JP2000281440A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】内部導体にＣｕやＡｇを使用した、１０００℃
以下で焼結可能な高周波領域で好適な積層チップコンデ
ンサに適した誘電体磁器組成物を提供すること。 【解決手段】組成式ｘＳｒＺｒＯ3 ＋（１−ｘ）ＣａＴ
ｉＯ3 と表したとき、前記ｘが１．００≧ｘ≧０．６０
を満足する主成分１００重量部に対し、各酸化物Ｂ2 Ｏ
3 をａ重量部、ＳｉＯ2 をｂ重量部、ＺｎＯをｃ重量
部、Ａｌ2 Ｏ3 をｄ重量部、Ｌｉ2 Ｏをｅ重量部の範囲
で添加含有してなり、各々を１．８０＞ａ≧０．２５、
１．８０＞ｂ≧０．２０、１．８０＞ｃ≧０、１．１０
＞ｄ≧０、６．３０＞ｅ≧０．０５、１０．００＞ａ＋
ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≧０．５０を満足することを特徴とす
る。
以下で焼結可能な高周波領域で好適な積層チップコンデ
ンサに適した誘電体磁器組成物を提供すること。 【解決手段】組成式ｘＳｒＺｒＯ3 ＋（１−ｘ）ＣａＴ
ｉＯ3 と表したとき、前記ｘが１．００≧ｘ≧０．６０
を満足する主成分１００重量部に対し、各酸化物Ｂ2 Ｏ
3 をａ重量部、ＳｉＯ2 をｂ重量部、ＺｎＯをｃ重量
部、Ａｌ2 Ｏ3 をｄ重量部、Ｌｉ2 Ｏをｅ重量部の範囲
で添加含有してなり、各々を１．８０＞ａ≧０．２５、
１．８０＞ｂ≧０．２０、１．８０＞ｃ≧０、１．１０
＞ｄ≧０、６．３０＞ｅ≧０．０５、１０．００＞ａ＋
ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≧０．５０を満足することを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層チップコンデ
ンサに使用される誘電体磁器組成物であり、特に内部導
体にＣｕやＡｇを有した高周波領域で好適に使用される
積層チップコンデンサに適した誘電体磁器組成物に関す
るものである。
ンサに使用される誘電体磁器組成物であり、特に内部導
体にＣｕやＡｇを有した高周波領域で好適に使用される
積層チップコンデンサに適した誘電体磁器組成物に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から積層チップコンデンサ用として
各種誘電体セラミックス材料が広く使用されてきたが、
近年になって携帯電話等の移動体通信に使用される電子
部品として、高周波領域で使用されるのに適した誘電体
材料の開発が進んできた。
各種誘電体セラミックス材料が広く使用されてきたが、
近年になって携帯電話等の移動体通信に使用される電子
部品として、高周波領域で使用されるのに適した誘電体
材料の開発が進んできた。
【０００３】高周波領域における誘電体セラミックス材
料として必要な特性としては、適正な比誘電率εｒを持
ち、誘電損失Ｑが大きく、共振周波数温度係数ＴＣｆが
ＮＰ０（ネガポジゼロ）に近いことが望まれる。これら
を満たす組成系として、例えばＢａＴｉ4 Ｏ9 ＋ＲｅＯ
系や、ＭｇＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 系等が開発されてき
た。
料として必要な特性としては、適正な比誘電率εｒを持
ち、誘電損失Ｑが大きく、共振周波数温度係数ＴＣｆが
ＮＰ０（ネガポジゼロ）に近いことが望まれる。これら
を満たす組成系として、例えばＢａＴｉ4 Ｏ9 ＋ＲｅＯ
系や、ＭｇＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 系等が開発されてき
た。
【０００４】しかしこれらの組成系は、焼成温度が１３
００〜１４００℃と極めて高く、積層チップコンデンサ
としては内部導体金属として融点の高いＰｄあるいはＰ
ｄ−Ａｇ合金等を用いる必要があった。
００〜１４００℃と極めて高く、積層チップコンデンサ
としては内部導体金属として融点の高いＰｄあるいはＰ
ｄ−Ａｇ合金等を用いる必要があった。
【０００５】この外、Ｎｉの内部導体を前提としたＣａ
ＺｒＯ3 −ＳｒＺｒＯ3 系材料の開発も、特公平７−６
６６９３号公報に示す如く、行われてきたが、こちらは
１３００℃〜１４００℃で焼成するものである。
ＺｒＯ3 −ＳｒＺｒＯ3 系材料の開発も、特公平７−６
６６９３号公報に示す如く、行われてきたが、こちらは
１３００℃〜１４００℃で焼成するものである。
【０００６】またＣａＳｒ−ＺｒＴｉ−Ｍｎ系材料の開
発も、特開昭６０−１３１７０８号公報に記載されてい
るが、これはＮｉを端子電極として使用するものであ
り、Ｎｉ端子の焼付温度は８００〜１０００℃である
が、誘電体磁器は１３５０℃で焼成されるものである。
発も、特開昭６０−１３１７０８号公報に記載されてい
るが、これはＮｉを端子電極として使用するものであ
り、Ｎｉ端子の焼付温度は８００〜１０００℃である
が、誘電体磁器は１３５０℃で焼成されるものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前述のＰ
ｄやＮｉ等はいずれも導通抵抗が大きいため、積層チッ
プコンデンサにした場合、高周波領域において誘電体の
持つ損失より電極損失の占める比率が高くなるとＱ値が
小さくなり、誘電体材料の持つ本来の優れた高周波特性
を生かすことができず、高周波回路用途としては使用が
困難であった。
ｄやＮｉ等はいずれも導通抵抗が大きいため、積層チッ
プコンデンサにした場合、高周波領域において誘電体の
持つ損失より電極損失の占める比率が高くなるとＱ値が
小さくなり、誘電体材料の持つ本来の優れた高周波特性
を生かすことができず、高周波回路用途としては使用が
困難であった。
【０００８】そこで導電抵抗が小さい金属としてはＣｕ
やＡｇが提案されてきたが、この場合、誘電体材料の焼
成温度は１０００℃以下でなければならない。１０００
℃を越えるとこれらの金属が融点以上或いはそれに近い
温度域になり、粒子の溶融、球状化のため欠陥が生じ、
電極として機能しなくなるからである。
やＡｇが提案されてきたが、この場合、誘電体材料の焼
成温度は１０００℃以下でなければならない。１０００
℃を越えるとこれらの金属が融点以上或いはそれに近い
温度域になり、粒子の溶融、球状化のため欠陥が生じ、
電極として機能しなくなるからである。
【０００９】先にあげた特公平７−６６６９３号公報の
誘電体磁器組成物の場合、電気的特性を維持したまま１
０００℃以下の焼成温度を達成することは困難であっ
た。
誘電体磁器組成物の場合、電気的特性を維持したまま１
０００℃以下の焼成温度を達成することは困難であっ
た。
【００１０】従って本発明では、このような課題を解決
するために、大気中、非酸化雰囲気中の両方において１
０００℃以下の比較的低温で焼成することができるとと
もに、このときのＱｆ値が高く、温度係数ＴＣｆも小さ
い誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。
するために、大気中、非酸化雰囲気中の両方において１
０００℃以下の比較的低温で焼成することができるとと
もに、このときのＱｆ値が高く、温度係数ＴＣｆも小さ
い誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の誘電体磁器組成物は、組成式ｘＳｒＺｒＯ
3 ＋（１−ｘ）ＣａＴｉＯ3 と表したとき、前記ｘが
１．００≧ｘ≧０．６０を満足する主成分１００重量部
に対し、各酸化物Ｂ2 Ｏ3 をａ重量部、ＳｉＯ2 をｂ重
量部、ＺｎＯをｃ重量部、Ａｌ2 Ｏ3をｄ重量部、Ｌｉ
2 Ｏをｅ重量部の範囲で添加含有してなり、各々を １．８０＞ａ≧０．２５ １．８０＞ｂ≧０．２０ １．８０＞ｃ≧０ １．１０＞ｄ≧０ ６．３０＞ｅ≧０．０５ １０．００＞ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≧０．５０ を満足することを特徴とするものである。
め、本発明の誘電体磁器組成物は、組成式ｘＳｒＺｒＯ
3 ＋（１−ｘ）ＣａＴｉＯ3 と表したとき、前記ｘが
１．００≧ｘ≧０．６０を満足する主成分１００重量部
に対し、各酸化物Ｂ2 Ｏ3 をａ重量部、ＳｉＯ2 をｂ重
量部、ＺｎＯをｃ重量部、Ａｌ2 Ｏ3をｄ重量部、Ｌｉ
2 Ｏをｅ重量部の範囲で添加含有してなり、各々を １．８０＞ａ≧０．２５ １．８０＞ｂ≧０．２０ １．８０＞ｃ≧０ １．１０＞ｄ≧０ ６．３０＞ｅ≧０．０５ １０．００＞ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≧０．５０ を満足することを特徴とするものである。
【００１２】これにより、焼成温度が１０００℃以下で
高いＱｆ値を持ち、温度係数ＴＣｆが＋３００〜−８０
ｐｐｍ／℃である誘電体磁器組成物が得られた。
高いＱｆ値を持ち、温度係数ＴＣｆが＋３００〜−８０
ｐｐｍ／℃である誘電体磁器組成物が得られた。
【００１３】また上記ｘの値が１．００≧ｘ≧０．９０
にあるものについてはＱｆ値が更に向上し、温度係数Ｔ
Ｃｆも＋１００〜−８０ｐｐｍ／℃と、特性が一層すぐ
れたものが得られた。
にあるものについてはＱｆ値が更に向上し、温度係数Ｔ
Ｃｆも＋１００〜−８０ｐｐｍ／℃と、特性が一層すぐ
れたものが得られた。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明を各実施例にもとづき説明
する。
する。
【００１５】
【実施例１】出発原料として、市販の高純度ＳｒＣ
Ｏ3 、ＣａＣＯ3 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ3 を用い、Ｓｒ／
Ｚｒ及びＣａ／Ｔｉモル比をいずれも１．０００、更に
焼成後の値が後述する表１に示す主組成比ｘ値を満たす
ように各原料粉末を秤量し、該原料粉末に媒体として水
を加えて２４時間ボールミルにて混合した後、この混合
物を乾燥し、次いでこの乾燥物を１２００℃で２時間仮
焼した。
Ｏ3 、ＣａＣＯ3 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ3 を用い、Ｓｒ／
Ｚｒ及びＣａ／Ｔｉモル比をいずれも１．０００、更に
焼成後の値が後述する表１に示す主組成比ｘ値を満たす
ように各原料粉末を秤量し、該原料粉末に媒体として水
を加えて２４時間ボールミルにて混合した後、この混合
物を乾燥し、次いでこの乾燥物を１２００℃で２時間仮
焼した。
【００１６】これにより得られた仮焼物をボールミル等
で湿式粉砕した後、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＺｎＯ、Ａｌ
2 Ｏ3 粉末をこれまた焼成後の値が表１に示す含有量に
なるように、Ｌｉ2 ＣＯ3 粉末をＬｉ2 Ｏ換算で表１に
示す含有量になるように秤量し、ボールミルにて２４時
間混合した。
で湿式粉砕した後、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＺｎＯ、Ａｌ
2 Ｏ3 粉末をこれまた焼成後の値が表１に示す含有量に
なるように、Ｌｉ2 ＣＯ3 粉末をＬｉ2 Ｏ換算で表１に
示す含有量になるように秤量し、ボールミルにて２４時
間混合した。
【００１７】このとき各添加成分はあらかじめガラス成
分として調整されたものでも差支えない。
分として調整されたものでも差支えない。
【００１８】この混合物を乾燥した後、有機バインダー
を適当量加えて造粒し、この造粒物を約３ｔ／ｃｍ2 の
加圧力にてプレス成形を行い、直径約１２ｍｍ、厚さ約
６ｍｍの円柱成形体を作製した。
を適当量加えて造粒し、この造粒物を約３ｔ／ｃｍ2 の
加圧力にてプレス成形を行い、直径約１２ｍｍ、厚さ約
６ｍｍの円柱成形体を作製した。
【００１９】前記成形体を大気中、４００℃の温度で４
時間脱バインダー処理をした後、引き続き大気中、ある
いは窒素雰囲気中等の非酸化性雰囲気中において、後述
する表１に示す各温度で２時間焼成した。
時間脱バインダー処理をした後、引き続き大気中、ある
いは窒素雰囲気中等の非酸化性雰囲気中において、後述
する表１に示す各温度で２時間焼成した。
【００２０】次に得られた焼成体を加工し、直径１０ｍ
ｍ、厚さ５ｍｍの円柱状の試料を作製した。誘電体特性
の評価は、前述の試料を用いて誘電体共振法により、共
振周波数６〜７ＧＨｚにおける比誘電率εｒとＱ値を測
定するとともに、−４０℃〜＋８０℃における共振周波
数の温度係数ＴＣｆを測定した。なおＱ値は１ＧＨｚに
おけるＱ値（Ｑ×ｆｒ：ｆｒは測定周波数）であるＱｆ
値として算出した。これらの結果をまとめて表１に示す
ｍ、厚さ５ｍｍの円柱状の試料を作製した。誘電体特性
の評価は、前述の試料を用いて誘電体共振法により、共
振周波数６〜７ＧＨｚにおける比誘電率εｒとＱ値を測
定するとともに、−４０℃〜＋８０℃における共振周波
数の温度係数ＴＣｆを測定した。なおＱ値は１ＧＨｚに
おけるＱ値（Ｑ×ｆｒ：ｆｒは測定周波数）であるＱｆ
値として算出した。これらの結果をまとめて表１に示す
【００２１】
【表１】
【００２２】
【実施例２】本発明の実施例２を説明する。実施例２
は、出発原料として水熱合成法により作製されたＳｒＺ
ｒＯ3 、ＣａＴｉＯ3 粉末を用いる以外は前記実施例１
と同様の方法で試料を作製；評価した。その結果を表２
に示す。
は、出発原料として水熱合成法により作製されたＳｒＺ
ｒＯ3 、ＣａＴｉＯ3 粉末を用いる以外は前記実施例１
と同様の方法で試料を作製；評価した。その結果を表２
に示す。
【００２３】
【表２】
【００２４】ところで、表１において試料Ｎｏ．２、
３、４、５、６、８、９、１０、１１、１２、１３、１
４、１６、１７、１８、２０、２２、２３、２５、３
２、３３は本発明の範囲内のものであり、＊印の付加さ
れた試料Ｎｏ．１、７、１５、１９、２１、２４、２
６、２７、２８、２９、３０、３１、３４は本発明の範
囲外の比較例である。
３、４、５、６、８、９、１０、１１、１２、１３、１
４、１６、１７、１８、２０、２２、２３、２５、３
２、３３は本発明の範囲内のものであり、＊印の付加さ
れた試料Ｎｏ．１、７、１５、１９、２１、２４、２
６、２７、２８、２９、３０、３１、３４は本発明の範
囲外の比較例である。
【００２５】この結果によれば、本発明の誘電体磁器組
成物では、１０００℃以下の比較的低温で焼成でき、更
に比誘電率εｒが２４〜８０、Ｑｆ値が２０００以上で
かつ共振周波数の温度係数ＴＣｆが＋３００〜−８０ｐ
ｐｍ／℃という優れた特性を有することがわかる。
成物では、１０００℃以下の比較的低温で焼成でき、更
に比誘電率εｒが２４〜８０、Ｑｆ値が２０００以上で
かつ共振周波数の温度係数ＴＣｆが＋３００〜−８０ｐ
ｐｍ／℃という優れた特性を有することがわかる。
【００２６】さらに主成分組成式におけるｘ値を１．０
０≧ｘ≧０．９０を満足する望ましい範囲においては、
その温度係数が＋１００〜−８０ｐｐｍ／℃と、一層Ｎ
Ｐ０特性に近くなり、Ｑｆ値も４０００以上と、より優
れた特性を有している。
０≧ｘ≧０．９０を満足する望ましい範囲においては、
その温度係数が＋１００〜−８０ｐｐｍ／℃と、一層Ｎ
Ｐ０特性に近くなり、Ｑｆ値も４０００以上と、より優
れた特性を有している。
【００２７】一方本発明の範囲外である試料Ｎｏ．１、
７、１５、１９、２１、２４、２６〜３１、３４におい
ては、１０００℃以下で未焼結であったり、Ｑｆ値が低
く実用化困難である等によって、本発明の目的を達成す
ることができない。
７、１５、１９、２１、２４、２６〜３１、３４におい
ては、１０００℃以下で未焼結であったり、Ｑｆ値が低
く実用化困難である等によって、本発明の目的を達成す
ることができない。
【００２８】また表２の結果によれば、原料粉末として
水熱合成法による粉末を用いても同様の特性を示すこと
がわかる。
水熱合成法による粉末を用いても同様の特性を示すこと
がわかる。
【００２９】次に本発明の組成範囲の数値限定理由を表
１を参照して説明する。
１を参照して説明する。
【００３０】主組成比ｘが０．６０未満であると、Ｑｆ
値が低すぎ、実用には適さない（表１の試料Ｎｏ．３４
参照）。
値が低すぎ、実用には適さない（表１の試料Ｎｏ．３４
参照）。
【００３１】ａの値が１．８０以上であると、Ｑｆ値が
低くなり、実用には適さない（表１の試料Ｎｏ．２８参
照）。またａの値が０．２５未満であると、１０００℃
以下では焼結しない（表１の試料Ｎｏ．１、２１参
照）。
低くなり、実用には適さない（表１の試料Ｎｏ．２８参
照）。またａの値が０．２５未満であると、１０００℃
以下では焼結しない（表１の試料Ｎｏ．１、２１参
照）。
【００３２】ｂの値が１．８０以上であると、Ｑｆ値が
低くなり、実用には適さない（表１の試料Ｎｏ．２６参
照）。またｂの値が０．２０未満であると、１０００℃
以下では焼結しない（表１の試料Ｎｏ．１、３１参
照）。
低くなり、実用には適さない（表１の試料Ｎｏ．２６参
照）。またｂの値が０．２０未満であると、１０００℃
以下では焼結しない（表１の試料Ｎｏ．１、３１参
照）。
【００３３】ｃの値が１．８０以上であると、Ｑｆ値が
低くなり、実用には適さない（表１の試料Ｎｏ．２７参
照）。
低くなり、実用には適さない（表１の試料Ｎｏ．２７参
照）。
【００３４】ｄの値が１．１０以上であると、Ｑｆ値が
低くなり、実用には適さない（表１の試料Ｎｏ．２９参
照）。
低くなり、実用には適さない（表１の試料Ｎｏ．２９参
照）。
【００３５】ｅの値が６．３０以上であると、Ｑｆ値が
低くなり、実用には適さない（表１の試料Ｎｏ．７参
照）。またｅの値が０．０５未満であると、１０００℃
以下では焼結しない（表１の試料Ｎｏ．１、１５、１
９、２４参照）。
低くなり、実用には適さない（表１の試料Ｎｏ．７参
照）。またｅの値が０．０５未満であると、１０００℃
以下では焼結しない（表１の試料Ｎｏ．１、１５、１
９、２４参照）。
【００３６】ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅの値が１０．００以上
であると、Ｑｆ値が低くなり、実用には適さない（表１
の試料Ｎｏ．３０参照）。またこの値が０．５０未満で
あると、１０００℃以下では焼結しない（表１の試料Ｎ
ｏ．１、３１参照）。
であると、Ｑｆ値が低くなり、実用には適さない（表１
の試料Ｎｏ．３０参照）。またこの値が０．５０未満で
あると、１０００℃以下では焼結しない（表１の試料Ｎ
ｏ．１、３１参照）。
【００３７】
【発明の効果】以上説明のように、本発明によれば、組
成式ｘＳｒＺｒＯ3＋（１−ｘ）ＣａＴｉＯ3 において
ｘが１．００≧ｘ≧０．６０の範囲を満足する主成分１
００重量部に対し、各酸化物Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｚｎ
Ｏ、Ａｌ2 Ｏ 3 、Ｌｉ2 Ｏの添加量を各々ａ、ｂ、ｃ、
ｄ、ｅ重量部とすると、１．８０＞ａ≧０．２５、１．
８０＞ｂ≧０．２０、１．８０＞ｃ≧０、１．１０＞ｄ
≧０、６．３０＞ｅ≧０．０５、１０．００＞ａ＋ｂ＋
ｃ＋ｄ＋ｅ≧０．５０の範囲で添加することによって、
１０００℃以下の比較的低温の焼成が可能であり、かつ
このときの電気特性がεｒ＝２４〜８０、Ｑｆ＝２００
０以上、温度係数ＴＣｆ＝＋３００〜−８０ｐｐｍ／℃
というすぐれた特性を有し、Ｃｕ、Ａｇを内部導体とし
た積層チップコンデンサ用として好適な誘電体磁器組成
物を提供することができる。
成式ｘＳｒＺｒＯ3＋（１−ｘ）ＣａＴｉＯ3 において
ｘが１．００≧ｘ≧０．６０の範囲を満足する主成分１
００重量部に対し、各酸化物Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｚｎ
Ｏ、Ａｌ2 Ｏ 3 、Ｌｉ2 Ｏの添加量を各々ａ、ｂ、ｃ、
ｄ、ｅ重量部とすると、１．８０＞ａ≧０．２５、１．
８０＞ｂ≧０．２０、１．８０＞ｃ≧０、１．１０＞ｄ
≧０、６．３０＞ｅ≧０．０５、１０．００＞ａ＋ｂ＋
ｃ＋ｄ＋ｅ≧０．５０の範囲で添加することによって、
１０００℃以下の比較的低温の焼成が可能であり、かつ
このときの電気特性がεｒ＝２４〜８０、Ｑｆ＝２００
０以上、温度係数ＴＣｆ＝＋３００〜−８０ｐｐｍ／℃
というすぐれた特性を有し、Ｃｕ、Ａｇを内部導体とし
た積層チップコンデンサ用として好適な誘電体磁器組成
物を提供することができる。
【００３８】更に１．００≧ｘ≧０．９０を満足する場
合には、ＴＣｆ＝＋１００〜−８０ｐｐｍ／℃；Ｑｆ＝
４０００以上という一層すぐれた特性のものを提供する
ことができる。
合には、ＴＣｆ＝＋１００〜−８０ｐｐｍ／℃；Ｑｆ＝
４０００以上という一層すぐれた特性のものを提供する
ことができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G031 AA01 AA04 AA05 AA11 AA12 AA26 AA28 AA29 AA30 BA09 CA03 5E001 AB03 AC09 AE00 AE01 AE03 AE04 AH05 AH08 AH09 AJ02 5G303 AA01 AA10 AB06 AB08 AB11 AB15 BA12 CA01 CB01 CB02 CB06 CB16 CB30 CB32 CB35 CB38 CB39
Claims (2)
- 【請求項１】組成式ｘＳｒＺｒＯ3 ＋（１−ｘ）ＣａＴ
ｉＯ3 と表したとき、 前記ｘが１．００≧ｘ≧０．６０を満足する主成分１０
０重量部に対し、各酸化物Ｂ2 Ｏ3 をａ重量部、ＳｉＯ
2 をｂ重量部、ＺｎＯをｃ重量部、Ａｌ2 Ｏ3をｄ重量
部、Ｌｉ2 Ｏをｅ重量部の範囲で添加含有してなり、各
々を １．８０＞ａ≧０．２５ １．８０＞ｂ≧０．２０ １．８０＞ｃ≧０ １．１０＞ｄ≧０ ６．３０＞ｅ≧０．０５ １０．００＞ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≧０．５０ を満足することを特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】組成式ｘＳｒＺｒＯ3 ＋（１−ｘ）ＣａＴ
ｉＯ3 と表したとき、前記ｘが１．００≧ｘ≧０．９０
を満足する主成分１００重量部に対し、各酸化物Ｂ2 Ｏ
3 をａ重量部、ＳｉＯ2 をｂ重量部、ＺｎＯをｃ重量
部、Ａｌ2 Ｏ3をｄ重量部、Ｌｉ2 Ｏをｅ重量部の範囲
で添加含有してなり、各々を １．８０＞ａ≧０．２５ １．８０＞ｂ≧０．２０ １．８０＞ｃ≧０ １．１０＞ｄ≧０ ６．３０＞ｅ≧０．０５ １０．００＞ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≧０．５０ を満足することを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08831399A JP4188488B2 (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 誘電体磁器組成物 |
| US09/526,888 US6335301B1 (en) | 1999-03-30 | 2000-03-16 | Dielectric ceramic composition, electric device and production method thereof |
| KR1020000016199A KR100337651B1 (ko) | 1999-03-30 | 2000-03-29 | 유전체 자기 조성물, 전자부품 및 그 제조방법 |
| DE10015689A DE10015689C2 (de) | 1999-03-30 | 2000-03-29 | Dielektrische Keramikzusammensetzung, elektrisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08831399A JP4188488B2 (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 誘電体磁器組成物 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000281440A true JP2000281440A (ja) | 2000-10-10 |
| JP4188488B2 JP4188488B2 (ja) | 2008-11-26 |
Family
ID=13939455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08831399A Expired - Lifetime JP4188488B2 (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6335301B1 (ja) |
| JP (1) | JP4188488B2 (ja) |
| KR (1) | KR100337651B1 (ja) |
| DE (1) | DE10015689C2 (ja) |
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| KR20020035443A (ko) * | 2000-11-06 | 2002-05-11 | 무라타 야스타카 | 세라믹 커패시터 및 그의 제조방법 |
| KR100474249B1 (ko) * | 2002-03-19 | 2005-03-09 | 삼화콘덴서공업주식회사 | 유전체 세라믹 조성물 및 제조방법 |
| US8390985B2 (en) | 2009-08-12 | 2013-03-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic and method for producing dielectric ceramic and laminated ceramic capacitor |
| JP2019081665A (ja) * | 2017-10-30 | 2019-05-30 | ヤゲオ コーポレイションＹａｇｅｏ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | セラミック焼結体およびそれを含む受動素子 |
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|---|---|---|---|---|
| US6900150B2 (en) * | 2003-04-29 | 2005-05-31 | Cts Corporation | Ceramic composition and method |
| KR100700922B1 (ko) * | 2005-10-17 | 2007-03-28 | 삼성전기주식회사 | 수동 소자를 내장한 기판 및 그 제조 방법 |
| DE112007001868B4 (de) * | 2006-08-09 | 2013-11-07 | Murata Mfg. Co., Ltd. | Glaskeramikzusammensetzung, gesinterter Glaskeramikkörper und elektronische Komponente aus monolithischer Keramik |
| US8007904B2 (en) * | 2008-01-11 | 2011-08-30 | Fiber Innovation Technology, Inc. | Metal-coated fiber |
| US9704650B2 (en) | 2013-10-30 | 2017-07-11 | Ferro Corporation | COG dielectric composition for use with nickel electrodes |
| KR102068433B1 (ko) | 2019-03-19 | 2020-01-20 | 김형석 | 전동 카트형 매대 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4293534A (en) * | 1980-08-22 | 1981-10-06 | General Electric Company | Molten salt synthesis of alkaline earth titanates, zirconates and their solid solutions |
| JPS60131708A (ja) | 1983-12-19 | 1985-07-13 | 株式会社村田製作所 | 非還元性温度補償用誘電体磁器組成物 |
| US4764494A (en) * | 1985-04-26 | 1988-08-16 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Dielectric ceramic compositions and process for producing the same |
| JPH0766693B2 (ja) | 1986-02-04 | 1995-07-19 | ティーディーケイ株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| US4859641A (en) * | 1987-03-11 | 1989-08-22 | Masaru Fujino | Nonreducible dielectric ceramic composition |
| JP2605987B2 (ja) * | 1991-02-19 | 1997-04-30 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
| JP3028503B2 (ja) * | 1992-01-31 | 2000-04-04 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| JP2000143341A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-05-23 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミック組成物及び積層セラミック部品 |
| US6146907A (en) * | 1999-10-19 | 2000-11-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method of forming a dielectric thin film having low loss composition of Bax Sry Ca1-x-y TiO3 : Ba0.12-0.25 Sr0.35-0.47 Ca0.32-0.53 TiO3 |
-
1999
- 1999-03-30 JP JP08831399A patent/JP4188488B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-03-16 US US09/526,888 patent/US6335301B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-29 DE DE10015689A patent/DE10015689C2/de not_active Expired - Fee Related
- 2000-03-29 KR KR1020000016199A patent/KR100337651B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| DE10015689C2 (de) | 2002-07-18 |
| KR100337651B1 (ko) | 2002-05-24 |
| US6335301B1 (en) | 2002-01-01 |
| KR20010006910A (ko) | 2001-01-26 |
| DE10015689A1 (de) | 2001-02-22 |
| JP4188488B2 (ja) | 2008-11-26 |
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