JP3404351B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP3404351B2 JP3404351B2 JP2000070480A JP2000070480A JP3404351B2 JP 3404351 B2 JP3404351 B2 JP 3404351B2 JP 2000070480 A JP2000070480 A JP 2000070480A JP 2000070480 A JP2000070480 A JP 2000070480A JP 3404351 B2 JP3404351 B2 JP 3404351B2
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- metal plate
- conductive metal
- lead frame
- semiconductor
- chip
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置に関し、特に、リードに対して、封止樹脂に帯電し
た静電気をリークするように構成した半導体装置に関す
るものである。
装置に関し、特に、リードに対して、封止樹脂に帯電し
た静電気をリークするように構成した半導体装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置においては、樹脂
に帯電した静電気を、図４に示すように、アースリード
１１にリークさせる構成が採られている（例えば、特開
平２−１５５６９８号公報を参照）。このような構成に
することで、樹脂１２に封止された半導体ＩＣチップ１
３の回路への電気的衝撃を排除するが、この場合には、
アースリード１１を、他のリード１４とは別に装備する
必要がある。
に帯電した静電気を、図４に示すように、アースリード
１１にリークさせる構成が採られている（例えば、特開
平２−１５５６９８号公報を参照）。このような構成に
することで、樹脂１２に封止された半導体ＩＣチップ１
３の回路への電気的衝撃を排除するが、この場合には、
アースリード１１を、他のリード１４とは別に装備する
必要がある。
【０００３】また、図５に示すような樹脂封止型半導体
装置では、樹脂２１の外部に露出したリードフレーム２
２の一面に高抵抗の部材２３を覆い、樹脂に帯電した静
電気がリードフレーム２２に直に放出されるのを防止し
て、半導体ＩＣチップ２４の回路への電気的衝撃を回避
する工夫も成されている（例えば、特開昭５９−８８８
５６号公報を参照）。
装置では、樹脂２１の外部に露出したリードフレーム２
２の一面に高抵抗の部材２３を覆い、樹脂に帯電した静
電気がリードフレーム２２に直に放出されるのを防止し
て、半導体ＩＣチップ２４の回路への電気的衝撃を回避
する工夫も成されている（例えば、特開昭５９−８８８
５６号公報を参照）。
【０００４】なお、図３に示すのは、半導体装置を、ハ
ンドリングする際に、静電気がアウターリード３１を介
して、内部の半導体ＩＣチップ（図示せず）の回路へ放
電し、電気的損傷を与えるのを防止するために、リング
状の導電部材３２を、全てのアウターリードに接触させ
て、それらを同電位とし、静電気放出の際の衝撃を分
散、緩和する工夫をしている（例えば、特開平７−２２
５２９号公報を参照）。しかし、これは、ハンドリング
時の対策であって、半導体装置の使用態様での対策では
ない。
ンドリングする際に、静電気がアウターリード３１を介
して、内部の半導体ＩＣチップ（図示せず）の回路へ放
電し、電気的損傷を与えるのを防止するために、リング
状の導電部材３２を、全てのアウターリードに接触させ
て、それらを同電位とし、静電気放出の際の衝撃を分
散、緩和する工夫をしている（例えば、特開平７−２２
５２９号公報を参照）。しかし、これは、ハンドリング
時の対策であって、半導体装置の使用態様での対策では
ない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、外部ノ
イズから半導体ＩＣチップをシールドするために、導電
性金属板を上下から非接触でカバーするようにした樹脂
封止型半導体装置では、樹脂に発生した静電気が前記導
電性金属板を介して、半導体ＩＣチップ側に放電する畏
れがある。
イズから半導体ＩＣチップをシールドするために、導電
性金属板を上下から非接触でカバーするようにした樹脂
