって阻害されるために小さく、無い部分では
大きくなり回路形成基板の面内で不均一となる。そのた
めに発生した応力により回路形成基板は反りを生じる。
られる。まず、半田付け時の加熱によるエポキシ樹脂の
硬化反応により、エポキシ樹脂の硬化収縮が生じる。こ
の硬化収縮は金属箔による回路パターンのある部分では
金属箔によって阻害されるために小さく、無い部分では
大きくなり回路形成基板の面内で不均一となる。そのた
めに発生した応力により回路形成基板は反りを生じる。
【００１９】一般にエポキシ樹脂は硬化を進行させて重
合度を高めるほど高温下での特性は安定する。そこで積
層工程の条件を変更してエポキシ樹脂の重合度を上げて
やれば、半田付け時の硬化反応および硬化収縮は小さく
なり、反りも減少すると予想される。
合度を高めるほど高温下での特性は安定する。そこで積
層工程の条件を変更してエポキシ樹脂の重合度を上げて
やれば、半田付け時の硬化反応および硬化収縮は小さく
なり、反りも減少すると予想される。
【００２０】しかし、発明者の実験によれば従来１７０
℃で行っていたエポキシ樹脂の硬化を２００℃以上に変
更した場合でも半田付け時の反りは改善されなかった。
℃で行っていたエポキシ樹脂の硬化を２００℃以上に変
更した場合でも半田付け時の反りは改善されなかった。
【００２１】また、通常積層工程は熱プレス等の装置を
用いて行うためにあまり高温では装置の熱板の平行度を
保ちながら加圧することが難しく、加熱時間を延長して
硬化を進めることも生産効率の点から考えて望ましいも
のではない。
用いて行うためにあまり高温では装置の熱板の平行度を
保ちながら加圧することが難しく、加熱時間を延長して
硬化を進めることも生産効率の点から考えて望ましいも
のではない。
【００２２】本発明はこのような課題を解決するもので
あり、回路形成基板の品質向上に貢献できうるものであ
る。
あり、回路形成基板の品質向上に貢献できうるものであ
る。
【００２３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の回路形成基板の製造方法は、絶縁基板と金
属箔を交互に配して加熱加圧し、多層基板とする積層工
程と、前記金属箔をパターンニングして回路を形成する
回路形成工程と、前記各工程を積層工程、回路形成工程
の順序で複数回繰り返して回路形成基板を製造する工程
と、前記製造工程によって得られた回路形成基板を少な
くとも２枚準備し、少なくとも２枚の回路形成基板を重
ねてホルダーによって加圧保持し、ホルダーによって加
圧保持された少なくとも２枚の回路形成基板を再度加熱
加圧する熱処理工程を有し、前記熱処理工程の加熱温度
が前記積層工程の加熱温度より高く、前記熱処理工程の
加圧力が前記積層工程の加圧力より低いことを特徴とす
る少なくとも２枚の回路形成基板の製造方法である。ま
た、本発明の別の回路形成基板の製造方法は、絶縁基板
の片面または両面に金属箔を配して加熱加圧し、片面あ
るいは両面の基板とする積層工程と、前記金属箔をパタ
ーンニングして回路を形成して回路形成基板を製造する
工程と、前記製造工程によって得られた回路形成基板を
少なくとも２枚準備し、前記少なくとも２枚の回路形成
基板を重ねてホルダーによって加圧保持し、前記ホルダ
ーによって加圧保持された少なくとも２枚の回路形成基
板を再度加熱加圧する熱処理工程を有し、前記熱処理工
程の加熱温度が前記積層工程の加熱温度より高く、前記
熱処理工程の加圧力が前記積層工程の加圧力より低いこ
とを特徴とする少なくとも２枚の回路形成基板の製造方
法である。
に、本発明の回路形成基板の製造方法は、絶縁基板と金
属箔を交互に配して加熱加圧し、多層基板とする積層工
程と、前記金属箔をパターンニングして回路を形成する
回路形成工程と、前記各工程を積層工程、回路形成工程
の順序で複数回繰り返して回路形成基板を製造する工程
と、前記製造工程によって得られた回路形成基板を少な
くとも２枚準備し、少なくとも２枚の回路形成基板を重
ねてホルダーによって加圧保持し、ホルダーによって加
圧保持された少なくとも２枚の回路形成基板を再度加熱
加圧する熱処理工程を有し、前記熱処理工程の加熱温度
が前記積層工程の加熱温度より高く、前記熱処理工程の
