JP2000269771A - 弾性表面波デバイス及びその製造方法 - Google Patents
弾性表面波デバイス及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】保護膜成膜時にＩＤＴの損失や基板表層部の剥
がれ等の問題が生じず、導電性粉塵による電気的特性劣
化や湿気による腐食等の影響の少ない弾性表面波デバイ
ス及びその製造方法の提供。 【解決手段】圧電基板（図１の３）上に形成された櫛状
の金属電極（図１の２）からなる入出力用変換器の保護
膜（図１の１）として、炭化物又は水素に対するゲッタ
効果を有するチタニウム酸化物を常温によるその場成長
で連続成膜したものを用いる。
がれ等の問題が生じず、導電性粉塵による電気的特性劣
化や湿気による腐食等の影響の少ない弾性表面波デバイ
ス及びその製造方法の提供。 【解決手段】圧電基板（図１の３）上に形成された櫛状
の金属電極（図１の２）からなる入出力用変換器の保護
膜（図１の１）として、炭化物又は水素に対するゲッタ
効果を有するチタニウム酸化物を常温によるその場成長
で連続成膜したものを用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波デバイ
ス及びその製造方法に関する。
ス及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波デバイスは、圧電基板上に、
櫛状の金属電極からなる入出力用変換器（ＩＤＴ：Inte
rdigital Transducer）が形成されたデバイスであり、
この金属電極の材料としては、弾性表面波の特徴から、
通常、比重の小さいアルミニウム（Ａｌ）、又は、銅、
シリコン、チタンなどの金属が微量（１０％前後）に添
加されたアルミニウム合金（Ａｌ合金）が使われてい
る。
櫛状の金属電極からなる入出力用変換器（ＩＤＴ：Inte
rdigital Transducer）が形成されたデバイスであり、
この金属電極の材料としては、弾性表面波の特徴から、
通常、比重の小さいアルミニウム（Ａｌ）、又は、銅、
シリコン、チタンなどの金属が微量（１０％前後）に添
加されたアルミニウム合金（Ａｌ合金）が使われてい
る。
【０００３】また、金属材料であるＩＤＴを、導電性粉
塵による電気的特性劣化、その他のゴミによる汚染、ま
た湿気による腐食から保護するため、弾性表面波励振部
及び伝搬路の要所部分には、二酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2）や窒化シリコン（ＳｉＮ）などの保護膜が被覆さ
れる。
塵による電気的特性劣化、その他のゴミによる汚染、ま
た湿気による腐食から保護するため、弾性表面波励振部
及び伝搬路の要所部分には、二酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2）や窒化シリコン（ＳｉＮ）などの保護膜が被覆さ
れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような構造の弾性
表面波デバイスにおいて、保護膜としてＳｉＯ2やＳｉ
Ｎを基板に被覆するためには、ある程度の基板に対する
密着強度を得るために、成膜時において１００℃以上の
温度で基板加熱を行う必要がある。しかしながら、基板
加熱が必要となるプロセスでは、ＳｉＯ2やＳｉＮを成
膜する段階で既に基板上にはＩＤＴが形成されているた
め、この状態で加熱成膜を行うと、圧電材料特有の焦電
性効果によって、ＩＤＴが損失したり、また基板表層部
の剥がれ、さらには基板そのものに対して亀裂が生じる
という問題が発生する。
表面波デバイスにおいて、保護膜としてＳｉＯ2やＳｉ
Ｎを基板に被覆するためには、ある程度の基板に対する
密着強度を得るために、成膜時において１００℃以上の
温度で基板加熱を行う必要がある。しかしながら、基板
加熱が必要となるプロセスでは、ＳｉＯ2やＳｉＮを成
膜する段階で既に基板上にはＩＤＴが形成されているた
め、この状態で加熱成膜を行うと、圧電材料特有の焦電
性効果によって、ＩＤＴが損失したり、また基板表層部
の剥がれ、さらには基板そのものに対して亀裂が生じる
という問題が発生する。
【０００５】従って、このような従来の保護膜及びその
製造方法では、弾性表面波デバイスとしての特性劣化を
避けることができず、良品率の低下によりコストが増加
してしまうという問題が生じる。
製造方法では、弾性表面波デバイスとしての特性劣化を
避けることができず、良品率の低下によりコストが増加
してしまうという問題が生じる。
【０００６】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであって、その主たる目的は、保護膜成膜時にＩＤＴ
の損失や基板表層部の剥がれ等の問題が生じず、導電性
粉塵による電気的特性劣化や湿気による腐食等の影響の
少ない弾性表面波デバイス及びその製造方法を提供する
ことにある。
のであって、その主たる目的は、保護膜成膜時にＩＤＴ
の損失や基板表層部の剥がれ等の問題が生じず、導電性
粉塵による電気的特性劣化や湿気による腐食等の影響の
少ない弾性表面波デバイス及びその製造方法を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的達成のため、本
発明は、第１の視点において、基板上に櫛状の金属電極
からなる入出力用変換器が形成され、該金属電極の表面
が金属酸化膜で保護されてなる弾性表面波デバイスにお
いて、前記金属酸化膜を構成する金属材料が、炭化物又
は水素に対するゲッタ効果を有する材料を含むものであ
る。
発明は、第１の視点において、基板上に櫛状の金属電極
からなる入出力用変換器が形成され、該金属電極の表面
が金属酸化膜で保護されてなる弾性表面波デバイスにお
いて、前記金属酸化膜を構成する金属材料が、炭化物又
は水素に対するゲッタ効果を有する材料を含むものであ
る。
【０００８】本発明においては、前記金属酸化膜を構成
する金属材料が、チタニウム、ストロンチウム、又は、
ジルコニウムを含むことが好ましい。
する金属材料が、チタニウム、ストロンチウム、又は、
ジルコニウムを含むことが好ましい。
【０００９】本発明は、第２の視点において、弾性表面
波デバイスの製造方法を提供する。該製造方法は、基板
上に櫛状の金属電極からなる入出力用変換器を形成した
後、該金属電極の表面に金属酸化膜からなる保護膜を形
成する弾性表面波デバイスの製造方法において、前記金
属電極成膜後、常温によるその場成長によって、金属酸
化膜からなる保護膜を積層するものである。
波デバイスの製造方法を提供する。該製造方法は、基板
上に櫛状の金属電極からなる入出力用変換器を形成した
後、該金属電極の表面に金属酸化膜からなる保護膜を形
成する弾性表面波デバイスの製造方法において、前記金
属電極成膜後、常温によるその場成長によって、金属酸
化膜からなる保護膜を積層するものである。
【００１０】本発明においては、前記金属酸化膜を、酸
化源にラジカルイオンビームを用い、チタニウム、スト
ロンチウム、又は、ジルコニウムを蒸着材料とするＥガ
ン蒸着法により形成することが好ましい。
化源にラジカルイオンビームを用い、チタニウム、スト
ロンチウム、又は、ジルコニウムを蒸着材料とするＥガ
ン蒸着法により形成することが好ましい。
【００１１】本発明の構成によれば、弾性表面波デバイ
スの主たる導電面は、金属酸化物の絶縁性保護膜によっ
て被覆されているので、導電性粉塵のゴミによる電気的
悪影響や湿気による金属電極の腐食など、外環境に対す
る耐性を強めることができる。また、製造プロセス上、
ＩＤＴを圧電基板上に形成する以前において、常温成膜
によって絶縁保護膜を設けるので、ＩＤＴ形成後に基板
加熱成膜を行う通常プロセスと異なり、焦電性効果によ
るデバイス劣化（電極破損及び基板破壊）の誘を防止す
ることができる。
スの主たる導電面は、金属酸化物の絶縁性保護膜によっ
て被覆されているので、導電性粉塵のゴミによる電気的
悪影響や湿気による金属電極の腐食など、外環境に対す
る耐性を強めることができる。また、製造プロセス上、
ＩＤＴを圧電基板上に形成する以前において、常温成膜
によって絶縁保護膜を設けるので、ＩＤＴ形成後に基板
加熱成膜を行う通常プロセスと異なり、焦電性効果によ
るデバイス劣化（電極破損及び基板破壊）の誘を防止す
ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明に係る弾性表面波デバイス
は、その好ましい一実施の形態において、圧電基板（図
１の３）上に形成された櫛状の金属電極（図１の２）か
らなる入出力用変換器の保護膜（図１の１）として、炭
化物又は水素に対するゲッタ効果を有するチタニウム酸
化物を常温によるその場成長で連続成膜したものを用い
るものである。
は、その好ましい一実施の形態において、圧電基板（図
１の３）上に形成された櫛状の金属電極（図１の２）か
らなる入出力用変換器の保護膜（図１の１）として、炭
化物又は水素に対するゲッタ効果を有するチタニウム酸
化物を常温によるその場成長で連続成膜したものを用い
るものである。
【００１３】
【実施例】上記した本発明の実施の形態についてさらに
詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照
して以下に説明する。
詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照
して以下に説明する。
【００１４】［実施例１］まず、本発明の第１の実施例
に係る弾性表面波デバイスについて、図１及び表１を参
照して説明する。図１は、弾性表面波デバイスの構造を
模式的に説明するための断面図であり、表１は、本実施
例の弾性表面波デバイスのエージング効果について説明
するための表である。
に係る弾性表面波デバイスについて、図１及び表１を参
照して説明する。図１は、弾性表面波デバイスの構造を
模式的に説明するための断面図であり、表１は、本実施
例の弾性表面波デバイスのエージング効果について説明
するための表である。
【００１５】弾性表面波デバイスは、図１に示すよう
に、圧電基板３上に櫛状の金属電極２からなる入出力用
変換器（ＩＤＴ）が形成されたデバイスであり、この金
属電極の材料としては、弾性表面波の特徴から、通常、
比重の小さいアルミニウム、又は、アルミニウム合金が
使われている。また、金属材料であるＩＤＴを、導電性
粉塵による電気的特性劣化、ゴミによる汚染、湿気によ
る腐食等から保護するため、弾性表面波励振部及び伝搬
路の要所部分には、絶縁膜１が被覆されている。
に、圧電基板３上に櫛状の金属電極２からなる入出力用
変換器（ＩＤＴ）が形成されたデバイスであり、この金
属電極の材料としては、弾性表面波の特徴から、通常、
比重の小さいアルミニウム、又は、アルミニウム合金が
使われている。また、金属材料であるＩＤＴを、導電性
粉塵による電気的特性劣化、ゴミによる汚染、湿気によ
る腐食等から保護するため、弾性表面波励振部及び伝搬
路の要所部分には、絶縁膜１が被覆されている。
【００１６】前述したように、従来はこの絶縁膜１とし
てＳｉＯ2やＳｉＮを用いていたが、本実施例では絶縁
膜１として、炭化物や水素に対するゲッタ効果を有する
チタニウム酸化物（ＴｉＯX）を用いることを特徴とし
ている。ここで、本実施例の効果を確認するために、金
属電極２及び配線膜としてＡｌを用いて形成した９００
ＭＨｚ帯の弾性表面波フィルタ（ＳＡＷフィルタ）に、
保護膜としてチタニウム酸化物を被覆したサンプルと、
従来プロセスによりＳｉＯ2を被覆したサンプルを製作
し、エージング試験によってその特性の比較を行った。
てＳｉＯ2やＳｉＮを用いていたが、本実施例では絶縁
膜１として、炭化物や水素に対するゲッタ効果を有する
チタニウム酸化物（ＴｉＯX）を用いることを特徴とし
ている。ここで、本実施例の効果を確認するために、金
属電極２及び配線膜としてＡｌを用いて形成した９００
ＭＨｚ帯の弾性表面波フィルタ（ＳＡＷフィルタ）に、
保護膜としてチタニウム酸化物を被覆したサンプルと、
従来プロセスによりＳｉＯ2を被覆したサンプルを製作
し、エージング試験によってその特性の比較を行った。
【００１７】サンプルの製造プロセスとしては、先ず、
両サンプルとも、金属電極２及び配線膜であるＡｌ膜
を、３００ｎｍ程度の厚さでＥガン蒸着法により成膜す
る。その後、本実施例のサンプルについては、基板非加
熱（常温）の状態で、酸化源にラジカルイオンビームを
用いたＥガン蒸着法により、金属材料チタニウム（Ｔ
ｉ）を蒸発させ、厚さ３０ｎｍ程度のＴｉＯXを被覆し
た。そして、ＴｉＯXを積層後、蒸着装置からサンプル
を取り出し、通常の手法による現像とドライエッチング
を行い、所定のパターンを形成した。
両サンプルとも、金属電極２及び配線膜であるＡｌ膜
を、３００ｎｍ程度の厚さでＥガン蒸着法により成膜す
る。その後、本実施例のサンプルについては、基板非加
熱（常温）の状態で、酸化源にラジカルイオンビームを
用いたＥガン蒸着法により、金属材料チタニウム（Ｔ
ｉ）を蒸発させ、厚さ３０ｎｍ程度のＴｉＯXを被覆し
た。そして、ＴｉＯXを積層後、蒸着装置からサンプル
を取り出し、通常の手法による現像とドライエッチング
を行い、所定のパターンを形成した。
【００１８】一方、リファレンスとなる従来例のサンプ
ルについては、本実施例のサンプルと異なり、Ａｌ蒸着
完了後すぐにサンプルを取り出し、次工程である現像と
ドライエッチングを行った。その後、再び蒸着装置に入
れ、１５０℃の基板加熱の状況下において、Ｅガン蒸着
法によって、ＩＤＴが既に形成された基板に対し、膜厚
３０ｎｍ程度のＳｉＯ2を被覆した。
ルについては、本実施例のサンプルと異なり、Ａｌ蒸着
完了後すぐにサンプルを取り出し、次工程である現像と
ドライエッチングを行った。その後、再び蒸着装置に入
れ、１５０℃の基板加熱の状況下において、Ｅガン蒸着
法によって、ＩＤＴが既に形成された基板に対し、膜厚
３０ｎｍ程度のＳｉＯ2を被覆した。
【００１９】そして最後に、ウエハーの状態にある両サ
ンプルを、３．８ｍｍ角の小型実装型パッケージ（ＳＭ
Ｐ）に収まるサイズに切断・チップ化し、そのＳＭＰに
搭載した。パッケージングに際しては、エージング効果
を促進させるため、完全に封止しないで外気に曝されて
いる（キャップを不完全に被せた）状態で完了させた。
ンプルを、３．８ｍｍ角の小型実装型パッケージ（ＳＭ
Ｐ）に収まるサイズに切断・チップ化し、そのＳＭＰに
搭載した。パッケージングに際しては、エージング効果
を促進させるため、完全に封止しないで外気に曝されて
いる（キャップを不完全に被せた）状態で完了させた。
【００２０】エージング試験は、対流式オーブンにおい
て、環境温度８５℃の大気雰囲気中に両サンプルを設置
し、各サンプルの周波数特性の経時変化を調査すること
によって行った。このとき、実験の信頼性を高めるた
め、評価サンプル数はそれぞれ２０個ずつとした。ま
た、試験の合否基準は、周波数特性が劣化したかどうか
で判断し、ここでは挿入損失の増加量が１．０ｄＢ以上
に達したときとした。表１に高温放置試験によるエージ
ングの結果として、両サンプルの２０個平均における耐
エージング寿命を示す。また、保護膜による特性への影
響度合いとして、被覆して増加した挿入損失を、サンプ
ル２０個平均の値として明記した。
て、環境温度８５℃の大気雰囲気中に両サンプルを設置
し、各サンプルの周波数特性の経時変化を調査すること
によって行った。このとき、実験の信頼性を高めるた
め、評価サンプル数はそれぞれ２０個ずつとした。ま
た、試験の合否基準は、周波数特性が劣化したかどうか
で判断し、ここでは挿入損失の増加量が１．０ｄＢ以上
に達したときとした。表１に高温放置試験によるエージ
ングの結果として、両サンプルの２０個平均における耐
エージング寿命を示す。また、保護膜による特性への影
響度合いとして、被覆して増加した挿入損失を、サンプ
ル２０個平均の値として明記した。
【００２１】表１からわかるように、本実施例の製造プ
ロセスで得られたＴｉＯX被膜ＳＡＷフィルタは、従来
プロセスによって得られたＳｉＯ2被膜ＳＡＷフィルタ
より平均寿命が格段に長くなっていることが確認でき
る。これは、保護膜１の材料であるＴｉが炭化物や水素
に対するゲッタ効果を有するため、外的環境からデバイ
スを保護する能力が高いことを意味している。また同時
に、本実施例の製造プロセスが、従来法によるものより
フィルタの初期特性に影響を与えず、より確かに保護膜
が形成出来ることを示している。
ロセスで得られたＴｉＯX被膜ＳＡＷフィルタは、従来
プロセスによって得られたＳｉＯ2被膜ＳＡＷフィルタ
より平均寿命が格段に長くなっていることが確認でき
る。これは、保護膜１の材料であるＴｉが炭化物や水素
に対するゲッタ効果を有するため、外的環境からデバイ
スを保護する能力が高いことを意味している。また同時
に、本実施例の製造プロセスが、従来法によるものより
フィルタの初期特性に影響を与えず、より確かに保護膜
が形成出来ることを示している。
【００２２】
【表１】
【００２３】このように、弾性表面波デバイスの電極保
護膜１として、基板非加熱状態で成膜したＴｉＯX保護
膜を用いることにより、導電性粉塵のゴミによる電気的
悪影響を防止するとともに、ゲッタ効果により湿気によ
る金属電極の腐食などの外的環境に対する耐性を強める
ことができる。また、製造プロセス上、ＩＤＴを圧電基
板上に形成する以前において、常温成膜によって保護膜
を形成するため、ＩＤＴ形成後に基板加熱成膜を行う通
常プロセスと異なり、焦電性効果によるデバイス劣化
（電極破損及び基板破壊）の誘発を防止することがで
き、従って、耐環境性に優れ寿命の長いＳＡＷフィルタ
を製作することができる。
護膜１として、基板非加熱状態で成膜したＴｉＯX保護
膜を用いることにより、導電性粉塵のゴミによる電気的
悪影響を防止するとともに、ゲッタ効果により湿気によ
る金属電極の腐食などの外的環境に対する耐性を強める
ことができる。また、製造プロセス上、ＩＤＴを圧電基
板上に形成する以前において、常温成膜によって保護膜
を形成するため、ＩＤＴ形成後に基板加熱成膜を行う通
常プロセスと異なり、焦電性効果によるデバイス劣化
（電極破損及び基板破壊）の誘発を防止することがで
き、従って、耐環境性に優れ寿命の長いＳＡＷフィルタ
を製作することができる。
【００２４】［実施例２］次に、本発明の第２の実施例
に係る弾性表面波デバイスについて、表２を参照して説
明する。本実施例では、保護膜１の効果をより明確にす
るために、前記した第１の実施例よりも保護膜１の厚さ
を薄くしたことを特徴としている。
に係る弾性表面波デバイスについて、表２を参照して説
明する。本実施例では、保護膜１の効果をより明確にす
るために、前記した第１の実施例よりも保護膜１の厚さ
を薄くしたことを特徴としている。
【００２５】弾性表面波デバイスの構造は、前記した第
１の実施例と同様であり、圧電基板３上に櫛状のアルミ
ニウム、又は、アルミニウム合金からなるＩＤＴが形成
され、このＩＤＴを保護するため、弾性表面波励振部及
び伝搬路の要所部分にＴｉＯ Xからなる保護膜１が被覆
されている。
１の実施例と同様であり、圧電基板３上に櫛状のアルミ
ニウム、又は、アルミニウム合金からなるＩＤＴが形成
され、このＩＤＴを保護するため、弾性表面波励振部及
び伝搬路の要所部分にＴｉＯ Xからなる保護膜１が被覆
されている。
【００２６】サンプルの製造プロセスも前記した第１の
実施例と同様であり、両サンプルとも、金属電極２及び
配線膜であるＡｌ膜を、３００ｎｍ程度の厚さでＥガン
蒸着法により成膜し、その後、本実施例のサンプルにつ
いては、基板非加熱状態で、Ｅガン蒸着法により、厚さ
１５ｎｍ程度のＴｉＯXを被覆した。一方、従来例のサ
ンプルは、Ａｌ蒸着完了後現像とドライエッチングを行
い、その後、１５０℃の基板加熱の状況下において、Ｅ
ガン蒸着法によって、膜厚１５ｎｍ程度のＳｉＯ2を被
覆した。そして、両サンプルを３．８ｍｍ角のＳＭＰに
搭載し、エージング効果を促進させるため、完全に封止
しないで状態で実装した。
実施例と同様であり、両サンプルとも、金属電極２及び
配線膜であるＡｌ膜を、３００ｎｍ程度の厚さでＥガン
蒸着法により成膜し、その後、本実施例のサンプルにつ
いては、基板非加熱状態で、Ｅガン蒸着法により、厚さ
１５ｎｍ程度のＴｉＯXを被覆した。一方、従来例のサ
ンプルは、Ａｌ蒸着完了後現像とドライエッチングを行
い、その後、１５０℃の基板加熱の状況下において、Ｅ
ガン蒸着法によって、膜厚１５ｎｍ程度のＳｉＯ2を被
覆した。そして、両サンプルを３．８ｍｍ角のＳＭＰに
搭載し、エージング効果を促進させるため、完全に封止
しないで状態で実装した。
【００２７】このように本実施例では、両サンプル保護
膜の膜厚を１５ｎｍ程度としてＳＡＷフィルタを作製
し、各々に対しエージング試験を行った。表２に、高温
放置試験によるエージング結果として、両サンプルの２
０個平均における耐エージング寿命と保護膜の積層に伴
う挿入損失の増加量をそれぞれ示した。
膜の膜厚を１５ｎｍ程度としてＳＡＷフィルタを作製
し、各々に対しエージング試験を行った。表２に、高温
放置試験によるエージング結果として、両サンプルの２
０個平均における耐エージング寿命と保護膜の積層に伴
う挿入損失の増加量をそれぞれ示した。
【００２８】表２に示すように、本実施例のプロセスで
得られたＴｉＯX被膜ＳＡＷフィルタでは、保護膜１の
膜厚が薄くなったために前記した第１の実施例に比べて
寿命がやや短くなっているが、依然として長い寿命を有
している。これに対して、従来プロセスによるＳｉＯ2
被膜ＳＡＷフィルタは、前記した第１の実施例よりも寿
命が著しく短くなっていることが分かる。
得られたＴｉＯX被膜ＳＡＷフィルタでは、保護膜１の
膜厚が薄くなったために前記した第１の実施例に比べて
寿命がやや短くなっているが、依然として長い寿命を有
している。これに対して、従来プロセスによるＳｉＯ2
被膜ＳＡＷフィルタは、前記した第１の実施例よりも寿
命が著しく短くなっていることが分かる。
【００２９】すなわち、前記した第１の実施例では、寿
命が長くなった原因が製造プロセスの違いによるものな
のか、保護膜１の耐環境性の違いによるものなのかが明
確ではなかったが、保護膜１の膜厚を１５ｎｍと薄くす
ることにより寿命の差が顕著になっていることから、保
護膜１成膜時の基板加熱等の製造プロセスによる違いよ
りも、ＴｉＯX保護膜自体の耐環境性が、従来のＳｉＯ2
膜よりもより優れていることを示すものである。
命が長くなった原因が製造プロセスの違いによるものな
のか、保護膜１の耐環境性の違いによるものなのかが明
確ではなかったが、保護膜１の膜厚を１５ｎｍと薄くす
ることにより寿命の差が顕著になっていることから、保
護膜１成膜時の基板加熱等の製造プロセスによる違いよ
りも、ＴｉＯX保護膜自体の耐環境性が、従来のＳｉＯ2
膜よりもより優れていることを示すものである。
【００３０】
【表２】
【００３１】［実施例３］次に、本発明の第３の実施例
に係る弾性表面波デバイスについて、表３を参照して説
明する。本実施例では、保護膜としてストロンチウム酸
化物（ＳｒＯX）を用いていることを特徴としている。
なお、弾性表面波デバイスの構造及び製造プロセスに関
しては前記した第１の実施例と同様である。
に係る弾性表面波デバイスについて、表３を参照して説
明する。本実施例では、保護膜としてストロンチウム酸
化物（ＳｒＯX）を用いていることを特徴としている。
なお、弾性表面波デバイスの構造及び製造プロセスに関
しては前記した第１の実施例と同様である。
【００３２】上述した方法によって、本実施例のサンプ
ルには、保護膜として膜厚３０ｎｍ程度のＳｒＯXを形
成したＳＡＷフィルタを作製し、リファレンスとして膜
厚３０ｎｍ程度のＳｉＯ2保護膜を形成したＳＡＷフィ
ルタを製作し、エージングによる特性比較を行った。表
３に、高温放置試験によるエージング結果として、両サ
ンプルにおける２０個平均の耐エージング寿命と保護膜
被覆による挿入損失の平均増加量を示す。
ルには、保護膜として膜厚３０ｎｍ程度のＳｒＯXを形
成したＳＡＷフィルタを作製し、リファレンスとして膜
厚３０ｎｍ程度のＳｉＯ2保護膜を形成したＳＡＷフィ
ルタを製作し、エージングによる特性比較を行った。表
３に、高温放置試験によるエージング結果として、両サ
ンプルにおける２０個平均の耐エージング寿命と保護膜
被覆による挿入損失の平均増加量を示す。
【００３３】表３に示すように、本実施例のＳｒＯX被
膜ＳＡＷフィルタにおいても、従来プロセスのＳｉＯ2
被膜ＳＡＷフィルタより寿命が格段に長くなっているこ
とが分かる。また、前記した第１の実施例に示したＴｉ
ＯX保護膜とほぼ同様な平均寿命が得られており、Ｓｒ
ＯXを用いても保護膜として十分に高い効果が得られる
ことが分かる。
膜ＳＡＷフィルタにおいても、従来プロセスのＳｉＯ2
被膜ＳＡＷフィルタより寿命が格段に長くなっているこ
とが分かる。また、前記した第１の実施例に示したＴｉ
ＯX保護膜とほぼ同様な平均寿命が得られており、Ｓｒ
ＯXを用いても保護膜として十分に高い効果が得られる
ことが分かる。
【００３４】
【表３】
【００３５】［実施例４］次に、本発明の第４の実施例
に係る弾性表面波デバイスについて、表４を参照して説
明する。本実施例では、保護膜として酸化ジルコニウム
（ＺｒＯX）を用いていることを特徴としている。な
お、弾性表面波デバイスの構造及び製造プロセスに関し
ては前記した第１の実施例と同様である。
に係る弾性表面波デバイスについて、表４を参照して説
明する。本実施例では、保護膜として酸化ジルコニウム
（ＺｒＯX）を用いていることを特徴としている。な
お、弾性表面波デバイスの構造及び製造プロセスに関し
ては前記した第１の実施例と同様である。
【００３６】上述した方法によって、本実施例のサンプ
ルには、保護膜として膜厚３０ｎｍ程度のＺｒＯXを形
成したＳＡＷフィルタを作製し、リファレンスとして膜
厚３０ｎｍ程度のＳｉＯ2保護膜を形成したＳＡＷフィ
ルタを製作し、エージングによる特性比較を行った。表
４に、高温放置試験によるエージング結果として、両サ
ンプルにおける２０個平均の耐エージング寿命と保護膜
被覆による挿入損失の平均増加量を示す。
ルには、保護膜として膜厚３０ｎｍ程度のＺｒＯXを形
成したＳＡＷフィルタを作製し、リファレンスとして膜
厚３０ｎｍ程度のＳｉＯ2保護膜を形成したＳＡＷフィ
ルタを製作し、エージングによる特性比較を行った。表
４に、高温放置試験によるエージング結果として、両サ
ンプルにおける２０個平均の耐エージング寿命と保護膜
被覆による挿入損失の平均増加量を示す。
【００３７】表４に示すように、本実施例のＺｒＯX被
膜ＳＡＷフィルタにおいても、従来プロセスのＳｉＯ2
被膜ＳＡＷフィルタより寿命が格段に長くなっているこ
とが分かる。また、前記した第１の実施例に示したＴｉ
ＯX保護膜特性と比較して、同等レベルの平均寿命を得
ており、保護機能としての効果が十分にあることが分か
った。さらに、挿入損失の平均増加量についても、特に
問題はみられず、トータル的に、ＳＡＷフィルタ保護膜
としての有効性が確認された。
膜ＳＡＷフィルタにおいても、従来プロセスのＳｉＯ2
被膜ＳＡＷフィルタより寿命が格段に長くなっているこ
とが分かる。また、前記した第１の実施例に示したＴｉ
ＯX保護膜特性と比較して、同等レベルの平均寿命を得
ており、保護機能としての効果が十分にあることが分か
った。さらに、挿入損失の平均増加量についても、特に
問題はみられず、トータル的に、ＳＡＷフィルタ保護膜
としての有効性が確認された。
【００３８】
【表４】
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の構成によ
れば、耐環境性に優れ、かつ、寿命の長いＳＡＷフィル
タを得ることができるという効果を奏する。
れば、耐環境性に優れ、かつ、寿命の長いＳＡＷフィル
タを得ることができるという効果を奏する。
【００４０】その理由は、本発明では、弾性表面波デバ
イスの電極及び配線部の表面をＴｉＯX、ＳｒＯX、Ｚｒ
ＯX等の金属酸化物で覆っており、この金属酸化物にお
ける金属材料が、超高真空作成に用いられるゲッタ材と
しての効果を有すること、殊に炭化物や水素に対するゲ
ッタ作用がアルミニウムより高いために、湿気などの外
的環境の影響を抑制することができ、従って、寿命を長
くすることができるからである。
イスの電極及び配線部の表面をＴｉＯX、ＳｒＯX、Ｚｒ
ＯX等の金属酸化物で覆っており、この金属酸化物にお
ける金属材料が、超高真空作成に用いられるゲッタ材と
しての効果を有すること、殊に炭化物や水素に対するゲ
ッタ作用がアルミニウムより高いために、湿気などの外
的環境の影響を抑制することができ、従って、寿命を長
くすることができるからである。
【００４１】また、金属電極及び配線用導電膜に被膜す
る保護膜の製造方法として、金属酸化物を金属電極及び
配線用導電膜を形成した後に、常温によるその場成長で
連続積層しているため、従来のＳｉＯ2やＳｉＮ被覆の
ように基板加熱を行う必要がなく、圧電材料特有の焦電
性効果によるＩＤＴの損失や基板表層部の剥がれ、亀裂
等の影響を防止することができるからである。
る保護膜の製造方法として、金属酸化物を金属電極及び
配線用導電膜を形成した後に、常温によるその場成長で
連続積層しているため、従来のＳｉＯ2やＳｉＮ被覆の
ように基板加熱を行う必要がなく、圧電材料特有の焦電
性効果によるＩＤＴの損失や基板表層部の剥がれ、亀裂
等の影響を防止することができるからである。
【図１】本発明の弾性表面波デバイスの電極断面図であ
る。
る。
１ 保護膜 ２ 金属電極 ３ 圧電基板
Claims (12)
- 【請求項１】基板上に櫛状の金属電極からなる入出力用
変換器が形成され、該金属電極の表面が金属酸化膜で保
護されてなる弾性表面波デバイスにおいて、 前記金属酸化膜を構成する金属材料が、炭化物又は水素
に対するゲッタ効果を有する材料を含む、ことを特徴と
する弾性表面波デバイス。 - 【請求項２】前記金属酸化膜を構成する金属材料がチタ
ニウムを含む、ことを特徴とする請求項１記載の弾性表
面波デバイス。 - 【請求項３】前記金属酸化膜を構成する金属材料がスト
ロンチウムを含む、ことを特徴とする請求項１記載の弾
性表面波デバイス。 - 【請求項４】前記金属酸化膜を構成する金属材料がジル
コニウムを含む、ことを特徴とする請求項１記載の弾性
表面波デバイス。 - 【請求項５】前記金属酸化膜の膜厚が３０ｎｍ以下であ
る、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記
載の弾性表面波デバイス。 - 【請求項６】前記金属酸化膜の膜厚が１５ｎｍ以下であ
る、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記
載の弾性表面波デバイス。 - 【請求項７】基板上に櫛状の金属電極からなる入出力用
変換器を形成した後、該金属電極の表面に金属酸化膜か
らなる保護膜を形成する弾性表面波デバイスの製造方法
において、 前記金属電極成膜後、常温によるその場成長によって、
金属酸化膜からなる保護膜を積層する、ことを特徴とす
る弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項８】前記金属酸化膜を、酸化源にラジカルイオ
ンビームを用い、チタニウムを蒸着材料とするＥガン蒸
着法により形成する、ことを特徴とする請求項７記載の
弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項９】前記金属酸化膜を、酸化源にラジカルイオ
ンビームを用い、ストロンチウムを蒸着材料とするＥガ
ン蒸着法により形成する、ことを特徴とする請求項７記
載の弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項１０】前記金属酸化膜を、酸化源にラジカルイ
オンビームを用い、ジルコニウムを蒸着材料とするＥガ
ン蒸着法により形成する、ことを特徴とする請求項７記
載の弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項１１】前記金属酸化膜を３０ｎｍ以下の膜厚で
形成する、ことを特徴とする請求項７乃至１０のいずれ
か一に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項１２】前記金属酸化膜を１５ｎｍ以下の膜厚で
形成する、ことを特徴とする請求項７乃至１０のいずれ
か一に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11066787A JP2000269771A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11066787A JP2000269771A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269771A true JP2000269771A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13325932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11066787A Pending JP2000269771A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000269771A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100467180B1 (ko) * | 2001-10-17 | 2005-01-24 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성 표면파 장치 및 그 제조 방법 |
| US6924582B2 (en) * | 2001-10-31 | 2005-08-02 | Seiko Instruments Inc. | Piezoelectric vibrator and manufacturing method thereof |
| US7230365B2 (en) | 2002-07-24 | 2007-06-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave apparatus and manufacturing method therefor |
-
1999
- 1999-03-12 JP JP11066787A patent/JP2000269771A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100467180B1 (ko) * | 2001-10-17 | 2005-01-24 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성 표면파 장치 및 그 제조 방법 |
| US6924582B2 (en) * | 2001-10-31 | 2005-08-02 | Seiko Instruments Inc. | Piezoelectric vibrator and manufacturing method thereof |
| US7230365B2 (en) | 2002-07-24 | 2007-06-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave apparatus and manufacturing method therefor |
| US7411334B2 (en) | 2002-07-24 | 2008-08-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave apparatus and manufacturing method therefor |
| US7418772B2 (en) | 2002-07-24 | 2008-09-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing a surface acoustic wave |
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|---|---|---|---|
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