封止型半導体装置では、樹脂に発生した静電気が前記導
電性金属板を介して、半導体ＩＣチップ側に放電する畏
れがある。
【０００６】本発明は、上記事情に基づいてなされたも
ので、その目的とするところは、樹脂に発生した静電気
が、半導体ＩＣチップのシールド用に設けられた導電性
金属板へリークする際、その放出電流を抑止して、半導
体ＩＣチップの回路に電気的な損傷を与えないように工
夫した半導体装置を提供するにある。
ので、その目的とするところは、樹脂に発生した静電気
が、半導体ＩＣチップのシールド用に設けられた導電性
金属板へリークする際、その放出電流を抑止して、半導
体ＩＣチップの回路に電気的な損傷を与えないように工
夫した半導体装置を提供するにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このため、本発明では、
樹脂封止型半導体装置において、リードフレームのアイ
ランドに搭載された半導体ＩＣチップを上下から非接触
でカバーするように、四隅にリード脚を備えた導電性金
属板を、そのリード脚を前記リードフレームに接合した
状態で、配置すると共に、前記半導体ＩＣチップ、リー
ドフレームおよび導電性金属板を合成樹脂で封着したも
のであって、前記導電性金属板は、ユニマイト表面処
理、レイデント表面処理あるいはジルコニア表面処理さ
れていて、そのリード脚を延伸加工していることを特徴
とする。
樹脂封止型半導体装置において、リードフレームのアイ
ランドに搭載された半導体ＩＣチップを上下から非接触
でカバーするように、四隅にリード脚を備えた導電性金
属板を、そのリード脚を前記リードフレームに接合した
状態で、配置すると共に、前記半導体ＩＣチップ、リー
ドフレームおよび導電性金属板を合成樹脂で封着したも
のであって、前記導電性金属板は、ユニマイト表面処
理、レイデント表面処理あるいはジルコニア表面処理さ
れていて、そのリード脚を延伸加工していることを特徴
とする。
【０００８】この場合、本発明の実施の形態として、前
記合成樹脂は、前記リードフレームから延出したリード
を残して、前記半導体ＩＣチップ、リードフレーム、導
電性金属板を、内側に埋め込むように成形されているこ
と、あるいは、前記合成樹脂は、前記導電性金属板の外
側面を露出した状態で、前記リードフレームから延出し
たリードを残して、前記半導体ＩＣチップ、リードフレ
ーム、導電性金属板の内側部、そのリード脚を、内側に
埋め込むように成形されていることは、それぞれ、有効
である。
記合成樹脂は、前記リードフレームから延出したリード
を残して、前記半導体ＩＣチップ、リードフレーム、導
電性金属板を、内側に埋め込むように成形されているこ
と、あるいは、前記合成樹脂は、前記導電性金属板の外
側面を露出した状態で、前記リードフレームから延出し
たリードを残して、前記半導体ＩＣチップ、リードフレ
ーム、導電性金属板の内側部、そのリード脚を、内側に
埋め込むように成形されていることは、それぞれ、有効
である。
【０００９】更に、前記導電性金属板が、銅、アルミニ
ウム、鉄あるいはその合金で構成され、また、前記ユニ
マイト表面処理、レイデント表面処理あるいはジルコニ
ア表面処理の厚さが１μｍ〜１００μｍであることは、
本発明の好ましい実施の形態である。
ウム、鉄あるいはその合金で構成され、また、前記ユニ
マイト表面処理、レイデント表面処理あるいはジルコニ
ア表面処理の厚さが１μｍ〜１００μｍであることは、
本発明の好ましい実施の形態である。
【００１０】このような構成では、導電性金属板は、そ
の表面の高抵抗膜を介して、樹脂に接触するのであっ
て、樹脂側に静電気が発生しても、微弱電流しか流れな
いので、前記導電性金属板を経由した、リードフレーム
への静電気放出電流を抑止でき、外部ノイズからシール
ドされた前記半導体ＩＣチップの回路への電気的衝撃を
防止でき、その損傷を回避できる。
の表面の高抵抗膜を介して、樹脂に接触するのであっ
て、樹脂側に静電気が発生しても、微弱電流しか流れな
いので、前記導電性金属板を経由した、リードフレーム
への静電気放出電流を抑止でき、外部ノイズからシール
ドされた前記半導体ＩＣチップの回路への電気的衝撃を
防止でき、その損傷を回避できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
１および図２を参照して、具体的に説明する。ここで
は、リードフレーム１のアイランド１ａに搭載された半
導体ＩＣチップ２を上下から非接触でカバーするよう
に、四隅にリード脚３ａを備えた導電性金属板３（図１
に示すように、この実施の形態では、導電性金属板３は
周縁を有するテーブル型に成形され、リード脚３ａは延
伸加工により一体形成される）を、そのリード脚３ａの
端末をリードフレーム１に接合した状態で、配置すると
共に、半導体ＩＣチップ２、リードフレーム１および導
電性金属板３を合成樹脂４で封着（モールド成形など
で）したものである。
１および図２を参照して、具体的に説明する。ここで
は、リードフレーム１のアイランド１ａに搭載された半
導体ＩＣチップ２を上下から非接触でカバーするよう
に、四隅にリード脚３ａを備えた導電性金属板３（図１
に示すように、この実施の形態では、導電性金属板３は
周縁を有するテーブル型に成形され、リード脚３ａは延
伸加工により一体形成される）を、そのリード脚３ａの
端末をリードフレーム１に接合した状態で、配置すると
共に、半導体ＩＣチップ２、リードフレーム１および導
電性金属板３を合成樹脂４で封着（モールド成形など
で）したものである。
【００１２】そして、導電性金属板３は、そのリード脚
３ａと共に、ユニマイト表面処理、レイデント表面処理
あるいはジルコニア表面処理されている。特に、この実
施の形態では、導電性金属板３が、銅、アルミニウム、
鉄あるいはその合金で構成され、また、前記ユニマイト
表面処理、レイデント表面処理あるいはジルコニア表面
処理の厚さが１μｍ〜１００μｍである。
３ａと共に、ユニマイト表面処理、レイデント表面処理
あるいはジルコニア表面処理されている。特に、この実
施の形態では、導電性金属板３が、銅、アルミニウム、
鉄あるいはその合金で構成され、また、前記ユニマイト
表面処理、レイデント表面処理あるいはジルコニア表面
処理の厚さが１μｍ〜１００μｍである。
【００１３】なお、この実施の形態においては、合成樹
脂４は、リードフレーム１から延出したリード１ｂを残
して、半導体ＩＣチップ２、リードフレーム１、導電性
金属板３を、内側に埋め込むように成形され（図２の右
側半分）、あるいは、導電性金属板３の外側面を露出し
た状態で、リードフレーム１から延出したリード１ｂを
残して、半導体ＩＣチップ２、リードフレーム１、導電
性金属板３の内側部、そのリード脚３ａを、内側に埋め
込むように成形されている（図２の左側半分）。なお、
図中、符号５は半導体ＩＣチップ２の端子とリードフレ
ームの端子との間を結ぶボンディングワイヤである。
脂４は、リードフレーム１から延出したリード１ｂを残
して、半導体ＩＣチップ２、リードフレーム１、導電性
金属板３を、内側に埋め込むように成形され（図２の右
側半分）、あるいは、導電性金属板３の外側面を露出し
た状態で、リードフレーム１から延出したリード１ｂを
残して、半導体ＩＣチップ２、リードフレーム１、導電
性金属板３の内側部、そのリード脚３ａを、内側に埋め
込むように成形されている（図２の左側半分）。なお、
図中、符号５は半導体ＩＣチップ２の端子とリードフレ
ームの端子との間を結ぶボンディングワイヤである。
【００１４】このような構成では、導電性金属板３は、
その表面の高抵抗膜を介して、樹脂に接触するのであっ
て、樹脂４側に静電気が発生しても、微弱電流しか流れ
ないので、導電性金属板３を経由した、リードフレーム
１への静電気放出電流を抑止でき、導電性金属板３によ
って外部ノイズからシールドされた半導体ＩＣチップ２
の回路への電気的衝撃を防止でき、その損傷、破壊を回
避できる。
その表面の高抵抗膜を介して、樹脂に接触するのであっ
て、樹脂４側に静電気が発生しても、微弱電流しか流れ
ないので、導電性金属板３を経由した、リードフレーム
１への静電気放出電流を抑止でき、導電性金属板３によ
って外部ノイズからシールドされた半導体ＩＣチップ２
の回路への電気的衝撃を防止でき、その損傷、破壊を回
避できる。
【００１５】
【発明の効果】本発明は、以上詳述したようになり、樹
脂に帯電した静電気を、導電性金属板の全体の表面に施
した高抵抗材料を通してのみ、放出することにより、微
弱電流しか流れないために、半導体ＩＣチップの表面に
形成された回路を、静電気による破壊から防止すること
ができる。
脂に帯電した静電気を、導電性金属板の全体の表面に施
した高抵抗材料を通してのみ、放出することにより、微
弱電流しか流れないために、半導体ＩＣチップの表面に