加圧力が前記積層工程の加圧力より低いことを特徴とす
る少なくとも２枚の回路形成基板の製造方法である。ま
た、本発明の別の回路形成基板の製造方法は、絶縁基板
の片面または両面に金属箔を配して加熱加圧し、片面あ
るいは両面の基板とする積層工程と、前記金属箔をパタ
ーンニングして回路を形成して回路形成基板を製造する
工程と、前記製造工程によって得られた回路形成基板を
少なくとも２枚準備し、前記少なくとも２枚の回路形成
基板を重ねてホルダーによって加圧保持し、前記ホルダ
ーによって加圧保持された少なくとも２枚の回路形成基
板を再度加熱加圧する熱処理工程を有し、前記熱処理工
程の加熱温度が前記積層工程の加熱温度より高く、前記
熱処理工程の加圧力が前記積層工程の加圧力より低いこ
とを特徴とする少なくとも２枚の回路形成基板の製造方
法である。
【００２４】
【作用】したがって本発明によれば、積層工程の加熱加
圧は従来通りの条件で行うことができ、かつ半田付け時
の基板反り量を低減出来るものである。
圧は従来通りの条件で行うことができ、かつ半田付け時
の基板反り量を低減出来るものである。
【００２５】これは、前述のように回路を形成した後の
熱処理工程を前記積層工程より高温で行なうことにより
エポキシ樹脂の硬化反応および硬化収縮を進め、かつ基
板が反らずに保持できる程度の前記積層工程より低い圧
力で加圧を行なうことで達成されるものである。
熱処理工程を前記積層工程より高温で行なうことにより
エポキシ樹脂の硬化反応および硬化収縮を進め、かつ基
板が反らずに保持できる程度の前記積層工程より低い圧
力で加圧を行なうことで達成されるものである。
【００２６】これにより積層工程はエポキシ樹脂の成形
性を重視した条件で行い、回路形成後の熱処理工程によ
り回路形成基板を反らせずに硬化収縮が行わせるという
製造工程となり、半田付け時の加熱による硬化収縮は減
少し反りの問題は解決する。
性を重視した条件で行い、回路形成後の熱処理工程によ
り回路形成基板を反らせずに硬化収縮が行わせるという
製造工程となり、半田付け時の加熱による硬化収縮は減
少し反りの問題は解決する。
【００２７】すなわち、本発明は回路形成前に熱処理を
行っても回路形成基板全体に接着されている金属箔によ
り阻害されるため硬化収縮は十分に行われず、回路形成
後に熱処理を行う場合でも積層工程のような高い圧力で
行うと硬化収縮が阻害されるために熱処理の効果が現れ
ないことを見いだしたものである。
行っても回路形成基板全体に接着されている金属箔によ
り阻害されるため硬化収縮は十分に行われず、回路形成
後に熱処理を行う場合でも積層工程のような高い圧力で
行うと硬化収縮が阻害されるために熱処理の効果が現れ
ないことを見いだしたものである。
【００２８】
【実施例】以下、本発明の実施例について同一機能を有
するものには同一番号を付して詳しい説明を省略し、相
違する点について説明する。
するものには同一番号を付して詳しい説明を省略し、相
違する点について説明する。
【００２９】（実施例１）図１は本発明の第１の実施例
の回路形成基板の製造方法を示す断面図である。回路形
成基板１は従来例と同じ方法により製造したものであ
る。
の回路形成基板の製造方法を示す断面図である。回路形
成基板１は従来例と同じ方法により製造したものであ
る。
【００３０】回路形成基板１を２枚の金属板２で挟み全
体を２００℃になるように加熱し、１時間保持した後に
冷却し回路形成基板１を取りだした。発明者の実験では
加熱の方法は恒温槽に投入したが、金属板２にヒーター
を内蔵する等の方法でも良い。
体を２００℃になるように加熱し、１時間保持した後に
冷却し回路形成基板１を取りだした。発明者の実験では
加熱の方法は恒温槽に投入したが、金属板２にヒーター
を内蔵する等の方法でも良い。
【００３１】２枚の金属板２で回路形成基板を挟む際
に、積層工程のような高い圧力は必要なく、金属板２の
平滑な表面に回路形成基板１が沿うていどのいわゆる接
触圧で良い。発明者の実験では１ｋｇｆ／cm2以下の圧
力で十分であった。この工程を積層工程、回路形成工程
に対して熱処理工程と呼ぶ。
に、積層工程のような高い圧力は必要なく、金属板２の
平滑な表面に回路形成基板１が沿うていどのいわゆる接
触圧で良い。発明者の実験では１ｋｇｆ／cm2以下の圧
力で十分であった。この工程を積層工程、回路形成工程
に対して熱処理工程と呼ぶ。
【００３２】（表１）に熱処理工程の加熱温度について
検討した結果を示す。
検討した結果を示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】検討に用いた回路形成基板はガラスエポキ
シプリプレグを基材として用い、大きさが２００mm角で
厚み１mmの基板である。
シプリプレグを基材として用い、大きさが２００mm角で
厚み１mmの基板である。
【００３５】熱処理なしを含めて５条件の加熱温度につ
いて各々５枚の回路形成基板を用いて実験を行った。反
り量の測定は回路形成基板を精密定盤の上に凸面を下に
して静置し、回路形成基板の四隅が定盤より浮き上がっ
ている量をすき間ゲージ等を用いてそれぞれ測定し、５
枚中の最大値を反り量とした。
いて各々５枚の回路形成基板を用いて実験を行った。反
り量の測定は回路形成基板を精密定盤の上に凸面を下に
して静置し、回路形成基板の四隅が定盤より浮き上がっ
ている量をすき間ゲージ等を用いてそれぞれ測定し、５
枚中の最大値を反り量とした。
【００３６】半田付け前の回路形成基板では各基板とも
反り量は０．５mm以下であった。熱処理工程を通さなか
った回路形成基板では半田付け後の反り量は５mm程度あ
ったものが加熱温度２００℃の熱処理工程を通した基板
については０．５mmであった。
反り量は０．５mm以下であった。熱処理工程を通さなか
った回路形成基板では半田付け後の反り量は５mm程度あ
ったものが加熱温度２００℃の熱処理工程を通した基板
については０．５mmであった。
【００３７】このような効果の絶対量は回路形成基板の
種類、回路パターン、構成材料等によって異なるが、紙
フェノールプリプレグやアラミドエポキシプリプレグ等
の材料を用いた実験でも効果は確認された。
種類、回路パターン、構成材料等によって異なるが、紙
フェノールプリプレグやアラミドエポキシプリプレグ等
の材料を用いた実験でも効果は確認された。
【００３８】また、不織布を用いたプリプレグでは繊維
の配向性が制御しにくいため織布を用いた回路形成基板
より反り量は大きくなる場合があったが熱処理工程の導
入により問題の無いレベルに低減できた。
の配向性が制御しにくいため織布を用いた回路形成基板
より反り量は大きくなる場合があったが熱処理工程の導
入により問題の無いレベルに低減できた。
【００３９】回路形成基板の構成は片面あるいは両面、
多層のいずれにおいても熱処理工程の効果は同様であ
る。
多層のいずれにおいても熱処理工程の効果は同様であ
る。
【００４０】エポキシ樹脂硬化物の硬化反応は、エポキ
シ樹脂硬化物のガラス転移点温度以上で起こるため、エ
ポキシ樹脂硬化物のガラス転移点温度以上で熱処理を行
わなければならない。本実施例の回路形成基板では熱処
理工程前のエポキシ樹脂のガラス転移点温度は（表１）
に示すように１９５℃であった。そのため１９５℃以下
の加熱温度では効果は得られなかった。
シ樹脂硬化物のガラス転移点温度以上で起こるため、エ
ポキシ樹脂硬化物のガラス転移点温度以上で熱処理を行
わなければならない。本実施例の回路形成基板では熱処
理工程前のエポキシ樹脂のガラス転移点温度は（表１）
に示すように１９５℃であった。そのため１９５℃以下
の加熱温度では効果は得られなかった。
【００４１】一般に熱硬化性のエポキシ樹脂は硬化が進
むにつれて、硬化物の硬度、弾性率、ガラス転移点温度
が上昇し、高温領域での特性は安定する。
むにつれて、硬化物の硬度、弾性率、ガラス転移点温度
が上昇し、高温領域での特性は安定する。
【００４２】しかし、エポキシ樹脂の持つ塑性や柔軟性
は失われる。本実施例においても熱処理の温度を必要以
上に高くしたり処理時間を長くすると、エポキシ樹脂と
銅箔の間の接着強度が低下してしまう。
は失われる。本実施例においても熱処理の温度を必要以
上に高くしたり処理時間を長くすると、エポキシ樹脂と
銅箔の間の接着強度が低下してしまう。
【００４３】そのため、使用する基板材料によって最適
な熱処理温度を選定する必要がある。本実施例の回路形
成基板について、その表面の銅箔の引き剥し強度を測定
したところ（表１）に示すように２００℃以下で処理し
たサンプルについては約１ｋｇｆ／ｃｍの強度を示した
が、２５０℃で処理すると約０．２ｋｇｆ／ｃｍに低下
した。
な熱処理温度を選定する必要がある。本実施例の回路形
成基板について、その表面の銅箔の引き剥し強度を測定
したところ（表１）に示すように２００℃以下で処理し
たサンプルについては約１ｋｇｆ／ｃｍの強度を示した
が、２５０℃で処理すると約０．２ｋｇｆ／ｃｍに低下
した。
【００４４】熱処理工程を積層工程と同じ熱プレス装置
を用いて行った実験では、加圧力を積層工程と同じよう
に数十ｋｇｆ／cm2にすると、熱処理の効果が十分に得
られないだけでなく、スルホール部分のメッキあるいは
導電性ペースト等による層間の接続について、熱処理前
後でスルホール１箇所当たり数ｍΩから数百ｍΩの接続
抵抗の上昇がみられた。
を用いて行った実験では、加圧力を積層工程と同じよう
に数十ｋｇｆ／cm2にすると、熱処理の効果が十分に得
られないだけでなく、スルホール部分のメッキあるいは
導電性ペースト等による層間の接続について、熱処理前
後でスルホール１箇所当たり数ｍΩから数百ｍΩの接続
抵抗の上昇がみられた。
【００４５】熱処理による層間接続への影響を避けるた
めにはできるだけ加圧力を低くすることが望ましく、前
述のように１ｋｇ／cm2以下となるよう熱処理工程に使
用する装置については配慮が必要である。
めにはできるだけ加圧力を低くすることが望ましく、前
述のように１ｋｇ／cm2以下となるよう熱処理工程に使
用する装置については配慮が必要である。
【００４６】熱処理を行った回路形成基板ではエポキシ
樹脂の重合度が通常の基板と比較して高いために吸水率
が低く、層間の接続などを含めた湿度に対する信頼性が
改善される。特に導電性ペーストを層間の接続に使用し
た場合は導電性ペースト中のエポキシ樹脂の吸水率も低
くなるため、その効果は大である。
樹脂の重合度が通常の基板と比較して高いために吸水率
が低く、層間の接続などを含めた湿度に対する信頼性が
改善される。特に導電性ペーストを層間の接続に使用し
た場合は導電性ペースト中のエポキシ樹脂の吸水率も低
くなるため、その効果は大である。
【００４７】（実施例２）図２、図３は本発明の第２の
実施例の回路形成基板の製造装置を示す斜視図および断
面図である。
実施例の回路形成基板の製造装置を示す斜視図および断
面図である。
【００４８】第１の実施例では熱処理を施す基板は１枚
であったが、実際の工程では何枚かの基板を同時に処理
できねばならない。
であったが、実際の工程では何枚かの基板を同時に処理
できねばならない。
【００４９】しかし、２枚の金属板の間に多数の基板を
挟んで熱処理を行うと基板間の温度差が生じて均一な加
熱が行えない。
挟んで熱処理を行うと基板間の温度差が生じて均一な加
熱が行えない。
【００５０】そこで図２に示すように金属板２ａ、２ｂ
の間に１０枚程度の回路形成基板１を挟む際に、重ねた
回路形成基板１の中央にスペーサ３を挟む。スペーサ３
は金属板２ａ、２ｂと同様の金属板を数mmの間隔で支柱
を挟んで張り合わせたものである。
の間に１０枚程度の回路形成基板１を挟む際に、重ねた
回路形成基板１の中央にスペーサ３を挟む。スペーサ３
は金属板２ａ、２ｂと同様の金属板を数mmの間隔で支柱
を挟んで張り合わせたものである。
【００５１】次に図３に示すように回路形成基板１とス
ペーサ３を挟んだ金属板２ａ、２ｂをホルダー５に固定
する。ホルダー５と金属板２ａの間にあるスプリング４
によって回路形成基板１には所望の圧力が加わる。
ペーサ３を挟んだ金属板２ａ、２ｂをホルダー５に固定
する。ホルダー５と金属板２ａの間にあるスプリング４
によって回路形成基板１には所望の圧力が加わる。
【００５２】さらに、ホルダー５を恒温槽７に入れ温風
６を恒温槽７内に導入する。温風６は図２中の矢印に示
すようにスペーサ３内にも循環し、ホルダー５内に挟み
込まれた１０枚程度の回路形成基板１は均一に加熱され
る。
６を恒温槽７内に導入する。温風６は図２中の矢印に示
すようにスペーサ３内にも循環し、ホルダー５内に挟み
込まれた１０枚程度の回路形成基板１は均一に加熱され
る。
【００５３】約１mm厚みのガラスエポキシ基板を用いた
実験では、５から１０枚毎にスペーサ３を挟むことで数
