JP3445509B2 - 半導体装置の製造方法および製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法および製造装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体素子の集
積回路部を保護し、かつ外部装置と半導体素子の電気的
接続を安定に確保し、さらに最も高密度な実装を可能と
した半導体パッケージであるチップサイズパッケージ
（以降ＣＳＰと称する）等の半導体装置の製造方法およ
び製造装置に関するものであり、特に半導体素子と配線
基板との電気的接続に金属突起と導電性接着剤を用いた
フリップチップ接続技術（以降ＳＢＢ工法と称する）を
用いた半導体装置の製造方法および製造装置に関するも
のである。
積回路部を保護し、かつ外部装置と半導体素子の電気的
接続を安定に確保し、さらに最も高密度な実装を可能と
した半導体パッケージであるチップサイズパッケージ
（以降ＣＳＰと称する）等の半導体装置の製造方法およ
び製造装置に関するものであり、特に半導体素子と配線
基板との電気的接続に金属突起と導電性接着剤を用いた
フリップチップ接続技術（以降ＳＢＢ工法と称する）を
用いた半導体装置の製造方法および製造装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子をプリント基板に対し
高密度に実装できるパッケージの検討が行われており、
ＣＳＰもそれら高密度実装に対応した小型パッケージと
して注目されている。
高密度に実装できるパッケージの検討が行われており、
ＣＳＰもそれら高密度実装に対応した小型パッケージと
して注目されている。
【０００３】以下、従来のＣＳＰの半導体装置の製造方
法について図６の工程断面図を参照しながら説明する。
法について図６の工程断面図を参照しながら説明する。
【０００４】まず、半導体素子２１の素子電極２２上に
Ａｕバンプ２３を形成する（図６（ａ））。次に、表面
が平滑な転写皿２４上に均一な厚さで平滑な表面状態を
有する導電性接着剤膜２５を形成する（図６（ｂ））。
導電性接着剤２６が素子電極２２にはい上がらないよう
に、導電性接着剤膜２５にＡｕバンプ２３を浸積させ
（図６（ｃ））、適量の導電性接着剤２６をＡｕバンプ
２３に転写させる（図６（ｄ））。次に、半導体素子２
１とキャリア基板２７とを位置あわせして搭載し、導電
性接着剤２６を加熱硬化させる（図６（ｅ））。なお、
２８は基板表面電極、２９は基板裏面電極である。次
に、半導体素子２１とキャリア基板２７との隙間に封止
樹脂３０を注入し、熱硬化させる（図６（ｆ））。
Ａｕバンプ２３を形成する（図６（ａ））。次に、表面
が平滑な転写皿２４上に均一な厚さで平滑な表面状態を
有する導電性接着剤膜２５を形成する（図６（ｂ））。
導電性接着剤２６が素子電極２２にはい上がらないよう
に、導電性接着剤膜２５にＡｕバンプ２３を浸積させ
（図６（ｃ））、適量の導電性接着剤２６をＡｕバンプ
２３に転写させる（図６（ｄ））。次に、半導体素子２
１とキャリア基板２７とを位置あわせして搭載し、導電
性接着剤２６を加熱硬化させる（図６（ｅ））。なお、
２８は基板表面電極、２９は基板裏面電極である。次
に、半導体素子２１とキャリア基板２７との隙間に封止
樹脂３０を注入し、熱硬化させる（図６（ｆ））。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来は
半導体素子２１の素子電極２２上に形成したＡｕバンプ
２３に導電性接着剤２６を転写するために形成している
均一な厚さの導電性接着剤膜２５が時間の経過とともに
変化（粘度の上昇と膜面の平坦性の劣化）し、Ａｕバン
プ２３への導電性接着剤２６の転写量が時間の経過とと
もに減少してしまうという課題を有していた。このた
め、１回の投入における導電性接着剤２６の使用時間が
短くなり、導電性接着剤２６の投入頻度が多くなり、材
料費が嵩むと共に作業工程が多くなり、製品の信頼性が
低下するという問題があった。
半導体素子２１の素子電極２２上に形成したＡｕバンプ
２３に導電性接着剤２６を転写するために形成している
均一な厚さの導電性接着剤膜２５が時間の経過とともに
変化（粘度の上昇と膜面の平坦性の劣化）し、Ａｕバン
プ２３への導電性接着剤２６の転写量が時間の経過とと
もに減少してしまうという課題を有していた。このた
め、１回の投入における導電性接着剤２６の使用時間が
短くなり、導電性接着剤２６の投入頻度が多くなり、材
料費が嵩むと共に作業工程が多くなり、製品の信頼性が
低下するという問題があった。
【０００６】この発明は、前記従来の課題を解決するも
のであって、導電性接着剤の使用時間の長時間化と安定
した導電性接着剤の転写が可能となり、材料費の低減，
作業工数の削減が図れ、信頼性の高い半導体装置の製造
方法および製造装置を提供することを目的とする。
のであって、導電性接着剤の使用時間の長時間化と安定
した導電性接着剤の転写が可能となり、材料費の低減，
作業工数の削減が図れ、信頼性の高い半導体装置の製造
方法および製造装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体装
置の製造方法は、半導体素子の電極上に金属突起を形成
する工程と、金属突起に導電性接着剤膜を転写する工程
と、導電性接着剤膜を転写した金属突起とキャリア基板
の基板表面電極とを位置合わせして半導体素子をキャリ
ア基板に搭載する工程と、導電性接着剤膜を硬化する工
程と、半導体素子とキャリア基板の隙間およびキャリア
基板の上面で半導体素子の周囲に絶縁性樹脂を塗布注入
する工程と、絶縁性樹脂を硬化する工程とを含み、金属
突起に転写する際に形成する導電性接着剤膜の厚さを時
間の経過とともに厚くすることを特徴とするものであ
る。
置の製造方法は、半導体素子の電極上に金属突起を形成
する工程と、金属突起に導電性接着剤膜を転写する工程
と、導電性接着剤膜を転写した金属突起とキャリア基板
の基板表面電極とを位置合わせして半導体素子をキャリ
ア基板に搭載する工程と、導電性接着剤膜を硬化する工
程と、半導体素子とキャリア基板の隙間およびキャリア
基板の上面で半導体素子の周囲に絶縁性樹脂を塗布注入
する工程と、絶縁性樹脂を硬化する工程とを含み、金属
突起に転写する際に形成する導電性接着剤膜の厚さを時
間の経過とともに厚くすることを特徴とするものであ
る。
【０００８】請求項２記載の半導体装置の製造方法は、
請求項１において、半導体素子の電極上に金属突起を形
成する工程において、金属突起をワイヤボンディング法
を用いて形成することを特徴とするものである。
請求項１において、半導体素子の電極上に金属突起を形
成する工程において、金属突起をワイヤボンディング法
を用いて形成することを特徴とするものである。
【０００９】請求項３記載の半導体装置の製造装置は、
半導体素子の電極上に形成した金属突起に導電性接着剤
膜を転写するものであって、平滑な表面状態を有する転
写皿と、転写皿上で回転させて転写皿上に均一な厚さと
平滑な膜面を有する導電性接着剤膜を形成するブレード
を有した回転ユニットとを備え、転写皿上に形成する導
電性接着剤膜の厚さが時間の経過とともに厚くなるよう
に、転写皿に対するブレードの相対的な高さを調整する
機構を有したことを特徴とするものである。
半導体素子の電極上に形成した金属突起に導電性接着剤
膜を転写するものであって、平滑な表面状態を有する転
写皿と、転写皿上で回転させて転写皿上に均一な厚さと
平滑な膜面を有する導電性接着剤膜を形成するブレード
を有した回転ユニットとを備え、転写皿上に形成する導
電性接着剤膜の厚さが時間の経過とともに厚くなるよう
に、転写皿に対するブレードの相対的な高さを調整する
機構を有したことを特徴とするものである。
【００１０】請求項１ないし請求項３記載の半導体装置
の製造方法および製造装置にると、金属突起に転写する
際に形成する導電性接着剤膜の厚さを時間の経過ととも
に厚くすることで、導電性接着剤膜の粘土上昇と膜面劣
化による転写量の減少を防ぐことができ、１回の投入に
よる導電性接着剤膜の使用時間の長時間化が図れる。
の製造方法および製造装置にると、金属突起に転写する
際に形成する導電性接着剤膜の厚さを時間の経過ととも
に厚くすることで、導電性接着剤膜の粘土上昇と膜面劣
化による転写量の減少を防ぐことができ、１回の投入に
よる導電性接着剤膜の使用時間の長時間化が図れる。
【００１１】請求項４記載の半導体装置の製造方法は、
半導体素子の電極上に金属突起を形成する工程と、金属
突起に導電性接着剤膜を転写する工程と、導電性接着剤
膜を転写した金属突起とキャリア基板の基板表面電極と
を位置合わせして半導体素子をキャリア基板に搭載する
工程と、導電性接着剤膜を硬化する工程と、半導体素子
とキャリア基板の隙間およびキャリア基板の上面で半導
体素子の周囲に絶縁性樹脂を塗布注入する工程と、絶縁
性樹脂を硬化する工程とを含み、金属突起に転写する際
に形成する導電性接着剤膜の温度を、導電性接着剤膜の
転写量が時間の経過とともに減少しないように調節する
ことを特徴とするものである。
半導体素子の電極上に金属突起を形成する工程と、金属
突起に導電性接着剤膜を転写する工程と、導電性接着剤
膜を転写した金属突起とキャリア基板の基板表面電極と
を位置合わせして半導体素子をキャリア基板に搭載する
工程と、導電性接着剤膜を硬化する工程と、半導体素子
とキャリア基板の隙間およびキャリア基板の上面で半導
体素子の周囲に絶縁性樹脂を塗布注入する工程と、絶縁
性樹脂を硬化する工程とを含み、金属突起に転写する際
に形成する導電性接着剤膜の温度を、導電性接着剤膜の
転写量が時間の経過とともに減少しないように調節する
ことを特徴とするものである。
【００１２】請求項５記載の半導体装置の製造方法は、
半導体素子の電極上にワイヤボンディング法を用いて金
属突起を形成する工程と、金属突起に導電性接着剤膜を
転写する工程と、導電性接着剤膜を転写した金属突起と
キャリア基板の基板表面電極とを位置合わせして半導体
素子をキャリア基板に搭載する工程と、導電性接着剤膜
を硬化する工程と、半導体素子とキャリア基板の隙間お
よびキャリア基板の上面で半導体素子の周囲に絶縁性樹
脂を塗布注入する工程と、絶縁性樹脂を硬化する工程と
を含み、金属突起に転写する際に形成する導電性接着剤
膜の温度を１５℃〜２０℃に保持することを特徴とする
ものである。
半導体素子の電極上にワイヤボンディング法を用いて金
属突起を形成する工程と、金属突起に導電性接着剤膜を
転写する工程と、導電性接着剤膜を転写した金属突起と
キャリア基板の基板表面電極とを位置合わせして半導体
素子をキャリア基板に搭載する工程と、導電性接着剤膜
を硬化する工程と、半導体素子とキャリア基板の隙間お
よびキャリア基板の上面で半導体素子の周囲に絶縁性樹
脂を塗布注入する工程と、絶縁性樹脂を硬化する工程と
を含み、金属突起に転写する際に形成する導電性接着剤
膜の温度を１５℃〜２０℃に保持することを特徴とする
ものである。
【００１３】請求項６記載の半導体装置の製造装置は、
半導体素子の電極上に形成した金属突起に導電性接着剤
膜を転写する半導体装置の製造装置であって、平滑な表
面状態を有する転写皿と、転写皿上で回転させて転写皿
上に均一な厚さと平滑な膜面を有する導電性接着剤膜を
形成するブレードを有した回転ユニットとを備え、転写
皿上に形成する導電性接着剤膜の温度を、導電性接着剤
膜の転写量が時間の経過とともに減少しないように調整
する手段を有したことを特徴とするものである。
半導体素子の電極上に形成した金属突起に導電性接着剤
膜を転写する半導体装置の製造装置であって、平滑な表
面状態を有する転写皿と、転写皿上で回転させて転写皿
上に均一な厚さと平滑な膜面を有する導電性接着剤膜を
形成するブレードを有した回転ユニットとを備え、転写
皿上に形成する導電性接着剤膜の温度を、導電性接着剤
膜の転写量が時間の経過とともに減少しないように調整
する手段を有したことを特徴とするものである。
【００１４】請求項４ないし請求項６記載の半導体装置
の製造方法および製造装置にると、金属突起に転写する
際に形成する導電性接着剤膜の温度を、導電性接着剤膜
の転写量が時間の経過とともに減少しないように調整す
ることで、導電性接着剤膜の粘土上昇と膜面劣化による
転写量の減少を防ぐことができ、１回の投入による導電
性接着剤膜の使用時間の長時間化が図れる。
の製造方法および製造装置にると、金属突起に転写する
際に形成する導電性接着剤膜の温度を、導電性接着剤膜
の転写量が時間の経過とともに減少しないように調整す
ることで、導電性接着剤膜の粘土上昇と膜面劣化による
転写量の減少を防ぐことができ、１回の投入による導電
性接着剤膜の使用時間の長時間化が図れる。
【００１５】
【発明の実施の形態】第１の実施の形態
この発明の第１の実施の形態について図１ないし図４を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
【００１６】図１は、ＣＳＰの半導体装置の製造方法を
示した工程断面図である。まず、半導体素子１の素子電
極２上にワイヤボンディング法を用いて金属突起となる
Ａｕバンプ３を形成する（図１（ａ））。次に、表面が
平滑な転写皿４上に均一な厚さで平滑な表面状態を有す
る導電性接着剤膜５を形成する（図１（ｂ））。導電性
接着剤６が素子電極２にはい上がらないように、導電性
接着剤膜５にＡｕバンプ３を浸積させ（図１（ｃ））、
適量の導電性接着剤６をＡｕバンプ３に転写させる（図
１（ｄ））。次に、半導体素子１とキャリア基板７とを
位置あわせして搭載し、導電性接着剤６を加熱硬化させ
る（図１（ｅ））。なお、８は基板表面電極、９は基板
裏面電極である。次に、半導体素子１とキャリア基板７
との隙間に絶縁性樹脂からなる封止樹脂１０を注入し、
加熱硬化させる（図１（ｆ））。
示した工程断面図である。まず、半導体素子１の素子電
極２上にワイヤボンディング法を用いて金属突起となる
Ａｕバンプ３を形成する（図１（ａ））。次に、表面が
平滑な転写皿４上に均一な厚さで平滑な表面状態を有す
る導電性接着剤膜５を形成する（図１（ｂ））。導電性
接着剤６が素子電極２にはい上がらないように、導電性
接着剤膜５にＡｕバンプ３を浸積させ（図１（ｃ））、
適量の導電性接着剤６をＡｕバンプ３に転写させる（図
１（ｄ））。次に、半導体素子１とキャリア基板７とを
位置あわせして搭載し、導電性接着剤６を加熱硬化させ
る（図１（ｅ））。なお、８は基板表面電極、９は基板
裏面電極である。次に、半導体素子１とキャリア基板７
との隙間に絶縁性樹脂からなる封止樹脂１０を注入し、
加熱硬化させる（図１（ｆ））。
【００１７】次に、この実施の形態におけるＡｕバンプ
３に導電性接着剤６を転写する工程の詳細を図２ないし
図４を用いて説明する。
３に導電性接着剤６を転写する工程の詳細を図２ないし
図４を用いて説明する。
【００１８】図２は、ＳＢＢ工法におけるＡｕバンプ３
への導電性接着剤６の転写に用いる均一な厚さと平滑な
膜面を有する導電性接着剤膜５を形成する半導体装置の
製造装置１１を示しており、図２（ａ）は平面図、図２
（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ断面図である。平滑な表面状態
を有する転写皿４上でブレード１２，掻き取りブレード
１３および掻き寄せブレード１４を有する回転ユニット
１５を回転させることにより、均一な厚さと平滑な膜面
を有する導電性接着剤膜５を形成する。このとき導電性
接着剤膜５の膜厚は、ブレード１２と転写皿４との間隔
によって決定される。しかし、時間経過とともに導電性
接着剤５は粘度上昇と膜面の凹凸化をまねき、膜厚を一
定に保った場合、Ａｕバンプ３への導電性接着剤６の転
写量が減少してしまうことが確認されている。また、一
方ではその導電性接着剤６の転写量は、膜厚を厚くする
ことにより増加させることが可能であることを確認して
いる。
への導電性接着剤６の転写に用いる均一な厚さと平滑な
膜面を有する導電性接着剤膜５を形成する半導体装置の
製造装置１１を示しており、図２（ａ）は平面図、図２
（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ断面図である。平滑な表面状態
を有する転写皿４上でブレード１２，掻き取りブレード
１３および掻き寄せブレード１４を有する回転ユニット
１５を回転させることにより、均一な厚さと平滑な膜面
を有する導電性接着剤膜５を形成する。このとき導電性
接着剤膜５の膜厚は、ブレード１２と転写皿４との間隔
によって決定される。しかし、時間経過とともに導電性
接着剤５は粘度上昇と膜面の凹凸化をまねき、膜厚を一
定に保った場合、Ａｕバンプ３への導電性接着剤６の転
写量が減少してしまうことが確認されている。また、一
方ではその導電性接着剤６の転写量は、膜厚を厚くする
ことにより増加させることが可能であることを確認して
いる。
【００１９】そこで、図３に示すように、転写皿４とブ
レード１２の隙間ｂｔを時間の経過とともに調整するこ
とにより、導電性接着剤膜５の膜厚ａｔを適量の転写量
を得るのに必要な厚さに調整する。すなわち、図４
（ｂ）に示すように、転写皿４とブレード１２の隙間ｂ
ｔを時間経過とともに大きくすることで、図４（ａ）に
示すように、導電性接着剤膜５の膜厚ａｔを時間経過と
ともに厚くする。この結果、１回の投入における導電性
接着剤６の使用時間を長くすることが可能となる。
レード１２の隙間ｂｔを時間の経過とともに調整するこ
とにより、導電性接着剤膜５の膜厚ａｔを適量の転写量
を得るのに必要な厚さに調整する。すなわち、図４
（ｂ）に示すように、転写皿４とブレード１２の隙間ｂ
ｔを時間経過とともに大きくすることで、図４（ａ）に
示すように、導電性接着剤膜５の膜厚ａｔを時間経過と
ともに厚くする。この結果、１回の投入における導電性
接着剤６の使用時間を長くすることが可能となる。
【００２０】このように構成された半導体装置の製造方
法および製造装置にると、転写皿４上に形成する導電性
接着剤膜５の厚さを時間の経過とともに厚くすること
で、導電性接着剤６の粘土上昇と膜面劣化による転写量
の減少を防ぐことができ、１回の投入による導電性接着
剤６の使用時間の長時間化が図れ、より安定した導電性
接着剤６の転写を実現できる。よって、材料費の低減、
作業工程の削減および製品の信頼性を向上させることが
できる。
法および製造装置にると、転写皿４上に形成する導電性
接着剤膜５の厚さを時間の経過とともに厚くすること
で、導電性接着剤６の粘土上昇と膜面劣化による転写量
の減少を防ぐことができ、１回の投入による導電性接着
剤６の使用時間の長時間化が図れ、より安定した導電性
接着剤６の転写を実現できる。よって、材料費の低減、
作業工程の削減および製品の信頼性を向上させることが
できる。
【００２１】第２の実施の形態
この発明の第２の実施の形態について図５を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
【００２２】図５は、半導体装置の製造装置の平面図お
よび断面図を示している。なお、半導体装置の製造方法
は図１に示した例と同様である。
よび断面図を示している。なお、半導体装置の製造方法
は図１に示した例と同様である。
【００２３】この実施の形態は、図２と同様に平滑な表
面状態を有する転写皿４上でブレード１２、掻き取りブ
レード１３および掻き寄せブレード１４を有する回転ユ
ニット１５を回転させることにより、均一な厚さと平滑
な膜面を有する導電性接着剤膜５を形成するが、この時
温度調節手段にて転写皿４を冷却することにより、導電
性接着剤膜５を１５℃〜２０℃に保持する。転写皿４を
冷却する温度調節手段としては、転写皿４を取付けてい
るステージ部に冷却水を循環させ転写皿４を冷却する。
本実施の形態で用いる導電性接着剤６は１５℃〜２０℃
の間に保持することにより、粘度上昇と膜面の凹凸化を
抑制することが可能であることが確認されているので、
導電性接着剤６の１回の投入における使用時間を向上さ
せることが可能となる。１５℃〜２０℃の間に保持する
ことにより粘度上昇と膜面の凹凸化を抑制できる導電性
接着剤６としては、例えば導電フィラー（Ａｇ−Ｐｄ）
とエポキシレジンの混合物を使用する。
面状態を有する転写皿４上でブレード１２、掻き取りブ
レード１３および掻き寄せブレード１４を有する回転ユ
ニット１５を回転させることにより、均一な厚さと平滑
な膜面を有する導電性接着剤膜５を形成するが、この時
温度調節手段にて転写皿４を冷却することにより、導電
性接着剤膜５を１５℃〜２０℃に保持する。転写皿４を
冷却する温度調節手段としては、転写皿４を取付けてい
るステージ部に冷却水を循環させ転写皿４を冷却する。
本実施の形態で用いる導電性接着剤６は１５℃〜２０℃
の間に保持することにより、粘度上昇と膜面の凹凸化を
抑制することが可能であることが確認されているので、
導電性接着剤６の１回の投入における使用時間を向上さ
せることが可能となる。１５℃〜２０℃の間に保持する
ことにより粘度上昇と膜面の凹凸化を抑制できる導電性
接着剤６としては、例えば導電フィラー（Ａｇ−Ｐｄ）
とエポキシレジンの混合物を使用する。
【００２４】このように構成された半導体装置の製造方
法および製造装置にると、転写皿４上に形成する導電性
接着剤膜５の温度を、導電性接着剤膜５の転写量が時間
の経過とともに減少しないように調整することで、導電
性接着剤６の粘土上昇と膜面劣化による転写量の減少を
防ぐことができ、１回の投入による導電性接着剤６の使
用時間の長時間化が図れ、より安定した導電性接着剤６
の転写を実現できる。よって、材料費の低減、作業工程
の削減および製品の信頼性を向上させることができる。
法および製造装置にると、転写皿４上に形成する導電性
接着剤膜５の温度を、導電性接着剤膜５の転写量が時間
の経過とともに減少しないように調整することで、導電
性接着剤６の粘土上昇と膜面劣化による転写量の減少を
防ぐことができ、１回の投入による導電性接着剤６の使
用時間の長時間化が図れ、より安定した導電性接着剤６
の転写を実現できる。よって、材料費の低減、作業工程
の削減および製品の信頼性を向上させることができる。
【００２５】なお、導電性接着剤膜の温度調節は冷却に
限るものではなく、使用する導電性接着剤の材質によっ
ては暖めてもよい。
限るものではなく、使用する導電性接着剤の材質によっ
ては暖めてもよい。
【００２６】また、第１の実施の形態における導電性接
着剤膜５の厚さを時間の経過とともに厚くすることと、
第２の実施の形態における導電性接着剤膜５の温度を、
導電性接着剤膜５の転写量が時間の経過とともに減少し
ないように調整することの両方を採用することで、より
安定したＡｕバンプ３への導電性接着剤６の転写が可能
となり、信頼性の高い半導体装置の製造方法および製造
装置を得ることができる。
着剤膜５の厚さを時間の経過とともに厚くすることと、
第２の実施の形態における導電性接着剤膜５の温度を、
導電性接着剤膜５の転写量が時間の経過とともに減少し
ないように調整することの両方を採用することで、より
安定したＡｕバンプ３への導電性接着剤６の転写が可能
となり、信頼性の高い半導体装置の製造方法および製造
装置を得ることができる。
【００２７】また、Ａｕバンプ３はワイヤボンディング
法による形成に限らない。さらに、半導体装置の製造装
置１１としては、図２，図５に示したような転写皿上で
ブレードを回転させて導電性接着剤膜を形成する構造の
ものに限らない。
法による形成に限らない。さらに、半導体装置の製造装
置１１としては、図２，図５に示したような転写皿上で
ブレードを回転させて導電性接着剤膜を形成する構造の
ものに限らない。
【００２８】
【発明の効果】請求項１ないし請求項３記載の半導体装
置の製造方法および製造装置にると、金属突起に転写す
る際に形成する導電性接着剤膜の厚さを時間の経過とと
もに厚くすることで、導電性接着剤膜の粘土上昇と膜面
劣化による転写量の減少を防ぐことができ、１回の投入
による導電性接着剤膜の使用時間の長時間化が図れ、よ
り安定した導電性接着剤の転写を実現できる。よって、
材料費の低減、作業工程の削減および製品の信頼性を向
上させることができる。
置の製造方法および製造装置にると、金属突起に転写す
る際に形成する導電性接着剤膜の厚さを時間の経過とと
もに厚くすることで、導電性接着剤膜の粘土上昇と膜面
劣化による転写量の減少を防ぐことができ、１回の投入
による導電性接着剤膜の使用時間の長時間化が図れ、よ
り安定した導電性接着剤の転写を実現できる。よって、
材料費の低減、作業工程の削減および製品の信頼性を向
上させることができる。
【００２９】請求項４ないし請求項６記載の半導体装置
の製造方法および製造装置にると、金属突起に転写する
際に形成する導電性接着剤膜の温度を、導電性接着剤膜
の転写量が時間の経過とともに減少しないように調整す
ることで、導電性接着剤膜の粘土上昇と膜面劣化による
転写量の減少を防ぐことができ、１回の投入による導電
性接着剤膜の使用時間の長時間化が図れ、より安定した
導電性接着剤の転写を実現できる。よって、材料費の低
減、作業工程の削減および製品の信頼性を向上させるこ
とができる。
の製造方法および製造装置にると、金属突起に転写する
際に形成する導電性接着剤膜の温度を、導電性接着剤膜
の転写量が時間の経過とともに減少しないように調整す
ることで、導電性接着剤膜の粘土上昇と膜面劣化による
転写量の減少を防ぐことができ、１回の投入による導電
性接着剤膜の使用時間の長時間化が図れ、より安定した
導電性接着剤の転写を実現できる。よって、材料費の低
減、作業工程の削減および製品の信頼性を向上させるこ
とができる。
【図１】この発明の第１の実施の形態におけるＣＳＰの
半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図２】この発明の第１の実施の形態におけるＣＳＰの
半導体装置の製造装置を示す平面図および断面図であ
る。
半導体装置の製造装置を示す平面図および断面図であ
る。
【図３】この発明の第１の実施の形態における半導体装
置の製造方法および製造装置の作用説明図である。
置の製造方法および製造装置の作用説明図である。
【図４】この発明の第１の実施の形態における半導体装
置の製造方法および製造装置の作用を説明するグラフで
ある。
置の製造方法および製造装置の作用を説明するグラフで
ある。
【図５】この発明の第２の実施の形態におけるＣＳＰの
半導体装置の製造装置を示す平面図および断面図であ
る。
半導体装置の製造装置を示す平面図および断面図であ
る。
【図６】従来例におけるＣＳＰの半導体装置の製造方法
を示す工程断面図である。
を示す工程断面図である。
１ 半導体素子
２ 素子電極
３ Ａｕバンプ（金属突起）
４ 転写皿
５ 導電性接着剤膜
６ 導電性接着剤
７ キャリア基板
８ 基板表面電極
９ 基板裏面電極
１０ 封止樹脂（絶縁性樹脂）
１１ 半導体装置の製造装置
１２ ブレード
１３ 掻き取りブレード
１４ 掻き寄せブレード
１５ 回転ユニット
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平３−62936（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−161769（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−354584（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−233713（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−260857（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−297755（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60 311
H01L 21/92
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体素子の電極上に金属突起を形成す
る工程と、前記金属突起に導電性接着剤膜を転写する工
程と、前記導電性接着剤膜を転写した前記金属突起とキ
ャリア基板の基板表面電極とを位置合わせして前記半導
体素子を前記キャリア基板に搭載する工程と、前記導電
性接着剤膜を硬化する工程と、前記半導体素子と前記キ
ャリア基板の隙間および前記キャリア基板の上面で前記
半導体素子の周囲に絶縁性樹脂を塗布注入する工程と、
前記絶縁性樹脂を硬化する工程とを含み、 前記金属突起に転写する際に形成する前記導電性接着剤
膜の厚さを時間の経過とともに厚くすることを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体素子の電極上に金属突起を形成す
る工程において、前記金属突起をワイヤボンディング法
を用いて形成することを特徴とする請求項１記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項３】 半導体素子の電極上に形成した金属突起
に導電性接着剤膜を転写する半導体装置の製造装置であ
って、 平滑な表面状態を有する転写皿と、前記転写皿上で回転
させて前記転写皿上に均一な厚さと平滑な膜面を有する
導電性接着剤膜を形成するブレードを有した回転ユニッ
トとを備え、 前記転写皿上に形成する前記導電性接着剤膜の厚さが時
間の経過とともに厚くなるように、前記転写皿に対する
前記ブレードの相対的な高さを調整する機構を有したこ
とを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 【請求項４】 半導体素子の電極上に金属突起を形成す
る工程と、前記金属突起に導電性接着剤膜を転写する工
程と、前記導電性接着剤膜を転写した前記金属突起とキ
ャリア基板の基板表面電極とを位置合わせして前記半導
体素子を前記キャリア基板に搭載する工程と、前記導電
性接着剤膜を硬化する工程と、前記半導体素子と前記キ
ャリア基板の隙間および前記キャリア基板の上面で前記
半導体素子の周囲に絶縁性樹脂を塗布注入する工程と、
前記絶縁性樹脂を硬化する工程とを含み、 前記金属突起に転写する際に形成する前記導電性接着剤
膜の温度を、前記導電性接着剤膜の転写量が時間の経過
とともに減少しないように調節することを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 半導体素子の電極上にワイヤボンディン
グ法を用いて金属突起を形成する工程と、前記金属突起
に導電性接着剤膜を転写する工程と、前記導電性接着剤
膜を転写した前記金属突起とキャリア基板の基板表面電
極とを位置合わせして前記半導体素子を前記キャリア基
板に搭載する工程と、前記導電性接着剤膜を硬化する工
程と、前記半導体素子と前記キャリア基板の隙間および
前記キャリア基板の上面で前記半導体素子の周囲に絶縁
性樹脂を塗布注入する工程と、前記絶縁性樹脂を硬化す
る工程とを含み、 前記金属突起に転写する際に形成する前記導電性接着剤
膜の温度を１５℃〜２０℃に保持することを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 半導体素子の電極上に形成した金属突起
に導電性接着剤膜を転写する半導体装置の製造装置であ
って、 平滑な表面状態を有する転写皿と、前記転写皿上で回転
させて前記転写皿上に均一な厚さと平滑な膜面を有する
導電性接着剤膜を形成するブレードを有した回転ユニッ
トとを備え、 前記転写皿上に形成する前記導電性接着剤膜の温度を、
前記導電性接着剤膜の転写量が時間の経過とともに減少
しないように調整する手段を有したことを特徴とする半
導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31853198A JP3445509B2 (ja) | 1998-11-10 | 1998-11-10 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31853198A JP3445509B2 (ja) | 1998-11-10 | 1998-11-10 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150555A JP2000150555A (ja) | 2000-05-30 |
| JP3445509B2 true JP3445509B2 (ja) | 2003-09-08 |
Family
ID=18100167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31853198A Expired - Fee Related JP3445509B2 (ja) | 1998-11-10 | 1998-11-10 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3445509B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4855789B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2012-01-18 | 京セラキンセキ株式会社 | 圧電デバイスの製造方法 |
| DE102010015520A1 (de) * | 2010-04-16 | 2011-10-20 | Pac Tech-Packaging Technologies Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Ausbildung von Lotdepots |
-
1998
- 1998-11-10 JP JP31853198A patent/JP3445509B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000150555A (ja) | 2000-05-30 |
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