JP3411908B2 - 弾性表面波装置およびその製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置およびその製造方法Info
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Description
【０００１】技術分野
本発明は、携帯電話、自動車電話、無線機器等に使用さ
れる弾性表面波装置と、その製造方法とに関する。
れる弾性表面波装置と、その製造方法とに関する。
【０００２】背景技術
弾性表面波装置、すなわち弾性表面波フィルタや弾性表
面波共振子は、携帯電話等の高周波回路部のフィルタと
して、誘電体フィルタに替わり盛んに利用されるように
なってきた。その理由として弾性表面波フィルタは誘電
体フィルタに比べ素子寸法が小さいこと、また、同じ素
子寸法で比較すると電気的特性が優れていることなどが
挙げられる。
面波共振子は、携帯電話等の高周波回路部のフィルタと
して、誘電体フィルタに替わり盛んに利用されるように
なってきた。その理由として弾性表面波フィルタは誘電
体フィルタに比べ素子寸法が小さいこと、また、同じ素
子寸法で比較すると電気的特性が優れていることなどが
挙げられる。
【０００３】弾性表面波装置は、ニオブ酸リチウム、タ
ンタル酸リチウム等からなる圧電性基板表面に、交差指
型変換器（ＩＤＴ）や反射器などの各種電極を形成した
ものである。弾性表面波装置の電極には、通常、Ａｌま
たはＡｌ合金（Ａｌ−Ｃｕ等）が使用される。しかし、
ＡｌおよびＡｌ合金は高湿環境下で腐食しやすく、この
腐食による電極の断線、腐食生成物によるフィルタ特性
の劣化が発生しやすいという問題がある。従来、電極の
腐食による特性劣化を防止する方法として、セラミック
パッケージで気密封止することにより環境と遮断する方
法がとられてきた。
ンタル酸リチウム等からなる圧電性基板表面に、交差指
型変換器（ＩＤＴ）や反射器などの各種電極を形成した
ものである。弾性表面波装置の電極には、通常、Ａｌま
たはＡｌ合金（Ａｌ−Ｃｕ等）が使用される。しかし、
ＡｌおよびＡｌ合金は高湿環境下で腐食しやすく、この
腐食による電極の断線、腐食生成物によるフィルタ特性
の劣化が発生しやすいという問題がある。従来、電極の
腐食による特性劣化を防止する方法として、セラミック
パッケージで気密封止することにより環境と遮断する方
法がとられてきた。
【０００４】しかし、セラミックパッケージによる気密
封止で電極の腐食を防止する方法では、微小な気密リー
クが生じやすい。そのため、パッケージによって封止し
た後、気密度を検査する工程が必要であり、この検査工
程が製造コスト上昇の要因となっていた。また、製造コ
スト低減のためには、高価なセラミックパッケージでは
なく樹脂パッケージの利用が望ましいが、樹脂パッケー
ジは耐湿性の点でセラミックパッケージに劣る。
封止で電極の腐食を防止する方法では、微小な気密リー
クが生じやすい。そのため、パッケージによって封止し
た後、気密度を検査する工程が必要であり、この検査工
程が製造コスト上昇の要因となっていた。また、製造コ
スト低減のためには、高価なセラミックパッケージでは
なく樹脂パッケージの利用が望ましいが、樹脂パッケー
ジは耐湿性の点でセラミックパッケージに劣る。
【０００５】このほか、ＩＤＴを形成した圧電性基板表
面を薄膜によって被覆することにより、ＩＤＴの腐食を
防止する方法が知られている。
面を薄膜によって被覆することにより、ＩＤＴの腐食を
防止する方法が知られている。
【０００６】例えば特公平３−１９０３１１号公報に
は、圧電性基板の電極形成面上に、厚さ１００Å以下の
疎水性および絶縁性を有する膜を形成した弾性表面波装
置が記載されている。同公報には、上記膜の構成材料と
してヘキサメチルジシラザン、アジド系化合物およびイ
ソシアネート系化合物が挙げられており、実施例では、
厚さ５０Å以下のヘキサメチルジシラザン膜をスプレー
コートにより形成している。同公報には、この膜を形成
した結果、挿入損失が０．２〜０．３dB大きくなった旨
の記載がある。
は、圧電性基板の電極形成面上に、厚さ１００Å以下の
疎水性および絶縁性を有する膜を形成した弾性表面波装
置が記載されている。同公報には、上記膜の構成材料と
してヘキサメチルジシラザン、アジド系化合物およびイ
ソシアネート系化合物が挙げられており、実施例では、
厚さ５０Å以下のヘキサメチルジシラザン膜をスプレー
コートにより形成している。同公報には、この膜を形成
した結果、挿入損失が０．２〜０．３dB大きくなった旨
の記載がある。
【０００７】また、特開平４−２９４６２５号公報に
は、弾性表面波素子において、電極材料の脱落および腐
食を防止するために、クロム等の耐食性金属や二酸化シ
リコン等の誘電体からなる保護膜を、圧電性基板の電極
形成面にスパッタ法や蒸着法により形成することが記載
されている。同公報の実施例では、クロムからなる厚さ
１００Åの保護膜を形成している。
は、弾性表面波素子において、電極材料の脱落および腐
食を防止するために、クロム等の耐食性金属や二酸化シ
リコン等の誘電体からなる保護膜を、圧電性基板の電極
形成面にスパッタ法や蒸着法により形成することが記載
されている。同公報の実施例では、クロムからなる厚さ
１００Åの保護膜を形成している。
【０００８】また、電極の腐食防止を目的とはしていな
いが、圧電性基板の電極形成面に薄膜を形成した弾性表
面波装置は、以下のものも知られている。
いが、圧電性基板の電極形成面に薄膜を形成した弾性表
面波装置は、以下のものも知られている。
【０００９】特公平２−４７８８６号公報には、圧電性
基板の全面または一部に金属を蒸着することにより、共
振周波数を調整する方法が記載されている。同公報に
は、蒸着する金属として、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｉ等が
挙げられている。また、同公報には、蒸着量がわずかで
あって、蒸着金属は孤立した微細な点状に付着するた
め、電極指間で短絡が生じることはない旨が記載されて
いる。
基板の全面または一部に金属を蒸着することにより、共
振周波数を調整する方法が記載されている。同公報に
は、蒸着する金属として、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｉ等が
挙げられている。また、同公報には、蒸着量がわずかで
あって、蒸着金属は孤立した微細な点状に付着するた
め、電極指間で短絡が生じることはない旨が記載されて
いる。
【００１０】米国特許第３，９６５，４４４号明細書に
は、圧電性基板の電極形成面に、温度補償のためにＳｉ
Ｏ2膜を形成することが記載されている。
は、圧電性基板の電極形成面に、温度補償のためにＳｉ
Ｏ2膜を形成することが記載されている。
【００１１】特開平４−１５０５１２号公報には、圧電
性基板の電極形成面に、半絶縁性薄膜を設けることが記
載されている。同公報では、半絶縁性薄膜の構成材料と
して、シリコン酸化膜、シリコン酸化窒化膜、シリコン
窒化膜およびシリコンカーバイドが例示されている。こ
の半絶縁性薄膜を設けることにより、圧電性基板に発生
した静電気が電極間で放電し、素子の静電破壊が抑えら
れる。同公報の実施例では、半絶縁性薄膜として、厚さ
