JPH10209208A - 半導体製造方法および装置 - Google Patents
半導体製造方法および装置Info
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- JPH10209208A JPH10209208A JP1067397A JP1067397A JPH10209208A JP H10209208 A JPH10209208 A JP H10209208A JP 1067397 A JP1067397 A JP 1067397A JP 1067397 A JP1067397 A JP 1067397A JP H10209208 A JPH10209208 A JP H10209208A
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
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- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
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- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バンプなどの電気的接合材に塗布するフラッ
クスの付着量を制御する。 【解決手段】 液状のフラックス３を収容する環状収容
部５ａが設けられかつ回転可能に設置されたテーブル５
と、回転中のテーブル５の環状収容部５ａに収容された
フラックス３に接触させてフラックス３の深さを制御す
る深さ制御手段６と、ＢＧＡ１を保持して環状収容部５
ａに収容されたフラックス３にＢＧＡ１に取り付けられ
たバンプ２を浸すとともに、ＢＧＡ１をプリント配線基
板上に載置する真空吸着部材７と、真空吸着部材７のフ
ラックス３の深さ方向３ａへの移動量を制御する保持部
材制御手段８とからなり、所定量のフラックス３が塗布
されたバンプ２を介してＢＧＡ１を前記プリント配線基
板に実装する。
クスの付着量を制御する。 【解決手段】 液状のフラックス３を収容する環状収容
部５ａが設けられかつ回転可能に設置されたテーブル５
と、回転中のテーブル５の環状収容部５ａに収容された
フラックス３に接触させてフラックス３の深さを制御す
る深さ制御手段６と、ＢＧＡ１を保持して環状収容部５
ａに収容されたフラックス３にＢＧＡ１に取り付けられ
たバンプ２を浸すとともに、ＢＧＡ１をプリント配線基
板上に載置する真空吸着部材７と、真空吸着部材７のフ
ラックス３の深さ方向３ａへの移動量を制御する保持部
材制御手段８とからなり、所定量のフラックス３が塗布
されたバンプ２を介してＢＧＡ１を前記プリント配線基
板に実装する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造技術に
関し、特に、バンプに塗布するフラックスの塗布量を低
減する半導体製造方法および装置に関する。
関し、特に、バンプに塗布するフラックスの塗布量を低
減する半導体製造方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
開発するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
開発するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
【０００３】外部端子としてバンプ（電気的接合材）を
用いる半導体集積回路装置（被処理物）の一例であるＢ
ＧＡ（Ball Grid Array)においては、前記バンプにＰｂ
−Ｓｎ系のはんだを使用している。
用いる半導体集積回路装置（被処理物）の一例であるＢ
ＧＡ（Ball Grid Array)においては、前記バンプにＰｂ
−Ｓｎ系のはんだを使用している。
【０００４】なお、Ｐｂ−Ｓｎ系のはんだからなるバン
プを用いる場合、このバンプの表面酸化を防止するため
に、もしくは、バンプの表面に形成された表面酸化膜を
除去するために、バンプにフラックスを塗布する。
プを用いる場合、このバンプの表面酸化を防止するため
に、もしくは、バンプの表面に形成された表面酸化膜を
除去するために、バンプにフラックスを塗布する。
【０００５】ここで、バンプにフラックスを塗布する際
には、まず、素子搭載基板のバンプ取り付け面の局部に
所定量のフラックスを滴下し、その後、刷毛などを用い
て全てのバンプに塗り広げる。
には、まず、素子搭載基板のバンプ取り付け面の局部に
所定量のフラックスを滴下し、その後、刷毛などを用い
て全てのバンプに塗り広げる。
【０００６】また、ＢＧＡをプリント配線基板などの実
装基板に実装する際には、全てのバンプにフラックスが
塗布されたＢＧＡを実装基板にマウントし、炉体によっ
てリフローする。
装基板に実装する際には、全てのバンプにフラックスが
塗布されたＢＧＡを実装基板にマウントし、炉体によっ
てリフローする。
【０００７】なお、フラックスの塗布を含めたリフロー
による半導体集積回路装置の実装技術については、例え
ば、日経ＢＰ社、１９９３年５月３１日発行、香山晋、
成瀬邦彦（著）、「実践講座ＶＬＳＩパッケージング技
術（上）」、２４８〜２４９頁に記載されている。
による半導体集積回路装置の実装技術については、例え
ば、日経ＢＰ社、１９９３年５月３１日発行、香山晋、
成瀬邦彦（著）、「実践講座ＶＬＳＩパッケージング技
術（上）」、２４８〜２４９頁に記載されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術においては、刷毛を用いてフラックスを塗布するた
め、それぞれのバンプにおけるフラックスの塗布量にば
らつきが生じることが問題とされる。
術においては、刷毛を用いてフラックスを塗布するた
め、それぞれのバンプにおけるフラックスの塗布量にば
らつきが生じることが問題とされる。
【０００９】さらに、バンプ以外の箇所にフラックスが
付着し、その結果、リフロー後の洗浄におけるフラック
スの洗浄残りが発生することが問題とされる。
付着し、その結果、リフロー後の洗浄におけるフラック
スの洗浄残りが発生することが問題とされる。
【００１０】また、刷毛を用いるため、刷毛から発生し
た異物がバンプに付着し、この付着した異物によって電
気的なショートなどの接続不良が引き起こされることが
問題となる。
た異物がバンプに付着し、この付着した異物によって電
気的なショートなどの接続不良が引き起こされることが
問題となる。
【００１１】本発明の目的は、バンプなどの電気的接合
材に塗布するフラックスの付着量を制御する半導体製造
方法および装置を提供することにある。
材に塗布するフラックスの付着量を制御する半導体製造
方法および装置を提供することにある。
【００１２】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１４】すなわち、本発明による半導体製造方法
は、回転可能なテーブルに設けられた環状収容部にフラ
ックスを供給する工程と、前記テーブルを回転させると
ともに前記環状収容部に収容されたフラックスに深さ制
御手段を接触させて前記フラックスの深さを制御する工
程と、前記テーブルの回転を停止した後、被処理物に取
り付けられた電気的接合材の移動量を制御して深さが制
御された前記フラックスに前記電気的接合材を浸す工程
とを有し、前記フラックスに前記電気的接合材を浸す際
に前記電気的接合材の浸漬量を制御して浸すものであ
る。
は、回転可能なテーブルに設けられた環状収容部にフラ
ックスを供給する工程と、前記テーブルを回転させると
ともに前記環状収容部に収容されたフラックスに深さ制
御手段を接触させて前記フラックスの深さを制御する工
程と、前記テーブルの回転を停止した後、被処理物に取
り付けられた電気的接合材の移動量を制御して深さが制
御された前記フラックスに前記電気的接合材を浸す工程
とを有し、前記フラックスに前記電気的接合材を浸す際
に前記電気的接合材の浸漬量を制御して浸すものであ
る。
【００１５】これにより、電気的接合材のフラックスへ
の浸漬量を制御するため、電気的接合材に付着するフラ
ックスの付着量を制御することが可能になる。
の浸漬量を制御するため、電気的接合材に付着するフラ
ックスの付着量を制御することが可能になる。
【００１６】その結果、フラックスをそれぞれの電気的
接合材に均一に塗布することができる。
接合材に均一に塗布することができる。
【００１７】さらに、本発明による半導体製造方法は、
回転可能なテーブルに設けられた環状収容部にフラック
スを供給する工程と、前記テーブルを回転させるととも
に前記環状収容部に収容されたフラックスに深さ制御手
段を接触させて前記フラックスの深さを制御する工程
と、前記テーブルの回転を停止した後、被処理物に取り
付けられた電気的接合材の移動量を制御して深さが制御
された前記フラックスに前記電気的接合材を浸す工程
と、前記被処理物の位置を認識する工程と、前記被処理
物を実装する実装基板の位置を認識する工程と、前記フ
ラックスが塗布された前記電気的接合材を介して前記被
処理物を前記実装基板に実装する工程とを有し、前記フ
ラックスに前記電気的接合材を浸す際に前記電気的接合
材の浸漬量を制御して浸すものである。
回転可能なテーブルに設けられた環状収容部にフラック
スを供給する工程と、前記テーブルを回転させるととも
に前記環状収容部に収容されたフラックスに深さ制御手
段を接触させて前記フラックスの深さを制御する工程
と、前記テーブルの回転を停止した後、被処理物に取り
付けられた電気的接合材の移動量を制御して深さが制御
された前記フラックスに前記電気的接合材を浸す工程
と、前記被処理物の位置を認識する工程と、前記被処理
物を実装する実装基板の位置を認識する工程と、前記フ
ラックスが塗布された前記電気的接合材を介して前記被
処理物を前記実装基板に実装する工程とを有し、前記フ
ラックスに前記電気的接合材を浸す際に前記電気的接合
材の浸漬量を制御して浸すものである。
【００１８】また、本発明による半導体製造装置は、フ
ラックスを収容する環状収容部が設けられかつ回転可能
に設置されたテーブルと、回転中の前記テーブルの環状
収容部に収容されたフラックスに接触させて前記フラッ
クスの深さを制御する深さ制御手段と、被処理物を保持
して前記環状収容部に収容された前記フラックスに前記
被処理物に取り付けられた電気的接合材を浸す被処理物
保持部材と、前記被処理物保持部材の前記フラックスの
深さ方向への移動量を制御する保持部材制御手段とを有
し、前記深さ制御手段によって深さが制御された前記フ
ラックスに移動量を制御して前記被処理物の電気的接合
材を浸すことにより、前記電気的接合材に付着する前記
フラックスの付着量を制御し得るものである。
ラックスを収容する環状収容部が設けられかつ回転可能
に設置されたテーブルと、回転中の前記テーブルの環状
収容部に収容されたフラックスに接触させて前記フラッ
クスの深さを制御する深さ制御手段と、被処理物を保持
して前記環状収容部に収容された前記フラックスに前記
被処理物に取り付けられた電気的接合材を浸す被処理物
保持部材と、前記被処理物保持部材の前記フラックスの
深さ方向への移動量を制御する保持部材制御手段とを有
し、前記深さ制御手段によって深さが制御された前記フ
ラックスに移動量を制御して前記被処理物の電気的接合
材を浸すことにより、前記電気的接合材に付着する前記
フラックスの付着量を制御し得るものである。
【００１９】なお、本発明による半導体製造装置は、フ
ラックスを収容する環状収容部が設けられかつ回転可能
に設置されたテーブルと、回転中の前記テーブルの環状
収容部に収容されたフラックスに接触させて前記フラッ
クスの深さを制御する深さ制御手段と、被処理物を保持
して前記環状収容部に収容された前記フラックスに前記
被処理物に取り付けられた電気的接合材を浸すととも
に、前記被処理物を実装基板上に載置する被処理物保持
部材と、前記被処理物保持部材の前記フラックスの深さ
方向への移動量を制御する保持部材制御手段と、前記被
処理物と前記実装基板との位置を認識する位置認識手段
とを有し、所定量の前記フラックスが塗布された前記電
気的接合材を介して前記被処理物を前記実装基板に実装
するものである。
ラックスを収容する環状収容部が設けられかつ回転可能
に設置されたテーブルと、回転中の前記テーブルの環状
収容部に収容されたフラックスに接触させて前記フラッ
クスの深さを制御する深さ制御手段と、被処理物を保持
して前記環状収容部に収容された前記フラックスに前記
被処理物に取り付けられた電気的接合材を浸すととも
に、前記被処理物を実装基板上に載置する被処理物保持
部材と、前記被処理物保持部材の前記フラックスの深さ
方向への移動量を制御する保持部材制御手段と、前記被
処理物と前記実装基板との位置を認識する位置認識手段
とを有し、所定量の前記フラックスが塗布された前記電
気的接合材を介して前記被処理物を前記実装基板に実装
するものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
に基づいて詳細に説明する。
【００２１】図１は本発明による半導体製造装置の構造
の実施の形態の一例を一部断面にして示す構成概念図、
図２は本発明の半導体製造装置におけるテーブルの構造
の実施の形態の一例を示す平面図、図３は本発明による
半導体製造方法の実施の形態の一例を示す工程概念図で
ある。
の実施の形態の一例を一部断面にして示す構成概念図、
図２は本発明の半導体製造装置におけるテーブルの構造
の実施の形態の一例を示す平面図、図３は本発明による
半導体製造方法の実施の形態の一例を示す工程概念図で
ある。
【００２２】なお、本実施の形態による半導体製造装置
は、被処理物である半導体集積回路装置の一例としてＢ
ＧＡ１を取り上げ、ＢＧＡ１に取り付けられた（仮固定
された）外部端子であるバンプ２（電気的接合材）に所
定量のフラックス３を塗布し、かつこのＢＧＡ１をバン
プ２を介して実装基板であるプリント配線基板４に載置
するものである。
は、被処理物である半導体集積回路装置の一例としてＢ
ＧＡ１を取り上げ、ＢＧＡ１に取り付けられた（仮固定
された）外部端子であるバンプ２（電気的接合材）に所
定量のフラックス３を塗布し、かつこのＢＧＡ１をバン
プ２を介して実装基板であるプリント配線基板４に載置
するものである。
【００２３】前記半導体製造装置の構成について説明す
ると、液状のフラックス３を収容する環状収容部５ａが
設けられ、かつ回転可能に設置されたテーブル５と、回
転中のテーブル５の環状収容部５ａに収容されたフラッ
クス３に接触させてフラックス３の深さを制御する深さ
制御手段６と、ＢＧＡ１を保持して環状収容部５ａに収
容されたフラックス３にＢＧＡ１に取り付けられたバン
プ２を浸すとともに、ＢＧＡ１をプリント配線基板４上
に載置する真空吸着部材７（被処理物保持部材）と、真
空吸着部材７のフラックス３の深さ方向３ａへの移動量
を制御する保持部材制御手段８と、ＢＧＡ１に取り付け
られたバンプ２の位置を認識する第１カメラ９ａ（位置
認識手段）と、プリント配線基板４の所定箇所（例え
ば、バンプを接続する電極）の位置を認識する第２カメ
ラ９ｂ（位置認識手段）とからなり、所定量のフラック
ス３が塗布されたバンプ２を介してＢＧＡ１をプリント
配線基板４に実装（マウント）するものである。
ると、液状のフラックス３を収容する環状収容部５ａが
設けられ、かつ回転可能に設置されたテーブル５と、回
転中のテーブル５の環状収容部５ａに収容されたフラッ
クス３に接触させてフラックス３の深さを制御する深さ
制御手段６と、ＢＧＡ１を保持して環状収容部５ａに収
容されたフラックス３にＢＧＡ１に取り付けられたバン
プ２を浸すとともに、ＢＧＡ１をプリント配線基板４上
に載置する真空吸着部材７（被処理物保持部材）と、真
空吸着部材７のフラックス３の深さ方向３ａへの移動量
を制御する保持部材制御手段８と、ＢＧＡ１に取り付け
られたバンプ２の位置を認識する第１カメラ９ａ（位置
認識手段）と、プリント配線基板４の所定箇所（例え
ば、バンプを接続する電極）の位置を認識する第２カメ
ラ９ｂ（位置認識手段）とからなり、所定量のフラック
ス３が塗布されたバンプ２を介してＢＧＡ１をプリント
配線基板４に実装（マウント）するものである。
【００２４】なお、本実施の形態の半導体製造装置は、
バンプ２に塗布するフラックス３の塗布量が制御可能な
ものであるため、本実施の形態においては、バンプ２の
先端部２ａのみにフラックス３を塗布する場合について
説明する。
バンプ２に塗布するフラックス３の塗布量が制御可能な
ものであるため、本実施の形態においては、バンプ２の
先端部２ａのみにフラックス３を塗布する場合について
説明する。
【００２５】また、本実施の形態の半導体製造装置にお
いては、比較的流動性の高い（低粘度の）液状のフラッ
クス３を用いることが好ましいが、フラックス３は、こ
れに限定されることなく、流動性の低い高粘度のものを
用いてもよい。
いては、比較的流動性の高い（低粘度の）液状のフラッ
クス３を用いることが好ましいが、フラックス３は、こ
れに限定されることなく、流動性の低い高粘度のものを
用いてもよい。
【００２６】ここで、テーブル５に設けられた環状収容
部５ａは、テーブル５の回転中心５ｂに対してそれぞれ
同心円上に設けられた環状の内側壁部５ｄと、環状の外
側壁部５ｅと、環状底面５ｃとからなる。
部５ａは、テーブル５の回転中心５ｂに対してそれぞれ
同心円上に設けられた環状の内側壁部５ｄと、環状の外
側壁部５ｅと、環状底面５ｃとからなる。
【００２７】これにより、テーブル５が回転中心５ｂを
中心にして回転すると、これに伴って環状底面５ｃを含
む環状収容部５ａも回転中心５ｂを中心にして回転す
る。
中心にして回転すると、これに伴って環状底面５ｃを含
む環状収容部５ａも回転中心５ｂを中心にして回転す
る。
【００２８】また、本実施の形態における深さ制御手段
６は、テーブル５の環状収容部５ａに収容されたフラッ
クス３に接触させる箆部材であるスキージ６ａと、スキ
ージ６ａと環状収容部５ａの環状底面５ｃとの距離を制
御する箆部材駆動手段であるマイクロゲージ６ｂおよび
スプリング部材６ｃとを有している。
６は、テーブル５の環状収容部５ａに収容されたフラッ
クス３に接触させる箆部材であるスキージ６ａと、スキ
ージ６ａと環状収容部５ａの環状底面５ｃとの距離を制
御する箆部材駆動手段であるマイクロゲージ６ｂおよび
スプリング部材６ｃとを有している。
【００２９】なお、スキージ６ａは、例えば、ステンレ
ス鋼などによって形成され、厚さが０.5〜１ｍｍ程度の
板部材であり、図１および図２に示すように、環状収容
部５ａに配置され、スキージ６ａを支持するスキージ支
持部材６ｄがスプリング部材６ｃとマイクロゲージ６ｂ
とによって係合して支持されている。
ス鋼などによって形成され、厚さが０.5〜１ｍｍ程度の
板部材であり、図１および図２に示すように、環状収容
部５ａに配置され、スキージ６ａを支持するスキージ支
持部材６ｄがスプリング部材６ｃとマイクロゲージ６ｂ
とによって係合して支持されている。
【００３０】つまり、スキージ６ａと連結されたスキー
ジ支持部材６ｄが、スプリング部材６ｃによってテーブ
ル５から離れる方向に押圧され、さらに、この押圧され
たスキージ支持部材６ｄがマイクロゲージ６ｂによって
受け止められている。
ジ支持部材６ｄが、スプリング部材６ｃによってテーブ
ル５から離れる方向に押圧され、さらに、この押圧され
たスキージ支持部材６ｄがマイクロゲージ６ｂによって
受け止められている。
【００３１】したがって、マイクロゲージ６ｂを調節す
ることにより、スキージ支持部材６ｄの位置（スキージ
６ａにおけるテーブル５の環状収容部５ａの環状底面５
ｃからの距離）を制御することができ、これにより、ス
キージ６ａと環状底面５ｃとの距離を所定の距離に制御
することができる。
ることにより、スキージ支持部材６ｄの位置（スキージ
６ａにおけるテーブル５の環状収容部５ａの環状底面５
ｃからの距離）を制御することができ、これにより、ス
キージ６ａと環状底面５ｃとの距離を所定の距離に制御
することができる。
【００３２】ここで、環状収容部５ａにおいてフラック
ス３の深さを制御する際には、フラックス３が供給され
たテーブル５の環状収容部５ａにおいて、深さ制御手段
６によってスキージ６ａと環状底面５ｃとの距離を所定
の距離に制御し、フラックス３の液面にスキージ６ａを
接触させながらテーブル５を回転させる。
ス３の深さを制御する際には、フラックス３が供給され
たテーブル５の環状収容部５ａにおいて、深さ制御手段
６によってスキージ６ａと環状底面５ｃとの距離を所定
の距離に制御し、フラックス３の液面にスキージ６ａを
接触させながらテーブル５を回転させる。
【００３３】これにより、環状収容部５ａに収容された
フラックス３がテーブル５の回転に伴って円運動を始め
る。その際、図２に示すように、フラックス３の一部
（液面付近）はスキージ６ａによって塞き止められる
が、スキージ６ａに衝突しないフラックス３はテーブル
５の回転に伴ってスキージ６ａの下を通過し、円運動を
続ける。
フラックス３がテーブル５の回転に伴って円運動を始め
る。その際、図２に示すように、フラックス３の一部
（液面付近）はスキージ６ａによって塞き止められる
が、スキージ６ａに衝突しないフラックス３はテーブル
５の回転に伴ってスキージ６ａの下を通過し、円運動を
続ける。
【００３４】なお、スキージ６ａの下を通過したフラッ
クス３は、スキージ６ａによって所定の深さ（厚さ）に
制御されたことになり、このフラックス３が環状収容部
５ａにおいてスキージ６ａと１８０°反対側の箇所付近
までその深さを保った状態で移動する。
クス３は、スキージ６ａによって所定の深さ（厚さ）に
制御されたことになり、このフラックス３が環状収容部
５ａにおいてスキージ６ａと１８０°反対側の箇所付近
までその深さを保った状態で移動する。
【００３５】さらに、フラックス３は、テーブル５の回
転に伴って１周りしてスキージ６ａに近づくにつれ、そ
の深さを増し、再びスキージ６ａが配置された箇所に辿
り着く。
転に伴って１周りしてスキージ６ａに近づくにつれ、そ
の深さを増し、再びスキージ６ａが配置された箇所に辿
り着く。
【００３６】ここで、前記同様、フラックス３の一部は
スキージ６ａによって塞き止められ、さらに、塞き止め
られなかったフラックス３は、再びスキージ６ａの下を
通過していく。
スキージ６ａによって塞き止められ、さらに、塞き止め
られなかったフラックス３は、再びスキージ６ａの下を
通過していく。
【００３７】これにより、スキージ６ａの下を通過した
フラックス３は、スキージ６ａによって所定の深さに制
御されたことになり、環状収容部５ａ内のフラックス３
において、スキージ６ａを通過した直後からスキージ６
ａと１８０°反対側の箇所付近までの範囲のフラックス
３が所定の深さに制御されていることになる。
フラックス３は、スキージ６ａによって所定の深さに制
御されたことになり、環状収容部５ａ内のフラックス３
において、スキージ６ａを通過した直後からスキージ６
ａと１８０°反対側の箇所付近までの範囲のフラックス
３が所定の深さに制御されていることになる。
【００３８】また、本実施の形態の真空吸着部材７は、
被処理物であるＢＧＡ１を真空吸着保持し、かつＢＧＡ
１を移動させるものである。
被処理物であるＢＧＡ１を真空吸着保持し、かつＢＧＡ
１を移動させるものである。
【００３９】つまり、ＢＧＡ１を保持してこれをフラッ
クス３の深さ方向３ａに移動させ、かつＢＧＡ１に取り
付けられたバンプ２を環状収容部５ａのフラックス３に
浸すとともに、フラックス３が塗布されたＢＧＡ１をプ
リント配線基板４に上に載置するものである。
クス３の深さ方向３ａに移動させ、かつＢＧＡ１に取り
付けられたバンプ２を環状収容部５ａのフラックス３に
浸すとともに、フラックス３が塗布されたＢＧＡ１をプ
リント配線基板４に上に載置するものである。
【００４０】また、保持部材制御手段８は、真空吸着部
材７の移動を制御するものであり、ＢＧＡ１を保持した
真空吸着部材７のフラックス３の深さ方向３ａ（その反
対方向も含む）への移動と、フラックス３塗布後にＢＧ
Ａ１をプリント配線基板４上に載置させる際の真空吸着
部材７の移動とを制御するものである。
材７の移動を制御するものであり、ＢＧＡ１を保持した
真空吸着部材７のフラックス３の深さ方向３ａ（その反
対方向も含む）への移動と、フラックス３塗布後にＢＧ
Ａ１をプリント配線基板４上に載置させる際の真空吸着
部材７の移動とを制御するものである。
【００４１】ここで、保持部材制御手段８が真空吸着部
材７を移動させる際には、例えば、環状収容部５ａの環
状底面５ｃと真空吸着部材７の吸着面７ａとを基準と
し、パルスモータなどの駆動により真空吸着部材７の吸
着面７ａを環状収容部５ａの環状底面５ｃに接触させ、
ここを零点として、この零点を基準にしてＢＧＡ１を吸
着保持した真空吸着部材７を移動させていく。
材７を移動させる際には、例えば、環状収容部５ａの環
状底面５ｃと真空吸着部材７の吸着面７ａとを基準と
し、パルスモータなどの駆動により真空吸着部材７の吸
着面７ａを環状収容部５ａの環状底面５ｃに接触させ、
ここを零点として、この零点を基準にしてＢＧＡ１を吸
着保持した真空吸着部材７を移動させていく。
【００４２】なお、環状収容部５ａ内におけるフラック
ス３の深さやＢＧＡ１の厚さ（バンプ２の大きさなどを
含む）については、予め、保持部材制御手段８に登録し
ておく。
ス３の深さやＢＧＡ１の厚さ（バンプ２の大きさなどを
含む）については、予め、保持部材制御手段８に登録し
ておく。
【００４３】これにより、テーブル５の環状収容部５ａ
において深さ制御手段６により所定深さに制御されたフ
ラックス３に、真空吸着部材７によって吸着保持された
ＢＧＡ１の移動量を保持部材制御手段８によって制御し
ながらＢＧＡ１のバンプ２を浸すことができる。
において深さ制御手段６により所定深さに制御されたフ
ラックス３に、真空吸着部材７によって吸着保持された
ＢＧＡ１の移動量を保持部材制御手段８によって制御し
ながらＢＧＡ１のバンプ２を浸すことができる。
【００４４】したがって、バンプ２のフラックス３への
浸漬量を制御してＢＧＡ１の外部端子であるバンプ２を
フラックス３に浸すことができ、その結果、バンプ２の
先端部２ａのみにフラックス３を塗布することができ
る。
浸漬量を制御してＢＧＡ１の外部端子であるバンプ２を
フラックス３に浸すことができ、その結果、バンプ２の
先端部２ａのみにフラックス３を塗布することができ
る。
【００４５】また、第１カメラ９ａは、真空吸着部材７
によって吸着保持されたＢＧＡ１のの位置を、ＢＧＡ１
の下方からバンプ２を撮像して認識するものである。
によって吸着保持されたＢＧＡ１のの位置を、ＢＧＡ１
の下方からバンプ２を撮像して認識するものである。
【００４６】この際、例えば、ＢＧＡ１の格子状に配列
されたバンプ２のうち、相互に対角線上に配置された２
つのバンプ２の位置を２値化処理などによって座標とし
て認識する。
されたバンプ２のうち、相互に対角線上に配置された２
つのバンプ２の位置を２値化処理などによって座標とし
て認識する。
【００４７】さらに、第２カメラ９ｂは、ＢＧＡ１を実
装するプリント配線基板４の位置を、プリント配線基板
４の上方からバンプ搭載電極などを撮像して認識するも
のである。
装するプリント配線基板４の位置を、プリント配線基板
４の上方からバンプ搭載電極などを撮像して認識するも
のである。
【００４８】この際、第１カメラ９ａの場合と同様に、
例えば、格子状に配列された前記バンプ搭載電極のう
ち、相互に対角線上に配置された２つの前記バンプ搭載
電極の位置を２値化処理などによって座標認識する。
例えば、格子状に配列された前記バンプ搭載電極のう
ち、相互に対角線上に配置された２つの前記バンプ搭載
電極の位置を２値化処理などによって座標認識する。
【００４９】これにより、第１カメラ９ａと第２カメラ
９ｂとからの位置情報により、ＢＧＡ１とプリント配線
基板４との位置をアライメントした後、ＢＧＡ１をプリ
ント配線基板４の所定箇所に載置（マウント）する。
９ｂとからの位置情報により、ＢＧＡ１とプリント配線
基板４との位置をアライメントした後、ＢＧＡ１をプリ
ント配線基板４の所定箇所に載置（マウント）する。
【００５０】本実施の形態による半導体製造方法につい
て説明する。
て説明する。
【００５１】ここで、前記半導体製造方法は、本実施の
形態の半導体製造装置を用いるものであり、半導体集積
回路装置の一例であるＢＧＡ１（被処理物）のバンプ２
（外部端子）に所定量のフラックス３を塗布し、かつこ
のＢＧＡ１をバンプ２を介してプリント配線基板４に載
置するものであり、バンプ２の先端部２ａのみにフラッ
クス３を塗布する場合について説明する。
形態の半導体製造装置を用いるものであり、半導体集積
回路装置の一例であるＢＧＡ１（被処理物）のバンプ２
（外部端子）に所定量のフラックス３を塗布し、かつこ
のＢＧＡ１をバンプ２を介してプリント配線基板４に載
置するものであり、バンプ２の先端部２ａのみにフラッ
クス３を塗布する場合について説明する。
【００５２】まず、回転可能なテーブル５に設けられた
環状収容部５ａに所定量の液状のフラックス３を供給す
る。
環状収容部５ａに所定量の液状のフラックス３を供給す
る。
【００５３】なお、フラックス３を環状収容部５ａに供
給する際に、環状収容部５ａに収容されたフラックス３
の深さが制御すべき深さよりも上回るようにフラックス
３を供給する。
給する際に、環状収容部５ａに収容されたフラックス３
の深さが制御すべき深さよりも上回るようにフラックス
３を供給する。
【００５４】その後、テーブル５を回転させるととも
に、環状収容部５ａに収容されたフラックス３に深さ制
御手段６を接触させてフラックス３の深さを制御する。
に、環状収容部５ａに収容されたフラックス３に深さ制
御手段６を接触させてフラックス３の深さを制御する。
【００５５】すなわち、まず、マイクロゲージ６ｂを調
節して、スキージ支持部材６ｄの位置（テーブル５の環
状収容部５ａの環状底面５ｃからの距離）を所定の位置
に制御し、これにより、スキージ６ａと環状底面５ｃと
の距離を所望の距離（ここでは、制御すべきフラックス
３の深さ）に制御する。
節して、スキージ支持部材６ｄの位置（テーブル５の環
状収容部５ａの環状底面５ｃからの距離）を所定の位置
に制御し、これにより、スキージ６ａと環状底面５ｃと
の距離を所望の距離（ここでは、制御すべきフラックス
３の深さ）に制御する。
【００５６】ここで、テーブル５の回転に伴って、環状
収容部５ａに収容されたフラックス３が円運動を始め
る。その際、環状収容部５ａに収容されたフラックス３
の深さが制御すべき深さよりも上回るようにフラックス
３を供給したことと、フラックス３が内側壁部５ｄと外
側壁部５ｅとによって囲まれていることとにより、図２
に示すように、フラックス３の一部（液面近くのフラッ
クス３のこと）はスキージ６ａによって塞き止められ
る。
収容部５ａに収容されたフラックス３が円運動を始め
る。その際、環状収容部５ａに収容されたフラックス３
の深さが制御すべき深さよりも上回るようにフラックス
３を供給したことと、フラックス３が内側壁部５ｄと外
側壁部５ｅとによって囲まれていることとにより、図２
に示すように、フラックス３の一部（液面近くのフラッ
クス３のこと）はスキージ６ａによって塞き止められ
る。
【００５７】ところが、スキージ６ａに衝突しないフラ
ックス３は、テーブル５の回転に伴ってスキージ６ａの
下を通過していく。
ックス３は、テーブル５の回転に伴ってスキージ６ａの
下を通過していく。
【００５８】その結果、スキージ６ａの下を通過したフ
ラックス３は、スキージ６ａによって所定の深さに制御
されたことになり、スキージ６ａの下を通過したフラッ
クス３が、環状収容部５ａにおいてスキージ６ａと１８
０°反対側の箇所付近までその深さが保たれた状態で移
動する。
ラックス３は、スキージ６ａによって所定の深さに制御
されたことになり、スキージ６ａの下を通過したフラッ
クス３が、環状収容部５ａにおいてスキージ６ａと１８
０°反対側の箇所付近までその深さが保たれた状態で移
動する。
【００５９】さらに、フラックス３は、１周りしてスキ
ージ６ａに近づくにつれ、その深さを増し、再びスキー
ジ６ａが配置された箇所に辿り着く。
ージ６ａに近づくにつれ、その深さを増し、再びスキー
ジ６ａが配置された箇所に辿り着く。
【００６０】なお、１周りしたフラックス３の一部（液
面付近）は、再びスキージ６ａによって塞き止められ、
さらに、前記同様、スキージ６ａに衝突しなかったフラ
ックス３は、スキージ６ａの下を通過していく。
面付近）は、再びスキージ６ａによって塞き止められ、
さらに、前記同様、スキージ６ａに衝突しなかったフラ
ックス３は、スキージ６ａの下を通過していく。
【００６１】これにより、このフラックス３は、スキー
ジ６ａによって所定の深さに制御されたことになり、環
状収容部５ａ内のフラックス３において、スキージ６ａ
を通過した直後からスキージ６ａと１８０°反対側の箇
所付近までの範囲のフラックス３が所定の深さに制御さ
れていることになる。
ジ６ａによって所定の深さに制御されたことになり、環
状収容部５ａ内のフラックス３において、スキージ６ａ
を通過した直後からスキージ６ａと１８０°反対側の箇
所付近までの範囲のフラックス３が所定の深さに制御さ
れていることになる。
【００６２】その後、フラックス３の前記所定の深さや
ＢＧＡ１の厚さを保持部材制御手段８に登録する。
ＢＧＡ１の厚さを保持部材制御手段８に登録する。
【００６３】続いて、外部端子であるバンプ２が取り付
けられた（仮固定された）ＢＧＡ１を真空吸着部材７に
よって吸着保持し、これを第１カメラ９ａの上方に移動
させる。
けられた（仮固定された）ＢＧＡ１を真空吸着部材７に
よって吸着保持し、これを第１カメラ９ａの上方に移動
させる。
【００６４】これにより、第１カメラ９ａを用いて、真
空吸着部材７によって吸着保持されたＢＧＡ１の位置を
ＢＧＡ１の下方からバンプ２を撮像して認識する。
空吸着部材７によって吸着保持されたＢＧＡ１の位置を
ＢＧＡ１の下方からバンプ２を撮像して認識する。
【００６５】この際、例えば、ＢＧＡ１の格子状に配列
されたバンプ２のうち、相互に対角線上に配置された２
つのバンプ２の位置を２値化処理などによって座標とし
て認識する。
されたバンプ２のうち、相互に対角線上に配置された２
つのバンプ２の位置を２値化処理などによって座標とし
て認識する。
【００６６】続いて、第２カメラ９ｂの下方にプリント
配線基板４を移動させる。
配線基板４を移動させる。
【００６７】これにより、第２カメラ９ｂを用いて、プ
リント配線基板４の位置をプリント配線基板４の上方か
らバンプ搭載電極などを撮像して認識する。
リント配線基板４の位置をプリント配線基板４の上方か
らバンプ搭載電極などを撮像して認識する。
【００６８】この際、例えば、格子状に配列された前記
バンプ搭載電極のうち、相互に対角線上に配置された２
つの前記バンプ搭載電極の位置を２値化処理などによっ
て座標認識する。
バンプ搭載電極のうち、相互に対角線上に配置された２
つの前記バンプ搭載電極の位置を２値化処理などによっ
て座標認識する。
【００６９】その後、保持部材制御手段８によって、Ｂ
ＧＡ１を吸着保持した真空吸着部材７の位置を制御しな
がら真空吸着部材７を降下させ、ＢＧＡ１をテーブル５
の環状収容部５ａにおけるスキージ６ａと１８０°反対
側の箇所付近のフラックス３に近づけていく。
ＧＡ１を吸着保持した真空吸着部材７の位置を制御しな
がら真空吸着部材７を降下させ、ＢＧＡ１をテーブル５
の環状収容部５ａにおけるスキージ６ａと１８０°反対
側の箇所付近のフラックス３に近づけていく。
【００７０】ここで、フラックス３にＢＧＡ１のバンプ
２を浸す前に、一度テーブル５の回転を停止させる。
２を浸す前に、一度テーブル５の回転を停止させる。
【００７１】さらに、テーブル５の回転を停止した後、
２〜３秒程度経過した時点でＢＧＡ１に取り付けられた
バンプ２の移動量を制御して深さが制御されたフラック
ス３にバンプ２を１秒間程度浸す。
２〜３秒程度経過した時点でＢＧＡ１に取り付けられた
バンプ２の移動量を制御して深さが制御されたフラック
ス３にバンプ２を１秒間程度浸す。
【００７２】なお、保持部材制御手段８によって真空吸
着部材７を移動させる際には、予め保持部材制御手段８
に登録したフラックス３の深さやＢＧＡ１の厚さ、およ
び環状収容部５ａの環状底面５ｃと真空吸着部材７の吸
着面７ａとの基準位置に基づいてＢＧＡ１をどの程度移
動させれば、ＢＧＡ１のバンプ２の先端部２ａのみを浸
すことができるかを算出しておく。
着部材７を移動させる際には、予め保持部材制御手段８
に登録したフラックス３の深さやＢＧＡ１の厚さ、およ
び環状収容部５ａの環状底面５ｃと真空吸着部材７の吸
着面７ａとの基準位置に基づいてＢＧＡ１をどの程度移
動させれば、ＢＧＡ１のバンプ２の先端部２ａのみを浸
すことができるかを算出しておく。
【００７３】これにより、テーブル５の環状収容部５ａ
において深さ制御手段６により所定の深さに制御された
フラックス３に、真空吸着部材７によって吸着保持され
たＢＧＡ１の移動量を保持部材制御手段８によって制御
しながらＢＧＡ１のバンプ２を浸すことができる。
において深さ制御手段６により所定の深さに制御された
フラックス３に、真空吸着部材７によって吸着保持され
たＢＧＡ１の移動量を保持部材制御手段８によって制御
しながらＢＧＡ１のバンプ２を浸すことができる。
【００７４】つまり、バンプ２のフラックス３への浸漬
量を制御してＢＧＡ１の外部端子であるバンプ２をフラ
ックス３に浸すことができ、その結果、バンプ２の先端
部２ａのみにフラックス３を塗布することができる。
量を制御してＢＧＡ１の外部端子であるバンプ２をフラ
ックス３に浸すことができ、その結果、バンプ２の先端
部２ａのみにフラックス３を塗布することができる。
【００７５】その後、保持部材制御手段８の制御によ
り、真空吸着部材７を上昇させ、ＢＧＡ１のバンプ２へ
のフラックス３の塗布を終了させる。
り、真空吸着部材７を上昇させ、ＢＧＡ１のバンプ２へ
のフラックス３の塗布を終了させる。
【００７６】なお、バンプ２がフラックス３の液面から
離れた後、２〜３秒経過した時点で再びテーブル５を回
転させ、深さ制御手段６によるフラックス３の深さの制
御を開始する。
離れた後、２〜３秒経過した時点で再びテーブル５を回
転させ、深さ制御手段６によるフラックス３の深さの制
御を開始する。
【００７７】続いて、真空吸着部材７によってＢＧＡ１
を吸着保持した状態で、保持部材制御手段８の制御によ
り、プリント配線基板４上の所定箇所にＢＧＡ１を搬送
させる。
を吸着保持した状態で、保持部材制御手段８の制御によ
り、プリント配線基板４上の所定箇所にＢＧＡ１を搬送
させる。
【００７８】さらに、ＢＧＡ１とプリント配線基板４と
における第１カメラ９ａおよび第２カメラ９ｂによって
認識したそれぞれの位置情報（座標情報）に基づいて、
両者の位置をアライメントした後、フラックス３が塗布
されたバンプ２を介してＢＧＡ１をプリント配線基板４
に載置する（マウントする）。
における第１カメラ９ａおよび第２カメラ９ｂによって
認識したそれぞれの位置情報（座標情報）に基づいて、
両者の位置をアライメントした後、フラックス３が塗布
されたバンプ２を介してＢＧＡ１をプリント配線基板４
に載置する（マウントする）。
【００７９】その後、バンプ２を介してＢＧＡ１が載置
されたプリント配線基板４を本実施の形態の半導体製造
装置から取り出し、図３に示すように、これを搬送して
所定の温度に加熱された炉体１０すなわちリフロー炉に
通す。
されたプリント配線基板４を本実施の形態の半導体製造
装置から取り出し、図３に示すように、これを搬送して
所定の温度に加熱された炉体１０すなわちリフロー炉に
通す。
【００８０】これにより、バンプ２を溶融してＢＧＡ１
とプリント配線基板４とを電気的に接続する。
とプリント配線基板４とを電気的に接続する。
【００８１】さらに、ＢＧＡ１を電気的に接続したプリ
ント配線基板４を洗浄装置１１によってフラックス洗浄
し、バンプ２に付着したフラックス３を除去する。
ント配線基板４を洗浄装置１１によってフラックス洗浄
し、バンプ２に付着したフラックス３を除去する。
【００８２】本実施の形態による半導体製造方法および
装置によれば、以下のような作用効果が得られる。
装置によれば、以下のような作用効果が得られる。
【００８３】すなわち、ＢＧＡ１の移動量を制御して深
さが制御されたフラックス３にバンプ２を浸すことによ
り、バンプ２をフラックス３に浸す際のバンプ２のフラ
ックス３への浸漬量を制御することができる。
さが制御されたフラックス３にバンプ２を浸すことによ
り、バンプ２をフラックス３に浸す際のバンプ２のフラ
ックス３への浸漬量を制御することができる。
【００８４】これにより、バンプ２に付着するフラック
ス３の付着量を制御することが可能になり、その結果、
フラックス３をそれぞれのバンプ２に均一に塗布するこ
とができる。
ス３の付着量を制御することが可能になり、その結果、
フラックス３をそれぞれのバンプ２に均一に塗布するこ
とができる。
【００８５】さらに、バンプ２のフラックス３への浸漬
量を制御することができるため、各々のバンプ２の先端
部２ａにだけ自動的にフラックス３を塗布することが可
能になる。
量を制御することができるため、各々のバンプ２の先端
部２ａにだけ自動的にフラックス３を塗布することが可
能になる。
【００８６】これにより、フラックス３の塗布量を低減
させることができる。
させることができる。
【００８７】また、バンプ２のフラックス３への浸漬量
を制御することができるため、それぞれのバンプ２にお
けるフラックス３の塗布量のばらつきを低減させること
ができる。
を制御することができるため、それぞれのバンプ２にお
けるフラックス３の塗布量のばらつきを低減させること
ができる。
【００８８】さらに、刷毛を使用せずにバンプ２にフラ
ックス３を塗布することにより、異物の発生を防止でき
る。
ックス３を塗布することにより、異物の発生を防止でき
る。
【００８９】その結果、バンプ２に異物が付着すること
を防止でき、異物が電気的なショートなどの接続不良を
発生させることを防止できる。
を防止でき、異物が電気的なショートなどの接続不良を
発生させることを防止できる。
【００９０】なお、異物が発生してバンプ２以外の箇所
に付着することを防止できるため、これにより、リフロ
ー後の洗浄におけるフラックス３の洗浄残りの発生を防
止することができる。
に付着することを防止できるため、これにより、リフロ
ー後の洗浄におけるフラックス３の洗浄残りの発生を防
止することができる。
【００９１】また、本実施の形態の半導体製造方法およ
び装置は、バンプ２に付着させるフラックス３の付着量
を制御することが可能になるため、狭ピッチ電極に対応
したＢＧＡ１など、多種多様の半導体集積回路装置に対
して有効である。
び装置は、バンプ２に付着させるフラックス３の付着量
を制御することが可能になるため、狭ピッチ電極に対応
したＢＧＡ１など、多種多様の半導体集積回路装置に対
して有効である。
【００９２】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。
【００９３】例えば、前記実施の形態においては、バン
プ２の先端部２ａにフラックス３を塗布した後、バンプ
２を介してプリント配線基板４にＢＧＡ１を載置（マウ
ント）する半導体製造方法および装置について説明した
が、前記半導体製造方法および装置は、フラックス３へ
の浸漬量を制御してバンプ２にフラックス３を塗布する
だけのもの、すなわちフラックス３の塗布方法および装
置であってもよい。
プ２の先端部２ａにフラックス３を塗布した後、バンプ
２を介してプリント配線基板４にＢＧＡ１を載置（マウ
ント）する半導体製造方法および装置について説明した
が、前記半導体製造方法および装置は、フラックス３へ
の浸漬量を制御してバンプ２にフラックス３を塗布する
だけのもの、すなわちフラックス３の塗布方法および装
置であってもよい。
【００９４】この場合（他の実施の形態）の半導体製造
方法は、前記実施の形態においてバンプ２やプリント配
線基板４の位置を認識する工程と、ＢＧＡ１をプリント
配線基板４に載置する工程とを削除したものである。
方法は、前記実施の形態においてバンプ２やプリント配
線基板４の位置を認識する工程と、ＢＧＡ１をプリント
配線基板４に載置する工程とを削除したものである。
【００９５】さらに、前記他の実施の形態による半導体
製造装置の構成は、前記実施の形態において第１カメラ
９ａおよび第２カメラ９ｂを削除したものである。
製造装置の構成は、前記実施の形態において第１カメラ
９ａおよび第２カメラ９ｂを削除したものである。
【００９６】これにより、深さ制御手段６によって深さ
が制御されたフラックス３にその移動量を制御してＢＧ
Ａ１のバンプ２を浸すことができ、その結果、バンプ２
に付着するフラックス３の付着量を制御することができ
る。
が制御されたフラックス３にその移動量を制御してＢＧ
Ａ１のバンプ２を浸すことができ、その結果、バンプ２
に付着するフラックス３の付着量を制御することができ
る。
【００９７】また、前記実施の形態および前記他の実施
の形態では、深さ制御手段６における箆部材駆動手段が
マイクロゲージ６ｂとスプリング部材６ｃとからなり、
箆部材であるスキージ６ａをマイクロゲージ６ｂとスプ
リング部材６ｃとによって駆動させる場合について説明
したが、前記箆部材駆動手段としてパルスモータなどを
用い、これによりスキージ６ａの環状底面５ｃとの距離
を制御してもよい。
の形態では、深さ制御手段６における箆部材駆動手段が
マイクロゲージ６ｂとスプリング部材６ｃとからなり、
箆部材であるスキージ６ａをマイクロゲージ６ｂとスプ
リング部材６ｃとによって駆動させる場合について説明
したが、前記箆部材駆動手段としてパルスモータなどを
用い、これによりスキージ６ａの環状底面５ｃとの距離
を制御してもよい。
【００９８】さらに、前記実施の形態および前記他の実
施の形態では、ＢＧＡ１などの被処理物を保持する被処
理物保持部材が真空吸着部材７の場合について説明した
が、前記被処理物保持部材は前記被処理物を把持して保
持することが可能な把持手段などであってもよい。
施の形態では、ＢＧＡ１などの被処理物を保持する被処
理物保持部材が真空吸着部材７の場合について説明した
が、前記被処理物保持部材は前記被処理物を把持して保
持することが可能な把持手段などであってもよい。
【００９９】なお、前記実施の形態および前記他の実施
の形態においては、ＢＧＡ１やプリント配線基板４の位
置座標を認識する際、フラックス３をバンプ２に塗布す
る前にそれぞれの位置座標を認識する場合について説明
したが、ＢＧＡ１やプリント配線基板４の位置座標を認
識する手順は、特に限定されるものではなく、バンプ２
にフラックス３を塗布した後に両者の位置を認識しても
よいし、あるいは、フラックス３の塗布前に何れか一方
の位置を認識し、塗布後に他方を認識してもよい。さら
に、両者の位置を全く同時に認識してもよい。
の形態においては、ＢＧＡ１やプリント配線基板４の位
置座標を認識する際、フラックス３をバンプ２に塗布す
る前にそれぞれの位置座標を認識する場合について説明
したが、ＢＧＡ１やプリント配線基板４の位置座標を認
識する手順は、特に限定されるものではなく、バンプ２
にフラックス３を塗布した後に両者の位置を認識しても
よいし、あるいは、フラックス３の塗布前に何れか一方
の位置を認識し、塗布後に他方を認識してもよい。さら
に、両者の位置を全く同時に認識してもよい。
【０１００】また、前記実施の形態および前記他の実施
の形態においては、図１に示すように、環状底面５ｃの
形状が平坦な場合について説明したが、図４に示す他の
実施の形態の半導体製造装置のように、テーブル５の環
状収容部５ａの環状底面５ｃに環状凹部５ｆが設けられ
ていてもよい。
の形態においては、図１に示すように、環状底面５ｃの
形状が平坦な場合について説明したが、図４に示す他の
実施の形態の半導体製造装置のように、テーブル５の環
状収容部５ａの環状底面５ｃに環状凹部５ｆが設けられ
ていてもよい。
【０１０１】これにより、深さ制御手段６が有するスキ
ージ６ａと環状凹部５ｆとによって環状収容部５ａに収
容されたフラックス３の深さを制御することができる。
ージ６ａと環状凹部５ｆとによって環状収容部５ａに収
容されたフラックス３の深さを制御することができる。
【０１０２】したがって、低粘度のフラックス３を用い
る際にも、環状凹部５ｆにより、これに収容されるフラ
ックス３の深さが決定されるため、環状収容部５ａにお
けるフラックス３の深さを高精度に制御することができ
る。
る際にも、環状凹部５ｆにより、これに収容されるフラ
ックス３の深さが決定されるため、環状収容部５ａにお
けるフラックス３の深さを高精度に制御することができ
る。
【０１０３】その結果、バンプ２などの電気的接合材の
フラックス３への浸漬量を高精度に制御することがで
き、バンプ２に付着するフラックス３の付着量をさらに
高精度に制御することが可能になる。
フラックス３への浸漬量を高精度に制御することがで
き、バンプ２に付着するフラックス３の付着量をさらに
高精度に制御することが可能になる。
【０１０４】また、図１に示すテーブル５の環状収容部
５ａの環状底面５ｃや図４に示す環状凹部５ｆの環状底
面５ｃの形状は平坦なものであるが、環状底面５ｃには
凹凸が設けられていてもよい。
５ａの環状底面５ｃや図４に示す環状凹部５ｆの環状底
面５ｃの形状は平坦なものであるが、環状底面５ｃには
凹凸が設けられていてもよい。
【０１０５】これにより、被処理物におけるフラックス
３を付着させる被付着面が比較的フラットな面である場
合に、被処理物の前記被付着面と環状底面５ｃとが離れ
にくくなる現象の発生を防止できる。
３を付着させる被付着面が比較的フラットな面である場
合に、被処理物の前記被付着面と環状底面５ｃとが離れ
にくくなる現象の発生を防止できる。
【０１０６】また、前記実施の形態および前記他の実施
の形態においては、電気的接合材であるバンプ２をフラ
ックス３に浸す際に、バンプ２のフラックス３への浸漬
量を制御できるため、バンプ２の先端部２ａだけにフラ
ックス３を塗布する場合について説明したが、フラック
ス３のバンプ２への塗布箇所（塗布量）は先端部２ａに
限らず、例えば、バンプ２の半分程度まで、あるいはバ
ンプ２の全体に塗布することが可能である。
の形態においては、電気的接合材であるバンプ２をフラ
ックス３に浸す際に、バンプ２のフラックス３への浸漬
量を制御できるため、バンプ２の先端部２ａだけにフラ
ックス３を塗布する場合について説明したが、フラック
ス３のバンプ２への塗布箇所（塗布量）は先端部２ａに
限らず、例えば、バンプ２の半分程度まで、あるいはバ
ンプ２の全体に塗布することが可能である。
【０１０７】なお、前記実施の形態および前記他の実施
の形態においては、被処理物の一例として半導体集積回
路装置がＢＧＡ１の場合について説明したが、前記半導
体集積回路装置は、ＢＧＡ１に限らず外部端子としては
んだ部材（電気的接合材）を用いかつ前記はんだ部材に
フラックス３を塗布するものであれば、他の半導体集積
回路装置であってもよい。
の形態においては、被処理物の一例として半導体集積回
路装置がＢＧＡ１の場合について説明したが、前記半導
体集積回路装置は、ＢＧＡ１に限らず外部端子としては
んだ部材（電気的接合材）を用いかつ前記はんだ部材に
フラックス３を塗布するものであれば、他の半導体集積
回路装置であってもよい。
【０１０８】さらに、半導体集積回路装置におけるフリ
ップチップ接続などの半導体チップ１２の接続の場合で
あっても、前記実施の形態および前記他の実施の形態に
おける半導体製造方法および装置を適用することが可能
である。
ップチップ接続などの半導体チップ１２の接続の場合で
あっても、前記実施の形態および前記他の実施の形態に
おける半導体製造方法および装置を適用することが可能
である。
【０１０９】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【０１１０】（１）．被処理物の移動量を制御して深さ
が制御されたフラックスに被処理物の電気的接合材を浸
すことにより、電気的接合材に付着するフラックスの付
着量を制御することが可能になり、その結果、フラック
スをそれぞれの電気的接合材に均一に塗布することがで
きる。
が制御されたフラックスに被処理物の電気的接合材を浸
すことにより、電気的接合材に付着するフラックスの付
着量を制御することが可能になり、その結果、フラック
スをそれぞれの電気的接合材に均一に塗布することがで
きる。
【０１１１】（２）．電気的接合材としてバンプを用い
る際、バンプのフラックスへの浸漬量を制御することが
できるため、各々のバンプの先端部にだけ自動的にフラ
ックスを塗布することが可能になる。これにより、フラ
ックスの塗布量を低減させることができる。
る際、バンプのフラックスへの浸漬量を制御することが
できるため、各々のバンプの先端部にだけ自動的にフラ
ックスを塗布することが可能になる。これにより、フラ
ックスの塗布量を低減させることができる。
【０１１２】（３）．電気的接合材のフラックスへの浸
漬量を制御することができるため、それぞれの電気的接
合材におけるフラックスの塗布量のばらつきを低減させ
ることができる。
漬量を制御することができるため、それぞれの電気的接
合材におけるフラックスの塗布量のばらつきを低減させ
ることができる。
【０１１３】（４）．刷毛を使用せずに電気的接合材に
フラックスを塗布することにより、異物の発生を防止で
きる。その結果、電気的接合材に異物が付着することを
防止でき、異物が電気的なショートなどの接続不良を発
生させることを防止できる。
フラックスを塗布することにより、異物の発生を防止で
きる。その結果、電気的接合材に異物が付着することを
防止でき、異物が電気的なショートなどの接続不良を発
生させることを防止できる。
【０１１４】（５）．異物が発生してバンプ以外の箇所
に付着することを防止できるため、これにより、リフロ
ー後の洗浄におけるフラックスの洗浄残りの発生を防止
することができる。
に付着することを防止できるため、これにより、リフロ
ー後の洗浄におけるフラックスの洗浄残りの発生を防止
することができる。
【０１１５】（６）．本発明の半導体製造方法および装
置は、電気的接合材に付着させるフラックスの付着量を
制御することが可能になるため、被処理物がＢＧＡなど
の半導体集積回路装置である場合には、狭ピッチ電極タ
イプなどの多種多様の半導体集積回路装置に対して有効
である。
置は、電気的接合材に付着させるフラックスの付着量を
制御することが可能になるため、被処理物がＢＧＡなど
の半導体集積回路装置である場合には、狭ピッチ電極タ
イプなどの多種多様の半導体集積回路装置に対して有効
である。
【図１】本発明による半導体製造装置の構造の実施の形
態の一例を一部断面にして示す構成概念図である。
態の一例を一部断面にして示す構成概念図である。
【図２】本発明の半導体製造装置におけるテーブルの構
造の実施の形態の一例を示す平面図である。
造の実施の形態の一例を示す平面図である。
【図３】本発明による半導体製造方法の実施の形態の一
例を示す工程概念図である。
例を示す工程概念図である。
【図４】本発明の他の実施の形態である半導体製造装置
の構造を一部断面にして示す構成概念図である。
の構造を一部断面にして示す構成概念図である。
１ ＢＧＡ（被処理物） ２ バンプ（電気的接合材） ２ａ 先端部 ３ フラックス ３ａ 深さ方向 ４ プリント配線基板（実装基板） ５ テーブル ５ａ 環状収容部 ５ｂ 回転中心 ５ｃ 環状底面 ５ｄ 内側壁部 ５ｅ 外側壁部 ５ｆ 環状凹部 ６ 深さ制御手段 ６ａ スキージ（箆部材） ６ｂ マイクロゲージ（箆部材駆動手段） ６ｃ スプリング部材（箆部材駆動手段） ６ｄ スキージ支持部材 ７ 真空吸着部材（被処理物保持部材） ７ａ 吸着面 ８ 保持部材制御手段 ９ａ 第１カメラ（位置認識手段） ９ｂ 第２カメラ（位置認識手段） １０ 炉体 １１ 洗浄装置 １２ 半導体チップ
Claims (9)
- 【請求項１】 回転可能なテーブルに設けられた環状収
容部にフラックスを供給する工程と、 前記テーブルを回転させるとともに、前記環状収容部に
収容されたフラックスに深さ制御手段を接触させて前記
フラックスの深さを制御する工程と、 前記テーブルの回転を停止した後、被処理物に取り付け
られた電気的接合材の移動量を制御して深さが制御され
た前記フラックスに前記電気的接合材を浸す工程とを有
し、 前記フラックスに前記電気的接合材を浸す際に、前記電
気的接合材の浸漬量を制御して浸すことを特徴とする半
導体製造方法。 - 【請求項２】 回転可能なテーブルに設けられた環状収
容部にフラックスを供給する工程と、 前記テーブルを回転させるとともに、前記環状収容部に
収容されたフラックスに深さ制御手段を接触させて前記
フラックスの深さを制御する工程と、 前記テーブルの回転を停止した後、被処理物に取り付け
られた電気的接合材の移動量を制御して深さが制御され
た前記フラックスに前記電気的接合材を浸す工程と、 前記被処理物の位置を認識する工程と、 前記被処理物を実装する実装基板の位置を認識する工程
と、 前記フラックスが塗布された前記電気的接合材を介して
前記被処理物を前記実装基板に実装する工程とを有し、 前記フラックスに前記電気的接合材を浸す際に、前記電
気的接合材の浸漬量を制御して浸すことを特徴とする半
導体製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体製造方法
であって、前記電気的接合材としてバンプを用い、前記
被処理物に取り付けられた前記バンプの先端部を深さが
制御された前記フラックスに浸すことにより、前記バン
プの先端部に前記フラックスを塗布することを特徴とす
る半導体製造方法。 - 【請求項４】 請求項１，２または３記載の半導体製造
方法であって、前記テーブルを回転させながら前記テー
ブルの環状収容部に収容された前記フラックスに、前記
環状収容部の環状底面との距離が制御されて支持された
箆部材を接触させて前記フラックスの深さを制御するこ
とを特徴とする半導体製造方法。 - 【請求項５】 フラックスを収容する環状収容部が設け
られ、かつ回転可能に設置されたテーブルと、 回転中の前記テーブルの環状収容部に収容されたフラッ
クスに接触させて前記フラックスの深さを制御する深さ
制御手段と、 被処理物を保持して前記環状収容部に収容された前記フ
ラックスに前記被処理物に取り付けられた電気的接合材
を浸す被処理物保持部材と、 前記被処理物保持部材の前記フラックスの深さ方向への
移動量を制御する保持部材制御手段とを有し、 前記深さ制御手段によって深さが制御された前記フラッ
クスに移動量を制御して前記被処理物の電気的接合材を
浸すことにより、前記電気的接合材に付着する前記フラ
ックスの付着量を制御し得ることを特徴とする半導体製
造装置。 - 【請求項６】 フラックスを収容する環状収容部が設け
られ、かつ回転可能に設置されたテーブルと、 回転中の前記テーブルの環状収容部に収容されたフラッ
クスに接触させて前記フラックスの深さを制御する深さ
制御手段と、 被処理物を保持して前記環状収容部に収容された前記フ
ラックスに前記被処理物に取り付けられた電気的接合材
を浸すとともに、前記被処理物を実装基板上に載置する
被処理物保持部材と、 前記被処理物保持部材の前記フラックスの深さ方向への
移動量を制御する保持部材制御手段と、 前記被処理物と前記実装基板との位置を認識する位置認
識手段とを有し、 所定量の前記フラックスが塗布された前記電気的接合材
を介して前記被処理物を前記実装基板に実装することを
特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項７】 請求項５または６記載の半導体製造装置
であって、前記深さ制御手段が、前記テーブルの環状収
容部に収容された前記フラックスに接触させる箆部材
と、前記箆部材と前記環状収容部の環状底面との距離を
制御する箆部材駆動手段とを有することを特徴とする半
導体製造装置。 - 【請求項８】 請求項５，６または７記載の半導体製造
装置であって、前記テーブルの環状収容部の環状底面に
環状凹部が設けられ、前記深さ制御手段が有する前記箆
部材と前記環状凹部とによって前記環状収容部に収容さ
れた前記フラックスの深さが制御されていることを特徴
とする半導体製造装置。 - 【請求項９】 請求項５，６，７または８記載の半導体
製造装置であって、前記電気的接合材がバンプであるこ
とを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1067397A JPH10209208A (ja) | 1997-01-23 | 1997-01-23 | 半導体製造方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1067397A JPH10209208A (ja) | 1997-01-23 | 1997-01-23 | 半導体製造方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209208A true JPH10209208A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11756785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1067397A Pending JPH10209208A (ja) | 1997-01-23 | 1997-01-23 | 半導体製造方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209208A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2002151895A (ja) * | 2000-11-08 | 2002-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装方法 |
| JP2002223063A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-08-09 | Juki Corp | 電子部品搭載機のフラックス保持装置 |
| JP2004031725A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ペースト供給装置およびペースト転写方法 |
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| CN101164705A (zh) * | 2006-09-22 | 2008-04-23 | 索尼株式会社 | 涂敷装置、安装装置、涂敷方法、电子零件的制造方法及电子零件 |
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| KR102302956B1 (ko) | 2021-06-01 | 2021-09-16 | 주식회사 에스에프이 | 플럭스 도포 장치 |
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-
1997
- 1997-01-23 JP JP1067397A patent/JPH10209208A/ja active Pending
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| US7797820B2 (en) | 2003-03-20 | 2010-09-21 | Panasonic Corporation | Component mounting apparatus |
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040420 |