JP3405634B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波領域で好適に
使用される誘電体磁器組成物に関するもので、共振器、
コンデンサ、フィルタ等の電子部品またはそれらを内蔵
した基板、高周波集積回路（ＭＩＣ）用の配線基板等に
適する誘電体磁器組成物に関する。
使用される誘電体磁器組成物に関するもので、共振器、
コンデンサ、フィルタ等の電子部品またはそれらを内蔵
した基板、高周波集積回路（ＭＩＣ）用の配線基板等に
適する誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、移動体通信等の発展に伴う高周波
機器に使用する電子部品や基板として誘電体セラミック
スが広く利用されている。例えばＩＣ基板やハイブリッ
ド基板にはセラミックスが用いられており、小型、高密
度化を実現するために多層化が図られている。従来、こ
の多層基板用のセラミックス材料としては、アルミナ系
材料が用いられている。
機器に使用する電子部品や基板として誘電体セラミック
スが広く利用されている。例えばＩＣ基板やハイブリッ
ド基板にはセラミックスが用いられており、小型、高密
度化を実現するために多層化が図られている。従来、こ
の多層基板用のセラミックス材料としては、アルミナ系
材料が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アルミ
ナ系材料は１６００〜１７００℃という高温で焼成する
ため、内部に回路パターンを構成するための導体材料と
しては比抵抗の高いＷ、Ｍｏを用いなければならず、ま
た、高温で焼成するための設備と焼成のコストが高価に
なる等の問題があった。
ナ系材料は１６００〜１７００℃という高温で焼成する
ため、内部に回路パターンを構成するための導体材料と
しては比抵抗の高いＷ、Ｍｏを用いなければならず、ま
た、高温で焼成するための設備と焼成のコストが高価に
なる等の問題があった。
【０００４】
【発明の目的】本発明は上記課題に鑑み、１３５０℃以
下の低温で焼成可能で、かつ、高Ｑ値であり、高周波電
子部品や基板の小型化と高性能化を安価に実現できる誘
電体磁器組成物を提供することを目的とする。
下の低温で焼成可能で、かつ、高Ｑ値であり、高周波電
子部品や基板の小型化と高性能化を安価に実現できる誘
電体磁器組成物を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器組成
物は、金属元素として少なくともＭｇ、Ｔｉ、Ｂを含有
する複合酸化物からなる誘電体磁器組成物であって、Ｍ
ｇ ３ Ｔｉ（ＢＯ ３ ） ２ Ｏ ２ を主結晶相とするものであ
る。また、本発明の誘電体磁器組成物は、金属元素とし
てＭｇ、Ｔｉ、Ｂを含有する複合酸化物からなる誘電体
磁器組成物であって、これらの金属元素酸化物のモル比
による組成式をａＭｇＯ・ｂＴｉＯ２・ｃＢ２Ｏ３と表
した時、前記ａ、ｂ、ｃが、５５≦ａ≦６５、１５≦ｂ
≦２５、１５≦ｃ≦２５、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足す
るものである。
物は、金属元素として少なくともＭｇ、Ｔｉ、Ｂを含有
する複合酸化物からなる誘電体磁器組成物であって、Ｍ
ｇ ３ Ｔｉ（ＢＯ ３ ） ２ Ｏ ２ を主結晶相とするものであ
る。また、本発明の誘電体磁器組成物は、金属元素とし
てＭｇ、Ｔｉ、Ｂを含有する複合酸化物からなる誘電体
磁器組成物であって、これらの金属元素酸化物のモル比
による組成式をａＭｇＯ・ｂＴｉＯ２・ｃＢ２Ｏ３と表
した時、前記ａ、ｂ、ｃが、５５≦ａ≦６５、１５≦ｂ
≦２５、１５≦ｃ≦２５、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足す
るものである。
【０００６】
【作用】本発明の誘電体磁器組成物では、高Ｑ値で、か
つ低温焼結可能なＭｇ３Ｔｉ（ＢＯ３）２Ｏ２ を主結晶
相とするため、１３５０℃以下という低温で焼成可能
で、かつ、高Ｑ値であり、高周波電子部品や基板の小型
化と高性能化を安価に実現できる。
つ低温焼結可能なＭｇ３Ｔｉ（ＢＯ３）２Ｏ２ を主結晶
相とするため、１３５０℃以下という低温で焼成可能
で、かつ、高Ｑ値であり、高周波電子部品や基板の小型
化と高性能化を安価に実現できる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体磁器組成物は、Ｍ
ｇ ３ Ｔｉ（ＢＯ ３ ） ２ Ｏ ２ を主結晶相とするものであ
る。このような結晶相を主結晶相とするものであれば良
く、Ｍｇ３Ｔｉ（ＢＯ３）２Ｏ２の単独の結晶相からな
る組成物や、このＭｇ３Ｔｉ（ＢＯ３）２Ｏ２に他の結
晶相が含有するものも本発明の範囲内である。例えば、
Ｍｇ３Ｔｉ（ＢＯ３）２Ｏ２を含有する組成物に、他の
結晶相を含有する組成物と組み合わせて成るコンポジッ
トの形態においても優れた特性を示す。
ｇ ３ Ｔｉ（ＢＯ ３ ） ２ Ｏ ２ を主結晶相とするものであ
る。このような結晶相を主結晶相とするものであれば良
く、Ｍｇ３Ｔｉ（ＢＯ３）２Ｏ２の単独の結晶相からな
る組成物や、このＭｇ３Ｔｉ（ＢＯ３）２Ｏ２に他の結
晶相が含有するものも本発明の範囲内である。例えば、
Ｍｇ３Ｔｉ（ＢＯ３）２Ｏ２を含有する組成物に、他の
結晶相を含有する組成物と組み合わせて成るコンポジッ
トの形態においても優れた特性を示す。
【０００８】組み合わせる他の組成物としては例えばＣ
ａＴｉＯ3 −ＭｇＴｉＯ3 系、ＢａＯ−ＴｉＯ3 系、Ｚ
ｒＯ2 −ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 系、ＳｒＴｉＯ3 系、Ｂａ
ＺｒＯ3 系、ＳｒＳｎＯ3 系、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −希土
類系、ＢａＭｇ1/3 Ｔａ2/3Ｏ3 系、ＢａＭｇ1/3 Ｎｂ
2/3 Ｏ3 系、ＢａＺｎ1/3 Ｎｂ2/3 Ｏ3 系、ＢａＺｎ
1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 系等がある。
ａＴｉＯ3 −ＭｇＴｉＯ3 系、ＢａＯ−ＴｉＯ3 系、Ｚ
ｒＯ2 −ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 系、ＳｒＴｉＯ3 系、Ｂａ
ＺｒＯ3 系、ＳｒＳｎＯ3 系、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −希土
類系、ＢａＭｇ1/3 Ｔａ2/3Ｏ3 系、ＢａＭｇ1/3 Ｎｂ
2/3 Ｏ3 系、ＢａＺｎ1/3 Ｎｂ2/3 Ｏ3 系、ＢａＺｎ
1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 系等がある。
【０００９】本発明の誘電体磁器組成物では、Ｍｇ３Ｔ
ｉ（ＢＯ３）２Ｏ２からなる結晶相と他の結晶相が存在
していても良いが、Ｍｇ３Ｔｉ（ＢＯ３）２Ｏ２が主結
晶相である必要があり、さらにＭｇ３Ｔｉ（ＢＯ３）２
Ｏ２単独からなることが最も望ましい。
ｉ（ＢＯ３）２Ｏ２からなる結晶相と他の結晶相が存在
していても良いが、Ｍｇ３Ｔｉ（ＢＯ３）２Ｏ２が主結
晶相である必要があり、さらにＭｇ３Ｔｉ（ＢＯ３）２
Ｏ２単独からなることが最も望ましい。
【００１０】また、本発明の誘電体磁器組成物は、モル
比による組成式をａＭｇＯ・ｂＴｉＯ2 ・ｃＢ2 Ｏ3 と
表した時、ａ、ｂ、ｃが、５５≦ａ≦６５、１５≦ｂ≦
２５、１５≦ｃ≦２５、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する
ものである。
比による組成式をａＭｇＯ・ｂＴｉＯ2 ・ｃＢ2 Ｏ3 と
表した時、ａ、ｂ、ｃが、５５≦ａ≦６５、１５≦ｂ≦
２５、１５≦ｃ≦２５、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する
ものである。
【００１１】ここで、上記組成式において、５５≦ａ≦
６５、１５≦ｂ≦２５、１５≦ｃ≦２５としたのは、
ａ、ｂ、ｃいずれもこの範囲を外れるとＱｆ値が低下す
る（Ｑｆ＜１００００）からである。Ｑｆ値がより高い
という観点から、Ｑｆ値が１５０００以上の特性を有す
る５６．２５≦ａ≦６５、１７．５≦ｂ≦２５、１７．
５≦ｃ≦２５の範囲が望ましく、Ｑｆ値が２００００以
上の特性を有する５８．１２≦ａ≦６２．５、１８．７
５≦ｂ≦２２．５、１８．７５≦ｃ≦２２．５の範囲が
最も望ましい。
６５、１５≦ｂ≦２５、１５≦ｃ≦２５としたのは、
ａ、ｂ、ｃいずれもこの範囲を外れるとＱｆ値が低下す
る（Ｑｆ＜１００００）からである。Ｑｆ値がより高い
という観点から、Ｑｆ値が１５０００以上の特性を有す
る５６．２５≦ａ≦６５、１７．５≦ｂ≦２５、１７．
５≦ｃ≦２５の範囲が望ましく、Ｑｆ値が２００００以
上の特性を有する５８．１２≦ａ≦６２．５、１８．７
５≦ｂ≦２２．５、１８．７５≦ｃ≦２２．５の範囲が
最も望ましい。
【００１２】本発明の誘電体磁器組成物は、不可避不純
物としてＺｒを含有する場合がある。また、Ａｌ，Ｓ
ｉ，Ｐ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｃａを添加しても良い。
物としてＺｒを含有する場合がある。また、Ａｌ，Ｓ
ｉ，Ｐ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｃａを添加しても良い。
【００１３】本発明の誘電体磁器組成物は、例えば、Ｍ
ｇＣＯ3 、ＴｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 の各原料粉末を所定量に
秤量し、該原料粉末を混合粉砕した後、大気中等の酸化
性雰囲気において７００〜１２００℃で０．５〜４時間
仮焼する。得られた仮焼物を粉砕し、この後、プレス成
形やドクターブレード法等の周知の方法により所定形状
に成形し、該成形体を大気中等の酸化性雰囲気あるいは
窒素雰囲気にて９００〜１３５０℃の範囲で０．５〜４
時間焼成することにより得られる。
ｇＣＯ3 、ＴｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 の各原料粉末を所定量に
秤量し、該原料粉末を混合粉砕した後、大気中等の酸化
性雰囲気において７００〜１２００℃で０．５〜４時間
仮焼する。得られた仮焼物を粉砕し、この後、プレス成
形やドクターブレード法等の周知の方法により所定形状
に成形し、該成形体を大気中等の酸化性雰囲気あるいは
窒素雰囲気にて９００〜１３５０℃の範囲で０．５〜４
時間焼成することにより得られる。
【００１４】本発明の誘電体磁器組成物は、誘電体磁器
と、該誘電体磁器の内部および／または表面に形成され
た導体とを具備する電子部品や基板において、前記誘電
体磁器として用いることができ、導体としてＡｇ，Ｃ
ｕ，Ａｕ，Ｎｉおよびこれらを含む合金を主成分とする
ものを使用できる。電子部品としては、共振器、コンデ
ンサ、フィルタ、インダクタ等があり、基板としては、
前記電子部品を内蔵した基板等がある。特に高周波用途
に適した電子部品や基板に最適である。導体としては、
導通抵抗がより低いという点からＡｇおよびＣｕが最も
望ましい。
と、該誘電体磁器の内部および／または表面に形成され
た導体とを具備する電子部品や基板において、前記誘電
体磁器として用いることができ、導体としてＡｇ，Ｃ
ｕ，Ａｕ，Ｎｉおよびこれらを含む合金を主成分とする
ものを使用できる。電子部品としては、共振器、コンデ
ンサ、フィルタ、インダクタ等があり、基板としては、
前記電子部品を内蔵した基板等がある。特に高周波用途
に適した電子部品や基板に最適である。導体としては、
導通抵抗がより低いという点からＡｇおよびＣｕが最も
望ましい。
【００１５】
実施例１
先ず、純度９９％以上のＭｇＣＯ3 、ＴｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ
3 の各原料粉末を表１に示す割合で秤量し、該原料粉末
に媒体として純粋を加えて２０時間ＺｒＯ2 ボールを用
いたボールミルにて混合、平均粒径を１μｍ程度に粉砕
した後、該混合・粉砕物を乾燥した。次に該乾燥物を解
砕した後、７００〜８５０℃で２時間仮焼した。
3 の各原料粉末を表１に示す割合で秤量し、該原料粉末
に媒体として純粋を加えて２０時間ＺｒＯ2 ボールを用
いたボールミルにて混合、平均粒径を１μｍ程度に粉砕
した後、該混合・粉砕物を乾燥した。次に該乾燥物を解
砕した後、７００〜８５０℃で２時間仮焼した。
【００１６】得られた仮焼物をＺｒＯ2 ボールを用いた
ボールミルにて２０時間粉砕した後、バインダーとして
ポリビニルアルコールを１重量％加えてから造粒し、該
造粒物を約１ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力でプレス成形して直
径１０ｍｍ、高さ５〜８ｍｍの円柱形状の成形体を得
た。その後、前記成形体を大気中にて表１に示す温度で
２時間焼成した。得られた磁器の両端面を平面研磨し、
直径約８ｍｍ、高さ約３．５〜６ｍｍの円柱状の誘電体
特性評価用試料を作製した。
ボールミルにて２０時間粉砕した後、バインダーとして
ポリビニルアルコールを１重量％加えてから造粒し、該
造粒物を約１ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力でプレス成形して直
径１０ｍｍ、高さ５〜８ｍｍの円柱形状の成形体を得
た。その後、前記成形体を大気中にて表１に示す温度で
２時間焼成した。得られた磁器の両端面を平面研磨し、
直径約８ｍｍ、高さ約３．５〜６ｍｍの円柱状の誘電体
特性評価用試料を作製した。
【００１７】誘電特性の評価は、前記評価用試料を用い
て誘電体円柱共振器法により、共振周波数１０〜１３Ｇ
Ｈｚで比誘電率εｒとＱ値を測定するとともに、−４０
〜＋８５℃の範囲における共振周波数の温度係数τｆを
測定した。なおＱ値は１ＧＨｚでのＱ値（Ｑ×ｆ（ｆは
測定周波数））に換算した。また、共振周波数の温度係
数τｆは、２５℃での共振周波数を基準にして−４０℃
および＋８５℃における共振周波数の温度係数τｆを算
出した結果、すべての試料について共振周波数の温度係
数τｆが±６０ｐｐｍ／℃の範囲内であった。また、試
料の結晶相をＸ線回折測定（ＸＲＤ）により同定した。
表１において試料Ｎo.１はＭｇ3 Ｔｉ（ＢＯ3 ）2 Ｏ2
からなる組成物であり、試料Ｎo.２〜１０はＭｇ3 Ｔｉ
（ＢＯ3）2 Ｏ2 が主結晶であった。この結果を表１に
記す。
て誘電体円柱共振器法により、共振周波数１０〜１３Ｇ
Ｈｚで比誘電率εｒとＱ値を測定するとともに、−４０
〜＋８５℃の範囲における共振周波数の温度係数τｆを
測定した。なおＱ値は１ＧＨｚでのＱ値（Ｑ×ｆ（ｆは
測定周波数））に換算した。また、共振周波数の温度係
数τｆは、２５℃での共振周波数を基準にして−４０℃
および＋８５℃における共振周波数の温度係数τｆを算
出した結果、すべての試料について共振周波数の温度係
数τｆが±６０ｐｐｍ／℃の範囲内であった。また、試
料の結晶相をＸ線回折測定（ＸＲＤ）により同定した。
表１において試料Ｎo.１はＭｇ3 Ｔｉ（ＢＯ3 ）2 Ｏ2
からなる組成物であり、試料Ｎo.２〜１０はＭｇ3 Ｔｉ
（ＢＯ3）2 Ｏ2 が主結晶であった。この結果を表１に
記す。
【００１８】
【表１】
【００１９】この表１によれば、本発明の誘電体磁器組
成物では、比誘電率εr が８〜１４、Ｑｆ値が７０００
以上の優れた特性を有することが判る。特に、結晶相が
Ｍｇ3 Ｔｉ（ＢＯ3 ）2 Ｏ2 からなる試料Ｎo.１ではＱ
ｆ値が２５０００であり、Ｍｇ3 Ｔｉ（ＢＯ3 ）2 Ｏ2
が主結晶である試料Ｎo.２〜１０は比誘電率εr が８〜
１２、Ｑｆ値が１２０００以上の優れた特性を有するこ
とが判る。
成物では、比誘電率εr が８〜１４、Ｑｆ値が７０００
以上の優れた特性を有することが判る。特に、結晶相が
Ｍｇ3 Ｔｉ（ＢＯ3 ）2 Ｏ2 からなる試料Ｎo.１ではＱ
ｆ値が２５０００であり、Ｍｇ3 Ｔｉ（ＢＯ3 ）2 Ｏ2
が主結晶である試料Ｎo.２〜１０は比誘電率εr が８〜
１２、Ｑｆ値が１２０００以上の優れた特性を有するこ
とが判る。
【００２０】実施例２
先ず、純度９９％以上のＭｇＴｉＯ3 を９２重量％と、
純度９９％以上のＣａＴｉＯ3 を８重量％の混合原料粉
末に媒体として純水を加えて、２４時間ＺｒＯ2 ボール
を用いたボールミルにて混合した後、該混合物を乾燥
し、次いで該乾燥物を大気中において１２００℃の温度
で１時間仮焼した。
純度９９％以上のＣａＴｉＯ3 を８重量％の混合原料粉
末に媒体として純水を加えて、２４時間ＺｒＯ2 ボール
を用いたボールミルにて混合した後、該混合物を乾燥
し、次いで該乾燥物を大気中において１２００℃の温度
で１時間仮焼した。
【００２１】得られた仮焼物１００重量部に対してＢ2
Ｏ3 粉末を１３重量部、Ｌｉ2 ＣＯ3 粉末を７．５重量
部添加し、ボールミルにて２４時間、混合した後、バイ
ンダーとしてポリビニルアルコールを１重量％加えてか
ら造粒し、該造粒物を約１ｔ／ｃｍ2 の加圧力でプレス
成形して直径約１２ｍｍ、高さ１０ｍｍの円柱状の成形
体を成形した。
Ｏ3 粉末を１３重量部、Ｌｉ2 ＣＯ3 粉末を７．５重量
部添加し、ボールミルにて２４時間、混合した後、バイ
ンダーとしてポリビニルアルコールを１重量％加えてか
ら造粒し、該造粒物を約１ｔ／ｃｍ2 の加圧力でプレス
成形して直径約１２ｍｍ、高さ１０ｍｍの円柱状の成形
体を成形した。
【００２２】その後、前記成形体を大気中、４００℃の
温度で４時間加熱して脱バインダー処理し、引き続いて
大気中において９００℃で６０分間焼成した。かくして
得られた円柱体の両端面を平面研磨し、直径約９ｍｍ、
高さ約５ｍｍの円柱状の誘電体特性評価用試料を作製し
た。
温度で４時間加熱して脱バインダー処理し、引き続いて
大気中において９００℃で６０分間焼成した。かくして
得られた円柱体の両端面を平面研磨し、直径約９ｍｍ、
高さ約５ｍｍの円柱状の誘電体特性評価用試料を作製し
た。
【００２３】誘電体特性の評価を上記実施例１と同様に
して求めたところ、比誘電率εｒが２０、Ｑｆが３２０
００、かつ共振周波数の温度係数τｆが±６０以内の優
れた特性を有することを確認した。また、試料の結晶相
をＸ線回折測定（ＸＲＤ）により確認した。Ｘ線回折パ
ターンを図１に示す。この図１から試料にはＭｇ3 Ｔｉ
（ＢＯ3 ）2 Ｏ2 なる結晶相を含む誘電体磁器組成物で
あることが判る。
して求めたところ、比誘電率εｒが２０、Ｑｆが３２０
００、かつ共振周波数の温度係数τｆが±６０以内の優
れた特性を有することを確認した。また、試料の結晶相
をＸ線回折測定（ＸＲＤ）により確認した。Ｘ線回折パ
ターンを図１に示す。この図１から試料にはＭｇ3 Ｔｉ
（ＢＯ3 ）2 Ｏ2 なる結晶相を含む誘電体磁器組成物で
あることが判る。
【００２４】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物では、９００
〜１３５０℃の比較的低温でＡｇ系やＣｕ系、Ａｕ系等
の導体金属と同時に焼成でき、Ｑ値が高い等の特徴を有
し、高周波電子部品の小型化と高性能化を安価に実現で
きる。
〜１３５０℃の比較的低温でＡｇ系やＣｕ系、Ａｕ系等
の導体金属と同時に焼成でき、Ｑ値が高い等の特徴を有
し、高周波電子部品の小型化と高性能化を安価に実現で
きる。
【図１】実施例２の試料のＸ線回折パターンを示す図で
ある。
ある。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C04B 35/42 - 35/50
ＣＡ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (2)
- 【請求項１】金属元素として少なくともＭｇ、Ｔｉ、Ｂ
を含有する複合酸化物からなる誘電体磁器組成物であっ
て、Ｍｇ ３ Ｔｉ（ＢＯ ３ ） ２ Ｏ ２ を主結晶相とすること
を特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】金属元素としてＭｇ、Ｔｉ、Ｂを含有する
複合酸化物からなる誘電体磁器組成物であって、これら
の金属元素酸化物のモル比による組成式を ａＭｇＯ・ｂＴｉＯ２・ｃＢ２Ｏ３ と表した時、前記ａ、ｂ、ｃが ５５≦ａ≦６５ １５≦ｂ≦２５ １５≦ｃ≦２５ ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ を満足することを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13517996A JP3405634B2 (ja) | 1996-05-29 | 1996-05-29 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13517996A JP3405634B2 (ja) | 1996-05-29 | 1996-05-29 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09315853A JPH09315853A (ja) | 1997-12-09 |
| JP3405634B2 true JP3405634B2 (ja) | 2003-05-12 |
Family
ID=15145690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13517996A Expired - Fee Related JP3405634B2 (ja) | 1996-05-29 | 1996-05-29 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3405634B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001284807A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Kyocera Corp | 回路基板 |
-
1996
- 1996-05-29 JP JP13517996A patent/JP3405634B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09315853A (ja) | 1997-12-09 |
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