JP3368295B2 - 永久磁石用異方性希土類合金粉末の製造方法 - Google Patents
永久磁石用異方性希土類合金粉末の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、各種モーター、アク
チュエーター等に用いることが可能な高保磁力を有する
Ｒ（希土類元素）−Ｔ（鉄属元素）−（Ｍ）−Ｂ系のボ
ンド磁石用および焼結磁石用異方性永久磁石粉末の製造
方法に係り、本系粗粉砕粉を真空中または不活性ガス中
で昇温しＨ2ガス中で加熱処理して４相の混合組織とな
し、さらに所定雰囲気で加熱保持する脱Ｈ2処理を行
い、結晶粒を１μｍ以下の極微細結晶とした高保磁力を
有するＲ−Ｔ−（Ｍ）−Ｂ系永久磁石用異方性希土類合
金粉末の製造方法に関する。
チュエーター等に用いることが可能な高保磁力を有する
Ｒ（希土類元素）−Ｔ（鉄属元素）−（Ｍ）−Ｂ系のボ
ンド磁石用および焼結磁石用異方性永久磁石粉末の製造
方法に係り、本系粗粉砕粉を真空中または不活性ガス中
で昇温しＨ2ガス中で加熱処理して４相の混合組織とな
し、さらに所定雰囲気で加熱保持する脱Ｈ2処理を行
い、結晶粒を１μｍ以下の極微細結晶とした高保磁力を
有するＲ−Ｔ−（Ｍ）−Ｂ系永久磁石用異方性希土類合
金粉末の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】希土類系永久磁石粉末を水素処理法によ
り製造する方法は、例えば特開平１−１３２１０６号公
報に開示されている。すなわち、かかる水素処理法と
は、Ｒ−Ｔ−（Ｍ）−Ｂ系原料合金インゴットまたは粉
末を、Ｈ2ガス雰囲気またはＨ2ガスと不活性ガスの混合
雰囲気中で温度５００℃〜１０００℃に保持して上記合
金のインゴットまたは粉末にＨ2吸蔵させた後、Ｈ2ガス
圧力１３Ｐａ（１×１０-1Ｔｏｒｒ）以下の真空雰囲気
またはＨ2ガス分圧１３Ｐａ（１×１０-1Ｔｏｒｒ）以
下の不活性ガス雰囲気になるまで温度５００℃〜１００
０℃で脱Ｈ2処理し、ついで冷却することを特徴とする
Ｒ−Ｔ−（Ｍ）−Ｂ系合金磁石粉末の製造方法である。
り製造する方法は、例えば特開平１−１３２１０６号公
報に開示されている。すなわち、かかる水素処理法と
は、Ｒ−Ｔ−（Ｍ）−Ｂ系原料合金インゴットまたは粉
末を、Ｈ2ガス雰囲気またはＨ2ガスと不活性ガスの混合
雰囲気中で温度５００℃〜１０００℃に保持して上記合
金のインゴットまたは粉末にＨ2吸蔵させた後、Ｈ2ガス
圧力１３Ｐａ（１×１０-1Ｔｏｒｒ）以下の真空雰囲気
またはＨ2ガス分圧１３Ｐａ（１×１０-1Ｔｏｒｒ）以
下の不活性ガス雰囲気になるまで温度５００℃〜１００
０℃で脱Ｈ2処理し、ついで冷却することを特徴とする
Ｒ−Ｔ−（Ｍ）−Ｂ系合金磁石粉末の製造方法である。
【０００３】上記手法で製造されたＲ−Ｔ−（Ｍ）−Ｂ
系合金磁石粉末は、大きな保磁力と磁気異方性を有す
る。これは上記処理によって、非常に微細な再結晶粒
径、実質的には０．１μｍ〜１μｍの平均再結晶粒径を
持つ組織となり、磁気的には正方晶Ｎｄ2Ｆｅ14Ｂ系化
合物の単磁区臨界粒径に近い結晶粒径となっており、な
おかつこれらの極微細結晶がある程度結晶方位を揃えて
再結晶しているためである。
系合金磁石粉末は、大きな保磁力と磁気異方性を有す
る。これは上記処理によって、非常に微細な再結晶粒
径、実質的には０．１μｍ〜１μｍの平均再結晶粒径を
持つ組織となり、磁気的には正方晶Ｎｄ2Ｆｅ14Ｂ系化
合物の単磁区臨界粒径に近い結晶粒径となっており、な
おかつこれらの極微細結晶がある程度結晶方位を揃えて
再結晶しているためである。
【０００４】また、特開平2-4901号公報には水素処理法
による種々のヒートパターンが開示され、さらに、イン
ゴットの均質化処理を付加することも提案されており、
例えば、インゴットを600℃〜1200℃で均質化して、水
素、真空又は不活性ガス雰囲気中で500℃以上まで昇温
し、次いでH2又はH2と不活性ガスの混合雰囲気中で500
℃〜1000℃でH2吸蔵させ、H2ガス分圧1×10-1Torr以下
まで脱H2し、更に冷却するという製造工程が示されてい
る。さらに、特開平3-146608号公報には、水素処理中の
温度変化による特性変動を小さくする手法として、蓄熱
材とともに水素処理を行う方法が提案されている。すな
わち、水素処理法では、処理過程において大きな反応熱
を伴う化学反応が起こっており、この反応熱による温度
変化のために磁気特性にばらつきが生じる。そこで熱容
量の大きな蓄熱材を用いて反応熱による温度変化を最小
限にしようというものである。
による種々のヒートパターンが開示され、さらに、イン
ゴットの均質化処理を付加することも提案されており、
例えば、インゴットを600℃〜1200℃で均質化して、水
素、真空又は不活性ガス雰囲気中で500℃以上まで昇温
し、次いでH2又はH2と不活性ガスの混合雰囲気中で500
℃〜1000℃でH2吸蔵させ、H2ガス分圧1×10-1Torr以下
まで脱H2し、更に冷却するという製造工程が示されてい
る。さらに、特開平3-146608号公報には、水素処理中の
温度変化による特性変動を小さくする手法として、蓄熱
材とともに水素処理を行う方法が提案されている。すな
わち、水素処理法では、処理過程において大きな反応熱
を伴う化学反応が起こっており、この反応熱による温度
変化のために磁気特性にばらつきが生じる。そこで熱容
量の大きな蓄熱材を用いて反応熱による温度変化を最小
限にしようというものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記手法で
製造されたＲ−Ｔ−（Ｍ）−Ｂ系磁石用合金粉末の磁気
的性質は、特に磁気異方性については不充分であり、原
料合金そのものが本質的に有する磁気異方性に達してお
らず、磁気特性的には残留磁束密度Ｂｒが小さいという
欠点があった。これは粉末粒子中に多数存在する結晶粒