形成された回路を、静電気による破壊から防止すること
ができる。
【図１】本発明の実施の形態を示す導電性金属板の斜視
図である。
図である。
【図２】本発明の２つの態様を、左右半分に分けて示し
た縦断側面図である。
た縦断側面図である。
【図３】従来例１の構成を示す模式的斜視図である。
【図４】従来例２の構成を示す模式的平面図である。
【図５】従来例３の構成を示す縦断側面図である。
１ リードフレーム
１ａ アイランド
１ｂ リード
２ 半導体ＩＣチップ
３ 導電性金属板
３ａ リード脚
４ 合成樹脂
５ ボンディングワイヤ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 23/00
H05K 9/00
Claims (4)
- 【請求項１】 樹脂封止型半導体装置において、リード
フレームのアイランドに搭載された半導体ＩＣチップを
上下から非接触でカバーするように、四隅にリード脚を
備えた導電性金属板を、そのリード脚を前記リードフレ
ームに接合した状態で、配置すると共に、前記半導体Ｉ
Ｃチップ、リードフレームおよび導電性金属板を合成樹
脂で封着したものであって、前記導電性金属板は、ユニ
マイト表面処理、レイデント表面処理あるいはジルコニ
ア表面処理されていて、そのリード脚を延伸加工してい
ることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記合成樹脂は、前記リードフレームか
ら延出したリードを残して、前記半導体ＩＣチップ、リ
ードフレーム、導電性金属板を、内側に埋め込むように
成形されていることを特徴とする請求項１に記載の半導
体装置。 - 【請求項３】 前記合成樹脂は、前記導電性金属板の外
側面を露出した状態で、前記リードフレームから延出し
たリードを残して、前記半導体ＩＣチップ、リードフレ
ーム、導電性金属板の内側部、そのリード脚を、内側に
埋め込むように成形されていることを特徴とする請求項
１に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記導電性金属板は、銅、アルミニウ
ム、鉄あるいはその合金で構成され、また、前記ユニマ
イト表面処理、レイデント表面処理あるいはジルコニア
表面処理の厚さは１μｍ〜１００μｍであることを特徴
とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000070480A JP3404351B2 (ja) | 2000-03-14 | 2000-03-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000070480A JP3404351B2 (ja) | 2000-03-14 | 2000-03-14 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001267438A JP2001267438A (ja) | 2001-09-28 |
| JP3404351B2 true JP3404351B2 (ja) | 2003-05-06 |
Family
ID=18589207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000070480A Expired - Fee Related JP3404351B2 (ja) | 2000-03-14 | 2000-03-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3404351B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4935320B2 (ja) * | 2006-11-24 | 2012-05-23 | 株式会社村田製作所 | 部品内蔵多層配線基板装置及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-03-14 JP JP2000070480A patent/JP3404351B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001267438A (ja) | 2001-09-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |