JP3364115B2 - 感熱式流量検出素子 - Google Patents
感熱式流量検出素子Info
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- measuring element
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
- G01F1/688—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element
- G01F1/69—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element of resistive type
- G01F1/692—Thin-film arrangements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
- G01F1/6845—Micromachined devices
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
- F02M—SUPPLYING COMBUSTION ENGINES IN GENERAL WITH COMBUSTIBLE MIXTURES OR CONSTITUENTS THEREOF
- F02M35/00—Combustion-air cleaners, air intakes, intake silencers, or induction systems specially adapted for, or arranged on, internal-combustion engines
- F02M35/10—Air intakes; Induction systems
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Measuring Volume Flow (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば内燃機関
の吸入空気量を計測する流量検出素子および流量センサ
に関し、特に発熱体を備え、該発熱体あるいは発熱体に
よって加熱された部分から、流体への熱伝達現象に基づ
いて流体の流速あるいは流量を計測する流量検出素子に
関する。
の吸入空気量を計測する流量検出素子および流量センサ
に関し、特に発熱体を備え、該発熱体あるいは発熱体に
よって加熱された部分から、流体への熱伝達現象に基づ
いて流体の流速あるいは流量を計測する流量検出素子に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図２６は例えば特開平６−２４９６９３
号公報に記載された従来の感熱式流量検出素子を示す平
面図、図２７は図２６のＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ矢視断
面図である。各図において、絶縁性の支持膜２３ａ、２
３ｂがシリコンからなる平板状基板１の一面上に分離さ
れて形成されている。そして、発熱素子としての発熱抵
抗素子４が支持膜２３ａ上に形成されている。また、流
体測温素子７が支持膜２３ｂ上に形成されている。さら
に、発熱抵抗素子４および流体測温素子７の下部の平板
状基板１にそれぞれ空気スペース２７ａ、２７ｂが設け
られている。これらの空気スペース２７ａ、２７ｂは、
平板状基板１の他面側から支持膜２３ａ、２３ｂを痛め
ないエッチング液を用いてエッチングし、平板状基板１
の一部を支持膜２３ａ、２３ｂに達するまで除去して形
成されている。また、平板状基板１の一面上には端子２
８が設けられ、発熱抵抗素子４および流体測温素子７が
導体路２９を介して電極端子２８に接続されている。
号公報に記載された従来の感熱式流量検出素子を示す平
面図、図２７は図２６のＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ矢視断
面図である。各図において、絶縁性の支持膜２３ａ、２
３ｂがシリコンからなる平板状基板１の一面上に分離さ
れて形成されている。そして、発熱素子としての発熱抵
抗素子４が支持膜２３ａ上に形成されている。また、流
体測温素子７が支持膜２３ｂ上に形成されている。さら
に、発熱抵抗素子４および流体測温素子７の下部の平板
状基板１にそれぞれ空気スペース２７ａ、２７ｂが設け
られている。これらの空気スペース２７ａ、２７ｂは、
平板状基板１の他面側から支持膜２３ａ、２３ｂを痛め
ないエッチング液を用いてエッチングし、平板状基板１
の一部を支持膜２３ａ、２３ｂに達するまで除去して形
成されている。また、平板状基板１の一面上には端子２
８が設けられ、発熱抵抗素子４および流体測温素子７が
導体路２９を介して電極端子２８に接続されている。
【０００３】図２５に示される温度制御回路は、発熱抵
抗素子４の温度を、流体測温素子７によって検出される
周囲温度よりも高い一定の温度に保つためのホイートス
トンブリッジ回路により構成されている。このホイート
ストンブリッジ回路は、発熱抵抗素子４と抵抗２１ｂに
より一辺を、流体測温素子７と抵抗２１ａにより一辺を
構成している。そして、差動増幅器２２は、出力の電位
を変化させることでブリッジ回路がバランスするように
動作し、発熱抵抗素子４で消費される電力を一定に保つ
ようにする。ここでは、発熱抵抗素子４の温度が、流体
測温素子７で検出された周囲温度より２００℃高い温度
に維持されるように制御される。
抗素子４の温度を、流体測温素子７によって検出される
周囲温度よりも高い一定の温度に保つためのホイートス
トンブリッジ回路により構成されている。このホイート
ストンブリッジ回路は、発熱抵抗素子４と抵抗２１ｂに
より一辺を、流体測温素子７と抵抗２１ａにより一辺を
構成している。そして、差動増幅器２２は、出力の電位
を変化させることでブリッジ回路がバランスするように
動作し、発熱抵抗素子４で消費される電力を一定に保つ
ようにする。ここでは、発熱抵抗素子４の温度が、流体
測温素子７で検出された周囲温度より２００℃高い温度
に維持されるように制御される。
【０００４】このように構成された流量検出素子では、
発熱抵抗素子４は端子２８および導体路２９によって印
加される電流によって加熱される。その際、発熱抵抗素
子４は抵抗が温度とともに変化するように設計されてい
る。この発熱抵抗素子４は、流過する流体によって冷却
される。そして、この冷却の程度は流過する流体の質量
流に依存する。そこで、発熱抵抗素子の電気抵抗を測定
することによって、流体の流れの強さが決定される。
発熱抵抗素子４は端子２８および導体路２９によって印
加される電流によって加熱される。その際、発熱抵抗素
子４は抵抗が温度とともに変化するように設計されてい
る。この発熱抵抗素子４は、流過する流体によって冷却
される。そして、この冷却の程度は流過する流体の質量
流に依存する。そこで、発熱抵抗素子の電気抵抗を測定
することによって、流体の流れの強さが決定される。
【０００５】このように構成された流量検出素子では、
発熱抵抗素子４で発生した熱が支持膜２３ａ、２３ｂお
よび平板状基板１を介して流体測温素子７まで伝導する
ことから、流体測温素子７は発熱抵抗素子４からの熱影
響を受けない位置に設けられる。そして、発熱抵抗素子
４の下部に空気スペース２７ａが設けられて、ダイヤフ
ラム構造となっているので、計測流体の流量や流速の変
化に迅速に応答できるようになっている。また、流体測
温素子７の下部に空気スペース２７ｂが設けられている
ので、計測すべき流体の温度変化に迅速に応答できるよ
うになっている。
発熱抵抗素子４で発生した熱が支持膜２３ａ、２３ｂお
よび平板状基板１を介して流体測温素子７まで伝導する
ことから、流体測温素子７は発熱抵抗素子４からの熱影
響を受けない位置に設けられる。そして、発熱抵抗素子
４の下部に空気スペース２７ａが設けられて、ダイヤフ
ラム構造となっているので、計測流体の流量や流速の変
化に迅速に応答できるようになっている。また、流体測
温素子７の下部に空気スペース２７ｂが設けられている
ので、計測すべき流体の温度変化に迅速に応答できるよ
うになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の感熱式流量検出
素子は、発熱抵抗素子４から構成されるセンサ部をダイ
ヤフラム構造として、計測流体の流量や流速の変化に迅
速に応答できるようにしている。さらに、平板状基板１
に支持膜２３ｂまで達する空気スペース２７ｂを設け
て、流体測温素子７の熱容量を小さくし、計測流体の温
度変化にも迅速に応答できるようにしている。しかしな
がら、平板状基板１に支持膜２３ａ、２３ｂまで達する
２つの空気スペース２７ａ、２７ｂを設けているので、
平板状基板１の強度が著しく低下し、流量検出素子の信
頼性が低下するという課題があった。このように、従来
の流量検出素子では、計測流体の流量や流速の変化に対
する応答性および計測流体の温度変化に対する応答性を
向上させるために、平板状基板１に支持膜２３ａ、２３
ｂに達する２つの空気スペース２７ａ、２７ｂを設けて
おり、強度的な信頼性を確保した流量検出素子の設計が
困難であった。また、流体測温素子７の強度的な信頼性
を確保するために、流体測温素子７下部の空気スペース
２７ｂを廃止すれば、流体測温素子７の熱容量が大きく
なり、流体測温素子７の流体温度変化に対する応答性が
低下してしまう。そして、発熱抵抗素子４は流体測温素
子７で検出された温度より２００℃高い温度になるよう
に制御されるため、流体測温素子７の流体温度に対する
応答が遅れると、発熱抵抗素子４の温度制御も遅れるこ
とになり、流量検出素子を組み込んだ流量センサの応答
性を低下させることになる。また、発熱抵抗素子４と流
体測温素子７との距離が短く、流体測温素子７が発熱抵
抗素子３からの熱影響を受けると、発熱抵抗素子４で発
生した熱により流体測温素子７の温度が上昇してしま
う。そして、発熱抵抗素子４の温度が上昇した流体測温
素子７の温度をもとに制御されることになり、発熱抵抗
素子４が熱暴走してしまう。そこで、流体測温素子７は
発熱抵抗素子４からの熱影響を受けないように発熱抵抗
素子４から所定の距離離して設ける必要があり、小型化
が図れなかった。例えば、自動車内燃機関の吸入空気量
を計測する場合、走行中、例えばトンネルの出入口等吸
入空気温度が急激に変化する場合にも、正確な温度を検
出する必要がある。そのため、流量検出素子には、吸入
空気温度に対する良好な応答性が要求される。さらに、
吸入空気の最大流量が２００ｍ／ｓ近くに達する場合も
あることから、流量検出素子には所定の強度が要求され
る。しかしながら、従来の流量検出素子は、応答性を向
上させるためには強度を落とさねばならず、内燃機関の
吸入空気量の計測に適した設計が非常に困難であった。
素子は、発熱抵抗素子４から構成されるセンサ部をダイ
ヤフラム構造として、計測流体の流量や流速の変化に迅
速に応答できるようにしている。さらに、平板状基板１
に支持膜２３ｂまで達する空気スペース２７ｂを設け
て、流体測温素子７の熱容量を小さくし、計測流体の温
度変化にも迅速に応答できるようにしている。しかしな
がら、平板状基板１に支持膜２３ａ、２３ｂまで達する
２つの空気スペース２７ａ、２７ｂを設けているので、
平板状基板１の強度が著しく低下し、流量検出素子の信
頼性が低下するという課題があった。このように、従来
の流量検出素子では、計測流体の流量や流速の変化に対
する応答性および計測流体の温度変化に対する応答性を
向上させるために、平板状基板１に支持膜２３ａ、２３
ｂに達する２つの空気スペース２７ａ、２７ｂを設けて
おり、強度的な信頼性を確保した流量検出素子の設計が
困難であった。また、流体測温素子７の強度的な信頼性
を確保するために、流体測温素子７下部の空気スペース
２７ｂを廃止すれば、流体測温素子７の熱容量が大きく
なり、流体測温素子７の流体温度変化に対する応答性が
低下してしまう。そして、発熱抵抗素子４は流体測温素
子７で検出された温度より２００℃高い温度になるよう
に制御されるため、流体測温素子７の流体温度に対する
応答が遅れると、発熱抵抗素子４の温度制御も遅れるこ
とになり、流量検出素子を組み込んだ流量センサの応答
性を低下させることになる。また、発熱抵抗素子４と流
体測温素子７との距離が短く、流体測温素子７が発熱抵
抗素子３からの熱影響を受けると、発熱抵抗素子４で発
生した熱により流体測温素子７の温度が上昇してしま
う。そして、発熱抵抗素子４の温度が上昇した流体測温
素子７の温度をもとに制御されることになり、発熱抵抗
素子４が熱暴走してしまう。そこで、流体測温素子７は
発熱抵抗素子４からの熱影響を受けないように発熱抵抗
素子４から所定の距離離して設ける必要があり、小型化
が図れなかった。例えば、自動車内燃機関の吸入空気量
を計測する場合、走行中、例えばトンネルの出入口等吸
入空気温度が急激に変化する場合にも、正確な温度を検
出する必要がある。そのため、流量検出素子には、吸入
空気温度に対する良好な応答性が要求される。さらに、
吸入空気の最大流量が２００ｍ／ｓ近くに達する場合も
あることから、流量検出素子には所定の強度が要求され
る。しかしながら、従来の流量検出素子は、応答性を向
上させるためには強度を落とさねばならず、内燃機関の
吸入空気量の計測に適した設計が非常に困難であった。
【０００７】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたもので、流体測温素子の強度的な信頼性
を確保しながら流体温度変化に対する応答性を向上で
き、さらには小型化が可能な感熱式流量検出素子を得る
ことを目的とする。
ためになされたもので、流体測温素子の強度的な信頼性
を確保しながら流体温度変化に対する応答性を向上で
き、さらには小型化が可能な感熱式流量検出素子を得る
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明の感熱式流量検
出素子は、少なくとも流体が流通する一面側に開口を有
する空隙が設けられた平板状基板と、上記平板状基板の
一面側に設けられた絶縁支持膜と、上記絶縁支持膜上の
上記開口上に設けられた上記流体を加熱する発熱素子及
び上記流体の温度を検出する感熱素子からなるセンサ部
と、上記平板状基板上の一面側に上記センサ部から離れ
て設けられ上記流体の温度を検出する流体測温素子とを
有し、上記発熱素子の発熱温度を上記流体測温素子の検
出温度より所定の温度差だけ高く維持し、上記感熱素子
の検出温度に基づき上記流体の流量又は流速を計測する
感熱式流量検出素子において、上記流体測温素子の配置
領域の下部に上記平板状基板上に上記平板状基板の他面
から一面側までは達しないように上記平板状基板の一部
を除去して形成された第１の切欠を設けたものである。
出素子は、少なくとも流体が流通する一面側に開口を有
する空隙が設けられた平板状基板と、上記平板状基板の
一面側に設けられた絶縁支持膜と、上記絶縁支持膜上の
上記開口上に設けられた上記流体を加熱する発熱素子及
び上記流体の温度を検出する感熱素子からなるセンサ部
と、上記平板状基板上の一面側に上記センサ部から離れ
て設けられ上記流体の温度を検出する流体測温素子とを
有し、上記発熱素子の発熱温度を上記流体測温素子の検
出温度より所定の温度差だけ高く維持し、上記感熱素子
の検出温度に基づき上記流体の流量又は流速を計測する
感熱式流量検出素子において、上記流体測温素子の配置
領域の下部に上記平板状基板上に上記平板状基板の他面
から一面側までは達しないように上記平板状基板の一部
を除去して形成された第１の切欠を設けたものである。
【０００９】また、切欠が流体測温素子の配置領域の外
周部に平板状基板の一面側に形成されているものであ
る。
周部に平板状基板の一面側に形成されているものであ
る。
【００１０】また、切欠が流体測温素子の配置領域の外
周部に平板状基板の他面側に形成されているものであ
る。
周部に平板状基板の他面側に形成されているものであ
る。
【００１１】また、この発明の感熱式流量検出素子は、
少なくとも流体が流通する一面側に開口を有する空隙が
設けられた平板状基板と、上記平板状基板の一面側に設
けられた絶縁支持膜と、上記絶縁支持膜上の上記開口上
に設けられた上記流体を加熱する発熱素子及び上記流体
の温度を検出する感熱素子からなるセンサ部と、上記平
板状基板上の一面側に上記センサ部から離れて設けられ
上記流体の温度を検出する流体測温素子とを有し、上記
発熱素子の発熱温度を上記流体測温素子の検出温度より
所定の温度差だけ高く維持し、上記感熱素子の検出温度
に基づき上記流体の流量又は流速を計測する感熱式流量
検出素子において、上記流体測温素子の配置領域の外周
部に上記平板状基板の他面から一面側までは達しないよ
うに上記平板状基板の一部を除去して形成された第１の
切欠を設けたものである。
少なくとも流体が流通する一面側に開口を有する空隙が
設けられた平板状基板と、上記平板状基板の一面側に設
けられた絶縁支持膜と、上記絶縁支持膜上の上記開口上
に設けられた上記流体を加熱する発熱素子及び上記流体
の温度を検出する感熱素子からなるセンサ部と、上記平
板状基板上の一面側に上記センサ部から離れて設けられ
上記流体の温度を検出する流体測温素子とを有し、上記
発熱素子の発熱温度を上記流体測温素子の検出温度より
所定の温度差だけ高く維持し、上記感熱素子の検出温度
に基づき上記流体の流量又は流速を計測する感熱式流量
検出素子において、上記流体測温素子の配置領域の外周
部に上記平板状基板の他面から一面側までは達しないよ
うに上記平板状基板の一部を除去して形成された第１の
切欠を設けたものである。
【００１２】また、良熱伝導材からなる薄膜が、流体測
温素子の上部に該流体測温素子と電気的に絶縁されて設
けられているものである。
温素子の上部に該流体測温素子と電気的に絶縁されて設
けられているものである。
【００１３】また、平板状基板の一部を除去して形成さ
れた第２の切欠がセンサ部と流体測温素子との間の上記
平板状基板の部位に、上記センサ部から上記流体測温素
子への熱伝導経路を遮るように設けられているものであ
る。
れた第２の切欠がセンサ部と流体測温素子との間の上記
平板状基板の部位に、上記センサ部から上記流体測温素
子への熱伝導経路を遮るように設けられているものであ
る。
【００１４】また、第２の切欠が平板状基板の他面側に
形成されているものである。
形成されているものである。
【００１５】また、第２の切欠が平板状基板の一面側に
形成されているものである。
形成されているものである。
【００１６】また、低熱伝導材からなる熱伝導抑制材が
センサ部と流体測温素子との間に、上記センサ部から上
記流体測温素子への熱伝導経路を遮るように設けられて
いるものである。
センサ部と流体測温素子との間に、上記センサ部から上
記流体測温素子への熱伝導経路を遮るように設けられて
いるものである。
【００１７】また、この発明の感熱式流量検出素子は、
少なくとも流体が流通する一面側に開口を有する空隙が
設けられた平板状基板と、上記平板状基板の一面側に設
けられた絶縁支持膜と、上記絶縁支持膜上の上記開口上
に設けられた上記流体を加熱する発熱素子及び上記流体
の温度を検出する感熱素子からなるセンサ部と、上記平
板状基板上の一面側に上記センサ部から離れて設けられ
上記流体の温度を検出する流体測温素子とを有し、上記
発熱素子の発熱温度を上記流体測温素子の検出温度より
所定の温度差だけ高く維持し、上記感熱素子の検出温度
に基づき上記流体の流量又は流速を計測する感熱式流量
検出素子において、良熱伝導材からなる被膜が上記流体
測温素子の上部に該流体測温素子と電気的に絶縁されて
設けられているものである。
少なくとも流体が流通する一面側に開口を有する空隙が
設けられた平板状基板と、上記平板状基板の一面側に設
けられた絶縁支持膜と、上記絶縁支持膜上の上記開口上
に設けられた上記流体を加熱する発熱素子及び上記流体
の温度を検出する感熱素子からなるセンサ部と、上記平
板状基板上の一面側に上記センサ部から離れて設けられ
上記流体の温度を検出する流体測温素子とを有し、上記
発熱素子の発熱温度を上記流体測温素子の検出温度より
所定の温度差だけ高く維持し、上記感熱素子の検出温度
に基づき上記流体の流量又は流速を計測する感熱式流量
検出素子において、良熱伝導材からなる被膜が上記流体
測温素子の上部に該流体測温素子と電気的に絶縁されて
設けられているものである。
【００１８】また、この発明の感熱式流量検出素子は、
少なくとも流体が流通する一面側に開口を有する空隙が
設けられた平板状基板と、上記平板状基板の一面側に設
けられた絶縁支持膜と、上記絶縁支持膜上の上記開口上
に設けられた上記流体を加熱する発熱素子及び上記流体
の温度を検出する感熱素子からなるセンサ部と、上記平
板状基板上の一面側に上記センサ部から離れて設けられ
上記流体の温度を検出する流体測温素子とを有し、上記
発熱素子の発熱温度を上記流体測温素子の検出温度より
所定の温度差だけ高く維持し、上記感熱素子の検出温度
に基づき上記流体の流量又は流速を計測する感熱式流量
検出素子において、上記平板状基板の他面から一面側ま
では達しないように上記平板状基板の一部を除去して形
成された切欠が上記センサ部と上記流体測温素子との間
の上記平板状基板の部位に、上記センサ部から上記流体
測温素子への熱伝導経路を遮るように設けられているも
のである。
少なくとも流体が流通する一面側に開口を有する空隙が
設けられた平板状基板と、上記平板状基板の一面側に設
けられた絶縁支持膜と、上記絶縁支持膜上の上記開口上
に設けられた上記流体を加熱する発熱素子及び上記流体
の温度を検出する感熱素子からなるセンサ部と、上記平
板状基板上の一面側に上記センサ部から離れて設けられ
上記流体の温度を検出する流体測温素子とを有し、上記
発熱素子の発熱温度を上記流体測温素子の検出温度より
所定の温度差だけ高く維持し、上記感熱素子の検出温度
に基づき上記流体の流量又は流速を計測する感熱式流量
検出素子において、上記平板状基板の他面から一面側ま
では達しないように上記平板状基板の一部を除去して形
成された切欠が上記センサ部と上記流体測温素子との間
の上記平板状基板の部位に、上記センサ部から上記流体
測温素子への熱伝導経路を遮るように設けられているも
のである。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
について説明する。 実施の形態１． 図１はこの発明の実施の形態１に係る流量検出素子を示
す平面図、図２は図１のＩＩ−ＩＩ矢視断面図である。
各図において、絶縁性の支持膜２が平板状基板１の表面
上に形成されている。そして、発熱素子としての格子状
の発熱抵抗素子４が支持膜２上に形成されている。ま
た、感熱素子としての格子状の測温抵抗素子５、６が発
熱抵抗素子４の両側に位置するように支持膜２上に形成
されている。さらに、絶縁性の保護膜３が発熱抵抗素子
４および一対の測温抵抗素子５、６を覆うように支持膜
２上に形成されている。ここで、発熱抵抗素子４および
一対の測温抵抗素子５、６が支持膜２と保護膜３とによ
り包まれてセンサ部１０を構成している。そして、セン
サ部１０は、発熱抵抗素子４の中心に対して対称に構成
されている。また、空隙としてのエッチングホール８が
平板状基板１のセンサ部１０の下部に設けられている。
このエッチングホール８は、平板状基板１の裏面上に形
成された例えばフォトレジスト（図示せず）をマスクと
してアルカリエッチングが施されて、平板状基板１の一
部を支持膜２に達するように除去して形成されている。
そこで、センサ部１０はその全周が平板状基板１に保持
されてダイヤフラム構造を構成し、平板状基板１と非接
触状態となっている。また、格子状の流体測温素子７が
センサ部１０から離れた位置の支持膜２上に形成され、
その上から保護膜３が被覆されている。また、第１の切
欠としての切欠９ａが流体測温素子７の近傍、即ち流体
測温素子７の下部の平板状基板１に設けられている。こ
の切欠９ａは、平板状基板１の裏面上に形成された例え
ばフォトレジスト（図示せず）をマスクとしてアルカリ
エッチングが施されて、平板状基板１の一部を支持膜２
に達しないように除去して形成されている。さらに、導
体路２９が流体測温素子７、発熱抵抗素子４および一対
の測温抵抗素子５、６のそれぞれの格子状パターンの各
端部から延出されており、各導体路２９の端部上の保護
膜３が取り除かれて電極端子２８を形成している。
について説明する。 実施の形態１． 図１はこの発明の実施の形態１に係る流量検出素子を示
す平面図、図２は図１のＩＩ−ＩＩ矢視断面図である。
各図において、絶縁性の支持膜２が平板状基板１の表面
上に形成されている。そして、発熱素子としての格子状
の発熱抵抗素子４が支持膜２上に形成されている。ま
た、感熱素子としての格子状の測温抵抗素子５、６が発
熱抵抗素子４の両側に位置するように支持膜２上に形成
されている。さらに、絶縁性の保護膜３が発熱抵抗素子
４および一対の測温抵抗素子５、６を覆うように支持膜
２上に形成されている。ここで、発熱抵抗素子４および
一対の測温抵抗素子５、６が支持膜２と保護膜３とによ
り包まれてセンサ部１０を構成している。そして、セン
サ部１０は、発熱抵抗素子４の中心に対して対称に構成
されている。また、空隙としてのエッチングホール８が
平板状基板１のセンサ部１０の下部に設けられている。
このエッチングホール８は、平板状基板１の裏面上に形
成された例えばフォトレジスト（図示せず）をマスクと
してアルカリエッチングが施されて、平板状基板１の一
部を支持膜２に達するように除去して形成されている。
そこで、センサ部１０はその全周が平板状基板１に保持
されてダイヤフラム構造を構成し、平板状基板１と非接
触状態となっている。また、格子状の流体測温素子７が
センサ部１０から離れた位置の支持膜２上に形成され、
その上から保護膜３が被覆されている。また、第１の切
欠としての切欠９ａが流体測温素子７の近傍、即ち流体
測温素子７の下部の平板状基板１に設けられている。こ
の切欠９ａは、平板状基板１の裏面上に形成された例え
ばフォトレジスト（図示せず）をマスクとしてアルカリ
エッチングが施されて、平板状基板１の一部を支持膜２
に達しないように除去して形成されている。さらに、導
体路２９が流体測温素子７、発熱抵抗素子４および一対
の測温抵抗素子５、６のそれぞれの格子状パターンの各
端部から延出されており、各導体路２９の端部上の保護
膜３が取り除かれて電極端子２８を形成している。
【００２０】ここで、平板状基板１としては、半導体、
その中でも特に精密なエッチング技術を応用できる点
と、チップの生産性の高いシリコンが用いられる。ま
た、支持膜２および保護膜３としては、非常に優れた熱
的絶縁体である窒化シリコンが用いられる。さらに、発
熱抵抗素子４、測温抵抗素子５、６および流体測温素子
７としては、白金が用いられる。
その中でも特に精密なエッチング技術を応用できる点
と、チップの生産性の高いシリコンが用いられる。ま
た、支持膜２および保護膜３としては、非常に優れた熱
的絶縁体である窒化シリコンが用いられる。さらに、発
熱抵抗素子４、測温抵抗素子５、６および流体測温素子
７としては、白金が用いられる。
【００２１】この流量検出素子を作製するには、まずシ
リコンからなる平板状基板１の一面（表面）の全面にス
パッタリング、真空蒸着、ＣＶＤ等の成膜方法により窒
化シリコンを２μｍ着膜し、支持膜２を形成する。そし
て、支持膜２上の全面にスパッタリング、真空蒸着等の
成膜方法により白金を０．２μｍ着膜し、写真製版技術
およびエッチング技術により白金被膜をパターニング
し、パターン幅５μｍ、パターン間隔５μｍの格子状の
発熱抵抗素子４、測温抵抗素子５、６および流体測温素
子７を形成する。ついで、支持膜２上の全面にスパッタ
リング、真空蒸着、ＣＶＤ等の成膜方法により窒化シリ
コンを２μｍ着膜し、保護膜３を形成する。その後、写
真製版技術およびエッチング技術により、発熱抵抗素子
４、測温抵抗素子５、６および流体測温素子７の各導体
路２９の端部上の保護膜３を除去し、電極端子２８を形
成する。また、フォトレジストを平板状基板１の他面
（裏面）の全面に塗布し、写真製版技術およびエッチン
グ技術により、センサ部１０および流体測温素子７の配
置領域をカバーするようにフォトレジストを取り除き、
矩形状の開口を形成する。ついで、該開口から平板状基
板１をエッチングして、エッチングホール８および切欠
９ａを形成した後、フォトレジストを除去して、図１お
よび図２に示される流量検出素子が得られる。ここで、
フォトレジストに形成された矩形状の開口の大きさによ
り、エッチング深さが制御できる。そして、流体測温素
子７の配置領域の下部に設けられた開口の大きさはセン
サ部１０の配置領域の下部に設けられた開口に比べ、小
さいので、支持膜２に達するエッチングホール８が形成
されると同時に、支持膜２に達しない切欠９ａが形成さ
れる。
リコンからなる平板状基板１の一面（表面）の全面にス
パッタリング、真空蒸着、ＣＶＤ等の成膜方法により窒
化シリコンを２μｍ着膜し、支持膜２を形成する。そし
て、支持膜２上の全面にスパッタリング、真空蒸着等の
成膜方法により白金を０．２μｍ着膜し、写真製版技術
およびエッチング技術により白金被膜をパターニング
し、パターン幅５μｍ、パターン間隔５μｍの格子状の
発熱抵抗素子４、測温抵抗素子５、６および流体測温素
子７を形成する。ついで、支持膜２上の全面にスパッタ
リング、真空蒸着、ＣＶＤ等の成膜方法により窒化シリ
コンを２μｍ着膜し、保護膜３を形成する。その後、写
真製版技術およびエッチング技術により、発熱抵抗素子
４、測温抵抗素子５、６および流体測温素子７の各導体
路２９の端部上の保護膜３を除去し、電極端子２８を形
成する。また、フォトレジストを平板状基板１の他面
（裏面）の全面に塗布し、写真製版技術およびエッチン
グ技術により、センサ部１０および流体測温素子７の配
置領域をカバーするようにフォトレジストを取り除き、
矩形状の開口を形成する。ついで、該開口から平板状基
板１をエッチングして、エッチングホール８および切欠
９ａを形成した後、フォトレジストを除去して、図１お
よび図２に示される流量検出素子が得られる。ここで、
フォトレジストに形成された矩形状の開口の大きさによ
り、エッチング深さが制御できる。そして、流体測温素
子７の配置領域の下部に設けられた開口の大きさはセン
サ部１０の配置領域の下部に設けられた開口に比べ、小
さいので、支持膜２に達するエッチングホール８が形成
されると同時に、支持膜２に達しない切欠９ａが形成さ
れる。
【００２２】このように構成された流量検出素子では、
発熱抵抗素子４の温度が流体測温素子７で検出された平
板状基板１の温度に対して例えば２００℃高い温度に維
持されるように、発熱抵抗素子４に通電する加熱電流が
図２５に示される温度制御回路によって制御されてい
る。なお、センサ部１０の下部にはエッチングホール８
があるために、発熱抵抗素子４で発生した熱は流体測温
素子７まで伝導しない。そこで、流体測温素子７で検出
される温度はほぼ周囲温度（流体測温素子７上を流通す
る計測流体の温度）と等しくなっている。そして、保護
膜４側を流通する計測気体の流速が速い程、上流側の温
度が低くなり、下流側の温度が高くなるように温度分布
が変化する。そこで、回路（図示せず）によって、電極
端子２８を介して測温抵抗素子５、６のそれぞれに一定
電圧を印加しておき、測温抵抗素子５、６のそれぞれに
流れる電流値を測定し、それらの電流値を比較して空気
の流れ方向、流量あるいは流速を計測することができ
る。また、測温抵抗素子５、６のそれぞれに一定電流を
流しておき、電極端子２８間の電圧を測定する方法、あ
るいは測温抵抗素子５、６のそれぞれの消費電力を測定
する方法により、測温抵抗素子５、６のそれぞれの温度
に相当する量を測定し、その量を比較することにより、
空気の流れ方向、流量あるいは流速を計測することもで
きる。
発熱抵抗素子４の温度が流体測温素子７で検出された平
板状基板１の温度に対して例えば２００℃高い温度に維
持されるように、発熱抵抗素子４に通電する加熱電流が
図２５に示される温度制御回路によって制御されてい
る。なお、センサ部１０の下部にはエッチングホール８
があるために、発熱抵抗素子４で発生した熱は流体測温
素子７まで伝導しない。そこで、流体測温素子７で検出
される温度はほぼ周囲温度（流体測温素子７上を流通す
る計測流体の温度）と等しくなっている。そして、保護
膜４側を流通する計測気体の流速が速い程、上流側の温
度が低くなり、下流側の温度が高くなるように温度分布
が変化する。そこで、回路（図示せず）によって、電極
端子２８を介して測温抵抗素子５、６のそれぞれに一定
電圧を印加しておき、測温抵抗素子５、６のそれぞれに
流れる電流値を測定し、それらの電流値を比較して空気
の流れ方向、流量あるいは流速を計測することができ
る。また、測温抵抗素子５、６のそれぞれに一定電流を
流しておき、電極端子２８間の電圧を測定する方法、あ
るいは測温抵抗素子５、６のそれぞれの消費電力を測定
する方法により、測温抵抗素子５、６のそれぞれの温度
に相当する量を測定し、その量を比較することにより、
空気の流れ方向、流量あるいは流速を計測することもで
きる。
【００２３】このように、この実施の形態１では、流体
測温素子７の配置領域の下部の平板状基板１に、裏面側
から支持膜２に達しないように平板状基板１の一部を除
去して形成された切欠９ａが設けられている。そこで、
流体測温素子７部の熱容量が小さくなり、流体測温素子
７の流体温度変化に対する応答性が向上できる。その結
果、流体測温素子７の流体温度変化に対する応答の遅れ
に起因する発熱抵抗素子４の温度制御の遅れが防止され
る。そこで、計測流体の温度が急激に変化しても、計測
流体の温度が流体測温素子７により速やかに検出され、
発熱抵抗素子４の温度が計測流体の温度に対して２００
℃高い温度に速やかに制御され、応答性の良い流量検出
素子が得られる。また、流体測温素子７部の強度が高く
なり、信頼性に優れた流量検出素子が得られる。
測温素子７の配置領域の下部の平板状基板１に、裏面側
から支持膜２に達しないように平板状基板１の一部を除
去して形成された切欠９ａが設けられている。そこで、
流体測温素子７部の熱容量が小さくなり、流体測温素子
７の流体温度変化に対する応答性が向上できる。その結
果、流体測温素子７の流体温度変化に対する応答の遅れ
に起因する発熱抵抗素子４の温度制御の遅れが防止され
る。そこで、計測流体の温度が急激に変化しても、計測
流体の温度が流体測温素子７により速やかに検出され、
発熱抵抗素子４の温度が計測流体の温度に対して２００
℃高い温度に速やかに制御され、応答性の良い流量検出
素子が得られる。また、流体測温素子７部の強度が高く
なり、信頼性に優れた流量検出素子が得られる。
【００２４】実施の形態２．
図３はこの発明の実施の形態２に係る流量検出素子を示
す平面図、図４は図３のＩＶ−ＩＶ矢視断面図である。
この実施の形態２では、平板状基板１の裏面側から支持
膜２に達しないように形成された第１の切欠としての切
欠９ｂ、９ｃ、９ｄ、９ｅが流体測温素子７の近傍、即
ち流体測温素子７の配置領域の外周部に流体測温素子７
を取り囲むように平板状基板１に設けられている。な
お、この実施の形態２は、流体測温素子７の配置領域の
真下に位置する切欠９ａに代えて、４つの切欠９ｂ、９
ｃ、９ｄ、９ｅを流体測温素子７の配置領域の外周部に
流体測温素子７を取り囲むように配置している点を除い
て、上記実施の形態１と同様に構成されている。
す平面図、図４は図３のＩＶ−ＩＶ矢視断面図である。
この実施の形態２では、平板状基板１の裏面側から支持
膜２に達しないように形成された第１の切欠としての切
欠９ｂ、９ｃ、９ｄ、９ｅが流体測温素子７の近傍、即
ち流体測温素子７の配置領域の外周部に流体測温素子７
を取り囲むように平板状基板１に設けられている。な
お、この実施の形態２は、流体測温素子７の配置領域の
真下に位置する切欠９ａに代えて、４つの切欠９ｂ、９
ｃ、９ｄ、９ｅを流体測温素子７の配置領域の外周部に
流体測温素子７を取り囲むように配置している点を除い
て、上記実施の形態１と同様に構成されている。
【００２５】このように構成された流量検出素子では、
流体測温素子７の周囲に４つの切欠９ｂ、９ｃ、９ｄ、
９ｅが流体測温素子７を取り囲むように設けられてい
る。そして、この切欠９ｂ、９ｃ、９ｄ、９ｅが設けら
れた平板状基板１の部位の厚みが薄くなり、該部位の熱
抵抗が増大し、流体測温素子７がその外周部と熱的に隔
離される。その結果、流体測温素子７部の熱容量が下げ
られる。ここで、流体測温素子７に伝導される熱は、熱
伝導率の高い平板状基板１の影響を受けるが、流体測温
素子７部の熱容量が下がっているので、流体測温素子７
の流体温度変化に対する応答性を向上できる。
流体測温素子７の周囲に４つの切欠９ｂ、９ｃ、９ｄ、
９ｅが流体測温素子７を取り囲むように設けられてい
る。そして、この切欠９ｂ、９ｃ、９ｄ、９ｅが設けら
れた平板状基板１の部位の厚みが薄くなり、該部位の熱
抵抗が増大し、流体測温素子７がその外周部と熱的に隔
離される。その結果、流体測温素子７部の熱容量が下げ
られる。ここで、流体測温素子７に伝導される熱は、熱
伝導率の高い平板状基板１の影響を受けるが、流体測温
素子７部の熱容量が下がっているので、流体測温素子７
の流体温度変化に対する応答性を向上できる。
【００２６】このように、この実施の形態２によれば、
平板状基板１の裏面側から支持膜２に達しないように形
成された４つの切欠９ｂ、９ｃ、９ｄ、９ｅが流体測温
素子７を取り囲むように位置しているので、流体測温素
子７部の熱容量が下げられ、流体測温素子７の流体温度
変化に対する応答性が向上される。そこで、計測流体の
温度が急激に変化しても、計測流体の温度が流体測温素
子７により速やかに検出され、発熱抵抗素子４の温度が
計測流体の温度に対して２００℃高い温度に速やかに制
御され、応答性の良い流量検出素子が得られる。また、
従来の流量検出素子に比べて、流体測温素子７部の強度
が大きくなり、信頼性に優れた流量検出素子が得られ
る。
平板状基板１の裏面側から支持膜２に達しないように形
成された４つの切欠９ｂ、９ｃ、９ｄ、９ｅが流体測温
素子７を取り囲むように位置しているので、流体測温素
子７部の熱容量が下げられ、流体測温素子７の流体温度
変化に対する応答性が向上される。そこで、計測流体の
温度が急激に変化しても、計測流体の温度が流体測温素
子７により速やかに検出され、発熱抵抗素子４の温度が
計測流体の温度に対して２００℃高い温度に速やかに制
御され、応答性の良い流量検出素子が得られる。また、
従来の流量検出素子に比べて、流体測温素子７部の強度
が大きくなり、信頼性に優れた流量検出素子が得られ
る。
【００２７】参考例１．
図５はこの発明の参考例１に係る流量検出素子を示す平
面図、図６は図５のＶＩ−ＶＩ矢視断面図である。この
参考例１では、平板状基板１の表面側から支持膜２およ
び保護膜３を貫通し、平板状基板１の裏面に達しないよ
うに形成された第１の切欠としての３つの切欠９ｆ、９
ｇ、９ｈが流体測温素子７の近傍、即ち流体測温素子７
の配置領域の外周部に流体測温素子７を取り囲むように
平板状基板１に設けられている。なお、他の構成は上記
実施の形態１と同様に構成されている。
面図、図６は図５のＶＩ−ＶＩ矢視断面図である。この
参考例１では、平板状基板１の表面側から支持膜２およ
び保護膜３を貫通し、平板状基板１の裏面に達しないよ
うに形成された第１の切欠としての３つの切欠９ｆ、９
ｇ、９ｈが流体測温素子７の近傍、即ち流体測温素子７
の配置領域の外周部に流体測温素子７を取り囲むように
平板状基板１に設けられている。なお、他の構成は上記
実施の形態１と同様に構成されている。
【００２８】このように構成された流量検出素子では、
平板状基板１の表面側から平板状基板１の裏面に達しな
いように形成された３つの切欠９ｆ、９ｇ、９ｈが流体
測温素子７の配置領域の外周部に流体測温素子７を取り
囲むように位置しているので、流体測温素子７部の熱容
量が下げられ、流体測温素子７の流体温度変化に対する
応答性が向上される。そこで、この参考例１において
も、上記実施の形態２と同様の効果が得られる。
平板状基板１の表面側から平板状基板１の裏面に達しな
いように形成された３つの切欠９ｆ、９ｇ、９ｈが流体
測温素子７の配置領域の外周部に流体測温素子７を取り
囲むように位置しているので、流体測温素子７部の熱容
量が下げられ、流体測温素子７の流体温度変化に対する
応答性が向上される。そこで、この参考例１において
も、上記実施の形態２と同様の効果が得られる。
【００２９】実施の形態３．
図７はこの発明の実施の形態３に係る流量検出素子を示
す平面図、図８は図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ矢視断面図
である。この実施の形態３では、流体測温素子７の配置
領域の下部に、平板状基板１の裏面側から支持膜２に達
しないように切欠９ａが設けられ、さらに流体測温素子
７の配置領域の周囲に、平板状基板１の表面側から支持
膜２および保護膜３を貫通し平板状基板１の裏面に達し
ないように３つの切欠９ｆ、９ｇ、９ｈが設けられてい
る。
す平面図、図８は図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ矢視断面図
である。この実施の形態３では、流体測温素子７の配置
領域の下部に、平板状基板１の裏面側から支持膜２に達
しないように切欠９ａが設けられ、さらに流体測温素子
７の配置領域の周囲に、平板状基板１の表面側から支持
膜２および保護膜３を貫通し平板状基板１の裏面に達し
ないように３つの切欠９ｆ、９ｇ、９ｈが設けられてい
る。
【００３０】この実施の形態３によれば、上記実施の形
態１あるいは参考例１に比べて、流体測温素子７部の熱
容量がさらに小さくなり、その分流体測温素子７の流体
温度変化に対する応答性を向上させることができる。
態１あるいは参考例１に比べて、流体測温素子７部の熱
容量がさらに小さくなり、その分流体測温素子７の流体
温度変化に対する応答性を向上させることができる。
【００３１】ここで、切欠を多数設けることで、強度の
低下をもたらす恐れがあるが、エッチング深さを制御す
ることで、強度の低下が抑えられ、十分な強度的な信頼
性を確保することができる。また、この実施の形態３で
は、上記実施の形態１と参考例１とを組み合わせた構成
となっているが、上記実施の形態１と実施の形態２とを
組み合わせた構成としても、同様の効果が得られる。
低下をもたらす恐れがあるが、エッチング深さを制御す
ることで、強度の低下が抑えられ、十分な強度的な信頼
性を確保することができる。また、この実施の形態３で
は、上記実施の形態１と参考例１とを組み合わせた構成
となっているが、上記実施の形態１と実施の形態２とを
組み合わせた構成としても、同様の効果が得られる。
【００３２】実施の形態４．
図９はこの発明の実施の形態４に係る流量検出素子を示
す平面図、図１０は図９のＸ−Ｘ矢視断面図である。こ
の実施の形態４では、良熱伝導材からなる薄膜としての
金属膜１１が流体測温素子７上に電気的に絶縁されて設
けられている。なお、この実施の形態４は、切欠９ａが
設けられていない点、金属膜１１が流体測温素子７上に
設けられている点を除いて、上記実施の形態１と同様に
構成されている。
す平面図、図１０は図９のＸ−Ｘ矢視断面図である。こ
の実施の形態４では、良熱伝導材からなる薄膜としての
金属膜１１が流体測温素子７上に電気的に絶縁されて設
けられている。なお、この実施の形態４は、切欠９ａが
設けられていない点、金属膜１１が流体測温素子７上に
設けられている点を除いて、上記実施の形態１と同様に
構成されている。
【００３３】ここで、この実施の形態４による流量検出
素子を作製するには、まず支持膜２上に流体測温素子７
が形成された後、その上に窒化シリコン膜およびＡｌ膜
を順次着膜する。そして、写真製版技術、エッチング技
術を用いて、Ａｌ膜を流体測温素子７を覆うように矩形
にエッチングし、金属膜１１を形成する。ついで、Ａｌ
膜をエッチングするためのマスクであるフォトレジスト
を除去し、その上に窒化シリコンを着膜して保護膜３を
形成する。そこで、金属膜１１が流体測温素子７を覆
い、かつ、電気的に絶縁されて保護膜３に内在してなる
流量検出素子を得る。
素子を作製するには、まず支持膜２上に流体測温素子７
が形成された後、その上に窒化シリコン膜およびＡｌ膜
を順次着膜する。そして、写真製版技術、エッチング技
術を用いて、Ａｌ膜を流体測温素子７を覆うように矩形
にエッチングし、金属膜１１を形成する。ついで、Ａｌ
膜をエッチングするためのマスクであるフォトレジスト
を除去し、その上に窒化シリコンを着膜して保護膜３を
形成する。そこで、金属膜１１が流体測温素子７を覆
い、かつ、電気的に絶縁されて保護膜３に内在してなる
流量検出素子を得る。
【００３４】このように構成された流量検出素子では、
流体測温素子７上に良熱伝導を有する金属膜１１が設け
られているので、流体測温素子７部の熱抵抗をさげるこ
とができる。その結果、流体測温素子７の流体温度変化
に対する応答性を向上させることができる。また、流体
測温素子７の近傍に切欠が設けられていないので、流体
測温素子７部の強度を大きくすることができる。このよ
うに、この実施の形態４によれば、計測流体の温度が急
激に変化しても、計測流体の温度が流体測温素子７によ
り速やかに検出され、発熱抵抗素子４の温度が計測流体
の温度に対して２００℃高い温度に速やかに制御される
ので、優れた応答性を有するとともに、優れた信頼性を
有する流量検出素子が得られる。
流体測温素子７上に良熱伝導を有する金属膜１１が設け
られているので、流体測温素子７部の熱抵抗をさげるこ
とができる。その結果、流体測温素子７の流体温度変化
に対する応答性を向上させることができる。また、流体
測温素子７の近傍に切欠が設けられていないので、流体
測温素子７部の強度を大きくすることができる。このよ
うに、この実施の形態４によれば、計測流体の温度が急
激に変化しても、計測流体の温度が流体測温素子７によ
り速やかに検出され、発熱抵抗素子４の温度が計測流体
の温度に対して２００℃高い温度に速やかに制御される
ので、優れた応答性を有するとともに、優れた信頼性を
有する流量検出素子が得られる。
【００３５】ここで、この実施の形態４による流量検出
素子において、さらに流体測温素子７の近傍に切欠を設
けるようにしてもよい。この場合、切欠を設けることに
より、流体測温素子７部の熱容量の低下が図られ、その
分熱応答性を向上させることができる。なお、この実施
の形態４では、良熱伝導材としてＡｌからなる金属膜１
１を用いるものとしているが、良熱伝導材としてはＡｌ
に限らず、支持膜２および保護膜３より高い熱伝導率を
有する材料であればよく、例えばＣｕ、Ａｇ、ＰｔやＡ
ｌＳｉ、ＴｉＮ等を用いることができる。
素子において、さらに流体測温素子７の近傍に切欠を設
けるようにしてもよい。この場合、切欠を設けることに
より、流体測温素子７部の熱容量の低下が図られ、その
分熱応答性を向上させることができる。なお、この実施
の形態４では、良熱伝導材としてＡｌからなる金属膜１
１を用いるものとしているが、良熱伝導材としてはＡｌ
に限らず、支持膜２および保護膜３より高い熱伝導率を
有する材料であればよく、例えばＣｕ、Ａｇ、ＰｔやＡ
ｌＳｉ、ＴｉＮ等を用いることができる。
【００３６】実施の形態５．
図１１はこの発明の実施の形態５に係る流量検出素子を
示す平面図、図１２は図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ矢視断面
図である。この実施の形態５では、切欠９ａが流体測温
素子７の配置領域の下部に平板状基板１の裏面側から支
持膜２に達しないように設けられている。また、３つの
切欠９ｆ、９ｇ、９ｈが流体測温素子７の配置領域の外
周部に流体測温素子７を取り囲むように平板状基板１の
表面側から支持膜２および保護膜３を貫通し平板状基板
１の裏面に達しないように設けられている。さらに、Ａ
ｌからなる金属膜１１が流体測温素子７上に電気的に絶
縁されて設けられている。なお、この実施の形態５は、
切欠９ａ、９ｆ、９ｇ、９ｈが流体測温素子７の近傍に
設けられている点を除いて、上記実施の形態４と同様に
構成されている。
示す平面図、図１２は図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ矢視断面
図である。この実施の形態５では、切欠９ａが流体測温
素子７の配置領域の下部に平板状基板１の裏面側から支
持膜２に達しないように設けられている。また、３つの
切欠９ｆ、９ｇ、９ｈが流体測温素子７の配置領域の外
周部に流体測温素子７を取り囲むように平板状基板１の
表面側から支持膜２および保護膜３を貫通し平板状基板
１の裏面に達しないように設けられている。さらに、Ａ
ｌからなる金属膜１１が流体測温素子７上に電気的に絶
縁されて設けられている。なお、この実施の形態５は、
切欠９ａ、９ｆ、９ｇ、９ｈが流体測温素子７の近傍に
設けられている点を除いて、上記実施の形態４と同様に
構成されている。
【００３７】このように構成された流量検出素子では、
流体測温素子７上に良熱伝導を有する金属膜１１が設け
られているので、流体測温素子７部の熱抵抗をさげるこ
とができる。さらに切欠９ａ、９ｆ、９ｇ、９ｈが流体
測温素子７の近傍に設けられているので、流体測温素子
７部の熱容量をさげることができる。その結果、流体測
温素子７の流体温度変化に対する応答性を向上させるこ
とができる。このように、この実施の形態５によれば、
計測流体の温度が急激に変化しても、計測流体の温度が
流体測温素子７により速やかに検出され、発熱抵抗素子
４の温度が計測流体の温度に対して２００℃高い温度に
速やかに制御されるので、優れた応答性を有するととも
に、優れた信頼性を有する流量検出素子が得られる。
流体測温素子７上に良熱伝導を有する金属膜１１が設け
られているので、流体測温素子７部の熱抵抗をさげるこ
とができる。さらに切欠９ａ、９ｆ、９ｇ、９ｈが流体
測温素子７の近傍に設けられているので、流体測温素子
７部の熱容量をさげることができる。その結果、流体測
温素子７の流体温度変化に対する応答性を向上させるこ
とができる。このように、この実施の形態５によれば、
計測流体の温度が急激に変化しても、計測流体の温度が
流体測温素子７により速やかに検出され、発熱抵抗素子
４の温度が計測流体の温度に対して２００℃高い温度に
速やかに制御されるので、優れた応答性を有するととも
に、優れた信頼性を有する流量検出素子が得られる。
【００３８】実施の形態６．
図１３はこの発明の実施の形態６に係る流量検出素子を
示す平面図、図１４は図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ矢視断面
図である。この実施の形態６では、センサ部１０と流体
測温素子７との間の位置に、平板状基板１の裏面側から
支持膜２に達しないように第２の切欠としての切欠１２
ａが設けられている。そして、この切欠１２ａはセンサ
部１０から流体測温素子７に伝導される熱伝導経路を横
切るように設けられている。なお、この実施の形態６
は、切欠９ａに代えて、切欠１２ａを設けている点を除
いて、上記実施の形態１と同様に構成されている。
示す平面図、図１４は図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ矢視断面
図である。この実施の形態６では、センサ部１０と流体
測温素子７との間の位置に、平板状基板１の裏面側から
支持膜２に達しないように第２の切欠としての切欠１２
ａが設けられている。そして、この切欠１２ａはセンサ
部１０から流体測温素子７に伝導される熱伝導経路を横
切るように設けられている。なお、この実施の形態６
は、切欠９ａに代えて、切欠１２ａを設けている点を除
いて、上記実施の形態１と同様に構成されている。
【００３９】このように構成された流量検出素子では、
切欠１２ａはセンサ部１０から流体測温素子７に伝導さ
れる熱伝導経路を横切るように設けられている。そこ
で、切欠１２ａが設けられた部位の平板状基板１の厚み
が薄くなり、熱抵抗が高くなる。また、センサ部１０か
ら流体測温素子７に伝導される熱伝導経路の表面積が増
大し、センサ部１０から平板状基板１中を伝導してきた
熱が切欠１２ａの表面から放熱される。その結果、セン
サ部１０から平板状基板１を介して流体測温素子７に伝
導される熱が低減される。このように、この実施の形態
６によれば、切欠１２ａを熱伝導経路中に設けたので、
流体測温素子７の温度が発熱抵抗素子４で発生した熱の
影響を受けることがなく、流体測温素子７の位置をセン
サ部１０に近づけることができ、小型の流量検出素子が
得られる。
切欠１２ａはセンサ部１０から流体測温素子７に伝導さ
れる熱伝導経路を横切るように設けられている。そこ
で、切欠１２ａが設けられた部位の平板状基板１の厚み
が薄くなり、熱抵抗が高くなる。また、センサ部１０か
ら流体測温素子７に伝導される熱伝導経路の表面積が増
大し、センサ部１０から平板状基板１中を伝導してきた
熱が切欠１２ａの表面から放熱される。その結果、セン
サ部１０から平板状基板１を介して流体測温素子７に伝
導される熱が低減される。このように、この実施の形態
６によれば、切欠１２ａを熱伝導経路中に設けたので、
流体測温素子７の温度が発熱抵抗素子４で発生した熱の
影響を受けることがなく、流体測温素子７の位置をセン
サ部１０に近づけることができ、小型の流量検出素子が
得られる。
【００４０】参考例２．
図１５はこの発明の参考例２に係る流量検出素子を示す
平面図、図１６は図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ矢視断面図で
ある。この参考例２では、センサ部１０と流体測温素子
７との間の位置に、平板状基板１の表面側から支持膜２
および保護膜３を貫通し平板状基板１の裏面に達しない
ように第２の切欠としての切欠１２ｂが設けられてい
る。そして、この切欠１２ｂはセンサ部１０から流体測
温素子７に伝導される熱伝導経路を横切るように設けら
れている。なお、この参考例２は、切欠１２ａに代え
て、切欠１２ｂを設けている点を除いて、上記実施の形
態６と同様に構成されている。
平面図、図１６は図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ矢視断面図で
ある。この参考例２では、センサ部１０と流体測温素子
７との間の位置に、平板状基板１の表面側から支持膜２
および保護膜３を貫通し平板状基板１の裏面に達しない
ように第２の切欠としての切欠１２ｂが設けられてい
る。そして、この切欠１２ｂはセンサ部１０から流体測
温素子７に伝導される熱伝導経路を横切るように設けら
れている。なお、この参考例２は、切欠１２ａに代え
て、切欠１２ｂを設けている点を除いて、上記実施の形
態６と同様に構成されている。
【００４１】このように構成された流量検出素子では、
切欠１２ｂはセンサ部１０から流体測温素子７に伝導さ
れる熱伝導経路を横切るように設けられている。そこ
で、切欠１２ｂが設けられた部位の平板状基板１の厚み
が薄くなり、熱抵抗が高くなる。また、センサ部１０か
ら流体測温素子７に伝導される熱伝導経路の表面積が増
大し、センサ部１０から平板状基板１中を伝導してきた
熱が切欠１２ｂの表面から放熱される。さらに、切欠１
２ｂが平板状基板１の表面側から設けられているので、
センサ部１０から流体測温素子７に伝導される熱は切欠
１２ｂを迂回することになり、熱伝導経路長さが長くな
る。その結果、センサ部１０から平板状基板１を介して
流体測温素子７に伝導される熱が低減される。このよう
に、この参考例２によれば、切欠１２ｂを熱伝導経路中
に設けたので、流体測温素子７の温度が発熱抵抗素子４
で発生した熱の影響を受けることがなく、流体測温素子
７の位置をセンサ部１０に近づけることができ、小型の
流量検出素子が得られる。
切欠１２ｂはセンサ部１０から流体測温素子７に伝導さ
れる熱伝導経路を横切るように設けられている。そこ
で、切欠１２ｂが設けられた部位の平板状基板１の厚み
が薄くなり、熱抵抗が高くなる。また、センサ部１０か
ら流体測温素子７に伝導される熱伝導経路の表面積が増
大し、センサ部１０から平板状基板１中を伝導してきた
熱が切欠１２ｂの表面から放熱される。さらに、切欠１
２ｂが平板状基板１の表面側から設けられているので、
センサ部１０から流体測温素子７に伝導される熱は切欠
１２ｂを迂回することになり、熱伝導経路長さが長くな
る。その結果、センサ部１０から平板状基板１を介して
流体測温素子７に伝導される熱が低減される。このよう
に、この参考例２によれば、切欠１２ｂを熱伝導経路中
に設けたので、流体測温素子７の温度が発熱抵抗素子４
で発生した熱の影響を受けることがなく、流体測温素子
７の位置をセンサ部１０に近づけることができ、小型の
流量検出素子が得られる。
【００４２】参考例３．
図１７はこの発明の参考例３に係る流量検出素子を示す
平面図、図１８は図１７のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ矢視
断面図である。この参考例３では、センサ部１０と流体
測温素子７との間の位置に、熱伝導抑制材１３が支持膜
２および保護膜３からなる絶縁膜に内在させて設けられ
ている。そして、この熱伝導抑制材１３はセンサ部１０
から流体測温素子７に伝導される熱伝導経路を横切るよ
うに設けられている。この熱伝導抑制材１３は、支持膜
２および保護膜３の熱伝導率より低い材料、例えばフォ
トレジスト、ポリイミド、ガラス（ＰＳＧ、ＢＰＳＧ）
等が用いられ、スピンコートやＣＶＤ等の方法により成
膜されている。なお、この参考例３は、切欠１２ａに代
えて、熱伝導抑制材１３を設けている点を除いて、上記
実施の形態６と同様に構成されている。
平面図、図１８は図１７のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ矢視
断面図である。この参考例３では、センサ部１０と流体
測温素子７との間の位置に、熱伝導抑制材１３が支持膜
２および保護膜３からなる絶縁膜に内在させて設けられ
ている。そして、この熱伝導抑制材１３はセンサ部１０
から流体測温素子７に伝導される熱伝導経路を横切るよ
うに設けられている。この熱伝導抑制材１３は、支持膜
２および保護膜３の熱伝導率より低い材料、例えばフォ
トレジスト、ポリイミド、ガラス（ＰＳＧ、ＢＰＳＧ）
等が用いられ、スピンコートやＣＶＤ等の方法により成
膜されている。なお、この参考例３は、切欠１２ａに代
えて、熱伝導抑制材１３を設けている点を除いて、上記
実施の形態６と同様に構成されている。
【００４３】このように構成された流量検出素子では、
熱伝導抑制材１３はセンサ部１０から流体測温素子７に
伝導される支持膜２および保護膜３からなる絶縁膜の熱
伝導経路を横切るように設けられている。そこで、支持
膜２および保護膜３からなる絶縁膜の熱伝導経路の熱抵
抗が高くなり、センサ部１０から平板状基板１を介して
流体測温素子７に伝導される熱が低減される。このよう
に、この参考例３によれば、熱伝導抑制材１３を支持膜
２および保護膜３からなる絶縁膜の熱伝導経路中に設け
たので、流体測温素子７の温度が発熱抵抗素子４で発生
した熱の影響を受けることが抑えられ、流体測温素子７
の位置をセンサ部１０に近づけることができ、小型の流
量検出素子が得られる。
熱伝導抑制材１３はセンサ部１０から流体測温素子７に
伝導される支持膜２および保護膜３からなる絶縁膜の熱
伝導経路を横切るように設けられている。そこで、支持
膜２および保護膜３からなる絶縁膜の熱伝導経路の熱抵
抗が高くなり、センサ部１０から平板状基板１を介して
流体測温素子７に伝導される熱が低減される。このよう
に、この参考例３によれば、熱伝導抑制材１３を支持膜
２および保護膜３からなる絶縁膜の熱伝導経路中に設け
たので、流体測温素子７の温度が発熱抵抗素子４で発生
した熱の影響を受けることが抑えられ、流体測温素子７
の位置をセンサ部１０に近づけることができ、小型の流
量検出素子が得られる。
【００４４】実施の形態７．
図１９はこの発明の実施の形態７に係る流量検出素子を
示す平面図、図２０は図１９のＸＸ−ＸＸ矢視断面図で
ある。この実施の形態７では、熱伝導抑制材１３が、セ
ンサ部１０と流体測温素子７との間の位置に、支持膜２
および保護膜３からなる絶縁膜に内在させて設けられて
いる。そして、切欠１２ａが、センサ部１０と流体測温
素子７との間の位置に、平板状基板１の裏面側から支持
膜２に達しないように設けられている。さらに、２つの
切欠１２ｂ、１２ｃが、センサ部１０と流体測温素子７
との間の位置に、平板状基板１の表面側から支持膜２お
よび保護膜３を貫通し、平板状基板１の裏面に達しない
ように設けられている。これらの熱伝導抑制材１３およ
び切欠１２ａ、１２ｂ、１２ｃはセンサ部１０から流体
測温素子７に伝導される熱伝導経路を横切るように設け
られている。なお、この実施の形態７は、切欠１２ａ、
１２ｂ、１２ｃを設けている点を除いて、上記参考例３
と同様に構成されている。
示す平面図、図２０は図１９のＸＸ−ＸＸ矢視断面図で
ある。この実施の形態７では、熱伝導抑制材１３が、セ
ンサ部１０と流体測温素子７との間の位置に、支持膜２
および保護膜３からなる絶縁膜に内在させて設けられて
いる。そして、切欠１２ａが、センサ部１０と流体測温
素子７との間の位置に、平板状基板１の裏面側から支持
膜２に達しないように設けられている。さらに、２つの
切欠１２ｂ、１２ｃが、センサ部１０と流体測温素子７
との間の位置に、平板状基板１の表面側から支持膜２お
よび保護膜３を貫通し、平板状基板１の裏面に達しない
ように設けられている。これらの熱伝導抑制材１３およ
び切欠１２ａ、１２ｂ、１２ｃはセンサ部１０から流体
測温素子７に伝導される熱伝導経路を横切るように設け
られている。なお、この実施の形態７は、切欠１２ａ、
１２ｂ、１２ｃを設けている点を除いて、上記参考例３
と同様に構成されている。
【００４５】このように構成された流量検出素子では、
熱伝導抑制材１３がセンサ部１０から流体測温素子７に
伝導される支持膜２および保護膜３からなる絶縁膜の熱
伝導経路を横切るように設けられている。そこで、支持
膜２および保護膜３からなる絶縁膜の熱伝導経路の熱抵
抗が高くなり、センサ部１０から平板状基板１を介して
流体測温素子７に伝導される熱が低減される。また、切
欠１２ａ、１２ｂ、１２ｃがセンサ部１０から流体測温
素子７に伝導される熱伝導経路を横切るように設けられ
ている。そこで、切欠１２ａ、１２ｂ、１２ｃが設けら
れた部位の平板状基板１の厚みが薄くなり、熱抵抗が高
くなる。また、センサ部１０から流体測温素子７に伝導
される熱伝導経路の表面積が増大し、センサ部１０から
平板状基板１中を伝導してきた熱が切欠１２ａ、１２
ｂ、１２ｃの表面から放熱される。さらに、センサ部１
０から流体測温素子７に伝導される熱は切欠１２ａ、１
２ｂ、１２ｃを迂回することになり、熱伝導経路長さが
長くなる。その結果、センサ部１０から平板状基板１を
介して流体測温素子７に伝導される熱が一層低減され
る。このように、この実施の形態７によれば、切欠１２
ａ、１２ｂ、１２ｃおよび熱伝導抑制材１３が熱伝導経
路中に設けられているので、流体測温素子７の温度が発
熱抵抗素子４で発生した熱の影響を受けることがなく、
流体測温素子７の位置をセンサ部１０に近づけることが
でき、小型の流量検出素子が得られる。
熱伝導抑制材１３がセンサ部１０から流体測温素子７に
伝導される支持膜２および保護膜３からなる絶縁膜の熱
伝導経路を横切るように設けられている。そこで、支持
膜２および保護膜３からなる絶縁膜の熱伝導経路の熱抵
抗が高くなり、センサ部１０から平板状基板１を介して
流体測温素子７に伝導される熱が低減される。また、切
欠１２ａ、１２ｂ、１２ｃがセンサ部１０から流体測温
素子７に伝導される熱伝導経路を横切るように設けられ
ている。そこで、切欠１２ａ、１２ｂ、１２ｃが設けら
れた部位の平板状基板１の厚みが薄くなり、熱抵抗が高
くなる。また、センサ部１０から流体測温素子７に伝導
される熱伝導経路の表面積が増大し、センサ部１０から
平板状基板１中を伝導してきた熱が切欠１２ａ、１２
ｂ、１２ｃの表面から放熱される。さらに、センサ部１
０から流体測温素子７に伝導される熱は切欠１２ａ、１
２ｂ、１２ｃを迂回することになり、熱伝導経路長さが
長くなる。その結果、センサ部１０から平板状基板１を
介して流体測温素子７に伝導される熱が一層低減され
る。このように、この実施の形態７によれば、切欠１２
ａ、１２ｂ、１２ｃおよび熱伝導抑制材１３が熱伝導経
路中に設けられているので、流体測温素子７の温度が発
熱抵抗素子４で発生した熱の影響を受けることがなく、
流体測温素子７の位置をセンサ部１０に近づけることが
でき、小型の流量検出素子が得られる。
【００４６】実施の形態８．
図２１はこの発明の実施の形態８に係る流量検出素子を
示す平面図、図２２は図２１のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ矢視
断面図である。この実施の形態８では、熱伝導抑制材１
３が、センサ部１０と流体測温素子７との間の位置に、
支持膜２および保護膜３からなる絶縁膜に内在させて設
けられている。また、切欠１２ａが、センサ部１０と流
体測温素子７との間の位置に、平板状基板１の裏面側か
ら支持膜２に達しないように設けられている。また、切
欠１２ｃが、センサ部１０と流体測温素子７との間の位
置に、平板状基板１の表面側から支持膜２および保護膜
３を貫通し、平板状基板１の裏面に達しないように設け
られている。また、切欠９ａが流体測温素子７の下部に
平板状基板１の裏面側から支持膜２に達しないように設
けられている。さらに、３つの切欠９ｆ、９ｇ、９ｈが
流体測温素子７を取り囲むように平板状基板１の表面側
から支持膜２および保護膜３を貫通し、平板状基板１の
裏面に達しないように設けられている。
示す平面図、図２２は図２１のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ矢視
断面図である。この実施の形態８では、熱伝導抑制材１
３が、センサ部１０と流体測温素子７との間の位置に、
支持膜２および保護膜３からなる絶縁膜に内在させて設
けられている。また、切欠１２ａが、センサ部１０と流
体測温素子７との間の位置に、平板状基板１の裏面側か
ら支持膜２に達しないように設けられている。また、切
欠１２ｃが、センサ部１０と流体測温素子７との間の位
置に、平板状基板１の表面側から支持膜２および保護膜
３を貫通し、平板状基板１の裏面に達しないように設け
られている。また、切欠９ａが流体測温素子７の下部に
平板状基板１の裏面側から支持膜２に達しないように設
けられている。さらに、３つの切欠９ｆ、９ｇ、９ｈが
流体測温素子７を取り囲むように平板状基板１の表面側
から支持膜２および保護膜３を貫通し、平板状基板１の
裏面に達しないように設けられている。
【００４７】このように構成された流量検出素子では、
切欠１２ａ、１２ｃおよび熱伝導抑制材１３がセンサ部
１０から流体測温素子７に伝導される熱伝導経路を横切
るように設けられているので、センサ部１０から平板状
基板１を介して流体測温素子７に伝導される熱が低減さ
れる。そこで、流体測温素子７の温度が発熱抵抗素子４
で発生した熱の影響を受けることがなく、流体測温素子
７の位置をセンサ部１０に近づけることができる。ま
た、切欠９ａ、９ｆ、９ｇ、９ｈが流体測温素子７の近
傍に設けられているので、流体測温素子７部の熱容量が
小さくなり、流体測温素子７の流体温度変化に対する応
答性が向上される。そこで、計測流体の温度が急激に変
化しても、計測流体の温度が流体測温素子７により速や
かに検出され、発熱抵抗素子４の温度が計測流体の温度
に対して２００℃高い温度に速やかに制御される。この
ように、この実施の形態８によれば、応答性の良い小型
の流量検出素子が得られる。
切欠１２ａ、１２ｃおよび熱伝導抑制材１３がセンサ部
１０から流体測温素子７に伝導される熱伝導経路を横切
るように設けられているので、センサ部１０から平板状
基板１を介して流体測温素子７に伝導される熱が低減さ
れる。そこで、流体測温素子７の温度が発熱抵抗素子４
で発生した熱の影響を受けることがなく、流体測温素子
７の位置をセンサ部１０に近づけることができる。ま
た、切欠９ａ、９ｆ、９ｇ、９ｈが流体測温素子７の近
傍に設けられているので、流体測温素子７部の熱容量が
小さくなり、流体測温素子７の流体温度変化に対する応
答性が向上される。そこで、計測流体の温度が急激に変
化しても、計測流体の温度が流体測温素子７により速や
かに検出され、発熱抵抗素子４の温度が計測流体の温度
に対して２００℃高い温度に速やかに制御される。この
ように、この実施の形態８によれば、応答性の良い小型
の流量検出素子が得られる。
【００４８】なお、上記各実施の形態では、発熱抵抗素
子４の両側に配置される測温抵抗素子５、６は同一の格
子状パターンに形成するものとしているが、測温抵抗素
子５、６は異なる格子状パターンに形成されてもよい。
この場合、流体の流量および流速を計測する過程におい
て、測温抵抗素子５、６から測定される温度に相当する
量を、測温抵抗素子５、６の格子状パターンの差を考慮
して補償した後、比較するようにすればよい。また、上
記各実施の形態では、ダイヤフラムタイプの流量検出素
子に適用するものとして説明しているが、ブリッジタイ
プの流量検出素子に適用しても、同様の効果を奏する。
また、上記各実施の形態では、支持膜２および保護膜３
として窒化シリコンを用いるものとしているが、支持膜
２および保護膜３は窒化シリコンに限らず、絶縁性を有
する材料であればよく、例えば５酸化タンタル（Ta２O
５）、二酸化珪素（SiO２）等を用いることができる。
また、発熱抵抗素子４、測温抵抗素子５、６および流体
測温素子７として白金を用いるものとしているが、発熱
抵抗素子４、測温抵抗素子５、６および流体測温素子７
は白金に限定されるものではなく、温度依存性のある抵
抗材料であればよく、例えば鉄とニッケルとの合金であ
るパーマロイでもよい。また、上記各実施の形態では、
流量検出素子は発熱抵抗素子４および一対の測温抵抗素
子５、６が支持膜２と保護膜３とにより包まれて構成さ
れたセンサ部１０を有するものとしているが、この発明
が適用できる流量検出素子はこれに限定されるものでは
なく、図２６および図２７に示される発熱抵抗素子４が
支持膜２上に形成されて構成されたセンサ部を有する従
来の流量検出素子にも適用することができる。この場
合、発熱抵抗素子４が発熱素子および感熱素子として機
能する。
子４の両側に配置される測温抵抗素子５、６は同一の格
子状パターンに形成するものとしているが、測温抵抗素
子５、６は異なる格子状パターンに形成されてもよい。
この場合、流体の流量および流速を計測する過程におい
て、測温抵抗素子５、６から測定される温度に相当する
量を、測温抵抗素子５、６の格子状パターンの差を考慮
して補償した後、比較するようにすればよい。また、上
記各実施の形態では、ダイヤフラムタイプの流量検出素
子に適用するものとして説明しているが、ブリッジタイ
プの流量検出素子に適用しても、同様の効果を奏する。
また、上記各実施の形態では、支持膜２および保護膜３
として窒化シリコンを用いるものとしているが、支持膜
２および保護膜３は窒化シリコンに限らず、絶縁性を有
する材料であればよく、例えば５酸化タンタル（Ta２O
５）、二酸化珪素（SiO２）等を用いることができる。
また、発熱抵抗素子４、測温抵抗素子５、６および流体
測温素子７として白金を用いるものとしているが、発熱
抵抗素子４、測温抵抗素子５、６および流体測温素子７
は白金に限定されるものではなく、温度依存性のある抵
抗材料であればよく、例えば鉄とニッケルとの合金であ
るパーマロイでもよい。また、上記各実施の形態では、
流量検出素子は発熱抵抗素子４および一対の測温抵抗素
子５、６が支持膜２と保護膜３とにより包まれて構成さ
れたセンサ部１０を有するものとしているが、この発明
が適用できる流量検出素子はこれに限定されるものでは
なく、図２６および図２７に示される発熱抵抗素子４が
支持膜２上に形成されて構成されたセンサ部を有する従
来の流量検出素子にも適用することができる。この場
合、発熱抵抗素子４が発熱素子および感熱素子として機
能する。
【００４９】実施の形態９．
図２３および図２４はこの発明の実施の形態９に係る流
量センサを示す正面図および横断面図である。各図にお
いて、主管３１は円筒状をなし、計測流体の通路を構成
している。そして、円筒状の計測用管路３２が主管３１
の内壁面から径方向内方に延出する支持腕３３に支持さ
れて同軸に配置されている。この計測用管路３２内に
は、上記実施の形態１による流量検出素子３４が、発熱
抵抗素子および一対の測温抵抗素子の配列方向を計測用
管路３２の軸心方向に一致させて配置されている。ま
た、主管３１の一端側には、計測流体を整流するための
格子状の整流器３５が取り付けられている。そして、制
御部および温度計測部としての制御回路３６が主管３１
の外周に設けられたケース３７内に収容されている。こ
の制御回路３６は電極パッドを介して流量検出素子３４
の発熱抵抗素子、測温抵抗素子および流体測温素子に電
気的に接続されている。また、ケース３７には、流量検
出素子３４に電流を供給し、出力信号を取り出すための
コネクタ３８が設けられている。
量センサを示す正面図および横断面図である。各図にお
いて、主管３１は円筒状をなし、計測流体の通路を構成
している。そして、円筒状の計測用管路３２が主管３１
の内壁面から径方向内方に延出する支持腕３３に支持さ
れて同軸に配置されている。この計測用管路３２内に
は、上記実施の形態１による流量検出素子３４が、発熱
抵抗素子および一対の測温抵抗素子の配列方向を計測用
管路３２の軸心方向に一致させて配置されている。ま
た、主管３１の一端側には、計測流体を整流するための
格子状の整流器３５が取り付けられている。そして、制
御部および温度計測部としての制御回路３６が主管３１
の外周に設けられたケース３７内に収容されている。こ
の制御回路３６は電極パッドを介して流量検出素子３４
の発熱抵抗素子、測温抵抗素子および流体測温素子に電
気的に接続されている。また、ケース３７には、流量検
出素子３４に電流を供給し、出力信号を取り出すための
コネクタ３８が設けられている。
【００５０】このように構成された流量センサ３０は、
例えば内燃機関の吸気管に取り付けられ、吸入空気量の
計測に適用される。この場合、吸気管が主管３１に相当
している。流量センサ３０においては、コネクタ３８を
介して流量検出素子３４に電流が供給され、制御回路３
６により、発熱抵抗素子の温度が流体測温素子で計測さ
れた空気温度に対して２００℃高い温度となるように制
御されている。そして、一対の測温抵抗素子の温度が制
御回路３６により計測され、コネクタ３８を介して出力
されている。吸入空気は整流器３５により整流されて図
中矢印３９に示されるように主管３１内に流入する。主
管３１内に流入した空気の一部が計測用管路３２内に流
入し、流量検出素子３４のセンサ部表面に沿って一側の
測温検出素子側から他側の測温抵抗素子側に流通する。
そこで、空気の流れ３９によって、上流側の測温抵抗素
子の温度が低下し、下流側の測温抵抗素子の温度が上昇
する。この一対の測温抵抗素子の温度が制御回路３６を
介して計測される。そして、上記実施の形態１で説明し
たように、この一対の測温抵抗素子の温度差に基づい
て、空気の流量、流れ方向あるいは流速が検出され、内
燃機関の吸入空気量の制御に供せられる。
例えば内燃機関の吸気管に取り付けられ、吸入空気量の
計測に適用される。この場合、吸気管が主管３１に相当
している。流量センサ３０においては、コネクタ３８を
介して流量検出素子３４に電流が供給され、制御回路３
６により、発熱抵抗素子の温度が流体測温素子で計測さ
れた空気温度に対して２００℃高い温度となるように制
御されている。そして、一対の測温抵抗素子の温度が制
御回路３６により計測され、コネクタ３８を介して出力
されている。吸入空気は整流器３５により整流されて図
中矢印３９に示されるように主管３１内に流入する。主
管３１内に流入した空気の一部が計測用管路３２内に流
入し、流量検出素子３４のセンサ部表面に沿って一側の
測温検出素子側から他側の測温抵抗素子側に流通する。
そこで、空気の流れ３９によって、上流側の測温抵抗素
子の温度が低下し、下流側の測温抵抗素子の温度が上昇
する。この一対の測温抵抗素子の温度が制御回路３６を
介して計測される。そして、上記実施の形態１で説明し
たように、この一対の測温抵抗素子の温度差に基づい
て、空気の流量、流れ方向あるいは流速が検出され、内
燃機関の吸入空気量の制御に供せられる。
【００５１】従って、この実施の形態９によれば、流量
検出素子３４が上記実施の形態１のように構成されてい
るので、十分な強度とともに、良好な応答性を備えた流
量センサが得られる。そこで、この流量センサ３０は、
吸入空気温度が急激に変化するような自動車用内燃機関
の吸入空気量の計測にも、十分適用できる。また、この
流量センサ３０は、吸入空気の最大流速が２００ｍ／ｓ
近くに達するような内燃機関の吸入空気量の計測にも、
十分耐えられる。
検出素子３４が上記実施の形態１のように構成されてい
るので、十分な強度とともに、良好な応答性を備えた流
量センサが得られる。そこで、この流量センサ３０は、
吸入空気温度が急激に変化するような自動車用内燃機関
の吸入空気量の計測にも、十分適用できる。また、この
流量センサ３０は、吸入空気の最大流速が２００ｍ／ｓ
近くに達するような内燃機関の吸入空気量の計測にも、
十分耐えられる。
【００５２】なお、上記実施の形態９では、流量センサ
３０に上記実施の形態１による流量検出素子を用いるも
のとしているが、他の実施の形態による流量検出素子を
用いても、同様の効果を奏する。
３０に上記実施の形態１による流量検出素子を用いるも
のとしているが、他の実施の形態による流量検出素子を
用いても、同様の効果を奏する。
【００５３】
【発明の効果】この発明は、以上のように構成されてい
るので、以下に記載されるような効果を奏する。
るので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００５４】この発明によれば、少なくとも流体が流通
する一面側に開口を有する空隙が設けられた平板状基板
と、上記平板状基板の一面側に設けられた絶縁支持膜
と、上記絶縁支持膜上の上記開口上に設けられた上記流
体を加熱する発熱素子及び上記流体の温度を検出する感
熱素子からなるセンサ部と、上記平板状基板上の一面側
に上記センサ部から離れて設けられ上記流体の温度を検
出する流体測温素子とを有し、上記発熱素子の発熱温度
を上記流体測温素子の検出温度より所定の温度差だけ高
く維持し、上記感熱素子の検出温度に基づき上記流体の
流量又は流速を計測する感熱式流量検出素子において、
上記流体測温素子の配置領域の下部に上記平板状基板の
他面から一面側までは達しないように上記平板状基板の
一部を除去して形成された第１の切欠を設けたので、流
体測温素子部の熱容量が小さくなり、流体測温素子の計
測流体の温度変化に対する応答性が向上され、第１の切
欠が平板状基板を完全に貫通せず、流体測温素子部の強
度が高くなり、良好な応答性を有し、信頼性に優れた感
熱式流量検出素子が得られる。
する一面側に開口を有する空隙が設けられた平板状基板
と、上記平板状基板の一面側に設けられた絶縁支持膜
と、上記絶縁支持膜上の上記開口上に設けられた上記流
体を加熱する発熱素子及び上記流体の温度を検出する感
熱素子からなるセンサ部と、上記平板状基板上の一面側
に上記センサ部から離れて設けられ上記流体の温度を検
出する流体測温素子とを有し、上記発熱素子の発熱温度
を上記流体測温素子の検出温度より所定の温度差だけ高
く維持し、上記感熱素子の検出温度に基づき上記流体の
流量又は流速を計測する感熱式流量検出素子において、
上記流体測温素子の配置領域の下部に上記平板状基板の
他面から一面側までは達しないように上記平板状基板の
一部を除去して形成された第１の切欠を設けたので、流
体測温素子部の熱容量が小さくなり、流体測温素子の計
測流体の温度変化に対する応答性が向上され、第１の切
欠が平板状基板を完全に貫通せず、流体測温素子部の強
度が高くなり、良好な応答性を有し、信頼性に優れた感
熱式流量検出素子が得られる。
【００５５】また、切欠が流体測温素子の配置領域の外
周部に平板状基板の一面側に形成されているので、流体
測温素子部の熱容量を小さくでき、流体測温素子の計測
流体の温度変化に対する応答性が向上される。
周部に平板状基板の一面側に形成されているので、流体
測温素子部の熱容量を小さくでき、流体測温素子の計測
流体の温度変化に対する応答性が向上される。
【００５６】また、切欠が流体測温素子の配置領域の外
周部に平板状基板の他面側に形成されているので、流体
測温素子部の熱容量を小さくでき、流体測温素子の計測
流体の温度変化に対する応答性が向上される。
周部に平板状基板の他面側に形成されているので、流体
測温素子部の熱容量を小さくでき、流体測温素子の計測
流体の温度変化に対する応答性が向上される。
【００５７】また、この発明によれば、少なくとも流体
が流通する一面側に開口を有する空隙が設けられた平板
状基板と、上記平板状基板の一面側に設けられた絶縁支
持膜と、上記絶縁支持膜上の上記開口上に設けられた上
記流体を加熱する発熱素子及び上記流体の温度を検出す
る感熱素子からなるセンサ部と、上記平板状基板上の一
面側に上記センサ部から離れて設けられ上記流体の温度
を検出する流体測温素子とを有し、上記発熱素子の発熱
温度を上記流体測温素子の検出温度より所定の温度差だ
け高く維持し、上記感熱素子の検出温度に基づき上記流
体の流量又は流速を計測する感熱式流量検出素子におい
て、上記流体測温素子の配置領域の外周部に上記平板状
基板の他面から一面側までは達しないように上記平板状
基板の一部を除去して形成された第１の切欠を設けてい
るので、流体測温素子部の熱容量を小さくでき、流体測
温素子の計測流体の温度変化に対する応答性が向上され
る。
が流通する一面側に開口を有する空隙が設けられた平板
状基板と、上記平板状基板の一面側に設けられた絶縁支
持膜と、上記絶縁支持膜上の上記開口上に設けられた上
記流体を加熱する発熱素子及び上記流体の温度を検出す
る感熱素子からなるセンサ部と、上記平板状基板上の一
面側に上記センサ部から離れて設けられ上記流体の温度
を検出する流体測温素子とを有し、上記発熱素子の発熱
温度を上記流体測温素子の検出温度より所定の温度差だ
け高く維持し、上記感熱素子の検出温度に基づき上記流
体の流量又は流速を計測する感熱式流量検出素子におい
て、上記流体測温素子の配置領域の外周部に上記平板状
基板の他面から一面側までは達しないように上記平板状
基板の一部を除去して形成された第１の切欠を設けてい
るので、流体測温素子部の熱容量を小さくでき、流体測
温素子の計測流体の温度変化に対する応答性が向上され
る。
【００５８】また、良熱伝導材からなる薄膜が、流体測
温素子の上部に該流体測温素子と電気的に絶縁されて設
けられているので、流体測温素子部の熱抵抗を小さくで
き、流体測温素子の計測流体の温度変化に対する応答性
が向上される。
温素子の上部に該流体測温素子と電気的に絶縁されて設
けられているので、流体測温素子部の熱抵抗を小さくで
き、流体測温素子の計測流体の温度変化に対する応答性
が向上される。
【００５９】また、平板状基板の一部を除去して形成さ
れた第２の切欠がセンサ部と流体測温素子との間の上記
平板状基板の部位に、上記センサ部から上記流体測温素
子への熱伝導経路を遮るように設けられているので、セ
ンサ部から流体測温素子への熱伝導経路の熱抵抗が大き
くなり、かつ、センサ部から流体測温素子への熱伝導経
路を伝導してきた熱が第２の切欠の表面から放熱され
る。そこで、センサ部から流体測温素子への熱伝導が抑
制され、センサ部と流体測温素子との距離の縮小が可能
となり、小型化が図られる。
れた第２の切欠がセンサ部と流体測温素子との間の上記
平板状基板の部位に、上記センサ部から上記流体測温素
子への熱伝導経路を遮るように設けられているので、セ
ンサ部から流体測温素子への熱伝導経路の熱抵抗が大き
くなり、かつ、センサ部から流体測温素子への熱伝導経
路を伝導してきた熱が第２の切欠の表面から放熱され
る。そこで、センサ部から流体測温素子への熱伝導が抑
制され、センサ部と流体測温素子との距離の縮小が可能
となり、小型化が図られる。
【００６０】また、第２の切欠が平板状基板の他面側に
形成されているので、センサ部から流体測温素子への熱
伝導経路の熱抵抗が大きくなり、かつ、センサ部から流
体測温素子への熱伝導経路を伝導してきた熱が第２の切
欠の表面から放熱され、センサ部から流体測温素子への
熱伝導を抑えることができる。
形成されているので、センサ部から流体測温素子への熱
伝導経路の熱抵抗が大きくなり、かつ、センサ部から流
体測温素子への熱伝導経路を伝導してきた熱が第２の切
欠の表面から放熱され、センサ部から流体測温素子への
熱伝導を抑えることができる。
【００６１】また、第２の切欠が平板状基板の一面側に
形成されているので、センサ部から流体測温素子への熱
伝導経路の熱抵抗が大きくなり、かつ、センサ部から流
体測温素子への熱伝導経路を伝導してきた熱が第２の切
欠の表面から放熱される。さらに、センサ部から熱伝導
経路を伝導してきた熱が第２の切欠を迂回して流体測温
素子に伝導されるので、熱伝導経路長さを長くすること
ができる。そこで、センサ部から流体測温素子への熱伝
導を一層抑えることができる。
形成されているので、センサ部から流体測温素子への熱
伝導経路の熱抵抗が大きくなり、かつ、センサ部から流
体測温素子への熱伝導経路を伝導してきた熱が第２の切
欠の表面から放熱される。さらに、センサ部から熱伝導
経路を伝導してきた熱が第２の切欠を迂回して流体測温
素子に伝導されるので、熱伝導経路長さを長くすること
ができる。そこで、センサ部から流体測温素子への熱伝
導を一層抑えることができる。
【００６２】また、低熱伝導材からなる熱伝導抑制材が
センサ部と流体測温素子との間に、上記センサ部から上
記流体測温素子への熱伝導経路を遮るように設けられて
いるので、センサ部から流体測温素子への熱伝導経路の
熱抵抗が大きくなり、センサ部から流体測温素子への熱
伝導を抑えることができる。
センサ部と流体測温素子との間に、上記センサ部から上
記流体測温素子への熱伝導経路を遮るように設けられて
いるので、センサ部から流体測温素子への熱伝導経路の
熱抵抗が大きくなり、センサ部から流体測温素子への熱
伝導を抑えることができる。
【００６３】また、この発明によれば、少なくとも流体
が流通する一面側に開口を有する空隙が設けられた平板
状基板と、上記平板状基板の一面側に設けられた絶縁支
持膜と、上記絶縁支持膜上の上記開口上に設けられた上
記流体を加熱する発熱素子及び上記流体の温度を検出す
る感熱素子からなるセンサ部と、上記平板状基板上の一
面側に上記センサ部から離れて設けられ上記流体の温度
を検出する流体測温素子とを有し、上記発熱素子の発熱
温度を上記流体測温素子の検出温度より所定の温度差だ
け高く維持し、上記感熱素子の検出温度に基づき上記流
体の流量又は流速を計測する感熱式流量検出素子におい
て、良熱伝導材からなる被膜が上記流体測温素子の上部
に該流体測温素子と電気的に絶縁されて設けられている
ので、流体測温素子部の熱抵抗を小さくでき、流体測温
素子の計測流体の温度変化に対する応答性が向上され、
切欠が平板状基板に設けられておらず、流体測温素子部
の強度が大きくなり、良好な応答性を有し、信頼性に優
れた感熱式流量検出素子が得られる。
が流通する一面側に開口を有する空隙が設けられた平板
状基板と、上記平板状基板の一面側に設けられた絶縁支
持膜と、上記絶縁支持膜上の上記開口上に設けられた上
記流体を加熱する発熱素子及び上記流体の温度を検出す
る感熱素子からなるセンサ部と、上記平板状基板上の一
面側に上記センサ部から離れて設けられ上記流体の温度
を検出する流体測温素子とを有し、上記発熱素子の発熱
温度を上記流体測温素子の検出温度より所定の温度差だ
け高く維持し、上記感熱素子の検出温度に基づき上記流
体の流量又は流速を計測する感熱式流量検出素子におい
て、良熱伝導材からなる被膜が上記流体測温素子の上部
に該流体測温素子と電気的に絶縁されて設けられている
ので、流体測温素子部の熱抵抗を小さくでき、流体測温
素子の計測流体の温度変化に対する応答性が向上され、
切欠が平板状基板に設けられておらず、流体測温素子部
の強度が大きくなり、良好な応答性を有し、信頼性に優
れた感熱式流量検出素子が得られる。
【００６４】また、この発明によれば、少なくとも流体
が流通する一面側に開口を有する空隙が設けられた平板
状基板と、上記平板状基板の一面側に設けられた絶縁支
持膜と、上記絶縁支持膜上の上記開口上に設けられた上
記流体を加熱する発熱素子及び上記流体の温度を検出す
る感熱素子からなるセンサ部と、上記平板状基板上の一
面側に上記センサ部から離れて設けられ上記流体の温度
を検出する流体測温素子とを有し、上記発熱素子の発熱
温度を上記流体測温素子の検出温度より所定の温度差だ
け高く維持し、上記感熱素子の検出温度に基づき上記流
体の流量又は流速を計測する感熱式流量検出素子におい
て、上記平板状基板の他面から一面側までは達しないよ
うに上記平板状基板の一部を除去して形成された切欠が
上記センサ部と上記流体測温素子との間の上記平板状基
板の部位に、上記センサ部から上記流体測温素子への熱
伝導経路を遮るように設けられているので、センサ部か
ら流体測温素子への熱伝導経路の熱抵抗が大きくなり、
かつ、センサ部から流体測温素子への熱伝導経路を伝導
してきた熱が切欠の表面から放熱され、センサ部から流
体測温素子への熱伝導を抑えることができる。そこで、
センサ部と流体測温素子との距離の縮小が可能となり、
小型化の感熱式流量検出素子が得られる。
が流通する一面側に開口を有する空隙が設けられた平板
状基板と、上記平板状基板の一面側に設けられた絶縁支
持膜と、上記絶縁支持膜上の上記開口上に設けられた上
記流体を加熱する発熱素子及び上記流体の温度を検出す
る感熱素子からなるセンサ部と、上記平板状基板上の一
面側に上記センサ部から離れて設けられ上記流体の温度
を検出する流体測温素子とを有し、上記発熱素子の発熱
温度を上記流体測温素子の検出温度より所定の温度差だ
け高く維持し、上記感熱素子の検出温度に基づき上記流
体の流量又は流速を計測する感熱式流量検出素子におい
て、上記平板状基板の他面から一面側までは達しないよ
うに上記平板状基板の一部を除去して形成された切欠が
上記センサ部と上記流体測温素子との間の上記平板状基
板の部位に、上記センサ部から上記流体測温素子への熱
伝導経路を遮るように設けられているので、センサ部か
ら流体測温素子への熱伝導経路の熱抵抗が大きくなり、
かつ、センサ部から流体測温素子への熱伝導経路を伝導
してきた熱が切欠の表面から放熱され、センサ部から流
体測温素子への熱伝導を抑えることができる。そこで、
センサ部と流体測温素子との距離の縮小が可能となり、
小型化の感熱式流量検出素子が得られる。
【図１】 この発明の実施の形態１に係る感熱式流量検
出素子を示す平面図である。
出素子を示す平面図である。
【図２】 図１のＩＩ−ＩＩ矢視断面図である。
【図３】 この発明の実施の形態２に係る感熱式流量検
出素子を示す平面図である。
出素子を示す平面図である。
【図４】 図３のＩＶ−ＩＶ矢視断面図である。
【図５】 この発明の参考例１に係る感熱式流量検出素
子を示す平面図である。
子を示す平面図である。
【図６】 図５のＶＩ−ＶＩ矢視断面図である。
【図７】 この発明の実施の形態３に係る感熱式流量検
出素子を示す平面図である。
出素子を示す平面図である。
【図８】 図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ矢視断面図であ
る。
る。
【図９】 この発明の実施の形態４に係る感熱式流量検
出素子を示す平面図である。
出素子を示す平面図である。
【図１０】 図９のＸ−Ｘ矢視断面図である。
【図１１】 この発明の実施の形態５に係る感熱式流量
検出素子を示す平面図である。
検出素子を示す平面図である。
【図１２】 図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ矢視断面図であ
る。
る。
【図１３】 この発明の実施の形態６に係る感熱式流量
検出素子を示す平面図である。
検出素子を示す平面図である。
【図１４】 図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ矢視断面図であ
る。
る。
【図１５】 この発明の参考例２に係る感熱式流量検出
素子を示す平面図である。
素子を示す平面図である。
【図１６】 図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ矢視断面図であ
る。
る。
【図１７】 この発明の参考例３に係る感熱式流量検出
素子を示す平面図である。
素子を示す平面図である。
【図１８】 図１７のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ矢視断面
図である。
図である。
【図１９】 この発明の実施の形態７に係る感熱式流量
検出素子を示す平面図である。
検出素子を示す平面図である。
【図２０】 図１９のＸＸ−ＸＸ矢視断面図である。
【図２１】 この発明の実施の形態８に係る感熱式流量
検出素子を示す平面図である。
検出素子を示す平面図である。
【図２２】 図２１のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ矢視断面図で
ある。
ある。
【図２３】 この発明の実施の形態９に係る流量センサ
を示す正面図である。
を示す正面図である。
【図２４】 この発明の実施の形態９に係る流量センサ
を示す横断面図である。
を示す横断面図である。
【図２５】 感熱式流量検出素子の制御回路である。
【図２６】 従来の感熱式流量検出素子を示す平面図で
ある。
ある。
【図２７】 図２６のＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ矢視断面
図である。
図である。
１ 平板状基板、２ 支持膜、３ 保護膜、４ 発熱抵
抗素子（発熱素子）、５、６ 測温抵抗素子（感熱素
子）、７ 流体測温素子、８ エッチングホール（空
隙）、９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ、９ｅ、９ｆ、９ｇ、９
ｈ 切欠（第１の切欠）、１０ センサ部、１１ 金属
膜（良熱伝導材からなる薄膜）、１２ａ、１２ｂ、１２
ｃ 切欠（第２の切欠）、１３ 熱伝導抑制材、３０
流量センサ、３２ 計測用管路、３４ 流量検出素子、
３６ 制御回路（制御部）。
抗素子（発熱素子）、５、６ 測温抵抗素子（感熱素
子）、７ 流体測温素子、８ エッチングホール（空
隙）、９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ、９ｅ、９ｆ、９ｇ、９
ｈ 切欠（第１の切欠）、１０ センサ部、１１ 金属
膜（良熱伝導材からなる薄膜）、１２ａ、１２ｂ、１２
ｃ 切欠（第２の切欠）、１３ 熱伝導抑制材、３０
流量センサ、３２ 計測用管路、３４ 流量検出素子、
３６ 制御回路（制御部）。
フロントページの続き
(72)発明者 大橋 豊
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
三菱電機株式会社内
(56)参考文献 特開 平６−273208（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−271167（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−178614（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01F 1/00 - 9/02
Claims (11)
- 【請求項１】 少なくとも流体が流通する一面側に開口
を有する空隙が設けられた平板状基板と、上記平板状基
板の一面側に設けられた絶縁支持膜と、上記絶縁支持膜
上の上記開口上に設けられた上記流体を加熱する発熱素
子及び上記流体の温度を検出する感熱素子からなるセン
サ部と、上記平板状基板上の一面側に上記センサ部から
離れて設けられ上記流体の温度を検出する流体測温素子
とを有し、上記発熱素子の発熱温度を上記流体測温素子
の検出温度より所定の温度差だけ高く維持し、上記感熱
素子の検出温度に基づき上記流体の流量又は流速を計測
する感熱式流量検出素子において、 上記流体測温素子の配置領域の下部に上記平板状基板の
他面から一面側までは達しないように上記平板状基板の
一部を除去して形成された第１の切欠を設けたことを特
徴とする感熱式流量検出素子。 - 【請求項２】 切欠が流体測温素子の配置領域の外周部
に平板状基板の一面側に形成されていることを特徴とす
る請求項１記載の感熱式流量検出素子。 - 【請求項３】 切欠が流体測温素子の配置領域の外周部
に平板状基板の他面側に形成されていることを特徴とす
る請求項１または請求項２記載の感熱式流量検出素子。 - 【請求項４】 少なくとも流体が流通する一面側に開口
を有する空隙が設けられた平板状基板と、上記平板状基
板の一面側に設けられた絶縁支持膜と、上記絶縁支持膜
上の上記開口上に設けられた上記流体を加熱する発熱素
子及び上記流体の温度を検出する感熱素子からなるセン
サ部と、上記平板状基板上の一面側に上記センサ部から
離れて設けられ上記流体の温度を検出する流体測温素子
とを有し、上記発熱素子の発熱温度を上記流体測温素子
の検出温度より所定の温度差だけ高く維持し、上記感熱
素子の検出温度に基づき上記流体の流量又は流速を計測
する感熱式流量検出素子において、 上記流体測温素子の配置領域の外周部に上記平板状基板
の他面から一面側までは達しないように上記平板状基板
の一部を除去して形成された第１の切欠を設け たことを
特徴とする感熱式流量検出素子。 - 【請求項５】 良熱伝導材からなる薄膜が、流体測温素
子の上部に該流体測温素子と電気的に絶縁されて設けら
れていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいず
れかに記載の感熱式流量検出素子。 - 【請求項６】 平板状基板の一部を除去して形成された
第２の切欠がセンサ部と流体測温素子との間の上記平板
状基板の部位に、上記センサ部から上記流体測温素子へ
の熱伝導経路を遮るように設けられていることを特徴と
する請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の感熱式流
量検出素子。 - 【請求項７】 第２の切欠が平板状基板の他面側に形成
されていることを特徴とする請求項６記載の感熱式流量
検出素子。 - 【請求項８】 第２の切欠が平板状基板の一面側に形成
されていることを特徴とする請求項６記載の感熱式流量
検出素子。 - 【請求項９】 低熱伝導材からなる熱伝導抑制材がセン
サ部と流体測温素子との間に、上記センサ部から上記流
体測温素子への熱伝導経路を遮るように設けられている
ことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記
載の感熱式流量検出素子。 - 【請求項１０】 少なくとも流体が流通する一面側に開
口を有する空隙が設けられた平板状基板と、上記平板状
基板の一面側に設けられた絶縁支持膜と、上記絶縁支持
膜上の上記開口上に設けられた上記流体を加熱する発熱
素子及び上記流体の温度を検出する感熱素子からなるセ
ンサ部と、上記平板状基板上の一面側に上記センサ部か
ら離れて設けられ上記流体の温度を検出する流体測温素
子とを有し、上記発熱素子の発熱温度を上記流体測温素
子の検出温度より所定の温度差だけ高く維持し、上記感
熱素子の検出温度に基づき上記流体の流量又は流速を計
測する感熱式流量検出素子において、 良熱伝導材からなる被膜が上記流体測温素子の上部に該
流体測温素子と電気的に絶縁されて設けられていること
を特徴とする感熱式流量検出素子。 - 【請求項１１】 少なくとも流体が流通する一面側に開
口を有する空隙が設けられた平板状基板と、上記平板状
基板の一面側に設けられた絶縁支持膜と、上記絶縁支持
膜上の上記開口上に設けられた上記流体を加熱する発熱
素子及び上記流体の温度を検出する感熱素子からなるセ
ンサ部と、上記平板状基板上の一面側に上記センサ部か
ら離れて設けられ上記流体の温度を検出する流体測温素
子とを有し、上記発熱素子の発熱温度を上記流体測温素
子の検出温度より所定の温度差だけ高く維持し、上記感
熱素子の検出温度に基づき上記流体の流量又は流速を計
測する感熱式流量検出素子において、上記平板状基板の他面から一面側までは達しないように
上記平板状基板の一部を除去して形成された切欠が上記
センサ部と上記流体測温素子との間の上記平板状基板の
部位に、上記センサ部から上記流体測温素子への熱伝導
経路を遮るように設けられていることを特徴とする感熱
式流量検出素子。
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