JP3439275B2 - 光アイソレータの製造方法 - Google Patents
光アイソレータの製造方法Info
- Publication number
- JP3439275B2 JP3439275B2 JP31583994A JP31583994A JP3439275B2 JP 3439275 B2 JP3439275 B2 JP 3439275B2 JP 31583994 A JP31583994 A JP 31583994A JP 31583994 A JP31583994 A JP 31583994A JP 3439275 B2 JP3439275 B2 JP 3439275B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- optical element
- metallized film
- cutting
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/09—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect
- G02F1/093—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect used as non-reciprocal devices, e.g. optical isolators, circulators
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S372/00—Coherent light generators
- Y10S372/703—Optical isolater
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信、光計測等に使
用されるファラデー効果を利用した光アイソレータの製
造方法に関し、特に、耐環境性に優れた光アイソレータ
の製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、半導体レーザを光源とした光通信
システムや、半導体レーザを使用した光応用機器が広範
に利用されてきており、更に、その用途、及び規模が、
拡大されている。 【０００３】これら光通信システムや光応用機器の精度
や安定性を向上させるため、半導体レーザへの戻り光を
除去する目的に、光アイソレータが使用されている。 【０００４】この光アイソレータの構成は、偏光子、検
光子、ファラデー回転子からなる光学素子と、磁界発生
用の永久磁石、及びそれらの固定・保護用のホルダーか
らなっている。 【０００５】従来、各光学素子とホルダーとの固定・接
着の方法として、有機接着剤が使用されてきたが、長期
にわたる接着力の安定性に乏しく、特に、温・湿度等の
環境変化によって特性が劣化していた。 【０００６】このため、光通信用中継器等のように、長
期間にわたる高度の信頼性を要求される光アイソレータ
には、従来の有機接着剤による固定法に代わり、金属融
着法によって作製された光アイソレータが提案されてい
る。 【０００７】この金属融着法による接着・固定法は、ガ
ス・タービン・ブレード、マグネトロンやマイクロ波電子
管の真空窓、高出力高周波伝播送信管等の幅広い用途に
応用され、実用化されている技術であるが、光アイソレ
ータにおいては、光学素子の少なくとも光線透過部分を
除いた周辺部に金属融着固定用のメタライズ処理層を形
成し、半田付けにより、ホルダーと光学素子とを接合し
ている。 【０００８】このメタライズ処理層の形成に用いられる
材料は、被接着材料により多少異なるが、一般的には、
下地層として、密着力の確保のためＣｒ，Ｔａ，Ｗ，Ｔ
ｉ，Ｍｏ，Ｎｉ，又はＰｔからなる層、あるいは、上記
金属の少なくとも１種類を含む合金からなる層が形成さ
れ、最表層には、Ａｕ，Ｎｉ，又はＰｔ等が使用されて
いる。更に、下地層と最表層の間に、中間層として、Ｎ
ｉ，Ｐｔ等が形成されることもある。 【０００９】又、融着金属としては、Ａｕ−Ｓｎ合金、
Ｐｂ−Ｓｎ合金、Ａｕ−Ｇｅ合金等の半田材や各種ろう
材が使用されるが、密着強度が大きく、融着温度も比較
的低いＡｕ−Ｓｎ合金半田が密着強度、及び作業性の点
で優れているため、金属融着固定用材料として望まし
い。 【００１０】前述のメタライズ処理層の形成方法として
は、めっき法によるウエットプロセス及び真空蒸着法、
スパッタリング法等のドライプロセスが知られている
が、光学素子の光学表面、又は反射防止膜に傷の発生、
及び塵の付着を防止するため、ドライプロセスが多用さ
れる。 【００１１】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、真空蒸
着法又はスパッタリング法により、メタライズ膜を形成
する場合、量産性に重大な問題があった。 【００１２】即ち、従来のメタライズ方法では、光学材