の磁化容易方向が特定の一方向に十分そろっておらず、
その結果、粉末粒子の平均残留磁束密度が小さくなるこ
とによる。また、原料処理量によって磁気特性、特に保
磁力が変化するという、量産に不向きな非常に重要な問
題を内在していた。上述した蓄熱材を用いて温度変化を
小さくする方法では実用上、原料処理量に対して大きな
設備を要したり、熱容量が大きいため加熱、冷却に多大
の時間とエネルギーを要するという問題が新に生じる。
しかも、水素処理法による磁気特性、特に保磁力の変動
の原因が単に水素化時の発熱反応による温度上昇や脱水
素時の吸熱反応による温度低下ではないため、蓄熱材を
用いても保磁力のばらつきや低下の問題は解消されな
い。
製造されたＲ−Ｔ−（Ｍ）−Ｂ系磁石用合金粉末の磁気
的性質は、特に磁気異方性については不充分であり、原
料合金そのものが本質的に有する磁気異方性に達してお
らず、磁気特性的には残留磁束密度Ｂｒが小さいという
欠点があった。これは粉末粒子中に多数存在する結晶粒
の磁化容易方向が特定の一方向に十分そろっておらず、
その結果、粉末粒子の平均残留磁束密度が小さくなるこ
とによる。また、原料処理量によって磁気特性、特に保
磁力が変化するという、量産に不向きな非常に重要な問
題を内在していた。上述した蓄熱材を用いて温度変化を
小さくする方法では実用上、原料処理量に対して大きな
設備を要したり、熱容量が大きいため加熱、冷却に多大
の時間とエネルギーを要するという問題が新に生じる。
しかも、水素処理法による磁気特性、特に保磁力の変動
の原因が単に水素化時の発熱反応による温度上昇や脱水
素時の吸熱反応による温度低下ではないため、蓄熱材を
用いても保磁力のばらつきや低下の問題は解消されな
い。
【０００６】これらの問題は水素処理法において得られ
る磁性粉末が再結晶集合組織を有するとしながらも、再
結晶組織に決定的な影響を与える前組織、すなわち水素
吸蔵によって生成される分解生成物の金属組織を最適化
せず、また、その組織を得るための製造条件を何等限定
していないためである。
る磁性粉末が再結晶集合組織を有するとしながらも、再
結晶組織に決定的な影響を与える前組織、すなわち水素
吸蔵によって生成される分解生成物の金属組織を最適化
せず、また、その組織を得るための製造条件を何等限定
していないためである。
【０００７】例えば、特開平2-4901号公報ではH2中で81
0℃まで昇温しそのまま5時間保持した後、810℃で排気
を1時間行った後、炉内にArを導入して急冷する方法(実
施例1)、真空中で500℃、600℃、700℃、750℃、800
℃、850℃、900℃、および1000℃の各温度まで昇温した
後に、その各保持温度で1気圧のH2を導入し、10時間保
持した後、排気を1時間行って、更にArガスにより急冷
するという方法(実施例2)などが示されている。但し、
これらの方法によると、水素吸蔵後、真空排気直前の中
間生成物の組織がR水素化物、T-B化合物、およびT相の3
相となってしまい(例えば、P、J、Me Guines;Jourual o
f the Less Common Metals 162(1990)379頁)、脱水素
(真空排気)過程の後、得られる再結晶組織は実質的に磁
気的に等方性となり、高い残留磁化は得られない。
0℃まで昇温しそのまま5時間保持した後、810℃で排気
を1時間行った後、炉内にArを導入して急冷する方法(実
施例1)、真空中で500℃、600℃、700℃、750℃、800
℃、850℃、900℃、および1000℃の各温度まで昇温した
後に、その各保持温度で1気圧のH2を導入し、10時間保
持した後、排気を1時間行って、更にArガスにより急冷
するという方法(実施例2)などが示されている。但し、
これらの方法によると、水素吸蔵後、真空排気直前の中
間生成物の組織がR水素化物、T-B化合物、およびT相の3
相となってしまい(例えば、P、J、Me Guines;Jourual o
f the Less Common Metals 162(1990)379頁)、脱水素
(真空排気)過程の後、得られる再結晶組織は実質的に磁
気的に等方性となり、高い残留磁化は得られない。
【０００８】この発明は、Ｒ−Ｔ−（Ｍ）−Ｂ系永久磁
石用希土類合金粉末を水素処理法により製造する方法に
おいて、原料合金そのものが本質的に有する磁気異方性
を完全に達成し、極微細結晶で高保磁力を発揮するＲ−
Ｔ−（Ｍ）−Ｂ系永久磁石用異方性希土類合金粉末を量
産性よく得ることができる製造方法の提供を目的として
いる。
石用希土類合金粉末を水素処理法により製造する方法に
おいて、原料合金そのものが本質的に有する磁気異方性
を完全に達成し、極微細結晶で高保磁力を発揮するＲ−
Ｔ−（Ｍ）−Ｂ系永久磁石用異方性希土類合金粉末を量
産性よく得ることができる製造方法の提供を目的として
いる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記残留磁
束密度Ｂｒを大きくするため、原料組成および処理条件
の金属組織的検討を行った結果、水素化の条件を工夫す
ることで大きな異方性が得られることを見い出したもの
である。すなわち、発明者らは、水素処理法にてＲ−Ｔ
−（Ｍ）−Ｂ系永久磁石用希土類合金粉末を得る際に磁
性粉末を完全に異方性化する方法を目的に原料組成およ
び処理条件の金属組織的検討を種々行った結果、水素化
によって得られる中間生成物がＲ2Ｔ14Ｂ相を含有し、
その外にＲ−Ｈ、Ｔ−Ｂ化合物、Ｔ相が存在することが
高い残留磁化を得るための必須条件であること、そし
て、その中間生成物を生成させるための条件は、真空中
又は不活性ガスで７５０℃以上に加熱し、その後７５０
℃〜９００℃で８時間以内の水素化を行うことが必要で
あることを知見し、この発明を完成した。さらに、脱水
素処理時の水素分圧をＲ水素化物の平衡水素解離圧、例
えばＮｄＨ2では８５０℃で１ｋＰａより大きく下げる
ことなく、平衡水素解離圧近傍で徐々に脱水素反応を起
こさせることで、核生成量、核成長速度を適正化するこ
とにより、原料処理量にかかわらず高保磁力を得ること
ができることを知見し、この発明を完成した。
束密度Ｂｒを大きくするため、原料組成および処理条件
の金属組織的検討を行った結果、水素化の条件を工夫す
ることで大きな異方性が得られることを見い出したもの
である。すなわち、発明者らは、水素処理法にてＲ−Ｔ
−（Ｍ）−Ｂ系永久磁石用希土類合金粉末を得る際に磁
性粉末を完全に異方性化する方法を目的に原料組成およ
び処理条件の金属組織的検討を種々行った結果、水素化
によって得られる中間生成物がＲ2Ｔ14Ｂ相を含有し、
その外にＲ−Ｈ、Ｔ−Ｂ化合物、Ｔ相が存在することが
高い残留磁化を得るための必須条件であること、そし
て、その中間生成物を生成させるための条件は、真空中
又は不活性ガスで７５０℃以上に加熱し、その後７５０
℃〜９００℃で８時間以内の水素化を行うことが必要で
あることを知見し、この発明を完成した。さらに、脱水
素処理時の水素分圧をＲ水素化物の平衡水素解離圧、例
えばＮｄＨ2では８５０℃で１ｋＰａより大きく下げる
ことなく、平衡水素解離圧近傍で徐々に脱水素反応を起
こさせることで、核生成量、核成長速度を適正化するこ
とにより、原料処理量にかかわらず高保磁力を得ること
ができることを知見し、この発明を完成した。
【００１０】すなわち、この発明は、
Ｒ：１０〜２０ａｔ％（Ｒ：Ｙを含む希土類元素の少な
くとも１種で、かつＰｒまたはＮｄの１種または２種を
Ｒのうち５０ａｔ％以上含有）、 Ｔ：６７〜８５ａｔ％（Ｔ：ＦｅまたはＦｅの一部を５
０ａｔ％以下のＣｏで置換）、 Ｂ：４〜１０ａｔ％である合金鋳塊を粗粉砕して、平均
粒度が５０μｍ〜５０００μｍの少なくとも８０ｖｏｌ
％以上が正方晶構造Ｎｄ2Ｆｅ14Ｂ型化合物からなる粗
粉砕粉となした後、前記粗粉砕粉を原料粉末としてこれ
を真空中または不活性ガス中で温度７５０℃以上の温度
域に昇温した後、炉内に１０ｋＰａ〜１０００ｋＰａの
Ｈ2ガスを導入して、前記水素ガス中で７５０℃〜９０
０℃に３０分〜８時間加熱保持し、組織をＲ水素化物、
Ｔ−Ｂ化合物、Ｔ相、Ｒ2Ｔ14Ｂ化合物の少なくとも４
相の混合組織とした後、さらにＨ2分圧１０ｋＰａ以下
にて７００℃〜９００℃に５分〜８時間の保持をする脱
Ｈ2処理を行い、ついで冷却して平均結晶粒径が０．０
５μｍ〜１μｍである磁気的に異方性を有する合金粉末
を得ることを特徴とする永久磁石用希土類合金粉末の製
造方法である。
くとも１種で、かつＰｒまたはＮｄの１種または２種を
Ｒのうち５０ａｔ％以上含有）、 Ｔ：６７〜８５ａｔ％（Ｔ：ＦｅまたはＦｅの一部を５
０ａｔ％以下のＣｏで置換）、 Ｂ：４〜１０ａｔ％である合金鋳塊を粗粉砕して、平均
粒度が５０μｍ〜５０００μｍの少なくとも８０ｖｏｌ
％以上が正方晶構造Ｎｄ2Ｆｅ14Ｂ型化合物からなる粗
粉砕粉となした後、前記粗粉砕粉を原料粉末としてこれ
を真空中または不活性ガス中で温度７５０℃以上の温度
域に昇温した後、炉内に１０ｋＰａ〜１０００ｋＰａの
Ｈ2ガスを導入して、前記水素ガス中で７５０℃〜９０
０℃に３０分〜８時間加熱保持し、組織をＲ水素化物、
Ｔ−Ｂ化合物、Ｔ相、Ｒ2Ｔ14Ｂ化合物の少なくとも４
相の混合組織とした後、さらにＨ2分圧１０ｋＰａ以下
にて７００℃〜９００℃に５分〜８時間の保持をする脱
Ｈ2処理を行い、ついで冷却して平均結晶粒径が０．０
５μｍ〜１μｍである磁気的に異方性を有する合金粉末
を得ることを特徴とする永久磁石用希土類合金粉末の製
造方法である。
【００１１】また、この発明は、
Ｒ：１０〜２０ａｔ％（Ｒ：Ｙを含む希土類元素の少な
くとも１種で、かつＰｒまたはＮｄの１種または２種を
Ｒのうち５０ａｔ％以上含有）、 Ｔ：６７〜８５ａｔ％（Ｔ：ＦｅまたはＦｅの一部を５
０ａｔ％以下のＣｏで置換）、 Ｍ：１０ａｔ％以下（Ｍ：Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎ
ｉ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗのうち１種または２種以上）、 Ｂ：４〜１０ａｔ％である合金鋳塊を粗粉砕して平均粒
度が５０μｍ〜５０００μｍの少なくとも８０ｖｏｌ％
以上が正方晶構造Ｎｄ2Ｆｅ14Ｂ型化合物からなる粗粉
砕粉となした後、前記粗粉砕粉を原料粉末としてこれを
真空中または不活性ガス中で温度７５０℃以上の温度域
に昇温した後、炉内に１０ｋＰａ〜１０００ｋＰａのＨ
2ガスを導入して、前記水素ガス雰囲気中で７５０℃〜
９００℃に３０分〜８時間加熱保持し、組織をＲ水素化
物、Ｔ−Ｂ化合物、Ｔ相、Ｒ2Ｔ14Ｂ化合物の少なくと
も４相の混合組織とした後、さらにＨ2分圧１０ｋＰａ
以下にて７００℃〜９００℃に５分〜８時間の保持をす
る脱Ｈ2処理を行い、ついで冷却して平均結晶粒径が
０．０５μｍ〜１μｍである磁気的に異方性を有する合
金粉末を得ることを特徴とする永久磁石用希土類合金粉
末の製造方法である。
くとも１種で、かつＰｒまたはＮｄの１種または２種を
Ｒのうち５０ａｔ％以上含有）、 Ｔ：６７〜８５ａｔ％（Ｔ：ＦｅまたはＦｅの一部を５
０ａｔ％以下のＣｏで置換）、 Ｍ：１０ａｔ％以下（Ｍ：Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎ
ｉ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗのうち１種または２種以上）、 Ｂ：４〜１０ａｔ％である合金鋳塊を粗粉砕して平均粒
度が５０μｍ〜５０００μｍの少なくとも８０ｖｏｌ％
以上が正方晶構造Ｎｄ2Ｆｅ14Ｂ型化合物からなる粗粉
砕粉となした後、前記粗粉砕粉を原料粉末としてこれを
真空中または不活性ガス中で温度７５０℃以上の温度域
に昇温した後、炉内に１０ｋＰａ〜１０００ｋＰａのＨ
2ガスを導入して、前記水素ガス雰囲気中で７５０℃〜
９００℃に３０分〜８時間加熱保持し、組織をＲ水素化
物、Ｔ−Ｂ化合物、Ｔ相、Ｒ2Ｔ14Ｂ化合物の少なくと
も４相の混合組織とした後、さらにＨ2分圧１０ｋＰａ
以下にて７００℃〜９００℃に５分〜８時間の保持をす
る脱Ｈ2処理を行い、ついで冷却して平均結晶粒径が
０．０５μｍ〜１μｍである磁気的に異方性を有する合
金粉末を得ることを特徴とする永久磁石用希土類合金粉
末の製造方法である。
【００１２】組成の限定理由
この発明に使用する原料合金に用いるＲすなわち希土類
元素は、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕが包括され、このう
ち少なくとも１種以上で、Ｐｒ、Ｎｄのうち少なくとも
１種または２種をＲのうち５０ａｔ％以上含有し、さら
にＲの全てがＰｒ、Ｎｄのうち１種または２種の場合が
ある。Ｒの５０ａｔ％以上をＰｒ、Ｎｄのうち少なくと
も１種以上とするのは５０ａｔ％未満では充分な磁化が
得られないためである。Ｒは、１０ａｔ％未満ではαＦ
ｅ相の析出により保磁力が低下し、また２０ａｔ％を超
えると、目的とする正方晶Ｎｄ2Ｆｅ14Ｂ型化合物以外
に、Ｒリッチの第２相が多く析出し、この第２相が多す
ぎると合金の磁化を低下させる。従ってＲの範囲は１０
〜２０ａｔ％とする。
元素は、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕが包括され、このう
ち少なくとも１種以上で、Ｐｒ、Ｎｄのうち少なくとも
１種または２種をＲのうち５０ａｔ％以上含有し、さら
にＲの全てがＰｒ、Ｎｄのうち１種または２種の場合が
ある。Ｒの５０ａｔ％以上をＰｒ、Ｎｄのうち少なくと
も１種以上とするのは５０ａｔ％未満では充分な磁化が
得られないためである。Ｒは、１０ａｔ％未満ではαＦ
ｅ相の析出により保磁力が低下し、また２０ａｔ％を超
えると、目的とする正方晶Ｎｄ2Ｆｅ14Ｂ型化合物以外
に、Ｒリッチの第２相が多く析出し、この第２相が多す
ぎると合金の磁化を低下させる。従ってＲの範囲は１０
〜２０ａｔ％とする。
【００１３】Ｔは鉄属元素であって、Ｆｅ、Ｃｏを包含
する。Ｔが６７ａｔ％未満では低保磁力、低磁化の第２
相が析出して磁気的特性が低下し、また８５ａｔ％を超
えるとαＦｅ相の析出により保磁力、角型性が低下する
ため、Ｔは６７〜８５ａｔ％とする。また、Ｆｅのみで
も必要な磁気的性質は得られるが、Ｃｏの適量の添加
は、キュリー温度の向上に有用であり、Ｃｏは必要に応
じて添加できる。ＦｅとＣｏの原子比においてＦｅが５
０％以下となるとＮｄ2Ｆｅ14Ｂ型化合物の飽和磁化そ
のものの減少量が大きくなってしまうため、Ｔのうち原
子比でＦｅを５０％以上とした。
する。Ｔが６７ａｔ％未満では低保磁力、低磁化の第２
相が析出して磁気的特性が低下し、また８５ａｔ％を超
えるとαＦｅ相の析出により保磁力、角型性が低下する
ため、Ｔは６７〜８５ａｔ％とする。また、Ｆｅのみで
も必要な磁気的性質は得られるが、Ｃｏの適量の添加
は、キュリー温度の向上に有用であり、Ｃｏは必要に応
じて添加できる。ＦｅとＣｏの原子比においてＦｅが５
０％以下となるとＮｄ2Ｆｅ14Ｂ型化合物の飽和磁化そ
のものの減少量が大きくなってしまうため、Ｔのうち原
子比でＦｅを５０％以上とした。
【００１４】添加元素Ｍの効果は、水素化時に母相の分
解反応を完全に終了させずに、母相すなわちＲ2Ｔ14Ｂ
相を安定化して故意に残存させるのに有効な元素が望ま
れる。特に顕著な効果を持つものとして、Ｎｉ、Ｇａ、
Ｚｒ、Ｈｆがある。また、Ｍのうち、Ａｌ、Ｎｉ、Ｇ
ａ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｈｆは、脱Ｈ2処理時の再結晶
粒を０．１μｍ〜１μｍのサイズにまで成長させ、粉末
に磁気異方性を付与するのに有用な元素である。Ｔｉ、
Ｖ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗは、脱Ｈ2処理時の再
結晶粒が、１μｍ以上に粗大化するのを防止し、結果と
して保磁力が低下するのを抑制する効果を有する。従っ
て、Ｍとしては、上記の元素を目的に応じて組み合わせ
て用いることが得策である。添加量は、全く加えなくて
もよいが、添加する場合は１０ａｔ％を超えると強磁性
でない第２相が析出して磁化を低下させることから、Ｍ
は１０ａｔ％以下とした。
解反応を完全に終了させずに、母相すなわちＲ2Ｔ14Ｂ
相を安定化して故意に残存させるのに有効な元素が望ま
れる。特に顕著な効果を持つものとして、Ｎｉ、Ｇａ、
Ｚｒ、Ｈｆがある。また、Ｍのうち、Ａｌ、Ｎｉ、Ｇ
ａ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｈｆは、脱Ｈ2処理時の再結晶
粒を０．１μｍ〜１μｍのサイズにまで成長させ、粉末
に磁気異方性を付与するのに有用な元素である。Ｔｉ、
Ｖ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗは、脱Ｈ2処理時の再
結晶粒が、１μｍ以上に粗大化するのを防止し、結果と
して保磁力が低下するのを抑制する効果を有する。従っ
て、Ｍとしては、上記の元素を目的に応じて組み合わせ
て用いることが得策である。添加量は、全く加えなくて
もよいが、添加する場合は１０ａｔ％を超えると強磁性
でない第２相が析出して磁化を低下させることから、Ｍ
は１０ａｔ％以下とした。
【００１５】Ｂについては、正方晶Ｎｄ2Ｆｅ14Ｂ型結
晶構造を安定して析出させるためには必須である。添加
量は、４ａｔ％以下ではＲ2Ｔ17相が析出して保磁力を
低下させ、また減磁曲線の角型性が著しく損なわれる。
また、１０ａｔ％を超えて添加した場合は、磁化の小さ
い第２相が析出して粉末の磁化を低下させる。従って、
Ｂは、４〜１０ａｔ％とした。
晶構造を安定して析出させるためには必須である。添加
量は、４ａｔ％以下ではＲ2Ｔ17相が析出して保磁力を
低下させ、また減磁曲線の角型性が著しく損なわれる。
また、１０ａｔ％を超えて添加した場合は、磁化の小さ
い第２相が析出して粉末の磁化を低下させる。従って、
Ｂは、４〜１０ａｔ％とした。
【００１６】この発明において、粗粉砕粉の８０ｖｏｌ
％以上が正方晶Ｎｄ2Ｆｅ14Ｂ型化合物としたのは、該
化合物が８０ｖｏｌ％未満であると磁気特性が低下す
る。より具体的には、混在する第２相がαＦｅ相の場合
は保磁力を低下させ、Ｒリッチ相やＢリッチ相の場合に
は磁化が低下するため、正方晶Ｎｄ2Ｆｅ14Ｂ型化合物
の存在比を８０ｖｏｌ％以上とした。体積比で８０％以
上の正方晶Ｎｄ2Ｆｅ14Ｂ型化合物を有する粗粉を得る
ためには、合金の鋳塊を９００℃〜１２００℃の温度で
１時間以上焼鈍するか、造塊工程で鋳型の冷却速度を制
御するなど、適当に選択すれば良い。
％以上が正方晶Ｎｄ2Ｆｅ14Ｂ型化合物としたのは、該
化合物が８０ｖｏｌ％未満であると磁気特性が低下す
る。より具体的には、混在する第２相がαＦｅ相の場合
は保磁力を低下させ、Ｒリッチ相やＢリッチ相の場合に
は磁化が低下するため、正方晶Ｎｄ2Ｆｅ14Ｂ型化合物
の存在比を８０ｖｏｌ％以上とした。体積比で８０％以
上の正方晶Ｎｄ2Ｆｅ14Ｂ型化合物を有する粗粉を得る
ためには、合金の鋳塊を９００℃〜１２００℃の温度で
１時間以上焼鈍するか、造塊工程で鋳型の冷却速度を制
御するなど、適当に選択すれば良い。
【００１７】製造条件の限定理由
水素処理法とは、所用粒度の粗粉砕粉が外観上その大き
さを変化させることなく、極微細結晶組織の集合体が得
られることを特徴とする。すなわち、正方晶Nd2Fe14B型
化合物に対し、高温、実際上は600℃〜900℃の温度範囲
でH2ガスと反応させると、RH2〜3、αFe、Fe2Bなどに相
分離し、さらに同温度域でH2ガスを脱H2処理により除去
すると、再度正方晶Nd2Fe14B型化合物の再結晶組織が得
られる。しかしながら、現実には、水素化処理条件によ
って分解生成物の結晶粒径、反応の度合いが異なり、水
素化状態の金属組織は、水素化温度750℃未満と750℃以
上で明らかに異なる。この金属組織上の違いが、脱水素
処理を行った後の磁粉の磁気的性質に大きく影響する。
さらに、脱水素化処理条件によって、正方晶Nd2Fe14B型
化合物の再結晶状態が大きく影響を受け、水素処理法に
よって作成した磁性粉の磁気的性質、特に保磁力に大き
く影響する。
さを変化させることなく、極微細結晶組織の集合体が得
られることを特徴とする。すなわち、正方晶Nd2Fe14B型
化合物に対し、高温、実際上は600℃〜900℃の温度範囲
でH2ガスと反応させると、RH2〜3、αFe、Fe2Bなどに相
分離し、さらに同温度域でH2ガスを脱H2処理により除去
すると、再度正方晶Nd2Fe14B型化合物の再結晶組織が得
られる。しかしながら、現実には、水素化処理条件によ
って分解生成物の結晶粒径、反応の度合いが異なり、水
素化状態の金属組織は、水素化温度750℃未満と750℃以
上で明らかに異なる。この金属組織上の違いが、脱水素
処理を行った後の磁粉の磁気的性質に大きく影響する。
さらに、脱水素化処理条件によって、正方晶Nd2Fe14B型
化合物の再結晶状態が大きく影響を受け、水素処理法に
よって作成した磁性粉の磁気的性質、特に保磁力に大き
く影響する。
【００１８】出発原料の粗粉砕法は、従来の機械的粉砕
法やガスアトマイズ法の他、Ｈ2吸蔵による、いわゆる
水素粉砕法を用いてもよく、工程の簡略化のためにこの
水素粉砕による粗粉砕工程と、極微細結晶を得るための
水素処理法を同一装置内で連続して行っても良い。
法やガスアトマイズ法の他、Ｈ2吸蔵による、いわゆる
水素粉砕法を用いてもよく、工程の簡略化のためにこの
水素粉砕による粗粉砕工程と、極微細結晶を得るための
水素処理法を同一装置内で連続して行っても良い。
【００１９】この発明において、粗粉砕粉の平均粒度を
５０μｍ〜５０００μｍに限定したのは、５０μｍ未満
では粉末の酸化による磁性劣化の恐れがあり、また５０
００μｍを超えると水素処理によって大きな磁気異方性
を持たせることが困難となるからである。
５０μｍ〜５０００μｍに限定したのは、５０μｍ未満
では粉末の酸化による磁性劣化の恐れがあり、また５０
００μｍを超えると水素処理によって大きな磁気異方性
を持たせることが困難となるからである。
【００２０】この発明における真空中または不活性ガス
中での昇温は、昇温速度、保持時間などを特に規定する
ものではなく、目的は７５０℃以下で水素ガスと試料を
反応させないことである。従って、７５０℃以下での処
理条件は、雰囲気以外は特に規定しない。なお、ここで
の不活性ガスとはＡｒガスまたはＨｅガスであって、通
常不活性ガスとして扱われることの多いＮ2ガスは、本
系原料と高温域で反応してしまうため、不活性ガスとし
ては好ましくない。
中での昇温は、昇温速度、保持時間などを特に規定する
ものではなく、目的は７５０℃以下で水素ガスと試料を
反応させないことである。従って、７５０℃以下での処
理条件は、雰囲気以外は特に規定しない。なお、ここで
の不活性ガスとはＡｒガスまたはＨｅガスであって、通
常不活性ガスとして扱われることの多いＮ2ガスは、本
系原料と高温域で反応してしまうため、不活性ガスとし
ては好ましくない。
【００２１】この発明において、Ｈ2ガス中での熱処理
に際し、Ｈ2ガス圧力が１０ｋＰａ未満では、前述の分
解反応が充分に進行せず、また１０００ｋＰａを超える
と処理設備が大きくなりすぎ、工業的にコスト面、また
安全面で好ましくないため、圧力範囲を１０ｋＰａ〜１
０００ｋＰａとした。さらに好ましい圧力範囲は５０ｋ
Ｐａ〜１５０ｋＰａである。
に際し、Ｈ2ガス圧力が１０ｋＰａ未満では、前述の分
解反応が充分に進行せず、また１０００ｋＰａを超える
と処理設備が大きくなりすぎ、工業的にコスト面、また
安全面で好ましくないため、圧力範囲を１０ｋＰａ〜１
０００ｋＰａとした。さらに好ましい圧力範囲は５０ｋ
Ｐａ〜１５０ｋＰａである。
【００２２】H2ガス中での加熱処理温度は、600℃未満
ではRH2〜3、αFe、Fe2Bなどへの分解反応が起こらな
い。また、600℃〜750℃の温度範囲では分解反応がほぼ
完全に進行してしまい、分解生物中に適量のR2T14B相が
残存せず、脱水素処理後に磁気的、また結晶方位的に充
分な異方性が得られない。また900℃を超えるとRH2〜3
が不安定となり、かつ生成物が粒成長して正方晶Nd2Fe
14B型化合物極微細結晶組織を得ることが困難になる。
水素化の温度範囲が750℃〜900℃の領域であれば、脱水
素時の再結晶反応の核となるR2T14B相が分散して適量残
存するため、脱水素後のR2T14B相の結晶方位が残存R2T
14B相によって決定され、結果的に再結晶組織の結晶方
位が原料インゴットの結晶方位と一致し、少なくとも原
料インゴットの結晶粒径の範囲内では大きな異方性を示
す事になる。そのため、水素化処理の温度範囲を750℃
〜900℃とする。また、加熱処理保持時間については、
上記の分解反応を充分に行わせるためには30分以上必要
であり、また、8時間を越えると残存R2T14B相が減少す
るため、脱水素後の異方性が低下するので好ましくな
い、よって、30分〜8時間の加熱保持とする。
ではRH2〜3、αFe、Fe2Bなどへの分解反応が起こらな
い。また、600℃〜750℃の温度範囲では分解反応がほぼ
完全に進行してしまい、分解生物中に適量のR2T14B相が
残存せず、脱水素処理後に磁気的、また結晶方位的に充
分な異方性が得られない。また900℃を超えるとRH2〜3
が不安定となり、かつ生成物が粒成長して正方晶Nd2Fe
14B型化合物極微細結晶組織を得ることが困難になる。
水素化の温度範囲が750℃〜900℃の領域であれば、脱水
素時の再結晶反応の核となるR2T14B相が分散して適量残
存するため、脱水素後のR2T14B相の結晶方位が残存R2T
14B相によって決定され、結果的に再結晶組織の結晶方
位が原料インゴットの結晶方位と一致し、少なくとも原
料インゴットの結晶粒径の範囲内では大きな異方性を示
す事になる。そのため、水素化処理の温度範囲を750℃
〜900℃とする。また、加熱処理保持時間については、
上記の分解反応を充分に行わせるためには30分以上必要
であり、また、8時間を越えると残存R2T14B相が減少す
るため、脱水素後の異方性が低下するので好ましくな
い、よって、30分〜8時間の加熱保持とする。
【００２３】この発明の脱H2処理時のH2分圧は、10kPa
を超えると下記の温度範囲、すなわち900℃以下ではRH
2〜3相の分解条件に至らないため、10kPa以下とする。
また好ましくは1Pa〜1kPaの範囲である。
を超えると下記の温度範囲、すなわち900℃以下ではRH
2〜3相の分解条件に至らないため、10kPa以下とする。
また好ましくは1Pa〜1kPaの範囲である。
【００２４】この発明において、脱H2処理の温度が700
℃未満では、RH2〜3相からのH2の離脱が起こらないか、
正方晶Nd2Fe14B型化合物の再結晶が充分進行しない。ま
た、900℃を超えると正方晶Nd2Fe14B型化合物は生成す
るが、再結晶粒が粗大に成長し、高い保磁力が得られな
い。そのため、脱H2処理の温度範囲は700℃〜900℃とす
る。
℃未満では、RH2〜3相からのH2の離脱が起こらないか、
正方晶Nd2Fe14B型化合物の再結晶が充分進行しない。ま
た、900℃を超えると正方晶Nd2Fe14B型化合物は生成す
るが、再結晶粒が粗大に成長し、高い保磁力が得られな
い。そのため、脱H2処理の温度範囲は700℃〜900℃とす
る。
【００２５】また、加熱処理保持時間は、処理設備の排
気能力にもよるが、上記の再結晶反応を充分に行わせる
ことも重要であり、少なくとも５分以上保持する必要が
あるが、２次的な再結晶反応によって結晶が粗大化すれ
ば保磁力の低下を招くので、できる限り短時間の方が好
ましい。そのため、５分〜８時間の加熱保持で充分であ
る。脱Ｈ2処理は、原料の酸化防止の観点から、また処
理設備の熱効率の観点で、水素化処理に引き続いて行う
のがよいが、水素化処理後、一旦原料を冷却して、再び
改めて脱Ｈ2の為の熱処理を行っても良い。
気能力にもよるが、上記の再結晶反応を充分に行わせる
ことも重要であり、少なくとも５分以上保持する必要が
あるが、２次的な再結晶反応によって結晶が粗大化すれ
ば保磁力の低下を招くので、できる限り短時間の方が好
ましい。そのため、５分〜８時間の加熱保持で充分であ
る。脱Ｈ2処理は、原料の酸化防止の観点から、また処
理設備の熱効率の観点で、水素化処理に引き続いて行う
のがよいが、水素化処理後、一旦原料を冷却して、再び
改めて脱Ｈ2の為の熱処理を行っても良い。
【００２６】脱Ｈ2処理後の正方晶Ｎｄ2Ｆｅ14Ｂ型化合
物の再結晶粒径は実質的に０．０５μｍ以下の平均再結
晶粒径を得ることは困難であり、またたとえ得られたと
しても磁気特性上の利点がない。一方、平均再結晶粒径
が１μｍを超えると、粉末の保磁力が低下するため好ま
しくない。そのため、平均再結晶粒径を０．０５μｍ〜
１μｍとした。
物の再結晶粒径は実質的に０．０５μｍ以下の平均再結
晶粒径を得ることは困難であり、またたとえ得られたと
しても磁気特性上の利点がない。一方、平均再結晶粒径
が１μｍを超えると、粉末の保磁力が低下するため好ま
しくない。そのため、平均再結晶粒径を０．０５μｍ〜
１μｍとした。
【００２７】
【作用】この発明は、Ｒ−Ｔ−（Ｍ）−Ｂ系永久磁石用
