JPH07326942A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH07326942A JPH07326942A JP11939494A JP11939494A JPH07326942A JP H07326942 A JPH07326942 A JP H07326942A JP 11939494 A JP11939494 A JP 11939494A JP 11939494 A JP11939494 A JP 11939494A JP H07326942 A JPH07326942 A JP H07326942A
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- surface acoustic
- acoustic wave
- frequency
- substrate
- insulating film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ２００ＭＨｚ以上の高い周波数に適用させる
場合においても、きわめて簡便な手段で周波数の調整が
可能で、しかも挿入損失の極めて少ない弾性表面波装置
を提供すること。 【構成】 圧電性の基体１上に電極パターン２を形成す
るとともに、電極パターン２を含む基体１上に絶縁膜３
を被着形成して成る弾性表面波装置であって、絶縁膜３
はその膜厚をｈ、基体１上を伝搬する弾性表面波の波長
をλとした場合に、ｋｈ≦０．１５（ただし、ｋ＝２π
／λ）を満足することを特徴とする。
場合においても、きわめて簡便な手段で周波数の調整が
可能で、しかも挿入損失の極めて少ない弾性表面波装置
を提供すること。 【構成】 圧電性の基体１上に電極パターン２を形成す
るとともに、電極パターン２を含む基体１上に絶縁膜３
を被着形成して成る弾性表面波装置であって、絶縁膜３
はその膜厚をｈ、基体１上を伝搬する弾性表面波の波長
をλとした場合に、ｋｈ≦０．１５（ただし、ｋ＝２π
／λ）を満足することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電極パターンを形成した
弾性表面波装置に関し、特に２００ＭＨｚ以上の周波数
に適合させるべく周波数の調整を精度よく行え、且つ挿
入損失を少なくした弾性表面波装置に関する。
弾性表面波装置に関し、特に２００ＭＨｚ以上の周波数
に適合させるべく周波数の調整を精度よく行え、且つ挿
入損失を少なくした弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその問題点】従来より、ＴＶ，ＶＴ
Ｒ，移動体通信等に使用されるバンドパスフィルタとし
て、圧電性の基体上にすだれ状電極などの電気信号を弾
性表面波に変換する電極パターンを形成させた弾性表面
波装置が使用されており、この弾性表面波装置の基体材
料として、圧電性が優れているニオブ酸リチウム（LiNb
O3、以下ＬＮ）やタンタル酸リチウム（LiTaO3、以下Ｌ
Ｔ）等の単結晶が一般に広く用いられている。
Ｒ，移動体通信等に使用されるバンドパスフィルタとし
て、圧電性の基体上にすだれ状電極などの電気信号を弾
性表面波に変換する電極パターンを形成させた弾性表面
波装置が使用されており、この弾性表面波装置の基体材
料として、圧電性が優れているニオブ酸リチウム（LiNb
O3、以下ＬＮ）やタンタル酸リチウム（LiTaO3、以下Ｌ
Ｔ）等の単結晶が一般に広く用いられている。
【０００３】最近では、LiNbO3やLiTaO3を上記基体材料
として用いた場合、フィルタの挿入損失及び温度特性の
両方を充分に満足できないので、圧電材料の性能評価と
して特に重視される電気・機械結合定数が大きく、しか
も零温度係数を有する四ホウ酸リチウム（Li2B4O7 、以
下ＬＢＯ）単結晶が、弾性表面波装置の基体材料だけで
なく、各種の圧電デバイスの最適な材料として注目され
ている。
として用いた場合、フィルタの挿入損失及び温度特性の
両方を充分に満足できないので、圧電材料の性能評価と
して特に重視される電気・機械結合定数が大きく、しか
も零温度係数を有する四ホウ酸リチウム（Li2B4O7 、以
下ＬＢＯ）単結晶が、弾性表面波装置の基体材料だけで
なく、各種の圧電デバイスの最適な材料として注目され
ている。
【０００４】また、従来より弾性表面波装置の製品毎に
中心周波数がばらつくことがあり、信頼性の点で問題が
生じていた。これは、一般に製造条件の相違により出来
上がった電極パターンの膜厚がばらついたり、結晶構造
の不均質性に基づく弾性表面波の音速のばらつき等が大
きな要因であると考えられている。このような影響を極
力無くすために、基体として特にＬＢＯを適用した場合
には、ＬＢＯが水に溶解する性質を利用し、例えば図６
に示すように、まずＬＢＯの基体１１上に電極パターン
１２を形成した後、基体１１が露出している領域を水で
溶解することによって、電極パターンが形成されていな
い領域にグルーブ１３を形成し、見かけ上、電極パター
ン１２の膜厚を変化させることによって、所望の周波数
に調整を可能とする弾性表面波装置が提案されている
（特開昭６３−１６０４０９号公報等を参照）。
中心周波数がばらつくことがあり、信頼性の点で問題が
生じていた。これは、一般に製造条件の相違により出来
上がった電極パターンの膜厚がばらついたり、結晶構造
の不均質性に基づく弾性表面波の音速のばらつき等が大
きな要因であると考えられている。このような影響を極
力無くすために、基体として特にＬＢＯを適用した場合
には、ＬＢＯが水に溶解する性質を利用し、例えば図６
に示すように、まずＬＢＯの基体１１上に電極パターン
１２を形成した後、基体１１が露出している領域を水で
溶解することによって、電極パターンが形成されていな
い領域にグルーブ１３を形成し、見かけ上、電極パター
ン１２の膜厚を変化させることによって、所望の周波数
に調整を可能とする弾性表面波装置が提案されている
（特開昭６３−１６０４０９号公報等を参照）。
【０００５】しかしながら、上記従来の弾性表面波装置
を特に２００ＭＨｚ以上の高周波帯域の周波数で使用し
た場合、基体に形成させたグルーブにより弾性表面波が
散乱され、弾性表面波のエネルギーが分散することにな
り、入力信号の伝送特性を示す挿入損失が増大するとい
った問題が生じるのである。また、水の溶解によるグル
ーブの形成が必要であるので、そのためのフォトリソグ
ラフィやエッチング等の製造工程が増え、かなり煩雑と
なる上、所望の周波数に適用させる精度のよいグルーブ
を形成することも大変困難であった。
を特に２００ＭＨｚ以上の高周波帯域の周波数で使用し
た場合、基体に形成させたグルーブにより弾性表面波が
散乱され、弾性表面波のエネルギーが分散することにな
り、入力信号の伝送特性を示す挿入損失が増大するとい
った問題が生じるのである。また、水の溶解によるグル
ーブの形成が必要であるので、そのためのフォトリソグ
ラフィやエッチング等の製造工程が増え、かなり煩雑と
なる上、所望の周波数に適用させる精度のよいグルーブ
を形成することも大変困難であった。
【０００６】そこで、２００ＭＨｚ以上の高い周波数に
適用させる場合においても、きわめて簡便な手段で周波
数の調整が可能で、しかも挿入損失の極めて少ない弾性
表面波装置を提供することを目的とする。
適用させる場合においても、きわめて簡便な手段で周波
数の調整が可能で、しかも挿入損失の極めて少ない弾性
表面波装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の弾性表面波装置は、圧電性の基体上に電極
パターンを形成するとともに、該電極パターンを含む基
体上に絶縁膜を被着形成して成る弾性表面波装置であっ
て、絶縁膜の膜厚をｈ、基体上を伝搬する弾性表面波の
波長をλとした場合に、ｋｈ≦０．１５（ただし、ｋ＝
２π／λ）の範囲内で絶縁膜を被着形成したことを特徴
とする。
に、本発明の弾性表面波装置は、圧電性の基体上に電極
パターンを形成するとともに、該電極パターンを含む基
体上に絶縁膜を被着形成して成る弾性表面波装置であっ
て、絶縁膜の膜厚をｈ、基体上を伝搬する弾性表面波の
波長をλとした場合に、ｋｈ≦０．１５（ただし、ｋ＝
２π／λ）の範囲内で絶縁膜を被着形成したことを特徴
とする。
【０００８】ここで、基体はＬＢＯの他にＬＮやＬＴ等
の圧電材料を用い、電極パターンはＡｌ，Ｃｒ，Ｃｕ，
Ａｇ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ａｕ等の各種金属やＡｌ−Ｃｕ，Ａ
ｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｕ等の各種合金等を用いるこ
とができ、絶縁膜は酸化物、フッ化物、窒化物等各種の
無機物の絶縁体を用いることができる。なお、絶縁膜と
して有機物を用いると、有機物の粘性や弾性により弾性
表面波を吸収するので適さない。なおまた、ｋｈの下限
は零の近傍である。すなわち、周波数をｆ、周波数の調
整前後の周波数変化を△ｆとしたときに、調整幅△ｆ／
ｆが８０ｐｐｍ程度でも調整が可能であり、この場合の
ｋｈは零の近傍（０．００２）となる。
の圧電材料を用い、電極パターンはＡｌ，Ｃｒ，Ｃｕ，
Ａｇ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ａｕ等の各種金属やＡｌ−Ｃｕ，Ａ
ｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｕ等の各種合金等を用いるこ
とができ、絶縁膜は酸化物、フッ化物、窒化物等各種の
無機物の絶縁体を用いることができる。なお、絶縁膜と
して有機物を用いると、有機物の粘性や弾性により弾性
表面波を吸収するので適さない。なおまた、ｋｈの下限
は零の近傍である。すなわち、周波数をｆ、周波数の調
整前後の周波数変化を△ｆとしたときに、調整幅△ｆ／
ｆが８０ｐｐｍ程度でも調整が可能であり、この場合の
ｋｈは零の近傍（０．００２）となる。
【０００９】特に、基体をＬＢＯとし、絶縁膜を酸化マ
グネシウム（ＭｇＯ）とした場合には、２００ＭＨｚ以
上の周波数の調整に最適なｋｈの範囲は、０．０６以下
であり、この場合には挿入損失の増加分を１．５ｄＢ以
下に抑えることが可能となり、基体をＬＢＯとし、絶縁
膜をＳｉＯ2 とした場合には、２００ＭＨｚ以上の周波
数の調整に最適なｋｈの範囲は、０．０３以下であり、
この場合にも挿入損失の増加分を１．５ｄＢ以下に抑え
ることが可能となる。
グネシウム（ＭｇＯ）とした場合には、２００ＭＨｚ以
上の周波数の調整に最適なｋｈの範囲は、０．０６以下
であり、この場合には挿入損失の増加分を１．５ｄＢ以
下に抑えることが可能となり、基体をＬＢＯとし、絶縁
膜をＳｉＯ2 とした場合には、２００ＭＨｚ以上の周波
数の調整に最適なｋｈの範囲は、０．０３以下であり、
この場合にも挿入損失の増加分を１．５ｄＢ以下に抑え
ることが可能となる。
【００１０】
【作用】本発明によれば、絶縁膜の被着形成はスパッタ
リング等の単純な成膜法だけでよいので、従来の基体を
溶解してグルーブを形成する方法と比較して極めて容易
に所望の周波数に適合させるべく調整を行うことが可能
となる。
リング等の単純な成膜法だけでよいので、従来の基体を
溶解してグルーブを形成する方法と比較して極めて容易
に所望の周波数に適合させるべく調整を行うことが可能
となる。
【００１１】また、絶縁膜の膜厚は極めて小さいので、
弾性表面波のエネルギーが分散されにくく、挿入損失や
温度特性の変化といった、圧電性を評価する基本特性に
ほとんど影響を与えることが無い。
弾性表面波のエネルギーが分散されにくく、挿入損失や
温度特性の変化といった、圧電性を評価する基本特性に
ほとんど影響を与えることが無い。
【００１２】さらに、電極パターンを含む基体上に絶縁
膜を被着形成させるので、電極パターンや基体を外気か
ら保護することができ、耐環境特性を向上させることが
できる。
膜を被着形成させるので、電極パターンや基体を外気か
ら保護することができ、耐環境特性を向上させることが
できる。
【００１３】
【実施例】本発明に係る弾性表面波装置の一実施例を図
面に基づき詳細に説明する。 〔実施例１〕まず、チョクラルスキー法により育成され
たＬＢＯの単結晶体から、オイラー角表示で（45°±1
°, 90°±1 °, 90°±1 °）のカット面を有する基体
を切り出し、このカット面に対して鏡面研磨を行った。
面に基づき詳細に説明する。 〔実施例１〕まず、チョクラルスキー法により育成され
たＬＢＯの単結晶体から、オイラー角表示で（45°±1
°, 90°±1 °, 90°±1 °）のカット面を有する基体
を切り出し、このカット面に対して鏡面研磨を行った。
【００１４】次に、図１に示すように、基体１上にノボ
ラック系樹脂のレジストをスピンコート法により塗布し
て、厚さ約1.5 μm のレジストを塗布形成する。この塗
布形成したレジストをフォトリソグラフィ法及びエッチ
ング法によってパターニングし、電極パターンを形成さ
せない基体１の領域にレジストパターンを形成せしめ、
基体１及びレジストパターンにアルミニウム（Ａｌ）を
真空蒸着法により被着形成する。そして、リフトオフ法
によりレジストパターン及びレジストパターン上に形成
させたＡｌ膜を除去して、所望の周波数より低めの周波
数に適用できる厚さ（例えば、２４７．５〜２４８．０
ＭＨｚの場合、膜厚１８００Å〜２０００Å）で、電極
指幅が約７μm 程度の電極パターン２を形成する。
ラック系樹脂のレジストをスピンコート法により塗布し
て、厚さ約1.5 μm のレジストを塗布形成する。この塗
布形成したレジストをフォトリソグラフィ法及びエッチ
ング法によってパターニングし、電極パターンを形成さ
せない基体１の領域にレジストパターンを形成せしめ、
基体１及びレジストパターンにアルミニウム（Ａｌ）を
真空蒸着法により被着形成する。そして、リフトオフ法
によりレジストパターン及びレジストパターン上に形成
させたＡｌ膜を除去して、所望の周波数より低めの周波
数に適用できる厚さ（例えば、２４７．５〜２４８．０
ＭＨｚの場合、膜厚１８００Å〜２０００Å）で、電極
指幅が約７μm 程度の電極パターン２を形成する。
【００１５】次に、電極パターン２が形成された基体１
をダイヤモンドブレードを用いてダイシングを行い、１
素子毎に切断して複数の素子に分離する。そして、各素
子をエポキシ系樹脂により不図示のステム（パッケージ
の内底にピンが配設された箇所）にダイボンドし、さら
に、素子とステム上の電極用ピンにφ３５μm のＡｌワ
イヤにより配線を行い、電極パターン２を含む基体１上
にスパッタ法により適当な膜厚のＭｇＯの絶縁膜３を被
着形成して弾性表面波装置を完成させる。
をダイヤモンドブレードを用いてダイシングを行い、１
素子毎に切断して複数の素子に分離する。そして、各素
子をエポキシ系樹脂により不図示のステム（パッケージ
の内底にピンが配設された箇所）にダイボンドし、さら
に、素子とステム上の電極用ピンにφ３５μm のＡｌワ
イヤにより配線を行い、電極パターン２を含む基体１上
にスパッタ法により適当な膜厚のＭｇＯの絶縁膜３を被
着形成して弾性表面波装置を完成させる。
【００１６】ここで、ＭｇＯの膜厚に対する周波数の調
整幅依存性、及び挿入損失の依存性について説明する。
上述のようにして完成した弾性表面波装置のそれぞれ
を、周波数が約２５０ＭＨｚにおいて、ネットワークア
ナライザーを用いて周波数の調整幅及び挿入損失の測定
を行った。その結果を図２に示す。ここで、左縦軸は周
波数の調整幅△ｆ／ｆを示し、△ｆ＝（調整後の周波
数）−（調整前の周波数）＝（膜形成後の周波数）−
（膜形成前の周波数）である。また、右縦軸は膜形成前
後における挿入損失ＬＯＳＳの増加分を示す。なお、こ
の結果は周波数が２００〜１０００ＭＨｚの幅広い周波
数範囲でも同様な結果となった。
整幅依存性、及び挿入損失の依存性について説明する。
上述のようにして完成した弾性表面波装置のそれぞれ
を、周波数が約２５０ＭＨｚにおいて、ネットワークア
ナライザーを用いて周波数の調整幅及び挿入損失の測定
を行った。その結果を図２に示す。ここで、左縦軸は周
波数の調整幅△ｆ／ｆを示し、△ｆ＝（調整後の周波
数）−（調整前の周波数）＝（膜形成後の周波数）−
（膜形成前の周波数）である。また、右縦軸は膜形成前
後における挿入損失ＬＯＳＳの増加分を示す。なお、こ
の結果は周波数が２００〜１０００ＭＨｚの幅広い周波
数範囲でも同様な結果となった。
【００１７】この図から明らかなように、ＭｇＯの膜厚
をｈ、基体上を伝搬する弾性表面波の波長をλとした場
合に、規格化した膜厚ｋｈ（ただし、ｋ＝２π／λ）の
増大に伴い周波数の調整幅△ｆ／ｆも挿入損失の増加分
△ＬＯＳＳも増大する。特に２００ＭＨｚ以上の周波数
に適用させる弾性表面波装置を完成させるには、ｋｈ≦
０．１５の範囲内で絶縁膜を被着形成して周波数の調整
を行うとよいことが判明した。
をｈ、基体上を伝搬する弾性表面波の波長をλとした場
合に、規格化した膜厚ｋｈ（ただし、ｋ＝２π／λ）の
増大に伴い周波数の調整幅△ｆ／ｆも挿入損失の増加分
△ＬＯＳＳも増大する。特に２００ＭＨｚ以上の周波数
に適用させる弾性表面波装置を完成させるには、ｋｈ≦
０．１５の範囲内で絶縁膜を被着形成して周波数の調整
を行うとよいことが判明した。
【００１８】すなわち、一般に弾性表面波装置において
は４ｄＢ以下の挿入損失が望まれており、このような挿
入損失を維持するには、ｋｈ≦０．１５とするとよいの
である。また、挿入損失の増加分をさらに低い１．５ｄ
Ｂ以下に抑えるにはｋｈ≦０．０６とすればよく、この
範囲内においては、ｋｈ＝０．０１に対し、周波数を約
１１３０ｐｐｍ程度まで微調整することが可能となる。
なお、周波数の調整幅の限界は約８０ｐｐｍ程度であ
り、この場合のｋｈは図からも明らかなようにほぼ零の
近傍（０．００２）である。したがって、ｋｈの好適な
数値範囲は０．００２≦ｋｈ≦０．１５となる。
は４ｄＢ以下の挿入損失が望まれており、このような挿
入損失を維持するには、ｋｈ≦０．１５とするとよいの
である。また、挿入損失の増加分をさらに低い１．５ｄ
Ｂ以下に抑えるにはｋｈ≦０．０６とすればよく、この
範囲内においては、ｋｈ＝０．０１に対し、周波数を約
１１３０ｐｐｍ程度まで微調整することが可能となる。
なお、周波数の調整幅の限界は約８０ｐｐｍ程度であ
り、この場合のｋｈは図からも明らかなようにほぼ零の
近傍（０．００２）である。したがって、ｋｈの好適な
数値範囲は０．００２≦ｋｈ≦０．１５となる。
【００１９】〔実施例２〕次に、基体としてＬＢＯ、電
極パターンとしてＡｌ、絶縁膜としてＳｉＯ2 を用い、
実施例１と同様にして作製した弾性表面波装置におい
て、挿入損失及び周波数の調整幅を測定した結果と、Ｓ
ｉＯ2 を被着形成する前と後の周波数のばらつきについ
て説明する。
極パターンとしてＡｌ、絶縁膜としてＳｉＯ2 を用い、
実施例１と同様にして作製した弾性表面波装置におい
て、挿入損失及び周波数の調整幅を測定した結果と、Ｓ
ｉＯ2 を被着形成する前と後の周波数のばらつきについ
て説明する。
【００２０】図３に示すように、ＳｉＯ2 の膜厚に対す
る周波数の調整幅依存性、及び挿入損失の依存性も実施
例１と同様にして、ネットワークアナライザーの測定に
より調べた。
る周波数の調整幅依存性、及び挿入損失の依存性も実施
例１と同様にして、ネットワークアナライザーの測定に
より調べた。
【００２１】この図から明らかなように、絶縁膜がＳｉ
Ｏ2 の場合もＭｇＯの場合と同様に、ＳｉＯ2 の膜厚を
ｈ、基体上を伝搬する弾性表面波の波長をλとした場合
に、規格化膜厚ｋｈの増大に伴い周波数の調整幅△ｆ／
ｆも挿入損失の増加分△ＬＯＳＳも増大する傾向を示
し、２００ＭＨｚ以上の周波数に適用させる弾性表面波
装置を完成させるには、ｋｈ≦０．０４５（ただし、ｋ
＝２π／λ）の範囲内であれば挿入損失の増加分が４ｄ
Ｂ以下に抑えられることが判明した。さらに、挿入損失
の増加分を１．５ｄＢ以下に抑えるにはｋｈ≦０．０３
とすればよく、この範囲内においてはｋｈ＝０．０１に
対し、周波数を約２０００ｐｐｍ程度まで微調整するこ
とが可能となった。なお、絶縁膜がＳｉＯ2 の場合も周
波数の調整幅の下限は約８０ｐｐｍ程度であり、この場
合のｋｈは図からも明らかなようにほぼ零の近傍（ｋｈ
＝０．００２程度）である。
Ｏ2 の場合もＭｇＯの場合と同様に、ＳｉＯ2 の膜厚を
ｈ、基体上を伝搬する弾性表面波の波長をλとした場合
に、規格化膜厚ｋｈの増大に伴い周波数の調整幅△ｆ／
ｆも挿入損失の増加分△ＬＯＳＳも増大する傾向を示
し、２００ＭＨｚ以上の周波数に適用させる弾性表面波
装置を完成させるには、ｋｈ≦０．０４５（ただし、ｋ
＝２π／λ）の範囲内であれば挿入損失の増加分が４ｄ
Ｂ以下に抑えられることが判明した。さらに、挿入損失
の増加分を１．５ｄＢ以下に抑えるにはｋｈ≦０．０３
とすればよく、この範囲内においてはｋｈ＝０．０１に
対し、周波数を約２０００ｐｐｍ程度まで微調整するこ
とが可能となった。なお、絶縁膜がＳｉＯ2 の場合も周
波数の調整幅の下限は約８０ｐｐｍ程度であり、この場
合のｋｈは図からも明らかなようにほぼ零の近傍（ｋｈ
＝０．００２程度）である。
【００２２】次に、上記実施例に基づいて作製した弾性
表面波装置１７個について、ＳｉＯ2 を被着形成する前
の周波数のばらつき度合いを図４に示し、ＳｉＯ2 を被
着形成した後の周波数のばらつき度合いを図５に示す。
図４及び図５から明らかなように、電極パターン上にＳ
ｉＯ2 の被着形成後は被着形成前の平均周波数が２４
９．２７ＭＨｚから２４９．５３ＭＨｚとなり、適用で
きる周波数を増大させることができ、しかもばらつきが
きわめて少なくなった。
表面波装置１７個について、ＳｉＯ2 を被着形成する前
の周波数のばらつき度合いを図４に示し、ＳｉＯ2 を被
着形成した後の周波数のばらつき度合いを図５に示す。
図４及び図５から明らかなように、電極パターン上にＳ
ｉＯ2 の被着形成後は被着形成前の平均周波数が２４
９．２７ＭＨｚから２４９．５３ＭＨｚとなり、適用で
きる周波数を増大させることができ、しかもばらつきが
きわめて少なくなった。
【００２３】なお、本実施例では基体としてＬＢＯ、電
極パターンとしてＡｌ、絶縁膜としてＭｇＯやＳｉＯ2
を一例として示したが、これに限定されるものではな
く、基体としてＬＮやＬＴ等の各種圧電材料、電極パタ
ーンにＣｒ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ａｕ等の各種金
属やＡｌ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｕ等の各
種合金等を、絶縁膜としてＳｉ3 Ｎ4 等の窒化物、Ｍｇ
Ｆ2 やＣａＦ2 等のフッ化物、Ａｌ2 Ｏ3 等の酸化物の
各種無機物を用いることができ、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲内で適宜変更し実施し得る。
極パターンとしてＡｌ、絶縁膜としてＭｇＯやＳｉＯ2
を一例として示したが、これに限定されるものではな
く、基体としてＬＮやＬＴ等の各種圧電材料、電極パタ
ーンにＣｒ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ａｕ等の各種金
属やＡｌ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｕ等の各
種合金等を、絶縁膜としてＳｉ3 Ｎ4 等の窒化物、Ｍｇ
Ｆ2 やＣａＦ2 等のフッ化物、Ａｌ2 Ｏ3 等の酸化物の
各種無機物を用いることができ、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲内で適宜変更し実施し得る。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、本発明の弾性表面波装置
によれば、絶縁膜の被着形成はスパッタリング等の単純
な成膜法だけでよいので、従来の基体を溶解してグルー
ブを形成する方法と比較して極めて容易に所望の周波数
に適した弾性表面波装置を提供できる。
によれば、絶縁膜の被着形成はスパッタリング等の単純
な成膜法だけでよいので、従来の基体を溶解してグルー
ブを形成する方法と比較して極めて容易に所望の周波数
に適した弾性表面波装置を提供できる。
【００２５】また、絶縁膜の膜厚は極めて薄いので、弾
性表面波のエネルギーが分散されにくく、挿入損失や温
度特性の変化といった、圧電性を評価する基本特性にほ
とんど影響を与えることがない、特性の優れた弾性表面
波装置を提供できる。
性表面波のエネルギーが分散されにくく、挿入損失や温
度特性の変化といった、圧電性を評価する基本特性にほ
とんど影響を与えることがない、特性の優れた弾性表面
波装置を提供できる。
【００２６】さらに、電極パターンを含む基体上に絶縁
膜を被着形成させるので、耐環境特性を向上させた弾性
表面波装置を提供することができる。
膜を被着形成させるので、耐環境特性を向上させた弾性
表面波装置を提供することができる。
【図１】本発明に係る弾性表面波装置の一実施例を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２】絶縁膜をＭｇＯとした場合に、膜厚の挿入損失
依存性及び周波数の調整幅の依存性を説明するグラフ。
依存性及び周波数の調整幅の依存性を説明するグラフ。
【図３】絶縁膜をＳｉＯ2 とした場合に、膜厚の挿入損
失依存性及び周波数の調整幅の依存性を説明するグラ
フ。
失依存性及び周波数の調整幅の依存性を説明するグラ
フ。
【図４】ＳｉＯ2 を被着形成する前の周波数のばらつき
を説明するヒストグラム。
を説明するヒストグラム。
【図５】ＳｉＯ2 を被着形成した後の周波数のばらつき
を説明するヒストグラム。
を説明するヒストグラム。
【図６】従来の弾性表面波装置の一実施例を示す概略断
面図である。
面図である。
１ ・・・ 基体 ２ ・・・ 電極
パターン ３ ・・・ 絶縁膜
パターン ３ ・・・ 絶縁膜
Claims (1)
- 【請求項１】 圧電性の基体上に電気信号を弾性表面波
に変換する電極パターンを形成するとともに、該電極パ
ターンを含む基体上に絶縁膜を被着形成して成る弾性表
面波装置であって、前記絶縁膜はその膜厚をｈ、前記基
体上を伝搬する弾性表面波の波長をλとした場合に、下
記式（１）を満足することを特徴とする弾性表面波装
置。 ｋｈ≦０．１５ （ただし、ｋ＝２π／λ） ・・・ （１）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11939494A JPH07326942A (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11939494A JPH07326942A (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07326942A true JPH07326942A (ja) | 1995-12-12 |
Family
ID=14760418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11939494A Pending JPH07326942A (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07326942A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6580198B2 (en) | 1999-11-30 | 2003-06-17 | Tdk Corporation | Surface acoustic wave device having a thin metal oxide film fully covering at least the electrodes and method of fabricating same |
| CN112436816A (zh) * | 2020-12-03 | 2021-03-02 | 广东广纳芯科技有限公司 | 温度补偿型声表面波器件及其制造方法 |
-
1994
- 1994-05-31 JP JP11939494A patent/JPH07326942A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6580198B2 (en) | 1999-11-30 | 2003-06-17 | Tdk Corporation | Surface acoustic wave device having a thin metal oxide film fully covering at least the electrodes and method of fabricating same |
| CN112436816A (zh) * | 2020-12-03 | 2021-03-02 | 广东广纳芯科技有限公司 | 温度补偿型声表面波器件及其制造方法 |
| CN112436816B (zh) * | 2020-12-03 | 2024-04-09 | 广东广纳芯科技有限公司 | 温度补偿型声表面波器件及其制造方法 |
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