料ブロック表面に反射防止膜を形成した後に、光学素子
１個分のサイズに切断し、図２に示すように、メタルマ
スク７により、光学素子５の光透過部分をマスキング
し、マスキングされていない部分のみメタライズ膜が形
成されるように、光学素子５とメタルマスク７とをサブ
ストホルダー６と治具８により固定し、真空蒸着法又は
スパッタリング法のドライプロセスにより、メタライズ
膜の作製を行っていた。 【００１３】この時、光学素子を洗浄し、治具に１個ず
つセッティングするために、非常に多くの工数がかか
り、大量の光学素子をメタライズ処理することが困難で
あった。 【００１４】そこで、量産性を高めるために、図３に示
すように、数十個分の光学素子５が切り出せる大きさの
光学材料ブロック１に、反射防止膜（図示しない）を形
成した後に、メタライズ膜３を形成し、その後に、図の
点線で示す線に沿って切断を行ったところ（図では光学
素子１個のみについて示している）、切断後、あるいは
半田接着後に接着部分が剥離し、充分な接着強度を持た
ないものが多発してしまい、歩留が悪く、量産性の向上
を達成することはできなかった。 【００１５】 【課題を解決するための手段】本発明によれば、光学素
子を複数枚切り出せる大きさの光学材料ブロックの切断
予定線に沿って、予め溝を形成しておき、その後に、反
射防止膜及び光学素子とホルダーとの金属融着接合のた
めのメタライズ膜を形成し、前記の溝よりも切断幅を狭
くして切断することにより、簡単な工程で、メタライズ
処理を行った光学素子を大量に作製でき、耐環境性に優
れた高性能な光アイソレータが得られる。 【００１６】 【作用】大型の光学材料ブロック表面に、光学素子複数
個分の面積にメタライズ膜を形成し、個々の光学素子の
大きさに切断し、半田・接着した試料のうち、メタライ
ズ膜の剥離が起こったものの剥離部分の破断面を詳細に
観察したところ、図４に示すように、剥離部分１５はメ
タライズ膜３からではなく、メタライズ膜直下の符号１
４で示す光学素子内部から起こることがわかった。 【００１７】即ち、剥離の原因は、切断時において、切
断用ブレードとメタライズ膜を通して光学素子との間に
発生する熱、及び機械的な衝撃によって、光学素子に強
いストレスが発生したためであると考えられる。 【００１８】従って、メタライズ膜の形成後に光学素子
の切断を行う場合には、切断時の熱、及び機械的な衝撃
が光学素子に影響しないように、切断箇所をメタライズ
膜から離せばよい。 【００１９】以上の結論から、図１（ａ）に示すよう
に、光学材料ブロック１に予め切断箇所に沿って条溝２
を形成しておき、その後に、図１（ｂ）に示すように、
反射防止膜（図示しない）、及びメタライズ膜３の形成
を行う。更に、その後に、図１（ｃ）に示すように、前
述の条溝２の溝幅よりも切断幅４の小さなブレードを使
用して、ブレードとメタライズ膜３が接触しないように
切断する（２本の点で囲んだ斜線で影を付けた部分）。 【００２０】以上、説明した工程により、メタライズ膜
直下の光学素子に発生するストレスを最小限に押さえる
ことができ、半田接着後も光学素子が剥離することがな
くなる。 【００２１】 【実施例】以下、本発明を実施例によって、比較例（従
来技術）と対比して説明する。 【００２２】図１に模式的に示すように、寸法が、１
１.０×１１.０×１.０（ｍｍ）のルチル単結晶（光学
材料ブロック）１に幅３３０μｍ×深さ３５０μｍの条
溝２を１.８２ｍｍピッチで４本ずつ格子状に８本形成
し、光学素子２５個取り用の溝入れ加工を行った［但
し、図１（ａ）及び図１（ｂ）においては、９個の光学
素子について示している］。次に、反射防止膜及びメタ
ライズ膜３を形成した。その後、切断幅４が２００μｍ
となるブレードで溝の中心を切断し、２５個分のメタラ
イズ膜の付いた口１.６ｍｍの光学素子５を作製した。 【００２３】 【比較例】実施例において、格子状の溝を形成せず、反
射防止膜及びメタライズ膜を形成し、切断幅が２００μ
ｍのブレードで切断し、２５個分の口１.６ｍｍの光学
素子を作製した。 【００２４】実施例及び比較例のメタライズ膜付き光学
素子について、金めっき処理がなされたステンレス製の
ホルダーと半田接着を行った後、光学素子とホルダーの
密着力試験を行ったところ、表１の結果を得た。なお、
密着力試験の試験方法は、図５に示すように、ホルダー
９を支持台１２に固定して光学素子５に荷重をかけ、剥
離した時の荷重をプッシュプルゲージ１３で読み取り、
密着力とした。 【００２５】 【表１】 【００２６】表１から明かなように、本発明の実施例
は、密着力が大きく、すべて１ｋｇ以上の良品であるこ
とがわかる。 【００２７】なお、実施例において、溝加工用のブレー
ドと切断加工用のブレードを別に用意したが、同一ブレ
ードを使用して、上記の溝入れ、及び切断加工を行うこ
ともできる。即ち、溝入れ加工時には、１本の溝に対し
て、ピッチをずらして複数回ブレードを通過させ、切断
