JP3395325B2 - 半導体加速度センサの製造方法 - Google Patents
半導体加速度センサの製造方法Info
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Classifications
-
- H05K999/00—
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体加速度センサの
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体加速度センサの小型化、低
価格化の要望が高まっている。このために、特表平４−
５０４００３号公報にてポリシリコンを電極として用い
た差動容量式半導体加速度センサが示されている。この
種のセンサを図１２，１３を用いて説明する。図１２に
センサの平面を示すとともに、図１３に図１２のＣ−Ｃ
断面を示す。
価格化の要望が高まっている。このために、特表平４−
５０４００３号公報にてポリシリコンを電極として用い
た差動容量式半導体加速度センサが示されている。この
種のセンサを図１２，１３を用いて説明する。図１２に
センサの平面を示すとともに、図１３に図１２のＣ−Ｃ
断面を示す。
【０００３】シリコン基板２９の上方には所定間隔を隔
てて梁構造の可動部３０が配置されている。ポリシリコ
ンよりなる可動部３０は、アンカー部３１，３２，３
３，３４と梁部３５，３６と質量部３７と可動電極部３
８とからなる。可動部３０のアンカー部３１，３２，３
３，３４から梁部３５，３６が延設され、この梁部３
５，３６に質量部３７が支持されている。この質量部３
７の一部に可動電極部３８が形成されている。一方、シ
リコン基板２９上には、１つの可動電極部３８に対し固
定電極３９が２つ対向するように配置されている。そし
て、シリコン基板２９の表面に平行な方向（図１２にＧ
で示す）に加速度が加わった場合、可動電極部３８と固
定電極３９との間の静電容量において片側の静電容量は
増え、もう一方は減る構造となっている。
てて梁構造の可動部３０が配置されている。ポリシリコ
ンよりなる可動部３０は、アンカー部３１，３２，３
３，３４と梁部３５，３６と質量部３７と可動電極部３
８とからなる。可動部３０のアンカー部３１，３２，３
３，３４から梁部３５，３６が延設され、この梁部３
５，３６に質量部３７が支持されている。この質量部３
７の一部に可動電極部３８が形成されている。一方、シ
リコン基板２９上には、１つの可動電極部３８に対し固
定電極３９が２つ対向するように配置されている。そし
て、シリコン基板２９の表面に平行な方向（図１２にＧ
で示す）に加速度が加わった場合、可動電極部３８と固
定電極３９との間の静電容量において片側の静電容量は
増え、もう一方は減る構造となっている。
【０００４】このセンサの製造は、図１４に示すよう
に、シリコン基板２９の上にシリコン酸化膜等の犠牲層
４０を形成するとともに犠牲層４０におけるアンカー部
となる箇所に開口部４１を形成する。その後、図１５に
示すように、犠牲層４０の上に可動部３０となるポリシ
リコン膜を堆積し、所望のパターン形状にする。引き続
き、図１６に示すように、シリコン基板２９における周
辺回路形成領域上にレジスト４３を配置する。そして、
図１７に示すように、レジスト４３をマスクとしてフッ
酸系エッチング液にて可動部３０の下の犠牲層４０を除
去し、可動部３０をシリコン基板２９の上方に所定間隔
を隔てて配置する。最後に、図１８に示すように、レジ
スト４３をエッチング液を用いて除去する。
に、シリコン基板２９の上にシリコン酸化膜等の犠牲層
４０を形成するとともに犠牲層４０におけるアンカー部
となる箇所に開口部４１を形成する。その後、図１５に
示すように、犠牲層４０の上に可動部３０となるポリシ
リコン膜を堆積し、所望のパターン形状にする。引き続
き、図１６に示すように、シリコン基板２９における周
辺回路形成領域上にレジスト４３を配置する。そして、
図１７に示すように、レジスト４３をマスクとしてフッ
酸系エッチング液にて可動部３０の下の犠牲層４０を除
去し、可動部３０をシリコン基板２９の上方に所定間隔
を隔てて配置する。最後に、図１８に示すように、レジ
スト４３をエッチング液を用いて除去する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、可動部３０
の下の犠牲層４０をエッチングする工程において可動部
３０の破損を招いてしまうおそれがあった。つまり、図
１９に示すように、シリコン基板２９をエッチング液４
４に浸し、犠牲層４０のエッチングを行った後に、図２
０に示すように、シリコン基板２９を純水４５に浸し、
シリコン基板２９の表面に付いているエッチング液と純
水とを置換する。さらに、シリコン基板２９を純水４５
の中から取り出し、乾燥する。このとき、図２１に示す
ように、シリコン基板２９と可動部３０との間に純水４
５が残り、この純水の表面張力により可動部３０がシリ
コン基板２９の表面に引っ張られる。その結果、図２２
に示すように、可動部３０が破損してしまう。
の下の犠牲層４０をエッチングする工程において可動部
３０の破損を招いてしまうおそれがあった。つまり、図
１９に示すように、シリコン基板２９をエッチング液４
４に浸し、犠牲層４０のエッチングを行った後に、図２
０に示すように、シリコン基板２９を純水４５に浸し、
シリコン基板２９の表面に付いているエッチング液と純
水とを置換する。さらに、シリコン基板２９を純水４５
の中から取り出し、乾燥する。このとき、図２１に示す
ように、シリコン基板２９と可動部３０との間に純水４
５が残り、この純水の表面張力により可動部３０がシリ
コン基板２９の表面に引っ張られる。その結果、図２２
に示すように、可動部３０が破損してしまう。
【０００６】又、犠牲層４０のエッチング後のレジスト
除去の際に、エッチング液によりレジストを除去したた
めに、このエッチング液を純水と置換し、純水を乾燥さ
せる際に前述したプロセスにて可動部３０の破損を招い
てしまうおそれがあった。
除去の際に、エッチング液によりレジストを除去したた
めに、このエッチング液を純水と置換し、純水を乾燥さ
せる際に前述したプロセスにて可動部３０の破損を招い
てしまうおそれがあった。
【０００７】さらに、犠牲層４０のエッチングマスクと
してレジスト４３を使用するとともに犠牲層４０のエッ
チング時間が長いために、図２３に示すように、レジス
ト４３の下の犠牲層４０（シリコン酸化膜）までエッチ
ングされてしまっていた。
してレジスト４３を使用するとともに犠牲層４０のエッ
チング時間が長いために、図２３に示すように、レジス
ト４３の下の犠牲層４０（シリコン酸化膜）までエッチ
ングされてしまっていた。
【０００８】そこで、この発明の目的は、可動部の破損
を防止するとともに犠牲層のエッチングの際のマスク領
域を確実に保護することができる半導体加速度センサの
製造方法を提供することにある。
を防止するとともに犠牲層のエッチングの際のマスク領
域を確実に保護することができる半導体加速度センサの
製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、半導体基板と、前記半導体基板の上方に所定間隔を
隔てて配置された梁構造の可動部とを備え、加速度の作
用に伴う前記可動部の変位から加速度を検出するように
した半導体加速度センサの製造方法であって、半導体基
板上に犠牲層を形成するとともに犠牲層上に可動部を形
成する第１工程と、前記半導体基板上における所定領域
に、耐酸性があり、かつ乾式で除去可能な材料よりなる
マスク材を配置する第２工程と、前記マスク材によりマ
スクされた状態で酸性エッチング液により可動部の下の
前記犠牲層を除去する第３工程と、前記半導体基板をパ
ラジクロルベンゼンまたはナフタリンである昇華性物質
の中に浸し、前記酸性エッチング液を前記昇華性物質で
置換するとともに、前記昇華性物質を昇華させる第４工
程と、前記マスク材を乾式法にて除去する第５工程とを
備えた半導体加速度センサの製造方法をその要旨とす
る。
は、半導体基板と、前記半導体基板の上方に所定間隔を
隔てて配置された梁構造の可動部とを備え、加速度の作
用に伴う前記可動部の変位から加速度を検出するように
した半導体加速度センサの製造方法であって、半導体基
板上に犠牲層を形成するとともに犠牲層上に可動部を形
成する第１工程と、前記半導体基板上における所定領域
に、耐酸性があり、かつ乾式で除去可能な材料よりなる
マスク材を配置する第２工程と、前記マスク材によりマ
スクされた状態で酸性エッチング液により可動部の下の
前記犠牲層を除去する第３工程と、前記半導体基板をパ
ラジクロルベンゼンまたはナフタリンである昇華性物質
の中に浸し、前記酸性エッチング液を前記昇華性物質で
置換するとともに、前記昇華性物質を昇華させる第４工
程と、前記マスク材を乾式法にて除去する第５工程とを
備えた半導体加速度センサの製造方法をその要旨とす
る。
【００１０】請求項２に記載の発明は、半導体基板と、
前記半導体基板の上方に所定間隔を隔てて配置された梁
構造の可動部とを備え、加速度の作用に伴う前記可動部
の変位から加速度を検出するようにした半導体加速度セ
ンサの製造方法であって、半導体基板上に犠牲層を形成
するとともに犠牲層上に可動部を形成する第１工程と、
前記半導体基板上における所定領域に、耐酸性がある材
料よりなるマスク材を配置する第２工程と、前記マスク
材によりマスクされた状態で酸性エッチング液により可
動部の下の前記犠牲層を除去する第３工程と、前記半導
体基板をパラジクロルベンゼンまたはナフタリンである
昇華性物質の中に浸し、前記酸性エッチング液を前記昇
華性物質で置換するとともに、前記昇華性物質を昇華さ
せる第４工程と、前記マスク材をエッチング液により除
去する第５工程と、前記半導体基板を前記昇華性物質の
中に浸し、前記エッチング液を前記昇華性物質で置換す
るとともに、前記昇華性物質を昇華させる第６工程とを
備えた半導体加速度センサの製造方法をその要旨とす
る。
前記半導体基板の上方に所定間隔を隔てて配置された梁
構造の可動部とを備え、加速度の作用に伴う前記可動部
の変位から加速度を検出するようにした半導体加速度セ
ンサの製造方法であって、半導体基板上に犠牲層を形成
するとともに犠牲層上に可動部を形成する第１工程と、
前記半導体基板上における所定領域に、耐酸性がある材
料よりなるマスク材を配置する第２工程と、前記マスク
材によりマスクされた状態で酸性エッチング液により可
動部の下の前記犠牲層を除去する第３工程と、前記半導
体基板をパラジクロルベンゼンまたはナフタリンである
昇華性物質の中に浸し、前記酸性エッチング液を前記昇
華性物質で置換するとともに、前記昇華性物質を昇華さ
せる第４工程と、前記マスク材をエッチング液により除
去する第５工程と、前記半導体基板を前記昇華性物質の
中に浸し、前記エッチング液を前記昇華性物質で置換す
るとともに、前記昇華性物質を昇華させる第６工程とを
備えた半導体加速度センサの製造方法をその要旨とす
る。
【００１１】請求項３に記載の発明は、請求項１または
請求項２に記載の発明における前記マスク材をポリイミ
ドとした半導体加速度センサの製造方法をその要旨とす
る。
請求項２に記載の発明における前記マスク材をポリイミ
ドとした半導体加速度センサの製造方法をその要旨とす
る。
【００１２】
【作用】請求項１に記載の発明は、第１工程により半導
体基板上に犠牲層が形成されるとともに犠牲層上に可動
部が形成される。第２工程により半導体基板上における
所定領域に、耐酸性があり、かつ乾式で除去可能な材料
よりなるマスク材が配置される。第３工程により、マス
ク材によりマスクされた状態で酸性エッチング液により
可動部の下の犠牲層が除去される。このとき、マスク材
は耐酸性があるので、マスク材にてマスクされた領域が
酸性エッチング液から確実に保護される。
体基板上に犠牲層が形成されるとともに犠牲層上に可動
部が形成される。第２工程により半導体基板上における
所定領域に、耐酸性があり、かつ乾式で除去可能な材料
よりなるマスク材が配置される。第３工程により、マス
ク材によりマスクされた状態で酸性エッチング液により
可動部の下の犠牲層が除去される。このとき、マスク材
は耐酸性があるので、マスク材にてマスクされた領域が
酸性エッチング液から確実に保護される。
【００１３】第４工程により半導体基板がパラジクロル
ベンゼンまたはナフタリンである昇華性物質の中に浸さ
れ、酸性エッチング液が昇華性物質で置換されるととも
に、昇華性物質が昇華される。このとき、エッチング液
を純水で置換し純水を乾燥した場合には、可動部と半導
体基板との間に残った純水の表面張力により可動部が半
導体基板に引き寄せられ可動部の破損を招くおそれがあ
る。しかし、エッチング液を昇華性物質で置換して、そ
の昇華性物質を昇華するので、可動部の破損が回避され
る。
ベンゼンまたはナフタリンである昇華性物質の中に浸さ
れ、酸性エッチング液が昇華性物質で置換されるととも
に、昇華性物質が昇華される。このとき、エッチング液
を純水で置換し純水を乾燥した場合には、可動部と半導
体基板との間に残った純水の表面張力により可動部が半
導体基板に引き寄せられ可動部の破損を招くおそれがあ
る。しかし、エッチング液を昇華性物質で置換して、そ
の昇華性物質を昇華するので、可動部の破損が回避され
る。
【００１４】第５工程によりマスク材が乾式法にて除去
される。よって、マスク材の除去を湿式法にて行った場
合には、エッチング液が純水で置換され、純水の乾燥の
時に可動部と半導体基板との間に残った純水の表面張力
により可動部が半導体基板に引き寄せられ可動部の破損
を招くおそれがある。しかし、マスク材が乾式法にて除
去されるので、可動部の破損が回避される。
される。よって、マスク材の除去を湿式法にて行った場
合には、エッチング液が純水で置換され、純水の乾燥の
時に可動部と半導体基板との間に残った純水の表面張力
により可動部が半導体基板に引き寄せられ可動部の破損
を招くおそれがある。しかし、マスク材が乾式法にて除
去されるので、可動部の破損が回避される。
【００１５】請求項２に記載の発明は、第１工程により
半導体基板上に犠牲層が形成されるとともに犠牲層上に
可動部が形成される。第２工程により半導体基板上にお
ける所定領域に、耐酸性がある材料よりなるマスク材が
配置される。第３工程により、マスク材によりマスクさ
れた状態で酸性エッチング液により可動部の下の犠牲層
が除去される。このとき、マスク材は耐酸性があるの
で、マスク材にてマスクした領域が酸性エッチング液か
ら確実に保護される。
半導体基板上に犠牲層が形成されるとともに犠牲層上に
可動部が形成される。第２工程により半導体基板上にお
ける所定領域に、耐酸性がある材料よりなるマスク材が
配置される。第３工程により、マスク材によりマスクさ
れた状態で酸性エッチング液により可動部の下の犠牲層
が除去される。このとき、マスク材は耐酸性があるの
で、マスク材にてマスクした領域が酸性エッチング液か
ら確実に保護される。
【００１６】第４工程により半導体基板がパラジクロル
ベンゼンまたはナフタリンである昇華性物質の中に浸さ
れ、酸性エッチング液が昇華性物質で置換されるととも
に、昇華性物質が昇華される。このとき、エッチング液
を純水で置換し純水を乾燥した場合には、可動部と半導
体基板との間に残った純水の表面張力により可動部が半
導体基板に引き寄せられ可動部の破損を招くおそれがあ
る。しかし、エッチング液を昇華性物質で置換して、そ
の昇華性物質を昇華するので、可動部の破損が回避され
る。
ベンゼンまたはナフタリンである昇華性物質の中に浸さ
れ、酸性エッチング液が昇華性物質で置換されるととも
に、昇華性物質が昇華される。このとき、エッチング液
を純水で置換し純水を乾燥した場合には、可動部と半導
体基板との間に残った純水の表面張力により可動部が半
導体基板に引き寄せられ可動部の破損を招くおそれがあ
る。しかし、エッチング液を昇華性物質で置換して、そ
の昇華性物質を昇華するので、可動部の破損が回避され
る。
【００１７】第５工程によりマスク材がエッチング液に
より除去される。第６工程により半導体基板が前記昇華
性物質の中に浸され、エッチング液が昇華性物質で置換
されるとともに、昇華性物質が昇華される。このとき、
エッチング液を純水で置換し純水を乾燥した場合には、
可動部と半導体基板との間に残った純水の表面張力によ
り可動部が半導体基板に引き寄せられ可動部の破損を招
くおそれがある。しかし、エッチング液を昇華性物質で
置換して、その昇華性物質を昇華するので、可動部の破
損が回避される。
より除去される。第６工程により半導体基板が前記昇華
性物質の中に浸され、エッチング液が昇華性物質で置換
されるとともに、昇華性物質が昇華される。このとき、
エッチング液を純水で置換し純水を乾燥した場合には、
可動部と半導体基板との間に残った純水の表面張力によ
り可動部が半導体基板に引き寄せられ可動部の破損を招
くおそれがある。しかし、エッチング液を昇華性物質で
置換して、その昇華性物質を昇華するので、可動部の破
損が回避される。
【００１８】請求項３に記載の発明は、請求項１または
請求項２に記載の発明の作用に加え、マスク材をポリイ
ミドとしたので、耐酸性に優れたものとなる。
請求項２に記載の発明の作用に加え、マスク材をポリイ
ミドとしたので、耐酸性に優れたものとなる。
【００１９】
（第１実施例）以下、この発明を具体化した第１実施例
を図面に従って説明する。
を図面に従って説明する。
【００２０】図１は、本実施例の半導体加速度センサの
平面図を示す。又、図２には図１のＡ−Ａ断面を示し、
図３には図１のＢ−Ｂ断面を示す。本実施例は、ＭＩＳ
トランジスタ式の半導体加速度センサとなっている。
平面図を示す。又、図２には図１のＡ−Ａ断面を示し、
図３には図１のＢ−Ｂ断面を示す。本実施例は、ＭＩＳ
トランジスタ式の半導体加速度センサとなっている。
【００２１】半導体基板としてのＰ型シリコン基板１の
上面には、ポリシリコンよりなる可動部２が設けられて
いる。この可動部２は、アンカー部３，４，５，６と梁
部７，８と質量部９と可動電極部１０，１１とからな
る。
上面には、ポリシリコンよりなる可動部２が設けられて
いる。この可動部２は、アンカー部３，４，５，６と梁
部７，８と質量部９と可動電極部１０，１１とからな
る。
【００２２】より具体的には、シリコン基板１には４つ
のアンカー部３，４，５，６が突設されている。そし
て、アンカー部３とアンカー部４とを結ぶようにシリコ
ン基板１の上方に所定間隔を隔てて帯状の梁部７が延設
されている。又、アンカー部５とアンカー部６とを結ぶ
ようにシリコン基板１の上方に所定間隔を隔てて帯状の
梁部８が延設されている。両梁部７，８の長さ方向にお
ける中央部分には、シリコン基板１の上方に所定間隔を
隔てて方形の質量部９が形成されている。
のアンカー部３，４，５，６が突設されている。そし
て、アンカー部３とアンカー部４とを結ぶようにシリコ
ン基板１の上方に所定間隔を隔てて帯状の梁部７が延設
されている。又、アンカー部５とアンカー部６とを結ぶ
ようにシリコン基板１の上方に所定間隔を隔てて帯状の
梁部８が延設されている。両梁部７，８の長さ方向にお
ける中央部分には、シリコン基板１の上方に所定間隔を
隔てて方形の質量部９が形成されている。
【００２３】又、梁部７の長さ方向における中央部分に
は可動電極部１０が突設されている。同様に、梁部８の
長さ方向における中央部分には可動電極部１１が突設さ
れている。図３に示すように、シリコン基板１の表面に
おける可動電極部１１の両側には不純物拡散層よりなる
固定電極１２，１３が形成され、この固定電極１２，１
３はシリコン基板１にイオン注入等によりＮ型不純物を
導入することにより形成されたものである。同様に、図
１に示すようにシリコン基板１の表面における可動電極
部１０の両側には不純物拡散層よりなる固定電極１４，
１５が形成されている。
は可動電極部１０が突設されている。同様に、梁部８の
長さ方向における中央部分には可動電極部１１が突設さ
れている。図３に示すように、シリコン基板１の表面に
おける可動電極部１１の両側には不純物拡散層よりなる
固定電極１２，１３が形成され、この固定電極１２，１
３はシリコン基板１にイオン注入等によりＮ型不純物を
導入することにより形成されたものである。同様に、図
１に示すようにシリコン基板１の表面における可動電極
部１０の両側には不純物拡散層よりなる固定電極１４，
１５が形成されている。
【００２４】又、図３に示すように、シリコン基板１に
おける固定電極１２，１３間には反転層１６が形成さ
れ、同反転層１６はシリコン基板１と可動電極部１１と
の間に電圧を印加することにより生じたものである。同
様に、シリコン基板１における固定電極１４，１５間に
も反転層（図示略）が形成され、同反転層はシリコン基
板１と可動電極部１０との間に電圧を印加することによ
り生じる。
おける固定電極１２，１３間には反転層１６が形成さ
れ、同反転層１６はシリコン基板１と可動電極部１１と
の間に電圧を印加することにより生じたものである。同
様に、シリコン基板１における固定電極１４，１５間に
も反転層（図示略）が形成され、同反転層はシリコン基
板１と可動電極部１０との間に電圧を印加することによ
り生じる。
【００２５】さらに、図１に示すように、シリコン基板
１には周辺回路１７が形成されている。この周辺回路１
７と可動部２とが電気的に接続されるとともに、周辺回
路１７と固定電極１２〜１５とが電気的に接続されてい
る。
１には周辺回路１７が形成されている。この周辺回路１
７と可動部２とが電気的に接続されるとともに、周辺回
路１７と固定電極１２〜１５とが電気的に接続されてい
る。
【００２６】次に、加速度センサの動作を説明する。可
動部２（可動電極部１０，１１）とシリコン基板１との
間に電圧を印加するとともに、固定電極１２，１３間、
及び固定電極１４，１５間に電圧を印加すると、反転層
１６が形成され、固定電極１２，１３間、及び固定電極
１４，１５間に電流が流れる。本加速度センサが加速度
を受けて、図１に示すＸ方向（基板１の表面に平行な方
向）に可動部２が変位した場合には、固定電極１２，１
３間、及び固定電極１４，１５間の反転層領域の面積
（トランジスタでいうゲート幅）が変わる。その結果、
固定電極１２，１３に流れる電流は減少し、固定電極１
４，１５に流れる電流は逆に増大する。この固定電極間
の電流を周辺回路１７にて測定することにより、加速度
が検出される。
動部２（可動電極部１０，１１）とシリコン基板１との
間に電圧を印加するとともに、固定電極１２，１３間、
及び固定電極１４，１５間に電圧を印加すると、反転層
１６が形成され、固定電極１２，１３間、及び固定電極
１４，１５間に電流が流れる。本加速度センサが加速度
を受けて、図１に示すＸ方向（基板１の表面に平行な方
向）に可動部２が変位した場合には、固定電極１２，１
３間、及び固定電極１４，１５間の反転層領域の面積
（トランジスタでいうゲート幅）が変わる。その結果、
固定電極１２，１３に流れる電流は減少し、固定電極１
４，１５に流れる電流は逆に増大する。この固定電極間
の電流を周辺回路１７にて測定することにより、加速度
が検出される。
【００２７】次に、このように構成した半導体加速度セ
ンサの製造工程を図４〜図１０を用いて説明する。図４
に示すように、Ｐ型シリコン基板１を用意し、シリコン
基板１の上にＣＶＤ法やスパッタ法にてシリコン酸化膜
よりなる犠牲層１８を堆積するとともに犠牲層１８にお
けるアンカー部となる箇所に開口部１９を形成する。そ
の後、図５に示すように、犠牲層１８の上に可動部２と
なるポリシリコン膜を堆積し、図１に示した可動部２の
形状にパターニングする。
ンサの製造工程を図４〜図１０を用いて説明する。図４
に示すように、Ｐ型シリコン基板１を用意し、シリコン
基板１の上にＣＶＤ法やスパッタ法にてシリコン酸化膜
よりなる犠牲層１８を堆積するとともに犠牲層１８にお
けるアンカー部となる箇所に開口部１９を形成する。そ
の後、図５に示すように、犠牲層１８の上に可動部２と
なるポリシリコン膜を堆積し、図１に示した可動部２の
形状にパターニングする。
【００２８】引き続き、図６に示すように、シリコン基
板１上にマスク材としてのポリイミド膜２１を堆積し、
犠牲層１８におけるエッチングしたい箇所を開口し、周
辺回路１７の上のポリイミド膜２１を残す。そして、図
７に示すように、シリコン基板１をフッ酸系のエッチン
グ液に浸し、可動部２（ポリシリコン膜）の下の犠牲層
１８をエッチング除去する。
板１上にマスク材としてのポリイミド膜２１を堆積し、
犠牲層１８におけるエッチングしたい箇所を開口し、周
辺回路１７の上のポリイミド膜２１を残す。そして、図
７に示すように、シリコン基板１をフッ酸系のエッチン
グ液に浸し、可動部２（ポリシリコン膜）の下の犠牲層
１８をエッチング除去する。
【００２９】ここで、ポリイミド膜２１は耐酸性に優れ
ているため長時間（３０分〜６０分）エッチング液に晒
されていてもポリイミド膜２１の下のシリコン酸化膜
（犠牲層１８）がエッチングされることはない。
ているため長時間（３０分〜６０分）エッチング液に晒
されていてもポリイミド膜２１の下のシリコン酸化膜
（犠牲層１８）がエッチングされることはない。
【００３０】そして、エッチング液による犠牲層１８の
エッチングが終了すると、シリコン基板１を水洗する。
さらに、図８に示すように、融点が５０〜６０℃で液体
の昇華性物質としてのパラジクロルベンゼン２２の中に
シリコン基板１を浸して純水とパラジクロルベンゼン２
２とを置換する。引き続き、シリコン基板１をパラジク
ロルベンゼン２２から取り出し、常温にて乾燥させてパ
ラジクロルベンゼンを昇華させる。
エッチングが終了すると、シリコン基板１を水洗する。
さらに、図８に示すように、融点が５０〜６０℃で液体
の昇華性物質としてのパラジクロルベンゼン２２の中に
シリコン基板１を浸して純水とパラジクロルベンゼン２
２とを置換する。引き続き、シリコン基板１をパラジク
ロルベンゼン２２から取り出し、常温にて乾燥させてパ
ラジクロルベンゼンを昇華させる。
【００３１】ここで、エッチング液と純水とを置換した
後に純水を乾燥させようとすると、乾燥時において純水
の表面張力により図２２に示すように可動部２がシリコ
ン基板１の表面に引っ張られ可動部２が破損するおそれ
がある。しかし、エッチング液を純水を介して昇華性物
質であるパラジクロルベンゼンと置換し、パラジクロル
ベンゼンを昇華させるようにしたので、可動部２の破損
が回避される。
後に純水を乾燥させようとすると、乾燥時において純水
の表面張力により図２２に示すように可動部２がシリコ
ン基板１の表面に引っ張られ可動部２が破損するおそれ
がある。しかし、エッチング液を純水を介して昇華性物
質であるパラジクロルベンゼンと置換し、パラジクロル
ベンゼンを昇華させるようにしたので、可動部２の破損
が回避される。
【００３２】その結果、図２に示すように可動部２がシ
リコン基板１の上方に所定間隔を隔てて配置される。さ
らに、図９に示すように、ポリイミド膜２１をＯ2 アッ
シングして、図１０に示すようにポリイミド膜２１を除
去する。ここで、湿式法を用いると、前述したようにエ
ッチング液と純水とを置換した後の乾燥時において純水
の表面張力により図２２に示すように可動部２がシリコ
ン基板１の表面に引っ張られ可動部２が破損するおそれ
がある。しかし、乾式にてポリイミド膜２１を除去して
いるので、可動部２の破損が回避される。
リコン基板１の上方に所定間隔を隔てて配置される。さ
らに、図９に示すように、ポリイミド膜２１をＯ2 アッ
シングして、図１０に示すようにポリイミド膜２１を除
去する。ここで、湿式法を用いると、前述したようにエ
ッチング液と純水とを置換した後の乾燥時において純水
の表面張力により図２２に示すように可動部２がシリコ
ン基板１の表面に引っ張られ可動部２が破損するおそれ
がある。しかし、乾式にてポリイミド膜２１を除去して
いるので、可動部２の破損が回避される。
【００３３】このように本実施例では、シリコン基板１
（半導体基板）上に犠牲層１８を形成するとともに犠牲
層１８上に可動部２を形成し（第１工程）、シリコン基
板１上における所定領域に、耐酸性があり、かつ乾式で
除去可能なポリイミド膜２１（マスク材）を配置する。
そして、ポリイミド膜２１によりマスクされた状態でフ
ッ酸系エッチング液（酸性エッチング液）により可動部
２の下の犠牲層１８を除去する（第３工程）。このと
き、ポリイミド膜２１は耐酸性があるので、ポリイミド
膜２１でマスクした領域がエッチング液から確実に保護
される。
（半導体基板）上に犠牲層１８を形成するとともに犠牲
層１８上に可動部２を形成し（第１工程）、シリコン基
板１上における所定領域に、耐酸性があり、かつ乾式で
除去可能なポリイミド膜２１（マスク材）を配置する。
そして、ポリイミド膜２１によりマスクされた状態でフ
ッ酸系エッチング液（酸性エッチング液）により可動部
２の下の犠牲層１８を除去する（第３工程）。このと
き、ポリイミド膜２１は耐酸性があるので、ポリイミド
膜２１でマスクした領域がエッチング液から確実に保護
される。
【００３４】そして、フッ酸系エッチング液をパラジク
ロルベンゼン２２（昇華性物質）で置換するとともに、
パラジクロルベンゼン２２を昇華する（第４工程）。こ
のとき、エッチング液を純水で置換し純水を乾燥した場
合には、可動部２とシリコン基板１との間に残った純水
の表面張力により可動部２がシリコン基板１に引き寄せ
られ可動部２の破損を招くおそれがある。しかし、エッ
チング液をパラジクロルベンゼン２２で置換して、その
パラジクロルベンゼン２２を昇華するので、可動部２の
破損が回避される。
ロルベンゼン２２（昇華性物質）で置換するとともに、
パラジクロルベンゼン２２を昇華する（第４工程）。こ
のとき、エッチング液を純水で置換し純水を乾燥した場
合には、可動部２とシリコン基板１との間に残った純水
の表面張力により可動部２がシリコン基板１に引き寄せ
られ可動部２の破損を招くおそれがある。しかし、エッ
チング液をパラジクロルベンゼン２２で置換して、その
パラジクロルベンゼン２２を昇華するので、可動部２の
破損が回避される。
【００３５】さらに、ポリイミド膜２１を乾式法にて除
去する（第５工程）。よって、マスク材の除去を湿式法
にて行った場合には、エッチング液を純水で置換し純水
を乾燥した時に、可動部２とシリコン基板１との間に残
った純水の表面張力により可動部２がシリコン基板１に
引き寄せられ可動部２の破損を招くおそれがある。しか
し、ポリイミド膜２１が乾式法にて除去されるので、可
動部２の破損が回避される。
去する（第５工程）。よって、マスク材の除去を湿式法
にて行った場合には、エッチング液を純水で置換し純水
を乾燥した時に、可動部２とシリコン基板１との間に残
った純水の表面張力により可動部２がシリコン基板１に
引き寄せられ可動部２の破損を招くおそれがある。しか
し、ポリイミド膜２１が乾式法にて除去されるので、可
動部２の破損が回避される。
【００３６】又、マスク材をポリイミドとしたので、耐
酸性に優れたものとなる。さらに、昇華性物質をパラジ
クロルベンゼンとしたので、低い温度で昇華させること
ができる。 （第２実施例）次に、第２実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。
酸性に優れたものとなる。さらに、昇華性物質をパラジ
クロルベンゼンとしたので、低い温度で昇華させること
ができる。 （第２実施例）次に、第２実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。
【００３７】第１実施例における半導体加速度センサの
製造方法においては、乾式にてポリイミド膜２１を除去
することにより可動部２の破損を回避している。これに
対し本実施例では、ポリイミド膜２１を湿式にて除去し
てそのときのエッチング液を水洗し、純水をパラジクロ
ルベンゼン（昇華性物質）で置換し、パラジクロルベン
ゼンを昇華させる。
製造方法においては、乾式にてポリイミド膜２１を除去
することにより可動部２の破損を回避している。これに
対し本実施例では、ポリイミド膜２１を湿式にて除去し
てそのときのエッチング液を水洗し、純水をパラジクロ
ルベンゼン（昇華性物質）で置換し、パラジクロルベン
ゼンを昇華させる。
【００３８】このとき、エッチング液を純水で置換し純
水を乾燥した場合には、可動部２とシリコン基板１との
間に残った純水の表面張力により可動部２がシリコン基
板１に引き寄せられ可動部２の破損を招くおそれがあ
る。しかし、エッチング液が純水を介してパラジクロル
ベンゼンで置換され、そのパラジクロルベンゼンが昇華
されるので、可動部２の破損が回避される。
水を乾燥した場合には、可動部２とシリコン基板１との
間に残った純水の表面張力により可動部２がシリコン基
板１に引き寄せられ可動部２の破損を招くおそれがあ
る。しかし、エッチング液が純水を介してパラジクロル
ベンゼンで置換され、そのパラジクロルベンゼンが昇華
されるので、可動部２の破損が回避される。
【００３９】このように本実施例では、シリコン基板１
（半導体基板）上に犠牲層１８を形成するとともに犠牲
層１８上に可動部２を形成し（第１工程）、シリコン基
板１上における所定領域に、ポリイミド膜２１（耐酸性
がある材料よりなるマスク材）を配置する（第２工
程）。そして、ポリイミド膜２１によりマスクされた状
態でフッ酸系エッチング液（酸性エッチング液）により
可動部２の下の犠牲層１８を除去する（第３工程）。こ
のとき、ポリイミド膜２１は耐酸性があるので、ポリイ
ミド膜２１にてマスクした領域がエッチング液から確実
に保護される。
（半導体基板）上に犠牲層１８を形成するとともに犠牲
層１８上に可動部２を形成し（第１工程）、シリコン基
板１上における所定領域に、ポリイミド膜２１（耐酸性
がある材料よりなるマスク材）を配置する（第２工
程）。そして、ポリイミド膜２１によりマスクされた状
態でフッ酸系エッチング液（酸性エッチング液）により
可動部２の下の犠牲層１８を除去する（第３工程）。こ
のとき、ポリイミド膜２１は耐酸性があるので、ポリイ
ミド膜２１にてマスクした領域がエッチング液から確実
に保護される。
【００４０】さらに、エッチング液をパラジクロルベン
ゼン（昇華性物質）２２で置換するとともに、パラジク
ロルベンゼンを昇華する（第４工程）。このとき、エッ
チング液を純水で置換し純水を乾燥した場合には、可動
部２とシリコン基板１との間に残った純水の表面張力に
より可動部２がシリコン基板１に引き寄せられ可動部２
の破損を招くおそれがある。しかし、エッチング液をパ
ラジクロルベンゼン２２で置換して、そのパラジクロル
ベンゼン２２を昇華するので、可動部２の破損が回避さ
れる。
ゼン（昇華性物質）２２で置換するとともに、パラジク
ロルベンゼンを昇華する（第４工程）。このとき、エッ
チング液を純水で置換し純水を乾燥した場合には、可動
部２とシリコン基板１との間に残った純水の表面張力に
より可動部２がシリコン基板１に引き寄せられ可動部２
の破損を招くおそれがある。しかし、エッチング液をパ
ラジクロルベンゼン２２で置換して、そのパラジクロル
ベンゼン２２を昇華するので、可動部２の破損が回避さ
れる。
【００４１】そして、ポリイミド膜２１をエッチング液
により除去し（第５工程）、エッチング液をパラジクロ
ルベンゼン２２で置換するとともに、パラジクロルベン
ゼンを昇華する（第６工程）。このとき、エッチング液
を純水で置換し純水を乾燥した場合には、可動部２とシ
リコン基板１との間に残った純水の表面張力により可動
部２がシリコン基板１に引き寄せられ可動部２の破損を
招くおそれがある。しかし、エッチング液をパラジクロ
ルベンゼン２２で置換して、そのパラジクロルベンゼン
を昇華するので、可動部２の破損が回避される。
により除去し（第５工程）、エッチング液をパラジクロ
ルベンゼン２２で置換するとともに、パラジクロルベン
ゼンを昇華する（第６工程）。このとき、エッチング液
を純水で置換し純水を乾燥した場合には、可動部２とシ
リコン基板１との間に残った純水の表面張力により可動
部２がシリコン基板１に引き寄せられ可動部２の破損を
招くおそれがある。しかし、エッチング液をパラジクロ
ルベンゼン２２で置換して、そのパラジクロルベンゼン
を昇華するので、可動部２の破損が回避される。
【００４２】尚、この発明は上記各実施例に限定される
ものではなく、例えば、昇華性物質として、パラジクロ
ルベンゼンの他にも、ナフタリン（融点；８０．５
℃）、を用いてもよい。ナフタリンを昇華性物質として
用いた場合にも、低い温度で昇華させることができる。
ものではなく、例えば、昇華性物質として、パラジクロ
ルベンゼンの他にも、ナフタリン（融点；８０．５
℃）、を用いてもよい。ナフタリンを昇華性物質として
用いた場合にも、低い温度で昇華させることができる。
【００４３】さらに、昇華性物質としては、Ｐ−アセチ
ル安息香酸（融点；２０６℃）、アセナフテンキノン
（融点；２６０〜２６１℃）、アトロビン（融点；１１
４〜１１６℃）、ｍ−アミノ安息香酸（融点；１７７．
９℃）、２−アミノアントラキノン（融点；３０２
℃）、β−アミノイソ吉草酸（融点；２１７℃）、α−
アミノイソ吉草酸（融点；３０５〜３０６℃）、２−ア
ミノ−ｐ−クレゾール（融点；１３５℃）、３−アミノ
−ｐ−クレゾール（融点；１５７〜１５９℃）、４−ア
ミノ−ｏ−クレゾール（融点；１７４〜１７５℃）、５
−アミノ−ｏ−クレゾール（融点；１５９〜１６１
℃）、８−アミノ−２−ナフトール（融点；２０５〜２
０７℃）、ｏ−アミノフェノール（融点；１７７℃）、
ｐ−アミノフェノール（融点；１８９．６〜１９０．２
℃）、アリザリンブルー（融点；２６８〜２７０℃）、
１−アントラセンカルボン酸（融点；２４６℃）、イサ
チン（融点；２０３．５℃）、キニーネ（融点；１７７
℃）、２−キノリルアミン（融点；１３１．５℃）、キ
ンヒドロン（融点；１７１℃）、グリオキシム（融点；
１７８℃）を使用してもよい。
ル安息香酸（融点；２０６℃）、アセナフテンキノン
（融点；２６０〜２６１℃）、アトロビン（融点；１１
４〜１１６℃）、ｍ−アミノ安息香酸（融点；１７７．
９℃）、２−アミノアントラキノン（融点；３０２
℃）、β−アミノイソ吉草酸（融点；２１７℃）、α−
アミノイソ吉草酸（融点；３０５〜３０６℃）、２−ア
ミノ−ｐ−クレゾール（融点；１３５℃）、３−アミノ
−ｐ−クレゾール（融点；１５７〜１５９℃）、４−ア
ミノ−ｏ−クレゾール（融点；１７４〜１７５℃）、５
−アミノ−ｏ−クレゾール（融点；１５９〜１６１
℃）、８−アミノ−２−ナフトール（融点；２０５〜２
０７℃）、ｏ−アミノフェノール（融点；１７７℃）、
ｐ−アミノフェノール（融点；１８９．６〜１９０．２
℃）、アリザリンブルー（融点；２６８〜２７０℃）、
１−アントラセンカルボン酸（融点；２４６℃）、イサ
チン（融点；２０３．５℃）、キニーネ（融点；１７７
℃）、２−キノリルアミン（融点；１３１．５℃）、キ
ンヒドロン（融点；１７１℃）、グリオキシム（融点；
１７８℃）を使用してもよい。
【００４４】又、犠牲層の材料としては、シリコン酸化
膜の他にも、ＰＳＧやＢＳＧやＢＰＳＧであってもよ
い。又、可動部の材料としては、ポリシリコンの他に
も、アモルファスシリコンや非晶質シリコンや単結晶シ
リコンであってもよい。さらに、エッチング液として
は、フッ酸系エッチング液の他にもその他の酸性エッチ
ング液であってもよい。
膜の他にも、ＰＳＧやＢＳＧやＢＰＳＧであってもよ
い。又、可動部の材料としては、ポリシリコンの他に
も、アモルファスシリコンや非晶質シリコンや単結晶シ
リコンであってもよい。さらに、エッチング液として
は、フッ酸系エッチング液の他にもその他の酸性エッチ
ング液であってもよい。
【００４５】さらに、上記実施例ではＭＩＳトランジス
タ式の半導体加速度センサに具体化したが、図１２で示
した差動容量式半導体加速度センサに具体化してもよ
い。さらには、上記実施例では酸性エッチング液を純水
を介してパラジクロルベンゼン（昇華性物質）で置換し
たが、酸性エッチング液を直接、昇華性物質で置換して
もよい。
タ式の半導体加速度センサに具体化したが、図１２で示
した差動容量式半導体加速度センサに具体化してもよ
い。さらには、上記実施例では酸性エッチング液を純水
を介してパラジクロルベンゼン（昇華性物質）で置換し
たが、酸性エッチング液を直接、昇華性物質で置換して
もよい。
【００４６】又、前記実施例では図３に示すようにＮチ
ャネルＭＯＳトランジスタとしたが、図１１に示すよう
に、ＰチャネルＭＯＳトランジスタに具体化してもよ
い。
ャネルＭＯＳトランジスタとしたが、図１１に示すよう
に、ＰチャネルＭＯＳトランジスタに具体化してもよ
い。
【００４７】
【発明の効果】以上詳述したように請求項１および請求
項２に記載の発明によれば、可動部の破損を防止すると
ともに犠牲層のエッチングの際のマスク領域を確実に保
護することができる。また、昇華性物質を低い温度で昇
華させることができる。そして、請求項３に記載の発明
によれば、請求項１または請求項２に記載の発明の効果
に加えマスク材を耐酸性に優れたものにできる。
項２に記載の発明によれば、可動部の破損を防止すると
ともに犠牲層のエッチングの際のマスク領域を確実に保
護することができる。また、昇華性物質を低い温度で昇
華させることができる。そして、請求項３に記載の発明
によれば、請求項１または請求項２に記載の発明の効果
に加えマスク材を耐酸性に優れたものにできる。
【図１】実施例の半導体加速度センサの平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】半導体加速度センサの製造工程を説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図５】半導体加速度センサの製造工程を説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図６】半導体加速度センサの製造工程を説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図７】半導体加速度センサの製造工程を説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図８】半導体加速度センサの製造工程を説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図９】半導体加速度センサの製造工程を説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図１０】半導体加速度センサの製造工程を説明するた
めの断面図である。
めの断面図である。
【図１１】別例の半導体加速度センサの断面図である。
【図１２】従来技術を説明するための半導体加速度セン
サの平面図である。
サの平面図である。
【図１３】図１２のＣ−Ｃ断面図である。
【図１４】従来の半導体加速度センサの製造工程を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図１５】従来の半導体加速度センサの製造工程を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図１６】従来の半導体加速度センサの製造工程を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図１７】従来の半導体加速度センサの製造工程を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図１８】従来の半導体加速度センサの製造工程を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図１９】従来の半導体加速度センサの製造工程を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図２０】従来の半導体加速度センサの製造工程を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図２１】従来の半導体加速度センサの製造工程を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図２２】従来の半導体加速度センサの製造工程を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図２３】従来の半導体加速度センサの製造工程を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
１ 半導体基板としてのシリコン基板
２ 可動部
１８ 犠牲層
２１ マスク材としてのポリイミド膜
２２ 昇華性物質としてのパラジクロルベンゼン
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 鈴木 康利
愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本
電装 株式会社 内
(56)参考文献 特開 平４−282831（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−270131（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−196306（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−332852（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−42817（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−169420（ＪＰ，Ａ)
特表 平４−504003（ＪＰ，Ａ)
特表 平３−502268（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 29/84
H01L 21/306
G01P 15/12
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板と、 前記半導体基板の上方に所定間隔を隔てて配置された梁
構造の可動部とを備え、加速度の作用に伴う前記可動部
の変位から加速度を検出するようにした半導体加速度セ
ンサの製造方法であって、 半導体基板上に犠牲層を形成するとともに犠牲層上に可
動部を形成する第１工程と、 前記半導体基板上における所定領域に、耐酸性があり、
かつ乾式で除去可能な材料よりなるマスク材を配置する
第２工程と、 前記マスク材によりマスクされた状態で酸性エッチング
液により可動部の下の前記犠牲層を除去する第３工程
と、前記半導体基板をパラジクロルベンゼンまたはナフタリ
ンである昇華性物質の中に浸し、 前記酸性エッチング液
を前記昇華性物質で置換するとともに、前記昇華性物質
を昇華させる第４工程と、 前記マスク材を乾式法にて除去する第５工程とを備えた
ことを特徴とする半導体加速度センサの製造方法。 - 【請求項２】 半導体基板と、 前記半導体基板の上方に所定間隔を隔てて配置された梁
構造の可動部とを備え、加速度の作用に伴う前記可動部
の変位から加速度を検出するようにした半導体加速度セ
ンサの製造方法であって、 半導体基板上に犠牲層を形成するとともに犠牲層上に可
動部を形成する第１工程と、 前記半導体基板上における所定領域に、耐酸性がある材
料よりなるマスク材を配置する第２工程と、 前記マスク材によりマスクされた状態で酸性エッチング
液により可動部の下の前記犠牲層を除去する第３工程
と、前記半導体基板をパラジクロルベンゼンまたはナフタリ
ンである昇華性物質の中に浸し、 前記酸性エッチング液
を前記昇華性物質で置換するとともに、前記昇華性物質
を昇華させる第４工程と、 前記マスク材をエッチング液により除去する第５工程
と、前記半導体基板を前記昇華性物質の中に浸し、 前記エッ
チング液を前記昇華性物質で置換するとともに、前記昇
華性物質を昇華させる第６工程とを備えたことを特徴と
する半導体加速度センサの製造方法。 - 【請求項３】 前記マスク材はポリイミドである請求項
１または請求項２に記載の半導体加速度センサの製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3613994A JP3395325B2 (ja) | 1994-03-07 | 1994-03-07 | 半導体加速度センサの製造方法 |
| US08/399,342 US5851851A (en) | 1994-03-07 | 1995-03-06 | Method for fabricating a semiconductor acceleration sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3613994A JP3395325B2 (ja) | 1994-03-07 | 1994-03-07 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07245414A JPH07245414A (ja) | 1995-09-19 |
| JP3395325B2 true JP3395325B2 (ja) | 2003-04-14 |
Family
ID=12461462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3613994A Expired - Lifetime JP3395325B2 (ja) | 1994-03-07 | 1994-03-07 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3395325B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3527117B2 (ja) | 1998-12-24 | 2004-05-17 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体力学量センサの製造方法およびその製造装置 |
| JP2001102597A (ja) | 1999-09-30 | 2001-04-13 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体構造およびその製造方法 |
| JP5681560B2 (ja) * | 2011-05-17 | 2015-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板乾燥方法及び基板処理装置 |
-
1994
- 1994-03-07 JP JP3613994A patent/JP3395325B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07245414A (ja) | 1995-09-19 |
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