JP3523413B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波領域で
好適に使用されるとともに、低温焼成可能な誘電体磁器
組成物、特に、共振器，コンデンサ，フィルタ等の電子
部品またはそれらを内蔵した基板など内部導体を有する
基板や電子部品に適する誘電体磁器組成物に関するもの
である。
好適に使用されるとともに、低温焼成可能な誘電体磁器
組成物、特に、共振器，コンデンサ，フィルタ等の電子
部品またはそれらを内蔵した基板など内部導体を有する
基板や電子部品に適する誘電体磁器組成物に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来より誘電体材料として各種誘電体セ
ラミックスが、共振器，コンデンサ，フィルタまたはそ
れらを内蔵した基板など内部導体を有する電子部品に広
く使用されており、近年、携帯電話に代表される移動体
通信等の高周波機器の発展と普及に伴い、高周波領域で
使用する電子部品として誘電体セラミックスが積極的に
利用されるようになってきた。
ラミックスが、共振器，コンデンサ，フィルタまたはそ
れらを内蔵した基板など内部導体を有する電子部品に広
く使用されており、近年、携帯電話に代表される移動体
通信等の高周波機器の発展と普及に伴い、高周波領域で
使用する電子部品として誘電体セラミックスが積極的に
利用されるようになってきた。
【０００３】前記誘電体セラミックスと導体とを同時焼
成するに際しては、印刷された内部導体が誘電体セラミ
ックスの焼成温度で溶融することがないように、該導体
には、アルミナ，ステアタイト，フォルステライト等の
誘電体セラミックスの焼成温度よりも高い融点を有す
る、例えばＷ，Ｍｏ等の金属が用いられていた。
成するに際しては、印刷された内部導体が誘電体セラミ
ックスの焼成温度で溶融することがないように、該導体
には、アルミナ，ステアタイト，フォルステライト等の
誘電体セラミックスの焼成温度よりも高い融点を有す
る、例えばＷ，Ｍｏ等の金属が用いられていた。
【０００４】しかしながら、前記金属は導通抵抗が大き
いことから、従来の電子部品では、共振回路のＱ値が小
さくなってしまい、導体線路の伝送損失が大きくなる等
の問題があった。
いことから、従来の電子部品では、共振回路のＱ値が小
さくなってしまい、導体線路の伝送損失が大きくなる等
の問題があった。
【０００５】そこで係る問題を解消するために導通抵抗
の小さいＡｇ系，Ｃｕ系およびＡｕ系等の金属を導体と
して採用し、低温で同時焼成できる誘電体セラミックス
が種々提案されている。更に、最近の高周波用電子部品
に対する小型化と高性能化の要求に応えるために、特定
の周波数領域で適切な比誘電率εｒを有する誘電体セラ
ミックスを用いることにより共振回路やインダクタンス
の小型化を可能とし、また、誘電体セラミックスのＱ値
を高くすることにより、共振回路のＱ値も高くすること
ができて低損失となることから、各種の複合誘電体が提
案されている。
の小さいＡｇ系，Ｃｕ系およびＡｕ系等の金属を導体と
して採用し、低温で同時焼成できる誘電体セラミックス
が種々提案されている。更に、最近の高周波用電子部品
に対する小型化と高性能化の要求に応えるために、特定
の周波数領域で適切な比誘電率εｒを有する誘電体セラ
ミックスを用いることにより共振回路やインダクタンス
の小型化を可能とし、また、誘電体セラミックスのＱ値
を高くすることにより、共振回路のＱ値も高くすること
ができて低損失となることから、各種の複合誘電体が提
案されている。
【０００６】従来、例えば、特開平４−２９２４６０号
公報に開示された誘電体磁器組成物は、アノーサイト−
チタン酸カルシウム系のガラスとＴｉＯ2 からなるもの
で、低温焼成できるため導体としてＡｇやＣｕ等の金属
と同時焼成できるものであった。
公報に開示された誘電体磁器組成物は、アノーサイト−
チタン酸カルシウム系のガラスとＴｉＯ2 からなるもの
で、低温焼成できるため導体としてＡｇやＣｕ等の金属
と同時焼成できるものであった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
４−２９２４６０号公報に開示された誘電体磁器組成物
では、Ｑ値が低いため高周波電子部品、共振回路のＱ値
が低いものであった。
４−２９２４６０号公報に開示された誘電体磁器組成物
では、Ｑ値が低いため高周波電子部品、共振回路のＱ値
が低いものであった。
【０００８】一方、ＣａＯ・ＺｒＯ2 で表される高Ｑ値
の誘電体磁器組成物が従来から知られているが、この組
成系では、焼成温度が１５００℃程度であったため、内
部導体も焼成温度よりも高い融点を有する、例えばＷ，
Ｍｏ等の金属を使用する必要があり、上記したように、
共振回路のＱ値が小さくなってしまい、導体線路の伝送
損失が大きくなる等の問題があった。
の誘電体磁器組成物が従来から知られているが、この組
成系では、焼成温度が１５００℃程度であったため、内
部導体も焼成温度よりも高い融点を有する、例えばＷ，
Ｍｏ等の金属を使用する必要があり、上記したように、
共振回路のＱ値が小さくなってしまい、導体線路の伝送
損失が大きくなる等の問題があった。
【０００９】
【発明の目的】本発明は上記課題に鑑みなされたもの
で、９００〜１２００℃程度の比較的低温でＡｇ系やＣ
ｕ系、Ａｕ系等の導体金属と同時に焼成でき、誘電体セ
ラミックスの比誘電率εｒを使用周波数に適したものを
選べ、かつＱ値が高い等の特徴を有し、高周波電子部品
や基板の小型化と高性能化を実現できる誘電体磁器組成
物を提供することを目的とする。
で、９００〜１２００℃程度の比較的低温でＡｇ系やＣ
ｕ系、Ａｕ系等の導体金属と同時に焼成でき、誘電体セ
ラミックスの比誘電率εｒを使用周波数に適したものを
選べ、かつＱ値が高い等の特徴を有し、高周波電子部品
や基板の小型化と高性能化を実現できる誘電体磁器組成
物を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器組成
物は、金属元素として少なくともＣａ，Ｚｒを含有する
複合酸化物であって、これらのモル比による組成式をｘ
ＣａＯ・ＺｒＯ２と表した時、前記ｘが０．８７≦ｘ≦
１．３６を満足する主成分１００重量部に対して、硼素
含有化合物をＢ２Ｏ３換算でａ重量部、アルカリ金属炭
酸塩をアルカリ金属炭酸塩換算でｂ重量部の範囲で添加
含有してなり、かつ、前記ａ，ｂが０≦ａ≦３０、０＜
ｂ≦２０、１．５≦ａ＋ｂを満足するものである。ここ
で、前記ａ，ｂが、０≦ａ≦２０、０＜ｂ≦１０、１．
５≦ａ＋ｂを満足することが望ましい。
物は、金属元素として少なくともＣａ，Ｚｒを含有する
複合酸化物であって、これらのモル比による組成式をｘ
ＣａＯ・ＺｒＯ２と表した時、前記ｘが０．８７≦ｘ≦
１．３６を満足する主成分１００重量部に対して、硼素
含有化合物をＢ２Ｏ３換算でａ重量部、アルカリ金属炭
酸塩をアルカリ金属炭酸塩換算でｂ重量部の範囲で添加
含有してなり、かつ、前記ａ，ｂが０≦ａ≦３０、０＜
ｂ≦２０、１．５≦ａ＋ｂを満足するものである。ここ
で、前記ａ，ｂが、０≦ａ≦２０、０＜ｂ≦１０、１．
５≦ａ＋ｂを満足することが望ましい。
【００１１】
【００１２】
【作用】本発明の誘電体磁器組成物では、９００〜１２
００℃程度の比較的低温でＡｇ系やＣｕ系、Ａｕ系等の
導体金属と同時に焼成でき、誘電体セラミックスの比誘
電率εｒを使用周波数に適したものを選べ、かつＱ値が
高い等の特徴を有し、高周波電子部品や基板の小型化と
高性能化を実現できる。
００℃程度の比較的低温でＡｇ系やＣｕ系、Ａｕ系等の
導体金属と同時に焼成でき、誘電体セラミックスの比誘
電率εｒを使用周波数に適したものを選べ、かつＱ値が
高い等の特徴を有し、高周波電子部品や基板の小型化と
高性能化を実現できる。
【００１３】そして、本発明においては、硼素含有化合
物および／またはアルカリ金属炭酸塩を添加したのは焼
成温度を低下させることができるからである。しかしな
がら、硼素含有化合物を単独で含有する場合ある一定量
を越えると焼成時等の高温下で主成分のＣａＯ−ＺｒＯ
２からなる高Ｑ値の結晶相と反応するので、配合量が多
すぎた場合は、焼成後において未反応のＣａＯ−ＺｒＯ
２からなる高Ｑ値の結晶相の残存量が少なくなり、高い
Ｑ値を維持することができない。
物および／またはアルカリ金属炭酸塩を添加したのは焼
成温度を低下させることができるからである。しかしな
がら、硼素含有化合物を単独で含有する場合ある一定量
を越えると焼成時等の高温下で主成分のＣａＯ−ＺｒＯ
２からなる高Ｑ値の結晶相と反応するので、配合量が多
すぎた場合は、焼成後において未反応のＣａＯ−ＺｒＯ
２からなる高Ｑ値の結晶相の残存量が少なくなり、高い
Ｑ値を維持することができない。
【００１４】硼素含有化合物の添加による組成物の焼結
温度低下効果と焼成後の磁器組成物の誘電特性向上効果
とは背反関係にあり、硼素含有化合物のみを添加した組
成物では、低い焼結温度と高いＱ値等の優れた誘電特性
とを共に備えた組成物を得ることが困難である。
温度低下効果と焼成後の磁器組成物の誘電特性向上効果
とは背反関係にあり、硼素含有化合物のみを添加した組
成物では、低い焼結温度と高いＱ値等の優れた誘電特性
とを共に備えた組成物を得ることが困難である。
【００１５】一方、主成分にＬｉ，Ｎａ等のアルカリ金
属炭酸塩のみを添加した場合には、高Ｑ値を維持したま
ま組成物の焼結温度を充分に低下させることができな
い。
属炭酸塩のみを添加した場合には、高Ｑ値を維持したま
ま組成物の焼結温度を充分に低下させることができな
い。
【００１６】本発明では、硼素含有化合物とアルカリ金
属炭酸塩とを、各々特定量比で組み合わせ添加含有する
ことが望ましいが、これは硼素含有化合物とＣａＯ−Ｚ
ｒＯ２からなる高Ｑ値の結晶相との過度の反応が抑制さ
れ、かつ、硼素含有化合物のみの添加の場合と比較して
さらに焼結温度を低下させることができると同時に、高
Ｑ値を達成できるため、Ａｇを主成分とする金属導体と
の同時焼成が可能となるからである。
属炭酸塩とを、各々特定量比で組み合わせ添加含有する
ことが望ましいが、これは硼素含有化合物とＣａＯ−Ｚ
ｒＯ２からなる高Ｑ値の結晶相との過度の反応が抑制さ
れ、かつ、硼素含有化合物のみの添加の場合と比較して
さらに焼結温度を低下させることができると同時に、高
Ｑ値を達成できるため、Ａｇを主成分とする金属導体と
の同時焼成が可能となるからである。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体磁器組成物は、モ
ル比による組成式をｘＣａＯ・ＺｒＯ２と表した時、ｘ
が０．８７≦ｘ≦１．３６を満足する主成分１００重量
部に対して、硼素含有化合物をＢ２Ｏ３換算でａ重量
部、アルカリ金属炭酸塩をアルカリ金属炭酸塩換算でｂ
重量部の範囲で添加含有してなり、かつ、前記ａ，ｂが
０≦ａ≦３０、０＜ｂ≦２０、１．５≦ａ＋ｂを満足す
るものである。
ル比による組成式をｘＣａＯ・ＺｒＯ２と表した時、ｘ
が０．８７≦ｘ≦１．３６を満足する主成分１００重量
部に対して、硼素含有化合物をＢ２Ｏ３換算でａ重量
部、アルカリ金属炭酸塩をアルカリ金属炭酸塩換算でｂ
重量部の範囲で添加含有してなり、かつ、前記ａ，ｂが
０≦ａ≦３０、０＜ｂ≦２０、１．５≦ａ＋ｂを満足す
るものである。
【００１８】ここで、上記組成式において、０．８７≦
ｘ≦１．３６としたのは、ｘが０．８７未満の場合には
Ｑｆ値が低下（２０００未満）し、ｘが１．３６を越え
る場合には１２００℃以下では焼結しなくなるからであ
る。とりわけ低温焼結と高Ｑｆ値の観点からは０．９５
≦ｘ≦１．２８が好ましい。
ｘ≦１．３６としたのは、ｘが０．８７未満の場合には
Ｑｆ値が低下（２０００未満）し、ｘが１．３６を越え
る場合には１２００℃以下では焼結しなくなるからであ
る。とりわけ低温焼結と高Ｑｆ値の観点からは０．９５
≦ｘ≦１．２８が好ましい。
【００１９】本発明では、硼素含有化合物および／また
はアルカリ金属炭酸塩を添加したのは高Ｑ値を維持した
まま焼成温度を低下させることができるからであり、こ
れらの合量ａ＋ｂが１．５重量部よりも少ない場合には
１２００℃では焼結せず、一方、硼素含有化合物の量ａ
が３０重量部よりも多くなる場合やアルカリ金属炭酸塩
の量ｂが２０重量部よりも多くなる場合には、Ｑｆ値が
２０００未満に低下するからである。
はアルカリ金属炭酸塩を添加したのは高Ｑ値を維持した
まま焼成温度を低下させることができるからであり、こ
れらの合量ａ＋ｂが１．５重量部よりも少ない場合には
１２００℃では焼結せず、一方、硼素含有化合物の量ａ
が３０重量部よりも多くなる場合やアルカリ金属炭酸塩
の量ｂが２０重量部よりも多くなる場合には、Ｑｆ値が
２０００未満に低下するからである。
【００２０】本発明の望ましい第１の態様は、硼素含有
化合物の量ａおよびアルカリ金属炭酸塩ｂは、０≦ａ≦
２０、０＜ｂ≦１０、１．５≦ａ＋ｂを満足することが
望ましい。これは、この範囲内であれば、Ｑｆ値を４０
００以上とできるとともに、１２００℃以下で焼結でき
るからである。
化合物の量ａおよびアルカリ金属炭酸塩ｂは、０≦ａ≦
２０、０＜ｂ≦１０、１．５≦ａ＋ｂを満足することが
望ましい。これは、この範囲内であれば、Ｑｆ値を４０
００以上とできるとともに、１２００℃以下で焼結でき
るからである。
【００２１】本発明の望ましい第２の態様は、組成式を
ｘＣａＯ・ＺｒＯ２と表した時のｘが０．９５≦ｘ≦
１．２８、硼素含有化合物の量ａおよびアルカリ金属炭
酸塩ｂは、０＜ａ≦１５、０＜ｂ≦７．５、１．５≦ａ
＋ｂを満足することが望ましい。この範囲内であれば、
Ｑｆ値を８０００以上とできるとともに、１０７０℃以
下で焼結できるからである。
ｘＣａＯ・ＺｒＯ２と表した時のｘが０．９５≦ｘ≦
１．２８、硼素含有化合物の量ａおよびアルカリ金属炭
酸塩ｂは、０＜ａ≦１５、０＜ｂ≦７．５、１．５≦ａ
＋ｂを満足することが望ましい。この範囲内であれば、
Ｑｆ値を８０００以上とできるとともに、１０７０℃以
下で焼結できるからである。
【００２２】本発明の望ましい第３の態様は、組成式を
ｘＣａＯ・ＺｒＯ２と表した時のｘが０．９５≦ｘ≦
１．２８、硼素含有化合物の量ａおよびアルカリ金属炭
酸塩ｂは、０．１≦ａ≦１０、２．５≦ｂ≦７．５を満
足することが望ましい。この範囲内であれば、Ｑｆ値が
１３０００以上とできるとともに、９５０℃以下で焼結
できるからである。このように、硼素含有化合物とアル
カリ金属炭酸塩とを同時に含有することにより、Ｑｆ値
の向上と低温焼成化をともに実現することができる。
ｘＣａＯ・ＺｒＯ２と表した時のｘが０．９５≦ｘ≦
１．２８、硼素含有化合物の量ａおよびアルカリ金属炭
酸塩ｂは、０．１≦ａ≦１０、２．５≦ｂ≦７．５を満
足することが望ましい。この範囲内であれば、Ｑｆ値が
１３０００以上とできるとともに、９５０℃以下で焼結
できるからである。このように、硼素含有化合物とアル
カリ金属炭酸塩とを同時に含有することにより、Ｑｆ値
の向上と低温焼成化をともに実現することができる。
【００２３】硼素含有化合物としては、金属硼素，Ｂ２
Ｏ３，コレマナイト，ＣａＢ２Ｏ４等がある。アルカリ
金属としては、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋがあり、とくに高Ｑ値、
低温焼成化のためにはＬｉが望ましい。
Ｏ３，コレマナイト，ＣａＢ２Ｏ４等がある。アルカリ
金属としては、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋがあり、とくに高Ｑ値、
低温焼成化のためにはＬｉが望ましい。
【００２４】本発明の誘電体磁器組成物は、誘電体磁器
と、該誘電体磁器の内部および／または表面に形成され
た導体とを具備する電子部品や基板において、前記誘電
体磁器として用いることができ、望ましい第１の態様で
は導体としてＡｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉおよびこれらを含
む合金を、望ましい第２の態様では導体としてＡｇ，Ｃ
ｕ，Ａｕおよびこれらを含む合金を、望ましい第３の態
様では導体としてＡｇを主成分とするものを使用でき
る。
と、該誘電体磁器の内部および／または表面に形成され
た導体とを具備する電子部品や基板において、前記誘電
体磁器として用いることができ、望ましい第１の態様で
は導体としてＡｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉおよびこれらを含
む合金を、望ましい第２の態様では導体としてＡｇ，Ｃ
ｕ，Ａｕおよびこれらを含む合金を、望ましい第３の態
様では導体としてＡｇを主成分とするものを使用でき
る。
【００２５】本発明の誘電体磁器組成物を使用できる電
子部品としては、共振器、コンデンサ、フィルタ、イン
ダクタ等があり、基板としては、前記電子部品を内蔵し
た基板等がある。特に高周波用途に適した電子部品や基
板に最適である。導体としては、導通抵抗がより低いと
いう点からＡｇおよびＣｕが最も望ましい。
子部品としては、共振器、コンデンサ、フィルタ、イン
ダクタ等があり、基板としては、前記電子部品を内蔵し
た基板等がある。特に高周波用途に適した電子部品や基
板に最適である。導体としては、導通抵抗がより低いと
いう点からＡｇおよびＣｕが最も望ましい。
【００２６】本発明の誘電体磁器組成物は、ＣａＣ
Ｏ3 ，ＺｒＯ2 の各原料粉末を所定量秤量し、該原料粉
末を混合した後、該混合物を乾燥し、次いで該乾燥物を
大気中等の酸化性雰囲気において１１００〜１４００℃
の温度で１〜４時間仮焼する。
Ｏ3 ，ＺｒＯ2 の各原料粉末を所定量秤量し、該原料粉
末を混合した後、該混合物を乾燥し、次いで該乾燥物を
大気中等の酸化性雰囲気において１１００〜１４００℃
の温度で１〜４時間仮焼する。
【００２７】得られた仮焼物に、前記硼素含有化合物お
よび／またはアルカリ金属炭酸塩を所定量添加し、混合
した後、プレス成形等の周知の方法で所定形状に成形
し、その後、前記成形体を大気中等の酸化性雰囲気中あ
るいは窒素雰囲気などの非酸化性雰囲気において８８０
〜１２００℃で０．５〜４時間焼成することにより得ら
れる。
よび／またはアルカリ金属炭酸塩を所定量添加し、混合
した後、プレス成形等の周知の方法で所定形状に成形
し、その後、前記成形体を大気中等の酸化性雰囲気中あ
るいは窒素雰囲気などの非酸化性雰囲気において８８０
〜１２００℃で０．５〜４時間焼成することにより得ら
れる。
【００２８】
【実施例】先ず、純度９９％以上のＣａＣＯ3 ，ＺｒＯ
2 の各原料粉末を表１，２に示す割合で秤量し、該原料
粉末に媒体として純水を加えて２０時間ボールミルにて
混合した後、該混合物を乾燥し、次いで該乾燥物を大気
中において１２００℃の温度で２時間仮焼した。
2 の各原料粉末を表１，２に示す割合で秤量し、該原料
粉末に媒体として純水を加えて２０時間ボールミルにて
混合した後、該混合物を乾燥し、次いで該乾燥物を大気
中において１２００℃の温度で２時間仮焼した。
【００２９】得られた仮焼物にＢ２Ｏ３粉末とＬｉ２Ｃ
Ｏ３，Ｎａ２ＣＯ３，Ｋ２ＣＯ３などのアルカリ金属炭
酸塩粉末を表１，２に示す割合となるように秤量し、Ｚ
ｒＯ２ボールを用いたボールミルにて２０時間混合した
後、バインダーとしてポリビニルアルコールを１重量％
加えてから造粒し、該造粒物を約１ｔ／ｃｍ２の加圧力
でプレス成形して円柱状の成形体を成形した。
Ｏ３，Ｎａ２ＣＯ３，Ｋ２ＣＯ３などのアルカリ金属炭
酸塩粉末を表１，２に示す割合となるように秤量し、Ｚ
ｒＯ２ボールを用いたボールミルにて２０時間混合した
後、バインダーとしてポリビニルアルコールを１重量％
加えてから造粒し、該造粒物を約１ｔ／ｃｍ２の加圧力
でプレス成形して円柱状の成形体を成形した。
【００３０】その後、前記成形体を大気中、４００℃の
温度で４時間加熱して脱バインダー処理し、引き続いて
表１，２に示す各温度で大気中２時間焼成した。得られ
た円柱体の両端面を平面研磨し、直径約８ｍｍ、高さ約
３．５〜６ｍｍの円柱状の誘電体特性評価用試料を作製
した。
温度で４時間加熱して脱バインダー処理し、引き続いて
表１，２に示す各温度で大気中２時間焼成した。得られ
た円柱体の両端面を平面研磨し、直径約８ｍｍ、高さ約
３．５〜６ｍｍの円柱状の誘電体特性評価用試料を作製
した。
【００３１】誘電体特性の評価は、前記評価用試料を用
いて誘電体円柱共振器法により、共振周波数を８〜１１
ＧＨｚで比誘電率εｒとＱ値を測定するとともに、−４
０〜＋８５℃の温度範囲における共振周波数の温度係数
τｆを測定した。なおＱ値は１ＧＨｚでのＱ値（Ｑ×ｆ
（ｆは測定周波数））に換算した。これらの結果を表
１，２に示す。
いて誘電体円柱共振器法により、共振周波数を８〜１１
ＧＨｚで比誘電率εｒとＱ値を測定するとともに、−４
０〜＋８５℃の温度範囲における共振周波数の温度係数
τｆを測定した。なおＱ値は１ＧＨｚでのＱ値（Ｑ×ｆ
（ｆは測定周波数））に換算した。これらの結果を表
１，２に示す。
【００３２】尚、共振周波数の温度係数τｆは、２５℃
での共振周波数を基準にして−４０℃および＋８５℃に
おける共振周波数の温度係数τｆを算出した結果、すべ
ての試料の共振周波数の温度係数τｆが±４０ｐｐｍ／
℃の範囲内であった。尚、試料Ｎｏ．４０は参考試料を
示す。
での共振周波数を基準にして−４０℃および＋８５℃に
おける共振周波数の温度係数τｆを算出した結果、すべ
ての試料の共振周波数の温度係数τｆが±４０ｐｐｍ／
℃の範囲内であった。尚、試料Ｎｏ．４０は参考試料を
示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【表２】
【００３５】これらの表１，２によれば、本発明の誘電
体磁器組成物では、１２００℃以下の比較的低温で焼成
でき、さらに、比誘電率εｒが１０〜２８、Ｑｆ値が２
０００以上、かつ共振周波数の温度係数τｆが±４０ｐ
ｐｍ／℃以内の優れた特性を有することが判る。
体磁器組成物では、１２００℃以下の比較的低温で焼成
でき、さらに、比誘電率εｒが１０〜２８、Ｑｆ値が２
０００以上、かつ共振周波数の温度係数τｆが±４０ｐ
ｐｍ／℃以内の優れた特性を有することが判る。
【００３６】また、硼素含有化合物の量ａおよびアルカ
リ金属炭酸塩の量ｂが、０≦ａ≦２０、０＜ｂ≦１０、
１．５≦ａ＋ｂを満足する望ましい第１の態様では、１
２００℃以下で焼成でき、さらに、比誘電率εｒが１３
〜２８、Ｑｆ値が４０００以上、かつ共振周波数の温度
係数τｆが±４０ｐｐｍ／℃以内の優れた特性を有する
ことが判る。さらに、組成式をｘＣａＯ・ＺｒＯ２と表
した時のｘが０．９５≦ｘ≦１．２８、硼素含有化合物
の量ａおよびアルカリ金属炭酸塩の量ｂは、０＜ａ≦１
５、０＜ｂ≦７．５、１．５≦ａ＋ｂを満足する望まし
い第２の態様では、１０７０℃以下で焼成でき、さら
に、比誘電率εｒが１３〜２８、Ｑｆ値が８０００以
上、かつ共振周波数の温度係数τｆが±４０ｐｐｍ／℃
以内の優れた特性を有することが判る。
リ金属炭酸塩の量ｂが、０≦ａ≦２０、０＜ｂ≦１０、
１．５≦ａ＋ｂを満足する望ましい第１の態様では、１
２００℃以下で焼成でき、さらに、比誘電率εｒが１３
〜２８、Ｑｆ値が４０００以上、かつ共振周波数の温度
係数τｆが±４０ｐｐｍ／℃以内の優れた特性を有する
ことが判る。さらに、組成式をｘＣａＯ・ＺｒＯ２と表
した時のｘが０．９５≦ｘ≦１．２８、硼素含有化合物
の量ａおよびアルカリ金属炭酸塩の量ｂは、０＜ａ≦１
５、０＜ｂ≦７．５、１．５≦ａ＋ｂを満足する望まし
い第２の態様では、１０７０℃以下で焼成でき、さら
に、比誘電率εｒが１３〜２８、Ｑｆ値が８０００以
上、かつ共振周波数の温度係数τｆが±４０ｐｐｍ／℃
以内の優れた特性を有することが判る。
【００３７】さらにまた、組成式をｘＣａＯ・ＺｒＯ2
と表した時のｘが０．９５≦ｘ≦１．２８、硼素含有化
合物の量ａおよびアルカリ金属含有化合物ｂは、０．１
≦ａ≦１０、２．５≦ｂ≦７．５を満足する望ましい第
３の態様では、９５０℃以下で焼成でき、さらに、比誘
電率εｒが１７〜２８、Ｑｆ値が１３０００以上、かつ
共振周波数の温度係数τｆが±４０ｐｐｍ／℃以内の優
れた特性を有することが判る。
と表した時のｘが０．９５≦ｘ≦１．２８、硼素含有化
合物の量ａおよびアルカリ金属含有化合物ｂは、０．１
≦ａ≦１０、２．５≦ｂ≦７．５を満足する望ましい第
３の態様では、９５０℃以下で焼成でき、さらに、比誘
電率εｒが１７〜２８、Ｑｆ値が１３０００以上、かつ
共振周波数の温度係数τｆが±４０ｐｐｍ／℃以内の優
れた特性を有することが判る。
【００３８】これに比較して、硼素含有化合物の量ａお
よびアルカリ金属含有化合物ｂを添加しない試料Ｎo.４
８では、焼成温度が１５００℃であり、比誘電率εｒが
３０、Ｑｆ値が３００００、かつ共振周波数の温度係数
τｆが６ｐｐｍ／℃であった。
よびアルカリ金属含有化合物ｂを添加しない試料Ｎo.４
８では、焼成温度が１５００℃であり、比誘電率εｒが
３０、Ｑｆ値が３００００、かつ共振周波数の温度係数
τｆが６ｐｐｍ／℃であった。
【００３９】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物では、９００
〜１２００℃程度の比較的低温でＡｇ系やＣｕ系、Ａｕ
系等の導体金属と同時に焼成でき、比誘電率εｒが使用
周波数に適したものを選べ、かつＱ値が高い等の特徴を
有し、高周波電子部品や基板のより一層の小型化と高性
能化が実現できる。
〜１２００℃程度の比較的低温でＡｇ系やＣｕ系、Ａｕ
系等の導体金属と同時に焼成でき、比誘電率εｒが使用
周波数に適したものを選べ、かつＱ値が高い等の特徴を
有し、高周波電子部品や基板のより一層の小型化と高性
能化が実現できる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C04B 35/42 - 35/50
Claims (2)
- 【請求項１】金属元素として少なくともＣａ，Ｚｒを含
有する複合酸化物であって、これらのモル比による組成
式を ｘＣａＯ・ＺｒＯ２ と表した時、前記ｘが ０．８７≦ｘ≦１．３６ を満足する主成分１００重量部に対して、硼素含有化合
物をＢ２Ｏ３換算でａ重量部、アルカリ金属炭酸塩をア
ルカリ金属炭酸塩換算でｂ重量部の範囲で添加含有して
なり、かつ、前記ａ，ｂが ０≦ａ≦３０ ０＜ｂ≦２０ １．５≦ａ＋ｂ を満足することを特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】前記ａ，ｂが ０≦ａ≦２０ ０＜ｂ≦１０ １．５≦ａ＋ｂ を満足することを特徴とする請求項１記載の誘電体磁器
組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13517896A JP3523413B2 (ja) | 1996-05-29 | 1996-05-29 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13517896A JP3523413B2 (ja) | 1996-05-29 | 1996-05-29 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09315859A JPH09315859A (ja) | 1997-12-09 |
| JP3523413B2 true JP3523413B2 (ja) | 2004-04-26 |
Family
ID=15145665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13517896A Expired - Fee Related JP3523413B2 (ja) | 1996-05-29 | 1996-05-29 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3523413B2 (ja) |
-
1996
- 1996-05-29 JP JP13517896A patent/JP3523413B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09315859A (ja) | 1997-12-09 |
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