希土類合金粉末を水素処理法により製造する方法におい
て、真空中または不活性ガス中で昇温しＨ2ガス中で加
熱処理して、Ｒ水素化物、Ｔ−Ｂ化合物、Ｔ相、Ｒ2Ｔ
14Ｂ化合物の少なくとも４相の混合組織とすることによ
り、原料合金そのものが本質的に有する磁気異方性を完
全に達成し、さらに所定雰囲気で加熱保持する脱Ｈ2処
理を行い、極微細結晶で高保磁力を発揮するＲ−Ｔ−
（Ｍ）−Ｂ系永久磁石用異方性希土類合金粉末を処理量
にかかわらず量産性よく得ることができる。
希土類合金粉末を水素処理法により製造する方法におい
て、真空中または不活性ガス中で昇温しＨ2ガス中で加
熱処理して、Ｒ水素化物、Ｔ−Ｂ化合物、Ｔ相、Ｒ2Ｔ
14Ｂ化合物の少なくとも４相の混合組織とすることによ
り、原料合金そのものが本質的に有する磁気異方性を完
全に達成し、さらに所定雰囲気で加熱保持する脱Ｈ2処
理を行い、極微細結晶で高保磁力を発揮するＲ−Ｔ−
（Ｍ）−Ｂ系永久磁石用異方性希土類合金粉末を処理量
にかかわらず量産性よく得ることができる。
【００２８】
【実施例】実施例1
高周波誘導溶解法によって溶製して得られた表1に示すN
o.1〜12の組成の鋳塊を、1100℃、24時間、Ar雰囲気中
で焼鈍して、鋳塊中の正方晶Nd2Fe14B型化合物の体積比
を90%以上とした。この鋳塊を、Arガス雰囲気中(O2量0.
5%以下)でスタンプミルにて平均粒度500μmに粗粉砕し
た後、この粗粉砕粉を管状炉に入れ、1Pa以下にまで真
空排気した。真空排気には、ロータリーポンプおよび油
拡散ポンプを用いた。その後、表2に示す温度、圧力で
水素を導入し、水素導入後の昇温速度を5℃/minとし、
表2に示す水素化処理条件で水素化処理を行った。こう
して得た水素化原料を、引き続き表2に示す脱水素処理
条件に従って脱水素処理を行った。冷却後、原料温度が
50℃以下となったところで原料を取り出した。このとき
の磁性粉末の磁気特性を表2に示す。表2において、Isの
値は、Hex=0.8MA/mの時の磁化を示す。
o.1〜12の組成の鋳塊を、1100℃、24時間、Ar雰囲気中
で焼鈍して、鋳塊中の正方晶Nd2Fe14B型化合物の体積比
を90%以上とした。この鋳塊を、Arガス雰囲気中(O2量0.
5%以下)でスタンプミルにて平均粒度500μmに粗粉砕し
た後、この粗粉砕粉を管状炉に入れ、1Pa以下にまで真
空排気した。真空排気には、ロータリーポンプおよび油
拡散ポンプを用いた。その後、表2に示す温度、圧力で
水素を導入し、水素導入後の昇温速度を5℃/minとし、
表2に示す水素化処理条件で水素化処理を行った。こう
して得た水素化原料を、引き続き表2に示す脱水素処理
条件に従って脱水素処理を行った。冷却後、原料温度が
50℃以下となったところで原料を取り出した。このとき
の磁性粉末の磁気特性を表2に示す。表2において、Isの
値は、Hex=0.8MA/mの時の磁化を示す。
【００２９】実施例２
実施例１で用いたＮｏ．１２の原料粉を用いて、磁気的
性質の処理量依存性を調査した。原料粒度は５００μｍ
で、水素化処理は７５０℃で１００ｋＰａの水素を導入
し、水素導入後の昇温速度を１５℃／ｍｉｎとして８５
０℃で２時間、脱水素処理はＨ2分圧１ｋＰａとなるよ
うにバルブ操作をしながら８４０℃で２時間保持、冷却
条件はＡｒガス吹付冷却に条件を固定し、処理量を２ｇ
から２ｋｇまで変化させ、そのときの磁性粉末の残留磁
化Ｂｒ、保磁力Ｈｃｊ、磁化容易方向および困難方向の
磁化Ｉｓを処理量に対してグラフ化し、図１に示す。な
お、処理量の２ｋｇは実験装置の制約によるものであ
り、この発明の適用上限を示すものではない。また、磁
化は、外部磁界０．８ＭＡ／ｍでの値としてあり、磁化
容易方向と困難方向の値の差が大きいほど磁気的な異方
性が大きいことを示している。
性質の処理量依存性を調査した。原料粒度は５００μｍ
で、水素化処理は７５０℃で１００ｋＰａの水素を導入
し、水素導入後の昇温速度を１５℃／ｍｉｎとして８５
０℃で２時間、脱水素処理はＨ2分圧１ｋＰａとなるよ
うにバルブ操作をしながら８４０℃で２時間保持、冷却
条件はＡｒガス吹付冷却に条件を固定し、処理量を２ｇ
から２ｋｇまで変化させ、そのときの磁性粉末の残留磁
化Ｂｒ、保磁力Ｈｃｊ、磁化容易方向および困難方向の
磁化Ｉｓを処理量に対してグラフ化し、図１に示す。な
お、処理量の２ｋｇは実験装置の制約によるものであ
り、この発明の適用上限を示すものではない。また、磁
化は、外部磁界０．８ＭＡ／ｍでの値としてあり、磁化
容易方向と困難方向の値の差が大きいほど磁気的な異方
性が大きいことを示している。
【００３０】比較例
表1に示す実施例と同様の組成を有する12種類の組成の
粗粉砕粉について、この粗粉砕粉を管状炉に入れ、1Pa
以下にまで真空排気した。その後、表3に示す条件で水
素を導入し、表3に示す処理条件で水素化処理および脱
水素処理を行った。ここに示した水素導入前の昇温速
度、水素化条件及び脱水素処理時の水素分圧または処理
温度がこの発明の範囲外である。このときの磁性粉末の
磁気特性を表3に示す。
粗粉砕粉について、この粗粉砕粉を管状炉に入れ、1Pa
以下にまで真空排気した。その後、表3に示す条件で水
素を導入し、表3に示す処理条件で水素化処理および脱
水素処理を行った。ここに示した水素導入前の昇温速
度、水素化条件及び脱水素処理時の水素分圧または処理
温度がこの発明の範囲外である。このときの磁性粉末の
磁気特性を表3に示す。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【表２】
【００３３】
【表３】
【００３４】
【発明の効果】この発明によるR-T-(M)-B系永久磁石用
異方性希土類合金粉末の製造方法は、R-T-(M)-B合金の
粗粉砕粉を、真空中または不活性ガス中で750℃以上の
温度域まで昇温した後、水素ガスを導入して750℃〜900
℃で水素中の熱処理を行うことにより、再結晶時の結晶
方位を決める核としてのR2T14B相を適量残存させること
ができ、引き続きH2分圧10kPa以下にて700℃〜900℃で
脱水素熱処理を行って冷却することにより、高い保磁力
と大きな磁気異方性を同時に有する、ボンド磁石および
焼鈍磁石原料として最適なR-T-(M)-B系永久磁石用異方
性希土類合金粉末を安定して得ることができる。
異方性希土類合金粉末の製造方法は、R-T-(M)-B合金の
粗粉砕粉を、真空中または不活性ガス中で750℃以上の
温度域まで昇温した後、水素ガスを導入して750℃〜900
℃で水素中の熱処理を行うことにより、再結晶時の結晶
方位を決める核としてのR2T14B相を適量残存させること
ができ、引き続きH2分圧10kPa以下にて700℃〜900℃で
脱水素熱処理を行って冷却することにより、高い保磁力
と大きな磁気異方性を同時に有する、ボンド磁石および
焼鈍磁石原料として最適なR-T-(M)-B系永久磁石用異方
性希土類合金粉末を安定して得ることができる。
【図１】磁性粉末の保磁力、磁化容易方向および困難方
向の磁化の変化を処理量に対して表したグラフである。
向の磁化の変化を処理量に対して表したグラフである。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 広沢 哲
大阪府三島郡島本町江川２丁目15ー17
住友特殊金属株式会社 山崎製作所内
(72)発明者 富田 俊郎
大阪府大阪市中央区北浜４丁目５番33号
住友金属工業株式会社内
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
B22F 9/04
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｒ：１０〜２０ａｔ％（Ｒ：Ｙを含む希
土類元素の少なくとも１種で、かつＰｒまたはＮｄの１
種または２種をＲのうち５０ａｔ％以上含有）、Ｔ：６
７〜８５ａｔ％（Ｔ：ＦｅまたはＦｅの一部を５０ａｔ
％以下のＣｏで置換）、Ｂ：４〜１０ａｔ％である合金
鋳塊を粗粉砕して、平均粒度が５０μｍ〜５０００μｍ
の少なくとも８０ｖｏｌ％以上が正方晶構造Ｎｄ2Ｆｅ
14Ｂ型化合物からなる粗粉砕粉となした後、前記粗粉砕
粉を原料粉末としてこれを真空中または不活性ガス中で
温度７５０℃以上の温度域に昇温した後、炉内に１０ｋ
Ｐａ〜１０００ｋＰａのＨ2ガスを導入して、前記水素
ガス中で７５０℃〜９００℃に３０分〜８時間加熱保持
し、組織をＲ水素化物、Ｔ−Ｂ化合物、Ｔ相、Ｒ2Ｔ14
Ｂ化合物の少なくとも４相の混合組織とした後、さらに
Ｈ2分圧１０ｋＰａ以下にて７００℃〜９００℃に５分
〜８時間の保持をする脱Ｈ2処理を行い、ついで冷却し
て平均結晶粒径が０．０５μｍ〜１μｍである磁気的に
異方性を有する合金粉末を得ることを特徴とする永久磁
石用希土類合金粉末の製造方法。 - 【請求項２】 Ｒ：１０〜２０ａｔ％（Ｒ：Ｙを含む希
土類元素の少なくとも１種で、かつＰｒまたはＮｄの１
種または２種をＲのうち５０ａｔ％以上含有）、Ｔ：６
７〜８５ａｔ％（Ｔ：ＦｅまたはＦｅの一部を５０ａｔ
％以下のＣｏで置換）、Ｍ：１０ａｔ％以下（Ｍ：Ａ
ｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｉｎ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのうち１種または２種以
上）、Ｂ：４〜１０ａｔ％である合金鋳塊を粗粉砕して
平均粒度が５０μｍ〜５０００μｍの少なくとも８０ｖ
ｏｌ％以上が正方晶構造Ｎｄ2Ｆｅ14Ｂ型化合物からな
る粗粉砕粉となした後、前記粗粉砕粉を原料粉末として
これを真空中または不活性ガス中で温度７５０℃以上の
温度域に昇温した後、炉内に１０ｋＰａ〜１０００ｋＰ
ａのＨ2ガスを導入して、前記水素ガス雰囲気中で７５
０℃〜９００℃に３０分〜８時間加熱保持し、組織をＲ
水素化物、Ｔ−Ｂ化合物、Ｔ相、Ｒ2Ｔ14Ｂ化合物の少
なくとも４相の混合組織とした後、さらにＨ2分圧１０
ｋＰａ以下にて７００℃〜９００℃に５分〜８時間の保
持をする脱Ｈ2処理を行い、ついで冷却して平均結晶粒
径が０．０５μｍ〜１μｍである磁気的に異方性を有す
る合金粉末を得ることを特徴とする永久磁石用希土類合
金粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18007393A JP3368295B2 (ja) | 1992-09-02 | 1993-06-25 | 永久磁石用異方性希土類合金粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26090392 | 1992-09-02 | ||
| JP4-260903 | 1992-09-02 | ||
| JP18007393A JP3368295B2 (ja) | 1992-09-02 | 1993-06-25 | 永久磁石用異方性希土類合金粉末の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06128610A JPH06128610A (ja) | 1994-05-10 |
| JP3368295B2 true JP3368295B2 (ja) | 2003-01-20 |
Family
ID=26499725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP18007393A Expired - Lifetime JP3368295B2 (ja) | 1992-09-02 | 1993-06-25 | 永久磁石用異方性希土類合金粉末の製造方法 |
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