JP3374998B2 - フラツクス塗布方法及びその装置 - Google Patents
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- H05K3/3489—Composition of fluxes; Methods of application thereof; Other methods of activating the contact surfaces
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。
産業上の利用分野
従来の技術
発明が解決しようとする課題（図１０及び図１１）
課題を解決するための手段（図２〜図９）
作用（図２〜図９）
実施例（図１〜図９）
発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明はフラツクス塗布方法及び
その装置に関し、例えば基板上にフリツプチツプ実装さ
れるチツプ部品のバンプにフラツクスを塗布するフラツ
クス塗布方法及びその装置に適用して好適なものであ
る。
その装置に関し、例えば基板上にフリツプチツプ実装さ
れるチツプ部品のバンプにフラツクスを塗布するフラツ
クス塗布方法及びその装置に適用して好適なものであ
る。
【０００３】
【従来の技術】従来、基板上にチツプ部品を実装する方
法として基板側のランドにフラツクスを塗布し、この部
分にチツプ部品のバンプを接合するようにして当該チツ
プ部品をフリツプチツプ実装するようになされている。
法として基板側のランドにフラツクスを塗布し、この部
分にチツプ部品のバンプを接合するようにして当該チツ
プ部品をフリツプチツプ実装するようになされている。
【０００４】この場合、フラツクスの塗布方法として第
１に筆を用いる方法がある。また第２にデイスペンサを
用いて塗布するデイスペンス方式がある。また第３に所
定の容器に溜められたフラツクスにＩＣリードのはんだ
付け部を浸漬してＩＣリード側にフラツクスを塗布する
デイツプ方法がある。また第４にスプレーを用いて塗布
部分にフラツクスをスプレー塗布する方法がある。
１に筆を用いる方法がある。また第２にデイスペンサを
用いて塗布するデイスペンス方式がある。また第３に所
定の容器に溜められたフラツクスにＩＣリードのはんだ
付け部を浸漬してＩＣリード側にフラツクスを塗布する
デイツプ方法がある。また第４にスプレーを用いて塗布
部分にフラツクスをスプレー塗布する方法がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが第１の筆方式
においては、フラツクスの乾燥による筆の硬化、筆の毛
抜けが生じると共に微小スペースへの塗布が困難であつ
た。
においては、フラツクスの乾燥による筆の硬化、筆の毛
抜けが生じると共に微小スペースへの塗布が困難であつ
た。
【０００６】また第２のデイスペンス方式においては、
微少量の塗布に対しては針径の細い物を用いる必要があ
り、この場合針の詰まりが生じる問題があつた。
微少量の塗布に対しては針径の細い物を用いる必要があ
り、この場合針の詰まりが生じる問題があつた。
【０００７】また第３のデイツプ方式及び第４のスプレ
ー方式においては、微小な必要部分のみにフラツクスを
塗布することが困難であつた。
ー方式においては、微小な必要部分のみにフラツクスを
塗布することが困難であつた。
【０００８】このように基板側にフラツクスを塗布する
方法においては、基板側の微小なランドのみにフラツク
スを塗布することが困難であり、またＩＣリード側にフ
ラツクスを塗布する方法をフリツプチツプ実装に用いる
場合、バンプが微小なことにより当該バンプのみにフラ
ツクスを塗布することが困難な問題があつた。
方法においては、基板側の微小なランドのみにフラツク
スを塗布することが困難であり、またＩＣリード側にフ
ラツクスを塗布する方法をフリツプチツプ実装に用いる
場合、バンプが微小なことにより当該バンプのみにフラ
ツクスを塗布することが困難な問題があつた。
【０００９】ここで図１０は基板１９上にベアチツプ
（チツプ部品１）をフエイスダウンによつて実装するフ
リツプチツプ実装方法を示し、図１０（Ａ）に示すよう
に基板１９のランド１９Ａにはんだ１９Ｂをプリコート
しておき、当該はんだ１９Ｂに対してチツプ部品１のは
んだバンプ２を位置合わせした後、図１０（Ｂ）に示す
ようにランド１９Ａ上のはんだ１９Ｂとはんだバンプ２
とを接合し、この状態でリフロー加熱することにより、
ランド１９Ａにチツプ部品１をはんだ付けするようにな
されている。
（チツプ部品１）をフエイスダウンによつて実装するフ
リツプチツプ実装方法を示し、図１０（Ａ）に示すよう
に基板１９のランド１９Ａにはんだ１９Ｂをプリコート
しておき、当該はんだ１９Ｂに対してチツプ部品１のは
んだバンプ２を位置合わせした後、図１０（Ｂ）に示す
ようにランド１９Ａ上のはんだ１９Ｂとはんだバンプ２
とを接合し、この状態でリフロー加熱することにより、
ランド１９Ａにチツプ部品１をはんだ付けするようにな
されている。
【００１０】ここでランド１９Ａ上にはんだ１９Ｂを形
成する方法として、クリームはんだを印刷する方法が考
えられるが、クリームはんだを印刷する場合、 500〔μ
ｍ〕ピツチでの印刷が限界であり、ランド１９Ａ及びチ
ツプ部品１の電極のピツチは150〔μｍ〕であることか
らランド１９Ａ上にフラツクス成分のないはんだ合金で
なるはんだ１９Ｂをはんだプリコートの手法を用いて形
成することになる。従つてリフロー加熱前にフラツクス
を塗布する必要がある。
成する方法として、クリームはんだを印刷する方法が考
えられるが、クリームはんだを印刷する場合、 500〔μ
ｍ〕ピツチでの印刷が限界であり、ランド１９Ａ及びチ
ツプ部品１の電極のピツチは150〔μｍ〕であることか
らランド１９Ａ上にフラツクス成分のないはんだ合金で
なるはんだ１９Ｂをはんだプリコートの手法を用いて形
成することになる。従つてリフロー加熱前にフラツクス
を塗布する必要がある。
【００１１】またフリツプチツプ実装方法によつてチツ
プ部品１を基板１９上に実装する場合、接続後にチツプ
部品１と基板２の熱膨張係数の差による応力がはんだ接
合部に集中することを防ぐため、図１１に示すようにチ
ツプ部品１及び基板１９を封止樹脂３によつて封止する
必要がある。
プ部品１を基板１９上に実装する場合、接続後にチツプ
部品１と基板２の熱膨張係数の差による応力がはんだ接
合部に集中することを防ぐため、図１１に示すようにチ
ツプ部品１及び基板１９を封止樹脂３によつて封止する
必要がある。
【００１２】この封止樹脂３をチツプ部品１及び基板１
９間に均一に充填するためにはフラツクスの除去が必要
である。このため封止樹脂３による封止処理の前には洗
浄を行う必要があるが、チツプ部品１及び基板１９間の
間隙は 100〔μｍ〕以下と狭いため、当該間隙の洗浄は
困難である。従つてフラツクスは必要な部分のみに塗布
しなければならなかつた。
９間に均一に充填するためにはフラツクスの除去が必要
である。このため封止樹脂３による封止処理の前には洗
浄を行う必要があるが、チツプ部品１及び基板１９間の
間隙は 100〔μｍ〕以下と狭いため、当該間隙の洗浄は
困難である。従つてフラツクスは必要な部分のみに塗布
しなければならなかつた。
【００１３】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、フリツプチツプ実装において、必要な部分のみにフ
ラツクスを塗布し得るフラツクス塗布方法及びその装置
を提案しようとするものである。
で、フリツプチツプ実装において、必要な部分のみにフ
ラツクスを塗布し得るフラツクス塗布方法及びその装置
を提案しようとするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、電極部にバンプ２が形成されてな
るチツプ部品１のバンプ２に対してフラツクス３５を塗
布するフラツクス塗布方法において、所定深さに形成さ
れ、底面に弾性体５５を敷いたフラツクス槽３４にフラ
ツクス３５を溜め、当該フラツクス槽３４に溜められた
フラツクス３５の表面をスキージによつて平面化するこ
とによつてフラツクス３５の膜厚をフラツクス槽３４の
深さに応じて制御し、膜厚制御されたフラツクス槽３４
のフラツクス３５にチツプ部品１に形成されたバンプ２
を浸漬して弾性体５５に当接し、バンプ２にフラツクス
３５を塗布するようにする。
め本発明においては、電極部にバンプ２が形成されてな
るチツプ部品１のバンプ２に対してフラツクス３５を塗
布するフラツクス塗布方法において、所定深さに形成さ
れ、底面に弾性体５５を敷いたフラツクス槽３４にフラ
ツクス３５を溜め、当該フラツクス槽３４に溜められた
フラツクス３５の表面をスキージによつて平面化するこ
とによつてフラツクス３５の膜厚をフラツクス槽３４の
深さに応じて制御し、膜厚制御されたフラツクス槽３４
のフラツクス３５にチツプ部品１に形成されたバンプ２
を浸漬して弾性体５５に当接し、バンプ２にフラツクス
３５を塗布するようにする。
【００１５】また本発明においては、電極部にバンプ２
が形成されてなるチツプ部品１のバンプ２に対してフラ
ツクス３５を塗布するフラツクス塗布装置３０におい
て、所定深さに形成され、底面に弾性体５５を敷いたフ
ラツクス槽３４と、当該フラツクス槽３４に溜められた
フラツクス３５の表面をスキージによつて平面化するこ
とによつてフラツクス３５の膜厚をフラツクス槽３４の
深さに応じて制御する平面化手段３１と、膜厚制御され
たフラツクス槽３４のフラツクス３５にチツプ部品１に
形成されたバンプ２を浸漬して弾性体５５に当接し、バ
ンプ２にフラツクス３５を塗布する搬送手段２０とを備
えるようにする。
が形成されてなるチツプ部品１のバンプ２に対してフラ
ツクス３５を塗布するフラツクス塗布装置３０におい
て、所定深さに形成され、底面に弾性体５５を敷いたフ
ラツクス槽３４と、当該フラツクス槽３４に溜められた
フラツクス３５の表面をスキージによつて平面化するこ
とによつてフラツクス３５の膜厚をフラツクス槽３４の
深さに応じて制御する平面化手段３１と、膜厚制御され
たフラツクス槽３４のフラツクス３５にチツプ部品１に
形成されたバンプ２を浸漬して弾性体５５に当接し、バ
ンプ２にフラツクス３５を塗布する搬送手段２０とを備
えるようにする。
【００１６】
【００１７】また本発明においては、フラツクス塗布装
置３０は、膜厚制御されたフラツクス３５にバンプ２を
浸漬する際、バンプ２がフラツクス３５に接触したこと
を検出する接触検出手段５０を備え、接触検出手段５０
によつてバンプ２のフラツクス３５への接触が検出され
た位置からバンプ２を所定量だけフラツクス３５内に浸
漬するようにする。
置３０は、膜厚制御されたフラツクス３５にバンプ２を
浸漬する際、バンプ２がフラツクス３５に接触したこと
を検出する接触検出手段５０を備え、接触検出手段５０
によつてバンプ２のフラツクス３５への接触が検出され
た位置からバンプ２を所定量だけフラツクス３５内に浸
漬するようにする。
【００１８】また本発明においては、電極部にバンプ２
が形成されてなるチツプ部品１のバンプ２に対してフラ
ツクス３５を塗布するフラツクス塗布装置３０におい
て、バンプ２の高さよりも深く形成され、バンプ２の配
列形状に応じて溝形状に形成されたフラツクス槽６４
と、フラツクス槽６４のフラツクス３５にチツプ部品１
に形成されたバンプ２を浸漬する搬送手段２０とを備え
るようにする。
が形成されてなるチツプ部品１のバンプ２に対してフラ
ツクス３５を塗布するフラツクス塗布装置３０におい
て、バンプ２の高さよりも深く形成され、バンプ２の配
列形状に応じて溝形状に形成されたフラツクス槽６４
と、フラツクス槽６４のフラツクス３５にチツプ部品１
に形成されたバンプ２を浸漬する搬送手段２０とを備え
るようにする。
【００１９】
【作用】バンプ２の高さよりも浅いフラツクス槽３４に
溜められたフラツクス３５を平面化して膜厚制御し、当
該フラツクス３５にバンプ２を浸漬することにより、バ
ンプ２のみにフラツクス３５を塗布することができる。
このときバンプ２を弾性体５５に当接していることによ
り、当該バンプ２の個々の大きさにばらつきがあつた場
合であつても、当該ばらつきを弾性体５５によつて吸収
してバンプ２を潰すことなくかつバンプ２だけにフラツ
クス３５を均一な状態で塗布することができる。
溜められたフラツクス３５を平面化して膜厚制御し、当
該フラツクス３５にバンプ２を浸漬することにより、バ
ンプ２のみにフラツクス３５を塗布することができる。
このときバンプ２を弾性体５５に当接していることによ
り、当該バンプ２の個々の大きさにばらつきがあつた場
合であつても、当該ばらつきを弾性体５５によつて吸収
してバンプ２を潰すことなくかつバンプ２だけにフラツ
クス３５を均一な状態で塗布することができる。
【００２０】またチツプ部品１のバンプ２の配列に応じ
た部分のみに溝部６２を形成し、当該溝部６２の深さを
バンプ２の高さよりも深くしてなるフラツクス槽６４に
バンプ２を浸漬することにより、溝部６２が形成された
以外の凸部６３Ａにチツプ部品１のバンプ形成面１Ｃが
当接し、これによりバンプ２のみにフラツクス３５を塗
布することができる。
た部分のみに溝部６２を形成し、当該溝部６２の深さを
バンプ２の高さよりも深くしてなるフラツクス槽６４に
バンプ２を浸漬することにより、溝部６２が形成された
以外の凸部６３Ａにチツプ部品１のバンプ形成面１Ｃが
当接し、これによりバンプ２のみにフラツクス３５を塗
布することができる。
【００２１】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００２２】図１において１０は全体としてチツプ部品
実装装置を示し、基台１１上に支柱９を介してガイド部
材１２が固定されており、当該ガイド部材１２に沿つて
搬送装置２０が矢印ｘで示す方向又はこれとは逆方向に
移動自在に支持されている。
実装装置を示し、基台１１上に支柱９を介してガイド部
材１２が固定されており、当該ガイド部材１２に沿つて
搬送装置２０が矢印ｘで示す方向又はこれとは逆方向に
移動自在に支持されている。
【００２３】搬送装置２０は矢印ｚで示す方向またはこ
れとは逆方向に上下動し得ると共に、矢印ｒで示す方向
又はこれとは逆方向に回動し得る可動体２１を有し、当
該可動体２１の下端部には吸着ヘツド２２が設けられて
おり、当該吸着ヘツド２２に対して所定の真空源（図示
せず）によつて負圧を与えるようになされている。
れとは逆方向に上下動し得ると共に、矢印ｒで示す方向
又はこれとは逆方向に回動し得る可動体２１を有し、当
該可動体２１の下端部には吸着ヘツド２２が設けられて
おり、当該吸着ヘツド２２に対して所定の真空源（図示
せず）によつて負圧を与えるようになされている。
【００２４】基台１１上にはチツプ部品１を供給するチ
ツプ部品供給部１６が設けられ、当該チツプ部品供給部
１６のチツプ部品１を搬送装置２０の吸着ヘツド２２に
よつて吸着保持した後、これをフラツクス塗布部３０に
搬送する。
ツプ部品供給部１６が設けられ、当該チツプ部品供給部
１６のチツプ部品１を搬送装置２０の吸着ヘツド２２に
よつて吸着保持した後、これをフラツクス塗布部３０に
搬送する。
【００２５】フラツクス塗布部３０は、溝部３２にフラ
ツクスを溜めた後、スキージ３１を左右方向に往復移動
することにより当該溝部３２の表面をスキージングし、
フラツクスの表面を平面状にする。この状態において搬
送装置２０に吸着保持されたチツプ部品１の電極面側を
溝部３２に浸漬することにより当該チツプ部品１の電極
に形成されたバンプにフラツクスを塗布し得るようにな
されている。
ツクスを溜めた後、スキージ３１を左右方向に往復移動
することにより当該溝部３２の表面をスキージングし、
フラツクスの表面を平面状にする。この状態において搬
送装置２０に吸着保持されたチツプ部品１の電極面側を
溝部３２に浸漬することにより当該チツプ部品１の電極
に形成されたバンプにフラツクスを塗布し得るようにな
されている。
【００２６】フラツクスが塗布されたチツプ部品１は、
搬送装置２０によつて搬送され、カメラ１７によつて撮
像することにより、吸着ヘツド２２に対するチツプ部品
１の吸着状態を認識し、さらに搬送装置装置２０に設け
られたカメラ１３によつて基板１９のパターンを認識す
る。
搬送装置２０によつて搬送され、カメラ１７によつて撮
像することにより、吸着ヘツド２２に対するチツプ部品
１の吸着状態を認識し、さらに搬送装置装置２０に設け
られたカメラ１３によつて基板１９のパターンを認識す
る。
【００２７】ここで吸着ヘツド２２に吸着保持されたチ
ツプ部品１を載せる実装対象としての基板１９は矢印ｙ
で示す方向又はこれとは逆方向に移動し得るステージ１
５上に保持されている。
ツプ部品１を載せる実装対象としての基板１９は矢印ｙ
で示す方向又はこれとは逆方向に移動し得るステージ１
５上に保持されている。
【００２８】従つてステージ１５及び搬送装置２０を移
動しながらカメラ１３によつて基板１９のパターンを認
識し、実装領域を検出することにより当該実装領域にチ
ツプ部品１を実装することができる。
動しながらカメラ１３によつて基板１９のパターンを認
識し、実装領域を検出することにより当該実装領域にチ
ツプ部品１を実装することができる。
【００２９】ここで図２はフラツクス塗布部３０におけ
る溝部３２を示し、基台部３３にチツプ部品１の平面形
状よりも大きくかつチツプ部品１に形成されたバンプ２
の高さよりも浅い凹状の溝部３２がフラツクス槽３４と
して形成されている。
る溝部３２を示し、基台部３３にチツプ部品１の平面形
状よりも大きくかつチツプ部品１に形成されたバンプ２
の高さよりも浅い凹状の溝部３２がフラツクス槽３４と
して形成されている。
【００３０】このフラツクス槽３４を用いてチツプ部品
１のバンプ２にフラツクスを塗布する方法を図３及び図
４に示す。すなわち図３（Ａ）に示すように溝部３２に
フラツクス３５を溜めた後、図３（Ｂ）に示すようにス
キージ３１を水平に移動することによりフラツクス３５
の表面を平面化する。この結果当該フラツクス３５の膜
厚は溝部３２の深さと同一となる。
１のバンプ２にフラツクスを塗布する方法を図３及び図
４に示す。すなわち図３（Ａ）に示すように溝部３２に
フラツクス３５を溜めた後、図３（Ｂ）に示すようにス
キージ３１を水平に移動することによりフラツクス３５
の表面を平面化する。この結果当該フラツクス３５の膜
厚は溝部３２の深さと同一となる。
【００３１】この状態において図３（Ｃ）に示すように
チツプ部品１をバンプ形成面を下にして溝部３２に位置
合わせし、さらに図４（Ａ）に示すようにバンプ２が溝
部３２の底部に接触するまでチツプ部品１を下降させ
る。
チツプ部品１をバンプ形成面を下にして溝部３２に位置
合わせし、さらに図４（Ａ）に示すようにバンプ２が溝
部３２の底部に接触するまでチツプ部品１を下降させ
る。
【００３２】このときバンプ２の高さは溝部３２の深さ
よりも大きいことにより、チツプ部品１のバンプ形成面
１Ｃはフラツクス３５に接触せず、当該バンプ形成面１
Ｃにフラツクス３５が付着することを回避し得る。
よりも大きいことにより、チツプ部品１のバンプ形成面
１Ｃはフラツクス３５に接触せず、当該バンプ形成面１
Ｃにフラツクス３５が付着することを回避し得る。
【００３３】さらに図４（Ｂ）に示すようにフラツクス
槽３４に浸漬されたチツプ部品１を上昇させることによ
り、当該チツプ部品１のバンプ２のみにフラツクス３５
を塗布することができる。
槽３４に浸漬されたチツプ部品１を上昇させることによ
り、当該チツプ部品１のバンプ２のみにフラツクス３５
を塗布することができる。
【００３４】因に図５はチツプ部品１をフラツクス槽３
４内に下降させ、溝部３２の底面にバンプ２が接触した
とき当該チツプ部品１を吸着保持した吸着ヘツド２２の
下降動作を停止させる接触検出センサ５０の構成を示
す。すなわち図５（Ａ）及び（Ｂ）は吸着ヘツド２２に
チツプ部品１が吸着保持された状態を示し、吸着ヘツド
２２の外周面にベアリング５３を介して摺動部５２が上
下方向に摺動自在に保持されている。
４内に下降させ、溝部３２の底面にバンプ２が接触した
とき当該チツプ部品１を吸着保持した吸着ヘツド２２の
下降動作を停止させる接触検出センサ５０の構成を示
す。すなわち図５（Ａ）及び（Ｂ）は吸着ヘツド２２に
チツプ部品１が吸着保持された状態を示し、吸着ヘツド
２２の外周面にベアリング５３を介して摺動部５２が上
下方向に摺動自在に保持されている。
【００３５】この摺動部材５２は図５（Ａ）に示すよう
に吸着ヘツド２２が上昇位置にある状態において電気接
点５２Ａが接触部材５１の電気接点５１Ａに接触し導通
している。この状態において吸着ヘツド２２を下降させ
ると、図５（Ｂ）に示すように吸着ヘツド２２に吸着保
持されたチツプ部品１のバンプ２がフラツクス槽３４の
溝部３２の底面に接触し、チツプ部品１（すなわち吸着
ヘツド２２）の下降動作が規制されると、昇降部材に固
定された摺動部５２のみが下降する。
に吸着ヘツド２２が上昇位置にある状態において電気接
点５２Ａが接触部材５１の電気接点５１Ａに接触し導通
している。この状態において吸着ヘツド２２を下降させ
ると、図５（Ｂ）に示すように吸着ヘツド２２に吸着保
持されたチツプ部品１のバンプ２がフラツクス槽３４の
溝部３２の底面に接触し、チツプ部品１（すなわち吸着
ヘツド２２）の下降動作が規制されると、昇降部材に固
定された摺動部５２のみが下降する。
【００３６】この結果摺動部材５２の電気接点５２Ａが
接触部材５１の電気接点５１Ａから離れることにより、
不導通状態となる。従つてこれを所定の検出回路（図示
せず）によつて検出することにより搬送装置２０は吸着
ヘツド２２の下降動作を停止する。
接触部材５１の電気接点５１Ａから離れることにより、
不導通状態となる。従つてこれを所定の検出回路（図示
せず）によつて検出することにより搬送装置２０は吸着
ヘツド２２の下降動作を停止する。
【００３７】以上の構成において、搬送装置２０の吸着
ヘツド２２に吸着保持されたチツプ部品１を、フラツク
ス槽３４に浸漬してバンプ２にフラツクス３５を塗布し
た後、当該チツプ部品１をそのまま基板１９上に位置決
めして当該基板１９に対してフエイスダウンすることに
より、フラツクス３５の塗布工程及び基板１９に対する
実装工程が一連の動作によつて行われる。従つて簡単か
つ確実にチツプ部品１を基板１９上にフリツプチツプ実
装することができる。
ヘツド２２に吸着保持されたチツプ部品１を、フラツク
ス槽３４に浸漬してバンプ２にフラツクス３５を塗布し
た後、当該チツプ部品１をそのまま基板１９上に位置決
めして当該基板１９に対してフエイスダウンすることに
より、フラツクス３５の塗布工程及び基板１９に対する
実装工程が一連の動作によつて行われる。従つて簡単か
つ確実にチツプ部品１を基板１９上にフリツプチツプ実
装することができる。
【００３８】以上の構成によれば、チツプ部品１に形成
されたバンプ２の高さよりも浅いフラツクス槽３４にフ
ラツクス３５を溜め、この表面をスキージ３１によつて
スキージングすることにより、バンプ２の高さよりも薄
いフラツクス層を形成し、当該フラツクス層にバンプ２
を浸漬することにより、当該バンプ２のみにフラツクス
２を塗布することができる。
されたバンプ２の高さよりも浅いフラツクス槽３４にフ
ラツクス３５を溜め、この表面をスキージ３１によつて
スキージングすることにより、バンプ２の高さよりも薄
いフラツクス層を形成し、当該フラツクス層にバンプ２
を浸漬することにより、当該バンプ２のみにフラツクス
２を塗布することができる。
【００３９】なお上述の実施例においては、フラツクス
槽３４に溜められたフラツクス３５に対するバンプ２の
浸漬量をフラツクス槽３４の深さによつて制御した場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば図５
に示す接触検出センサ５０を用いてチツプ部品１のバン
プ２がフラツクス槽３４に溜められたフラツクス３５に
接触したときこれを検出するようにし、当該検出位置か
ら予め設定された下降量だけチツプ部品１を下降させる
ように制御しても良い。
槽３４に溜められたフラツクス３５に対するバンプ２の
浸漬量をフラツクス槽３４の深さによつて制御した場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば図５
に示す接触検出センサ５０を用いてチツプ部品１のバン
プ２がフラツクス槽３４に溜められたフラツクス３５に
接触したときこれを検出するようにし、当該検出位置か
ら予め設定された下降量だけチツプ部品１を下降させる
ように制御しても良い。
【００４０】また上述の実施例においては、基台部３３
に形成された溝部３２の底面に直接チツプ部品１のバン
プ２を当接する場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、例えば図６に示すようにフラツクス槽３４を形
成する溝部３２の底面にゴム等の弾性体５５を敷き、当
該弾性体５５にバンプ２を当接するようにしても良い。
に形成された溝部３２の底面に直接チツプ部品１のバン
プ２を当接する場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、例えば図６に示すようにフラツクス槽３４を形
成する溝部３２の底面にゴム等の弾性体５５を敷き、当
該弾性体５５にバンプ２を当接するようにしても良い。
【００４１】このようにすれば、バンプ２の個々の大き
さのばらつきを当該弾性体５５によつて吸収することが
でき、大きさの異なる複数のバンプ２に対して均一にフ
ラツクス３５を塗布することができる。
さのばらつきを当該弾性体５５によつて吸収することが
でき、大きさの異なる複数のバンプ２に対して均一にフ
ラツクス３５を塗布することができる。
【００４２】さらに上述の実施例においては、チツプ部
品１の平面形状よりも大きな溝部３２でなるフラツクス
層３４を用いた場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、例えばバンプ２の高さが個々に異なる場合を考
慮して、図７に示すように各バンプ２の配列に応じた溝
部６２を有するフラツクス槽６４を形成するようにして
も良い。
品１の平面形状よりも大きな溝部３２でなるフラツクス
層３４を用いた場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、例えばバンプ２の高さが個々に異なる場合を考
慮して、図７に示すように各バンプ２の配列に応じた溝
部６２を有するフラツクス槽６４を形成するようにして
も良い。
【００４３】このフラツクス槽６４を用いてチツプ部品
１のバンプ２にフラツクスを塗布する方法を図８及び図
９に示す。すなわち図８（Ａ）に示すように溝部６２に
フラツクス３５を溜めた後、図８（Ｂ）に示すようにス
キージ３１を水平に移動することによりフラツクス３５
の表面を平面化する。この結果当該フラツクス３５を深
さは溝部３２の深さと同一となる。
１のバンプ２にフラツクスを塗布する方法を図８及び図
９に示す。すなわち図８（Ａ）に示すように溝部６２に
フラツクス３５を溜めた後、図８（Ｂ）に示すようにス
キージ３１を水平に移動することによりフラツクス３５
の表面を平面化する。この結果当該フラツクス３５を深
さは溝部３２の深さと同一となる。
【００４４】この状態において図８（Ｃ）に示すように
チツプ部品１をバンプ形成面を下にして溝部６２に位置
合わせし、さらに図９（Ａ）に示すようにチツプ部品１
のバンプ形成面１Ｃがフラツクス槽６４の溝部６２に囲
まれた基台部６３の凸部６３Ａに当接するまで下降させ
る。
チツプ部品１をバンプ形成面を下にして溝部６２に位置
合わせし、さらに図９（Ａ）に示すようにチツプ部品１
のバンプ形成面１Ｃがフラツクス槽６４の溝部６２に囲
まれた基台部６３の凸部６３Ａに当接するまで下降させ
る。
【００４５】このときバンプ２の高さは溝部３２の深さ
よりも小さいことにより、バンプ全体にフラツクス３５
を塗布することができる。この場合、バンプ２の大きさ
が個々に異なつていても、チツプ部品１のバンプ形成面
が基台部６３の凸部６３Ａに当接することにより、各バ
ンプ２に対して同様にフラツクス３５を塗布することが
できる。
よりも小さいことにより、バンプ全体にフラツクス３５
を塗布することができる。この場合、バンプ２の大きさ
が個々に異なつていても、チツプ部品１のバンプ形成面
が基台部６３の凸部６３Ａに当接することにより、各バ
ンプ２に対して同様にフラツクス３５を塗布することが
できる。
【００４６】またスキージ３１によつて表面のフラツク
ス３５を除去した凸部６３Ａにチツプ部品１のバンプ形
成面を当接することにより、当該バンプ形成面にフラツ
クス３５が付着することを回避し得る。
ス３５を除去した凸部６３Ａにチツプ部品１のバンプ形
成面を当接することにより、当該バンプ形成面にフラツ
クス３５が付着することを回避し得る。
【００４７】かくして図９（Ｂ）に示すように、フラツ
クス槽６４に浸漬されたチツプ部品１を上昇させること
により、当該チツプ部品１のバンプ２のみにフラツクス
３５を塗布することができる。
クス槽６４に浸漬されたチツプ部品１を上昇させること
により、当該チツプ部品１のバンプ２のみにフラツクス
３５を塗布することができる。
【００４８】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、所定深さ
に形成され、底面に弾性体を敷いたフラツクス槽にフラ
ツクスを溜め、これを平面化手段（スキージ）によつて
表面を平面化してフラツクスの膜厚を制御し、当該フラ
ツクスにチツプ部品のバンプを浸漬して弾性体に当接す
るようにしたことにより、バンプの個々の大きさにばら
つきがあつた場合であつても、そのばらつきを弾性体に
よつて吸収してバンプを潰すことなく、かつ、バンプだ
けにフラツクスを均一な状態で塗布することができる。
に形成され、底面に弾性体を敷いたフラツクス槽にフラ
ツクスを溜め、これを平面化手段（スキージ）によつて
表面を平面化してフラツクスの膜厚を制御し、当該フラ
ツクスにチツプ部品のバンプを浸漬して弾性体に当接す
るようにしたことにより、バンプの個々の大きさにばら
つきがあつた場合であつても、そのばらつきを弾性体に
よつて吸収してバンプを潰すことなく、かつ、バンプだ
けにフラツクスを均一な状態で塗布することができる。
【図１】本発明によるフラツクス塗布装置を有するチツ
プ部品実装装置の全体構成を示す斜視図である。
プ部品実装装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】フラツクス槽の溝部の構成を示す斜視図であ
る。
る。
【図３】フラツクス塗布構成を示す断面図である。
【図４】フラツクス塗布構成を示す断面図である。
【図５】接触検出センサの構成を示す略線的断面図であ
る。
る。
【図６】他の実施例による弾性体の敷設状態を示す断面
図である。
図である。
【図７】他の実施例によるフラツクス槽の溝部を示す斜
視図である。
視図である。
【図８】他の実施例によるフラツクス塗布工程を示す断
面図である。
面図である。
【図９】他の実施例によるフラツクス塗布工程を示す断
面図である。
面図である。
【図１０】フリツプチツプ実装方法の説明に供する断面
図である。
図である。
【図１１】樹脂によるチツプ部品の封止状態を示す断面
図である。
図である。
１……チツプ部品、２……バンプ、１０……チツプ部品
実装装置、１９……基板、２０……搬送装置、２２……
吸着ヘツド、３０……フラクス塗布部、３１……スキー
ジ、３２、６２、……溝部、３３、６３……基台部、３
４、６４……フラツクス槽、３５……フラツクス、５０
……接触検出センサ、５５……弾性体。
実装装置、１９……基板、２０……搬送装置、２２……
吸着ヘツド、３０……フラクス塗布部、３１……スキー
ジ、３２、６２、……溝部、３３、６３……基台部、３
４、６４……フラツクス槽、３５……フラツクス、５０
……接触検出センサ、５５……弾性体。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−105301（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−55860（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60
H05K 3/34
Claims (3)
- 【請求項１】電極部にバンプが形成されてなるチツプ部
品の上記バンプに対してフラツクスを塗布するフラツク
ス塗布方法において、 所定深さに形成され、底面に弾性体を敷いたフラツクス
槽にフラツクスを溜め、 上記フラツクス槽に溜められたフラツクスの表面をスキ
ージによつて平面化することによつて上記フラツクスの
膜厚を上記フラツクス槽の深さに応じて制御し、 上記膜厚制御された上記フラツクス槽のフラツクスに上
記チツプ部品に形成された上記バンプを浸漬して上記弾
性体に当接し、上記バンプに上記フラツクスを塗布する
ことを特徴とするフラツクス塗布方法。 - 【請求項２】電極部にバンプが形成されてなるチツプ部
品の上記バンプに対してフラツクスを塗布するフラツク
ス塗布装置において、 所定深さに形成され、底面に弾性体を敷いたフラツクス
槽と、 上記フラツクス槽に溜められたフラツクスの表面を平面
化することによつて上記フラツクスの膜厚を上記フラツ
クス槽の深さに応じて制御する平面化手段と、 上記膜厚制御された上記フラツクス槽のフラツクスに上
記チツプ部品に形成された上記バンプを浸漬して上記弾
性体に当接する搬送手段とを具えることを特徴とするフ
ラツクス塗布装置。 - 【請求項３】電極部にバンプが形成されてなるチツプ部
品の上記バンプに対してフラツクスを塗布するフラツク
ス塗布装置において、 上記バンプの高さよりも深く形成され、上記バンプの配
列形状に応じて溝形状に形成されたフラツクス槽と、 上記フラツクス槽のフラツクスに上記チツプ部品に形成
された上記バンプを浸漬する搬送手段とを具えることを
特徴とするフラツクス塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34758193A JP3374998B2 (ja) | 1993-12-25 | 1993-12-25 | フラツクス塗布方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34758193A JP3374998B2 (ja) | 1993-12-25 | 1993-12-25 | フラツクス塗布方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193097A JPH07193097A (ja) | 1995-07-28 |
| JP3374998B2 true JP3374998B2 (ja) | 2003-02-10 |
Family
ID=18391190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34758193A Expired - Fee Related JP3374998B2 (ja) | 1993-12-25 | 1993-12-25 | フラツクス塗布方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3374998B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3803465B2 (ja) * | 1997-08-08 | 2006-08-02 | 松下電器産業株式会社 | 導電性ボールの移載装置および移載方法 |
| JP2002172460A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-18 | Towa Corp | フラックスの塗布装置及び塗布方法 |
| US7032807B2 (en) * | 2003-12-23 | 2006-04-25 | Texas Instruments Incorporated | Solder contact reworking using a flux plate and squeegee |
| US11605610B2 (en) * | 2021-09-28 | 2023-03-14 | Google Llc | Depth-adaptive mechanism for ball grid array dipping |
-
1993
- 1993-12-25 JP JP34758193A patent/JP3374998B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07193097A (ja) | 1995-07-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |