JP3370240B2 - 磁気記録媒体及びその製造方法並びにそれを用いた磁気印写装置 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法並びにそれを用いた磁気印写装置Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 59
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 claims description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 25
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 25
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 419
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 64
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 49
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 32
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 28
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 25
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 23
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 17
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 17
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 17
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910002441 CoNi Inorganic materials 0.000 description 13
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 11
- 238000011981 development test Methods 0.000 description 10
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 7
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001454 recorded image Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 1
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体が表
面に形成された磁気潜像担持体に磁気潜像を形成し、磁
気潜像を磁性トナーで現像して顕像化し、磁性トナーを
記録紙に転写し定着させてハードコピーを得るための磁
気記録媒体とその製造方法並びにそれを用いた磁気印写
装置に関する。
面に形成された磁気潜像担持体に磁気潜像を形成し、磁
気潜像を磁性トナーで現像して顕像化し、磁性トナーを
記録紙に転写し定着させてハードコピーを得るための磁
気記録媒体とその製造方法並びにそれを用いた磁気印写
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ハードコピーを得る磁気印写法は、一般
にマグネトグラフィーと呼ばれている。このうち、磁気
記録媒体を加熱してその保磁力を低減し、さらに磁界を
印加することにより磁気潜像を形成する熱磁気記録方式
を利用した磁気プリンタが従来より知られている。
にマグネトグラフィーと呼ばれている。このうち、磁気
記録媒体を加熱してその保磁力を低減し、さらに磁界を
印加することにより磁気潜像を形成する熱磁気記録方式
を利用した磁気プリンタが従来より知られている。
【０００３】磁気潜像を形成する方法は、磁化の向きと
いう観点から図２９（ａ）に示す面内記録方式（磁化方
向が媒体表面に平行）と、図２９（ｂ）に示す垂直記録
方式（磁化方向が媒体表面に垂直）とに分けられる。
いう観点から図２９（ａ）に示す面内記録方式（磁化方
向が媒体表面に平行）と、図２９（ｂ）に示す垂直記録
方式（磁化方向が媒体表面に垂直）とに分けられる。
【０００４】しかしながら、電子写真学会誌（１４頁、
第２４巻、第４号、１９８５年）には、熱磁気プリンタ
における面内記録方式の優位性が説かれている。これは
以下の理由による。一般に磁気記録媒体に記録を行う場
合、記録領域で生じる反磁界のために記録磁界の減少が
見られるが、通常形成される厚さ（１〜５μｍ）の記録
膜に幅１０〜２００μｍで記録する場合には、面内記録
方式の方が垂直記録方式よりも反磁界が小さい。従っ
て、面内記録方式の方が記録磁界が大きくなり記録効率
の点で有利である。また、上記のように磁気記録媒体の
磁化を予め一方向に揃えて初期化し、この初期の方向と
磁化方向が逆方向の磁化領域を形成することで磁気潜像
を記録する方法では、面内記録方式の方が磁性トナーに
対して大きな磁気吸引力が発生することから、熱磁気プ
リンタの記録方式としては適している。
第２４巻、第４号、１９８５年）には、熱磁気プリンタ
における面内記録方式の優位性が説かれている。これは
以下の理由による。一般に磁気記録媒体に記録を行う場
合、記録領域で生じる反磁界のために記録磁界の減少が
見られるが、通常形成される厚さ（１〜５μｍ）の記録
膜に幅１０〜２００μｍで記録する場合には、面内記録
方式の方が垂直記録方式よりも反磁界が小さい。従っ
て、面内記録方式の方が記録磁界が大きくなり記録効率
の点で有利である。また、上記のように磁気記録媒体の
磁化を予め一方向に揃えて初期化し、この初期の方向と
磁化方向が逆方向の磁化領域を形成することで磁気潜像
を記録する方法では、面内記録方式の方が磁性トナーに
対して大きな磁気吸引力が発生することから、熱磁気プ
リンタの記録方式としては適している。
【０００５】また、上記熱磁気プリンタに用いられる磁
気記録媒体には、 磁気吸引力が大きいこと。（高いコントラスト） 保磁力が大きいこと。（記録情報の安定性） 高解像度の磁気潜像が記録ができること。
気記録媒体には、 磁気吸引力が大きいこと。（高いコントラスト） 保磁力が大きいこと。（記録情報の安定性） 高解像度の磁気潜像が記録ができること。
【０００６】等の特性が要求される。尚、消費電力の低
減や磁気潜像記録の高速化のためには、温度上昇による
保磁力の低下がより大きいことも必要である。
減や磁気潜像記録の高速化のためには、温度上昇による
保磁力の低下がより大きいことも必要である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の面内
記録方式に使われる磁気記録媒体は、特開昭５６−１６
１５７２号公報、特開昭５６−１６１５７３号公報、及
び特開昭５６−１６１５７４号公報に開示されている。
上記各公報では、シート状のベース層の上に、ＣｒＯ2
からなる磁気記録媒体が形成されている。また、特開昭
５９−７１０７６号公報には、ポリイミドフィルム上に
バインダと共にＣｒＯ2 が塗布形成された磁気記録媒体
が開示されている。
記録方式に使われる磁気記録媒体は、特開昭５６−１６
１５７２号公報、特開昭５６−１６１５７３号公報、及
び特開昭５６−１６１５７４号公報に開示されている。
上記各公報では、シート状のベース層の上に、ＣｒＯ2
からなる磁気記録媒体が形成されている。また、特開昭
５９−７１０７６号公報には、ポリイミドフィルム上に
バインダと共にＣｒＯ2 が塗布形成された磁気記録媒体
が開示されている。
【０００８】また、特開昭６１−２００７７号公報及び
特開昭６１−２００７８号公報には、ＦｅnＮ を含む材
料から形成された磁気記録媒体が開示されている。この
ＦｅnＮ は、ポリウレタン，ポリイミド等の高分子樹脂
結合剤に分散させてポリエチレンテレフタレート，ポリ
イミド等の５０〜１００μｍ厚さのベース基板に５〜３
０μｍの厚さに塗布して使用される。
特開昭６１−２００７８号公報には、ＦｅnＮ を含む材
料から形成された磁気記録媒体が開示されている。この
ＦｅnＮ は、ポリウレタン，ポリイミド等の高分子樹脂
結合剤に分散させてポリエチレンテレフタレート，ポリ
イミド等の５０〜１００μｍ厚さのベース基板に５〜３
０μｍの厚さに塗布して使用される。
【０００９】しかしながら、ＣｒＯ2 は、その成分であ
るＣｒの毒性が従来から指摘されており、昨今の環境問
題等を考えた場合には、ＣｒＯ2 の使用は極力避けた方
が好ましい。また、実際には、ＣｒＯ2 の入手が最近で
は困難な情勢となってきている。
るＣｒの毒性が従来から指摘されており、昨今の環境問
題等を考えた場合には、ＣｒＯ2 の使用は極力避けた方
が好ましい。また、実際には、ＣｒＯ2 の入手が最近で
は困難な情勢となってきている。
【００１０】また、ＦｅnＮ は、その成分に鉄を含んで
いるので酸化しやすい。したがって、高温で空気中に晒
される熱磁気プリンタにおいては、連続的に長時間使用
した時の特性の劣化が問題となる。
いるので酸化しやすい。したがって、高温で空気中に晒
される熱磁気プリンタにおいては、連続的に長時間使用
した時の特性の劣化が問題となる。
【００１１】さらに、ＣｒＯ2、ＦｅnＮともに、基本的
には溶剤に溶解させた高分子樹脂中に分散させてドラム
ベースやフィルムシート等の上に塗布して膜形成がなさ
れるが、この方法では次のような欠点がある。
には溶剤に溶解させた高分子樹脂中に分散させてドラム
ベースやフィルムシート等の上に塗布して膜形成がなさ
れるが、この方法では次のような欠点がある。
【００１２】まず、樹脂中におけるＣｒＯ2やＦｅnＮの
分布の偏りによって、磁気記録媒体の特性にバラツキが
生じやすく、分散状態の管理が非常に難しい。
分布の偏りによって、磁気記録媒体の特性にバラツキが
生じやすく、分散状態の管理が非常に難しい。
【００１３】また、サーマルヘッドによる記録を行う場
合には、磁気記録媒体への均一で且つ十分な熱入力を確
保するため、サーマルヘッドと磁気記録媒体との密着性
が厳しく要求される。しかし、上記の溶剤を蒸発させる
工程において、場所による蒸発速度を厳しく制御してお
かないと、磁気記録媒体の膜厚にムラが生じる上、さら
に、媒体の膜厚を大面積に一様に制御することが難し
い。
合には、磁気記録媒体への均一で且つ十分な熱入力を確
保するため、サーマルヘッドと磁気記録媒体との密着性
が厳しく要求される。しかし、上記の溶剤を蒸発させる
工程において、場所による蒸発速度を厳しく制御してお
かないと、磁気記録媒体の膜厚にムラが生じる上、さら
に、媒体の膜厚を大面積に一様に制御することが難し
い。
【００１４】上記の問題を解決するための手段として、
膜形成にスパッタリングや電子ビーム蒸着法などを用い
ることが考えられる。しかしながら、ＣｒＯ2やＦｅnＮ
は高分子バインダ中に分散させた塗布膜において優れた
特性を発現するものであり、スパッタリングや電子ビー
ム蒸着で膜形成を行い塗布膜と同等の特性を確保するこ
とは難しい。
膜形成にスパッタリングや電子ビーム蒸着法などを用い
ることが考えられる。しかしながら、ＣｒＯ2やＦｅnＮ
は高分子バインダ中に分散させた塗布膜において優れた
特性を発現するものであり、スパッタリングや電子ビー
ム蒸着で膜形成を行い塗布膜と同等の特性を確保するこ
とは難しい。
【００１５】また、磁気記録媒体としては、上記したも
のの他に、希土類と遷移金属とからなるアモルファス磁
性体が挙げられる。特開昭６２−１００７６７号公報、
特開昭６３−１４２３６１号公報、特開昭６４−４６７
６６号公報には、ＮｄＤｙＦｅＣｏ及びこれにＴｉ，Ａ
ｌ，Ｃｕ，Ｃｒなどの元素を添加したアモルファス磁性
体が開示されている。また、特開昭５７−１３６６７３
号公報には、ＧｄＣｏ，ＴｂＦｅ，ＧｄＦｅ，ＤｙＴ
ｂ，（ＧｄＴｂ)Ｆｅ，（ＧｄＴｂ)Ｃｏ，ＴｂＦｅ
Ｏ3，ＨｏＣｏ，ＤｙＦｅ，ＧｄＣｏＭｏ等の希土類金
属と遷移金属とからなるアモルファス磁性体が開示され
ている。
のの他に、希土類と遷移金属とからなるアモルファス磁
性体が挙げられる。特開昭６２−１００７６７号公報、
特開昭６３−１４２３６１号公報、特開昭６４−４６７
６６号公報には、ＮｄＤｙＦｅＣｏ及びこれにＴｉ，Ａ
ｌ，Ｃｕ，Ｃｒなどの元素を添加したアモルファス磁性
体が開示されている。また、特開昭５７−１３６６７３
号公報には、ＧｄＣｏ，ＴｂＦｅ，ＧｄＦｅ，ＤｙＴ
ｂ，（ＧｄＴｂ)Ｆｅ，（ＧｄＴｂ)Ｃｏ，ＴｂＦｅ
Ｏ3，ＨｏＣｏ，ＤｙＦｅ，ＧｄＣｏＭｏ等の希土類金
属と遷移金属とからなるアモルファス磁性体が開示され
ている。
【００１６】しかしながら、上記アモルファス磁性体
は、垂直記録方式に用いる材料であるため、そのままで
は面内記録方式に利用できないという問題を有してい
る。
は、垂直記録方式に用いる材料であるため、そのままで
は面内記録方式に利用できないという問題を有してい
る。
【００１７】上記アモルファス磁性体においても、希土
類金属の組成比を小さくすれば、面内記録方式に使用で
きる面内磁化膜を作製することができるが、希土類と遷
移金属とからなるアモルファス磁性体で作製された面内
磁化膜は、磁性トナーに対して十分な吸引力を得るため
には、磁性体の厚さを厚くする必要がある。
類金属の組成比を小さくすれば、面内記録方式に使用で
きる面内磁化膜を作製することができるが、希土類と遷
移金属とからなるアモルファス磁性体で作製された面内
磁化膜は、磁性トナーに対して十分な吸引力を得るため
には、磁性体の厚さを厚くする必要がある。
【００１８】しかしながら、スパッタリングや電子ビー
ム蒸着にて希土類と遷移金属とからなるアモルファス磁
性体を作製する場合、磁性体の膜厚を厚くすると、形成
された磁気潜像の磁化反転境界に現れる鋸歯状の磁化転
移構造の鋸歯の高さが大きくなり、磁気潜像記録の解像
度を高くできないという問題を有している。（電子情報
通信学会、磁気記録研究会資料、ＭＲ７５−２９） 一方、磁気印写装置としての性能を高めるためには、従
来の技術で記したような特性を向上させることが必要で
ある。このため、上記のようにして膜厚を厚くして作製
されたアモルファス磁性体のように、形成された磁気潜
像の解像度が低いと、高解像度の画像が得られないとい
う問題があった。
ム蒸着にて希土類と遷移金属とからなるアモルファス磁
性体を作製する場合、磁性体の膜厚を厚くすると、形成
された磁気潜像の磁化反転境界に現れる鋸歯状の磁化転
移構造の鋸歯の高さが大きくなり、磁気潜像記録の解像
度を高くできないという問題を有している。（電子情報
通信学会、磁気記録研究会資料、ＭＲ７５−２９） 一方、磁気印写装置としての性能を高めるためには、従
来の技術で記したような特性を向上させることが必要で
ある。このため、上記のようにして膜厚を厚くして作製
されたアモルファス磁性体のように、形成された磁気潜
像の解像度が低いと、高解像度の画像が得られないとい
う問題があった。
【００１９】本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされ
たものであって、磁性トナーに対して十分な磁気吸引力
を有し、且つ、形成された磁気潜像の解像度の高い、磁
気記録媒体及びその製造方法を提供すると共に、上記磁
気記録媒体を用いて良質の画像を得ることのできる磁気
印写装置を提供することを目的とする。
たものであって、磁性トナーに対して十分な磁気吸引力
を有し、且つ、形成された磁気潜像の解像度の高い、磁
気記録媒体及びその製造方法を提供すると共に、上記磁
気記録媒体を用いて良質の画像を得ることのできる磁気
印写装置を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の磁気記
録媒体は、上記課題を解決するため、磁化方向が表面と
平行であり、保磁力が温度上昇に伴って低下し、加熱さ
れた状態で初期状態の磁化方向とは逆方向のバイアス磁
界が印加されることにより磁気潜像を形成する磁気記録
媒体において、表面に平行で互いに異なる方向に磁気異
方性を有する少なくとも２つの磁性膜を含む複数の表面
に平行な方向に磁気異方性を有する磁性膜からなり、最
上部に希土類金属と遷移金属とからなるアモルファス合
金膜を有してなるものである。
録媒体は、上記課題を解決するため、磁化方向が表面と
平行であり、保磁力が温度上昇に伴って低下し、加熱さ
れた状態で初期状態の磁化方向とは逆方向のバイアス磁
界が印加されることにより磁気潜像を形成する磁気記録
媒体において、表面に平行で互いに異なる方向に磁気異
方性を有する少なくとも２つの磁性膜を含む複数の表面
に平行な方向に磁気異方性を有する磁性膜からなり、最
上部に希土類金属と遷移金属とからなるアモルファス合
金膜を有してなるものである。
【００２１】請求項２に記載の磁気記録媒体は、請求項
１に記載の磁気記録媒体において、表面に平行な第１の
方向に磁気異方性を有する第１の磁性膜と、第１の磁性
膜上に形成され、表面に平行な第１の方向とは異なる第
２の方向に磁気異方性を有する希土類金属と遷移金属と
からなるアモルファス合金膜である第２の磁性膜からな
るものである。
１に記載の磁気記録媒体において、表面に平行な第１の
方向に磁気異方性を有する第１の磁性膜と、第１の磁性
膜上に形成され、表面に平行な第１の方向とは異なる第
２の方向に磁気異方性を有する希土類金属と遷移金属と
からなるアモルファス合金膜である第２の磁性膜からな
るものである。
【００２２】請求項３に記載の磁気記録媒体は、請求項
２に記載の磁気記録媒体において、第１の磁性膜の磁気
異方性の方向と、第２の磁性膜の磁気異方性の方向との
成す角度が、４５度以上９０度以下であるものである。
２に記載の磁気記録媒体において、第１の磁性膜の磁気
異方性の方向と、第２の磁性膜の磁気異方性の方向との
成す角度が、４５度以上９０度以下であるものである。
【００２３】請求項４に記載の磁気記録媒体は、請求項
２または請求項３に記載の磁気記録媒体において、第１
の磁性膜の膜厚が、０．１μｍ以上であるものである。
２または請求項３に記載の磁気記録媒体において、第１
の磁性膜の膜厚が、０．１μｍ以上であるものである。
【００２４】請求項５に記載の磁気記録媒体は、請求項
２ないし請求項４のいずれかに記載の磁気記録媒体にお
いて、第２の磁性膜の膜厚が、０．５μｍ以上であるも
のである。
２ないし請求項４のいずれかに記載の磁気記録媒体にお
いて、第２の磁性膜の膜厚が、０．５μｍ以上であるも
のである。
【００２５】請求項６に記載の磁気記録媒体は、請求項
２ないし請求項５のいずれかに記載の磁気記録媒体にお
いて、第２の磁性膜の膜厚が、第１の磁性膜よりも厚い
ものである。
２ないし請求項５のいずれかに記載の磁気記録媒体にお
いて、第２の磁性膜の膜厚が、第１の磁性膜よりも厚い
ものである。
【００２６】請求項７に記載の磁気記録媒体は、請求項
２ないし請求項６に記載の磁気記録媒体の製造方法であ
って、第１の磁性膜を、第１の方向に磁界を印加しなが
ら形成する工程と、その工程の後、第２の磁性膜を第２
の方向に磁界を印加しながら形成する工程と、を含んで
なるものである。
２ないし請求項６に記載の磁気記録媒体の製造方法であ
って、第１の磁性膜を、第１の方向に磁界を印加しなが
ら形成する工程と、その工程の後、第２の磁性膜を第２
の方向に磁界を印加しながら形成する工程と、を含んで
なるものである。
【００２７】請求項８に記載の磁気記録媒体は、請求項
２ないし請求項６に記載の磁気記録媒体の製造方法であ
って、第１の磁性膜を形成後、熱処理により第１の磁性
膜の磁気異方性の方向を第１の方向に向ける工程と、そ
の工程の後、第２の磁性膜を第２の方向に磁界を印加し
ながら形成する工程と、を含んでなるものである。
２ないし請求項６に記載の磁気記録媒体の製造方法であ
って、第１の磁性膜を形成後、熱処理により第１の磁性
膜の磁気異方性の方向を第１の方向に向ける工程と、そ
の工程の後、第２の磁性膜を第２の方向に磁界を印加し
ながら形成する工程と、を含んでなるものである。
【００２８】請求項９に記載の磁気記録媒体は、請求項
２ないし請求項６に記載の磁気記録媒体の製造方法であ
って、第１の磁性膜の形成後、第２の磁性膜の形成前
に、第１の磁性膜をスパッタリングして、第１の磁性膜
の表面を清浄化する工程を含んでなるものである。
２ないし請求項６に記載の磁気記録媒体の製造方法であ
って、第１の磁性膜の形成後、第２の磁性膜の形成前
に、第１の磁性膜をスパッタリングして、第１の磁性膜
の表面を清浄化する工程を含んでなるものである。
【００２９】請求項１０に記載の磁気記録媒体は、基体
上に、磁気潜像を記録する磁気記録媒体が形成された磁
気潜像担持体を有する磁気印写装置において、磁気記録
媒体が、請求項１に記載の磁気記録媒体であることを特
徴とする。
上に、磁気潜像を記録する磁気記録媒体が形成された磁
気潜像担持体を有する磁気印写装置において、磁気記録
媒体が、請求項１に記載の磁気記録媒体であることを特
徴とする。
【００３０】以下に、本発明の作用を説明する。
【００３１】請求項１に記載の磁気記録媒体では、磁気
記録媒体が、一層の希土類金属と遷移金属とからなるア
モルファス合金膜のみではなく、面内に磁気異方性を有
する複数の層からなるため、磁気潜像の磁化反転境界に
現れる鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さの小さい磁気
潜像を形成することができ、解像度が高く、且つ磁性ト
ナーに対する磁気吸引力の大きな磁気潜像を形成するこ
とができる。 請求項２に記載の磁気記録媒体では、面
内の第１の方向に磁気異方性を有する第１の磁性膜の上
に、第１の磁性膜とは異なる面内の第２の方向に磁気異
方性を有する希土類金属と遷移金属とからなるアモルフ
ァス合金膜である第２の磁性膜が積層されているため、
第２の磁性膜には、磁気潜像の磁化反転境界に現れる鋸
歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さの小さい磁気潜像を形
成することができ、解像度が高く、且つ磁性トナーに対
する磁気吸引力の大きな磁気潜像を形成することができ
る。
記録媒体が、一層の希土類金属と遷移金属とからなるア
モルファス合金膜のみではなく、面内に磁気異方性を有
する複数の層からなるため、磁気潜像の磁化反転境界に
現れる鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さの小さい磁気
潜像を形成することができ、解像度が高く、且つ磁性ト
ナーに対する磁気吸引力の大きな磁気潜像を形成するこ
とができる。 請求項２に記載の磁気記録媒体では、面
内の第１の方向に磁気異方性を有する第１の磁性膜の上
に、第１の磁性膜とは異なる面内の第２の方向に磁気異
方性を有する希土類金属と遷移金属とからなるアモルフ
ァス合金膜である第２の磁性膜が積層されているため、
第２の磁性膜には、磁気潜像の磁化反転境界に現れる鋸
歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さの小さい磁気潜像を形
成することができ、解像度が高く、且つ磁性トナーに対
する磁気吸引力の大きな磁気潜像を形成することができ
る。
【００３２】請求項３に記載の磁気記録媒体によれば、
第２の磁性膜に、磁気潜像の磁化反転境界に現れる鋸歯
状の磁化転移構造の鋸歯の高さの小さい磁気潜像を、繰
り返し形成することができる。
第２の磁性膜に、磁気潜像の磁化反転境界に現れる鋸歯
状の磁化転移構造の鋸歯の高さの小さい磁気潜像を、繰
り返し形成することができる。
【００３３】この構成のように、第１の磁性膜の磁気異
方性の方向と、上記第２の磁性膜の磁気異方性の方向と
のなす角度が４５度以上９０度以下となっていないと
（角度が４５度未満であると）、磁気潜像の記録の際に
外部より印加される磁界の方向と第１の磁性膜の磁気異
方性の方向とのなす角度が４５度以下となる。その結
果、磁気記録媒体に外部磁界印加の下で熱入力される時
に、第１の磁性膜は、磁気異方性の方向が外部磁界より
影響を受けて、外部磁界の方向へ回転しやすくなる。こ
うして、外部磁界印加の下での熱入力による記録が繰り
返されると、第１の磁性膜の磁気異方性の方向が、第２
の磁性膜の磁気異方性の方向に回転しやすくなるため
に、その結果として、第２の磁性膜に形成される磁気潜
像の磁化反転境界に現れる鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯
の高さが大きくなる。
方性の方向と、上記第２の磁性膜の磁気異方性の方向と
のなす角度が４５度以上９０度以下となっていないと
（角度が４５度未満であると）、磁気潜像の記録の際に
外部より印加される磁界の方向と第１の磁性膜の磁気異
方性の方向とのなす角度が４５度以下となる。その結
果、磁気記録媒体に外部磁界印加の下で熱入力される時
に、第１の磁性膜は、磁気異方性の方向が外部磁界より
影響を受けて、外部磁界の方向へ回転しやすくなる。こ
うして、外部磁界印加の下での熱入力による記録が繰り
返されると、第１の磁性膜の磁気異方性の方向が、第２
の磁性膜の磁気異方性の方向に回転しやすくなるため
に、その結果として、第２の磁性膜に形成される磁気潜
像の磁化反転境界に現れる鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯
の高さが大きくなる。
【００３４】本構成では、上記の角度を４５度以上９０
度以下に設定するため、繰り返し記録によっても、第１
の記録媒体と第２の記録媒体の磁化異方性の成す角度が
変化せず、常に、鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さの
小さい磁気潜像を形成でき、高解像度の画像形成に寄与
できる。
度以下に設定するため、繰り返し記録によっても、第１
の記録媒体と第２の記録媒体の磁化異方性の成す角度が
変化せず、常に、鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さの
小さい磁気潜像を形成でき、高解像度の画像形成に寄与
できる。
【００３５】請求項４に記載の磁気記録媒体によれば、
磁気潜像の磁化反転境界に現れる鋸歯状の磁化転移構造
の鋸歯の高さを十分小さくすることができ、磁気潜像記
録の解像度を高くすることができる。
磁気潜像の磁化反転境界に現れる鋸歯状の磁化転移構造
の鋸歯の高さを十分小さくすることができ、磁気潜像記
録の解像度を高くすることができる。
【００３６】請求項５に記載の磁気記録媒体によれば、
形成した磁気潜像から磁性トナーへの磁気吸引力を大き
くすることができる。
形成した磁気潜像から磁性トナーへの磁気吸引力を大き
くすることができる。
【００３７】請求項６に記載の磁気記録媒体によれば、
磁化反転境界に現れる鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高
さが小さい磁気潜像を形成することができ、磁気潜像記
録の解像度を高くすることができる。
磁化反転境界に現れる鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高
さが小さい磁気潜像を形成することができ、磁気潜像記
録の解像度を高くすることができる。
【００３８】請求項７に記載の磁気記録媒体の製造方法
によれば、第１の磁性膜を形成する時に面内の第１の方
向に磁界を印加しながら形成するので、容易に第１の磁
性膜の第１の方向に磁気異方性を持たせることができ、
また、第２の磁性膜を第１の磁性膜に積層して形成する
時に面内の第２の方向に磁界を印加しながら形成するの
で、容易に第２の磁性膜の第２の方向に磁気異方性を持
たせることができる。
によれば、第１の磁性膜を形成する時に面内の第１の方
向に磁界を印加しながら形成するので、容易に第１の磁
性膜の第１の方向に磁気異方性を持たせることができ、
また、第２の磁性膜を第１の磁性膜に積層して形成する
時に面内の第２の方向に磁界を印加しながら形成するの
で、容易に第２の磁性膜の第２の方向に磁気異方性を持
たせることができる。
【００３９】さらに、第１、第２の磁性膜ともに、形成
時に印加する磁界の方向で、面内磁気異方性の方向を制
御することができるので、第１の磁性膜の磁気異方性の
方向と、第２の磁性膜の磁気異方性の方向とのなす角度
を任意に制御することができる。
時に印加する磁界の方向で、面内磁気異方性の方向を制
御することができるので、第１の磁性膜の磁気異方性の
方向と、第２の磁性膜の磁気異方性の方向とのなす角度
を任意に制御することができる。
【００４０】また、第１、第２の磁性膜ともに、形成時
に印加する磁界の大きさで、磁気特性を制御することが
できるので、所望の磁気特性を持つ磁性膜を容易に得る
ことができる。
に印加する磁界の大きさで、磁気特性を制御することが
できるので、所望の磁気特性を持つ磁性膜を容易に得る
ことができる。
【００４１】請求項８に記載の磁気記録媒体の製造方法
によれば、第１の磁性膜の磁気異方性を、第１の磁性膜
形成後に付与することができるので、第１の磁性膜の形
成時に磁界を印加することが困難である場合にも、容易
に第１の磁性膜に磁気異方性を付与することができる。
によれば、第１の磁性膜の磁気異方性を、第１の磁性膜
形成後に付与することができるので、第１の磁性膜の形
成時に磁界を印加することが困難である場合にも、容易
に第１の磁性膜に磁気異方性を付与することができる。
【００４２】さらに、第１の磁性膜を磁界中でアニール
するので、印加磁界の大きさやアニール温度を変えるこ
とで、第１の磁性膜の磁気特性を制御することが可能と
なり、所望の磁気特性を持つ磁性膜を容易に得ることが
できる。
するので、印加磁界の大きさやアニール温度を変えるこ
とで、第１の磁性膜の磁気特性を制御することが可能と
なり、所望の磁気特性を持つ磁性膜を容易に得ることが
できる。
【００４３】請求項９に記載の磁気記録媒体の製造方法
よれば、第１の磁性膜の形成後、第２の磁性膜形成前
に、第１の磁性膜をスパッタリングするため、第１の磁
性膜の表面が清浄になり、第１の磁性膜と第２の磁性膜
との間に磁気的な結合を持たせることができ、第２の磁
性膜には、磁化反転境界に現れる鋸歯状の磁化転移構造
の鋸歯の高さが小さい磁気潜像を形成することができ
る。
よれば、第１の磁性膜の形成後、第２の磁性膜形成前
に、第１の磁性膜をスパッタリングするため、第１の磁
性膜の表面が清浄になり、第１の磁性膜と第２の磁性膜
との間に磁気的な結合を持たせることができ、第２の磁
性膜には、磁化反転境界に現れる鋸歯状の磁化転移構造
の鋸歯の高さが小さい磁気潜像を形成することができ
る。
【００４４】請求項１０に記載の磁気印写装置によれ
ば、磁気記録媒体に形成された磁気潜像は、磁化反転境
界に現れる鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さが小さい
ものであるため、磁気潜像記録の解像度を高くすること
ができる。したがって、この磁気記録媒体上に形成され
た磁気潜像を現像すれば、高コントラストで、且つ高解
像度の画像を得ることができる。
ば、磁気記録媒体に形成された磁気潜像は、磁化反転境
界に現れる鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さが小さい
ものであるため、磁気潜像記録の解像度を高くすること
ができる。したがって、この磁気記録媒体上に形成され
た磁気潜像を現像すれば、高コントラストで、且つ高解
像度の画像を得ることができる。
【００４５】
〔実施の形態１〕以下、本発明の熱磁気プリンタの実施
の形態１の構成を図１ないし図２４，及び図３０に基づ
いて説明すれば、以下の通りである。尚、本実施例の形
態では、磁気記録媒体を、磁気印写装置としての熱磁気
プリンタに適用した場合について説明する。
の形態１の構成を図１ないし図２４，及び図３０に基づ
いて説明すれば、以下の通りである。尚、本実施例の形
態では、磁気記録媒体を、磁気印写装置としての熱磁気
プリンタに適用した場合について説明する。
【００４６】熱磁気プリンタは、図２に示すような画像
形成部を有している。上記画像形成部には、磁気ドラム
４，現像器６，転写ローラー８、及び搬送ベルト９が備
えられている。
形成部を有している。上記画像形成部には、磁気ドラム
４，現像器６，転写ローラー８、及び搬送ベルト９が備
えられている。
【００４７】磁気ドラム４（磁気潜像坦持体）は、図１
の拡大図に示すように、Ａｌを材質とするドラムベース
１（基体）の表面に、温度上昇に伴い保磁力が低下する
特性を有した磁気記録媒体２及び保護膜３が形成された
ものである。保護膜３は、ＡｌＮ，ＴｉＮ等の窒化物に
より形成される。これは、磁気記録媒体２の耐環境性を
考慮したものであると共に、サーマルヘッドにより記録
を行う場合には、サーマルヘッドと磁気ドラム４の表面
とが接触することから、耐摩耗性も考慮して設けられた
ものである。この保護膜３はスパッタリング法や電子ビ
ーム蒸着法により形成され、その膜厚は０．０１〜１．
０μｍが好ましい。尚、レーザー等による非接触の熱入
力を施す場合には、保護膜３としては、耐環境性のみを
考慮して、高分子材料を使用することが可能である。
の拡大図に示すように、Ａｌを材質とするドラムベース
１（基体）の表面に、温度上昇に伴い保磁力が低下する
特性を有した磁気記録媒体２及び保護膜３が形成された
ものである。保護膜３は、ＡｌＮ，ＴｉＮ等の窒化物に
より形成される。これは、磁気記録媒体２の耐環境性を
考慮したものであると共に、サーマルヘッドにより記録
を行う場合には、サーマルヘッドと磁気ドラム４の表面
とが接触することから、耐摩耗性も考慮して設けられた
ものである。この保護膜３はスパッタリング法や電子ビ
ーム蒸着法により形成され、その膜厚は０．０１〜１．
０μｍが好ましい。尚、レーザー等による非接触の熱入
力を施す場合には、保護膜３としては、耐環境性のみを
考慮して、高分子材料を使用することが可能である。
【００４８】現像器６は、内部に磁性トナー７を有して
おり、磁気潜像が形成された磁気ドラム４に磁性トナー
７を送り込むためのものである。転写ローラー８は、搬
送ベルト９を間に挟んで磁気ドラム４と対向して配置さ
れ、記録紙（図示しない）に磁性トナー７を転写する。
搬送ベルト９は、記録紙を図示しない定着器に搬送する
ものである。
おり、磁気潜像が形成された磁気ドラム４に磁性トナー
７を送り込むためのものである。転写ローラー８は、搬
送ベルト９を間に挟んで磁気ドラム４と対向して配置さ
れ、記録紙（図示しない）に磁性トナー７を転写する。
搬送ベルト９は、記録紙を図示しない定着器に搬送する
ものである。
【００４９】上記磁気ドラム４の外周面には、クリーニ
ング装置１０，一方向磁化磁石１１，及びサーマルヘッ
ド装置１２，バイアス磁界印加用磁石１３が設けられて
いる。
ング装置１０，一方向磁化磁石１１，及びサーマルヘッ
ド装置１２，バイアス磁界印加用磁石１３が設けられて
いる。
【００５０】一方向磁化磁石１１は、上記磁気記録媒体
２の磁化方向を一方向に揃え初期化する。サーマルヘッ
ド装置１２は、磁気記録媒体を所定温度まで加熱するた
めの熱入力を行う。また、バイアス磁界印加用磁石１３
は、上記初期化方向とは逆向きに、磁気記録媒体２の上
記所定温度での保磁力よりも大きな外部磁界を磁気記録
媒体２に印加する。また、クリーニング装置１０は、記
録紙に転写されずに磁気ドラム４の表面に残留した余分
の磁性トナー７を取り除くものである。
２の磁化方向を一方向に揃え初期化する。サーマルヘッ
ド装置１２は、磁気記録媒体を所定温度まで加熱するた
めの熱入力を行う。また、バイアス磁界印加用磁石１３
は、上記初期化方向とは逆向きに、磁気記録媒体２の上
記所定温度での保磁力よりも大きな外部磁界を磁気記録
媒体２に印加する。また、クリーニング装置１０は、記
録紙に転写されずに磁気ドラム４の表面に残留した余分
の磁性トナー７を取り除くものである。
【００５１】次に、このような構成の熱磁気プリンタの
動作を動作順に説明する。
動作を動作順に説明する。
【００５２】図２において、磁気ドラム４は矢印で示
す方向に回転し、磁気記録媒体２が、一方向磁化磁石１
１により磁化方向が一方向に飽和するように磁化されて
初期化される。次に、磁気記録媒体２に対してサーマル
ヘッド装置１２により熱入力が行われ、磁気記録媒体２
が所定温度まで加熱されると共に、この状態の磁気記録
媒体２にバイアス磁界印加用磁石１３により上記初期化
の方向とは逆方向の磁界が印加される。このバイアス磁
界の印加動作は、形成すべき画像信号に応じて図示しな
い制御装置により制御してもよく、また、バイアス磁界
を永久磁石により印加してもよい。これにより、磁化方
向が反転した磁気潜像が磁気記録媒体２に形成される。
す方向に回転し、磁気記録媒体２が、一方向磁化磁石１
１により磁化方向が一方向に飽和するように磁化されて
初期化される。次に、磁気記録媒体２に対してサーマル
ヘッド装置１２により熱入力が行われ、磁気記録媒体２
が所定温度まで加熱されると共に、この状態の磁気記録
媒体２にバイアス磁界印加用磁石１３により上記初期化
の方向とは逆方向の磁界が印加される。このバイアス磁
界の印加動作は、形成すべき画像信号に応じて図示しな
い制御装置により制御してもよく、また、バイアス磁界
を永久磁石により印加してもよい。これにより、磁化方
向が反転した磁気潜像が磁気記録媒体２に形成される。
【００５３】次に、磁気潜像が形成された磁気記録媒
体２に、現像器６により磁性トナー７が振りかけられ
る。これにより磁気潜像は磁性トナー７により現像さ
れ、顕像化した可視像となる。このトナー像は、転写ロ
ーラ８により記録紙へ転写される。
体２に、現像器６により磁性トナー７が振りかけられ
る。これにより磁気潜像は磁性トナー７により現像さ
れ、顕像化した可視像となる。このトナー像は、転写ロ
ーラ８により記録紙へ転写される。
【００５４】その後、記録紙は搬送ベルト９により定
着器（図示せず）に搬送され、この定着器によりトナー
像が記録紙に定着される。一方、磁気ドラム４の表面に
残留した磁性トナー７は、クリーニング装置１０により
除去される。
着器（図示せず）に搬送され、この定着器によりトナー
像が記録紙に定着される。一方、磁気ドラム４の表面に
残留した磁性トナー７は、クリーニング装置１０により
除去される。
【００５５】以上が一つの画像を得る場合の動作である
が、続けて別の画像を得る場合には、上記〜の動作
が繰り返される。また、同一画像を複数得る場合、即
ち、マルチコピーの場合には、磁気記録媒体２の初期化
を行わずに及びの動作が繰り返される。
が、続けて別の画像を得る場合には、上記〜の動作
が繰り返される。また、同一画像を複数得る場合、即
ち、マルチコピーの場合には、磁気記録媒体２の初期化
を行わずに及びの動作が繰り返される。
【００５６】尚、熱磁気プリンタは、図２に示したもの
に限らず、図３０に示すように、画像形成部に、磁気ド
ラムのかわりに磁気ベルト２４を備えた熱磁気プリンタ
の構成であってもよい。
に限らず、図３０に示すように、画像形成部に、磁気ド
ラムのかわりに磁気ベルト２４を備えた熱磁気プリンタ
の構成であってもよい。
【００５７】この熱磁気プリンタでは、磁気ベルト２４
が３つのローラ３５により支持されており、ローラ３５
の回転に伴い図中矢印方向に移動する。磁気ベルト２４
の外周部には、一方向磁化磁石３１，クリーニング装置
３０，サーマルヘッド装置３２，バイアス磁界印加用磁
石３３，内部に磁性トナー２７を有する現像器２６，転
写ローラ２８，及び搬送ベルト２９が備えられている。
が３つのローラ３５により支持されており、ローラ３５
の回転に伴い図中矢印方向に移動する。磁気ベルト２４
の外周部には、一方向磁化磁石３１，クリーニング装置
３０，サーマルヘッド装置３２，バイアス磁界印加用磁
石３３，内部に磁性トナー２７を有する現像器２６，転
写ローラ２８，及び搬送ベルト２９が備えられている。
【００５８】磁気ベルト２４は、フィルムシート２１の
表面に上記した磁気記録媒体２が形成されたものであ
る。フィルムシート２１は、ポリイミド、ポリエチレン
テレフタレート等の高分子からなるものでもよい。この
熱磁気プリンタの動作は図２に示した磁気ドラムの場合
と同様であるので説明は省略する。
表面に上記した磁気記録媒体２が形成されたものであ
る。フィルムシート２１は、ポリイミド、ポリエチレン
テレフタレート等の高分子からなるものでもよい。この
熱磁気プリンタの動作は図２に示した磁気ドラムの場合
と同様であるので説明は省略する。
【００５９】次に、図２，図３０に示したような熱磁気
プリンタにおける磁気記録媒体２について詳しく説明す
る。
プリンタにおける磁気記録媒体２について詳しく説明す
る。
【００６０】磁気記録媒体２は、面内の第１の方向に磁
気異方性を有する第１の磁性膜の上に、第１の方向とは
異なる面内の第２の方向に磁気異方性を有する第２の磁
性膜がスパッタリング法や電子ビーム蒸着法により形成
されたものである。第１の磁性膜は、所定の組成を持つ
ＴｂＣｏ膜，ＤｙＣｏ膜，ＧｄＣｏ膜，ＴｂＦｅＣｏ
膜，ＤｙＦｅＣｏ膜，ＧｄＦｅＣｏ膜等の希土類金属と
遷移金属とからなるアモルファス合金膜、Ｃｏ、Ｃｏと
Ｃｒの合金膜、ＣｏとＮｉの合金膜、ＣｏとＮｉとＰの
合金膜、ＦｅとＮｉの合金膜、ＭＯ・Ｆｅ2Ｏ3という分
子式で示されるフェライト（ＭはＭｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｍｇのいずれか、またはこれらの混合
物）のいずれかであり、第２の磁性膜は、所定の組成を
持つＴｂＣｏ膜，ＤｙＣｏ膜，ＧｄＣｏ膜，ＴｂＦｅＣ
ｏ膜，ＤｙＦｅＣｏ膜，ＧｄＦｅＣｏ膜等の希土類金属
と遷移金属とからなるアモルファス合金膜である。磁気
記録媒体２を構成する第１の磁性膜の厚みは０．１μｍ
〜１．５μｍ、第２の磁性膜の厚みは０．５μｍ〜３．
０μｍで第１の磁性膜よりも厚く設定されている。
気異方性を有する第１の磁性膜の上に、第１の方向とは
異なる面内の第２の方向に磁気異方性を有する第２の磁
性膜がスパッタリング法や電子ビーム蒸着法により形成
されたものである。第１の磁性膜は、所定の組成を持つ
ＴｂＣｏ膜，ＤｙＣｏ膜，ＧｄＣｏ膜，ＴｂＦｅＣｏ
膜，ＤｙＦｅＣｏ膜，ＧｄＦｅＣｏ膜等の希土類金属と
遷移金属とからなるアモルファス合金膜、Ｃｏ、Ｃｏと
Ｃｒの合金膜、ＣｏとＮｉの合金膜、ＣｏとＮｉとＰの
合金膜、ＦｅとＮｉの合金膜、ＭＯ・Ｆｅ2Ｏ3という分
子式で示されるフェライト（ＭはＭｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｍｇのいずれか、またはこれらの混合
物）のいずれかであり、第２の磁性膜は、所定の組成を
持つＴｂＣｏ膜，ＤｙＣｏ膜，ＧｄＣｏ膜，ＴｂＦｅＣ
ｏ膜，ＤｙＦｅＣｏ膜，ＧｄＦｅＣｏ膜等の希土類金属
と遷移金属とからなるアモルファス合金膜である。磁気
記録媒体２を構成する第１の磁性膜の厚みは０．１μｍ
〜１．５μｍ、第２の磁性膜の厚みは０．５μｍ〜３．
０μｍで第１の磁性膜よりも厚く設定されている。
【００６１】このような磁気記録媒体２における第２の
磁性膜は、磁化方向が表面と平行であり、保磁力が温度
上昇に伴って低下するものであり、キュリー点以下の所
定温度に加熱された状態にて、初期状態の磁化方向とは
逆方向のバイアス磁界が印加されると、磁気潜像を形成
する。
磁性膜は、磁化方向が表面と平行であり、保磁力が温度
上昇に伴って低下するものであり、キュリー点以下の所
定温度に加熱された状態にて、初期状態の磁化方向とは
逆方向のバイアス磁界が印加されると、磁気潜像を形成
する。
【００６２】以下に、磁気記録媒体２が有する上記の機
能を確認した実施例について説明する。
能を確認した実施例について説明する。
【００６３】（実施例）上記のような熱磁気プリンタに
用いる磁気記録媒体２とその製造方法及び磁気潜像記録
装置を検討するために、図３に示す構成の磁気潜像形成
体である試料Ａ、及び、図４に示す熱入力装置４１及び
バイアス磁界印加装置４２より構成される磁気潜像記録
装置４０を作製して評価を行った。
用いる磁気記録媒体２とその製造方法及び磁気潜像記録
装置を検討するために、図３に示す構成の磁気潜像形成
体である試料Ａ、及び、図４に示す熱入力装置４１及び
バイアス磁界印加装置４２より構成される磁気潜像記録
装置４０を作製して評価を行った。
【００６４】図４に示す磁気潜像記録装置４０は、熱入
力装置４１として、幅３０μｍ，長さ５ｍｍ，厚さ１．
０μｍのＮｉ薄膜４３を発熱抵抗体として形成したガラ
ス基板４４を、バイアス磁界印加用磁石４２の間に配置
したもので、バイアス磁界印加の下でＮｉ薄膜４３と磁
気記録媒体２とを接触させ、Ｎｉ薄膜４３に直流電圧を
印加することにより通電してＮｉ薄膜を発熱させて磁気
記録媒体２に熱入力を行うものである。
力装置４１として、幅３０μｍ，長さ５ｍｍ，厚さ１．
０μｍのＮｉ薄膜４３を発熱抵抗体として形成したガラ
ス基板４４を、バイアス磁界印加用磁石４２の間に配置
したもので、バイアス磁界印加の下でＮｉ薄膜４３と磁
気記録媒体２とを接触させ、Ｎｉ薄膜４３に直流電圧を
印加することにより通電してＮｉ薄膜を発熱させて磁気
記録媒体２に熱入力を行うものである。
【００６５】試料Ａは、ガラス基板５上に磁気記録媒体
２，保護膜３をこの順序で積層して形成したものであ
る。ガラス基板５にはコーニング社製のものを、現像器
６の磁性トナー７には日立金属社製（Ｈ７００，磁粉量
７０％、平均粒径１２．２μｍ）のものをそれぞれ使用
した。
２，保護膜３をこの順序で積層して形成したものであ
る。ガラス基板５にはコーニング社製のものを、現像器
６の磁性トナー７には日立金属社製（Ｈ７００，磁粉量
７０％、平均粒径１２．２μｍ）のものをそれぞれ使用
した。
【００６６】本実施例においては、以下の手順で試料Ａ
を作製した。ガラス基板５上に、所定の組成となるよ
うにＣｏターゲット上にＴｂのチップを乗せた複合ター
ゲットを用い、面内の第１の方向に磁界を印加しなが
ら、スパッタリング法により厚さ０．４μｍのＴｂＣｏ
アモルファス合金膜２ａ（第１の磁性膜）を形成する。
続いて、第１の磁性膜に逆スパッタを施して表面を清
浄にした後、第１の磁性膜の上に、同じく、所定の組成
となるようにＣｏターゲット上にＴｂのチップを乗せた
複合ターゲットを用い、面内の第１の方向とは異なった
面内の第２の方向に磁界を印加しながら、スパッタリン
グ法により厚さ１．５μｍのＴｂＣｏアモルファス合金
膜２ｂ（第２の磁性膜）を積層した。さらに、保護膜
３として０．１μｍのＴｉＮ膜を同じくスパッタリング
法にて形成した。
を作製した。ガラス基板５上に、所定の組成となるよ
うにＣｏターゲット上にＴｂのチップを乗せた複合ター
ゲットを用い、面内の第１の方向に磁界を印加しなが
ら、スパッタリング法により厚さ０．４μｍのＴｂＣｏ
アモルファス合金膜２ａ（第１の磁性膜）を形成する。
続いて、第１の磁性膜に逆スパッタを施して表面を清
浄にした後、第１の磁性膜の上に、同じく、所定の組成
となるようにＣｏターゲット上にＴｂのチップを乗せた
複合ターゲットを用い、面内の第１の方向とは異なった
面内の第２の方向に磁界を印加しながら、スパッタリン
グ法により厚さ１．５μｍのＴｂＣｏアモルファス合金
膜２ｂ（第２の磁性膜）を積層した。さらに、保護膜
３として０．１μｍのＴｉＮ膜を同じくスパッタリング
法にて形成した。
【００６７】ＴｂＣｏアモルファス合金膜２ａ，２ｂは
ともに、Ｔｂ組成がａｔｍ％で１１．０％であった。
尚、本実施例では、第１の磁性膜の面内磁気異方性の方
向である第１の方向と、第２の磁性膜の面内磁気異方性
の方向である第２の方向とのなす角度は９０度、即ち直
交するように設定されており、上記のスパッタリングは
バイアス電圧をかけない高周波スパッタリング法にて行
っている。
ともに、Ｔｂ組成がａｔｍ％で１１．０％であった。
尚、本実施例では、第１の磁性膜の面内磁気異方性の方
向である第１の方向と、第２の磁性膜の面内磁気異方性
の方向である第２の方向とのなす角度は９０度、即ち直
交するように設定されており、上記のスパッタリングは
バイアス電圧をかけない高周波スパッタリング法にて行
っている。
【００６８】このようにして作製された試料Ａにおける
磁気記録媒体２の、第２の磁性膜の磁気異方性の方向に
磁界を印加して測定した室温でのヒステリシスループを
調べたところ、図５に示すものとなった。図５より、磁
気記録媒体２は室温での保磁力が６２０Ｏｅ，残留磁化
が１６０ｅｍｕ／ｃｃであることが分かる。
磁気記録媒体２の、第２の磁性膜の磁気異方性の方向に
磁界を印加して測定した室温でのヒステリシスループを
調べたところ、図５に示すものとなった。図５より、磁
気記録媒体２は室温での保磁力が６２０Ｏｅ，残留磁化
が１６０ｅｍｕ／ｃｃであることが分かる。
【００６９】また、試料Ａにおける磁気記録媒体２の、
第２の磁性膜の磁気異方性の方向に磁界を印加して測定
したヒステリシスループより求めた保磁力の温度依存性
を図６に示す。この図から、磁気記録媒体２の保磁力が
温度上昇とともに低下することが分かる。
第２の磁性膜の磁気異方性の方向に磁界を印加して測定
したヒステリシスループより求めた保磁力の温度依存性
を図６に示す。この図から、磁気記録媒体２の保磁力が
温度上昇とともに低下することが分かる。
【００７０】次に、試料Ａに、予め第２の磁性膜の磁気
異方性の方向に飽和するまで初期化磁界を加えた後、図
４に示した磁気潜像記録装置４０により磁気潜像を形成
し、形成された磁気潜像に磁性トナーを振りかけて現像
テストを行ったところ、幅１８０μｍの線状に磁性トナ
ーが付着して、良好な顕像が得られた。但し、磁気潜像
の形成は、バイアス磁界印加装置４２より初期化磁界の
方向とは逆向きに３００Ｏｅのバイアス磁界を印加しな
がら、１５Ｖの直流電圧が２０ｍｓｅｃの時間印加され
る熱入力装置４１のＮｉ薄膜４３と磁気記録媒体２とを
接触させることにより行った。
異方性の方向に飽和するまで初期化磁界を加えた後、図
４に示した磁気潜像記録装置４０により磁気潜像を形成
し、形成された磁気潜像に磁性トナーを振りかけて現像
テストを行ったところ、幅１８０μｍの線状に磁性トナ
ーが付着して、良好な顕像が得られた。但し、磁気潜像
の形成は、バイアス磁界印加装置４２より初期化磁界の
方向とは逆向きに３００Ｏｅのバイアス磁界を印加しな
がら、１５Ｖの直流電圧が２０ｍｓｅｃの時間印加され
る熱入力装置４１のＮｉ薄膜４３と磁気記録媒体２とを
接触させることにより行った。
【００７１】この磁気記録媒体２に形成された磁気潜像
を粉末図形法により観察したところ、図７（ａ）に示す
ようになり、図７（ｂ）に模式図的に示すように、磁気
潜像の幅は１５０μｍで、磁化反転境界の鋸歯状の磁化
転移構造の鋸歯の高さは１２μｍという低いものであっ
た。
を粉末図形法により観察したところ、図７（ａ）に示す
ようになり、図７（ｂ）に模式図的に示すように、磁気
潜像の幅は１５０μｍで、磁化反転境界の鋸歯状の磁化
転移構造の鋸歯の高さは１２μｍという低いものであっ
た。
【００７２】次に、この試料Ａを用いて、高い解像度の
記録を行うために、Ｎｉ薄膜４３への電力の印加を、１
５Ｖの直流電圧で１０ｍｓｅｃの時間に変えて、現像テ
ストしたところ、熱入力時間を短くしたので、３００Ｏ
ｅのバイアス磁界によって磁化方向が反転する領域が狭
くなり、幅８０μｍの線状に磁性トナーが付着して、良
好な顕像が得られた。
記録を行うために、Ｎｉ薄膜４３への電力の印加を、１
５Ｖの直流電圧で１０ｍｓｅｃの時間に変えて、現像テ
ストしたところ、熱入力時間を短くしたので、３００Ｏ
ｅのバイアス磁界によって磁化方向が反転する領域が狭
くなり、幅８０μｍの線状に磁性トナーが付着して、良
好な顕像が得られた。
【００７３】また、この磁気記録媒体２に形成された磁
気潜像を粉末図形法により観察したところ、図８に示す
ように、磁気潜像の幅は５０μｍで、磁化反転境界の鋸
歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さは１０μｍという低い
ものであった。
気潜像を粉末図形法により観察したところ、図８に示す
ように、磁気潜像の幅は５０μｍで、磁化反転境界の鋸
歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さは１０μｍという低い
ものであった。
【００７４】さらに、この試料Ａを用いて、より高い解
像度の記録を行うために、Ｎｉ薄膜４３への電力の印加
を、１５Ｖの直流電圧で７ｍｓｅｃの時間に変えて、現
像テストしたところ、幅６０μｍの線状に磁性トナーが
付着して、良好な顕像が得られた。
像度の記録を行うために、Ｎｉ薄膜４３への電力の印加
を、１５Ｖの直流電圧で７ｍｓｅｃの時間に変えて、現
像テストしたところ、幅６０μｍの線状に磁性トナーが
付着して、良好な顕像が得られた。
【００７５】また、上記のようにして、磁気記録媒体２
に形成された磁気潜像を粉末図形法により観察したとこ
ろ、図９に模式図的に示すように、磁気潜像の幅は３０
μｍで、磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の
高さは８μｍという低いものであった。
に形成された磁気潜像を粉末図形法により観察したとこ
ろ、図９に模式図的に示すように、磁気潜像の幅は３０
μｍで、磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の
高さは８μｍという低いものであった。
【００７６】次に、比較のために図３における試料Ｂを
作製した。試料Ｂは、試料Ａと同じくガラス基板５上に
所定の組成となるようにＣｏターゲット上にＴｂのチッ
プを乗せた複合ターゲットを用いて、面内の一方向に磁
界を印加しながらスパッタリング法により厚さ１．５μ
ｍのＴｂＣｏアモルファス合金膜からなる記録媒体２を
形成し、その上に、保護膜３として０．１μｍのＴｉＮ
膜を同じくスパッタリング法にて形成することにより、
作製した。
作製した。試料Ｂは、試料Ａと同じくガラス基板５上に
所定の組成となるようにＣｏターゲット上にＴｂのチッ
プを乗せた複合ターゲットを用いて、面内の一方向に磁
界を印加しながらスパッタリング法により厚さ１．５μ
ｍのＴｂＣｏアモルファス合金膜からなる記録媒体２を
形成し、その上に、保護膜３として０．１μｍのＴｉＮ
膜を同じくスパッタリング法にて形成することにより、
作製した。
【００７７】この試料ＢのＴｂＣｏアモルファス合金膜
は、面内に一方向に磁気異方性を持つ面内磁化膜で、Ｔ
ｂ組成がａｔｍ％で１１．０％であった。尚、上記のス
パッタリングも、試料Ａの場合と同じくバイアス電圧を
かけない高周波スパッタリング法にて行っている。
は、面内に一方向に磁気異方性を持つ面内磁化膜で、Ｔ
ｂ組成がａｔｍ％で１１．０％であった。尚、上記のス
パッタリングも、試料Ａの場合と同じくバイアス電圧を
かけない高周波スパッタリング法にて行っている。
【００７８】このようにして作製された試料Ｂにおける
磁気記録媒体２の、磁気異方性の方向に磁界を印加して
測定した室温でのヒステリシスループを調べたところ、
図１０に示すものとなった。図１０より、磁気記録媒体
２は室温での保磁力は５７０Ｏｅ、残留磁化は１７０ｅ
ｍｕ／ｃｃで、上記図５に示した磁気記録媒体２（試料
Ａ）の特性とほぼ同様の磁気特性であることが分かる。
磁気記録媒体２の、磁気異方性の方向に磁界を印加して
測定した室温でのヒステリシスループを調べたところ、
図１０に示すものとなった。図１０より、磁気記録媒体
２は室温での保磁力は５７０Ｏｅ、残留磁化は１７０ｅ
ｍｕ／ｃｃで、上記図５に示した磁気記録媒体２（試料
Ａ）の特性とほぼ同様の磁気特性であることが分かる。
【００７９】試料Ｂに、予め磁気異方性の方向に飽和す
るまで初期化磁界を加えた後、図４に示した磁気潜像記
録装置４０により磁気潜像を形成し、形成された磁気潜
像に磁性トナーを振りかけて現像テストを行ったとこ
ろ、２５０μｍの線状に磁性トナーが付着したが、磁性
トナーの付着は不十分であった。但し、磁気潜像の形成
は、上記した試料Ａに磁気潜像を記録した場合と同様の
方法、即ち、バイアス磁界印加装置４２より初期化磁界
の方向とは逆向きに３００Ｏｅのバイアス磁界を印加し
ながら、１５Ｖの直流電圧が２０ｍｓｅｃの時間印加さ
れる熱入力装置４１のＮｉ薄膜４３と磁気記録媒体２と
を接触させることにより行った。
るまで初期化磁界を加えた後、図４に示した磁気潜像記
録装置４０により磁気潜像を形成し、形成された磁気潜
像に磁性トナーを振りかけて現像テストを行ったとこ
ろ、２５０μｍの線状に磁性トナーが付着したが、磁性
トナーの付着は不十分であった。但し、磁気潜像の形成
は、上記した試料Ａに磁気潜像を記録した場合と同様の
方法、即ち、バイアス磁界印加装置４２より初期化磁界
の方向とは逆向きに３００Ｏｅのバイアス磁界を印加し
ながら、１５Ｖの直流電圧が２０ｍｓｅｃの時間印加さ
れる熱入力装置４１のＮｉ薄膜４３と磁気記録媒体２と
を接触させることにより行った。
【００８０】また、この試料Ｂの磁気記録媒体２に形成
された磁気潜像を粉末図形法により観察したところ、図
１１（ａ）に示すようになり、図１１（ｂ）に模式図的
に示すように、磁気潜像の幅は２２０μｍで、試料Ａに
同一の記録条件で形成された磁気潜像の幅よりも広く、
また、磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高
さも５０μｍで、試料Ａに同一の記録条件で形成された
磁気潜像の磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯
の高さ（図７（ａ），（ｂ）参照）よりも大きなもので
あった。このように、磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移
構造の鋸歯の高さが大きいことが、磁性トナーに対する
磁気吸引力の低下を示していると考えられる。
された磁気潜像を粉末図形法により観察したところ、図
１１（ａ）に示すようになり、図１１（ｂ）に模式図的
に示すように、磁気潜像の幅は２２０μｍで、試料Ａに
同一の記録条件で形成された磁気潜像の幅よりも広く、
また、磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高
さも５０μｍで、試料Ａに同一の記録条件で形成された
磁気潜像の磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯
の高さ（図７（ａ），（ｂ）参照）よりも大きなもので
あった。このように、磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移
構造の鋸歯の高さが大きいことが、磁性トナーに対する
磁気吸引力の低下を示していると考えられる。
【００８１】さらに、この試料Ｂを用いて、高い解像度
の記録を行うために、Ｎｉ薄膜４３への電力の印加を、
１５Ｖの直流電圧で１０ｍｓｅｃの時間に変えて、現像
テストしたところ、熱入力時間を短くしたので、３００
Ｏｅのバイアス磁界によって磁化方向が反転する領域が
狭くなり、幅１６０μｍの線状に磁性トナーが付着した
が、これは、試料Ａに同一の記録条件で磁気潜像を形成
して磁性トナーで現像した場合より広い幅であり、磁性
トナーの付着量も試料Ａに比べて不十分であった。
の記録を行うために、Ｎｉ薄膜４３への電力の印加を、
１５Ｖの直流電圧で１０ｍｓｅｃの時間に変えて、現像
テストしたところ、熱入力時間を短くしたので、３００
Ｏｅのバイアス磁界によって磁化方向が反転する領域が
狭くなり、幅１６０μｍの線状に磁性トナーが付着した
が、これは、試料Ａに同一の記録条件で磁気潜像を形成
して磁性トナーで現像した場合より広い幅であり、磁性
トナーの付着量も試料Ａに比べて不十分であった。
【００８２】この磁気記録媒体２に形成された磁気潜像
を粉末図形法により観察したところ、図１２に模式図的
に示すように、磁気潜像の幅は１３０μｍで、試料Ａに
同一の記録条件で形成された磁気潜像の幅よりも広く、
また、磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高
さも４５μｍで、試料Ａに同一の記録条件で形成された
磁気潜像の磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯
の高さよりも大きなものであった（図８参照）。このこ
とから、磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の
高さが大きいことが、磁性トナーに対する磁気吸引力を
低下させていると考えられる。
を粉末図形法により観察したところ、図１２に模式図的
に示すように、磁気潜像の幅は１３０μｍで、試料Ａに
同一の記録条件で形成された磁気潜像の幅よりも広く、
また、磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高
さも４５μｍで、試料Ａに同一の記録条件で形成された
磁気潜像の磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯
の高さよりも大きなものであった（図８参照）。このこ
とから、磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の
高さが大きいことが、磁性トナーに対する磁気吸引力を
低下させていると考えられる。
【００８３】さらに、この試料Ｂにより、より高い解像
度の記録を行うために、Ｎｉ薄膜４３への電力の印加
を、１５Ｖの直流電圧で７ｍｓｅｃの時間に変えて、現
像テストしたところ、幅１２０μｍの線状に磁性トナー
が付着したが、磁性トナーの付着量は非常に不十分であ
った。
度の記録を行うために、Ｎｉ薄膜４３への電力の印加
を、１５Ｖの直流電圧で７ｍｓｅｃの時間に変えて、現
像テストしたところ、幅１２０μｍの線状に磁性トナー
が付着したが、磁性トナーの付着量は非常に不十分であ
った。
【００８４】この磁気記録媒体２に形成された磁気潜像
を粉末図形法により観察したところ、図１３（ａ）に示
すようになり、図１３（ｂ）に模式図的に示すように、
磁気潜像の幅は９０μｍであるが、連続した線状の磁化
反転境界が形成されていなかった。このことから、磁化
反転境界が連続して形成されていないことが、磁性トナ
ーに対する磁気吸引力を低下させていると考えられる。
を粉末図形法により観察したところ、図１３（ａ）に示
すようになり、図１３（ｂ）に模式図的に示すように、
磁気潜像の幅は９０μｍであるが、連続した線状の磁化
反転境界が形成されていなかった。このことから、磁化
反転境界が連続して形成されていないことが、磁性トナ
ーに対する磁気吸引力を低下させていると考えられる。
【００８５】次に、第１の磁性膜２ａと第２の磁性膜２
ｂの磁気異方性の成す角度について説明する。
ｂの磁気異方性の成す角度について説明する。
【００８６】図１４は、試料Ａと同様の材料・膜厚から
なる第１の磁性膜２ａと第２の磁性膜２ｂが、それらの
磁気異方性の成す角度が５０度である試料Ｃの磁気記録
媒体２を示す図である。以下に、この磁気記録媒体２を
用いて記録テストした場合について説明する。
なる第１の磁性膜２ａと第２の磁性膜２ｂが、それらの
磁気異方性の成す角度が５０度である試料Ｃの磁気記録
媒体２を示す図である。以下に、この磁気記録媒体２を
用いて記録テストした場合について説明する。
【００８７】図１５は、予め第２の磁性膜２ｂの磁気異
方性の方向に飽和するまで初期化磁界を加えた後、図４
に示した磁気潜像記録装置４０により磁気潜像を形成
し、形成された磁気潜像を粉末図形法により観察したも
のを模式図的に示したもので、磁気潜像の幅は１６０μ
ｍで、試料Ａに同一の記録条件で形成された磁気潜像の
幅よりも広いが、磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造
の鋸歯の高さは１８μｍで、試料Ａの場合と同様に、同
一の記録条件で形成された磁気潜像の磁化反転境界の鋸
歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さよりも小さく、高解像
度の磁気潜像が記録できることが分かる。但し、磁気潜
像の形成は、バイアス磁界印加装置４２より初期化磁界
の方向とは逆向きに３００Ｏｅのバイアス磁界を印加し
ながら、１５Ｖの直流電圧が２０ｍｓｅｃの時間印加さ
れる熱入力装置４１のＮｉ薄膜４３と磁気記録媒体２と
を接触させることにより行った。
方性の方向に飽和するまで初期化磁界を加えた後、図４
に示した磁気潜像記録装置４０により磁気潜像を形成
し、形成された磁気潜像を粉末図形法により観察したも
のを模式図的に示したもので、磁気潜像の幅は１６０μ
ｍで、試料Ａに同一の記録条件で形成された磁気潜像の
幅よりも広いが、磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造
の鋸歯の高さは１８μｍで、試料Ａの場合と同様に、同
一の記録条件で形成された磁気潜像の磁化反転境界の鋸
歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さよりも小さく、高解像
度の磁気潜像が記録できることが分かる。但し、磁気潜
像の形成は、バイアス磁界印加装置４２より初期化磁界
の方向とは逆向きに３００Ｏｅのバイアス磁界を印加し
ながら、１５Ｖの直流電圧が２０ｍｓｅｃの時間印加さ
れる熱入力装置４１のＮｉ薄膜４３と磁気記録媒体２と
を接触させることにより行った。
【００８８】従って、面内の第１の方向に磁気異方性を
有する第１の磁性膜の上に、第１の磁性膜とは異なる面
内の第２の方向に磁気異方性を有する希土類金属と遷移
金属とからなるアモルファス合金膜である第２の磁性膜
を積層した磁気記録媒体を作製すれば、磁気潜像の磁化
反転境界に現れる鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さの
小さい磁気潜像を形成することができるので、磁気潜像
記録の解像度を高くすることができるとともに、磁性ト
ナーに対する磁気吸引力の大きな高解像度の磁気潜像を
形成できることが分かる。
有する第１の磁性膜の上に、第１の磁性膜とは異なる面
内の第２の方向に磁気異方性を有する希土類金属と遷移
金属とからなるアモルファス合金膜である第２の磁性膜
を積層した磁気記録媒体を作製すれば、磁気潜像の磁化
反転境界に現れる鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さの
小さい磁気潜像を形成することができるので、磁気潜像
記録の解像度を高くすることができるとともに、磁性ト
ナーに対する磁気吸引力の大きな高解像度の磁気潜像を
形成できることが分かる。
【００８９】よって、このような磁気記録媒体によれ
ば、高解像度の磁気潜像を形成できると共に、磁性トナ
ーを安定して吸着することができるので、この磁気記録
媒体を熱磁気プリンタとして用いれば、高解像度、高コ
ントラストの記録画像が得られる熱磁気プリンタとする
ことが可能となる。
ば、高解像度の磁気潜像を形成できると共に、磁性トナ
ーを安定して吸着することができるので、この磁気記録
媒体を熱磁気プリンタとして用いれば、高解像度、高コ
ントラストの記録画像が得られる熱磁気プリンタとする
ことが可能となる。
【００９０】尚、本実施例では、第１、第２の磁性膜と
して、共に、希土類金属と遷移金属とからなるアモルフ
ァス合金膜としてＴｂＣｏを用いた例について示した
が、第１、第２の磁性膜としてＤｙＣｏ、ＧｄＣｏ等、
他の希土類金属と遷移金属とのアモルファス合金膜を用
いてもよく、また、第１の磁性膜がＤｙＣｏアモルファ
ス合金膜で、第２の磁性膜がＧｄＣｏアモルファス合金
膜である場合のような、異なる希土類金属と遷移金属と
からなるアモルファス合金膜であっても、面内の第１の
方向に磁気異方性を有する第１の磁性膜の上に、第１の
磁性膜とは異なる面内の第２の方向に磁気異方性を有す
る希土類金属と遷移金属とからなるアモルファス合金膜
である第２の磁性膜を積層した構造の磁気記録媒体であ
る限り、以上に述べた磁気記録媒体２が有する機能に変
わりはない。
して、共に、希土類金属と遷移金属とからなるアモルフ
ァス合金膜としてＴｂＣｏを用いた例について示した
が、第１、第２の磁性膜としてＤｙＣｏ、ＧｄＣｏ等、
他の希土類金属と遷移金属とのアモルファス合金膜を用
いてもよく、また、第１の磁性膜がＤｙＣｏアモルファ
ス合金膜で、第２の磁性膜がＧｄＣｏアモルファス合金
膜である場合のような、異なる希土類金属と遷移金属と
からなるアモルファス合金膜であっても、面内の第１の
方向に磁気異方性を有する第１の磁性膜の上に、第１の
磁性膜とは異なる面内の第２の方向に磁気異方性を有す
る希土類金属と遷移金属とからなるアモルファス合金膜
である第２の磁性膜を積層した構造の磁気記録媒体であ
る限り、以上に述べた磁気記録媒体２が有する機能に変
わりはない。
【００９１】さらに、第１の磁性膜がＣｏ，ＣｏとＣｒ
の合金膜，ＣｏとＮｉの合金膜，ＣｏとＮｉとＰの合金
膜，あるいはＦｅとＮｉの合金膜，ＭＯ・Ｆｅ2Ｏ3とい
う分子式で示されるフェライト（ＭがＭｎ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｍｇのいずれか、あるはこれら
の混合物）等の他の磁性膜である場合でも、面内の第１
の方向に磁気異方性を有する第１の磁性膜の上に、第１
の磁性膜とは異なる面内の第２の方向に磁気異方性を有
する希土類金属と遷移金属とからなるアモルファス合金
膜である第２の磁性膜を積層した構造の磁気記録媒体で
ある限り、以上に述べた磁気記録媒体２が有する機能に
変わりはない。
の合金膜，ＣｏとＮｉの合金膜，ＣｏとＮｉとＰの合金
膜，あるいはＦｅとＮｉの合金膜，ＭＯ・Ｆｅ2Ｏ3とい
う分子式で示されるフェライト（ＭがＭｎ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｍｇのいずれか、あるはこれら
の混合物）等の他の磁性膜である場合でも、面内の第１
の方向に磁気異方性を有する第１の磁性膜の上に、第１
の磁性膜とは異なる面内の第２の方向に磁気異方性を有
する希土類金属と遷移金属とからなるアモルファス合金
膜である第２の磁性膜を積層した構造の磁気記録媒体で
ある限り、以上に述べた磁気記録媒体２が有する機能に
変わりはない。
【００９２】次に、磁気記録媒体の第１の磁性膜の磁気
異方性の方向と、第２の磁性膜の磁気異方性の方向との
なす角度と、磁気記録媒体に繰り返し磁気潜像を形成し
た時の、磁気潜像の磁化反転境界に現れる鋸歯状の磁化
転移構造の鋸歯の高さとの関係について、図１６及び図
１７を参照しながら以下に説明する。
異方性の方向と、第２の磁性膜の磁気異方性の方向との
なす角度と、磁気記録媒体に繰り返し磁気潜像を形成し
た時の、磁気潜像の磁化反転境界に現れる鋸歯状の磁化
転移構造の鋸歯の高さとの関係について、図１６及び図
１７を参照しながら以下に説明する。
【００９３】図１６は、試料Ａと同様の材料・膜厚の第
１の磁性膜と第２の磁性膜を磁気異方性の成す角度が３
０度となるように積層した磁気記録媒体２（試料Ｄ）
に、予め第２の磁性膜の磁気異方性の方向に飽和するま
で初期化磁界を加えた後、図４に示した磁気潜像記録装
置４０により磁気潜像を形成し、再び、形成された磁気
潜像を第２の磁性膜の磁気異方性の方向に飽和するまで
初期化磁界を加えた後、再度、同様にして磁気潜像を形
成するという、記録の繰り返しを１００回行った時に、
１００回目の記録時に形成された磁気潜像を観察したも
のを模式図的に示したものである。
１の磁性膜と第２の磁性膜を磁気異方性の成す角度が３
０度となるように積層した磁気記録媒体２（試料Ｄ）
に、予め第２の磁性膜の磁気異方性の方向に飽和するま
で初期化磁界を加えた後、図４に示した磁気潜像記録装
置４０により磁気潜像を形成し、再び、形成された磁気
潜像を第２の磁性膜の磁気異方性の方向に飽和するまで
初期化磁界を加えた後、再度、同様にして磁気潜像を形
成するという、記録の繰り返しを１００回行った時に、
１００回目の記録時に形成された磁気潜像を観察したも
のを模式図的に示したものである。
【００９４】この図に示すように、磁気潜像の幅は２０
０μｍで、試料Ａに同一の記録条件で形成された磁気潜
像の幅よりも広く、また、磁化反転境界の鋸歯状の磁化
転移構造の鋸歯の高さも３１μｍで、試料Ｂに同一の記
録条件で形成された磁気潜像よりも小さくなっている
が、試料Ａに同一の記録条件で形成された磁気潜像の磁
化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さより大
きなものであった。これは、第１の磁性膜の磁気異方性
の方向と第２の磁性膜の磁気異方性の方向とのなす角度
が３０度という小さいものであるので、外部磁界印加の
下での熱入力による記録が繰り返されると、第１の磁性
膜の磁気異方性の方向が外部磁界の影響を受けて第２の
磁性膜の磁気異方性の方向に近づき、その結果として、
磁気潜像の磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯
の高さが大きくなったものと考えられる。
０μｍで、試料Ａに同一の記録条件で形成された磁気潜
像の幅よりも広く、また、磁化反転境界の鋸歯状の磁化
転移構造の鋸歯の高さも３１μｍで、試料Ｂに同一の記
録条件で形成された磁気潜像よりも小さくなっている
が、試料Ａに同一の記録条件で形成された磁気潜像の磁
化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さより大
きなものであった。これは、第１の磁性膜の磁気異方性
の方向と第２の磁性膜の磁気異方性の方向とのなす角度
が３０度という小さいものであるので、外部磁界印加の
下での熱入力による記録が繰り返されると、第１の磁性
膜の磁気異方性の方向が外部磁界の影響を受けて第２の
磁性膜の磁気異方性の方向に近づき、その結果として、
磁気潜像の磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯
の高さが大きくなったものと考えられる。
【００９５】図１７は、試料Ａと同様の第１の磁性膜２
ａと第２の磁性膜２ｂを、それらの磁気異方性のなす角
度を３０度、４０度、４５度、５０度、９０度とした磁
気記録媒体２、及び、試料Ｂにおける、繰り返し記録回
数と形成された磁気潜像の磁化反転協会の鋸歯状の磁化
転移構造の鋸歯の高さとの関係を示したものである。但
し、繰り返し記録は以下のようにして行った。予め磁
気記録のされる磁性膜の磁気記録異方性の方向に飽和す
るまで初期化磁界を加える。図４の磁気潜像記録装置
４０を用いて、バイアス磁界印加装置４２より初期化磁
界の方向とは逆向きに３００Ｏｅのバイアス磁界を印加
しながら、熱入力装置４１のＮｉ薄膜４３を磁気記録媒
体２に接触させ、Ｎｉ薄膜４３に１５Ｖの直流電圧を２
０ｍｓｅｃの時間印加して、磁気記録媒体２に磁気潜像
を形成する。再度初期化して、前回記録した磁気潜像
と同一場所に熱入力を行って、再度記録する。
ａと第２の磁性膜２ｂを、それらの磁気異方性のなす角
度を３０度、４０度、４５度、５０度、９０度とした磁
気記録媒体２、及び、試料Ｂにおける、繰り返し記録回
数と形成された磁気潜像の磁化反転協会の鋸歯状の磁化
転移構造の鋸歯の高さとの関係を示したものである。但
し、繰り返し記録は以下のようにして行った。予め磁
気記録のされる磁性膜の磁気記録異方性の方向に飽和す
るまで初期化磁界を加える。図４の磁気潜像記録装置
４０を用いて、バイアス磁界印加装置４２より初期化磁
界の方向とは逆向きに３００Ｏｅのバイアス磁界を印加
しながら、熱入力装置４１のＮｉ薄膜４３を磁気記録媒
体２に接触させ、Ｎｉ薄膜４３に１５Ｖの直流電圧を２
０ｍｓｅｃの時間印加して、磁気記録媒体２に磁気潜像
を形成する。再度初期化して、前回記録した磁気潜像
と同一場所に熱入力を行って、再度記録する。
【００９６】図１７より、第１の磁性膜２ａと第２の磁
性膜２ｂの磁気異方性のなす角度が４５度より小さい磁
気記録媒体２に記録を繰り返すと、記録された磁気潜像
の磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さ
が、記録回数とともに大きくなる。第１の磁性膜２ａと
第２の磁性膜２ｂの磁気異方性のなす角度４５度以上で
は、記録を繰り返しても、記録された磁気潜像の磁化反
転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さは２０μｍ
以下の小さいままであることが分かる。
性膜２ｂの磁気異方性のなす角度が４５度より小さい磁
気記録媒体２に記録を繰り返すと、記録された磁気潜像
の磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さ
が、記録回数とともに大きくなる。第１の磁性膜２ａと
第２の磁性膜２ｂの磁気異方性のなす角度４５度以上で
は、記録を繰り返しても、記録された磁気潜像の磁化反
転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さは２０μｍ
以下の小さいままであることが分かる。
【００９７】尚、９０度以上の角度αについては、１８
０度−αと等価である（例えば、１２０度は６０度の場
合と等価である）。
０度−αと等価である（例えば、１２０度は６０度の場
合と等価である）。
【００９８】このように、面内の第１の方向に磁気異方
性を有する第１の磁性膜の上に、第１の磁性膜とは異な
る面内の第２の方向に磁気異方性を有する希土類金属と
遷移金属とからなるアモルファス合金膜である第２の磁
性膜を積層した構造である磁気記録媒体で、第１の磁性
膜の磁気異方性の方向と第２の磁性膜の磁気異方性との
なす角度が４５度以上９０度以下であれば、磁気記録媒
体に記録と消去（初期化）を繰り返しても、磁気潜像の
磁化反転境界に現れる鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高
さの小さい磁気潜像を形成することができるので、繰り
返し記録しても、高い解像度と磁性トナーに対する磁気
吸引力の大きな磁気記録媒体とすることができる。
性を有する第１の磁性膜の上に、第１の磁性膜とは異な
る面内の第２の方向に磁気異方性を有する希土類金属と
遷移金属とからなるアモルファス合金膜である第２の磁
性膜を積層した構造である磁気記録媒体で、第１の磁性
膜の磁気異方性の方向と第２の磁性膜の磁気異方性との
なす角度が４５度以上９０度以下であれば、磁気記録媒
体に記録と消去（初期化）を繰り返しても、磁気潜像の
磁化反転境界に現れる鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高
さの小さい磁気潜像を形成することができるので、繰り
返し記録しても、高い解像度と磁性トナーに対する磁気
吸引力の大きな磁気記録媒体とすることができる。
【００９９】次に、磁気記録媒体２の第１の磁性膜２
ａの厚さと磁気記録媒体２に形成された磁気潜像の解像
度との関係、磁気記録媒体２の第２の磁性膜２ｂの厚
さと磁気記録媒体２に形成された磁気潜像への磁性トナ
ーの吸着性との関係、磁気記録媒体２の第１の磁性膜
２ａの厚さと磁気記録媒体の第２の磁性膜２ｂの関係と
磁気記録媒体２に形成された磁気潜像の解像度との関
係、について、図１８ないし図２４を参照しながら以下
に説明する。
ａの厚さと磁気記録媒体２に形成された磁気潜像の解像
度との関係、磁気記録媒体２の第２の磁性膜２ｂの厚
さと磁気記録媒体２に形成された磁気潜像への磁性トナ
ーの吸着性との関係、磁気記録媒体２の第１の磁性膜
２ａの厚さと磁気記録媒体の第２の磁性膜２ｂの関係と
磁気記録媒体２に形成された磁気潜像の解像度との関
係、について、図１８ないし図２４を参照しながら以下
に説明する。
【０１００】まず、磁気記録媒体２の第１の磁性膜２
ａの厚さと磁気記録媒体２に形成された磁気潜像の解像
度との関係について、試料Ｅ，Ｆを用いて説明する。
ａの厚さと磁気記録媒体２に形成された磁気潜像の解像
度との関係について、試料Ｅ，Ｆを用いて説明する。
【０１０１】試料Ｅは、ガラス基板５上に、所定の組成
となるようにＣｏターゲット上にＴｂのチップを乗せた
複合ターゲットを用い、第１の磁性膜２ａとして面内の
第１の方向に磁界を印加しながらスパッタリング法によ
り厚さ０．１１μｍのＴｂＣｏアモルファス合金膜を形
成し、続いて、第１の磁性膜２ａに逆スパッタを施して
表面を清浄にした後、第１の磁性膜２ａの上に、同じ
く、所定の組成となるようにＣｏターゲット上にＴｂの
チップを乗せた複合ターゲットを用い、第２の磁性膜２
ｂとして、面内の第１の方向とは異なった面内の第２の
方向に磁界を印加しながらスパッタリング法により厚さ
１．５μｍのＴｂＣｏアモルファス合金膜を積層して形
成した磁気記録媒体２の上に、保護膜３として０．１μ
ｍのＴｉＮ膜を同じくスパッタリング法にて形成したも
のである。
となるようにＣｏターゲット上にＴｂのチップを乗せた
複合ターゲットを用い、第１の磁性膜２ａとして面内の
第１の方向に磁界を印加しながらスパッタリング法によ
り厚さ０．１１μｍのＴｂＣｏアモルファス合金膜を形
成し、続いて、第１の磁性膜２ａに逆スパッタを施して
表面を清浄にした後、第１の磁性膜２ａの上に、同じ
く、所定の組成となるようにＣｏターゲット上にＴｂの
チップを乗せた複合ターゲットを用い、第２の磁性膜２
ｂとして、面内の第１の方向とは異なった面内の第２の
方向に磁界を印加しながらスパッタリング法により厚さ
１．５μｍのＴｂＣｏアモルファス合金膜を積層して形
成した磁気記録媒体２の上に、保護膜３として０．１μ
ｍのＴｉＮ膜を同じくスパッタリング法にて形成したも
のである。
【０１０２】このＴｂＣｏアモルファス合金膜は、第１
及び第２の磁性膜２ａ，２ｂともに、Ｔｂ組成がａｔｍ
％で１１．０％であった。尚、試料Ｅでは、試料Ａの場
合と同じく、第１の磁性膜２ａの面内磁気異方性の方向
である第１の方向と、第２の磁性膜２ｂの面内磁気異方
性の方向である第２の方向とのなす角度は９０度、即ち
直交するように設定されており、上記のスパッタリング
はバイアス電圧をかけない高周波スパッタリング法にて
行っている。したがって、試料Ｅは、上記した試料Ａに
おいて、第１の磁性膜２ａの膜厚を０．１１μｍとした
ものである。
及び第２の磁性膜２ａ，２ｂともに、Ｔｂ組成がａｔｍ
％で１１．０％であった。尚、試料Ｅでは、試料Ａの場
合と同じく、第１の磁性膜２ａの面内磁気異方性の方向
である第１の方向と、第２の磁性膜２ｂの面内磁気異方
性の方向である第２の方向とのなす角度は９０度、即ち
直交するように設定されており、上記のスパッタリング
はバイアス電圧をかけない高周波スパッタリング法にて
行っている。したがって、試料Ｅは、上記した試料Ａに
おいて、第１の磁性膜２ａの膜厚を０．１１μｍとした
ものである。
【０１０３】図１８は、この試料Ｅに、予め磁気記録媒
体２の磁気異方性の方向に飽和するまで初期化磁界を加
えた後、磁気記録媒体２に磁気潜像を形成し、形成した
磁気潜像を粉末図形法により観察したものを模式図的に
示したものである。磁気潜像の形成は、図４の磁気潜像
記録装置４０を用いて、バイアス磁界印加装置４２より
初期化磁界の方向とは逆向きに３００Ｏｅのバイアス磁
界を印加しながら、磁気記録媒体２と熱入力装置４１の
Ｎｉ薄膜４３とを接触させ、Ｎｉ薄膜４３に１５Ｖの直
流電圧を２０ｍｓｅｃの時間印加することにより行っ
た。
体２の磁気異方性の方向に飽和するまで初期化磁界を加
えた後、磁気記録媒体２に磁気潜像を形成し、形成した
磁気潜像を粉末図形法により観察したものを模式図的に
示したものである。磁気潜像の形成は、図４の磁気潜像
記録装置４０を用いて、バイアス磁界印加装置４２より
初期化磁界の方向とは逆向きに３００Ｏｅのバイアス磁
界を印加しながら、磁気記録媒体２と熱入力装置４１の
Ｎｉ薄膜４３とを接触させ、Ｎｉ薄膜４３に１５Ｖの直
流電圧を２０ｍｓｅｃの時間印加することにより行っ
た。
【０１０４】図１８に示すように、磁気潜像の幅は１７
０μｍで、試料Ａに同一の記録条件で形成された磁気潜
像の幅よりも広いが、磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移
構造の鋸歯の高さは１４μｍで、試料Ａに同一の記録条
件で形成された磁気潜像の磁化反転境界の鋸歯状の磁化
転移構造の鋸歯の高さとほぼ同じであった。
０μｍで、試料Ａに同一の記録条件で形成された磁気潜
像の幅よりも広いが、磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移
構造の鋸歯の高さは１４μｍで、試料Ａに同一の記録条
件で形成された磁気潜像の磁化反転境界の鋸歯状の磁化
転移構造の鋸歯の高さとほぼ同じであった。
【０１０５】さらに、この試料Ｅを用いて、より高い解
像度の記録を行うために、Ｎｉ薄膜４３への電力印加を
１５Ｖの直流電圧で７ｍｓｅｃ時間に変更して磁気潜像
を形成し、形成された磁気潜像に磁性トナーを振りかけ
て現像テストしたところ、幅６５μｍの線状に磁性トナ
ーが付着し、良好な顕像が得られた。
像度の記録を行うために、Ｎｉ薄膜４３への電力印加を
１５Ｖの直流電圧で７ｍｓｅｃ時間に変更して磁気潜像
を形成し、形成された磁気潜像に磁性トナーを振りかけ
て現像テストしたところ、幅６５μｍの線状に磁性トナ
ーが付着し、良好な顕像が得られた。
【０１０６】この磁気記録媒体２に形成された磁気潜像
を粉末図形法により観察したところ、図１９の模式図に
示すように、磁気潜像の幅は３５μｍで、試料Ａに同一
の記録条件で形成された磁気潜像の幅よりも広いが、磁
化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さは９μ
ｍで、試料Ａに同一の記録条件で形成された磁気潜像の
磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さとほ
ぼ同じであった。
を粉末図形法により観察したところ、図１９の模式図に
示すように、磁気潜像の幅は３５μｍで、試料Ａに同一
の記録条件で形成された磁気潜像の幅よりも広いが、磁
化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さは９μ
ｍで、試料Ａに同一の記録条件で形成された磁気潜像の
磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さとほ
ぼ同じであった。
【０１０７】試料Ｆは、比較例であり、ガラス基板５上
に、所定の組成となるようにＣｏターゲット上にＴｂの
チップを乗せた複合ターゲットを用い、第１の磁性膜と
して面内の第１の方向に磁界を印加しながらスパッタリ
ング法により厚さ０．０８μｍのＴｂＣｏアモルファス
合金膜を形成し、続いて、第１の磁性膜に逆スパッタを
施して表面を清浄にした後、第１の磁性膜の上に、同じ
く、所定の組成となるようにＣｏターゲット上にＴｂの
チップを乗せた複合ターゲットを用い、第２の磁性膜と
して、面内の第１の方向とは異なった面内の第２の方向
に磁界を印加しながらスパッタリング法により厚さ１．
５μｍのＴｂＣｏアモルファス合金膜を積層して形成し
た磁気記録媒体２の上に、保護膜３として０．１μｍの
ＴｉＮ膜を同じくスパッタリング法にて形成したもので
ある。
に、所定の組成となるようにＣｏターゲット上にＴｂの
チップを乗せた複合ターゲットを用い、第１の磁性膜と
して面内の第１の方向に磁界を印加しながらスパッタリ
ング法により厚さ０．０８μｍのＴｂＣｏアモルファス
合金膜を形成し、続いて、第１の磁性膜に逆スパッタを
施して表面を清浄にした後、第１の磁性膜の上に、同じ
く、所定の組成となるようにＣｏターゲット上にＴｂの
チップを乗せた複合ターゲットを用い、第２の磁性膜と
して、面内の第１の方向とは異なった面内の第２の方向
に磁界を印加しながらスパッタリング法により厚さ１．
５μｍのＴｂＣｏアモルファス合金膜を積層して形成し
た磁気記録媒体２の上に、保護膜３として０．１μｍの
ＴｉＮ膜を同じくスパッタリング法にて形成したもので
ある。
【０１０８】この試料ＦのＴｂＣｏアモルファス合金膜
は、第１及び第２の磁性膜ともに、Ｔｂ組成がａｔｍ％
で１１．０％であった。尚、試料Ｆでは、試料Ａ，Ｅの
場合と同じく、第１の磁性膜２ａの面内磁気異方性の方
向である第１の方向と、第２の磁性膜２ｂの面内磁気異
方性の方向である第２の方向とのなす角度は９０度、即
ち直交するように設定されており、上記のスパッタリン
グはバイアス電圧をかけない高周波スパッタリング法に
て行っている。したがって、試料Ｆは、試料Ａにおいて
第１の磁性膜２ａの厚さを０．０８μｍとしたものであ
る。
は、第１及び第２の磁性膜ともに、Ｔｂ組成がａｔｍ％
で１１．０％であった。尚、試料Ｆでは、試料Ａ，Ｅの
場合と同じく、第１の磁性膜２ａの面内磁気異方性の方
向である第１の方向と、第２の磁性膜２ｂの面内磁気異
方性の方向である第２の方向とのなす角度は９０度、即
ち直交するように設定されており、上記のスパッタリン
グはバイアス電圧をかけない高周波スパッタリング法に
て行っている。したがって、試料Ｆは、試料Ａにおいて
第１の磁性膜２ａの厚さを０．０８μｍとしたものであ
る。
【０１０９】図２０は、この試料Ｆに、予め磁気記録媒
体２の磁気異方性の方向に飽和するまで初期化磁界を加
えた後、磁気記録媒体２に磁気潜像を形成し、形成した
磁気潜像を粉末図形法により観察したものを模式図的に
示したものである。磁気潜像の形成は、磁気潜像記録装
置４０を用いて、バイアス磁界印加装置４２より初期化
磁界の方向とは逆向きに３００Ｏｅのバイアス磁界を印
加しながら、磁気記録媒体２と熱入力装置４１のＮｉ薄
膜４３とを接触させ、Ｎｉ薄膜４３に１５Ｖの直流電圧
を２０ｍｓｅｃの時間印加することにより行った。
体２の磁気異方性の方向に飽和するまで初期化磁界を加
えた後、磁気記録媒体２に磁気潜像を形成し、形成した
磁気潜像を粉末図形法により観察したものを模式図的に
示したものである。磁気潜像の形成は、磁気潜像記録装
置４０を用いて、バイアス磁界印加装置４２より初期化
磁界の方向とは逆向きに３００Ｏｅのバイアス磁界を印
加しながら、磁気記録媒体２と熱入力装置４１のＮｉ薄
膜４３とを接触させ、Ｎｉ薄膜４３に１５Ｖの直流電圧
を２０ｍｓｅｃの時間印加することにより行った。
【０１１０】図２０に示すように、磁気潜像の幅は２１
０μｍで、試料Ａに同一の記録条件で形成された磁気潜
像の幅よりも広く、また、磁化反転境界の鋸歯状の磁化
転移構造の鋸歯の高さも４５μｍで、試料Ａに同一の記
録条件で形成された磁気潜像の磁化反転境界の鋸歯状の
磁化転移構造の鋸歯の高さよりも大きなものであった。
０μｍで、試料Ａに同一の記録条件で形成された磁気潜
像の幅よりも広く、また、磁化反転境界の鋸歯状の磁化
転移構造の鋸歯の高さも４５μｍで、試料Ａに同一の記
録条件で形成された磁気潜像の磁化反転境界の鋸歯状の
磁化転移構造の鋸歯の高さよりも大きなものであった。
【０１１１】さらに、この試料Ｆを用いて、より高い解
像度の記録を行うために、Ｎｉ薄膜４３への電力印加を
１５Ｖの直流電圧で７ｍｓｅｃ時間に変更して磁気潜像
を形成し、形成された磁気潜像に磁性トナーを振りかけ
て現像テストしたところ、磁性トナーの付着量は非常に
不十分であった。
像度の記録を行うために、Ｎｉ薄膜４３への電力印加を
１５Ｖの直流電圧で７ｍｓｅｃ時間に変更して磁気潜像
を形成し、形成された磁気潜像に磁性トナーを振りかけ
て現像テストしたところ、磁性トナーの付着量は非常に
不十分であった。
【０１１２】また、上記の方法で磁気記録媒体２に形成
された磁気潜像を粉末図形法により観察したところ、図
２１に模式図的に示すように、磁気潜像の幅は８５μｍ
であるが、連続した線状の磁化反転境界が形成されてい
なかった。このことから、磁化反転境界が連続して形成
されていないことが、磁性トナーに対する磁気吸引力の
低下を示していると考えられる。
された磁気潜像を粉末図形法により観察したところ、図
２１に模式図的に示すように、磁気潜像の幅は８５μｍ
であるが、連続した線状の磁化反転境界が形成されてい
なかった。このことから、磁化反転境界が連続して形成
されていないことが、磁性トナーに対する磁気吸引力の
低下を示していると考えられる。
【０１１３】このように、磁気記録媒体２において、第
１の磁性膜の厚さが０．１μｍよりも小さくなると、第
１の磁性膜と磁気異方性の方向が異なる第２の磁性膜を
積層した構造の磁気記録媒体２に形成された磁気潜像の
解像度を高くすることができないが、第１の磁性膜の厚
さを０．１μｍより大きくすると、磁気記録媒体２に形
成された磁気潜像の解像度を高くすることができる。
１の磁性膜の厚さが０．１μｍよりも小さくなると、第
１の磁性膜と磁気異方性の方向が異なる第２の磁性膜を
積層した構造の磁気記録媒体２に形成された磁気潜像の
解像度を高くすることができないが、第１の磁性膜の厚
さを０．１μｍより大きくすると、磁気記録媒体２に形
成された磁気潜像の解像度を高くすることができる。
【０１１４】次に、磁気記録媒体２の第２の磁性膜２
ｂの厚さと磁気記録媒体２に形成された磁気潜像への磁
性トナーの吸着性との関係について、試料Ｇ，試料Ｈを
用いて説明する。
ｂの厚さと磁気記録媒体２に形成された磁気潜像への磁
性トナーの吸着性との関係について、試料Ｇ，試料Ｈを
用いて説明する。
【０１１５】試料Ｇは、ガラス基板５上に、所定の組成
となるようにＣｏターゲット上にＴｂのチップを乗せた
複合ターゲットを用い、第１の磁性膜として面内の第１
の方向に磁界を印加しながらスパッタリング法により厚
さ０．３μｍのＴｂＣｏアモルファス合金膜を形成し、
続いて、第１の磁性膜に逆スパッタを施して表面を清浄
にした後、第１の磁性膜の上に、同じく、所定の組成と
なるようにＣｏターゲット上にＴｂのチップを乗せた複
合ターゲットを用い、第２の磁性膜として、面内の第１
の方向とは異なった面内の第２の方向に磁界を印加しな
がらスパッタリング法により厚さ０．５２μｍのＴｂＣ
ｏアモルファス合金膜を積層して形成した磁気記録媒体
２の上に、保護膜３として０．１μｍのＴｉＮ膜を同じ
くスパッタリング法にて形成したものである。
となるようにＣｏターゲット上にＴｂのチップを乗せた
複合ターゲットを用い、第１の磁性膜として面内の第１
の方向に磁界を印加しながらスパッタリング法により厚
さ０．３μｍのＴｂＣｏアモルファス合金膜を形成し、
続いて、第１の磁性膜に逆スパッタを施して表面を清浄
にした後、第１の磁性膜の上に、同じく、所定の組成と
なるようにＣｏターゲット上にＴｂのチップを乗せた複
合ターゲットを用い、第２の磁性膜として、面内の第１
の方向とは異なった面内の第２の方向に磁界を印加しな
がらスパッタリング法により厚さ０．５２μｍのＴｂＣ
ｏアモルファス合金膜を積層して形成した磁気記録媒体
２の上に、保護膜３として０．１μｍのＴｉＮ膜を同じ
くスパッタリング法にて形成したものである。
【０１１６】試料ＧのＴｂＣｏアモルファス合金膜は、
第１及び第２の磁性膜ともに、Ｔｂ組成がａｔｍ％で１
１．０％であった。尚、試料Ｇでは、試料Ａ，Ｅ，Ｆの
場合と同じく、第１の磁性膜の面内磁気異方性の方向で
ある第１の方向と、第２の磁性膜の面内磁気異方性の方
向である第２の方向とのなす角度は９０度、即ち直交す
るように設定されており、上記のスパッタリングはバイ
アス電圧をかけない高周波スパッタリング法にて行って
いる。したがって、試料Ｇは試料Ａにおける第１の磁性
膜２ａの膜厚を０．３μｍに、第２の磁性膜２ｂの膜厚
を０．５２μｍとしたものである。
第１及び第２の磁性膜ともに、Ｔｂ組成がａｔｍ％で１
１．０％であった。尚、試料Ｇでは、試料Ａ，Ｅ，Ｆの
場合と同じく、第１の磁性膜の面内磁気異方性の方向で
ある第１の方向と、第２の磁性膜の面内磁気異方性の方
向である第２の方向とのなす角度は９０度、即ち直交す
るように設定されており、上記のスパッタリングはバイ
アス電圧をかけない高周波スパッタリング法にて行って
いる。したがって、試料Ｇは試料Ａにおける第１の磁性
膜２ａの膜厚を０．３μｍに、第２の磁性膜２ｂの膜厚
を０．５２μｍとしたものである。
【０１１７】この試料Ｇに、予め磁気記録媒体２の磁気
異方性の方向に飽和するまで初期化磁界を加えた後、磁
気記録媒体２に磁気潜像を形成し、形成した磁気潜像に
磁性トナーを振りかけて現像テストしたところ、幅２１
０μｍの線状に磁性トナーが付着し、良好な顕像が得ら
れた。但し、磁気潜像の形成は、図４の磁気潜像記録装
置４０を用いて、バイアス磁界印加装置４２より初期化
磁界の方向とは逆向きに３００Ｏｅのバイアス磁界を印
加しながら、磁気記録媒体２と熱入力装置４１のＮｉ薄
膜４３とを接触させ、Ｎｉ薄膜４３に１５Ｖの直流電圧
を２０ｍｓｅｃの時間印加することにより行った。
異方性の方向に飽和するまで初期化磁界を加えた後、磁
気記録媒体２に磁気潜像を形成し、形成した磁気潜像に
磁性トナーを振りかけて現像テストしたところ、幅２１
０μｍの線状に磁性トナーが付着し、良好な顕像が得ら
れた。但し、磁気潜像の形成は、図４の磁気潜像記録装
置４０を用いて、バイアス磁界印加装置４２より初期化
磁界の方向とは逆向きに３００Ｏｅのバイアス磁界を印
加しながら、磁気記録媒体２と熱入力装置４１のＮｉ薄
膜４３とを接触させ、Ｎｉ薄膜４３に１５Ｖの直流電圧
を２０ｍｓｅｃの時間印加することにより行った。
【０１１８】また、この磁気記録媒体２に形成された磁
気潜像を粉末図形法により観察したところ、図２２に模
式図的に示すように、磁気潜像の幅は１８０μｍで、試
料Ａに同一の記録条件で形成された磁気潜像の幅よりも
広いが、磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の
高さは１６μｍで、試料Ａに同一の記録条件で形成され
た磁気潜像の磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸
歯の高さとほぼ同じであった。
気潜像を粉末図形法により観察したところ、図２２に模
式図的に示すように、磁気潜像の幅は１８０μｍで、試
料Ａに同一の記録条件で形成された磁気潜像の幅よりも
広いが、磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の
高さは１６μｍで、試料Ａに同一の記録条件で形成され
た磁気潜像の磁化反転境界の鋸歯状の磁化転移構造の鋸
歯の高さとほぼ同じであった。
【０１１９】一方、試料Ｈは、ガラス基板５上に、所定
の組成となるようにＣｏターゲット上にＴｂのチップを
乗せた複合ターゲットを用い、第１の磁性膜として面内
の第１の方向に磁界を印加しながらスパッタリング法に
より厚さ０．３μｍのＴｂＣｏアモルファス合金膜を形
成し、続いて、第１の磁性膜に逆スパッタを施して表面
を清浄にした後、第１の磁性膜の上に、同じく、所定の
組成となるようにＣｏターゲット上にＴｂのチップを乗
せた複合ターゲットを用い、第２の磁性膜として、面内
の第１の方向とは異なった面内の第２の方向に磁界を印
加しながらスパッタリング法により厚さ０．４９μｍの
ＴｂＣｏアモルファス合金膜を積層して形成した磁気記
録媒体２の上に、保護膜３として０．１μｍのＴｉＮ膜
を同じくスパッタリング法にて形成したものである。
の組成となるようにＣｏターゲット上にＴｂのチップを
乗せた複合ターゲットを用い、第１の磁性膜として面内
の第１の方向に磁界を印加しながらスパッタリング法に
より厚さ０．３μｍのＴｂＣｏアモルファス合金膜を形
成し、続いて、第１の磁性膜に逆スパッタを施して表面
を清浄にした後、第１の磁性膜の上に、同じく、所定の
組成となるようにＣｏターゲット上にＴｂのチップを乗
せた複合ターゲットを用い、第２の磁性膜として、面内
の第１の方向とは異なった面内の第２の方向に磁界を印
加しながらスパッタリング法により厚さ０．４９μｍの
ＴｂＣｏアモルファス合金膜を積層して形成した磁気記
録媒体２の上に、保護膜３として０．１μｍのＴｉＮ膜
を同じくスパッタリング法にて形成したものである。
【０１２０】この試料ＨのＴｂＣｏアモルファス合金膜
は、第１及び第２の磁性膜ともに、Ｔｂ組成がａｔｍ％
で１１．０％であった。尚、試料Ｈでは、試料Ａ，Ｅ，
Ｆ，Ｇの場合と同じく、第１の磁性膜の面内磁気異方性
の方向である第１の方向と、第２の磁性膜の面内磁気異
方性の方向である第２の方向とのなす角度は９０度、即
ち直交するように設定されており、上記のスパッタリン
グはバイアス電圧をかけない高周波スパッタリング法に
て行っている。したがって、試料Ｈは試料Ａにおける第
１の磁性膜２ａの膜厚を０．３μｍに、第２の磁性膜２
ｂの膜厚を０．４９μｍにしたものである。
は、第１及び第２の磁性膜ともに、Ｔｂ組成がａｔｍ％
で１１．０％であった。尚、試料Ｈでは、試料Ａ，Ｅ，
Ｆ，Ｇの場合と同じく、第１の磁性膜の面内磁気異方性
の方向である第１の方向と、第２の磁性膜の面内磁気異
方性の方向である第２の方向とのなす角度は９０度、即
ち直交するように設定されており、上記のスパッタリン
グはバイアス電圧をかけない高周波スパッタリング法に
て行っている。したがって、試料Ｈは試料Ａにおける第
１の磁性膜２ａの膜厚を０．３μｍに、第２の磁性膜２
ｂの膜厚を０．４９μｍにしたものである。
【０１２１】この試料Ｈに、予め磁気記録媒体２の磁気
異方性の方向に飽和するまで初期化磁界を加えた後、形
成した磁気潜像に磁性トナーを振りかけて現像テストし
たところ、十分な量の磁性トナーが付着しなかった。但
し、磁気潜像の形成は、図４の磁気潜像記録装置４０を
用いて、バイアス磁界印加装置４２より初期化磁界の方
向とは逆向きに３００Ｏｅのバイアス磁界を印加しなが
ら、磁気記録媒体２と熱入力装置４１のＮｉ薄膜４３と
を接触させ、Ｎｉ薄膜４３に１５Ｖの直流電圧を２０ｍ
ｓｅｃの時間印加することにより行った。
異方性の方向に飽和するまで初期化磁界を加えた後、形
成した磁気潜像に磁性トナーを振りかけて現像テストし
たところ、十分な量の磁性トナーが付着しなかった。但
し、磁気潜像の形成は、図４の磁気潜像記録装置４０を
用いて、バイアス磁界印加装置４２より初期化磁界の方
向とは逆向きに３００Ｏｅのバイアス磁界を印加しなが
ら、磁気記録媒体２と熱入力装置４１のＮｉ薄膜４３と
を接触させ、Ｎｉ薄膜４３に１５Ｖの直流電圧を２０ｍ
ｓｅｃの時間印加することにより行った。
【０１２２】このように、磁気記録媒体２において、第
２の磁性膜の厚さが０．５μｍよりも小さくなる（試料
Ｈ）と、第１の磁性膜と磁気異方性の方向が異なる第２
の磁性膜を積層した構造の磁気記録媒体２に磁気潜像を
形成しても、第２の磁性膜の厚さが小さいので、第２の
磁性膜に形成された磁気潜像から、磁性トナーに対して
十分な大きさの磁気吸引力を生じることができない。
２の磁性膜の厚さが０．５μｍよりも小さくなる（試料
Ｈ）と、第１の磁性膜と磁気異方性の方向が異なる第２
の磁性膜を積層した構造の磁気記録媒体２に磁気潜像を
形成しても、第２の磁性膜の厚さが小さいので、第２の
磁性膜に形成された磁気潜像から、磁性トナーに対して
十分な大きさの磁気吸引力を生じることができない。
【０１２３】次に、磁気記録媒体２の第１の磁性膜２
ａの厚さと磁気記録媒体の第２の磁性膜２ｂの関係と磁
気記録媒体２に形成された磁気潜像の解像度との関係に
ついて説明する。ここまでの説明では、第１の磁性膜２
ａの厚さは第２の磁性膜の厚さよりも低く設定されてい
たが、ここでは、第１の磁性膜２ａの厚さは第２の磁性
膜の厚さよりも厚い場合（試料Ｉ）について述べる。
ａの厚さと磁気記録媒体の第２の磁性膜２ｂの関係と磁
気記録媒体２に形成された磁気潜像の解像度との関係に
ついて説明する。ここまでの説明では、第１の磁性膜２
ａの厚さは第２の磁性膜の厚さよりも低く設定されてい
たが、ここでは、第１の磁性膜２ａの厚さは第２の磁性
膜の厚さよりも厚い場合（試料Ｉ）について述べる。
【０１２４】試料Ｉは、ガラス基板５上に、所定の組成
となるようにＣｏターゲット上にＴｂのチップを乗せた
複合ターゲットを用い、第１の磁性膜として面内の第１
の方向に磁界を印加しながらスパッタリング法により厚
さ１．０μｍのＴｂＣｏアモルファス合金膜を形成し、
続いて、第１の磁性膜に逆スパッタを施して表面を清浄
にした後、第１の磁性膜の上に、同じく、所定の組成と
なるようにＣｏターゲット上にＴｂのチップを乗せた複
合ターゲットを用い、第２の磁性膜として、面内の第１
の方向とは異なった面内の第２の方向に磁界を印加しな
がらスパッタリング法により厚さ０．９μｍのＴｂＣｏ
アモルファス合金膜を積層して形成した磁気記録媒体２
の上に、保護膜３として０．１μｍのＴｉＮ膜を同じく
スパッタリング法にて形成したものである。
となるようにＣｏターゲット上にＴｂのチップを乗せた
複合ターゲットを用い、第１の磁性膜として面内の第１
の方向に磁界を印加しながらスパッタリング法により厚
さ１．０μｍのＴｂＣｏアモルファス合金膜を形成し、
続いて、第１の磁性膜に逆スパッタを施して表面を清浄
にした後、第１の磁性膜の上に、同じく、所定の組成と
なるようにＣｏターゲット上にＴｂのチップを乗せた複
合ターゲットを用い、第２の磁性膜として、面内の第１
の方向とは異なった面内の第２の方向に磁界を印加しな
がらスパッタリング法により厚さ０．９μｍのＴｂＣｏ
アモルファス合金膜を積層して形成した磁気記録媒体２
の上に、保護膜３として０．１μｍのＴｉＮ膜を同じく
スパッタリング法にて形成したものである。
【０１２５】試料ＩのＴｂＣｏ膜は、第１及び第２の磁
性膜ともに、Ｔｂ組成がａｔｍ％で１１．０％であっ
た。尚、試料Ｉでは、試料Ａ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈの場合と
同じく、第１の磁性膜の面内磁気異方性の方向である第
１の方向と、第２の磁性膜の面内磁気異方性の方向であ
る第２の方向とのなす角度は９０度、即ち直交するよう
に設定されており、上記のスパッタリングはバイアス電
圧をかけない高周波スパッタリング法にて行っている。
したがって、試料Ｉは試料Ａにおける第１の磁性膜２ａ
の厚さを１．０μｍに、第２の磁性膜２ｂの厚さを０．
９μｍとしたものである。
性膜ともに、Ｔｂ組成がａｔｍ％で１１．０％であっ
た。尚、試料Ｉでは、試料Ａ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈの場合と
同じく、第１の磁性膜の面内磁気異方性の方向である第
１の方向と、第２の磁性膜の面内磁気異方性の方向であ
る第２の方向とのなす角度は９０度、即ち直交するよう
に設定されており、上記のスパッタリングはバイアス電
圧をかけない高周波スパッタリング法にて行っている。
したがって、試料Ｉは試料Ａにおける第１の磁性膜２ａ
の厚さを１．０μｍに、第２の磁性膜２ｂの厚さを０．
９μｍとしたものである。
【０１２６】図２３は、この試料Ｉに、予め磁気記録媒
体２の磁気異方性の方向に飽和するまで初期化磁界を加
えた後、形成した磁気潜像を粉末図形法により観察した
ものを模式図的に示したものである。但し、磁気潜像の
形成は、図４の磁気潜像記録装置４０を用いて、バイア
ス磁界印加装置４２より初期化磁界の方向とは逆向きに
３００Ｏｅのバイアス磁界を印加しながら、磁気記録媒
体２と熱入力装置４１のＮｉ薄膜４３とを接触させ、Ｎ
ｉ薄膜４３に１５Ｖの直流電圧を２０ｍｓｅｃの時間印
加することにより行った。
体２の磁気異方性の方向に飽和するまで初期化磁界を加
えた後、形成した磁気潜像を粉末図形法により観察した
ものを模式図的に示したものである。但し、磁気潜像の
形成は、図４の磁気潜像記録装置４０を用いて、バイア
ス磁界印加装置４２より初期化磁界の方向とは逆向きに
３００Ｏｅのバイアス磁界を印加しながら、磁気記録媒
体２と熱入力装置４１のＮｉ薄膜４３とを接触させ、Ｎ
ｉ薄膜４３に１５Ｖの直流電圧を２０ｍｓｅｃの時間印
加することにより行った。
【０１２７】図２３に示すように、磁気潜像の幅は２２
０μｍで、試料Ａに同一の記録条件で形成された磁気潜
像の幅よりも広く、また、磁化反転境界の鋸歯状の磁化
転移構造の鋸歯の高さも４５μｍで、試料Ａに同一の記
録条件で形成された磁気潜像の磁化反転境界の鋸歯状の
磁化転移構造の鋸歯の高さよりも大きなものであった。
０μｍで、試料Ａに同一の記録条件で形成された磁気潜
像の幅よりも広く、また、磁化反転境界の鋸歯状の磁化
転移構造の鋸歯の高さも４５μｍで、試料Ａに同一の記
録条件で形成された磁気潜像の磁化反転境界の鋸歯状の
磁化転移構造の鋸歯の高さよりも大きなものであった。
【０１２８】さらに、この試料Ｉを用いて、より高い解
像度の記録を行うために、Ｎｉ薄膜４３への電力印加を
１５Ｖの直流電圧で７ｍｓｅｃ時間に変更して磁気潜像
を形成し、形成された磁気潜像に磁性トナーを振りかけ
て現像テストしたところ、幅１２０μｍの線状に磁性ト
ナーが付着したが、磁性トナーの付着量は不十分であっ
た。
像度の記録を行うために、Ｎｉ薄膜４３への電力印加を
１５Ｖの直流電圧で７ｍｓｅｃ時間に変更して磁気潜像
を形成し、形成された磁気潜像に磁性トナーを振りかけ
て現像テストしたところ、幅１２０μｍの線状に磁性ト
ナーが付着したが、磁性トナーの付着量は不十分であっ
た。
【０１２９】また、この磁気記録媒体２に形成された磁
気潜像を粉末図形法により観察したところ、図２４に模
式図的に示すように、磁気潜像の幅は９０μｍである
が、連続した線状の磁化反転境界が形成されていなかっ
た。
気潜像を粉末図形法により観察したところ、図２４に模
式図的に示すように、磁気潜像の幅は９０μｍである
が、連続した線状の磁化反転境界が形成されていなかっ
た。
【０１３０】このように、磁気記録媒体２において、第
２の磁性膜の厚さ２ｂが第１の磁性膜２ａの厚さよりも
小さくなると、第１の磁性膜２ａと磁気異方性の方向が
異なる第２の磁性膜２ｂを積層した構造の磁気記録媒体
２に形成された磁気潜像の解像度を高くすることができ
ない。
２の磁性膜の厚さ２ｂが第１の磁性膜２ａの厚さよりも
小さくなると、第１の磁性膜２ａと磁気異方性の方向が
異なる第２の磁性膜２ｂを積層した構造の磁気記録媒体
２に形成された磁気潜像の解像度を高くすることができ
ない。
【０１３１】また、第１の磁性膜２ａの厚さを１．５μ
ｍより厚くすると、磁気記録媒体に形成される磁気潜像
の解像度を高くするためには、第２の磁性膜２ｂの厚さ
を第１の磁性膜より厚くする必要があり、それらの合計
である磁気記録媒体の厚さが３．０μｍより厚くなって
しまう。このように３．０μｍ以上に厚膜化すると、製
作に長時間要し、生産コストが高くなる。
ｍより厚くすると、磁気記録媒体に形成される磁気潜像
の解像度を高くするためには、第２の磁性膜２ｂの厚さ
を第１の磁性膜より厚くする必要があり、それらの合計
である磁気記録媒体の厚さが３．０μｍより厚くなって
しまう。このように３．０μｍ以上に厚膜化すると、製
作に長時間要し、生産コストが高くなる。
【０１３２】また、第２の磁性膜２ｂの厚さが３．０μ
ｍより厚くなると、第１の磁性膜２ａとの合計である磁
気記録媒体の厚さを３．１μｍ以上にしなければならな
い。このように３．０μｍ以上に厚膜化すると、製作に
長時間要し、生産コストが高くなる。
ｍより厚くなると、第１の磁性膜２ａとの合計である磁
気記録媒体の厚さを３．１μｍ以上にしなければならな
い。このように３．０μｍ以上に厚膜化すると、製作に
長時間要し、生産コストが高くなる。
【０１３３】以上のことから、面内の第１の方向に磁気
異方性を有する第１の磁性膜２ａの上に、第１の方向と
は異なる面内の第２の方向に磁気異方性を有する希土類
金属と遷移金属とからなるアモルファス合金膜である第
２の磁性膜２ｂを積層した構造である磁気記録媒体にお
いて、第１の磁性膜２ａの厚さを０．１から１．５μｍ
の範囲に、第２の磁性膜２ｂの厚さを０．５から３．０
μｍの範囲に、且つ第１の磁性膜２ａよりも第２の磁性
膜２ｂを厚く設定すれば、磁気潜像の磁化反転境界に現
れる鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さの小さい磁気潜
像を形成することができるので、磁気潜像記録の解像度
を高くすることができるとともに、磁性トナーに対する
磁気吸引力の大きな高解像度の磁気潜像を形成できる磁
気記録媒体を低コストで作製することができる。
異方性を有する第１の磁性膜２ａの上に、第１の方向と
は異なる面内の第２の方向に磁気異方性を有する希土類
金属と遷移金属とからなるアモルファス合金膜である第
２の磁性膜２ｂを積層した構造である磁気記録媒体にお
いて、第１の磁性膜２ａの厚さを０．１から１．５μｍ
の範囲に、第２の磁性膜２ｂの厚さを０．５から３．０
μｍの範囲に、且つ第１の磁性膜２ａよりも第２の磁性
膜２ｂを厚く設定すれば、磁気潜像の磁化反転境界に現
れる鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さの小さい磁気潜
像を形成することができるので、磁気潜像記録の解像度
を高くすることができるとともに、磁性トナーに対する
磁気吸引力の大きな高解像度の磁気潜像を形成できる磁
気記録媒体を低コストで作製することができる。
【０１３４】よって、このような磁気記録媒体によれ
ば、高解像度の磁気潜像を形成できると共に、磁性トナ
ーを安定して吸着することができるので、この磁気記録
媒体を熱磁気プリンタとして用いれば、高解像度、高コ
ントラストの記録画像が得られる熱磁気プリンタとする
ことが可能となる。
ば、高解像度の磁気潜像を形成できると共に、磁性トナ
ーを安定して吸着することができるので、この磁気記録
媒体を熱磁気プリンタとして用いれば、高解像度、高コ
ントラストの記録画像が得られる熱磁気プリンタとする
ことが可能となる。
【０１３５】なお、以上の例では、磁気記録媒体が２層
の磁性膜からなる場合についてのみ記したが、例えば、
磁気記録媒体が８層からなり、下方の３層が面内の同一
方向に磁気異方性を有しており、上方の５層が上記の下
方の５層とは異なる面内の同一方向に磁気異方性を有し
ているような構成であっても、上記したような効果を得
ることができることは言うまでもない。
の磁性膜からなる場合についてのみ記したが、例えば、
磁気記録媒体が８層からなり、下方の３層が面内の同一
方向に磁気異方性を有しており、上方の５層が上記の下
方の５層とは異なる面内の同一方向に磁気異方性を有し
ているような構成であっても、上記したような効果を得
ることができることは言うまでもない。
【０１３６】以下の各実施の形態では、磁気記録媒体の
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
【０１３７】〔実施の形態２〕第２の実施の形態につい
て図２５，２６に基づいて説明すれば以下の通りであ
る。
て図２５，２６に基づいて説明すれば以下の通りであ
る。
【０１３８】本実施の形態では、図３（ａ）に示したよ
うな面内の第１の方向に磁気異方性を有する第１の磁性
膜２ａの上に、第１の磁性膜２ａとは異なる面内の第２
の方向に磁気異方性を有する希土類金属と遷移金属とか
らなるアモルファス合金膜である第２の磁性膜２ｂを積
層した構造の磁気記録媒体２の製造方法において、第１
の磁性膜２ａを面内の第１の方向に磁界を印加しながら
形成した後、第２の磁性膜２ｂを面内の第２の方向に磁
界を印加しながら形成して積層する方法について説明す
る。
うな面内の第１の方向に磁気異方性を有する第１の磁性
膜２ａの上に、第１の磁性膜２ａとは異なる面内の第２
の方向に磁気異方性を有する希土類金属と遷移金属とか
らなるアモルファス合金膜である第２の磁性膜２ｂを積
層した構造の磁気記録媒体２の製造方法において、第１
の磁性膜２ａを面内の第１の方向に磁界を印加しながら
形成した後、第２の磁性膜２ｂを面内の第２の方向に磁
界を印加しながら形成して積層する方法について説明す
る。
【０１３９】本実施の形態では、図２５に示すホルダー
５０を使用する。回転可能な基板ホルダー５１にガラス
基板５が取り付けられ、ガラス基板５には、所望の強さ
の外部磁界が、図２５の矢印で示すガラス基板の表面と
平行な方向に印加されている。外部磁界印加装置５５は
永久磁石、あるいは電磁石からなり、そのＮ極とＳ極が
対向してガラス基板を挟むように、回転しない基板ホル
ダー５２へ固定されている。ここで、回転可能な基板ホ
ルダー５１を回転させることで、ガラス基板５の表面と
平行な方向に印加されるガラス基板５に対する磁界の向
きを任意に変えることができる。
５０を使用する。回転可能な基板ホルダー５１にガラス
基板５が取り付けられ、ガラス基板５には、所望の強さ
の外部磁界が、図２５の矢印で示すガラス基板の表面と
平行な方向に印加されている。外部磁界印加装置５５は
永久磁石、あるいは電磁石からなり、そのＮ極とＳ極が
対向してガラス基板を挟むように、回転しない基板ホル
ダー５２へ固定されている。ここで、回転可能な基板ホ
ルダー５１を回転させることで、ガラス基板５の表面と
平行な方向に印加されるガラス基板５に対する磁界の向
きを任意に変えることができる。
【０１４０】尚、ガラス基板５に印加される外部磁界の
向きを変えるために、ガラス基板５を固定して、外部磁
界印加装置５５が回転しても良く、また、ガラス基板５
と外部磁界印加装置５５の両者が回転しても構わない。
向きを変えるために、ガラス基板５を固定して、外部磁
界印加装置５５が回転しても良く、また、ガラス基板５
と外部磁界印加装置５５の両者が回転しても構わない。
【０１４１】また、外部磁界を永久磁石で印加する場合
は、外部磁界印加用の電源が必要なく、低コストである
という利点があり、電磁石で印加する場合には、外部磁
界の大きさを任意に制御することが容易であるという利
点があるが、以下の本実施の形態では、外部磁界印加装
置５５として永久磁石を使用する製造方法について説明
する。尚、外部磁界印加装置５５によりガラス基板５の
表面と平行な方向に印加される外部磁界は２００Ｏｅも
あれば十分で、本実施の形態では２５０Ｏｅとした。
は、外部磁界印加用の電源が必要なく、低コストである
という利点があり、電磁石で印加する場合には、外部磁
界の大きさを任意に制御することが容易であるという利
点があるが、以下の本実施の形態では、外部磁界印加装
置５５として永久磁石を使用する製造方法について説明
する。尚、外部磁界印加装置５５によりガラス基板５の
表面と平行な方向に印加される外部磁界は２００Ｏｅも
あれば十分で、本実施の形態では２５０Ｏｅとした。
【０１４２】また、本実施の形態では、第１，第２の磁
性膜２ａ，２ｂとしてＴｂＣｏのアモルファス合金膜を
用いた。このＴｂＣｏアモルファス合金は、所望の組成
となるように、Ｃｏターゲット上にＴｂのチップを乗せ
た複合ターゲット５４を用いた、スパッタリングにより
作製した。尚、第１の磁性膜２ａの厚さを０．４μｍ、
第２の磁性膜２ｂの厚さを１．５μｍとした。さらに保
護膜として０．１μｍのＴｉＮ膜を同じくスパッタリン
グにて第１の磁性膜１ａ上に形成した。上記ＴｂＣｏ膜
は、Ｔｂ組成がａｔｍ％で１１．０％であった。尚、上
記スパッタリングとしては、バイアス電圧をかけない高
周波スパッタ法を使用した。
性膜２ａ，２ｂとしてＴｂＣｏのアモルファス合金膜を
用いた。このＴｂＣｏアモルファス合金は、所望の組成
となるように、Ｃｏターゲット上にＴｂのチップを乗せ
た複合ターゲット５４を用いた、スパッタリングにより
作製した。尚、第１の磁性膜２ａの厚さを０．４μｍ、
第２の磁性膜２ｂの厚さを１．５μｍとした。さらに保
護膜として０．１μｍのＴｉＮ膜を同じくスパッタリン
グにて第１の磁性膜１ａ上に形成した。上記ＴｂＣｏ膜
は、Ｔｂ組成がａｔｍ％で１１．０％であった。尚、上
記スパッタリングとしては、バイアス電圧をかけない高
周波スパッタ法を使用した。
【０１４３】上記の製造方法について、図２５及び図２
６を参照しながら、詳しく説明すると以下のようにな
る。
６を参照しながら、詳しく説明すると以下のようにな
る。
【０１４４】回転可能な基板ホルダー５１と、所望の
強さの外部磁界をその表面と平行な方向に印加できる外
部磁界印加装置５５である永久磁石とが、その永久磁石
のＮ極とＳ極との間に基板ホルダー５１が配置されるよ
うに取り付けられた、ホルダー５０の基板ホルダー５１
上にガラス基板５を設置し、ホルダー５０をスパッタリ
ング装置のチャンバー内にセットする。
強さの外部磁界をその表面と平行な方向に印加できる外
部磁界印加装置５５である永久磁石とが、その永久磁石
のＮ極とＳ極との間に基板ホルダー５１が配置されるよ
うに取り付けられた、ホルダー５０の基板ホルダー５１
上にガラス基板５を設置し、ホルダー５０をスパッタリ
ング装置のチャンバー内にセットする。
【０１４５】スパッタリング装置のチャンバー内の圧
力が０．００１Ｐａになるまで排気する。
力が０．００１Ｐａになるまで排気する。
【０１４６】スパッタリングガスであるアルゴンガス
をチャンバー内に導入し、チャンバー内の圧力が１．０
７Ｐａになるようにする。そして、放電を開始しアルゴ
ンイオンで複合ターゲット５４をスパッタリングし、シ
ャッター５３を開けることで、ガラス基板５上に第１の
磁性膜であるＴｂＣｏアモルファス合金膜２ａを所望の
厚さで形成する。
をチャンバー内に導入し、チャンバー内の圧力が１．０
７Ｐａになるようにする。そして、放電を開始しアルゴ
ンイオンで複合ターゲット５４をスパッタリングし、シ
ャッター５３を開けることで、ガラス基板５上に第１の
磁性膜であるＴｂＣｏアモルファス合金膜２ａを所望の
厚さで形成する。
【０１４７】その後、基板ホルダー５０とターゲット
との間に設けられたシャッター５３を閉じて、ガラス基
板上へのＴｂＣｏアモルファス合金膜膜２ａの形成を停
止する。
との間に設けられたシャッター５３を閉じて、ガラス基
板上へのＴｂＣｏアモルファス合金膜膜２ａの形成を停
止する。
【０１４８】尚、本実施の形態では、シャッター５３を
閉じることで、ＴｂＣｏアモルファス合金膜２ａの形成
を停止したが、放電を停止するか、あるいはシャッター
を閉じてしかも放電を停止することで、ＴｂＣｏアモル
ファス合金膜２ａの形成を停止しても構わない。
閉じることで、ＴｂＣｏアモルファス合金膜２ａの形成
を停止したが、放電を停止するか、あるいはシャッター
を閉じてしかも放電を停止することで、ＴｂＣｏアモル
ファス合金膜２ａの形成を停止しても構わない。
【０１４９】その後、回転可能な基板ホルダー５１を
４５度以上回転させる。尚、本実施の形態では、基板ホ
ルダー５１は９０度回転させた。
４５度以上回転させる。尚、本実施の形態では、基板ホ
ルダー５１は９０度回転させた。
【０１５０】その後、シャッター５３を開き、ガラス
基板５に形成された第１の磁性膜２ａの上に、第２の磁
性膜であるＴｂＣｏアモルファス合金膜２ｂを所望の厚
さで形成する。
基板５に形成された第１の磁性膜２ａの上に、第２の磁
性膜であるＴｂＣｏアモルファス合金膜２ｂを所望の厚
さで形成する。
【０１５１】その後、保護膜であるＴｉＮ膜をＴｉタ
ーゲットを用いた反応性スパッタ法で形成する。
ーゲットを用いた反応性スパッタ法で形成する。
【０１５２】このようにして作製された磁気記録媒体
は、上記及びで磁性膜を形成する際に、外部磁界印
加装置５５により、ガラス基板の表面と平行な方向に磁
界が印加されるので、それぞれの磁性膜に外部磁界が印
加された方向に磁気異方性を持たせることができ、第１
の磁性膜の磁気異方性の方向と第２の磁性膜の磁気異方
性の方向を容易に制御することができる。
は、上記及びで磁性膜を形成する際に、外部磁界印
加装置５５により、ガラス基板の表面と平行な方向に磁
界が印加されるので、それぞれの磁性膜に外部磁界が印
加された方向に磁気異方性を持たせることができ、第１
の磁性膜の磁気異方性の方向と第２の磁性膜の磁気異方
性の方向を容易に制御することができる。
【０１５３】さらに、それぞれの磁気異方性が、スパッ
タリングにより磁性膜を形成する際に付与されるので、
第２の磁性膜の磁気異方性の方向が、第１の磁性膜の磁
気異方性の方向と異なる本実施の形態のような場合で
も、第２の磁性膜を形成する際に、第１の磁性膜の異方
性の方向が、第２の磁性膜形成時に印加される外部磁界
で変化することがない。
タリングにより磁性膜を形成する際に付与されるので、
第２の磁性膜の磁気異方性の方向が、第１の磁性膜の磁
気異方性の方向と異なる本実施の形態のような場合で
も、第２の磁性膜を形成する際に、第１の磁性膜の異方
性の方向が、第２の磁性膜形成時に印加される外部磁界
で変化することがない。
【０１５４】また、上記で回転可能な基板ホルダー５
１を、第１の磁性膜を形成後、第２の磁性膜を形成する
前に４５度以上９０度以下の角度回転させるので、第１
の磁性膜の磁気異方性の方向と第２の磁性膜の磁気異方
性の方向とのなす角度を容易に４５度以上に設定するこ
とができる。
１を、第１の磁性膜を形成後、第２の磁性膜を形成する
前に４５度以上９０度以下の角度回転させるので、第１
の磁性膜の磁気異方性の方向と第２の磁性膜の磁気異方
性の方向とのなす角度を容易に４５度以上に設定するこ
とができる。
【０１５５】以上のようにして作製された磁気記録媒体
は、面内の第１の方向に磁気異方性を有する第１の磁性
膜の上に、第１の磁性膜とは異なる面内の第２の方向に
磁気異方性を有する希土類金属と遷移金属とからなるア
モルファス合金膜である第２の磁性膜を積層した構造で
あるので、第２の磁性膜には、磁気潜像の磁化反転境界
に現れる鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さが小さい磁
気潜像を形成することができるので、磁気潜像の解像度
を高めることができ、磁性トナーに対する磁気吸引力も
高くすることができ、熱磁気プリンタとして好適に使用
することができた。
は、面内の第１の方向に磁気異方性を有する第１の磁性
膜の上に、第１の磁性膜とは異なる面内の第２の方向に
磁気異方性を有する希土類金属と遷移金属とからなるア
モルファス合金膜である第２の磁性膜を積層した構造で
あるので、第２の磁性膜には、磁気潜像の磁化反転境界
に現れる鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さが小さい磁
気潜像を形成することができるので、磁気潜像の解像度
を高めることができ、磁性トナーに対する磁気吸引力も
高くすることができ、熱磁気プリンタとして好適に使用
することができた。
【０１５６】〔実施の形態３〕第３の実施の形態につい
て、図２７，２８に基づいて説明すれば以下の通りであ
る。
て、図２７，２８に基づいて説明すれば以下の通りであ
る。
【０１５７】本実施の形態では、面内の第１の方向に磁
気異方性を有する第１の磁性膜２ａの上に、第１の磁性
膜２ａとは異なる面内の第２の方向に磁気異方性を有す
る希土類金属と遷移金属とからなるアモルファス合金膜
である第２の磁性膜２ｂを積層した構造である磁化方向
が表面と平行な面内磁化膜であり、所定温度で加熱する
ことにより保磁力を低下させると共に、外部磁界を印加
することにより磁気潜像を形成する磁気記録媒体２（図
３（ａ）参照）の製造方法において、第１の磁性膜２ａ
の第１の方向の磁気異方性が、第１の磁性膜２ａ形成
後、第２の磁性膜２ｂを形成する前に、磁界中でアニー
ル処理することによって付与される方法について説明す
る。
気異方性を有する第１の磁性膜２ａの上に、第１の磁性
膜２ａとは異なる面内の第２の方向に磁気異方性を有す
る希土類金属と遷移金属とからなるアモルファス合金膜
である第２の磁性膜２ｂを積層した構造である磁化方向
が表面と平行な面内磁化膜であり、所定温度で加熱する
ことにより保磁力を低下させると共に、外部磁界を印加
することにより磁気潜像を形成する磁気記録媒体２（図
３（ａ）参照）の製造方法において、第１の磁性膜２ａ
の第１の方向の磁気異方性が、第１の磁性膜２ａ形成
後、第２の磁性膜２ｂを形成する前に、磁界中でアニー
ル処理することによって付与される方法について説明す
る。
【０１５８】本実施の形態では、電着法（電気メッキ）
により第１の磁性膜として、ＣｏＮｉ合金膜２ａを、所
望の組成となるように、アルミニウムドラム６上に厚さ
０．５μｍ形成し（図２７参照）、その後、ＣｏＮｉ合
金膜２ａが形成されたアルミニウムドラム６を、ＣｏＮ
ｉ合金膜２ａの表面と平行なアルミニウムドラムの長手
方向である第１の方向に磁界を印加しながらアニール処
理を施して、ＣｏＮｉの合金膜の面内の第１の方向に磁
気異方性を付与する。その後、ＣｏＮｉの合金膜２ａが
形成されたアルミニウムドラム６の上に、スパッタリン
グにより、面内の第２の方向に磁気異方性を有する第２
の磁性膜として、所望の組成となるようにＣｏターゲッ
ト上にＴｂのチップを乗せた複合ターゲットを用いて、
ＴｂＣｏアモルファス合金膜２ｂを積層し、さらに保護
膜として０．１μｍのＴｉＮを同じくスパッタリングに
て形成した。上記ＣｏＮｉ合金膜は、Ｎｉ組成がａｔｍ
％で４０．０％で、ＴｂＣｏアモルファス合金膜は、Ｔ
ｂ組成がａｔｍ％で１１．０％であった。尚、上記スパ
ッタリングはバイアス電圧をかけない高周波スパッタ法
を使用した。
により第１の磁性膜として、ＣｏＮｉ合金膜２ａを、所
望の組成となるように、アルミニウムドラム６上に厚さ
０．５μｍ形成し（図２７参照）、その後、ＣｏＮｉ合
金膜２ａが形成されたアルミニウムドラム６を、ＣｏＮ
ｉ合金膜２ａの表面と平行なアルミニウムドラムの長手
方向である第１の方向に磁界を印加しながらアニール処
理を施して、ＣｏＮｉの合金膜の面内の第１の方向に磁
気異方性を付与する。その後、ＣｏＮｉの合金膜２ａが
形成されたアルミニウムドラム６の上に、スパッタリン
グにより、面内の第２の方向に磁気異方性を有する第２
の磁性膜として、所望の組成となるようにＣｏターゲッ
ト上にＴｂのチップを乗せた複合ターゲットを用いて、
ＴｂＣｏアモルファス合金膜２ｂを積層し、さらに保護
膜として０．１μｍのＴｉＮを同じくスパッタリングに
て形成した。上記ＣｏＮｉ合金膜は、Ｎｉ組成がａｔｍ
％で４０．０％で、ＴｂＣｏアモルファス合金膜は、Ｔ
ｂ組成がａｔｍ％で１１．０％であった。尚、上記スパ
ッタリングはバイアス電圧をかけない高周波スパッタ法
を使用した。
【０１５９】上記の製造法について、詳しく説明すると
以下のようになる。
以下のようになる。
【０１６０】磁気記録媒体を形成するアルミニウムド
ラム６に、電着法によりＣｏＮｉ合金膜２ａを所望の厚
さ形成する。
ラム６に、電着法によりＣｏＮｉ合金膜２ａを所望の厚
さ形成する。
【０１６１】ＣｏＮｉ合金膜２ａが形成されたアルミ
ニウムドラム６を真空排気装置の付いたアニール炉に移
し、０．００１Ｐａ程度の真空に排気した後、ＣｏＮｉ
合金膜２ａの表面と平行な図２７の矢印で示す方向に磁
界を印加しながらアニール処理を施す。
ニウムドラム６を真空排気装置の付いたアニール炉に移
し、０．００１Ｐａ程度の真空に排気した後、ＣｏＮｉ
合金膜２ａの表面と平行な図２７の矢印で示す方向に磁
界を印加しながらアニール処理を施す。
【０１６２】尚、アニール温度及び印加磁界の大きさ
は、磁界中でアニール処理を施すことでＣｏＮｉ合金膜
２ａの面内方向に磁気異方性が付与されるように設定す
ればよく、本実施の形態では、アニール温度５００℃、
磁界の大きさ４００Ｏｅとした。
は、磁界中でアニール処理を施すことでＣｏＮｉ合金膜
２ａの面内方向に磁気異方性が付与されるように設定す
ればよく、本実施の形態では、アニール温度５００℃、
磁界の大きさ４００Ｏｅとした。
【０１６３】その後、面内に磁気異方性が付与された
ＣｏＮｉ合金膜２ａが形成されたアルミニウムドラム６
を、スパッタ装置のチャンバー内にセットする。
ＣｏＮｉ合金膜２ａが形成されたアルミニウムドラム６
を、スパッタ装置のチャンバー内にセットする。
【０１６４】この時、図２８に示すように、アルミニウ
ムドラム６に、第２の磁性膜２ｂを形成する際に、Ｃｏ
Ｎｉ合金膜２ａの磁気異方性の方向とは異なる方向に磁
界を印加しながら、第２の磁性膜２ｂが形成されるよう
に、永久磁石あるいは電磁石の外部磁界印加装置を配置
してからチャンバー内にセットする。本実施の形態で
は、外部磁界印加装置５５として、永久磁石を用いた。
ムドラム６に、第２の磁性膜２ｂを形成する際に、Ｃｏ
Ｎｉ合金膜２ａの磁気異方性の方向とは異なる方向に磁
界を印加しながら、第２の磁性膜２ｂが形成されるよう
に、永久磁石あるいは電磁石の外部磁界印加装置を配置
してからチャンバー内にセットする。本実施の形態で
は、外部磁界印加装置５５として、永久磁石を用いた。
【０１６５】その後、スパッタリング装置のチャンバ
ー内の圧力が０．００１Ｐａになるまで排気する。
ー内の圧力が０．００１Ｐａになるまで排気する。
【０１６６】スパッタリングガスであるアルゴンガス
をチャンバー内に導入し、チャンバー内の圧力が１．０
７Ｐａになるようにする。そして、放電を開始しアルゴ
ンイオンでターゲット５４（Ｃｏターゲットの上にＴｂ
のチップを乗せた複合ターゲット）をスパッタリングす
ることにより、ＣｏＮｉ合金膜２ａが形成されたアルミ
ニウムドラム６上に第２の磁性膜であるＴｂＣｏアモル
ファス合金膜２ｂを所望の厚さで形成する。
をチャンバー内に導入し、チャンバー内の圧力が１．０
７Ｐａになるようにする。そして、放電を開始しアルゴ
ンイオンでターゲット５４（Ｃｏターゲットの上にＴｂ
のチップを乗せた複合ターゲット）をスパッタリングす
ることにより、ＣｏＮｉ合金膜２ａが形成されたアルミ
ニウムドラム６上に第２の磁性膜であるＴｂＣｏアモル
ファス合金膜２ｂを所望の厚さで形成する。
【０１６７】尚、この時、アルミニウムドラム６を図２
８の矢印で示す方向に回転させながらＴｂＣｏアモルフ
ァス合金膜２ｂを形成することにより、図２８のアルミ
ニウムドラムの周方向であるＡ方向に、磁気異方性を持
つＴｂＣｏアモルファス合金膜２ｂを、均一な厚さで形
成することができる。
８の矢印で示す方向に回転させながらＴｂＣｏアモルフ
ァス合金膜２ｂを形成することにより、図２８のアルミ
ニウムドラムの周方向であるＡ方向に、磁気異方性を持
つＴｂＣｏアモルファス合金膜２ｂを、均一な厚さで形
成することができる。
【０１６８】また、ＴｂＣｏアモルファス合金膜２ｂを
形成する前に、アルミニウムドラム６に形成されている
ＣｏＮｉ合金膜２ａの表面を清浄にするために、アルゴ
ンイオンでＣｏＮｉ合金膜の表面をスパッタリングして
もよい。これは、ＣｏＮｉ合金膜２ａとＴｂＣｏアモル
ファス合金膜２ｂとの磁気的結合を強くするためで、第
１の磁性膜２ａの表面が清浄でない時に、第２の磁性膜
２ｂを第１の磁性膜２ａに積層した磁気記録媒体を作製
しても、第１と第２の磁性膜２ａ，２ｂの磁気的な結合
が弱くなるために、作製した磁気記録媒体２に磁気潜像
を形成しても高解像度の記録が行えない。第１の磁性膜
２ａを電着法で形成する場合や、第１の磁性膜２ａに磁
界中でのアニール処理を施す場合には、第２の磁性膜２
ｂを積層する前に、第１の磁性膜をスパッタリングする
ことが好ましい。
形成する前に、アルミニウムドラム６に形成されている
ＣｏＮｉ合金膜２ａの表面を清浄にするために、アルゴ
ンイオンでＣｏＮｉ合金膜の表面をスパッタリングして
もよい。これは、ＣｏＮｉ合金膜２ａとＴｂＣｏアモル
ファス合金膜２ｂとの磁気的結合を強くするためで、第
１の磁性膜２ａの表面が清浄でない時に、第２の磁性膜
２ｂを第１の磁性膜２ａに積層した磁気記録媒体を作製
しても、第１と第２の磁性膜２ａ，２ｂの磁気的な結合
が弱くなるために、作製した磁気記録媒体２に磁気潜像
を形成しても高解像度の記録が行えない。第１の磁性膜
２ａを電着法で形成する場合や、第１の磁性膜２ａに磁
界中でのアニール処理を施す場合には、第２の磁性膜２
ｂを積層する前に、第１の磁性膜をスパッタリングする
ことが好ましい。
【０１６９】その後、保護膜３であるＴｉＮ膜をＴｉ
ターゲットを用いた反応性スパッタ法にて、同じくアル
ミニウムドラム６を回転させながら形成する。
ターゲットを用いた反応性スパッタ法にて、同じくアル
ミニウムドラム６を回転させながら形成する。
【０１７０】このようにして作製された磁気記録媒体
は、上記において第１の磁性膜２ａに磁界中でアニー
ル処理を施すことにより磁気異方性を付与されるので、
第１の磁性膜２ａを作製する際に異方性を付与すること
が困難な電着法により作製された膜でも、容易に磁気異
方性を付与することができる。また、基体がアルミニウ
ムドラムの場合のように、スパッタ法では図２７の矢印
で示す方向に磁気異方性を付与することが困難な基体で
も、容易に磁気異方性を付与することができる。
は、上記において第１の磁性膜２ａに磁界中でアニー
ル処理を施すことにより磁気異方性を付与されるので、
第１の磁性膜２ａを作製する際に異方性を付与すること
が困難な電着法により作製された膜でも、容易に磁気異
方性を付与することができる。また、基体がアルミニウ
ムドラムの場合のように、スパッタ法では図２７の矢印
で示す方向に磁気異方性を付与することが困難な基体で
も、容易に磁気異方性を付与することができる。
【０１７１】以上のことから、このようにして作製され
た磁気記録媒体は、面内の第１の方向に磁気異方性を有
する第１の磁性膜の上に、第１の磁性膜とは異なる面内
の第２の方向に磁気異方性を有する希土類金属と遷移金
属とからなるアモルファス合金膜である第２の磁性膜を
積層した構造であるので、第２の磁性膜には、磁気潜像
の磁化反転境界に現れる鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の
高さが小さい磁気潜像を形成することができるので、磁
気潜像の解像度を高くすることができ、磁性トナーに対
する磁気吸引力も高くすることができ、熱磁気プリンタ
として好適に使用することができる。
た磁気記録媒体は、面内の第１の方向に磁気異方性を有
する第１の磁性膜の上に、第１の磁性膜とは異なる面内
の第２の方向に磁気異方性を有する希土類金属と遷移金
属とからなるアモルファス合金膜である第２の磁性膜を
積層した構造であるので、第２の磁性膜には、磁気潜像
の磁化反転境界に現れる鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の
高さが小さい磁気潜像を形成することができるので、磁
気潜像の解像度を高くすることができ、磁性トナーに対
する磁気吸引力も高くすることができ、熱磁気プリンタ
として好適に使用することができる。
【０１７２】尚、本実施の形態では、第１の磁性膜とし
てＣｏＮｉ合金膜を電着法で形成する例について説明し
たが、第１の磁性膜としてスパッタリング法や蒸着法で
希土類金属と遷移金属とからなるアモルファス合金膜を
用いる場合にも、本実施の形態で説明したような磁界中
でアニール処理する製造方法は非常に有効であるが、こ
れは、以下の理由による。
てＣｏＮｉ合金膜を電着法で形成する例について説明し
たが、第１の磁性膜としてスパッタリング法や蒸着法で
希土類金属と遷移金属とからなるアモルファス合金膜を
用いる場合にも、本実施の形態で説明したような磁界中
でアニール処理する製造方法は非常に有効であるが、こ
れは、以下の理由による。
【０１７３】基体として図２７に示すようなアルミニウ
ムドラム６を用いる場合には、第１の磁性膜２ａをスパ
ッタリング法や蒸着法で外部磁界を印加しながら形成す
ることで第１の方向に磁気異方性を持たせるためには、
アルミニウムドラム６の長手方向に外部磁界を印加する
必要がある。しかしながら、図２８に示すように、アル
ミニウムドラム６の周方向に磁界を印加しながら第２の
磁性膜２ｂをスパッタリング法や蒸着法で形成すること
は容易であるが、アルミニウムドラム６の長手方向に磁
界を印加するには、大型の磁界印加装置と真空装置が必
要となり、大掛かりな装置が必要となる。本実施の形態
で説明したように、第１の磁性膜２ａの磁気異方性を、
磁界中でアニール処理することにより付与する製造方法
によれば、装置の大型化の必要がなく、低コストで製造
することが可能となる。
ムドラム６を用いる場合には、第１の磁性膜２ａをスパ
ッタリング法や蒸着法で外部磁界を印加しながら形成す
ることで第１の方向に磁気異方性を持たせるためには、
アルミニウムドラム６の長手方向に外部磁界を印加する
必要がある。しかしながら、図２８に示すように、アル
ミニウムドラム６の周方向に磁界を印加しながら第２の
磁性膜２ｂをスパッタリング法や蒸着法で形成すること
は容易であるが、アルミニウムドラム６の長手方向に磁
界を印加するには、大型の磁界印加装置と真空装置が必
要となり、大掛かりな装置が必要となる。本実施の形態
で説明したように、第１の磁性膜２ａの磁気異方性を、
磁界中でアニール処理することにより付与する製造方法
によれば、装置の大型化の必要がなく、低コストで製造
することが可能となる。
【０１７４】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体によれば、最上部
の磁性膜には、磁気潜像の磁化反転境界に現れる鋸歯状
の磁化転移構造の鋸歯の高さの小さい磁気潜像を形成す
ることができる。したがって、上記のような磁気記録媒
体上に形成された磁気潜像を現像すれば、高解像度でし
かも高コントラストの画像を得ることができる。
の磁性膜には、磁気潜像の磁化反転境界に現れる鋸歯状
の磁化転移構造の鋸歯の高さの小さい磁気潜像を形成す
ることができる。したがって、上記のような磁気記録媒
体上に形成された磁気潜像を現像すれば、高解像度でし
かも高コントラストの画像を得ることができる。
【０１７５】また、磁気記録媒体を、磁気異方性の方向
の異なる第１の磁性膜と第２の磁性膜で構成し、それら
の成す角度を４５度以上９０度以下とすることにより、
磁気記録媒体に繰り返し記録を行っても、第２の磁性膜
に形成される磁気潜像の磁化反転境界に現れる鋸歯状の
磁化転移構造の鋸歯の高さの小さい磁気潜像を形成する
ことができ、常に、磁性トナーに対する磁気吸引力が大
きく、且つ高解像度の記録画像を得ることが可能とな
る。
の異なる第１の磁性膜と第２の磁性膜で構成し、それら
の成す角度を４５度以上９０度以下とすることにより、
磁気記録媒体に繰り返し記録を行っても、第２の磁性膜
に形成される磁気潜像の磁化反転境界に現れる鋸歯状の
磁化転移構造の鋸歯の高さの小さい磁気潜像を形成する
ことができ、常に、磁性トナーに対する磁気吸引力が大
きく、且つ高解像度の記録画像を得ることが可能とな
る。
【０１７６】さらに、第１の磁性膜の厚さを０．１μｍ
以上に、第２の磁性膜の膜厚を０．５μｍ以上に、且つ
第２の磁性膜の膜厚を第１の磁性膜よりも厚い構成とす
ることにより、第２の磁性膜に形成される磁気潜像の磁
化反転境界に現れる鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さ
の小さい磁気潜像を形成することができるので、磁性ト
ナーに対する磁気吸引力が大きく、且つ高解像度の記録
画像を得ることができるという効果を奏すると共に、上
記の磁気記録媒体を低コストで作製することができる。
以上に、第２の磁性膜の膜厚を０．５μｍ以上に、且つ
第２の磁性膜の膜厚を第１の磁性膜よりも厚い構成とす
ることにより、第２の磁性膜に形成される磁気潜像の磁
化反転境界に現れる鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さ
の小さい磁気潜像を形成することができるので、磁性ト
ナーに対する磁気吸引力が大きく、且つ高解像度の記録
画像を得ることができるという効果を奏すると共に、上
記の磁気記録媒体を低コストで作製することができる。
【０１７７】また、本発明の磁気記録媒体の製造方法に
よれば、上記したような磁気記録媒体を容易に且つ制御
良く形成することが可能となる。
よれば、上記したような磁気記録媒体を容易に且つ制御
良く形成することが可能となる。
【０１７８】また、本発明の磁気印写装置によれば、磁
気記録媒体に形成される磁気潜像を、磁化反転境界に現
れる鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さが小さいものと
することができるので、磁気潜像記録の解像度を高くす
ることができる。これにより、高解像度で且つ高コント
ラストの画像を得ることができる。
気記録媒体に形成される磁気潜像を、磁化反転境界に現
れる鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さが小さいものと
することができるので、磁気潜像記録の解像度を高くす
ることができる。これにより、高解像度で且つ高コント
ラストの画像を得ることができる。
【図１】本発明の一実施の形態に係る熱磁気プリンタの
磁気ドラムの構成を示す断面図である。
磁気ドラムの構成を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る熱磁気プリンタの
画像形成部の構成を示す概略構成図である。
画像形成部の構成を示す概略構成図である。
【図３】本発明の熱磁気プリンタに用いる磁気記録媒体
の評価を行うための試料の構成を示すものであって、本
発明を適用した試料（試料Ａ）の概略図、及び、比較の
ための試料（試料Ｂ）の概略図である。
の評価を行うための試料の構成を示すものであって、本
発明を適用した試料（試料Ａ）の概略図、及び、比較の
ための試料（試料Ｂ）の概略図である。
【図４】本発明の熱磁気プリンタに用いる磁気記録媒体
の評価を行うために使用した磁気潜像記録装置を示す概
略図である。
の評価を行うために使用した磁気潜像記録装置を示す概
略図である。
【図５】図３に示した試料Ａの室温での磁気特性を表す
ヒステリシスループである。
ヒステリシスループである。
【図６】図３に示した試料Ａの保磁力の温度依存性を表
すグラフである。
すグラフである。
【図７】図３に示した試料Ａに、図４に示した磁気潜像
記録装置を用いて形成した磁気潜像を示したもので、
（ａ）は粉末図形法による磁気潜像を示したもの、
（ｂ）はその概略図である。
記録装置を用いて形成した磁気潜像を示したもので、
（ａ）は粉末図形法による磁気潜像を示したもの、
（ｂ）はその概略図である。
【図８】図３に示した試料Ａに、図７に示したものとは
別の記録条件で形成した磁気潜像を示す概略図である。
別の記録条件で形成した磁気潜像を示す概略図である。
【図９】図３に示した試料Ａに、図７，図８に示したも
のとは別の記録条件で形成した磁気潜像を示す概略図で
ある。
のとは別の記録条件で形成した磁気潜像を示す概略図で
ある。
【図１０】図３に示した試料Ｂの室温での磁気特性を表
すヒステリシスループである。
すヒステリシスループである。
【図１１】図３に示した試料Ｂに、図４に示した磁気潜
像記録装置を用いて形成した磁気潜像を示したもので、
（ａ）は粉末図形法による磁気潜像を示したもの、
（ｂ）はその概略図である。
像記録装置を用いて形成した磁気潜像を示したもので、
（ａ）は粉末図形法による磁気潜像を示したもの、
（ｂ）はその概略図である。
【図１２】図３に示した試料Ｂに、図１１に示したもの
とは別の記録条件で形成した磁気潜像を示す概略図であ
る。
とは別の記録条件で形成した磁気潜像を示す概略図であ
る。
【図１３】図３に示した試料Ｂに、図１１，１２に示し
たものとは別の記録条件で形成した磁気潜像を示したも
ので、（ａ）は粉末図形法による磁気潜像を示したも
の、（ｂ）はその概略図である。
たものとは別の記録条件で形成した磁気潜像を示したも
ので、（ａ）は粉末図形法による磁気潜像を示したも
の、（ｂ）はその概略図である。
【図１４】本発明の熱磁気プリンタに用いる磁気記録媒
体の評価を行うための試料（試料Ｃ）の構成を示す概略
図である。
体の評価を行うための試料（試料Ｃ）の構成を示す概略
図である。
【図１５】図１４に示した試料Ｃに、図４に示した磁気
潜像記録装置を用いて形成した磁気潜像を示す概略図で
ある。
潜像記録装置を用いて形成した磁気潜像を示す概略図で
ある。
【図１６】試料Ｄに、図４に示した磁気潜像記録装置を
用いて形成した磁気潜像を示す概略図である。
用いて形成した磁気潜像を示す概略図である。
【図１７】種々の磁気記録媒体に、繰り返し記録を行っ
たときの、記録回数と、磁気潜像の磁化反転境界に現れ
る鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さとの関係を示す図
である。
たときの、記録回数と、磁気潜像の磁化反転境界に現れ
る鋸歯状の磁化転移構造の鋸歯の高さとの関係を示す図
である。
【図１８】試料Ｅに、図４に示した磁気潜像記録装置を
用いて形成した磁気潜像を示す概略図である。
用いて形成した磁気潜像を示す概略図である。
【図１９】試料Ｅに、図４に示した磁気潜像記録装置を
用いて、図１８に示したものとは別の記録条件で形成し
た磁気潜像を示した概略図である。
用いて、図１８に示したものとは別の記録条件で形成し
た磁気潜像を示した概略図である。
【図２０】試料Ｆに、図４に示した磁気潜像記録装置を
用いて形成した磁気潜像を示す概略図である。
用いて形成した磁気潜像を示す概略図である。
【図２１】試料Ｆに、図４に示した磁気潜像記録装置を
用いて、図２０に示したものとは別の記録条件で形成し
た磁気潜像を示す概略図である。
用いて、図２０に示したものとは別の記録条件で形成し
た磁気潜像を示す概略図である。
【図２２】試料Ｇに、図４に示した磁気潜像記録装置を
用いて形成した磁気潜像を示す概略図である。
用いて形成した磁気潜像を示す概略図である。
【図２３】試料Ｉに、図４に示した磁気潜像記録装置を
用いて形成した磁気潜像を示す概略図である。
用いて形成した磁気潜像を示す概略図である。
【図２４】試料Ｉに、図４に示した磁気潜像記録装置を
用いて、図２３に示したものとは別の記録条件で形成し
た磁気潜像を示す概略図である。
用いて、図２３に示したものとは別の記録条件で形成し
た磁気潜像を示す概略図である。
【図２５】第２の実施の形態の磁気記録媒体の製造に用
いるホルダを示す図である。
いるホルダを示す図である。
【図２６】第２の実施の形態の磁気記録媒体の製造に用
いるスパッタ装置を示す図である。
いるスパッタ装置を示す図である。
【図２７】第３の実施の形態の磁気記録媒体の製造方法
を説明する図である。
を説明する図である。
【図２８】第３の実施の形態の磁気記録媒体の製造に用
いるスパッタ装置を説明する図である。
いるスパッタ装置を説明する図である。
【図２９】磁気記録媒体の磁化方向を示すものであっ
て、（ａ）は磁化の方向が面内に平行な面内磁化方式の
場合を示し、（ｂ）は磁化の方向が面内に垂直な垂直磁
化方式の場合を示す説明図である。
て、（ａ）は磁化の方向が面内に平行な面内磁化方式の
場合を示し、（ｂ）は磁化の方向が面内に垂直な垂直磁
化方式の場合を示す説明図である。
【図３０】熱磁気プリンタの画像形成部の他の構成を示
す概略構成図である。
す概略構成図である。
１ ドラムベース（基体）
２ 磁気記録媒体
２ａ 第１の磁性膜
２ｂ 第２の磁性膜
３ 保護膜
４ 磁気ドラム
５ ガラス基板
２１ フィルムシート（基体）
２４ 磁気ベルト（磁気潜像担持体）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平９−197898（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−95418（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−348179（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−100767（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03G 19/00
Claims (10)
- 【請求項１】 磁化方向が表面と平行であり、保磁力が
温度上昇に伴って低下し、加熱された状態で初期状態の
磁化方向とは逆方向のバイアス磁界が印加されることに
より磁気潜像を形成する磁気記録媒体において、 表面に平行で互いに異なる方向に磁気異方性を有する少
なくとも２つの磁性膜を含む、複数の表面に平行な方向
に磁気異方性を有する磁性膜からなり、 最上部に希土類金属と遷移金属とからなるアモルファス
合金膜を有してなることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１に記載の磁気記録媒体におい
て、 表面に平行な第１の方向に磁気異方性を有する第１の磁
性膜と、該第１の磁性膜上に形成され、表面に平行で且
つ前記第１の方向とは異なる第２の方向に磁気異方性を
有する希土類金属と遷移金属とからなるアモルファス合
金膜である第２の磁性膜からなることを特徴とする磁気
記録媒体。 - 【請求項３】 請求項２に記載の磁気記録媒体におい
て、 前記第１の磁性膜の磁気異方性の方向と、前記第２の磁
性膜の磁気異方性の方向との成す角度が、４５度以上９
０度以下であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項４】 請求項２または請求項３に記載の磁気記
録媒体において、 前記第１の磁性膜の膜厚が、０．１μｍ以上であること
を特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項５】 請求項２ないし請求項４のいずれかに記
載の磁気記録媒体において、 前記第２の磁性膜の膜厚が、０．５μｍ以上であること
を特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項６】 請求項２ないし請求項５のいずれかに記
載の磁気記録媒体において、 前記第２の磁性膜の膜厚が、前記第１の磁性膜よりも厚
いことを特徴とする請磁気記録媒体。 - 【請求項７】 請求項２ないし請求項６に記載の磁気記
録媒体の製造方法であって、 前記第１の磁性膜を、前記第１の方向に磁界を印加しな
がら形成する工程と、 該工程の後、前記第２の磁性膜を前記第２の方向に磁界
を印加しながら形成する工程とを含んでなることを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項８】 請求項２ないし請求項６に記載の磁気記
録媒体の製造方法であって、 前記第１の磁性膜を形成後、熱処理により前記第１の磁
性膜の磁気異方性の方向を前記第１の方向に向ける工程
と、 該工程の後、前記第２の磁性膜を前記第２の方向に磁界
を印加しながら形成する工程と、を含んでなることを特
徴とする製造方法。 - 【請求項９】 請求項２ないし請求項６に記載の磁気記
録媒体の製造方法であって、 前記第１の磁性膜の形成後、前記第２の磁性膜の形成前
に、前記第１の磁性膜をスパッタリングして、前記第１
の磁性膜の表面を清浄化することを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法。 - 【請求項１０】 基体上に、磁気潜像を記録する磁気記
録媒体が形成された磁気潜像担持体を有する磁気印写装
置において、 前記磁気記録媒体は、請求項１に記載の磁気記録媒体で
あることを特徴とする磁気印写装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22958596A JP3370240B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 磁気記録媒体及びその製造方法並びにそれを用いた磁気印写装置 |
| US08/917,958 US5981039A (en) | 1996-08-30 | 1997-08-27 | Magnetic recording medium and a manufacturing method thereof as well as a photo-printing apparatus using such a magnetic recording medium |
| EP97114999A EP0827136B1 (en) | 1996-08-30 | 1997-08-29 | Magnetic recording medium and a manufacturing method thereof as well as a photo-printing apparatus using such a magnetic recording medium |
| DE69704913T DE69704913T2 (de) | 1996-08-30 | 1997-08-29 | Magnetisches Aufzeichnungsmedium und Herstellungsverfahren und Anwendung in einem Photodruckgerät |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22958596A JP3370240B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 磁気記録媒体及びその製造方法並びにそれを用いた磁気印写装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1074020A JPH1074020A (ja) | 1998-03-17 |
| JP3370240B2 true JP3370240B2 (ja) | 2003-01-27 |
Family
ID=16894495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22958596A Expired - Fee Related JP3370240B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 磁気記録媒体及びその製造方法並びにそれを用いた磁気印写装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5981039A (ja) |
| EP (1) | EP0827136B1 (ja) |
| JP (1) | JP3370240B2 (ja) |
| DE (1) | DE69704913T2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6274233B1 (en) * | 1998-03-26 | 2001-08-14 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium |
| CN1235198C (zh) * | 2001-05-18 | 2006-01-04 | 富士胶片株式会社 | 磁复制用主载体 |
| JP4626840B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2011-02-09 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP4332833B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2009-09-16 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP4019703B2 (ja) * | 2001-12-07 | 2007-12-12 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JP4582978B2 (ja) * | 2001-12-07 | 2010-11-17 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2003217107A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-31 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| US7143687B2 (en) * | 2004-04-29 | 2006-12-05 | Creative Serving Incorporated | Roller grill having rollers with a roughened surface |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56161572A (en) * | 1980-05-16 | 1981-12-11 | Ricoh Co Ltd | Formation of magnetic latent image |
| JPS56161573A (en) * | 1980-05-16 | 1981-12-11 | Ricoh Co Ltd | Formation of magnetic latent image |
| JPS56161574A (en) * | 1980-05-16 | 1981-12-11 | Ricoh Co Ltd | Formation of magnetic latent image |
| JPS5732470A (en) * | 1980-08-01 | 1982-02-22 | Fuji Xerox Co Ltd | Formation of magnetic latent image |
| JPS57136673A (en) * | 1981-02-19 | 1982-08-23 | Ricoh Co Ltd | Method and device for magnetic recording |
| JPS5971076A (ja) * | 1982-10-15 | 1984-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気転写記録装置 |
| JPS6120077A (ja) * | 1984-07-06 | 1986-01-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 熱磁気記録装置 |
| JPS6120078A (ja) * | 1984-07-06 | 1986-01-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 熱磁気記録媒体用磁性体及びその製造法 |
| JPS62100767A (ja) * | 1985-10-28 | 1987-05-11 | Seiko Epson Corp | 光プリンタ−磁気ドラムの媒体 |
| FR2600178B1 (fr) * | 1986-06-16 | 1988-10-07 | Bull Sa | Element d'enregistrement magnetique destine a etre utilise dans une imprimante magnetographique |
| JPS63142361A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-14 | Seiko Epson Corp | 光磁気プリンタ磁気ドラム媒体 |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP22958596A patent/JP3370240B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-08-27 US US08/917,958 patent/US5981039A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-08-29 DE DE69704913T patent/DE69704913T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-08-29 EP EP97114999A patent/EP0827136B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0827136A1 (en) | 1998-03-04 |
| US5981039A (en) | 1999-11-09 |
| DE69704913D1 (de) | 2001-06-28 |
| JPH1074020A (ja) | 1998-03-17 |
| DE69704913T2 (de) | 2001-12-06 |
| EP0827136B1 (en) | 2001-05-23 |
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