約５００Å以上のシリコン窒化膜をプラズマＣＶＤ法に
より形成している。
性基板の電極形成面に、半絶縁性薄膜を設けることが記
載されている。同公報では、半絶縁性薄膜の構成材料と
して、シリコン酸化膜、シリコン酸化窒化膜、シリコン
窒化膜およびシリコンカーバイドが例示されている。こ
の半絶縁性薄膜を設けることにより、圧電性基板に発生
した静電気が電極間で放電し、素子の静電破壊が抑えら
れる。同公報の実施例では、半絶縁性薄膜として、厚さ
約５００Å以上のシリコン窒化膜をプラズマＣＶＤ法に
より形成している。
【００１２】特開平９−８３２８８号公報には、電極間
の放電を防止するために、圧電性基板の電極形成面に半
導体薄膜を形成することが記載されている。同公報の実
施例では、半導体薄膜として厚さ５０nmのＳｉ膜を用い
ている。
の放電を防止するために、圧電性基板の電極形成面に半
導体薄膜を形成することが記載されている。同公報の実
施例では、半導体薄膜として厚さ５０nmのＳｉ膜を用い
ている。
【００１３】特開平９−１９９９７４号公報には、圧電
性基板の焦電効果による雑音の発生を抑制するために、
圧電性基板の電極形成面に抵抗体薄膜を形成することが
記載されている。同公報には、抵抗体薄膜として、スパ
ッタ法または蒸着法により形成されるシリコン薄膜が開
示されている。なお、同公報には抵抗体薄膜の厚さにつ
いての記載はない。
性基板の焦電効果による雑音の発生を抑制するために、
圧電性基板の電極形成面に抵抗体薄膜を形成することが
記載されている。同公報には、抵抗体薄膜として、スパ
ッタ法または蒸着法により形成されるシリコン薄膜が開
示されている。なお、同公報には抵抗体薄膜の厚さにつ
いての記載はない。
【００１４】特開平７−３２６９４２号公報には、圧電
性基板の電極形成面に絶縁膜を設けた弾性表面波装置に
おいて、前記絶縁膜の厚さをｈとし、弾性表面波の波長
をλとしたとき、ｋｈ≦０．１５（ただし、ｋ＝２π／
λ）とすることが記載されている。同公報において絶縁
膜を設けるのは、中心周波数を調整するためである。同
公報には、ｋｈの下限として０．００２が記載されてい
る。このときの周波数変化量は約８０ppmである。同公
報の実施例では、スパッタ法により形成したＭｇＯ膜お
よびＳｉＯ2膜を絶縁膜として用いている。
性基板の電極形成面に絶縁膜を設けた弾性表面波装置に
おいて、前記絶縁膜の厚さをｈとし、弾性表面波の波長
をλとしたとき、ｋｈ≦０．１５（ただし、ｋ＝２π／
λ）とすることが記載されている。同公報において絶縁
膜を設けるのは、中心周波数を調整するためである。同
公報には、ｋｈの下限として０．００２が記載されてい
る。このときの周波数変化量は約８０ppmである。同公
報の実施例では、スパッタ法により形成したＭｇＯ膜お
よびＳｉＯ2膜を絶縁膜として用いている。
【００１５】発明の開示
上述したように、圧電性基板の電極形成面に各種薄膜を
設けることは知られている。しかし、上記特公平３−１
９０３１１号公報に示されるように、厚さ１００Å程度
の有機膜を形成すると、挿入損失が劣化してしまう。ま
た、上記特開平４−２９４６２５号公報に記載されてい
るように厚さ１００ÅのＣｒ膜を形成すると、電極間で
短絡が生じ、電気特性を低下させてしまう。
設けることは知られている。しかし、上記特公平３−１
９０３１１号公報に示されるように、厚さ１００Å程度
の有機膜を形成すると、挿入損失が劣化してしまう。ま
た、上記特開平４−２９４６２５号公報に記載されてい
るように厚さ１００ÅのＣｒ膜を形成すると、電極間で
短絡が生じ、電気特性を低下させてしまう。
【００１６】なお、電極形成面に設ける薄膜が誘電体膜
である場合も、金属膜ほど大きくはないが、短絡による
特性劣化は生じる。また、例えば上記特開平７−３２６
９４２号公報において、誘電体膜を設けることにより中
心周波数を調整していることからわかるように、絶縁膜
であってもやはり素子特性に影響を与える。
である場合も、金属膜ほど大きくはないが、短絡による
特性劣化は生じる。また、例えば上記特開平７−３２６
９４２号公報において、誘電体膜を設けることにより中
心周波数を調整していることからわかるように、絶縁膜
であってもやはり素子特性に影響を与える。
【００１７】本発明はこのような事情からなされたもの
であり、ＡｌまたはＡｌ合金からなる電極を有する弾性
表面波装置において、電気特性に影響を与えることなく
耐湿性を向上させることを目的とする。
であり、ＡｌまたはＡｌ合金からなる電極を有する弾性
表面波装置において、電気特性に影響を与えることなく
耐湿性を向上させることを目的とする。
【００１８】上記目的は、下記の構成により達成され
る。 （１） ＡｌまたはＡｌ合金からなる電極が設けられた
圧電性基板表面に、この圧電性基板表面の少なくとも一
部および前記電極を被覆するように金属酸化物層が形成
されており、この金属酸化物層が、前記電極上において
連続膜となっており、かつ、前記圧電性基板表面におい
て不連続膜となっている弾性表面波装置。 （２） 前記金属酸化物層が遷移金属の酸化物を含有す
る（１）の弾性表面波装置。 （３） 前記金属酸化物層がＣｒ酸化物を含有する
（２）の弾性表面波装置。 （４） ＡｌまたはＡｌ合金からなる電極が設けられた
圧電性基板表面に、連続膜とはならない厚さの金属層
を、少なくとも前記電極を被覆するように形成し、次い
で前記金属層を酸化することにより、前記金属層を、少
なくとも前記電極上において連続膜となっている金属酸
化物層に変化させる弾性表面波装置の製造方法。 （５） 蛍光Ｘ線膜厚計により測定した前記金属層の厚
さが０．１〜２nmである（４）の弾性表面波装置の製造
方法。
る。 （１） ＡｌまたはＡｌ合金からなる電極が設けられた
圧電性基板表面に、この圧電性基板表面の少なくとも一
部および前記電極を被覆するように金属酸化物層が形成
されており、この金属酸化物層が、前記電極上において
連続膜となっており、かつ、前記圧電性基板表面におい
て不連続膜となっている弾性表面波装置。 （２） 前記金属酸化物層が遷移金属の酸化物を含有す
る（１）の弾性表面波装置。 （３） 前記金属酸化物層がＣｒ酸化物を含有する
（２）の弾性表面波装置。 （４） ＡｌまたはＡｌ合金からなる電極が設けられた
圧電性基板表面に、連続膜とはならない厚さの金属層
を、少なくとも前記電極を被覆するように形成し、次い
で前記金属層を酸化することにより、前記金属層を、少
なくとも前記電極上において連続膜となっている金属酸
化物層に変化させる弾性表面波装置の製造方法。 （５） 蛍光Ｘ線膜厚計により測定した前記金属層の厚
さが０．１〜２nmである（４）の弾性表面波装置の製造
方法。
【００１９】発明を実施するための最良の形態
本発明では、圧電性基板上に、ＡｌまたはＡｌ合金から
構成される交差指型変換器（ＩＤＴ）またはこれと反射
器電極とを含む電極を設けた弾性表面波装置において、
少なくとも電極を被覆するように金属酸化物層を設け
る。
構成される交差指型変換器（ＩＤＴ）またはこれと反射
器電極とを含む電極を設けた弾性表面波装置において、
少なくとも電極を被覆するように金属酸化物層を設け
る。
【００２０】前述したように、圧電性基板の電極形成面
に金属酸化物層を設けた弾性表面波装置は知られてい
る。しかし、本発明における金属酸化物層は、従来の弾
性表面波装置における金属酸化物層とは異なり、弾性表
面波装置の電気特性に影響を与えない薄い膜である。圧
電性基板の電極形成面を被覆する金属酸化物層が厚い
と、弾性表面波装置の電気特性に悪影響を及ぼす。例え
ば、金属酸化物は一般に絶縁物として扱われるが、金属
酸化物層が厚くなると電気抵抗が低くなるので、電極間
で短絡が生じ、弾性表面波フィルタの挿入損失を悪化さ
せてしまう。例えば弾性表面波装置では、圧電性基板と
電極との間に圧電膜としてＺｎＯ層を形成することもあ
るが、このＺｎＯ層にはＬｉ等をドープして電気抵抗を
高くしている。本発明者らは、以下に示す第１から第４
の実験およびその検討の結果、極めて薄い金属酸化物層
で電極形成面を被覆すれば、弾性表面波装置の電気特性
に悪影響を与えず、かつ、電極の耐湿性（湿度による腐
食への耐性）を飛躍的に向上できることを見いだした。
に金属酸化物層を設けた弾性表面波装置は知られてい
る。しかし、本発明における金属酸化物層は、従来の弾
性表面波装置における金属酸化物層とは異なり、弾性表
面波装置の電気特性に影響を与えない薄い膜である。圧
電性基板の電極形成面を被覆する金属酸化物層が厚い
と、弾性表面波装置の電気特性に悪影響を及ぼす。例え
ば、金属酸化物は一般に絶縁物として扱われるが、金属
酸化物層が厚くなると電気抵抗が低くなるので、電極間
で短絡が生じ、弾性表面波フィルタの挿入損失を悪化さ
せてしまう。例えば弾性表面波装置では、圧電性基板と
電極との間に圧電膜としてＺｎＯ層を形成することもあ
るが、このＺｎＯ層にはＬｉ等をドープして電気抵抗を
高くしている。本発明者らは、以下に示す第１から第４
の実験およびその検討の結果、極めて薄い金属酸化物層
で電極形成面を被覆すれば、弾性表面波装置の電気特性
に悪影響を与えず、かつ、電極の耐湿性（湿度による腐
食への耐性）を飛躍的に向上できることを見いだした。
【００２１】第１の実験に用いた弾性表面波装置サンプ
ルは、以下の手順で作製した。
ルは、以下の手順で作製した。
【００２２】圧電性基板には、３６度回転Ｙカットタン
タル酸リチウムをＸ方向伝搬で使用した。電極の形成に
際しては、まず、厚さ１５０nmのＡｌ−０．５質量％Ｃ
ｕ合金膜をスパッタ法により形成した。次に、フォトリ
ソグラフィーおよびドライエッチングを利用して合金膜
を形状加工することにより、ＩＤＴの両外側に反射器電
極を有する弾性表面波共振子の電極パターンを形成し
た。この弾性表面波共振子の共振周波数は、約１．６GH
zである。
タル酸リチウムをＸ方向伝搬で使用した。電極の形成に
際しては、まず、厚さ１５０nmのＡｌ−０．５質量％Ｃ
ｕ合金膜をスパッタ法により形成した。次に、フォトリ
ソグラフィーおよびドライエッチングを利用して合金膜
を形状加工することにより、ＩＤＴの両外側に反射器電
極を有する弾性表面波共振子の電極パターンを形成し
た。この弾性表面波共振子の共振周波数は、約１．６GH
zである。
【００２３】次に、圧電性基板の電極形成面の全面に、
金属Ｃｒ層をスパッタ法により形成した。次いで、酸素
雰囲気中において２５０℃で２時間熱処理することによ
り金属Ｃｒ層を酸化してＣｒ酸化物層とし、弾性表面波
装置サンプルを得た。なお、比較のために、Ｃｒ酸化物
層を設けなかったほかは同様にして作製したサンプルも
用意した。
金属Ｃｒ層をスパッタ法により形成した。次いで、酸素
雰囲気中において２５０℃で２時間熱処理することによ
り金属Ｃｒ層を酸化してＣｒ酸化物層とし、弾性表面波
装置サンプルを得た。なお、比較のために、Ｃｒ酸化物
層を設けなかったほかは同様にして作製したサンプルも
用意した。
【００２４】このようにして作製したサンプルのそれぞ
れについて、共振周波数ｆｒおよび反共振周波数ｆａを
測定し、その差（ｆｒ−ｆａ）を求めた。そして、Ｃｒ
酸化物層を設けなかったサンプルにおける「ｆｒ−ｆ
ａ」を基準値として、各サンプルにおける「ｆｒ−ｆ
ａ」の前記基準値との差を求めた。この差を「ｆｒ−ｆ
ａ変化幅」として、図１に示す。なお、図１の横軸に示
す層厚は、蛍光Ｘ線膜厚計（（株）リガク製のシステム
３６４０）により測定した金属Ｃｒ層の厚さであるが、
蛍光Ｘ線膜厚計によって測定すると、層厚は酸化によっ
て変化しないので、図中ではＣｒ酸化物層の厚さとして
表示してある。すなわち、蛍光Ｘ線膜厚計では金属原子
の数を測定することにより膜厚を求めているので、金属
層の厚さと、これを酸化した金属酸化物層の厚さとは、
同じとなる。本明細書において金属層および金属酸化物
層の厚さは、蛍光Ｘ線膜厚計により測定した値とする。
れについて、共振周波数ｆｒおよび反共振周波数ｆａを
測定し、その差（ｆｒ−ｆａ）を求めた。そして、Ｃｒ
酸化物層を設けなかったサンプルにおける「ｆｒ−ｆ
ａ」を基準値として、各サンプルにおける「ｆｒ−ｆ
ａ」の前記基準値との差を求めた。この差を「ｆｒ−ｆ
ａ変化幅」として、図１に示す。なお、図１の横軸に示
す層厚は、蛍光Ｘ線膜厚計（（株）リガク製のシステム
３６４０）により測定した金属Ｃｒ層の厚さであるが、
蛍光Ｘ線膜厚計によって測定すると、層厚は酸化によっ
て変化しないので、図中ではＣｒ酸化物層の厚さとして
表示してある。すなわち、蛍光Ｘ線膜厚計では金属原子
の数を測定することにより膜厚を求めているので、金属
層の厚さと、これを酸化した金属酸化物層の厚さとは、
同じとなる。本明細書において金属層および金属酸化物
層の厚さは、蛍光Ｘ線膜厚計により測定した値とする。
【００２５】図１において「ｆｒ−ｆａ変化幅」がゼロ
に近いほど、Ｃｒ酸化物層による電気特性への影響が小
さいことになる。図１から、Ｃｒ酸化物層の厚さが２nm
以下であれば、弾性表面波装置の電気特性に実質的に影
響を与えないことがわかる。また、この実験において、
Ｃｒ酸化物層の厚さが２nm以下であれば、Ｃｒ酸化物層
を設けない場合に比べ、ｆｒおよびｆａそれぞれにおけ
るインピーダンスの絶対値に変化は認められなかった。
このことから、Ｃｒ酸化物層の厚さが２nm以下であれ
ば、Ｃｒ酸化物層を設けることによる短絡が実質的にな
く、挿入損失が劣化しないことが確認できた。
に近いほど、Ｃｒ酸化物層による電気特性への影響が小
さいことになる。図１から、Ｃｒ酸化物層の厚さが２nm
以下であれば、弾性表面波装置の電気特性に実質的に影
響を与えないことがわかる。また、この実験において、
Ｃｒ酸化物層の厚さが２nm以下であれば、Ｃｒ酸化物層
を設けない場合に比べ、ｆｒおよびｆａそれぞれにおけ
るインピーダンスの絶対値に変化は認められなかった。
このことから、Ｃｒ酸化物層の厚さが２nm以下であれ
ば、Ｃｒ酸化物層を設けることによる短絡が実質的にな
く、挿入損失が劣化しないことが確認できた。
【００２６】次に、弾性表面波装置の電気特性に影響を
与えない程度に薄い金属酸化物層の構造を調べるために
行った、第２の実験について説明する。
与えない程度に薄い金属酸化物層の構造を調べるために
行った、第２の実験について説明する。
【００２７】第２の実験では、第１の実験と同様にし
て、３６度回転Ｙカットタンタル酸リチウム基板上に、
様々な厚さの金属Ｃｒ層をスパッタ法により形成した。
これらの金属Ｃｒ層について抵抗率を測定し、金属Ｃｒ
層の厚さと抵抗率との積を算出した。図２に、横軸を金
属Ｃｒ層の層厚とし、縦軸を層厚と抵抗率との積とした
グラフを示す。
て、３６度回転Ｙカットタンタル酸リチウム基板上に、
様々な厚さの金属Ｃｒ層をスパッタ法により形成した。
これらの金属Ｃｒ層について抵抗率を測定し、金属Ｃｒ
層の厚さと抵抗率との積を算出した。図２に、横軸を金
属Ｃｒ層の層厚とし、縦軸を層厚と抵抗率との積とした
グラフを示す。
【００２８】図２では、金属Ｃｒ層の厚さが約３．５nm
を超える領域において、層厚の増加に伴って「抵抗率×
層厚」の値が直線状に増加している。このことは、この
層厚領域の金属Ｃｒ層において、金属Ｃｒのバルク体と
同等の抵抗率が保持されていることを示している。した
がって、この層厚領域では、ほぼ均一な連続膜が形成さ
れているといえる。一方、金属Ｃｒ層の厚さが約３．５
nm以下の領域では、層厚の減少に伴って、縦軸の「抵抗
率×層厚」の値が急激に増加している。この結果から、
この領域では、もはや金属Ｃｒ層の抵抗率がバルク体の
抵抗率とはかけ離れた値であることがわかる。このこと
は、この層厚領域では、金属Ｃｒ層が不連続な膜となっ
ていることを示している。
を超える領域において、層厚の増加に伴って「抵抗率×
層厚」の値が直線状に増加している。このことは、この
層厚領域の金属Ｃｒ層において、金属Ｃｒのバルク体と
同等の抵抗率が保持されていることを示している。した
がって、この層厚領域では、ほぼ均一な連続膜が形成さ
れているといえる。一方、金属Ｃｒ層の厚さが約３．５
nm以下の領域では、層厚の減少に伴って、縦軸の「抵抗
率×層厚」の値が急激に増加している。この結果から、
この領域では、もはや金属Ｃｒ層の抵抗率がバルク体の
抵抗率とはかけ離れた値であることがわかる。このこと
は、この層厚領域では、金属Ｃｒ層が不連続な膜となっ
ていることを示している。
【００２９】図２に示される結果から、図１において弾
性表面波装置の電気特性に影響を与えない範囲の厚さを
もつＣｒ酸化物層は、不連続な金属Ｃｒ層を酸化処理す
ることにより得られることがわかる。
性表面波装置の電気特性に影響を与えない範囲の厚さを
もつＣｒ酸化物層は、不連続な金属Ｃｒ層を酸化処理す
ることにより得られることがわかる。
【００３０】次に、金属Ｃｒ層およびこれを酸化したＣ
ｒ酸化物層の性状を具体的に調べるために行った第３の
実験について説明する。
ｒ酸化物層の性状を具体的に調べるために行った第３の
実験について説明する。
【００３１】第３の実験では、まず、金属Ｃｒ層の厚さ
を０．８５nmとしたほかは第１の実験と同様にして、圧
電性基板の電極形成面を金属Ｃｒ層で被覆した。次い
で、金属Ｃｒ層を覆うＡｌ層をスパッタ法により形成
し、断面構造観察用サンプルとした。なお、Ａｌ層で被
覆したのは、金属Ｃｒ層の表面状態を固定して、金属Ｃ
ｒ層断面の観察を容易にするためである。このサンプル
を切断し、電極とＡｌ層とに挟まれた金属Ｃｒ層を透過
型電子顕微鏡により観察したところ、図７に示すよう
に、金属Ｃｒ層が不連続膜となっていることが確認され
た。なお、図７において、中央付近を横切る鎖状の暗色
部が金属Ｃｒ層である。
を０．８５nmとしたほかは第１の実験と同様にして、圧
電性基板の電極形成面を金属Ｃｒ層で被覆した。次い
で、金属Ｃｒ層を覆うＡｌ層をスパッタ法により形成
し、断面構造観察用サンプルとした。なお、Ａｌ層で被
覆したのは、金属Ｃｒ層の表面状態を固定して、金属Ｃ
ｒ層断面の観察を容易にするためである。このサンプル
を切断し、電極とＡｌ層とに挟まれた金属Ｃｒ層を透過
型電子顕微鏡により観察したところ、図７に示すよう
に、金属Ｃｒ層が不連続膜となっていることが確認され
た。なお、図７において、中央付近を横切る鎖状の暗色
部が金属Ｃｒ層である。
【００３２】また、金属Ｃｒ層形成後に、第１の実験と
同条件で金属Ｃｒ層を酸化することによりＣｒ酸化物層
を形成したほかは上記断面構造観察用サンプルと同様に
して、サンプルを得た。このサンプルを切断し、電極と
Ａｌ層とに挟まれたＣｒ酸化物層を透過型電子顕微鏡に
より観察したところ、図８に示すように、Ｃｒ酸化物層
が連続膜となっていることが確認された。なお、図８に
おいて、中央付近を横切る線状の暗色部がＣｒ酸化物層
である。
同条件で金属Ｃｒ層を酸化することによりＣｒ酸化物層
を形成したほかは上記断面構造観察用サンプルと同様に
して、サンプルを得た。このサンプルを切断し、電極と
Ａｌ層とに挟まれたＣｒ酸化物層を透過型電子顕微鏡に
より観察したところ、図８に示すように、Ｃｒ酸化物層
が連続膜となっていることが確認された。なお、図８に
おいて、中央付近を横切る線状の暗色部がＣｒ酸化物層
である。
【００３３】この第３の実験の結果から、金属Ｃｒ層を
酸化することにより、少なくとも電極上において不連続
膜から連続膜へと変化することがわかる。このことが、
本発明において耐湿性が著しく向上する大きな要因とな
っていることは明らかである。
酸化することにより、少なくとも電極上において不連続
膜から連続膜へと変化することがわかる。このことが、
本発明において耐湿性が著しく向上する大きな要因とな
っていることは明らかである。
【００３４】なお、第３の実験では、圧電性基板上に存
在する金属Ｃｒ層も酸化により連続膜に変化するかどう
かは確認できなかった。ただし、第１の実験において厚
さ２nm以下のＣｒ酸化物層を有する弾性表面波装置の電
気特性が実質的に変化しなかったことから、すなわち、
ＩＤＴの正負電極間の絶縁性が保たれていたことから、
圧電性基板上に存在する金属Ｃｒ層は、酸化後も連続膜
とはなっていない可能性が高いと考えられる。
在する金属Ｃｒ層も酸化により連続膜に変化するかどう
かは確認できなかった。ただし、第１の実験において厚
さ２nm以下のＣｒ酸化物層を有する弾性表面波装置の電
気特性が実質的に変化しなかったことから、すなわち、
ＩＤＴの正負電極間の絶縁性が保たれていたことから、
圧電性基板上に存在する金属Ｃｒ層は、酸化後も連続膜
とはなっていない可能性が高いと考えられる。
【００３５】次に、Ｃｒ酸化物層の保護層としての効果
を調べるために行った、第４の実験について説明する。
を調べるために行った、第４の実験について説明する。
【００３６】第４の実験では、まず、第１の実験と同様
にして圧電性基板上に電極を形成した。ただし、電極パ
ターンは、弾性表面波共振子をラダー連続したフィルタ
パターンとした。このフィルタパターンは、欧州の携帯
電話ＤＣＳ１８００システム用に設計されたものであ
る。
にして圧電性基板上に電極を形成した。ただし、電極パ
ターンは、弾性表面波共振子をラダー連続したフィルタ
パターンとした。このフィルタパターンは、欧州の携帯
電話ＤＣＳ１８００システム用に設計されたものであ
る。
【００３７】次に、圧電性基板の電極形成面の全面に、
金属Ｃｒ層をスパッタ法により形成した。金属Ｃｒ層の
厚さは、０．４nm、０．７nm、１．５nmの３種とした。
次いで、第１の実験と同様にして金属Ｃｒ層に酸化処理
を施し、弾性表面波装置サンプルを得た。なお、比較の
ために、Ｃｒ酸化物層を設けなかったほかは同様にして
作製したサンプルも用意した。
金属Ｃｒ層をスパッタ法により形成した。金属Ｃｒ層の
厚さは、０．４nm、０．７nm、１．５nmの３種とした。
次いで、第１の実験と同様にして金属Ｃｒ層に酸化処理
を施し、弾性表面波装置サンプルを得た。なお、比較の
ために、Ｃｒ酸化物層を設けなかったほかは同様にして
作製したサンプルも用意した。
【００３８】各サンプルをそれぞれセラミックパッケー
ジに入れ、ＩＤＴとセラミックパッケージとをワイヤボ
ンディングにより接続した。なお、バブルリーク法を用
いてあらかじめ気密試験を行い、リークが認められたパ
ッケージだけを用いた。このセラミックパッケージを温
度６０℃、相対湿度９０％の恒温恒湿槽内に放置し、耐
湿寿命の評価を行った。評価項目は、弾性表面波フィル
タの中心周波数ｆ0の経時変化とした。
ジに入れ、ＩＤＴとセラミックパッケージとをワイヤボ
ンディングにより接続した。なお、バブルリーク法を用
いてあらかじめ気密試験を行い、リークが認められたパ
ッケージだけを用いた。このセラミックパッケージを温
度６０℃、相対湿度９０％の恒温恒湿槽内に放置し、耐
湿寿命の評価を行った。評価項目は、弾性表面波フィル
タの中心周波数ｆ0の経時変化とした。
【００３９】各サンプルについて、放置時間と中心周波
数の変化量Δｆ0との関係を、図３〜図６にそれぞれ示
す。図３はＣｒ酸化物層の厚さが０．４nmであるサンプ
ルの結果、図４はＣｒ酸化物層の厚さが０．７nmである
サンプルの結果、図５はＣｒ酸化物層の厚さが１．５nm
であるサンプルの結果、図６はＣｒ酸化物層を設けなか
ったサンプルの結果である。
数の変化量Δｆ0との関係を、図３〜図６にそれぞれ示
す。図３はＣｒ酸化物層の厚さが０．４nmであるサンプ
ルの結果、図４はＣｒ酸化物層の厚さが０．７nmである
サンプルの結果、図５はＣｒ酸化物層の厚さが１．５nm
であるサンプルの結果、図６はＣｒ酸化物層を設けなか
ったサンプルの結果である。
【００４０】図３〜図５では、１０００時間放置後にお
いてもΔｆ0が１MHz以下であるのに対し、図６では、１
０００時間放置後のΔｆ0が１０MHz前後と極めて大きく
なっている。なお、各図中には複数のサンプルについて
の結果を表示してあり、各図のそれぞれにおいてこれら
複数のサンプル間でばらつきが存在するが、このばらつ
きは、気密封止の不完全さの程度がサンプルごとに異な
っているためである。図３〜図５から、気密封止の不完
全さの程度によらず、本発明により耐湿性が著しく向上
することがわかる。
いてもΔｆ0が１MHz以下であるのに対し、図６では、１
０００時間放置後のΔｆ0が１０MHz前後と極めて大きく
なっている。なお、各図中には複数のサンプルについて
の結果を表示してあり、各図のそれぞれにおいてこれら
複数のサンプル間でばらつきが存在するが、このばらつ
きは、気密封止の不完全さの程度がサンプルごとに異な
っているためである。図３〜図５から、気密封止の不完
全さの程度によらず、本発明により耐湿性が著しく向上
することがわかる。
【００４１】なお、以上では、Ｃｒ酸化物層の厚さが
０．４〜１．５nmの範囲での結果を示したが、本発明者
らの研究によれば、金属酸化物層の厚さが好ましくは
０．１nm以上、より好ましくは０．２nm以上であれば、
金属酸化物層が保護層として十分に機能することがわか
った。また、上述したように、金属酸化物層の厚さが２
nm以下であれば、電気特性に実質的に悪影響を与えな
い。したがって、金属酸化物層の厚さは、０．１〜２nm
であることが好ましい。
０．４〜１．５nmの範囲での結果を示したが、本発明者
らの研究によれば、金属酸化物層の厚さが好ましくは
０．１nm以上、より好ましくは０．２nm以上であれば、
金属酸化物層が保護層として十分に機能することがわか
った。また、上述したように、金属酸化物層の厚さが２
nm以下であれば、電気特性に実質的に悪影響を与えな
い。したがって、金属酸化物層の厚さは、０．１〜２nm
であることが好ましい。
【００４２】以上の実験結果から、弾性表面波装置にお
いて所定厚さのＣｒ酸化物層を電極の保護層として設け
ることにより、弾性表面波装置の電気特性に影響を与え
ずに耐湿性を飛躍的に向上できることがわかる。
いて所定厚さのＣｒ酸化物層を電極の保護層として設け
ることにより、弾性表面波装置の電気特性に影響を与え
ずに耐湿性を飛躍的に向上できることがわかる。
【００４３】以上の実験では、保護層としてＣｒ酸化物
層を用いたが、本発明において保護層に用いる金属酸化
物は特に限定されない。ただし、好ましくは、Ａｌ以外
の遷移金属、特に、Ｃｒ、ＦｅもしくはＮｉ、またはこ
れらの少なくとも１種を含有する合金の酸化物を用い、
特にＣｒ酸化物を用いることが好ましい。
層を用いたが、本発明において保護層に用いる金属酸化
物は特に限定されない。ただし、好ましくは、Ａｌ以外
の遷移金属、特に、Ｃｒ、ＦｅもしくはＮｉ、またはこ
れらの少なくとも１種を含有する合金の酸化物を用い、
特にＣｒ酸化物を用いることが好ましい。
【００４４】金属酸化物層の形成方法は特に限定されな
いが、好ましくは、金属層を形成した後、酸化処理を施
す方法を用いる。金属層の形成には、スパッタ法や蒸着
法等の気相成長法を用いることができ、このうち特にス
パッタ法が好ましい。酸化処理の方法は特に限定されな
いが、好ましくは、酸化性雰囲気中で熱処理する方法を
用いる。酸化性雰囲気としては、空気中、または空気よ
りも酸素分圧の高い雰囲気（例えば純酸素雰囲気）とす
ることが好ましい。熱処理の際の処理温度および処理時
間は、処理雰囲気中の酸素分圧や金属層の組成などの各
種条件に応じて適宜決定すればよいが、通常、処理温度
は２００〜２７０℃の範囲から、処理時間は１〜１０時
間の範囲から選択することが好ましい。処理温度が低す
ぎたり処理時間が短すぎたりすると、金属層の酸化が不
十分となりやすく、その結果、ＩＤＴを構成する電極間
において電気抵抗が低くなって弾性表面波装置の損失が
大きくなってしまうことがある。一方、処理温度が高す
ぎたり処理時間が長すぎたりすると、ＩＤＴが酸化され
てしまうことがあり、この場合も弾性表面波装置の損失
増大を招くことになる。
いが、好ましくは、金属層を形成した後、酸化処理を施
す方法を用いる。金属層の形成には、スパッタ法や蒸着
法等の気相成長法を用いることができ、このうち特にス
パッタ法が好ましい。酸化処理の方法は特に限定されな
いが、好ましくは、酸化性雰囲気中で熱処理する方法を
用いる。酸化性雰囲気としては、空気中、または空気よ
りも酸素分圧の高い雰囲気（例えば純酸素雰囲気）とす
ることが好ましい。熱処理の際の処理温度および処理時
間は、処理雰囲気中の酸素分圧や金属層の組成などの各
種条件に応じて適宜決定すればよいが、通常、処理温度
は２００〜２７０℃の範囲から、処理時間は１〜１０時
間の範囲から選択することが好ましい。処理温度が低す
ぎたり処理時間が短すぎたりすると、金属層の酸化が不
十分となりやすく、その結果、ＩＤＴを構成する電極間
において電気抵抗が低くなって弾性表面波装置の損失が
大きくなってしまうことがある。一方、処理温度が高す
ぎたり処理時間が長すぎたりすると、ＩＤＴが酸化され
てしまうことがあり、この場合も弾性表面波装置の損失
増大を招くことになる。
【００４５】また、上記方法のほか、本発明では、例え
ば金属酸化物ターゲットを用いたスパッタ法によって
も、連続膜ではない金属酸化物層を形成することが可能
である。その場合の金属酸化物層の好ましい厚さは、金
属層を酸化して得た金属酸化物層の場合と同様である。
ただし、この場合、電極上においても金属酸化物層が連
続膜とはならないので、電極の耐湿性向上効果が劣るこ
とになる。
ば金属酸化物ターゲットを用いたスパッタ法によって
も、連続膜ではない金属酸化物層を形成することが可能
である。その場合の金属酸化物層の好ましい厚さは、金
属層を酸化して得た金属酸化物層の場合と同様である。
ただし、この場合、電極上においても金属酸化物層が連
続膜とはならないので、電極の耐湿性向上効果が劣るこ
とになる。
【００４６】金属酸化物層は、少なくとも電極を被覆す
るように圧電性基板表面に形成すればよい。ただし、本
発明では金属酸化物層の被覆範囲を電極付近だけに限る
必要はない。本発明では、ＩＤＴの正負電極にまたがっ
て金属酸化物層を形成しても短絡が生じないので、この
ような場合に特に有効である。弾性表面波装置の製造に
際しては、大面積の圧電性基板に多数の素子パターンを
同時に形成した後、圧電性基板を素子単位に切り出して
多数の素子を一挙に得る。したがって、多数の素子パタ
ーンを形成した大面積基板の全面に金属酸化物層を形成
し、その後、素子単位に切り出せば、金属酸化物層を設
けることによる工程数増加を最小限に抑えることができ
るので、好ましい。
るように圧電性基板表面に形成すればよい。ただし、本
発明では金属酸化物層の被覆範囲を電極付近だけに限る
必要はない。本発明では、ＩＤＴの正負電極にまたがっ
て金属酸化物層を形成しても短絡が生じないので、この
ような場合に特に有効である。弾性表面波装置の製造に
際しては、大面積の圧電性基板に多数の素子パターンを
同時に形成した後、圧電性基板を素子単位に切り出して
多数の素子を一挙に得る。したがって、多数の素子パタ
ーンを形成した大面積基板の全面に金属酸化物層を形成
し、その後、素子単位に切り出せば、金属酸化物層を設
けることによる工程数増加を最小限に抑えることができ
るので、好ましい。
【００４７】本発明が適用される弾性表面波装置は、電
極材料としてＡｌまたはＡｌ合金を用いたものであれば
よく、そのほかの構成、例えば電極寸法、電極パター
ン、圧電性基板の構成材料など、は特に限定されない。
電極材料として用いるＡｌ合金としては、例えばＡｌ−
Ｃｕ、Ａｌ−Ｔａ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｃ−Ｃｕ、Ａ
ｌ−Ｗなどのいずれであってもよい。Ａｌ合金からなる
電極において、Ａｌに添加する添加物の含有量は、一般
に２質量％以下である。
極材料としてＡｌまたはＡｌ合金を用いたものであれば
よく、そのほかの構成、例えば電極寸法、電極パター
ン、圧電性基板の構成材料など、は特に限定されない。
電極材料として用いるＡｌ合金としては、例えばＡｌ−
Ｃｕ、Ａｌ−Ｔａ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｃ−Ｃｕ、Ａ
ｌ−Ｗなどのいずれであってもよい。Ａｌ合金からなる
電極において、Ａｌに添加する添加物の含有量は、一般
に２質量％以下である。
【００４８】発明の効果
本発明では、ＡｌまたはＡｌ合金からなる電極を有する
弾性表面波装置の耐湿性を飛躍的に向上させることがで
きる。そのため、パッケージに封入した後の気密検査工
程を省くことが可能であり、また、安価な樹脂パッケー
ジを使用することもできるので、製造コストを低減でき
る。しかも、本発明により耐湿性を向上させた場合、弾
性表面波装置の特性に与える影響は実質的にない。 ［図面の簡単な説明］
弾性表面波装置の耐湿性を飛躍的に向上させることがで
きる。そのため、パッケージに封入した後の気密検査工
程を省くことが可能であり、また、安価な樹脂パッケー
ジを使用することもできるので、製造コストを低減でき
る。しかも、本発明により耐湿性を向上させた場合、弾
性表面波装置の特性に与える影響は実質的にない。 ［図面の簡単な説明］
【図１】Ｃｒ酸化物層の厚さと電気特性に与える影響と
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
【図２】金属Ｃｒ層において、層厚と「抵抗率×層厚」
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
【図３】厚さ０．４nmのＣｒ酸化物層を有する弾性表面
波装置について、高温高湿環境下での放置時間と中心周
波数の変化量との関係を示すグラフである。
波装置について、高温高湿環境下での放置時間と中心周
波数の変化量との関係を示すグラフである。
【図４】厚さ０．７nmのＣｒ酸化物層を有する弾性表面
波装置について、高温高湿環境下での放置時間と中心周
波数の変化量との関係を示すグラフである。
波装置について、高温高湿環境下での放置時間と中心周
波数の変化量との関係を示すグラフである。
【図５】厚さ１．５nmのＣｒ酸化物層を有する弾性表面
波装置について、高温高湿環境下での放置時間と中心周
波数の変化量との関係を示すグラフである。
波装置について、高温高湿環境下での放置時間と中心周
波数の変化量との関係を示すグラフである。
【図６】Ｃｒ酸化物層を有しない弾性表面波装置につい
て、高温高湿環境下での放置時間と中心周波数の変化量
との関係を示すグラフである。
て、高温高湿環境下での放置時間と中心周波数の変化量
との関係を示すグラフである。
【図７】薄膜を表す図面代用写真であって、電極とＡｌ
層とで挟まれた金属Ｃｒ層の断面を示す透過型電子顕微
鏡写真である。
層とで挟まれた金属Ｃｒ層の断面を示す透過型電子顕微
鏡写真である。
【図８】薄膜を表す図面代用写真であって、電極とＡｌ
層とで挟まれたＣｒ酸化物層の断面を示す透過型電子顕
微鏡写真である。
層とで挟まれたＣｒ酸化物層の断面を示す透過型電子顕
微鏡写真である。
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭５−116089（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−149214（ＪＰ，Ａ)
特開2000−269771（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−98812（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−206215（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−244108（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−294625（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−307190（ＪＰ，Ａ)
実開 平７−39118（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H03H 3/08
Claims (5)
- 【請求項１】 ＡｌまたはＡｌ合金からなる電極が設け
られた圧電性基板表面に、この圧電性基板表面の少なく
とも一部および前記電極を被覆するように金属酸化物層
が形成されており、この金属酸化物層が、前記電極上に
おいて連続膜となっており、かつ、前記圧電性基板表面
において不連続膜となっている弾性表面波装置。 - 【請求項２】 前記金属酸化物層が遷移金属の酸化物を
含有する請求の範囲第１項の弾性表面波装置。 - 【請求項３】 前記金属酸化物層がＣｒ酸化物を含有す
る請求の範囲第２項の弾性表面波装置。 - 【請求項４】 ＡｌまたはＡｌ合金からなる電極が設け
られた圧電性基板表面に、連続膜とはならない厚さの金
属層を、少なくとも前記電極を被覆するように形成し、 次いで前記金属層を酸化することにより、前記金属層
を、少なくとも前記電極上において連続膜となっている
金属酸化物層に変化させる弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項５】 蛍光Ｘ線膜厚計により測定した前記金属
層の厚さが０．１〜２nmである請求の範囲第４項の弾性
表面波装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34075799 | 1999-11-30 | ||
| JP11-340757 | 1999-11-30 | ||
| PCT/JP2000/002104 WO2001041304A1 (fr) | 1999-11-30 | 2000-03-31 | Dispositif a onde acoustique de surface et procede de production correspondant |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3411908B2 true JP3411908B2 (ja) | 2003-06-03 |
Family
ID=18340027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000607256A Expired - Fee Related JP3411908B2 (ja) | 1999-11-30 | 2000-03-31 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6580198B2 (ja) |
| EP (1) | EP1158668B1 (ja) |
| JP (1) | JP3411908B2 (ja) |
| CN (1) | CN1159843C (ja) |
| DE (1) | DE60035966T2 (ja) |
| TW (1) | TW465180B (ja) |
| WO (1) | WO2001041304A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10587243B2 (en) | 2016-08-08 | 2020-03-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Saw filter device and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3766585B2 (ja) * | 2000-09-04 | 2006-04-12 | アルプス電気株式会社 | 磁気ヘッド装置の製造方法 |
| TW513855B (en) * | 2001-01-15 | 2002-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Saw device and method for manufacturing the device |
| DE10206480B4 (de) * | 2001-02-16 | 2005-02-10 | Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung e.V. | Akustisches Oberflächenwellenbauelement |
| JP3926633B2 (ja) * | 2001-06-22 | 2007-06-06 | 沖電気工業株式会社 | Ｓａｗデバイス及びその製造方法 |
| JP3735550B2 (ja) * | 2001-09-21 | 2006-01-18 | Ｔｄｋ株式会社 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
| JP3945363B2 (ja) * | 2001-10-12 | 2007-07-18 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| US7148610B2 (en) * | 2002-02-01 | 2006-12-12 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Surface acoustic wave device having improved performance and method of making the device |
| JP3841053B2 (ja) * | 2002-07-24 | 2006-11-01 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| JP3646116B2 (ja) | 2003-07-17 | 2005-05-11 | Ｔｄｋ株式会社 | 表面弾性波素子、表面弾性波装置、表面弾性波デュプレクサ、及び表面弾性波素子の製造方法 |
| JP4279271B2 (ja) | 2005-06-01 | 2009-06-17 | アルプス電気株式会社 | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
| CN1921301B (zh) * | 2005-08-26 | 2010-09-29 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 表面声波元件 |
| JP3961012B1 (ja) * | 2006-03-22 | 2007-08-15 | Ｔｄｋ株式会社 | 弾性表面波装置 |
| US8143681B2 (en) * | 2006-04-20 | 2012-03-27 | The George Washington University | Saw devices, processes for making them, and methods of use |
| US20100007444A1 (en) * | 2006-04-20 | 2010-01-14 | Anis Nurashikin Nordin | GHz Surface Acoustic Resonators in RF-CMOS |
| CN101421922B (zh) * | 2006-04-24 | 2011-03-23 | 株式会社村田制作所 | 弹性表面波装置 |
| US8018010B2 (en) * | 2007-04-20 | 2011-09-13 | The George Washington University | Circular surface acoustic wave (SAW) devices, processes for making them, and methods of use |
| US20090124513A1 (en) * | 2007-04-20 | 2009-05-14 | Patricia Berg | Multiplex Biosensor |
| US8015872B2 (en) * | 2008-09-09 | 2011-09-13 | Honeywell International Inc. | Surface acoustic wave based humidity sensor apparatus with integrated signal conditioning |
| JP5526635B2 (ja) * | 2009-07-24 | 2014-06-18 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
| JP5526665B2 (ja) * | 2009-09-07 | 2014-06-18 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
| US8960004B2 (en) | 2010-09-29 | 2015-02-24 | The George Washington University | Synchronous one-pole surface acoustic wave resonator |
| CN103138702A (zh) * | 2013-01-23 | 2013-06-05 | 天津理工大学 | 一种多层膜结构的声表面波器件及其制备方法 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3965444A (en) | 1975-01-03 | 1976-06-22 | Raytheon Company | Temperature compensated surface acoustic wave devices |
| US4017890A (en) | 1975-10-24 | 1977-04-12 | International Business Machines Corporation | Intermetallic compound layer in thin films for improved electromigration resistance |
| JPH0247866B2 (ja) | 1981-03-16 | 1990-10-23 | Seiko Epson Corp | Handotaishusekikairo |
| JPH02206215A (ja) * | 1989-02-06 | 1990-08-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
| JPH03190311A (ja) | 1989-12-20 | 1991-08-20 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
| JPH0758876B2 (ja) | 1990-10-12 | 1995-06-21 | 日本無線株式会社 | 表面弾性波素子 |
| JPH04294625A (ja) * | 1991-03-25 | 1992-10-19 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子 |
| US5520751A (en) | 1993-09-24 | 1996-05-28 | Exxon Research And Engineering Company | Oxidation of low chromium steels |
| JPH0739118U (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-14 | 株式会社大真空 | 圧電振動子の電極構造 |
| JPH07326942A (ja) | 1994-05-31 | 1995-12-12 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| JPH0832399A (ja) * | 1994-07-19 | 1996-02-02 | Meidensha Corp | 弾性表面波素子及び圧電振動素子 |
| KR100255906B1 (ko) * | 1994-10-19 | 2000-05-01 | 모리시타 요이찌 | 전자부품과 그 제조방법 |
| US5766379A (en) * | 1995-06-07 | 1998-06-16 | The Research Foundation Of State University Of New York | Passivated copper conductive layers for microelectronic applications and methods of manufacturing same |
| JPH0983288A (ja) | 1995-09-19 | 1997-03-28 | Japan Radio Co Ltd | 表面弾性波素子 |
| JP3609423B2 (ja) | 1995-09-21 | 2005-01-12 | Ｔｄｋ株式会社 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| JPH09199974A (ja) | 1996-01-19 | 1997-07-31 | Nec Corp | 弾性表面波装置 |
| JPH09294044A (ja) * | 1996-04-26 | 1997-11-11 | Rohm Co Ltd | 弾性表面波素子 |
| JPH09312543A (ja) * | 1996-05-23 | 1997-12-02 | Aisin Seiki Co Ltd | 表面弾性波素子 |
| JPH10107569A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Toko Inc | 表面弾性波装置の製造方法 |
| JPH10107572A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| CN1205744C (zh) | 1997-09-22 | 2005-06-08 | Tdk株式会社 | 声表面波器件及其制造工艺 |
| US6365555B1 (en) * | 1999-10-25 | 2002-04-02 | Worcester Polytechnic Institute | Method of preparing metal containing compounds using hydrodynamic cavitation |
-
2000
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-
2001
- 2001-06-04 US US09/871,814 patent/US6580198B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10587243B2 (en) | 2016-08-08 | 2020-03-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Saw filter device and method of manufacturing the same |
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