時には、１回フレードを通過させればよい。 【００２８】又、本発明の実施例において、図１（ｃ）
に示すように、条溝２の断面形状を長方形としたが、切
断時にブレードと光学材料ブロックとによる熱的・機械
的衝撃を直接うけなければよく、三角形、台形等の多角
形、半円形、又は楕円形であってもよい。 【００２９】更に、光学材料ブロックの両面にメタライ
ズ膜を形成する場合には、予め両面に条溝を形成すれば
よく、本発明の実施例に制限されない。 【００３０】 【発明の効果】以上、述べたように、本発明によれば、
光学素子に予め条溝を形成することにより、大量のメタ
ライズ処理が行え、信頼性の高い半田接着が可能とな
り、高信頼性の光アイソレータを量産することができ
る。
用されるファラデー効果を利用した光アイソレータの製
造方法に関し、特に、耐環境性に優れた光アイソレータ
の製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、半導体レーザを光源とした光通信
システムや、半導体レーザを使用した光応用機器が広範
に利用されてきており、更に、その用途、及び規模が、
拡大されている。 【０００３】これら光通信システムや光応用機器の精度
や安定性を向上させるため、半導体レーザへの戻り光を
除去する目的に、光アイソレータが使用されている。 【０００４】この光アイソレータの構成は、偏光子、検
光子、ファラデー回転子からなる光学素子と、磁界発生
用の永久磁石、及びそれらの固定・保護用のホルダーか
らなっている。 【０００５】従来、各光学素子とホルダーとの固定・接
着の方法として、有機接着剤が使用されてきたが、長期
にわたる接着力の安定性に乏しく、特に、温・湿度等の
環境変化によって特性が劣化していた。 【０００６】このため、光通信用中継器等のように、長
期間にわたる高度の信頼性を要求される光アイソレータ
には、従来の有機接着剤による固定法に代わり、金属融
着法によって作製された光アイソレータが提案されてい
る。 【０００７】この金属融着法による接着・固定法は、ガ
ス・タービン・ブレード、マグネトロンやマイクロ波電子
管の真空窓、高出力高周波伝播送信管等の幅広い用途に
応用され、実用化されている技術であるが、光アイソレ
ータにおいては、光学素子の少なくとも光線透過部分を
除いた周辺部に金属融着固定用のメタライズ処理層を形
成し、半田付けにより、ホルダーと光学素子とを接合し
ている。 【０００８】このメタライズ処理層の形成に用いられる
材料は、被接着材料により多少異なるが、一般的には、
下地層として、密着力の確保のためＣｒ，Ｔａ，Ｗ，Ｔ
ｉ，Ｍｏ，Ｎｉ，又はＰｔからなる層、あるいは、上記
金属の少なくとも１種類を含む合金からなる層が形成さ
れ、最表層には、Ａｕ，Ｎｉ，又はＰｔ等が使用されて
いる。更に、下地層と最表層の間に、中間層として、Ｎ
ｉ，Ｐｔ等が形成されることもある。 【０００９】又、融着金属としては、Ａｕ−Ｓｎ合金、
Ｐｂ−Ｓｎ合金、Ａｕ−Ｇｅ合金等の半田材や各種ろう
材が使用されるが、密着強度が大きく、融着温度も比較
的低いＡｕ−Ｓｎ合金半田が密着強度、及び作業性の点
で優れているため、金属融着固定用材料として望まし
い。 【００１０】前述のメタライズ処理層の形成方法として
は、めっき法によるウエットプロセス及び真空蒸着法、
スパッタリング法等のドライプロセスが知られている
が、光学素子の光学表面、又は反射防止膜に傷の発生、
及び塵の付着を防止するため、ドライプロセスが多用さ
れる。 【００１１】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、真空蒸
着法又はスパッタリング法により、メタライズ膜を形成
する場合、量産性に重大な問題があった。 【００１２】即ち、従来のメタライズ方法では、光学材
料ブロック表面に反射防止膜を形成した後に、光学素子
１個分のサイズに切断し、図２に示すように、メタルマ
スク７により、光学素子５の光透過部分をマスキング
し、マスキングされていない部分のみメタライズ膜が形
成されるように、光学素子５とメタルマスク７とをサブ
ストホルダー６と治具８により固定し、真空蒸着法又は
スパッタリング法のドライプロセスにより、メタライズ
膜の作製を行っていた。 【００１３】この時、光学素子を洗浄し、治具に１個ず
つセッティングするために、非常に多くの工数がかか
り、大量の光学素子をメタライズ処理することが困難で
あった。 【００１４】そこで、量産性を高めるために、図３に示
すように、数十個分の光学素子５が切り出せる大きさの
光学材料ブロック１に、反射防止膜（図示しない）を形
成した後に、メタライズ膜３を形成し、その後に、図の
点線で示す線に沿って切断を行ったところ（図では光学
素子１個のみについて示している）、切断後、あるいは
半田接着後に接着部分が剥離し、充分な接着強度を持た
ないものが多発してしまい、歩留が悪く、量産性の向上