十枚の回路形成基板１を同時に処理することも可能であ
る。温風６は通常は大気であるが、回路形成基板１の変
色および銅箔の酸化が問題になる場合には窒素等の不活
性ガスを温風６に用いることで防止できる。
実験では、５から１０枚毎にスペーサ３を挟むことで数
十枚の回路形成基板１を同時に処理することも可能であ
る。温風６は通常は大気であるが、回路形成基板１の変
色および銅箔の酸化が問題になる場合には窒素等の不活
性ガスを温風６に用いることで防止できる。
【００５４】（実施例３）図４は本発明の第３の実施例
の回路形成基板の製造装置を示す断面図である。実施例
２においては恒温槽を使用するため実際の生産において
は効率の点で不都合を生じる場合がある。
の回路形成基板の製造装置を示す断面図である。実施例
２においては恒温槽を使用するため実際の生産において
は効率の点で不都合を生じる場合がある。
【００５５】そこで、図４に示すように回路形成基板を
挟み込んだホルダー５をベルト８によってヒータ９の中
を順次通過させる。ヒータ９の温度とベルト８の速度を
調整することで所望の熱処理条件を設定できる。
挟み込んだホルダー５をベルト８によってヒータ９の中
を順次通過させる。ヒータ９の温度とベルト８の速度を
調整することで所望の熱処理条件を設定できる。
【００５６】本実施例では間断なく回路形成基板を投入
し熱処理が行えるので、実施例２に比べて作業効率の点
では優れている。実施例２と同じ理由でヒータ９の内部
に不活性ガスを導入しても良い。また、ヒータ９の加熱
方法は遠赤外線、近赤外線、温風等を問わない。
し熱処理が行えるので、実施例２に比べて作業効率の点
では優れている。実施例２と同じ理由でヒータ９の内部
に不活性ガスを導入しても良い。また、ヒータ９の加熱
方法は遠赤外線、近赤外線、温風等を問わない。
【００５７】上記実施の形態より明らかなように本発明
は回路形成基板の製造において、回路形成基板を少なく
とも２枚準備し、少なくとも２枚の回路形成基板を重ね
てホルダーによって加圧保持し、ホルダーによって加圧
保持された少なくとも２枚の回路形成基板を再度加熱加
圧する熱処理工程を有し、前記熱処理工程の加熱温度が
前記積層工程の加熱温度より高く、前記熱処理工程の加
圧力が前記積層工程の加圧力より低くすることで、回路
形成基板の半田付け時の反りを改善でき得るものであ
る。
は回路形成基板の製造において、回路形成基板を少なく
とも２枚準備し、少なくとも２枚の回路形成基板を重ね
てホルダーによって加圧保持し、ホルダーによって加圧
保持された少なくとも２枚の回路形成基板を再度加熱加
圧する熱処理工程を有し、前記熱処理工程の加熱温度が
前記積層工程の加熱温度より高く、前記熱処理工程の加
圧力が前記積層工程の加圧力より低くすることで、回路
形成基板の半田付け時の反りを改善でき得るものであ
る。
【００５８】また、エポキシ樹脂の吸水率も低くなるた
め湿度に対する回路形成基板の信頼性も向上する。
め湿度に対する回路形成基板の信頼性も向上する。
【００５９】なお、従来の技術、本発明の実施例および
発明の効果はエポキシ樹脂の例を用いて説明したが、フ
ェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド等の高分子材
料、あるいはその混合物、変成物を用いた基板材料にお
いて同様の効果を得ることができる。
発明の効果はエポキシ樹脂の例を用いて説明したが、フ
ェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド等の高分子材
料、あるいはその混合物、変成物を用いた基板材料にお
いて同様の効果を得ることができる。
【図１】本発明の回路形成基板の製造方法の一実施例を
示す断面図
示す断面図
【図２】本発明の回路形成基板の製造装置の一実施例の
斜視図
斜視図
【図３】本発明の回路基板の製造装置の他の実施例を示
す断面図
す断面図
【図４】本発明の回路形成基板の製造装置の更に他の実
施例を示す断面図
施例を示す断面図
【図５】従来の回路形成基板の製造方法の工程図
【図６】従来の回路形成基板の製造方法の工程図
【図７】従来の回路形成基板の製造方法の工程図
１ 回路形成基板
２ａ、２ｂ 金属板
３ スペーサ
４ スプリング
５ ホルダー
６ 温風
７ 恒温槽
８ ベルト
９ ヒーター
１０ プリプレグ
１１ 銅箔
１２ 熱板
１３ 貫通孔
１４ 銅メッキ膜
１５ 回路
１６ 導電性ペースト
１７ 半田ペースト
１８ チップ状部品
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 中村 眞治
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(72)発明者 竹中 敏昭
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(72)発明者 三田村 貞雄
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(72)発明者 岸本 邦雄
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(72)発明者 野沢 大輔
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(72)発明者 中谷 誠一
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(56)参考文献 特開 平３−237792（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−147058（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−202424（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−316397（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−209148（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−268345（ＪＰ，Ａ)
Claims (12)
- 【請求項１】 絶縁基板と金属箔を交互に配して加熱加
圧し、多層基板とする積層工程と、前記金属箔をパター
ンニングして回路を形成する回路形成工程と、前記各工
程を積層工程、回路形成工程の順序で複数回繰り返して
回路形成基板を製造する工程と、前記製造工程によって
得られた回路形成基板を少なくとも２枚準備し、前記少
なくとも２枚の回路形成基板を重ねてホルダーによって
加圧保持し、前記ホルダーによって加圧保持された少な
くとも２枚の回路形成基板を再度加熱加圧する熱処理工
程を有し、前記熱処理工程の加熱温度が前記積層工程の
加熱温度より高く、前記熱処理工程の加圧力が前記積層
工程の加圧力より低いことを特徴とする少なくとも２枚
の回路形成基板の製造方法。 - 【請求項２】 積層工程前に絶縁基板に貫通孔を設け、
前記貫通孔を通じて電気的接続手段による層間の接続を
行なう工程を備えたことを特徴とする請求項１記載の回
路形成基板の製造方法。 - 【請求項３】 電気的接続手段に導電性ペーストを用い
たことを特徴とする請求項２記載の回路形成基板の製造
方法。 - 【請求項４】 電気的接続手段に電解メッキもしくは無
電解メッキを用いたことを特徴とする請求項２記載の回
路形成基板の製造方法。 - 【請求項５】 積層工程後に基板に貫通孔を設け、電解
メッキもしくは無電解メッキを施すことにより層間の接
続を行なう工程を備えたことを特徴とする請求項１記載
の回路形成基板の製造方法。 - 【請求項６】 ガラス繊維織布もしくはガラス繊維不織
布に熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグを絶縁基板に
用いたことを特徴とする請求項１記載の回路形成基板の
製造方法。 - 【請求項７】 アラミド繊維織布もしくはアラミド繊維
不織布に熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグを絶縁基
板に用いたことを特徴とする請求項１記載の回路形成基
板の製造方法。 - 【請求項８】 熱処理工程の加熱温度が絶縁基板に用い
た樹脂のガラス転移点温度以上であることを特徴とする
請求項１記載の回路形成基板の製造方法。 - 【請求項９】 熱処理工程の加圧力が１ｋｇｆ／cm2以
下であることを特徴とする請求項１記載の回路形成基板
の製造方法。 - 【請求項１０】 絶縁基板の片面または両面に金属箔を
配して加熱加圧し、片面あるいは両面の基板とする積層
工程と、前記金属箔をパターンニングして回路を形成し
て回路形成基板を製造する工程と、前記製造工程によっ
て得られた回路形成基板を少なくとも２枚準備し、前記
少なくとも２枚の回路形成基板を重ねてホルダーによっ
て加圧保持し、前記ホルダーによって加圧保持された少
なくとも２枚の回路形成基板を再度加熱加圧する熱処理
工程を有し、前記熱処理工程の加熱温度が前記積層工程
の加熱温度より高く、前記熱処理工程の加圧力が前記積
層工程の加圧力より低いことを特徴とする少なくとも２
枚の回路形成基板の製造方法。 - 【請求項１１】 回路形成基板を２枚以上重ねて加圧保
持するホルダーと、所望の温度に調節された空気あるい
は不活性ガスを循環させた、前記ホルダーを収容可能な
恒温槽と、前記ホルダーに重ねた回路形成基板１枚毎あ
るいは２枚以上毎に回路形成基板間に挟むスペーサから
なり、前記スペーサに空気あるいは不活性ガスの流入空
間を設けたことを特徴とする回路形成基板の製造装置。 - 【請求項１２】 二枚の金属板を金属ブロックをギャッ
プ形成材として重ねて貼り合わせ、スペーサとして用い
たことを特徴とする請求項１１記載の回路形成基板の製
造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6772895A JP3456784B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 回路形成基板の製造方法および回路形成基板の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6772895A JP3456784B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 回路形成基板の製造方法および回路形成基板の製造装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003121197A Division JP2003283109A (ja) | 2003-04-25 | 2003-04-25 | 回路形成基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264943A JPH08264943A (ja) | 1996-10-11 |
| JP3456784B2 true JP3456784B2 (ja) | 2003-10-14 |
Family
ID=13353316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6772895A Expired - Lifetime JP3456784B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 回路形成基板の製造方法および回路形成基板の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3456784B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3914606B2 (ja) * | 1997-04-25 | 2007-05-16 | 松下電器産業株式会社 | 接着層の製造装置、両面基板の製造装置および多層基板の製造装置 |
| JP2007134369A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層基板の製造方法 |
-
1995
- 1995-03-27 JP JP6772895A patent/JP3456784B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08264943A (ja) | 1996-10-11 |
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