JP3215029B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JP3215029B2 JP3215029B2 JP30468795A JP30468795A JP3215029B2 JP 3215029 B2 JP3215029 B2 JP 3215029B2 JP 30468795 A JP30468795 A JP 30468795A JP 30468795 A JP30468795 A JP 30468795A JP 3215029 B2 JP3215029 B2 JP 3215029B2
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- dielectric
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- parts
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波領域で使用
する電子回路基板や電子部品等に適用される誘電体磁器
組成物に関するもので、例えば、共振器、コンデンサ、
ＬＣフィルター等に好適な誘電体磁器組成物である。
する電子回路基板や電子部品等に適用される誘電体磁器
組成物に関するもので、例えば、共振器、コンデンサ、
ＬＣフィルター等に好適な誘電体磁器組成物である。
【０００２】
【従来の技術】従来より誘電体材料として各種誘電体セ
ラミックスが電子回路基板や電子部品等に広く使用され
ており、近年、携帯電話などに代表される移動体通信等
の高周波機器の発展と普及に伴い、高周波領域で使用す
る電子回路基板や電子部品として誘電体セラミックスが
積極的に利用されるようになってきた。
ラミックスが電子回路基板や電子部品等に広く使用され
ており、近年、携帯電話などに代表される移動体通信等
の高周波機器の発展と普及に伴い、高周波領域で使用す
る電子回路基板や電子部品として誘電体セラミックスが
積極的に利用されるようになってきた。
【０００３】このような誘電体セラミックスを前記電子
回路基板等の導体と同時焼成するに際しては、前記基板
上に印刷された導体が誘電体セラミックスの焼成温度で
溶融することがないように、係る導体には、アルミナ、
ステアタイト、フォルステライト等の誘電体セラミック
スの焼成温度よりも高い融点を有する、例えば、Ｐｔ、
Ｐｄ、Ｗ、Ｍｏ等の金属が用いられていた。
回路基板等の導体と同時焼成するに際しては、前記基板
上に印刷された導体が誘電体セラミックスの焼成温度で
溶融することがないように、係る導体には、アルミナ、
ステアタイト、フォルステライト等の誘電体セラミック
スの焼成温度よりも高い融点を有する、例えば、Ｐｔ、
Ｐｄ、Ｗ、Ｍｏ等の金属が用いられていた。
【０００４】しかしながら、前記金属は導通抵抗が大き
いことから、従来の電子回路基板では、共振回路やイン
ダクタンスのＱ値が小さくなってしまい、導体線路の電
送損失が大きくなる等の問題があった。
いことから、従来の電子回路基板では、共振回路やイン
ダクタンスのＱ値が小さくなってしまい、導体線路の電
送損失が大きくなる等の問題があった。
【０００５】そこで、かかる問題を解消するために導通
抵抗の小さいＡｇやＣｕ等の金属を導体として採用し、
低温で同時焼成できる誘電体セラミックスが種々提案さ
れている。
抵抗の小さいＡｇやＣｕ等の金属を導体として採用し、
低温で同時焼成できる誘電体セラミックスが種々提案さ
れている。
【０００６】更に、最近の高周波電子回路基板に対する
小型化と高性能化の要求に応えるために、特定の周波数
領域で比誘電率εｒを高くすることにより共振回路やイ
ンダクタンスの小型化を可能とし、また、誘電体セラミ
ックスのＱ値を高くすることにより、共振回路やインダ
クタンスのＱ値も高くすることができて低損失となるこ
とから、各種の複合誘電体が提案されている（特開平４
−２９２４６０号公報参照）。
小型化と高性能化の要求に応えるために、特定の周波数
領域で比誘電率εｒを高くすることにより共振回路やイ
ンダクタンスの小型化を可能とし、また、誘電体セラミ
ックスのＱ値を高くすることにより、共振回路やインダ
クタンスのＱ値も高くすることができて低損失となるこ
とから、各種の複合誘電体が提案されている（特開平４
−２９２４６０号公報参照）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記複
合誘電体は、導体として使用するＡｇやＣｕ等の金属と
同時焼成でき、かつ誘電体セラミックスのＱ値も６ＧＨ
ｚの測定周波数で最大３３０程度と高くすることができ
るものの、比誘電率εｒが４〜６ＧＨｚの高周波領域で
は１６未満と低く、高周波電子回路基板の小型化には限
界があるという課題があった。
合誘電体は、導体として使用するＡｇやＣｕ等の金属と
同時焼成でき、かつ誘電体セラミックスのＱ値も６ＧＨ
ｚの測定周波数で最大３３０程度と高くすることができ
るものの、比誘電率εｒが４〜６ＧＨｚの高周波領域で
は１６未満と低く、高周波電子回路基板の小型化には限
界があるという課題があった。
【０００８】
【発明の目的】本発明は上記課題に鑑みなされたもの
で、８５０〜１０５０℃の比較的低温でＡｇやＣｕ等の
導体金属と同時に焼成でき、誘電体セラミックスの比誘
電率εｒやＱ値が高く、かつ共振周波数の温度係数τｆ
が比較的小さいなどの特徴を有し、高周波電子回路基板
の小型化と高性能化を実現できる誘電体磁器組成物の提
供を目的とするものである。
で、８５０〜１０５０℃の比較的低温でＡｇやＣｕ等の
導体金属と同時に焼成でき、誘電体セラミックスの比誘
電率εｒやＱ値が高く、かつ共振周波数の温度係数τｆ
が比較的小さいなどの特徴を有し、高周波電子回路基板
の小型化と高性能化を実現できる誘電体磁器組成物の提
供を目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器組成
物は、その組成式が ａＬａＯ2/3 ・ｂＣａＯ・ｃＴｉＯ2 ・ｄＭｇＯ 但し、式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄはモル比を表し、 ０．１５ ≦ａ≦０．３５ ０．１５ ≦ｂ≦０．３５ ０．３２５≦ｃ≦０．４３ ０．０７ ≦ｄ≦０．１８ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満足するからなる組成物１００重
量部に対して、硼素含有化合物をＢ2 Ｏ3 換算で３〜３
０重量部、リチウム含有化合物をＬｉ2 ＣＯ3 換算で１
〜１０重量部添加してなるものである。
物は、その組成式が ａＬａＯ2/3 ・ｂＣａＯ・ｃＴｉＯ2 ・ｄＭｇＯ 但し、式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄはモル比を表し、 ０．１５ ≦ａ≦０．３５ ０．１５ ≦ｂ≦０．３５ ０．３２５≦ｃ≦０．４３ ０．０７ ≦ｄ≦０．１８ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満足するからなる組成物１００重
量部に対して、硼素含有化合物をＢ2 Ｏ3 換算で３〜３
０重量部、リチウム含有化合物をＬｉ2 ＣＯ3 換算で１
〜１０重量部添加してなるものである。
【００１０】前記ＬａＯ2/3 の含有量がモル比で０．１
５未満の場合には、ＬａＯ2/3 からなる結晶相、即ちＬ
ａ（Ｍｇ1/2 Ｔｉ1/2 ）Ｏ3 の量が減少することから、
誘電体磁器のＱ値が低下し、また、前記モル比が０．３
５を越える場合にはＬａ2 Ｏ3 の単相が生成して誘電体
磁器の耐水性が悪くなり、該磁器が緻密化しなくなる。
５未満の場合には、ＬａＯ2/3 からなる結晶相、即ちＬ
ａ（Ｍｇ1/2 Ｔｉ1/2 ）Ｏ3 の量が減少することから、
誘電体磁器のＱ値が低下し、また、前記モル比が０．３
５を越える場合にはＬａ2 Ｏ3 の単相が生成して誘電体
磁器の耐水性が悪くなり、該磁器が緻密化しなくなる。
【００１１】その結果、前記ＬａＯ2/3 の含有量はモル
比ａが０．１５〜０．３５に特定され、とりわけ誘電体
磁器の共振周波数の温度係数τｆの観点からは０．１５
〜０．２５が好ましい。
比ａが０．１５〜０．３５に特定され、とりわけ誘電体
磁器の共振周波数の温度係数τｆの観点からは０．１５
〜０．２５が好ましい。
【００１２】また、前記ＣａＯの含有量がモル比で０．
１５未満の場合には、ＣａＯから成るＣａＴｉＯ3 の結
晶相の量が減少することから、共振周波数の温度係数τ
ｆがマイナス側にずれてしまい、また前記モル比が０．
３５を越える場合にはＱ値が低下してしまう。
１５未満の場合には、ＣａＯから成るＣａＴｉＯ3 の結
晶相の量が減少することから、共振周波数の温度係数τ
ｆがマイナス側にずれてしまい、また前記モル比が０．
３５を越える場合にはＱ値が低下してしまう。
【００１３】そこで前記ＣａＯの含有量はモル比ｂが
０．１５〜０．３５に特定され、とりわけ共振周波数の
温度係数τｆの観点からは０．２０〜０．３０が好まし
い。
０．１５〜０．３５に特定され、とりわけ共振周波数の
温度係数τｆの観点からは０．２０〜０．３０が好まし
い。
【００１４】一方、前記ＴｉＯ2 の含有量がモル比で
０．３２５未満の場合には、ＴｉＯ2自体の比誘電率ε
ｒが１１０、温度係数τｆが４５０程度であることか
ら、誘電体磁器の比誘電率εｒが小さく、共振周波数の
温度係数τｆがマイナス側となってしまい、逆に、その
モル比が０．４３を越える場合にはＴｉＯ2 自体の特性
から温度係数τｆがプラス側にずれてしまう。
０．３２５未満の場合には、ＴｉＯ2自体の比誘電率ε
ｒが１１０、温度係数τｆが４５０程度であることか
ら、誘電体磁器の比誘電率εｒが小さく、共振周波数の
温度係数τｆがマイナス側となってしまい、逆に、その
モル比が０．４３を越える場合にはＴｉＯ2 自体の特性
から温度係数τｆがプラス側にずれてしまう。
【００１５】故に前記ＴｉＯ2 の含有量はモル比ｃが
０．３２５〜０．４３に特定され、とりわけ共振周波数
の温度係数τｆの観点からは０．３５〜０．４２が好ま
しい。
０．３２５〜０．４３に特定され、とりわけ共振周波数
の温度係数τｆの観点からは０．３５〜０．４２が好ま
しい。
【００１６】更に、前記ＭｇＯの含有量がモル比で０．
０７未満の場合には、ＭｇＯからなる結晶相であるＬａ
（Ｍｇ1/2 Ｔｉ1/2 ）Ｏ3 の量が減少することから、誘
電体磁器のＱ値が小さくなり、逆にまた前記モル比が
０．１８を越える場合には、誘電体磁器の比誘電率εｒ
が小さくなる。
０７未満の場合には、ＭｇＯからなる結晶相であるＬａ
（Ｍｇ1/2 Ｔｉ1/2 ）Ｏ3 の量が減少することから、誘
電体磁器のＱ値が小さくなり、逆にまた前記モル比が
０．１８を越える場合には、誘電体磁器の比誘電率εｒ
が小さくなる。
【００１７】従って前記ＭｇＯの含有量はモル比ｄが
０．０７〜０．１８に特定され、とりわけ共振周波数の
温度係数τｆの観点からは０．０８〜０．１７が好まし
い。
０．０７〜０．１８に特定され、とりわけ共振周波数の
温度係数τｆの観点からは０．０８〜０．１７が好まし
い。
【００１８】また、本発明の誘電体磁器組成物は、主成
分１００重量部に対して、硼素含有化合物をＢ2 Ｏ3 換
算で３〜３０重量部、かつリチウム含有化合物をＬｉ2
ＣＯ3 換算で１〜１０重量部含有してなるものである
が、このように主成分に対して、硼素含有化合物の含有
量がＢ2 Ｏ3 換算で３重量部よりも少ない場合には、誘
電体磁器組成物の焼成温度が１０００℃でも緻密化せ
ず、逆に３０重量部を越える場合には低温焼成が可能で
はあるが、Ｌａ（Ｍｇ1/2 Ｔｉ1/2 ）Ｏ3 の結晶相が変
化し、磁器特性が劣化し、特にＱ値が５００程度まで低
下してしまう。
分１００重量部に対して、硼素含有化合物をＢ2 Ｏ3 換
算で３〜３０重量部、かつリチウム含有化合物をＬｉ2
ＣＯ3 換算で１〜１０重量部含有してなるものである
が、このように主成分に対して、硼素含有化合物の含有
量がＢ2 Ｏ3 換算で３重量部よりも少ない場合には、誘
電体磁器組成物の焼成温度が１０００℃でも緻密化せ
ず、逆に３０重量部を越える場合には低温焼成が可能で
はあるが、Ｌａ（Ｍｇ1/2 Ｔｉ1/2 ）Ｏ3 の結晶相が変
化し、磁器特性が劣化し、特にＱ値が５００程度まで低
下してしまう。
【００１９】また、リチウム含有化合物の含有量がＬｉ
2 ＣＯ3 換算で１重量部よりも少ない場合にも焼成温度
が１１００℃でも緻密化せず、逆に１０重量部を越える
場合にはＬａ（Ｍｇ1/2 Ｔｉ1/2 ）Ｏ3 の結晶相が変化
し、磁器特性が劣化する。
2 ＣＯ3 換算で１重量部よりも少ない場合にも焼成温度
が１１００℃でも緻密化せず、逆に１０重量部を越える
場合にはＬａ（Ｍｇ1/2 Ｔｉ1/2 ）Ｏ3 の結晶相が変化
し、磁器特性が劣化する。
【００２０】従って、硼素含有化合物の含有量は、前記
主成分１００重量部に対してＢ2 Ｏ3 換算で３〜３０重
量部で、かつリチウム含有化合物の含有量も、前記主成
分１００重量部に対してＬｉ2 ＣＯ3 換算で１〜１０重
量部に特定され、とりわけ誘電体磁器のＱ値の観点から
は硼素含有化合物の含有量は４〜１５重量部、かつリチ
ウム含有化合物の含有量も３〜７重量部が望ましい。
主成分１００重量部に対してＢ2 Ｏ3 換算で３〜３０重
量部で、かつリチウム含有化合物の含有量も、前記主成
分１００重量部に対してＬｉ2 ＣＯ3 換算で１〜１０重
量部に特定され、とりわけ誘電体磁器のＱ値の観点から
は硼素含有化合物の含有量は４〜１５重量部、かつリチ
ウム含有化合物の含有量も３〜７重量部が望ましい。
【００２１】また、硼素含有化合物としては、金属硼
素、Ｂ2 Ｏ3 、コレマナイト、ＣａＢ2 Ｏ4 等が好適に
使用できる。
素、Ｂ2 Ｏ3 、コレマナイト、ＣａＢ2 Ｏ4 等が好適に
使用できる。
【００２２】また、本発明においては、誘電体磁器特性
に悪影響を及ばさない範囲でＳｉ、Ｚｎ、Ｍｎ等の酸化
物を添加しても良く、この場合には更に低温での焼成が
可能となる。
に悪影響を及ばさない範囲でＳｉ、Ｚｎ、Ｍｎ等の酸化
物を添加しても良く、この場合には更に低温での焼成が
可能となる。
【００２３】
【作用】本発明の誘電体磁器組成物は、組成式がａＬａ
Ｏ2/3 ・ｂＣａＯ・ｃＴｉＯ2・ｄＭｇＯから成る主成
分に硼素含有化合物とリチウム含有化合物を含有させた
ことから、硼素含有化合物またはリチウム含有化合物単
独では前述のように低温では焼結しないが、前記硼素含
有化合物とリチウム含有化合物を共に含有させることに
より、ＢがＭｇＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 相と反応するの
が抑制され、ＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 相の存在によって
Ｑ値が高く維持されると共に、主成分の構成元素である
Ｌａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｔｉの一部と反応してガラス相を生
成し、該ガラス相がＬａＯ2/3 、ＣａＯ、ＴｉＯ2 、Ｍ
ｇＯから構成される結晶相の粒界に存在することとな
り、硼素含有化合物を単独で含有させた場合より更に低
温の焼成が可能となり、その結果、８５０〜１０５０℃
の比較的低温でＡｇやＣｕ等の導体金属と同時に焼成で
き、誘電体セラミックスの比誘電率εｒやＱ値が高く、
かつ共振周波数の温度係数τｆを比較的小さくすること
ができ、高周波電子回路基板の小型化と高性能化が実現
できることとなる。
Ｏ2/3 ・ｂＣａＯ・ｃＴｉＯ2・ｄＭｇＯから成る主成
分に硼素含有化合物とリチウム含有化合物を含有させた
ことから、硼素含有化合物またはリチウム含有化合物単
独では前述のように低温では焼結しないが、前記硼素含
有化合物とリチウム含有化合物を共に含有させることに
より、ＢがＭｇＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 相と反応するの
が抑制され、ＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 相の存在によって
Ｑ値が高く維持されると共に、主成分の構成元素である
Ｌａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｔｉの一部と反応してガラス相を生
成し、該ガラス相がＬａＯ2/3 、ＣａＯ、ＴｉＯ2 、Ｍ
ｇＯから構成される結晶相の粒界に存在することとな
り、硼素含有化合物を単独で含有させた場合より更に低
温の焼成が可能となり、その結果、８５０〜１０５０℃
の比較的低温でＡｇやＣｕ等の導体金属と同時に焼成で
き、誘電体セラミックスの比誘電率εｒやＱ値が高く、
かつ共振周波数の温度係数τｆを比較的小さくすること
ができ、高周波電子回路基板の小型化と高性能化が実現
できることとなる。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体磁器組成物は、例
えば、ＬａＯ2/3 、ＣａＯ、ＴｉＯ2 、ＭｇＯの各原料
粉末を所定量となるように秤量して混合粉砕した後、該
混合粉砕物を１２００〜１４００℃の温度で１〜３時間
仮焼する。
えば、ＬａＯ2/3 、ＣａＯ、ＴｉＯ2 、ＭｇＯの各原料
粉末を所定量となるように秤量して混合粉砕した後、該
混合粉砕物を１２００〜１４００℃の温度で１〜３時間
仮焼する。
【００２５】かくして得られた仮焼物に硼素含有化合物
粉末とリチウム含有化合物粉末を所定量となるように秤
量して混合粉砕し、該混合粉砕物をプレス成形等、周知
の成形方法により成形した後、大気中において脱バイン
ダー処理し、該脱バインダー体を大気中または窒素雰囲
気中、８５０〜１０５０℃の温度で０．５〜２．０時間
焼成することにより得られる。
粉末とリチウム含有化合物粉末を所定量となるように秤
量して混合粉砕し、該混合粉砕物をプレス成形等、周知
の成形方法により成形した後、大気中において脱バイン
ダー処理し、該脱バインダー体を大気中または窒素雰囲
気中、８５０〜１０５０℃の温度で０．５〜２．０時間
焼成することにより得られる。
【００２６】
【実施例】本発明の誘電体磁器組成物を評価するに際
し、先ず、純度９９％以上のＬａ2Ｏ3 、ＣａＯ、Ｔｉ
Ｏ2 、ＭｇＯの各種原料粉末を表１に示すモル比となる
ように秤量し、該原料粉末に媒体として水を加えて２４
時間、ボールミルにて混合した後、該混合物を乾燥し、
次いで該乾燥物を１４００℃の温度で１時間仮焼した。
し、先ず、純度９９％以上のＬａ2Ｏ3 、ＣａＯ、Ｔｉ
Ｏ2 、ＭｇＯの各種原料粉末を表１に示すモル比となる
ように秤量し、該原料粉末に媒体として水を加えて２４
時間、ボールミルにて混合した後、該混合物を乾燥し、
次いで該乾燥物を１４００℃の温度で１時間仮焼した。
【００２７】
【表１】
【００２８】かくして得られた仮焼物にＢ2 Ｏ3 粉末と
Ｌｉ2 ＣＯ3 粉末を表１に示す含有割合となるように秤
量し、ボールミルにて２４時間、混合した後、バインダ
ーとしてポリビニルアルコールを１重量％加えてから造
粒し、該造粒物を約１ｔ／ｃｍ2 の加圧力でプレス成形
し、直径２０ｍｍ、高さ１０ｍｍの円柱状の成形体を作
製した。
Ｌｉ2 ＣＯ3 粉末を表１に示す含有割合となるように秤
量し、ボールミルにて２４時間、混合した後、バインダ
ーとしてポリビニルアルコールを１重量％加えてから造
粒し、該造粒物を約１ｔ／ｃｍ2 の加圧力でプレス成形
し、直径２０ｍｍ、高さ１０ｍｍの円柱状の成形体を作
製した。
【００２９】その後、前記成形体を大気中、４００℃の
温度で４時間加熱して脱バインダー処理し、引き続いて
大気中において表２に示す各温度で１時間焼成した。
温度で４時間加熱して脱バインダー処理し、引き続いて
大気中において表２に示す各温度で１時間焼成した。
【００３０】かくして得られた円柱状の両端面を平面研
磨し、誘電体特性評価用試料を作製した。
磨し、誘電体特性評価用試料を作製した。
【００３１】前記誘電体特性評価用試料を用いて、誘電
体円柱共振器法により、共振周波数を４〜６ＧＨｚに設
定して各試料の比誘電率εｒと、６ＧＨｚにおけるＱ値
を測定するとともに、−４０℃〜＋８５℃の温度範囲に
おける共振周波数の温度係数τｆを測定して誘電体諸特
性の評価を行った。
体円柱共振器法により、共振周波数を４〜６ＧＨｚに設
定して各試料の比誘電率εｒと、６ＧＨｚにおけるＱ値
を測定するとともに、−４０℃〜＋８５℃の温度範囲に
おける共振周波数の温度係数τｆを測定して誘電体諸特
性の評価を行った。
【００３２】
【表２】
【００３３】前記表１及び表２の結果から明らかなよう
に、本発明の請求範囲外の試料番号６、２３、３１はい
ずれも緻密化せず、硼素含有化合物かリチウム含有化合
物のいずれかが上限を越える同じく試料番号３０、３６
では焼成時に溶融してしまい成形体形状を保たず、試料
番号１、１１、１７ではＱ値が８８０以下と低く、更に
試料番号７、１２、１６は温度係数が±６０ｐｐｍ／℃
を越え、ＭｇＯの含有量が上限を越える試料番号２２は
比誘電率が２６．３と低く実用的でないのに対して、本
発明の誘電体磁器組成物は、いずれも１０５０℃以下の
比較的低温で焼成でき、更に、比誘電率εｒが３１．０
以上、Ｑ値が１０５０以上、かつ共振周波数の温度係数
τｆが０±５０．０ｐｐｍ／℃以内の優れた特性を有す
ることが分かる。
に、本発明の請求範囲外の試料番号６、２３、３１はい
ずれも緻密化せず、硼素含有化合物かリチウム含有化合
物のいずれかが上限を越える同じく試料番号３０、３６
では焼成時に溶融してしまい成形体形状を保たず、試料
番号１、１１、１７ではＱ値が８８０以下と低く、更に
試料番号７、１２、１６は温度係数が±６０ｐｐｍ／℃
を越え、ＭｇＯの含有量が上限を越える試料番号２２は
比誘電率が２６．３と低く実用的でないのに対して、本
発明の誘電体磁器組成物は、いずれも１０５０℃以下の
比較的低温で焼成でき、更に、比誘電率εｒが３１．０
以上、Ｑ値が１０５０以上、かつ共振周波数の温度係数
τｆが０±５０．０ｐｐｍ／℃以内の優れた特性を有す
ることが分かる。
【００３４】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物では組成式が
ａＬａＯ2/3 ・ｂＣａＯ・ｃＴｉＯ2・ｄＭｇＯの組成
物１００重量部に対して、硼素含有化合物をＢ2 Ｏ3 換
算で３〜３０重量部、リチウム含有化合物をＬｉ2 ＣＯ
3 換算で１〜１０重量部含有することから、８５０〜１
０５０℃の比較的低温で焼成することができ、その結
果、ＡｇやＣｕ等の導体金属と同時に焼成することが可
能となり、高周波領域において高い比誘電率を有すると
ともに、Ｑ値も高く、かつ、共振周波数の温度特性にも
優れ、高周波電子回路基板のより一層の小型化と高性能
化が実現できる。
ａＬａＯ2/3 ・ｂＣａＯ・ｃＴｉＯ2・ｄＭｇＯの組成
物１００重量部に対して、硼素含有化合物をＢ2 Ｏ3 換
算で３〜３０重量部、リチウム含有化合物をＬｉ2 ＣＯ
3 換算で１〜１０重量部含有することから、８５０〜１
０５０℃の比較的低温で焼成することができ、その結
果、ＡｇやＣｕ等の導体金属と同時に焼成することが可
能となり、高周波領域において高い比誘電率を有すると
ともに、Ｑ値も高く、かつ、共振周波数の温度特性にも
優れ、高周波電子回路基板のより一層の小型化と高性能
化が実現できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−83751（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−249306（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−128411（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−73907（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−97300（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 35/42 - 35/50 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (1)
- 【請求項１】組成式が ａＬａＯ2/3 ・ｂＣａＯ・ｃＴｉＯ2 ・ｄＭｇＯ 但し、式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄはモル比を表し、 ０．１５ ≦ａ≦０．３５ ０．１５ ≦ｂ≦０．３５ ０．３２５≦ｃ≦０．４３ ０．０７ ≦ｄ≦０．１８ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満足するから成る組成物１００重
量部に対して、硼素含有化合物をＢ2 Ｏ3 換算で３〜３
０重量部、リチウム含有化合物をＬｉ2 ＣＯ3 換算で１
〜１０重量部含有してなることを特徴とする誘電体磁器
組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30468795A JP3215029B2 (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP30468795A JP3215029B2 (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH09142923A JPH09142923A (ja) | 1997-06-03 |
| JP3215029B2 true JP3215029B2 (ja) | 2001-10-02 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP30468795A Expired - Fee Related JP3215029B2 (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP3215029B2 (ja) |
-
1995
- 1995-11-22 JP JP30468795A patent/JP3215029B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09142923A (ja) | 1997-06-03 |
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