を達成することはできなかった。 【００１５】 【課題を解決するための手段】本発明によれば、光学素
子を複数枚切り出せる大きさの光学材料ブロックの切断
予定線に沿って、予め溝を形成しておき、その後に、反
射防止膜及び光学素子とホルダーとの金属融着接合のた
めのメタライズ膜を形成し、前記の溝よりも切断幅を狭
くして切断することにより、簡単な工程で、メタライズ
処理を行った光学素子を大量に作製でき、耐環境性に優
れた高性能な光アイソレータが得られる。 【００１６】 【作用】大型の光学材料ブロック表面に、光学素子複数
個分の面積にメタライズ膜を形成し、個々の光学素子の
大きさに切断し、半田・接着した試料のうち、メタライ
ズ膜の剥離が起こったものの剥離部分の破断面を詳細に
観察したところ、図４に示すように、剥離部分１５はメ
タライズ膜３からではなく、メタライズ膜直下の符号１
４で示す光学素子内部から起こることがわかった。 【００１７】即ち、剥離の原因は、切断時において、切
断用ブレードとメタライズ膜を通して光学素子との間に
発生する熱、及び機械的な衝撃によって、光学素子に強
いストレスが発生したためであると考えられる。 【００１８】従って、メタライズ膜の形成後に光学素子
の切断を行う場合には、切断時の熱、及び機械的な衝撃
が光学素子に影響しないように、切断箇所をメタライズ
膜から離せばよい。 【００１９】以上の結論から、図１（ａ）に示すよう
に、光学材料ブロック１に予め切断箇所に沿って条溝２
を形成しておき、その後に、図１（ｂ）に示すように、
反射防止膜（図示しない）、及びメタライズ膜３の形成
を行う。更に、その後に、図１（ｃ）に示すように、前
述の条溝２の溝幅よりも切断幅４の小さなブレードを使
用して、ブレードとメタライズ膜３が接触しないように
切断する（２本の点で囲んだ斜線で影を付けた部分）。 【００２０】以上、説明した工程により、メタライズ膜
直下の光学素子に発生するストレスを最小限に押さえる
ことができ、半田接着後も光学素子が剥離することがな
くなる。 【００２１】 【実施例】以下、本発明を実施例によって、比較例（従
来技術）と対比して説明する。 【００２２】図１に模式的に示すように、寸法が、１
１.０×１１.０×１.０（ｍｍ）のルチル単結晶（光学
材料ブロック）１に幅３３０μｍ×深さ３５０μｍの条
溝２を１.８２ｍｍピッチで４本ずつ格子状に８本形成
し、光学素子２５個取り用の溝入れ加工を行った［但
し、図１（ａ）及び図１（ｂ）においては、９個の光学
素子について示している］。次に、反射防止膜及びメタ
ライズ膜３を形成した。その後、切断幅４が２００μｍ
となるブレードで溝の中心を切断し、２５個分のメタラ
イズ膜の付いた口１.６ｍｍの光学素子５を作製した。 【００２３】 【比較例】実施例において、格子状の溝を形成せず、反
射防止膜及びメタライズ膜を形成し、切断幅が２００μ
ｍのブレードで切断し、２５個分の口１.６ｍｍの光学
素子を作製した。 【００２４】実施例及び比較例のメタライズ膜付き光学
素子について、金めっき処理がなされたステンレス製の
ホルダーと半田接着を行った後、光学素子とホルダーの
密着力試験を行ったところ、表１の結果を得た。なお、
密着力試験の試験方法は、図５に示すように、ホルダー
９を支持台１２に固定して光学素子５に荷重をかけ、剥
離した時の荷重をプッシュプルゲージ１３で読み取り、
密着力とした。 【００２５】 【表１】 【００２６】表１から明かなように、本発明の実施例
は、密着力が大きく、すべて１ｋｇ以上の良品であるこ
とがわかる。 【００２７】なお、実施例において、溝加工用のブレー
ドと切断加工用のブレードを別に用意したが、同一ブレ
ードを使用して、上記の溝入れ、及び切断加工を行うこ
ともできる。即ち、溝入れ加工時には、１本の溝に対し
て、ピッチをずらして複数回ブレードを通過させ、切断
時には、１回フレードを通過させればよい。 【００２８】又、本発明の実施例において、図１（ｃ）
に示すように、条溝２の断面形状を長方形としたが、切
断時にブレードと光学材料ブロックとによる熱的・機械
的衝撃を直接うけなければよく、三角形、台形等の多角
形、半円形、又は楕円形であってもよい。 【００２９】更に、光学材料ブロックの両面にメタライ
ズ膜を形成する場合には、予め両面に条溝を形成すれば
よく、本発明の実施例に制限されない。 【００３０】 【発明の効果】以上、述べたように、本発明によれば、
光学素子に予め条溝を形成することにより、大量のメタ
ライズ処理が行え、信頼性の高い半田接着が可能とな
り、高信頼性の光アイソレータを量産することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例の概略工程を示す説明図。図１
（ａ）は、光学材料ブロックに条溝を形成した状態を示
す図、図１（ｂ）は、メタライズ膜を形成した状態を示
す図、図１（ｃ）は、切断の状況を示す図、図１（ｄ）
は、切断後の個々の光学素子の断面図。 【図２】従来のメタライズ方法の概略を示す説明図。図
２（ａ）は斜視図、図２（ｂ）は断面図。 【図３】従来の光学素子作製方法の概略を示す説明図。 【図４】半田接合後の剥離状態を模式的に示す説明図。
図４（ａ）は断面図、図４（ｂ）は平面図。 【図５】半田接合の密着強度試験方法の概略を示す説明
図。 【符号の説明】 １ 光学材料ブロック ２ 条溝 ３ メタライズ膜 ４ 切断幅 ５ 光学素子 ６ サブストホルダー ７ メタルマスク ８ （マスク押さえ）治具 ９ ホルダー １０ 半田層 １２ 支持台 １３ プッシュプルゲージ １４ 光学素子の破断箇所 １５ 剥離部分
（ａ）は、光学材料ブロックに条溝を形成した状態を示
す図、図１（ｂ）は、メタライズ膜を形成した状態を示
す図、図１（ｃ）は、切断の状況を示す図、図１（ｄ）
は、切断後の個々の光学素子の断面図。 【図２】従来のメタライズ方法の概略を示す説明図。図
２（ａ）は斜視図、図２（ｂ）は断面図。 【図３】従来の光学素子作製方法の概略を示す説明図。 【図４】半田接合後の剥離状態を模式的に示す説明図。
図４（ａ）は断面図、図４（ｂ）は平面図。 【図５】半田接合の密着強度試験方法の概略を示す説明
図。 【符号の説明】 １ 光学材料ブロック ２ 条溝 ３ メタライズ膜 ４ 切断幅 ５ 光学素子 ６ サブストホルダー ７ メタルマスク ８ （マスク押さえ）治具 ９ ホルダー １０ 半田層 １２ 支持台 １３ プッシュプルゲージ １４ 光学素子の破断箇所 １５ 剥離部分
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 複数の光学素子を切り出せる大きさの光
学材料ブロック表面に、切断予定線に沿って、予め条溝
を形成し、その後に、反射防止膜、及びホルダーとの金
属融着接合のためのメタライズ膜を形成し、前記条溝の
溝幅より狭い切断幅で切断することを特徴とする光アイ
ソレータの製造方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31583994A JP3439275B2 (ja) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | 光アイソレータの製造方法 |
| EP95937186A EP0742467B1 (en) | 1994-11-25 | 1995-11-27 | Method of producing optical isolator |
| PCT/JP1995/002404 WO1996017270A1 (fr) | 1994-11-25 | 1995-11-27 | Procede de production d'isolateur optique |
| US08/682,620 US5671881A (en) | 1994-11-25 | 1995-11-27 | Method of manufacturing an optical isolator |
| DE69505352T DE69505352T2 (de) | 1994-11-25 | 1995-11-27 | Verfahren zum herstellen von optischen isolatoren |
| KR1019960703981A KR100282090B1 (ko) | 1994-11-25 | 1995-11-27 | 광 아이솔레이터 제조방법 |
| CA002181684A CA2181684C (en) | 1994-11-25 | 1995-11-27 | Method of producing optical isolator |
| CN95191338A CN1069413C (zh) | 1994-11-25 | 1995-11-27 | 光隔离器的光学器件的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31583994A JP3439275B2 (ja) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | 光アイソレータの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08152578A JPH08152578A (ja) | 1996-06-11 |
| JP3439275B2 true JP3439275B2 (ja) | 2003-08-25 |
Family
ID=18070204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31583994A Expired - Fee Related JP3439275B2 (ja) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | 光アイソレータの製造方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5671881A (ja) |
| EP (1) | EP0742467B1 (ja) |
| JP (1) | JP3439275B2 (ja) |
| KR (1) | KR100282090B1 (ja) |
| CN (1) | CN1069413C (ja) |
| CA (1) | CA2181684C (ja) |
| DE (1) | DE69505352T2 (ja) |
| WO (1) | WO1996017270A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69503039T2 (de) * | 1994-12-27 | 1998-11-19 | Tokin Corp | Verfahren zur herstellung einer optischen anordnung für optischen isolator |
| DE69616957T2 (de) * | 1995-12-18 | 2002-06-27 | Shinetsu Chemical Co | Optischer Isolator und optisches Bauteil mit einer hitzebeständigen antireflektierenden Beschichtung |
| US5808793A (en) * | 1996-01-17 | 1998-09-15 | Hewlett-Packard Company | Low-cost compact optical isolators |
| SE512906C2 (sv) * | 1998-10-02 | 2000-06-05 | Ericsson Telefon Ab L M | Förfarande vid lödning av ett halvledarchip samt RF-power transistor för genomförande därav |
| JP2001021839A (ja) | 1999-07-07 | 2001-01-26 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | 板状光学素子及びその製造方法 |
| CN100386665C (zh) * | 2004-04-16 | 2008-05-07 | 昂纳信息技术（深圳）有限公司 | 一种光隔离器的制作方法 |
| JP2013054323A (ja) * | 2011-09-06 | 2013-03-21 | Source Photonics (Chengdu) Inc | 偏光ガラス、偏光ガラス構造体、偏光ガラス組立体及び光アイソレータ |
| CN105974615A (zh) * | 2016-07-11 | 2016-09-28 | 武汉优信光通信设备有限责任公司 | 光路无胶自由空间隔离器的制造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5033052A (en) * | 1988-03-22 | 1991-07-16 | Fujitsu Limited | Optical semiconductor device and production method thereof |
| JP2628774B2 (ja) * | 1990-04-20 | 1997-07-09 | 株式会社日立製作所 | 光アイソレータ内蔵形半導体レーザモジュール |
| US5113404A (en) * | 1990-07-05 | 1992-05-12 | At&T Bell Laboratories | Silicon-based optical subassembly |
| JP3040857B2 (ja) * | 1991-08-22 | 2000-05-15 | 株式会社トーキン | 光アイソレータ |
| US5329539A (en) * | 1991-10-28 | 1994-07-12 | Lightwave Electronics | Efficient laser configuration |
| JP3413219B2 (ja) * | 1992-07-20 | 2003-06-03 | エヌイーシートーキン株式会社 | 光アイソレータ用光学素子の接着方法 |
-
1994
- 1994-11-25 JP JP31583994A patent/JP3439275B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-11-27 US US08/682,620 patent/US5671881A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-27 CA CA002181684A patent/CA2181684C/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-27 DE DE69505352T patent/DE69505352T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-27 CN CN95191338A patent/CN1069413C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-27 WO PCT/JP1995/002404 patent/WO1996017270A1/ja active IP Right Grant
- 1995-11-27 EP EP95937186A patent/EP0742467B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-27 KR KR1019960703981A patent/KR100282090B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0742467A4 (en) | 1996-09-10 |
| CN1139487A (zh) | 1997-01-01 |
| CN1069413C (zh) | 2001-08-08 |
| KR100282090B1 (ko) | 2001-02-15 |
| DE69505352D1 (de) | 1998-11-19 |
| EP0742467B1 (en) | 1998-10-14 |
| WO1996017270A1 (fr) | 1996-06-06 |
| US5671881A (en) | 1997-09-30 |
| KR970700871A (ko) | 1997-02-12 |
| EP0742467A1 (en) | 1996-11-13 |
| DE69505352T2 (de) | 1999-05-06 |
| JPH08152578A (ja) | 1996-06-11 |
| CA2181684A1 (en) | 1996-06-06 |
| CA2181684C (en) | 2000-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4078711A (en) | Metallurgical method for die attaching silicon on sapphire devices to obtain heat resistant bond | |
| JP3439275B2 (ja) | 光アイソレータの製造方法 | |
| JPH0222540B2 (ja) | ||
| JP2003050341A (ja) | 光学部品複合体およびその製造方法 | |
| US3483610A (en) | Thermocompression bonding of foil leads | |
| JP3439279B2 (ja) | 光アイソレータの製造方法 | |
| JP3645700B2 (ja) | 光アイソレーター用素子およびその製造方法 | |
| JP3556010B2 (ja) | 光アイソレータ | |
| JP3347198B2 (ja) | 光アイソレータの作製方法 | |
| JPH0954284A (ja) | 光アイソレータの製造方法 | |
| JPH0862538A (ja) | 光アイソレータの作製方法 | |
| JPH1114940A (ja) | 光アイソレータ | |
| JP4395365B2 (ja) | 光アイソレータ | |
| JP3678860B2 (ja) | 光アイソレータ | |
| JPH06167675A (ja) | 光アイソレータ | |
| JPH09246440A (ja) | パッケージの製造方法 | |
| JPS6118188A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH01147087A (ja) | 銅タングステン合金のめっき前処理方法 | |
| JPH08338965A (ja) | 光アイソレータ | |
| JPH06186503A (ja) | 光アイソレータの作製方法 | |
| JPH06313862A (ja) | 光アイソレータ | |
| JPH07122823A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH06230314A (ja) | 光アイソレータの作製方法 | |
| JP2006064989A (ja) | 接合構造とそれを用いた光アイソレータ及びその製造方法 | |
| JPH03194939A (ja) | 金属とシリコンの接合方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |