JP3316740B2 - 流量検出素子 - Google Patents
流量検出素子Info
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- JP3316740B2 JP3316740B2 JP06300997A JP6300997A JP3316740B2 JP 3316740 B2 JP3316740 B2 JP 3316740B2 JP 06300997 A JP06300997 A JP 06300997A JP 6300997 A JP6300997 A JP 6300997A JP 3316740 B2 JP3316740 B2 JP 3316740B2
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Description
体あるいは発熱体によって加熱された部分から、流体へ
の熱伝達現象に基づいて流体の流速あるいは流量を計測
する流量検出素子の製造方法に関するものであり、例え
ば内燃機関の吸入空気量を計測する場合等に用いられ
る。
報に示されている従来の感熱式流量検出素子の平面図
(a)及びA−A断面図(b)である。図において1は
シリコン半導体よりなる平板状基材、2は窒化シリコン
よりなる絶縁性の支持膜、4は感熱抵抗であるパーマロ
イよりなる発熱抵抗、5及び6は感熱抵抗であるパーマ
ロイよりなる測温抵抗、3は窒化シリコンよりなる絶縁
性の保護膜である。平板状基材1には空気スペース9が
設けられており、ブリッジ13を形成している。空気ス
ペース9は窒化シリコンをいためないエッチング液を用
いて開口部8からシリコン半導体の一部を除去して形成
されている。測温抵抗5、6は発熱抵抗4を挟んで流れ
の方向に平面的に並んでいる。また7は感熱抵抗である
パーマロイよりなる比較抵抗である。
抵抗4に通電する加熱電流が、図示しない制御回路によ
って比較抵抗7で検出された平板状基材1の温度より2
00℃高い一定の温度になるように制御されている。発
熱抵抗4の下部には空気スペース9があるため、発熱抵
抗4で発生した熱はほとんど比較抵抗7まで伝導せず、
従って比較抵抗7の温度は空気温度とほぼ等しくなって
いる。
膜3を伝導して測温抵抗5、6に伝えられる。図8
(a)に示すように発熱抵抗4と測温抵抗5、6は対称
の形状であるため空気の流れがない場合は測温抵抗5と
測温抵抗6の抵抗値に差は生じないが、空気の流れがあ
る場合は、上流側にある測温抵抗5または6は冷却され
下流側にある測温抵抗は発熱抵抗4から空気に伝達され
た熱によって上流側の測温抵抗ほど冷却されない。例え
ば矢印10に示す方向に気流が生じた場合、測温抵抗5
は測温抵抗6よりも低い温度となり、両者の抵抗値の差
は流速が大きいほど拡大される。従って測温抵抗5と6
の抵抗値の差を検出することによって流速が測定され
る。
なった場合は、測温抵抗6の方が測温抵抗5の温度より
も低くなることから、流体の流れの方向を検出すること
も可能である。
素子の従来例であるが、他にダイヤフラムタイプの感熱
式流量検出素子がある。図9にはダイヤフラムタイプの
従来の感熱式流量検出素子の平面図及びB−B断面図を
示している。図において1〜10は図8に示したブリッ
ジタイプの流量検出素子と同一のものである。12は平
板状基材1の支持膜2が構成された面と反対面から平板
状基材1の一部をエッチング等の手段により除去した凹
部である。したがって支持膜2と保護膜3は発熱抵抗4
と測温抵抗5、6を挟んでダイヤフラム14を構成する
ことになる。このような構成では図8に示したブリッジ
タイプの流量検出素子に比べて高い強度を得ることがで
きるが、一方でブリッジタイプに比べるとダイヤフラム
14が全周で支持されているので応答性に劣る。流体の
流速検出の原理はブリッジタイプと同様である。
検出素子では計測流体の流量や流速が変化した場合、支
持膜2、発熱抵抗4および測温抵抗5、6を含む感熱抵
抗膜の温度は、感熱抵抗膜あるいは保護膜3の熱伝導率
と熱容量で決まる遅れを生じる。上記のような従来の流
量検出素子の場合は、発熱抵抗4の温度は制御される
が、その横にある測温抵抗5、6の温度は制御されてい
ないため、特に測温抵抗5、6の温度変化が正確な流量
や流速を検出できる所定の温度となるまでに時間を要
す。計測流体の流量や流速が常に変化し続ける場合にお
いては、測温抵抗5、6の温度は瞬時流量や瞬時流速を
正確に示す温度になることはない。また、流体の速度の
時間当たりの変化が大きいほど、正確な瞬時流量や流速
を検出することが困難となる。即ち、流量センサとして
の応答性が悪いということである。
感熱抵抗膜の厚さを薄くすることによって解決する方向
に作用するが、その場合ブリッジ13やダイヤフラム1
4の強度が著しく低下し、流量検出素子の信頼性が低下
するという問題がある。
場合、吸入空気は回転数に応じた脈動流となり、特に高
負荷域においては流量変動幅が非常に大きく、また高回
転域では流量変動の速度が早いため、応答性の良い流量
センサが求められる。さらに内燃機関では吸入空気の最
大流速が200m/s近くに達する場合もあるため流量
検出素子には所定の強度が要求される。
センサでは応答性を早くするためには強度を落とさねば
ならず、内燃機関の吸入空気量の計測には適した設計が
非常に困難であった。
めになされたもので、第1の目的は支持膜や保護膜の厚
さを薄くすることなく応答性の良い流量検出素子を得る
ことにある。
しつつ検出感度の高い流量検出素子を得ることにある。
する流量検出素子を得ることにある。
平板状基材と、該基材上に形成された絶縁性の支持膜
と、該支持膜上に形成された感熱抵抗体よりなる発熱抵
抗のパターンと、該発熱抵抗上に、絶縁性の中間膜を介
して形成された、計測流体の流れの方向に並んだ2つの
感熱抵抗体よりなる測温抵抗のパターンと、該測温抵抗
上に形成された絶縁性の保護膜と、前記支持膜、発熱抵
抗及び測温抵抗を含む感熱抵抗体の領域の少なくとも一
部の下部にある前記平板状基材に形成された空洞部とを
備え、前記測温抵抗のパターンの少なくとも一部が前記
発熱抵抗のパターンとオーバラップするように形成さ
れ、かつ前記発熱抵抗のパターンの計測流体の流れ方向
に対して直交する方向における長さが、測温抵抗のパタ
ーンの計測流体の流れ方向に対して直交する方向におけ
る長さよりも長いことを特徴とする流量検出素子であ
る。
基材上に形成された絶縁性の支持膜と、該支持膜上に形
成された感熱抵抗体よりなる測温抵抗のパターンと、該
測温抵抗上に、絶縁性の中間膜を介して形成された、計
測流体の流れの方向に並んだ2つの感熱抵抗体よりなる
発熱抵抗のパターンと、該発熱抵抗上に形成された絶縁
性の保護膜と、前記支持膜、測温抵抗及び発熱抵抗を含
む感熱抵抗体の領域の少なくとも一部の下部にある前記
平板状基材に形成された空洞部とを備え、前記発熱抵抗
のパターンの少なくとも一部が前記測温抵抗のパターン
とオーバラップするように形成され、前記発熱抵抗のパ
ターンの計測流体の流れ方向に対して直交する方向にお
ける長さが、測温抵抗のパターンの計測流体の流れ方向
に対して直交する方向における長さよりも長いことを特
徴とする流量検出素子である。
基材上に形成された絶縁性の支持膜と、該支持膜上に形
成されパターンの断面形状がテーパー状である感熱抵抗
体よりなる発熱抵抗のパターンと、該発熱抵抗上に、絶
縁性の中間膜を介して形成された、計測流体の流れの方
向に並んだ2つの感熱抵抗体よりなる測温抵抗のパター
ンと、該測温抵抗上に形成された絶縁性の保護膜と、前
記支持膜、発熱抵抗及び測温抵抗を含む感熱抵抗体の領
域の少なくとも一部の下部にある前記平板状基材に形成
された空洞部とを備え、前記測温抵抗のパターンの少な
くとも一部が前記発熱抵抗のパターンとオーバラップす
るように形成されている流量検出素子である。
基材上に形成された絶縁性の支持膜と、該支持膜上に形
成されパターンの断面形状がテーパー状である感熱抵抗
体よりなる測温抵抗のパターンと、該測温抵抗上に、絶
縁性の中間膜を介して形成された、計測流体の流れの方
向に並んだ2つの感熱抵抗体よりなる発熱抵抗のパター
ンと、該発熱抵抗上に形成された絶縁性の保護膜と、前
記支持膜、測温抵抗及び発熱抵抗を含む感熱抵抗体の領
域の少なくとも一部の下部にある前記平板状基材に形成
された空洞部とを備え、前記発熱抵抗のパターンの少な
くとも一部が前記測温抵抗のパターンとオーバラップす
るように形成されている流量検出素子である。
のいずれかに記載の流量検出素子において、発熱抵抗の
パターンの計測流体の流れ方向に対して直交する方向に
おける長さが、測温抵抗のパターンの計測流体の流れ方
向に対して直交する方向における長さよりも長いもので
ある。
の平面図(a)と断面図(b)を示すものである。図に
おいて、1はシリコンよりなる平板状基板、2は平板状
基板1に形成された厚さ2μmの窒化シリコンよりなる
絶縁性の支持膜、4は支持膜2上に形成された厚さ0.
2μmの白金等の感熱抵抗体よりなる発熱抵抗、7は支
持膜2上に形成された厚さ0.2μmの白金等の感熱抵
抗体よりなる比較抵抗、11は発熱抵抗4及び比較抵抗
7を覆うように形成された厚さ1μmの窒化シリコンよ
りなる絶縁性の中間膜、5および6はそれぞれ中間膜1
1を介して発熱抵抗4と重なるように形成された厚さ
0.2μmの白金等の感熱抵抗体よりなる測温抵抗、3
は測温抵抗5、6を覆うように形成された厚さ1μmの
窒化シリコンよりなる絶縁性の保護膜、15a〜15h
は流量検出素子の外部との電気的接続を行うための電
極、12は平板状基板1の裏面に形成された凹部、14
はダイアフラム14、16は厚さ1μmの窒化シリコン
よりなる絶縁性の裏面保護膜である。以下に、図1に示
した感熱型流量検出素子の製造方法を説明する。
ンよりなる平板状基材の表面に厚さ2μmの窒化シリコ
ンよりなる絶縁性の支持膜2をスパッタ、CVDあるい
はスピンコート等の方法で形成し、支持膜2上に、厚さ
0.2μmの白金等の感熱抵抗体よりなる発熱抵抗膜
を、蒸着あるいはスパッタ法等で成膜する。この発熱抵
抗膜を写真製版、ウエットあるいはドライエッチング等
の方法を用いて所定のパターン幅でパターンニングし、
所定のパターン幅の電流路が形成された発熱抵抗4とす
る。
化シリコンよりなる絶縁性の中間膜11をスパッタ、C
VD等の方法で形成し、さらに、その上に例えば厚さ
0.2μmの白金等の感熱抵抗体を蒸着あるいはスパッ
タ等の方法で成膜した後、写真製版、ウエットあるいは
ドライエッチング等の方法を用いて、発熱抵抗体4と重
なる所定のパターン幅の電流路が形成された測温抵抗
5、6と発熱抵抗体4から離れた位置に比較抵抗7を形
成する(測温抵抗5、6及び比較抵抗7はそれぞれ外部
との電気的接続を行うための電極を有する)。
覆うように厚さ1μmの窒化シリコンよりなる絶縁性の
保護膜3をスパッタ、CVDあるいはスピンコート等の
方法で形成する。
ラップしているが、薄い絶縁性の中間膜11によって電
気的に絶縁されている。中間膜11の厚さは絶縁性が確
保されていれば1μm以下でもなんら問題はない。
部との電気的接続を行うための電極であり、この部分は
保護膜3が除去されている。
ている面とは逆の面に、厚さ1μmの窒化シリコン膜か
らなる裏面保護膜16を成膜し、この裏面保護膜16に
写真製版等の方法でエッチングホール17を形成後、例
えばアルカリエッチング等を施し、平板状基材1の一部
を除去して凹部12を形成することによって、感熱抵抗
膜(ダイヤフラム)14を形成する。
出素子は、発熱抵抗4を図示しない制御回路によって所
定の平均温度に制御するが、計測流体の流速が早いほ
ど、計測流体上流部の表面温度が低く、下流部の表面温
度が高くなるように温度分布が変化する。
温度分布であり、図1の流量検出素子における断面A−
A間の表面温度分布の実測値を空気流速0m/s(実
線)と空気流速17m/s(一点鎖線)の場合について
記載している。L2はダイヤフラム14の幅、L3は発
熱抵抗4の幅、L4は測温抵抗5の幅、L4’は測温抵
抗6の幅を表している。矢印10に示す方向に計測流体
の移動が生じた場合、L4の平均温度はL4’の平均温
度より低くなっている。従って図示しない回路によって
測温抵抗5と測温抵抗6の各々に一定の電圧を与えてお
き、各々に流れる電流値を検出し比較したり、あるいは
測温抵抗5と測温抵抗6の各々に一定電流を流しておき
端子電圧を検出し比較したり、さらには測温抵抗5と測
温抵抗6の消費電力を検出し比較するといった方法で、
流体の流量あるいは流速が計測できる。
6の間が薄い絶縁性の中間膜11を介してオーバーラッ
プしているので発熱抵抗4と測温抵抗5、6は電気的に
絶縁されながら、熱的には強い結合を持つことになり、
応答性がよくなる。
より薄い絶縁性の中間膜11を介してオーバラップして
いるので測温抵抗と発熱抵抗間の電気的な絶縁性を保っ
たまま熱的な結合を高めるとともに、ダイヤフラム14
の機械的な強度も保持することができる。
熱抵抗4と測温抵抗5、6のパターン幅を5μm、パタ
ーン間距離を5μmに設計(パターン幅やパターン間距
離は5μmより小さくすることも可能であるが、製造時
の歩留まり等を考慮すれば5μm程度がリーズナブルな
値である)されていたとすれば、発熱抵抗4の上流部中
心と測温抵抗5の中心の間、及び発熱抵抗4の下流部中
心と測温抵抗6の中心の間の距離であるL1、L1’
(発熱抵抗4と測温抵抗5、6の間の熱抵抗に寄与する
距離)は50μmにもなるが、この実施の形態では、発
熱抵抗4と測温抵抗5、6が厚さ1μmの中間膜11を
介して重なっているため、発熱抵抗4と測温抵抗5、6
の間の熱抵抗は従来例に比べて極めて小さくなる。従っ
て計測流体の流量あるいは流速が急激に変化した場合、
測温抵抗5、6は発熱抵抗4の流れ方向における温度分
布を極めて早く検出でき、応答性の良い流量検出素子が
得られる。
ダイヤフラム13の厚さを大きくしより高いダイヤフラ
ム強度を得ることができることを意味している。
流量検出素子に適用すれば、より応答性の高い流量検出
素子が得られ、しかも、ブリッジの機械的強度も保持す
ることができる。
リコンからなる保護膜3の一部に開口部を設け、保護膜
3をいためないエッチング液を用いて上記開口部から感
熱抵抗膜14の下部のシリコンよりなる平板状基板1の
一部を除去することにより形成することができる。
窒化シリコン膜のような熱伝導率の大きいもので構成し
たが、中間膜11の熱伝導率が高いものであればよく、
支持膜2の熱伝導率は中間膜11より小さくても、測温
抵抗5、6と発熱抵抗4間の電気的な絶縁性を保ったま
ま、熱的な結合を高いものとすることができる。
支持膜2、発熱抵抗4、中間膜11、測温抵抗5及び
6、保護膜3の順に膜を構成しているが、以下に述べる
全ての実施の形態において、図2の平面図(a)及び断
面図(b)に示すように、平板状基材1の表面に支持膜
2、測温抵抗5及び6、中間膜11、発熱抵抗4、保護
膜3の順に膜を構成しても同様の効果が得られる。
の実施の形態において、ダイヤフラムタイプの流量検出
素子を例として挙げているが、ブリッジタイプの流量検
出素子の場合も同様の効果が得られることは言うまでも
ない。
A−A断面図(b)断面図である。図において、1〜1
4、16、17は、上記参考例1と同一のものを示し、
図1及び2に示した流量検出素子の外部との電気的接続
を行うための電極15は省略している。この実施の形態
では、発熱抵抗4の流れ方向10に直交する方向の長さ
L9が、測温抵抗5、6の流れ方向10に直交する方向
の長さL10よりも長くなっている。
面の表面温度分布であり、図3の流量検出素子における
断面B−B間の表面温度分布の実測値を空気流速0m/
s(実線)と空気流速17m/s(一点鎖線)の場合に
ついて記載している。L8はダイヤフラム14の幅、L
9は発熱抵抗の幅を表している。
央部の温度分布は略平坦であり、端部に近づくに従い温
度勾配が大きくなっている。温度勾配の大きな部分の温
度は流量検出素子の寸法や構成材料の不均一性によって
バラツキが大きくなる傾向にある。
素子においては、発熱抵抗4の流れ方向に直交する方向
において略中央部において測温抵抗5、6がオーバーラ
ップしている。発熱抵抗4の流れ方向に直交する方向の
温度分布の略中央部の温度勾配が小さく温度の高い部分
に測温抵抗5、6が配置されているので流量あるいは流
速計測の精度が安定な流量検出素子が得られる。
る方向において発熱抵抗4の略中央部に設けられ、長さ
L10は、長さL9の1/2以下の長さであることが、
安定な測定精度を得る上で望ましい。
及び断面図(b)である。図において1〜17は、上記
実施の形態1と同一のものを示す。本実施の形態では、
測温抵抗5の上流側端部と測温抵抗6の下流側端部の一
部を発熱抵抗4とオーバーラップしないように構成して
いる。L7及びL7’は測温抵抗5及び6の流れ方向の
幅である。
17m/sの温度分布を比較すると幅L4における平均
温度差(流速0m/sと17m/sの温度差)よりも幅
L7における平均温度差が大きくなっている。一方、幅
L4’における平均温度差と幅L7’における平均温度
差には大差がない。
流側端部の一部を発熱抵抗4とオーバーラップしないよ
うに構成することによって、発熱抵抗4上のより温度の
低い部分とより温度の高い部分の差を測温抵抗5と測温
抵抗6によって計ることができ、流量検出素子の流速あ
るいは流量の変化に対する計測感度を高めることができ
る。
と測温抵抗6の間は発熱抵抗4の流れ方向の幅L3の略
中央部にL3の1/3程度の長さに設定されることが望
ましく、また、測温抵抗4及び測温抵抗5の流れ方向の
幅L7、L7’は発熱抵抗4の幅の半分程度になってい
ることが望ましい。
面図(b)である。図において1〜17は、上記参考例
1と同一のものを示す。本参考例では、発熱抵抗4の流
れ方向の長さL11を流れに対して直交する方向の長さ
L12より長くしている。
量あるいは流速が遅いときと早いときの発熱抵抗4の流
れ方向の温度分布が拡大され、従って流れがある時の測
温抵抗5と測温抵抗6の温度差を大きくとることがで
き、計測感度の高い流量検出素子が得られる。
がテーパ状に形成されている点を除けば、上記参考例
1、2、実施の形態1、2で説明した構成と同一のもの
である。
等の感熱抵抗膜を蒸着やスパッタ等の方法で成膜し、写
真製版、ウエットあるいはドライエッチング等の方法を
用いてパターンニングにより電流路が形成された感熱抵
抗4を形成する工程において、例えば、ドライエッチン
グの際、写真製版に用いるマスクを回折限界よりも細い
幅の回折格子にしてピッチ一定で幅を変化させることに
よりレジストをテーパー状に製版し、イオンミリング装
置によりドライエッチングでパターンニングにより電流
路を形成することによって、発熱抵抗4の断面形状をテ
ーパー状にすることができる。
ーパー形状を有するので、窒化シリコンよりなる絶縁性
の中間膜11の表面はなだらかになり、測温抵抗5、6
は断線等の欠陥がなくなり、より信頼性の高い素子とな
る。
抗5、6の断面形状を上記のテーパ状に形成する方法で
テーパ状にすることによって、測温抵抗5、6の上に成
膜する窒化シリコンよりなる絶縁性の中間膜11の表面
はなだらかになり、中間膜11の上に形成する発熱抵抗
4は断線等の欠陥がなくなり、より信頼性の高い素子と
なる。
れが矢印10で示した方向にある場合を述べてきたが、
逆流を検出する場合は矢印10と反対の方向に計測流体
の移動が起こり、全ての実施の形態において原理上逆流
を検出することが可能である。また、発熱抵抗4、測温
抵抗5、6は、図面においてわかりやすいようにパター
ン幅、パターン間距離を大きめに図示しているが、実際
にはさらに細かなパターンニングがなされる場合もあ
る。
ているので、以下に示すような効果を奏する。請求項1
及び2に係る発明によれば、支持膜上の測温抵抗のパタ
ーンと発熱抵抗のパターンとが、絶縁性の薄い中間膜を
介してオーバラップするように形成し、発熱抵抗のパタ
ーンの計測流体の流れ方向に対して直交する方向におけ
る長さが、測温抵抗のパターンの計測流体の流れ方向に
対して直交する方向における長さよりも長いので、発熱
抵抗の中央部の均一な温度分布の領域に測温抵抗をオー
バラップさせ、安定した流量、流速の測定ができ、測温
抵抗と発熱抵抗間において、電気的な絶縁性を保ったま
ま熱的な結合を高め、測温抵抗部温度の応答遅れを小さ
くでき、流量検出素子の応答性を改善することができ
る。
と、該基材上に形成された絶縁性の支持膜と、該支持膜
上に形成されパターンの断面形状がテーパー状である感
熱抵抗体よりなる発熱抵抗のパターンと、該発熱抵抗上
に、絶縁性の中間膜を介して形成された、計測流体の流
れの方向に並んだ2つの感熱抵抗体よりなる測温抵抗の
パターンと、該測温抵抗上に形成された絶縁性の保護膜
と、前記支持膜、発熱抵抗及び測温抵抗を含む感熱抵抗
体の領域の少なくとも一部の下部にある前記平板状基材
に形成された空洞部とを備え、前記測温抵抗のパターン
の少なくとも一部が前記発熱抵抗のパターンとオーバラ
ップするように形成されているので、流中間膜上に形成
する発熱抵抗の断線等による信頼性の低下を防止でき
る。
と、該基材上に形成された絶縁性の支持膜と、該支持膜
上に形成されパターンの断面形状がテーパー状である感
熱抵抗体よりなる測温抵抗のパターンと、該測温抵抗上
に、絶縁性の中間膜を介して形成された、計測流体の流
れの方向に並んだ2つの感熱抵抗体よりなる発熱抵抗の
パターンと、該発熱抵抗上に形成された絶縁性の保護膜
と、前記支持膜、測温抵抗及び発熱抵抗を含む感熱抵抗
体の領域の少なくとも一部の下部にある前記平板状基材
に形成された空洞部とを備え、前記発熱抵抗のパターン
の少なくとも一部が前記測温抵抗のパターンとオーバラ
ップするように形成されているので、流中間膜上に形成
する測温抵抗の断線等による信頼性の低下を防止でき
る。
たは4のいずれかに記載の流量検出素子において、さら
に発熱抵抗のパターンの計測流体の流れ方向に対して直
交する方向における長さが、測温抵抗のパターンの計測
流体の流れ方向に対して直交する方向における長さより
も長いものとすることによって、発熱抵抗の中央部の均
一な温度分布の領域に測温抵抗をオーバラップさせ、安
定した流量、流速の測定ができる。
図(a)および断面図(b)である。
図(a)および断面図(b)である。
の平面図(a)および断面図(b)である。
子の平面図(a)および断面図(b)である。
図(a)および断面図(b)である。
定流体の流れ方向断面の表面温度分布である。
の測定流体の流れに垂直方向断面の表面温度分布であ
る。
(a)および断面図(b)である。
面図(a)および断面図(b)である。
抗、5 測温抵抗、6測温抵抗、7 比較抵抗、8 開
口部、9 空気スペース、10 矢印、11中間膜、1
2 凹部、13 感熱抵抗膜(ブリッジ)、14 感熱
抵抗膜(ダイヤフラム)、15a,15b,15c,1
5d,15e,15f,15g,15h 電極、16
裏面保護膜、17 エッチングホール
Claims (5)
- 【請求項1】 平板状基材と、該基材上に形成された絶
縁性の支持膜と、該支持膜上に形成された感熱抵抗体よ
りなる発熱抵抗のパターンと、該発熱抵抗上に、絶縁性
の中間膜を介して形成された、計測流体の流れの方向に
並んだ2つの感熱抵抗体よりなる測温抵抗のパターン
と、該測温抵抗上に形成された絶縁性の保護膜と、前記
支持膜、発熱抵抗及び測温抵抗を含む感熱抵抗体の領域
の少なくとも一部の下部にある前記平板状基材に形成さ
れた空洞部とを備え、前記測温抵抗のパターンの少なく
とも一部が前記発熱抵抗のパターンとオーバラップする
ように形成され、かつ前記発熱抵抗のパターンの計測流
体の流れ方向に対して直交する方向における長さが、測
温抵抗のパターンの計測流体の流れ方向に対して直交す
る方向における長さよりも長いことを特徴とする流量検
出素子。 - 【請求項2】 平板状基材と、該基材上に形成された絶
縁性の支持膜と、該支持膜上に形成された感熱抵抗体よ
りなる測温抵抗のパターンと、該測温抵抗上に、絶縁性
の中間膜を介して形成された、計測流体の流れの方向に
並んだ2つの感熱抵抗体よりなる発熱抵抗のパターン
と、該発熱抵抗上に形成された絶縁性の保護膜と、前記
支持膜、測温抵抗及び発熱抵抗を含む感熱抵抗体の領域
の少なくとも一部の下部にある前記平板状基材に形成さ
れた空洞部とを備え、前記発熱抵抗のパターンの少なく
とも一部が前記測温抵抗のパターンとオーバラップする
ように形成され、前記発熱抵抗のパターンの計測流体の
流れ方向に対して直交する方向における長さが、測温抵
抗のパターンの計測流体の流れ方向に対して直交する方
向における長さよりも長いことを特徴とする流量検出素
子。 - 【請求項3】 平板状基材と、該基材上に形成された絶
縁性の支持膜と、該支持膜上に形成されパターンの断面
形状がテーパー状である感熱抵抗体よりなる発熱抵抗の
パターンと、該発熱抵抗上に、絶縁性の中間膜を介して
形成された、計測流体の流れの方向に並んだ2つの感熱
抵抗体よりなる測温抵抗のパターンと、該測温抵抗上に
形成された絶縁性の保護膜と、前記支持膜、発熱抵抗及
び測温抵抗を含む感熱抵抗体の領域の少なくとも一部の
下部にある前記平板状基材に形成された空洞部とを備
え、前記測温抵抗のパターンの少なくとも一部が前記発
熱抵抗のパターンとオーバラップするように形成されて
いることを特徴とする流量検出素子。 - 【請求項4】 平板状基材と、該基材上に形成された絶
縁性の支持膜と、該支持膜上に形成されパターンの断面
形状がテーパー状である感熱抵抗体よりなる測温抵抗の
パターンと、該測温抵抗上に、絶縁性の中間膜を介して
形成された、計測流体の流れの方向に並んだ2つの感熱
抵抗体よりなる発熱抵抗のパターンと、該発熱抵抗上に
形成された絶縁性の保護膜と、前記支持膜、測温抵抗及
び発熱抵抗を含む感熱抵抗体の領域の少なくとも一部の
下部にある前記平板状基材に形成された空洞部とを備
え、前記発熱抵抗のパターンの少なくとも一部が前記測
温抵抗のパターンとオーバラップするように形成されて
いることを特徴とする流量検出素子。 - 【請求項5】 発熱抵抗のパターンの計測流体の流れ方
向に対して直交する方向における長さが、測温抵抗のパ
ターンの計測流体の流れ方向に対して直交する方向にお
ける長さよりも長いことを特徴とする請求項3または4
に記載の流量検出素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06300997A JP3316740B2 (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 流量検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP06300997A JP3316740B2 (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 流量検出素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH10260069A JPH10260069A (ja) | 1998-09-29 |
JP3316740B2 true JP3316740B2 (ja) | 2002-08-19 |
Family
ID=13216902
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP06300997A Expired - Lifetime JP3316740B2 (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 流量検出素子 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP3316740B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6602428B2 (en) | 2000-12-13 | 2003-08-05 | Denso Corporation | Method of manufacturing sensor having membrane structure |
DE102005028143A1 (de) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Robert Bosch Gmbh | Thermischer Luftmassenmesser mit geringer Kontaminationsempfindlichkeit |
JP5479641B1 (ja) * | 2013-07-23 | 2014-04-23 | 株式会社テムテック研究所 | 熱式流量計 |
-
1997
- 1997-03-17 JP JP06300997A patent/JP3316740B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10260069A (ja) | 1998-09-29 |
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