CN117375548A - 薄膜体声波滤波器制备方法及薄膜体声波滤波器 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种薄膜体声波滤波器制备方法及薄膜体声波滤波器，可以应用于半导体技术领域。该方法包括：提供一衬底，衬底包括空腔结构，空腔结构中填充有牺牲层材料，空腔结构通过释放结构连接衬底的表面；采用蒸镀法或溅射法，自牺牲层材料的表面向上依次形成下电极层、压电层、上电极层、钝化层和钝化层临时保护层；利用含有氢氟酸的溶液作为牺牲层去除液，通过释放结构对牺牲层材料进行化学腐蚀，以去除牺牲层材料；以及去除钝化层临时保护层，得到薄膜体声波滤波器。
Description
技术领域
本公开涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种薄膜体声波滤波器制备方法及薄膜体声波滤波器。
背景技术
在薄膜体声波滤波器的制备过程中，由于薄膜或刻蚀工艺均匀性等因素，制造得到的单片晶圆在其不同区域的厚度无法做到完全一致，即单片晶圆上不同区域的薄膜体声波滤波器的工作频率无法完全一致，甚至单个薄膜体声波滤波器上不同区域的工作频率也存在差异。为了解决该问题，相关技术中通常会在制备过程中，使用声学损耗较小的材料，如AlN(氮化铝)在薄膜体声波滤波器的顶部生成钝化层，再通过离子束刻蚀等方式对钝化层进行表面刻蚀处理，以校正薄膜体声波滤波器的工作频率。
而在实际应用中，因AlN在水汽环境中会发生缓慢水解反应，薄膜体声波滤波器的工作频率会随时间不断变化。相关技术中，通常采用密封性极高的晶圆级封装方式在薄膜体声波滤波器上面形成密封结构，因此导致了单片晶圆的薄膜体声波滤波器的产量的降低和薄膜体声波滤波器的生产成本的上升。
发明内容
有鉴于此，本公开提供了一种薄膜体声波滤波器制备方法及薄膜体声波滤波器。
本公开的一个方面提供了一种薄膜体声波滤波器制备方法，包括：提供一衬底，上述衬底包括空腔结构，上述空腔结构中填充有牺牲层材料，上述空腔结构通过释放结构连接上述衬底的表面；采用蒸镀法或溅射法，自上述牺牲层材料的表面向上依次形成下电极层、压电层、上电极层、钝化层和钝化层临时保护层；利用含有氢氟酸的溶液作为牺牲层去除液，通过释放结构对上述牺牲层材料进行化学腐蚀，以去除上述牺牲层材料；以及去除上述钝化层临时保护层，得到薄膜体声波滤波器。
根据本公开的实施例，上述钝化层的材料为杨氏模量大于60Gpa的材料。
根据本公开的实施例，上述钝化层的材料包括Cr、Al2O3、SiO2或SixNy。
根据本公开的实施例，上述钝化层临时保护层的材料为在牺牲层去除液中刻蚀率小于10A/min的材料。
根据本公开的实施例，上述钝化层临时保护层的材料包括Au、Pt、Mo、W或A1N。
根据本公开的实施例，上述钝化层临时保护层被配置为保护上述钝化层不受上述牺牲层去除液的影响，上述钝化层临时保护层被配置为覆盖上述钝化层的顶面和侧面，其中，上述钝化层的顶面表示上述钝化层中远离上述衬底且与上述衬底的表面平行的面，上述钝化层的侧面表示上述钝化层中与上述衬底的表面不平行的面。
根据本公开的实施例，上述方法还包括：采用干法刻蚀调整上述薄膜体声波滤波器的钝化层的厚度，以对薄膜体声波滤波器进行调频处理。
根据本公开的实施例，上述干法刻蚀为使用Ar离子轰击上述钝化层的表面材料。
根据本公开的实施例，上述方法还包括：基于上述衬底所处的平面，采用化学机械抛光法对上述牺牲层材料进行平坦化处理；其中，上述采用蒸镀法或溅射法，自上述牺牲层材料的表面向上依次形成下电极层、压电层、上电极层、钝化层和钝化层临时保护层，包括：采用上述蒸镀法或上述溅射法，自经平坦化处理的牺牲层材料的表面向上依次形成下电极层、压电层、上电极层、钝化层和钝化层临时保护层。
本公开的另一个方面提供了一种薄膜体声波滤波器，可以使用如上所述的薄膜体声波滤波器制备方法制备得到。
根据本公开的实施例，在制备薄膜体声波滤波器的过程中，可以在向衬底中的空腔填充牺牲层材料并平坦化处理之后，自该牺牲层材料的表面向上依次形成下电极层、压电层、上电极层、钝化层和钝化层临时保护层。牺牲层材料可以通过湿法腐蚀的方式去除，在湿法腐蚀过程中，该钝化层临时保护层可以为下电极层、压电层、上电极层和钝化层提供保护，以保障这些层在湿法腐蚀过程中不会与牺牲层去除液发生反应。在进行钝化层材料选择时，可以不考虑牺牲层去除液的影响，而选择不易水解的材料，因此，在完成钝化层临时保护层的去除和调频处理后，钝化层可以直接裸露在大气环境中，不会因工作时间的延长而发生工作频率的改变。通过上述制备方法，不需要对制备得到的薄膜体声波滤波器进行晶圆级封装，可以有效降低器件制造成本，并提升了器件的可靠性能力。
附图说明
通过以下参照附图对本公开实施例的描述，本公开的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
图1示意性示出了根据本公开实施例的薄膜体声波滤波器制备方法的示意图。
图2示意性示出了根据本公开实施例的湿法腐蚀前的薄膜体声波滤波器的结构示意图。
图3示意性示出了根据本公开实施例的湿法腐蚀后的薄膜体声波滤波器的结构示意图。
图4示意性示出了根据本公开实施例的制备得到的薄膜体声波滤波器的结构示意图。
具体实施方式
以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本公开实施例的全面理解。然而，明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
在此使用的术语仅仅是为了描述具体实施例，而并非意在限制本公开。在此使用的术语“包括”、“包含”等表明了所述特征、步骤、操作和/或部件的存在，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、步骤、操作或部件。
在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本领域技术人员通常所理解的含义，除非另外定义。应注意，这里使用的术语应解释为具有与本说明书的上下文相一致的含义，而不应以理想化或过于刻板的方式来解释。
在使用类似于“A、B和C等中至少一个”这样的表述的情况下，一般来说应该按照本领域技术人员通常理解该表述的含义来予以解释(例如，“具有A、B和C中至少一个的系统”应包括但不限于单独具有A、单独具有B、单独具有C、具有A和B、具有A和C、具有B和C、和/或具有A、B、C的系统等)。
在薄膜体声波滤波器加工工艺中，一般先在硅衬底上刻蚀形成凹坑，然后使用牺牲层填充物填满凹坑，在磨平后再在衬底上制作薄膜体声波滤波器。最后使用牺牲层去除液通过滤波器边缘预留的释放孔或释放通道与牺牲层材料反应，形成薄膜体声波滤波器底部的空腔结构。鉴于释放工艺过程中牺牲层去除液通过谐振器边缘预留的释放孔与牺牲材料反应，一般释放时间较长，薄膜体声波滤波器顶部的钝化层使用的材料需要选择能抵抗牺牲层去除液或者在牺牲层去除液中腐蚀速率很慢的材料，并且需要从材料密度，声速等特性选择对谐振器Q值影响较小，即声学损耗较小的材料。
AlN材料因其与压电层同材料，具备良好的声学特性，并且与牺牲层去除液的反应速率极低，成为薄膜体声波滤波器的钝化层的材料的首选材料。但是，薄膜体声波滤波器的工作环境一般为大气环境，A1N会在有水汽的环境中缓慢水解反应，造成器件的频率不断变化，滤波器的可靠性较低。
为解决此问题，相关技术中，会采用密封性极高的晶圆级封装的方式在薄膜体声波滤波器上面形成密封结构。比如在器件周围形成金属密封圈，采用金金键合、金锡键合、铜锡键合等方式再键合一片硅晶圆或玻璃晶圆作为薄膜体声波滤波器的盖子，然后通过硅通孔将需要电路连接的器件I/O口引到盖板上方或衬底底部与其他电路相连。
然而，相关技术中的解决方案又会带来其他问题。例如，晶圆级金属密封圈的键合需要保障整片晶圆的大量的密封圈同时键合好且密封性良好，因此，该晶圆级金属密封圈的键合工艺难度较高。此外，键合设备成本较高，对晶圆的平整度和金属层成膜均匀性要求较高，也需要匹配昂贵的抛光设备和金属成膜设备。在相关技术的工艺水平的基础上，键合良品率较低，器件可靠性失效几率较高。再例如，由于器件外围需要设置一定宽度的密封金属圈，会造成单个薄膜体声波滤波器所占用面积的增大，使得单片晶圆产出下降，制备成本上升。再例如，晶圆级封装结构需要额外增加一片晶圆做盖子，为键合更为稳定，一般使用贵金属，如金等作为键合材料，而且电连接需要通过硅通孔引出，制造成本大大增加。
有鉴于此，本公开的实施例提供了一种薄膜体声波滤波器制备方法及薄膜体声波滤波器，制备得到的薄膜体声波滤波器可以不需要进行晶圆级封装，可直接裸晶粒和基板封装，然后采用覆膜工艺直接形成器件上表面空腔结构，大大降低制造成本，提升可靠性能力。
具体地，本公开实施例的薄膜体声波滤波器制备方法包括：提供一衬底，衬底包括空腔结构，空腔结构中填充有牺牲层材料，空腔结构通过释放结构连接衬底的表面；采用蒸镀法或溅射法，自牺牲层材料的表面向上依次形成下电极层、压电层、上电极层、钝化层和钝化层临时保护层；利用含有氢氟酸的溶液作为牺牲层去除液，通过释放结构对牺牲层材料进行化学腐蚀，以去除牺牲层材料；以及去除钝化层临时保护层，得到薄膜体声波滤波器。
图1示意性示出了根据本公开实施例的薄膜体声波滤波器制备方法的示意图。
如图1所示，该方法包括操作S101～S104。
在操作S101，提供一衬底，衬底包括空腔结构，空腔结构中填充有牺牲层材料，空腔结构通过释放结构连接衬底的表面。
在操作S102，采用蒸镀法或溅射法，自牺牲层材料的表面向上依次形成下电极层、压电层、上电极层、钝化层和钝化层临时保护层。
在操作S103，利用含有氢氟酸的溶液作为牺牲层去除液，通过释放结构对牺牲层材料进行化学腐蚀，以去除牺牲层材料。
在操作S104，去除钝化层临时保护层，得到薄膜体声波滤波器。
根据本公开的实施例，衬底可以是硅基晶圆。衬底表面的空腔结构可以通过干法刻蚀、湿法刻蚀等各种方式形成，在此不作限定。空腔结构的形状在此不作限定，例如，可以形成长方体、圆柱体、椎体等形状的空腔结构。可选地，在形成空腔结构后，可以通过CMP(Chemical-Mechanical Planarization，化学机械抛光)等方式对空腔结构中与衬底邻接的表面进行平坦化处理。
根据本公开的实施例，对于衬底上形成的每一个空腔结构，还可以包括与该空腔结构对应的释放结构。释放结构可以包括释放孔和释放通道。释放孔可以形成于衬底的表面，释放孔可以设置于释放通道的一端，释放通道的另一端可以设置于空腔结构与衬底邻接的任意一个表面上。即在空腔结构被密封的情况下，该空腔结构可以通过释放通道及释放孔与外界进行物质交换。
根据本公开的实施例，可以向衬底上的空腔结构填充牺牲层材料。牺牲层材料可以与采用湿法腐蚀去除该牺牲层材料时所选择的牺牲层去除液相关，即牺牲层材料可以选择易与牺牲层去除液反应，且反应后不会有固态物质残留的材料。例如，牺牲层去除液可以选用HF(氢氟酸)、BOE(Buffered Oxide etchant，缓冲氧化物刻蚀液)等，相应的，牺牲层材料可以选用易与HF、BOE等反应的材料，例如，SiO2(二氧化硅)、PSG(Phospho-SilicateGlass，磷硅玻璃)、BPSG(Boro-Phospho-Silicate Glass，硼磷硅玻璃)等。
根据本公开的实施例，蒸镀法可以指在真空条件下，采用一定的加热蒸发方式蒸发镀膜材料并使之气化，粒子飞至基片表面凝聚成膜的工艺方法。可选地，蒸镀法也可以使用其他气相沉积方法来替换，在此不作限定。溅射法可以是将镀膜材料作为阴极，基片置于阳极附近，在直流或射频高压电场的作用下利用基于工作气体形成的离子流轰击镀膜材料的表面，与镀膜材料的表面的原子和原子团交换能量，使之飞溅出来，沉积到基片表面形成薄膜的工艺方法。溅射法可以包括直流磁控溅射法、射频溅射法、离子束溅射法等。依次形成下电极层、压电层、上电极层、钝化层和钝化层临时保护层时所采用的具体工艺在此不作限定，形成的下电极层、压电层、上电极层、钝化层和钝化层临时保护层各自的形状在此不作限定。
根据本公开的实施例，利用牺牲层去除液去除牺牲层材料可以利用湿法腐蚀工艺实现。具体地，可以将衬底整体浸泡在牺牲层去除液中，以便牺牲层去除液通过释放孔和释放通道与空腔结构中的牺牲层材料发送反应，从而将牺牲层材料去除。在湿法腐蚀工艺的实施过程中，钝化层临时保护层可以将牺牲层去除液与钝化层隔离，以使牺牲层去除液不会接触钝化层，从而使得钝化层材料的选择不受牺牲层去除液的限制。
根据本公开的实施例，在完成湿法腐蚀工艺后，可以将钝化层临时保护层去除，去除钝化层临时保护层时，可以基于钝化层临时保护层的材料的不同，采用不同的工艺方法来实现，在此不作限定。
根据本公开的实施例，在制备薄膜体声波滤波器的过程中，可以在向衬底中的空腔填充牺牲层材料并平坦化处理之后，自该牺牲层材料的表面向上依次形成下电极层、压电层、上电极层、钝化层和钝化层临时保护层。牺牲层材料可以通过湿法腐蚀的方式去除，在湿法腐蚀过程中，该钝化层临时保护层可以为下电极层、压电层、上电极层和钝化层提供保护，以保障这些层在湿法腐蚀过程中不会与牺牲层去除液发生反应。在进行钝化层材料选择时，可以不考虑牺牲层去除液的影响，而选择不易水解的材料，因此，在完成钝化层临时保护层的去除和调频处理后，钝化层可以直接裸露在大气环境中，不会因工作时间的延长而发生工作频率的改变。通过上述制备方法，不需要对制备得到的薄膜体声波滤波器进行晶圆级封装，可以有效降低器件制造成本，并提升了器件的可靠性能力。
根据本公开的实施例，向空腔结构中填充的牺牲层材料的表面可以高于衬底所处的平面，为了提高后续生成的电极层、压电层等的平整度和精度，可以对牺牲层材料的表面作化学机械抛光处理，以使得该牺牲层材料的表面与衬底所处的平面齐平，且使得该牺牲层材料的表面平坦，从而可以提高后续金属层成膜的均匀性。具体地，可以基于衬底所处的平面，采用化学机械抛光法对牺牲层材料进行平坦化处理。在完成平坦化处理后，各个金属层的形成过程可以更改为采用蒸镀法或溅射法，自经平坦化处理的牺牲层材料的表面向上依次形成下电极层、压电层、上电极层、钝化层和钝化层临时保护层。
根据本公开的实施例，可选地，对牺牲层材料的表面进行平坦化处理时，可以不限于如上的化学机械抛光法，只要能够保障牺牲层材料的表面的平整度即可，在此不作限定。
根据本公开的实施例，在形成下电极层和上电极层的过程中，可以使用电导率较高的金属材料作为镀层材料，如Mo(钼)、Al(铝)、W(钨)等。即下电极层的材料或上电极层的材料为Mo、Al或W。
根据本公开的实施例，在形成压电层的过程中，可以使用声学损耗较小的材料作为镀层材料，如AlN、PZT(锆钛酸铅)、ZnO(氧化锌)等。即压电层材料为A1N、PZT或ZnO。可选地，压电层材料还可以为掺杂有其他稀有金属的材料，在此不作限定。
根据本公开的实施例，在形成钝化层的过程中，可以使用稳定性较强且不易水解的材料作为镀层材料，如选择杨氏模量大于60Gpa的材料作为镀层材料。具体地，可以选择Cr(铬)、Al2O3、SiO2、SixNy(硅氮化合物)等作为镀层材料。即钝化层的材料为杨氏模量大于60Gpa的材料，具体地，钝化层的材料包括Cr、Al2O3、SiO2或SixNy。
根据本公开的实施例，钝化层同时可以作为调频层，钝化层的厚度可以根据实际产品的需求来设置，在此不作限定。
根据本公开的实施例，在形成钝化层临时保护层的过程中，可以使用能够抵抗牺牲层去除液腐蚀的材料作为镀层材料，如选择在牺牲层去除液中刻蚀率小于10A/min的材料。具体地，可以选择Au(金)、Pt(铂)、Mo、W、AlN等作为镀层材料。即钝化层临时保护层的材料为在牺牲层去除液中刻蚀率小于10A/min的材料，具体地，钝化层临时保护层的材料包括Au、Pt、Mo、W或AlN。钝化层临时保护层的厚度可以根据实际产品的需求来设置，在此不作限定。
根据本公开的实施例，钝化层临时保护层可以用于保护钝化层不受牺牲层去除液的影响。可选地，钝化层临时保护层可以被配置包裹钝化层的表面，以实现更好的保护效果。具体地，钝化层临时保护层可以覆盖钝化层的顶面和侧面，其中，钝化层的顶面表示钝化层中远离衬底且与衬底的表面平行的面，钝化层的侧面表示钝化层中与衬底的表面不平行的面。
根据本公开的实施例，去除钝化层临时保护层时，可以基于钝化层临时保护层的材料的特性的不同，采用不同的工艺方法来实现。例如，钝化层临时保护层的材料可以是AlN，相应的，可以使用干法刻蚀来去除该钝化层临时保护层，具体地，可以使用Ar离子轰击钝化层临时保护层的表面材料，以破坏钝化层临时保护层的表面材料分子之间的化学键，从而去除钝化层临时保护层。再例如，钝化层临时保护层的材料可以是Au，相应的，可以使用湿法刻蚀来去除该钝化层临时保护层。
根据本公开的实施例，对于裸露的钝化层，为了使衬底上所制备的所有薄膜体声波滤波器的工作频率一致，还可以通过频率测试，对钝化层进行调频处理，调频处理所使用的具体工艺在此不作限定。可选地，可以采用干法刻蚀调整薄膜体声波滤波器的钝化层的厚度，以对薄膜体声波滤波器进行调频处理。
根据本公开的实施例，采用干法刻蚀调整薄膜体声波滤波器的钝化层的厚度，可以是使用Ar离子轰击钝化层的表面材料，以破坏钝化层的表面材料分子之间的化学键，从而去除钝化层的至少部分表面材料，以调整薄膜体声波滤波器的器件频率。
根据本公开的实施例，通过将薄膜体声波滤波器的钝化层材料由AlN替换为Cr、SiN、SiO2等在水汽环境下比较稳定且声学性能较好的材料。为防止钝化层材料在牺牲层材料的释放过程中发生腐蚀，在钝化层材料顶部先溅射或蒸镀一层很薄的不被HF腐蚀的钝化层临时钝化层临时保护层材料，如Au、Al、Pt等。待牺牲层材料释放完成后，通过离子束刻蚀工艺将临时钝化层临时保护层去除。然后通过频率测试对护层材料进行离子束刻蚀工艺对器件频率进行调频，以得到制备完成的薄膜体声波滤波器。得到的薄膜体声波滤波器可以采用Non-WLP封装的膜体声波滤波器加工工艺，采用裸DIE倒扣基板后覆膜封装，可以节省晶圆级封装的制造成本，降低了芯片厚度和尺寸，提高了滤波器的小型化程度，提升单片晶圆收益，降低产品单位成本，同时大幅提升了可靠性能力。
下面参考图2～图4所示的薄膜体声波滤波器，结合具体实施例对图1所示的方法做进一步说明。
图2示意性示出了根据本公开实施例的湿法腐蚀前的薄膜体声波滤波器的结构示意图。
如图2所示，湿法腐蚀前的薄膜体声波滤波器可以设置于衬底100的空腔结构101的表面上。空腔结构101中可以填充有牺牲层材料。该薄膜体声波滤波器自衬底100的表面向上，依次可以包括下电极层201、压电层202、上电极层203、钝化层204和钝化层临时保护层205。下电极层201、压电层202、上电极层203和钝化层204的重叠区域可以作为该薄膜体声波滤波器的功能区域。钝化层临时保护层205至少可以覆盖钝化层204，即钝化层临时保护层205至少可以覆盖钝化层204的上表面和侧表面。可选地，钝化层临时保护层205还可以覆盖下电极层201、压电层202和上电极层203各自未被遮盖的表面，或者，钝化层临时保护层205还可以全量覆盖衬底100上除释放孔外的表面。
图3示意性示出了根据本公开实施例的湿法腐蚀后的薄膜体声波滤波器的结构示意图。
如图3所示，在进行湿法腐蚀后，空腔结构101内的牺牲层因与牺牲层去除液反应而被完全去除。下电极层201、压电层202、上电极层203和钝化层204因被钝化层临时保护层205覆盖而不会与牺牲层去除液直接接触，或者，在牺牲层去除液中具有较强稳定性而不与牺牲层去除液发生反应，因此，下电极层201、压电层202、上电极层203、钝化层204和钝化层临时保护层205的结构基本保持不变。
图4示意性示出了根据本公开实施例的制备得到的薄膜体声波滤波器的结构示意图。
如图4所示，在对图3中的薄膜体声波滤波器进行后续的去除钝化层临时保护层205的工艺流程和对钝化层204进行调频处理的工艺流程后，即完成薄膜体声波滤波器制备方法后，可以得到如图4所示的薄膜体声波滤波器。钝化层204的材料为Cr、Al2O3、SiO2、SixNy等不易水解且稳定性较强的材料，因此，该薄膜体声波滤波器可以直接在含有水汽的环境下使用，解决了薄膜体声波滤波器可靠性失效问题，从机理上提升了器件耐高温高湿的性能，从而提升器件可靠性。
本领域技术人员可以理解，本公开的各个实施例和/或权利要求中记载的特征可以进行多种组合和/或结合，即使这样的组合或结合没有明确记载于本公开中。特别地，在不脱离本公开精神和教导的情况下，本公开的各个实施例和/或权利要求中记载的特征可以进行多种组合和/或结合。所有这些组合和/或结合均落入本公开的范围。
以上对本公开的实施例进行了描述。但是，这些实施例仅仅是为了说明的目的，而并非为了限制本公开的范围。尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。本公开的范围由所附权利要求及其等同物限定。不脱离本公开的范围，本领域技术人员可以做出多种替代和修改，这些替代和修改都应落在本公开的范围之内。
Claims (10)
1.一种薄膜体声波滤波器制备方法，包括：
提供一衬底，所述衬底包括空腔结构，所述空腔结构中填充有牺牲层材料，所述空腔结构通过释放结构连接所述衬底的表面；采用蒸镀法或溅射法，自所述牺牲层材料的表面向上依次形成下电极层、压电层、上电极层、钝化层和钝化层临时保护层；
利用含有氢氟酸的溶液作为牺牲层去除液，通过释放结构对所述牺牲层材料进行化学腐蚀，以去除所述牺牲层材料；以及
去除所述钝化层临时保护层，得到薄膜体声波滤波器。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钝化层的材料为杨氏模量大于60Gpa的材料。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述钝化层的材料包括Cr、Al2O3、SiO2或SixNy。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钝化层临时保护层的材料为在牺牲层去除液中刻蚀率小于10A/min的材料。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述钝化层临时保护层的材料包括Au、Pt、Mo、W或AlN。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的方法，其中，所述钝化层临时保护层被配置为保护所述钝化层不受所述牺牲层去除液的影响，所述钝化层临时保护层被配置为覆盖所述钝化层的顶面和侧面，其中，所述钝化层的顶面表示所述钝化层中远离所述衬底且与所述衬底的表面平行的面，所述钝化层的侧面表示所述钝化层中与所述衬底的表面不平行的面。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
采用干法刻蚀调整所述薄膜体声波滤波器的钝化层的厚度，以对薄膜体声波滤波器进行调频处理。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述干法刻蚀为使用Ar离子轰击所述钝化层的表面材料。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括：
基于所述衬底所处的平面，采用化学机械抛光法对所述牺牲层材料进行平坦化处理；
其中，所述采用蒸镀法或溅射法，自所述牺牲层材料的表面向上依次形成下电极层、压电层、上电极层、钝化层和钝化层临时保护层，包括：
采用所述蒸镀法或所述溅射法，自经平坦化处理的牺牲层材料的表面向上依次形成下电极层、压电层、上电极层、钝化层和钝化层临时保护层。
10.一种利用根据权利要求1至9中任一项所述的方法制备得到的薄膜体声波滤波器。
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