JPH11295127A - 流量検出素子及び流量センサ並びに流量検出素子の製造方法 - Google Patents
流量検出素子及び流量センサ並びに流量検出素子の製造方法Info
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- JPH11295127A JPH11295127A JP10093399A JP9339998A JPH11295127A JP H11295127 A JPH11295127 A JP H11295127A JP 10093399 A JP10093399 A JP 10093399A JP 9339998 A JP9339998 A JP 9339998A JP H11295127 A JPH11295127 A JP H11295127A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 流量出力特性のばらつきの少ない流量検出素
子あるいは流量センサを得る。 【解決手段】 流量検出素子ないしは流量センサにおい
ては、平板状基材１の表面に絶縁性の支持膜３が形成さ
れ、該支持膜３の上に複数の感熱抵抗体６、７が配置さ
れている。そして、感熱抵抗体６、７ないしは支持膜３
は、絶縁性の保護膜４によって覆われている。また、感
熱抵抗体６、７が形成されている領域の下方で、平板状
基材１が裏面側から部分的に除去されて開口部２が形成
され、これによりダイヤフラム部Ｄが形成されている。
ここで、基材の裏面及び上面には、熱処理により同時に
裏面保護膜５及び上面保護膜５’が形成されている。そ
して、ダイヤフラム部Ｄを形成する際に上面保護膜５’
によりエッチング液のダイヤフラム部Ｄへの侵入が防止
され、これにより出力値のばらつきが低減される。
子あるいは流量センサを得る。 【解決手段】 流量検出素子ないしは流量センサにおい
ては、平板状基材１の表面に絶縁性の支持膜３が形成さ
れ、該支持膜３の上に複数の感熱抵抗体６、７が配置さ
れている。そして、感熱抵抗体６、７ないしは支持膜３
は、絶縁性の保護膜４によって覆われている。また、感
熱抵抗体６、７が形成されている領域の下方で、平板状
基材１が裏面側から部分的に除去されて開口部２が形成
され、これによりダイヤフラム部Ｄが形成されている。
ここで、基材の裏面及び上面には、熱処理により同時に
裏面保護膜５及び上面保護膜５’が形成されている。そ
して、ダイヤフラム部Ｄを形成する際に上面保護膜５’
によりエッチング液のダイヤフラム部Ｄへの侵入が防止
され、これにより出力値のばらつきが低減される。
Description
【０００１】
【発明属する技術分野】本発明は、例えば内燃機関の吸
入空気量の計測等に用いられる、発熱体あるいは発熱体
によって加熱された部分から流体への熱伝達現象に基づ
いて該流体の流速ないしは流量を計測する流量検出素子
及び該流量検出素子を用いた流量センサ並びに該流量検
出素子の製造方法に関するものである。
入空気量の計測等に用いられる、発熱体あるいは発熱体
によって加熱された部分から流体への熱伝達現象に基づ
いて該流体の流速ないしは流量を計測する流量検出素子
及び該流量検出素子を用いた流量センサ並びに該流量検
出素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】流体の流速ないしは流量と、該流体中に
配置された発熱体から流体への熱伝達量との間に成立す
るほぼ一義的な関数関係を利用して、該熱伝達量に基づ
いて流体の流速ないしは流量を検出するようにした感熱
式流量検出素子、あるいは該流量検出素子を用いた流量
センサは、従来より内燃機関の吸入空気量の検出等に広
く用いられている。
配置された発熱体から流体への熱伝達量との間に成立す
るほぼ一義的な関数関係を利用して、該熱伝達量に基づ
いて流体の流速ないしは流量を検出するようにした感熱
式流量検出素子、あるいは該流量検出素子を用いた流量
センサは、従来より内燃機関の吸入空気量の検出等に広
く用いられている。
【０００３】図６と図７とは、それぞれ、例えば特開平
４−２９６７号公報に開示されている従来の感熱式流量
検出素子の立面断面図と、保護膜を取り除いた状態にお
ける平面図とである。図６及び図７において、１はシリ
コン半導体よりなる平板状基材であり、２は平板状基材
１の裏側に形成された開口部（空洞部）であり、３は平
板状基材１の表面に設けられたＳi3Ｎ4又はＳiＯ2より
なる絶縁性の支持膜である。そして、６及び７は、それ
ぞれ、支持膜３の上に配置された、白金等よりなる薄膜
状の感熱抵抗体（薄膜測温抵抗体）であり、これらの感
熱抵抗体６、７ないし支持膜３は、Ｓi3Ｎ4又はＳiＯ2よ
りなる絶縁性の保護膜４で保護されている。なお、８は
計測流体温度補償抵抗体である。ここで、感熱抵抗体
６、７の着膜部の下方において平板状基材１に形成され
ている開口部２は、Ｓi3Ｎ4又はＳiＯ2に損傷を与えな
いエッチング液を用いてシリコン半導体からなる平板状
基材１の一部を除去して形成されたものである。かくし
て、該流量検出素子は、感熱抵抗体６、７が形成されて
いる領域にダイヤフラム部が形成されたダイヤフラム構
造をなしている。
４−２９６７号公報に開示されている従来の感熱式流量
検出素子の立面断面図と、保護膜を取り除いた状態にお
ける平面図とである。図６及び図７において、１はシリ
コン半導体よりなる平板状基材であり、２は平板状基材
１の裏側に形成された開口部（空洞部）であり、３は平
板状基材１の表面に設けられたＳi3Ｎ4又はＳiＯ2より
なる絶縁性の支持膜である。そして、６及び７は、それ
ぞれ、支持膜３の上に配置された、白金等よりなる薄膜
状の感熱抵抗体（薄膜測温抵抗体）であり、これらの感
熱抵抗体６、７ないし支持膜３は、Ｓi3Ｎ4又はＳiＯ2よ
りなる絶縁性の保護膜４で保護されている。なお、８は
計測流体温度補償抵抗体である。ここで、感熱抵抗体
６、７の着膜部の下方において平板状基材１に形成され
ている開口部２は、Ｓi3Ｎ4又はＳiＯ2に損傷を与えな
いエッチング液を用いてシリコン半導体からなる平板状
基材１の一部を除去して形成されたものである。かくし
て、該流量検出素子は、感熱抵抗体６、７が形成されて
いる領域にダイヤフラム部が形成されたダイヤフラム構
造をなしている。
【０００４】このような従来の流量検出素子では、普
通、感熱抵抗体６は、計測流体温度補償抵抗体８と感熱
抵抗体７との温度差が一定となるように、図示しない制
御回路によって通電されている。なお、図６中における
矢印１０は空気の通常の流れの方向を示している。この
流量検出素子において、例えば、空気の流量が増加して
感熱抵抗体７の温度が低下すると、これに応じて感熱抵
抗体６に流れる電流が増やされ、感熱抵抗体７と計測流
体温度補償抵抗体８の温度差が一定となるように感熱抵
抗体６の電流が制御される。かくして、感熱抵抗体６の
消費電力から計測流体の流速ないしは流量を求めること
ができる。
通、感熱抵抗体６は、計測流体温度補償抵抗体８と感熱
抵抗体７との温度差が一定となるように、図示しない制
御回路によって通電されている。なお、図６中における
矢印１０は空気の通常の流れの方向を示している。この
流量検出素子において、例えば、空気の流量が増加して
感熱抵抗体７の温度が低下すると、これに応じて感熱抵
抗体６に流れる電流が増やされ、感熱抵抗体７と計測流
体温度補償抵抗体８の温度差が一定となるように感熱抵
抗体６の電流が制御される。かくして、感熱抵抗体６の
消費電力から計測流体の流速ないしは流量を求めること
ができる。
【０００５】以上に述べた流量の計測原理は、感熱抵抗
体７の温度ないしは抵抗値を流速にかかわらず一定値に
保つ定温度差制御の場合であるが、感熱抵抗体６、７へ
の加熱電流を一定にしておいて、流速に対応する感熱抵
抗体６、７の抵抗値変化を検出することによっても、流
速ないしは流量を検出することができる。
体７の温度ないしは抵抗値を流速にかかわらず一定値に
保つ定温度差制御の場合であるが、感熱抵抗体６、７へ
の加熱電流を一定にしておいて、流速に対応する感熱抵
抗体６、７の抵抗値変化を検出することによっても、流
速ないしは流量を検出することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の流
量検出素子を用いた従来の流量センサにおいては、ダイ
ヤフラム部をウエットエッチング法等で形成するとき
に、エッチングを施す方の表面とは反対側の表面に形成
されたピンホールないしはピットにより、ダイヤフラム
部の形状が乱されるといった問題がある。そして、この
ようにダイヤフラム部の形状に乱れが生じやすいので、
流量検出素子ごとに該ダイヤフラム部の熱容量に差が生
じ、ひいては流量検出素子の出力特性にばらつきが生じ
るといった問題が生じる。
量検出素子を用いた従来の流量センサにおいては、ダイ
ヤフラム部をウエットエッチング法等で形成するとき
に、エッチングを施す方の表面とは反対側の表面に形成
されたピンホールないしはピットにより、ダイヤフラム
部の形状が乱されるといった問題がある。そして、この
ようにダイヤフラム部の形状に乱れが生じやすいので、
流量検出素子ごとに該ダイヤフラム部の熱容量に差が生
じ、ひいては流量検出素子の出力特性にばらつきが生じ
るといった問題が生じる。
【０００７】この発明は上記従来の問題を解決するため
になされたものであって、ダイヤフラム部の形状が安定
し、流量出力特性のばらつきが小さい流量検出素子及び
流量センサ並びに該流量検出素子を容易に製造すること
ができる方法を得ることを目的ないしは解決すべき課題
とする。
になされたものであって、ダイヤフラム部の形状が安定
し、流量出力特性のばらつきが小さい流量検出素子及び
流量センサ並びに該流量検出素子を容易に製造すること
ができる方法を得ることを目的ないしは解決すべき課題
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
になされたこの発明の第１の態様に係る流量検出素子
は、（ａ）平板状の基材と、（ｂ）基材の表面に配置さ
れた絶縁性の支持膜と、（ｃ）支持膜の上に配置され該
支持膜によって支持された、感熱抵抗膜よりなる複数の
発熱部と、（ｄ）発熱部の上に形成され、該発熱部を保
護する絶縁性の保護膜とを備えていて、（ｅ）発熱部が
形成されている領域の下方で基材が部分的に除去されて
ダイヤフラム部が形成され、（ｆ）計測流体の流れの方
向にみて、上流側の発熱部と下流側の発熱部の加熱電流
の差に相当する量に基づいて計測流体の流量を計測する
ようになっている感熱式流量検出素子であって、（ｇ）
基材の裏側表面と表側表面とにそれぞれ基材保護膜が形
成されていることを特徴とするものである。
になされたこの発明の第１の態様に係る流量検出素子
は、（ａ）平板状の基材と、（ｂ）基材の表面に配置さ
れた絶縁性の支持膜と、（ｃ）支持膜の上に配置され該
支持膜によって支持された、感熱抵抗膜よりなる複数の
発熱部と、（ｄ）発熱部の上に形成され、該発熱部を保
護する絶縁性の保護膜とを備えていて、（ｅ）発熱部が
形成されている領域の下方で基材が部分的に除去されて
ダイヤフラム部が形成され、（ｆ）計測流体の流れの方
向にみて、上流側の発熱部と下流側の発熱部の加熱電流
の差に相当する量に基づいて計測流体の流量を計測する
ようになっている感熱式流量検出素子であって、（ｇ）
基材の裏側表面と表側表面とにそれぞれ基材保護膜が形
成されていることを特徴とするものである。
【０００９】この流量検出素子においては、基材の表側
表面に基材保護膜が形成されているので、基材を裏側表
面からウエットエッチング法等により除去してダイヤフ
ラム部を形成するときに、エッチングを施す方の表面と
は反対側の表面すなわち表側表面にピンホールないしは
ピットが形成されていても、基材保護膜によって、エッ
チング液がピンホールないしはピットを介してダイヤフ
ラム部に侵入するのが防止される。したがって、ダイヤ
フラム部の形状が乱されず、流量検出素子ごとに該ダイ
ヤフラム部の熱容量に差が生じない。このため、流量検
出素子の出力特性にばらつきが生じるのが防止され、ダ
イヤフラム部の形状が安定し、流量出力特性のばらつき
が小さい流量検出素子が得られる。また、この流量検出
素子は簡素な構造であるので、簡単な製造工程で容易に
製造することができる。
表面に基材保護膜が形成されているので、基材を裏側表
面からウエットエッチング法等により除去してダイヤフ
ラム部を形成するときに、エッチングを施す方の表面と
は反対側の表面すなわち表側表面にピンホールないしは
ピットが形成されていても、基材保護膜によって、エッ
チング液がピンホールないしはピットを介してダイヤフ
ラム部に侵入するのが防止される。したがって、ダイヤ
フラム部の形状が乱されず、流量検出素子ごとに該ダイ
ヤフラム部の熱容量に差が生じない。このため、流量検
出素子の出力特性にばらつきが生じるのが防止され、ダ
イヤフラム部の形状が安定し、流量出力特性のばらつき
が小さい流量検出素子が得られる。また、この流量検出
素子は簡素な構造であるので、簡単な製造工程で容易に
製造することができる。
【００１０】この発明の第２の態様に係る流量検出素子
は、第１の態様に係る流量検出素子において、基材保護
膜が、膜厚５０００Å以上の酸化膜（熱酸化膜）である
ことを特徴とするものである。この流量検出素子におい
ては、ウエットエッチング法等によりダイヤフラム部を
形成するときに、エッチングを施す方の表面とは反対側
の表面にピンホールないしはピットが形成されていて
も、膜厚５０００Å以上の酸化膜によって、エッチング
液がピンホールないしはピットを介してダイヤフラム部
に侵入するのが確実に防止される。このため、流量検出
素子の出力特性にばらつきが生じるのが確実に防止さ
れ、ダイヤフラム部の形状が安定し、流量出力特性のば
らつきが小さい流量検出素子が得られる。
は、第１の態様に係る流量検出素子において、基材保護
膜が、膜厚５０００Å以上の酸化膜（熱酸化膜）である
ことを特徴とするものである。この流量検出素子におい
ては、ウエットエッチング法等によりダイヤフラム部を
形成するときに、エッチングを施す方の表面とは反対側
の表面にピンホールないしはピットが形成されていて
も、膜厚５０００Å以上の酸化膜によって、エッチング
液がピンホールないしはピットを介してダイヤフラム部
に侵入するのが確実に防止される。このため、流量検出
素子の出力特性にばらつきが生じるのが確実に防止さ
れ、ダイヤフラム部の形状が安定し、流量出力特性のば
らつきが小さい流量検出素子が得られる。
【００１１】この発明の第３の態様に係る流量検出素子
は、第１の態様にかかる流量検出素子において、基材保
護膜が、膜厚３０００Å以上の窒化膜（熱窒化膜）であ
ることを特徴とするものである。この流量検出素子にお
いては、ウエットエッチング法等によりダイヤフラム部
を形成するときに、エッチングを施す方の表面とは反対
側の表面にピンホールないしはピットが形成されていて
も、膜厚３０００Å以上の窒化膜によって、エッチング
液がピンホールないしはピットを介してダイヤフラム部
に侵入するのが確実に防止される。このため、流量検出
素子の出力特性にばらつきが生じるのが防止され、ダイ
ヤフラム部の形状が安定し、流量出力特性のばらつきが
小さい流量検出素子が得られる。
は、第１の態様にかかる流量検出素子において、基材保
護膜が、膜厚３０００Å以上の窒化膜（熱窒化膜）であ
ることを特徴とするものである。この流量検出素子にお
いては、ウエットエッチング法等によりダイヤフラム部
を形成するときに、エッチングを施す方の表面とは反対
側の表面にピンホールないしはピットが形成されていて
も、膜厚３０００Å以上の窒化膜によって、エッチング
液がピンホールないしはピットを介してダイヤフラム部
に侵入するのが確実に防止される。このため、流量検出
素子の出力特性にばらつきが生じるのが防止され、ダイ
ヤフラム部の形状が安定し、流量出力特性のばらつきが
小さい流量検出素子が得られる。
【００１２】この発明の第４の態様に係る流量検出素子
は、第１の態様にかかる流量検出素子において、基材保
護膜が、膜厚４０００Å以上の酸窒化膜（熱酸窒化膜）
であることを特徴とするものである。この流量検出素子
においては、ウエットエッチング法等によりダイヤフラ
ム部を形成するときに、エッチングを施す方の表面とは
反対側の表面にピンホールないしはピットが形成されて
いても、膜厚４０００Å以上の酸窒化膜によって、エッ
チング液がピンホールないしはピットを介してダイヤフ
ラム部に侵入するのが確実に防止される。このため、流
量検出素子の出力特性にばらつきが生じるのが防止さ
れ、ダイヤフラム部の形状が安定し、流量出力特性のば
らつきが小さい流量検出素子が得られる。
は、第１の態様にかかる流量検出素子において、基材保
護膜が、膜厚４０００Å以上の酸窒化膜（熱酸窒化膜）
であることを特徴とするものである。この流量検出素子
においては、ウエットエッチング法等によりダイヤフラ
ム部を形成するときに、エッチングを施す方の表面とは
反対側の表面にピンホールないしはピットが形成されて
いても、膜厚４０００Å以上の酸窒化膜によって、エッ
チング液がピンホールないしはピットを介してダイヤフ
ラム部に侵入するのが確実に防止される。このため、流
量検出素子の出力特性にばらつきが生じるのが防止さ
れ、ダイヤフラム部の形状が安定し、流量出力特性のば
らつきが小さい流量検出素子が得られる。
【００１３】この発明の第５の態様に係る流量検出素子
は、第１〜第４の態様のいずれか１つに係る流量検出素
子において、表側表面の基材保護膜が、支持膜の少なく
とも一部を兼ねることを特徴とするものである。この流
量検出素子においては、少なくとも支持膜の一部を省略
できるので、該流量検出素子の材料費が低減され、製造
コストが低減される。
は、第１〜第４の態様のいずれか１つに係る流量検出素
子において、表側表面の基材保護膜が、支持膜の少なく
とも一部を兼ねることを特徴とするものである。この流
量検出素子においては、少なくとも支持膜の一部を省略
できるので、該流量検出素子の材料費が低減され、製造
コストが低減される。
【００１４】この発明の第６の態様に係る流量センサ
は、第１〜第５の態様のいずれか１つに係る流量検出素
子を用いて計測流体の流量を計測するようになっている
ことを特徴とするものである。この流量センサにおいて
は、第１〜第５の態様のいずれか１つに係る流量検出素
子を用いているので、これらの流量検出素子と同様に、
流量出力特性のばらつきが小さくなり、信頼性が高めら
れる。
は、第１〜第５の態様のいずれか１つに係る流量検出素
子を用いて計測流体の流量を計測するようになっている
ことを特徴とするものである。この流量センサにおいて
は、第１〜第５の態様のいずれか１つに係る流量検出素
子を用いているので、これらの流量検出素子と同様に、
流量出力特性のばらつきが小さくなり、信頼性が高めら
れる。
【００１５】この発明の第７の態様に係る流量検出素子
の製造方法は、第１の態様にかかる流量検出素子を製造
するための方法であって、シリコンからなる基材を、酸
素と窒素のうちの少なくとも一方の雰囲気下で加熱する
ことにより、該基材の裏側表面と表側表面とに同時に、
酸化膜（熱酸化膜）、窒化膜（熱窒化膜）又は酸窒化膜
（熱酸窒化膜）からなる基材保護膜を形成するようにし
たことを特徴とするものである。この流量検出素子の製
造方法においては、加熱処理を行うだけの簡素な工程
で、基材の裏側表面と表側表面とに同時に基材保護膜を
形成することができるので、流量検出素子を極めて容易
に製造することができ、ひいては該流量検出素子の製造
コストが低減される。
の製造方法は、第１の態様にかかる流量検出素子を製造
するための方法であって、シリコンからなる基材を、酸
素と窒素のうちの少なくとも一方の雰囲気下で加熱する
ことにより、該基材の裏側表面と表側表面とに同時に、
酸化膜（熱酸化膜）、窒化膜（熱窒化膜）又は酸窒化膜
（熱酸窒化膜）からなる基材保護膜を形成するようにし
たことを特徴とするものである。この流量検出素子の製
造方法においては、加熱処理を行うだけの簡素な工程
で、基材の裏側表面と表側表面とに同時に基材保護膜を
形成することができるので、流量検出素子を極めて容易
に製造することができ、ひいては該流量検出素子の製造
コストが低減される。
【００１６】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１と図２とは、
それぞれ、この発明の実施の形態１に係る流量検出素子
の立面断面図と、保護膜を取り外した状態における平面
図とである。図１及び図２において、１は例えば厚さ約
０.４ｍｍ（４００μｍ）のシリコンよりなる平板状基
材１であり、この平板状基材１の裏面（裏側表面）には
裏面保護膜５（基材保護膜）が形成され、他方平板状基
材１の上面（表側表面）には上面保護膜５’（基材保護
膜）が形成されている。なお、両保護膜５、５’は熱的
処理により同時に形成されるが、その具体的な形成方法
は後記のとおりである。
それぞれ、この発明の実施の形態１に係る流量検出素子
の立面断面図と、保護膜を取り外した状態における平面
図とである。図１及び図２において、１は例えば厚さ約
０.４ｍｍ（４００μｍ）のシリコンよりなる平板状基
材１であり、この平板状基材１の裏面（裏側表面）には
裏面保護膜５（基材保護膜）が形成され、他方平板状基
材１の上面（表側表面）には上面保護膜５’（基材保護
膜）が形成されている。なお、両保護膜５、５’は熱的
処理により同時に形成されるが、その具体的な形成方法
は後記のとおりである。
【００１７】そして、上面保護膜５’の上には、例えば
厚さ０.５μｍの窒化シリコン等よりなる絶縁性の支持
膜３がスパッタ法、蒸着法、あるいはＣＶＤ法等を用い
て形成されている。この流量検出素子では、上面保護膜
５’は支持膜３の一部を兼ねている。すなわち、支持膜
３の一部として利用されている。したがって、支持膜３
は、その分だけ薄く形成されている。なお、上面保護膜
５’を全面的に支持膜として利用するようにしてもよ
い。
厚さ０.５μｍの窒化シリコン等よりなる絶縁性の支持
膜３がスパッタ法、蒸着法、あるいはＣＶＤ法等を用い
て形成されている。この流量検出素子では、上面保護膜
５’は支持膜３の一部を兼ねている。すなわち、支持膜
３の一部として利用されている。したがって、支持膜３
は、その分だけ薄く形成されている。なお、上面保護膜
５’を全面的に支持膜として利用するようにしてもよ
い。
【００１８】さらに、支持膜３の上に、例えば厚さ０.
２μｍの白金等の感熱抵抗膜よりなる感熱抵抗体６、７
が蒸着法やスパッタ法等を用いて着膜されている。これ
らの感熱抵抗体６、７は、写真製版法、ウエットエッチ
ング法あるいはドライエッチング法等を用いてパターニ
ングが行われ、これにより電流路が形成されている。こ
のパターニングによって形成された感熱抵抗体６、７の
発熱部の大きさは、例えば１ｍｍ×０.０５ｍｍであ
る。また、支持膜３の上には、感熱抵抗体６、７と同様
に、例えば厚さ０.２μｍの白金等の感熱抵抗膜よりな
る計測流体温度補償抵抗体８、９が蒸着法やスパッタ法
等を用いて着膜されている。これらの計測流体温度補償
抵抗体８、９は、写真製版法、ウエットエッチング法あ
るいはドライエッチング法等を用いてパターニングが行
われ、これにより電流路が形成されている。さらに、感
熱抵抗体６、７及び計測流体温度補償抵抗体８、９ないし
支持膜３の上には、例えば厚さ１μｍの窒化シリコン等
よりなる絶縁性の保護膜４がスパッタ法、蒸着法あるい
はＣＶＤ法等を用いて形成されている。
２μｍの白金等の感熱抵抗膜よりなる感熱抵抗体６、７
が蒸着法やスパッタ法等を用いて着膜されている。これ
らの感熱抵抗体６、７は、写真製版法、ウエットエッチ
ング法あるいはドライエッチング法等を用いてパターニ
ングが行われ、これにより電流路が形成されている。こ
のパターニングによって形成された感熱抵抗体６、７の
発熱部の大きさは、例えば１ｍｍ×０.０５ｍｍであ
る。また、支持膜３の上には、感熱抵抗体６、７と同様
に、例えば厚さ０.２μｍの白金等の感熱抵抗膜よりな
る計測流体温度補償抵抗体８、９が蒸着法やスパッタ法
等を用いて着膜されている。これらの計測流体温度補償
抵抗体８、９は、写真製版法、ウエットエッチング法あ
るいはドライエッチング法等を用いてパターニングが行
われ、これにより電流路が形成されている。さらに、感
熱抵抗体６、７及び計測流体温度補償抵抗体８、９ないし
支持膜３の上には、例えば厚さ１μｍの窒化シリコン等
よりなる絶縁性の保護膜４がスパッタ法、蒸着法あるい
はＣＶＤ法等を用いて形成されている。
【００１９】さらに、平板状基材１の裏面すなわち支持
膜３が形成されている表面とは反対側の表面に形成され
た裏面保護膜５に、写真製版法等によりエッチングホー
ルが形成された後、例えばアルカリエッチング等を施す
ことにより平板状基材１の一部が除去されて開口部２
（凹部）が形成され、これによりダイヤフラム部Ｄが形
成されている。なお、開口部２は、感熱抵抗体６、７が
形成されている領域の下方で、平板状基材１が裏面側か
ら部分的に除去されて形成されている。すなわち、この
流量検出素子は、感熱抵抗体６、７が形成されている領
域ではダイヤフラム構造をなしている。このダイヤフラ
ム部Ｄは、熱伝導度を高めて該流量検出素子の流量検出
精度を高めるために、できる限り薄く形成されるのが好
ましい。
膜３が形成されている表面とは反対側の表面に形成され
た裏面保護膜５に、写真製版法等によりエッチングホー
ルが形成された後、例えばアルカリエッチング等を施す
ことにより平板状基材１の一部が除去されて開口部２
（凹部）が形成され、これによりダイヤフラム部Ｄが形
成されている。なお、開口部２は、感熱抵抗体６、７が
形成されている領域の下方で、平板状基材１が裏面側か
ら部分的に除去されて形成されている。すなわち、この
流量検出素子は、感熱抵抗体６、７が形成されている領
域ではダイヤフラム構造をなしている。このダイヤフラ
ム部Ｄは、熱伝導度を高めて該流量検出素子の流量検出
精度を高めるために、できる限り薄く形成されるのが好
ましい。
【００２０】この流量検出素子において、感熱抵抗体
６、７は、図示していない制御回路によって、それぞれ
所定の平均温度になるよう制御されている。図示してい
ないが、この制御回路は、計測流体温度補償抵抗体８と
感熱抵抗体６とを含む第１のブリッジ回路と、計測流体
温度補償抵抗９と感熱抵抗体７とを含む第２のブリッジ
回路と、感熱抵抗体６、７をそれぞれ流れる加熱電流に
相当する電圧の差を求める回路とで構成されている。か
くして、感熱抵抗体６、７の発熱温度を、それぞれ計測
流体温補償抵抗８、９で検出された計測流体温度に基づ
いて適切に変えて行けば、計測流体の流速と密度の積に
相当する量が、加熱電流より得られる。
６、７は、図示していない制御回路によって、それぞれ
所定の平均温度になるよう制御されている。図示してい
ないが、この制御回路は、計測流体温度補償抵抗体８と
感熱抵抗体６とを含む第１のブリッジ回路と、計測流体
温度補償抵抗９と感熱抵抗体７とを含む第２のブリッジ
回路と、感熱抵抗体６、７をそれぞれ流れる加熱電流に
相当する電圧の差を求める回路とで構成されている。か
くして、感熱抵抗体６、７の発熱温度を、それぞれ計測
流体温補償抵抗８、９で検出された計測流体温度に基づ
いて適切に変えて行けば、計測流体の流速と密度の積に
相当する量が、加熱電流より得られる。
【００２１】ここで、矢印１０で示す方向に流体が流れ
ている場合において、計測流体の流速が速くなると、上
流側の感熱抵抗体６では、該感熱抵抗体６から計測流体
への熱伝達が多くなるため、加熱電流が増加する。他
方、下流側の感熱抵抗体７では、その付近を上流側の感
熱抵抗体６によって暖められた流体が流れるため、上流
側の感熱抵抗体６に比べると、加熱電流の増加は少な
い。したがって、感熱抵抗体６、７の加熱電流の差を求
めることによって、流量と流れの方向とを検出すること
ができる。
ている場合において、計測流体の流速が速くなると、上
流側の感熱抵抗体６では、該感熱抵抗体６から計測流体
への熱伝達が多くなるため、加熱電流が増加する。他
方、下流側の感熱抵抗体７では、その付近を上流側の感
熱抵抗体６によって暖められた流体が流れるため、上流
側の感熱抵抗体６に比べると、加熱電流の増加は少な
い。したがって、感熱抵抗体６、７の加熱電流の差を求
めることによって、流量と流れの方向とを検出すること
ができる。
【００２２】ところで、この流量検出素子において、ダ
イヤフラム部Ｄを形成する際に、保護膜４にピンホール
ないしはピットがあると、そこからエッチング液が浸入
し、平板状基材１のダイヤフラム部Ｄを形成すべき部分
がエッチングされる。そして、このようにして形成され
たピンホールないしはピットがダイヤフラム部Ｄに存在
すると、該ダイヤフラム部Ｄが形状異常を引き起こす。
このように、ダイヤフラム部Ｄに形状異常が引き起こさ
れた場合、計測流体の流れの方向にみて上流側の感熱抵
抗体６と下流側の感熱抵抗体７の熱容量がアンバランス
となり、無風時における感熱抵抗体６、７の加熱電流に
差が生じることになる。それゆえ、正常なダイヤフラム
部Ｄと形状異常のダイヤフラムＤとでは、該ダイヤフラ
ム部Ｄの感熱抵抗体６、７への加熱電流により生じる熱
平衡状態に差が生じることになり、ひいては流量検出素
子の流量検出特性にばらつきが生じることになる。
イヤフラム部Ｄを形成する際に、保護膜４にピンホール
ないしはピットがあると、そこからエッチング液が浸入
し、平板状基材１のダイヤフラム部Ｄを形成すべき部分
がエッチングされる。そして、このようにして形成され
たピンホールないしはピットがダイヤフラム部Ｄに存在
すると、該ダイヤフラム部Ｄが形状異常を引き起こす。
このように、ダイヤフラム部Ｄに形状異常が引き起こさ
れた場合、計測流体の流れの方向にみて上流側の感熱抵
抗体６と下流側の感熱抵抗体７の熱容量がアンバランス
となり、無風時における感熱抵抗体６、７の加熱電流に
差が生じることになる。それゆえ、正常なダイヤフラム
部Ｄと形状異常のダイヤフラムＤとでは、該ダイヤフラ
ム部Ｄの感熱抵抗体６、７への加熱電流により生じる熱
平衡状態に差が生じることになり、ひいては流量検出素
子の流量検出特性にばらつきが生じることになる。
【００２３】しかしながら、この実施の形態１に係る流
量検出素子では、保護膜４にピンホールないしはピット
が形成されている場合でも、上面保護膜５’によってエ
ッチング液がダイヤフラム部Ｄに侵入するのが防止され
る。したがって、ダイヤフラム部Ｄの形状が乱されず、
流量検出素子ごとにダイヤフラム部の熱容量に差は生じ
ない。このため、流量検出素子の出力特性にばらつきが
生じるのが防止され、ダイヤフラム部Ｄの形状が安定
し、流量出力特性のばらつきが小さい流量検出素子が得
られる。また、この流量検出素子は簡素な構造であるの
で、簡単な製造工程で容易に製造することができる。
量検出素子では、保護膜４にピンホールないしはピット
が形成されている場合でも、上面保護膜５’によってエ
ッチング液がダイヤフラム部Ｄに侵入するのが防止され
る。したがって、ダイヤフラム部Ｄの形状が乱されず、
流量検出素子ごとにダイヤフラム部の熱容量に差は生じ
ない。このため、流量検出素子の出力特性にばらつきが
生じるのが防止され、ダイヤフラム部Ｄの形状が安定
し、流量出力特性のばらつきが小さい流量検出素子が得
られる。また、この流量検出素子は簡素な構造であるの
で、簡単な製造工程で容易に製造することができる。
【００２４】ここで、平板状基材１の裏面及び上面にそ
れぞれ形成された裏面保護膜５及び５’は、およそ次の
ような手順ないしは方法で形成される。すなわち、両保
護膜５、５’は、基本的には、シリコンからなる平板状
基材１を、酸素と窒素のうちの少なくとも一方の雰囲気
下で加熱することにより（例えば、９００〜１２００°
Ｃ）、該平板状基材１の裏面と上面とに同時に、熱酸化
膜、熱窒化膜又は熱酸窒化膜を形成するといった手法で
形成される。
れぞれ形成された裏面保護膜５及び５’は、およそ次の
ような手順ないしは方法で形成される。すなわち、両保
護膜５、５’は、基本的には、シリコンからなる平板状
基材１を、酸素と窒素のうちの少なくとも一方の雰囲気
下で加熱することにより（例えば、９００〜１２００°
Ｃ）、該平板状基材１の裏面と上面とに同時に、熱酸化
膜、熱窒化膜又は熱酸窒化膜を形成するといった手法で
形成される。
【００２５】ここで、保護膜５、５’が熱酸化膜である
場合はその膜厚が５０００Å以上であるのが好ましく、
熱窒化膜である場合はその膜厚が３０００Å以上である
のが好ましく、熱酸窒化膜である場合はその膜厚が４０
００Å以上であるのが好ましい。このようにすれば、ダ
イヤフラム部Ｄの形成時に発生するピンホールないしは
ピット（エッチピット）の数を低減することができ、正
常なダイヤフラム形状が得られるからである。かくし
て、流量出力特性ばらつきが小さい流量検出素子を得る
ことができる。
場合はその膜厚が５０００Å以上であるのが好ましく、
熱窒化膜である場合はその膜厚が３０００Å以上である
のが好ましく、熱酸窒化膜である場合はその膜厚が４０
００Å以上であるのが好ましい。このようにすれば、ダ
イヤフラム部Ｄの形成時に発生するピンホールないしは
ピット（エッチピット）の数を低減することができ、正
常なダイヤフラム形状が得られるからである。かくし
て、流量出力特性ばらつきが小さい流量検出素子を得る
ことができる。
【００２６】図５に、３インチウエハにおけるピンホー
ルないしはピット（エッチピット）の発生数の保護膜
５、５’の厚さに対する依存性を、熱酸化膜と熱窒化膜
と熱酸窒化膜とについて示す。図５によれば、熱酸化膜
の場合は膜厚５０００Å以上で、熱窒化膜の場合は膜厚
３０００Å以上で、熱酸窒化膜の場合は膜厚４０００Å
以上で、３インチウエハにおけるピンホール数ないしは
ピット数を５個以下にすることができ、したがって正常
なダイヤフラム形状が得られ、流量出力特性ばらつきの
小さい流量検出素子及び流量センサを得ることができる
ことがわかる。
ルないしはピット（エッチピット）の発生数の保護膜
５、５’の厚さに対する依存性を、熱酸化膜と熱窒化膜
と熱酸窒化膜とについて示す。図５によれば、熱酸化膜
の場合は膜厚５０００Å以上で、熱窒化膜の場合は膜厚
３０００Å以上で、熱酸窒化膜の場合は膜厚４０００Å
以上で、３インチウエハにおけるピンホール数ないしは
ピット数を５個以下にすることができ、したがって正常
なダイヤフラム形状が得られ、流量出力特性ばらつきの
小さい流量検出素子及び流量センサを得ることができる
ことがわかる。
【００２７】また、この保護膜形成手法によれば、１回
の熱処理で裏面保護膜５と上面保護膜５’とを同時に形
成することができる。それゆえ、これらの保護膜５、
５’の形成が極めて容易である。また、上面保護膜５’
の一部又は全部を支持膜３として利用する場合は、支持
膜３の形成に要する時間が短縮され、あるいはなくなる
ので、該流量検出素子の製造工程を短縮することができ
る。
の熱処理で裏面保護膜５と上面保護膜５’とを同時に形
成することができる。それゆえ、これらの保護膜５、
５’の形成が極めて容易である。また、上面保護膜５’
の一部又は全部を支持膜３として利用する場合は、支持
膜３の形成に要する時間が短縮され、あるいはなくなる
ので、該流量検出素子の製造工程を短縮することができ
る。
【００２８】実施の形態２．図３及び図４は、上記の実
施の形態１に係る流検出素子を用いた流量センサの１つ
の実施の形態を示す正面図及び側面断面図である。図３
及び図４において、１１は流量検出素子であり、１２は
検出管路であり、１３は流体の通路である主通路であ
り、１４は格子状の整流器であり、１５は制御回路が収
められたケースであり、１６は該流量センサに電源を供
給したり出力を取り出すためのコネクタである。なお、
矢印１０は、通常時における計測流体（空気）の流れの
方向を示している。このように、実施の形態１に係る流
量検出素子を組み込むことにより、実施の形態１に係る
流体検出素子の場合と同様の効果を奏する流量センサが
得られる。
施の形態１に係る流検出素子を用いた流量センサの１つ
の実施の形態を示す正面図及び側面断面図である。図３
及び図４において、１１は流量検出素子であり、１２は
検出管路であり、１３は流体の通路である主通路であ
り、１４は格子状の整流器であり、１５は制御回路が収
められたケースであり、１６は該流量センサに電源を供
給したり出力を取り出すためのコネクタである。なお、
矢印１０は、通常時における計測流体（空気）の流れの
方向を示している。このように、実施の形態１に係る流
量検出素子を組み込むことにより、実施の形態１に係る
流体検出素子の場合と同様の効果を奏する流量センサが
得られる。
【００２９】なお、以上の実施の形態では、全ての図に
おいて、わかりやすいようにパターン幅及びパターン間
距離を大きめに図示しているが、実際にはさらに細かな
パターンニングがなされる場合もある。
おいて、わかりやすいようにパターン幅及びパターン間
距離を大きめに図示しているが、実際にはさらに細かな
パターンニングがなされる場合もある。
【００３０】
【発明の効果】この発明によれば、以下に示すような顕
著な効果を奏する。すなわち、この発明の第１の態様に
係る流量検出素子によれば、基材の表側表面に基材保護
膜が形成されているので、基材にダイヤフラム部を形成
するときに、エッチングを施す方の表面とは反対側の表
面にピンホールないしはピットが形成されていても、基
材保護膜によって、エッチング液がピンホールないしは
ピットを介してダイヤフラム部に侵入するのが防止さ
れ、ダイヤフラム部の形状が乱されず、流量検出素子ご
とに該ダイヤフラム部の熱容量に差が生じない。このた
め、流量検出素子の出力特性にばらつきが生じるのが防
止され、ダイヤフラム部の形状が安定し、流量出力特性
のばらつきが小さい流量検出素子が得られる。また、こ
の流量検出素子は簡素な構造であるので、簡単な製造工
程で容易に製造することができる。
著な効果を奏する。すなわち、この発明の第１の態様に
係る流量検出素子によれば、基材の表側表面に基材保護
膜が形成されているので、基材にダイヤフラム部を形成
するときに、エッチングを施す方の表面とは反対側の表
面にピンホールないしはピットが形成されていても、基
材保護膜によって、エッチング液がピンホールないしは
ピットを介してダイヤフラム部に侵入するのが防止さ
れ、ダイヤフラム部の形状が乱されず、流量検出素子ご
とに該ダイヤフラム部の熱容量に差が生じない。このた
め、流量検出素子の出力特性にばらつきが生じるのが防
止され、ダイヤフラム部の形状が安定し、流量出力特性
のばらつきが小さい流量検出素子が得られる。また、こ
の流量検出素子は簡素な構造であるので、簡単な製造工
程で容易に製造することができる。
【００３１】この発明の第２の態様に係る流量検出素子
によれば、ウエットエッチング法等により基材にダイヤ
フラム部を形成するときに、酸化膜によって、エッチン
グ液がピンホールないしはピットを介してダイヤフラム
部に侵入するのが確実に防止される。このため、流量検
出素子の出力特性にばらつきが生じるのが確実に防止さ
れ、ダイヤフラム部の形状が安定し、流量出力特性のば
らつきが小さい流量検出素子が得られる。また、この流
量検出素子は簡素な構造であるので、簡単な製造工程で
容易に製造することができる。
によれば、ウエットエッチング法等により基材にダイヤ
フラム部を形成するときに、酸化膜によって、エッチン
グ液がピンホールないしはピットを介してダイヤフラム
部に侵入するのが確実に防止される。このため、流量検
出素子の出力特性にばらつきが生じるのが確実に防止さ
れ、ダイヤフラム部の形状が安定し、流量出力特性のば
らつきが小さい流量検出素子が得られる。また、この流
量検出素子は簡素な構造であるので、簡単な製造工程で
容易に製造することができる。
【００３２】この発明の第３の態様に係る流量検出素子
によれば、ウエットエッチング法等により基材にダイヤ
フラム部を形成するときに、窒化膜によって、エッチン
グ液がピンホールないしはピットを介してダイヤフラム
部に侵入するのが確実に防止される。このため、流量検
出素子の出力特性にばらつきが生じるのが防止され、ダ
イヤフラム部の形状が安定し、流量出力特性のばらつき
が小さい流量検出素子が得られる。また、この流量検出
素子は簡素な構造であるので、簡単な製造工程で容易に
製造することができる。
によれば、ウエットエッチング法等により基材にダイヤ
フラム部を形成するときに、窒化膜によって、エッチン
グ液がピンホールないしはピットを介してダイヤフラム
部に侵入するのが確実に防止される。このため、流量検
出素子の出力特性にばらつきが生じるのが防止され、ダ
イヤフラム部の形状が安定し、流量出力特性のばらつき
が小さい流量検出素子が得られる。また、この流量検出
素子は簡素な構造であるので、簡単な製造工程で容易に
製造することができる。
【００３３】この発明の第４の態様に係る流量検出素子
によれば、ウエットエッチング法等により基材にダイヤ
フラム部を形成するときに、酸窒化膜によって、エッチ
ング液がピンホールないしはピットを介してダイヤフラ
ム部に侵入するのが確実に防止される。このため、流量
検出素子の出力特性にばらつきが生じるのが防止され、
ダイヤフラム部の形状が安定し、流量出力特性のばらつ
きが小さい流量検出素子が得られる。また、この流量検
出素子は簡素な構造であるので、簡単な製造工程で容易
に製造することができる。
によれば、ウエットエッチング法等により基材にダイヤ
フラム部を形成するときに、酸窒化膜によって、エッチ
ング液がピンホールないしはピットを介してダイヤフラ
ム部に侵入するのが確実に防止される。このため、流量
検出素子の出力特性にばらつきが生じるのが防止され、
ダイヤフラム部の形状が安定し、流量出力特性のばらつ
きが小さい流量検出素子が得られる。また、この流量検
出素子は簡素な構造であるので、簡単な製造工程で容易
に製造することができる。
【００３４】この発明の第５の態様に係る流量検出素子
によれば、少なくとも支持膜の一部を省略できるので、
該流量検出素子の材料費が低減され、製造コストが低減
される。
によれば、少なくとも支持膜の一部を省略できるので、
該流量検出素子の材料費が低減され、製造コストが低減
される。
【００３５】この発明の第６の態様に係る流量センサに
よれば、第１〜第５の態様のいずれか１つに係る流量検
出素子を用いているので、これらの流量検出素子と同様
に、流量出力特性のばらつきが小さくなり、信頼性が高
められる。
よれば、第１〜第５の態様のいずれか１つに係る流量検
出素子を用いているので、これらの流量検出素子と同様
に、流量出力特性のばらつきが小さくなり、信頼性が高
められる。
【００３６】この発明の第７の態様に係る流量検出素子
の製造方法によれば、加熱処理を行うだけの簡素な工程
で、基材の裏側表面と表側表面とに同時に基材保護膜を
形成することができるので、流量検出素子を極めて容易
に製造することができる、ひいては該流量検出素子の製
造コストが低減される。
の製造方法によれば、加熱処理を行うだけの簡素な工程
で、基材の裏側表面と表側表面とに同時に基材保護膜を
形成することができるので、流量検出素子を極めて容易
に製造することができる、ひいては該流量検出素子の製
造コストが低減される。
【図１】 この発明の実施の形態１に係る感熱式流量検
出素子の立面断面図である。
出素子の立面断面図である。
【図２】 図１に示す流量検出素子の、保護膜を取り外
した状態における平面図である。
した状態における平面図である。
【図３】 この発明の実施の形態２に係る流量センサの
正面図である。
正面図である。
【図４】 図３に示す流量センサの側面断面図である。
【図５】 ３インチウエハにおける裏面保護膜の膜厚と
エッチピットの関係を表すグラフである。
エッチピットの関係を表すグラフである。
【図６】 従来の流量検出素子の立面断面図である。
【図７】 図６に示す従来の流量検出素子の平面図であ
る。
る。
１ 平板状基材、２ 開口部、３ 支持膜、４ 保護
膜、５ 裏面保護膜、５’ 上面保護膜、６ 上流側感
熱抵抗体、７ 下流側感熱抵抗体、８ 計測流体温度補
償抵抗体、９ 計測流体温度補償抵抗体、１０ 矢印、
１１ 流量検出素子、１２ 検出管路、１３ 主通路、
１４ 整流器、１５ ケース、１６ コネクタ。
膜、５ 裏面保護膜、５’ 上面保護膜、６ 上流側感
熱抵抗体、７ 下流側感熱抵抗体、８ 計測流体温度補
償抵抗体、９ 計測流体温度補償抵抗体、１０ 矢印、
１１ 流量検出素子、１２ 検出管路、１３ 主通路、
１４ 整流器、１５ ケース、１６ コネクタ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堤 和彦 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 平板状の基材と、 前記基材の表面に配置された絶縁性の支持膜と、 前記支持膜の上に配置され該支持膜によって支持され
た、感熱抵抗膜よりなる複数の発熱部と、 前記発熱部の上に形成され、該発熱部を保護する絶縁性
の保護膜とを備えていて、 前記発熱部が形成されている領域の下方で前記基材が部
分的に除去されてダイヤフラム部が形成され、計測流体
の流れの方向にみて、上流側の発熱部と下流側の発熱部
の加熱電流の差に相当する量に基づいて前記計測流体の
流量を計測するようになっている感熱式流量検出素子で
あって、 前記基材の裏側表面と表側表面とにそれぞれ基材保護膜
が形成されていることを特徴とする流量検出素子。 - 【請求項２】 前記基材保護膜が、膜厚５０００Å以上
の酸化膜であることを特徴とする請求項１に記載の流量
検出素子。 - 【請求項３】 前記基材保護膜が、膜厚３０００Å以上
の窒化膜であることを特徴とする請求項１に記載の流量
検出素子。 - 【請求項４】 前記基材保護膜が、膜厚４０００Å以上
の酸窒化膜であることを特徴とする請求項１に記載の流
量検出素子。 - 【請求項５】 前記表側表面の基材保護膜が、前記支持
膜の少なくとも一部を兼ねることを特徴とする請求項１
〜４のいずれか１つに記載の流量検出素子。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１つに記載の流
量検出素子を用いて計測流体の流量を計測するようにな
っていることを特徴とする流量センサ。 - 【請求項７】 請求項１に記載の流量検出素子を製造す
るための方法であって、 シリコンからなる基材を、酸素と窒素のうちの少なくと
も一方の雰囲気下で加熱することにより、該基材の裏側
表面と表側表面とに同時に、酸化膜、窒化膜又は酸窒化
膜からなる基材保護膜を形成するようにしたことを特徴
とする流量検出素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10093399A JPH11295127A (ja) | 1998-04-06 | 1998-04-06 | 流量検出素子及び流量センサ並びに流量検出素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10093399A JPH11295127A (ja) | 1998-04-06 | 1998-04-06 | 流量検出素子及び流量センサ並びに流量検出素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11295127A true JPH11295127A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14081233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10093399A Pending JPH11295127A (ja) | 1998-04-06 | 1998-04-06 | 流量検出素子及び流量センサ並びに流量検出素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11295127A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003014518A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-15 | Denso Corp | フローセンサ |
| US8429964B2 (en) | 2008-12-08 | 2013-04-30 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Thermal fluid flow sensor having stacked insulating films above and below heater and temperature-measuring resistive elements |
| JPWO2015152244A1 (ja) * | 2014-04-02 | 2017-04-13 | 三菱電機株式会社 | センサ素子およびその製造方法ならびに検出装置およびその製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0545193A (ja) * | 1991-08-19 | 1993-02-23 | Anritsu Corp | 流量センサ |
| JPH05307045A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-11-19 | Terumo Corp | 流速センサ |
| JPH0758346A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロフローセンサ及びその製造方法 |
| JPH0862011A (ja) * | 1994-06-13 | 1996-03-08 | Yazaki Corp | 熱伝播時間計測型フローセンサとその製造方法 |
| JPH1062222A (ja) * | 1996-06-12 | 1998-03-06 | Ricoh Co Ltd | フローセンサ |
-
1998
- 1998-04-06 JP JP10093399A patent/JPH11295127A/ja active Pending
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| JPWO2015152244A1 (ja) * | 2014-04-02 | 2017-04-13 | 三菱電機株式会社 | センサ素子およびその製造方法ならびに検出装置およびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040311 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040316 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040517 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040622 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040820 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040831 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20041001 |