JP3460749B2 - 検出装置 - Google Patents

検出装置

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JP3460749B2
JP3460749B2 JP10108895A JP10108895A JP3460749B2 JP 3460749 B2 JP3460749 B2 JP 3460749B2 JP 10108895 A JP10108895 A JP 10108895A JP 10108895 A JP10108895 A JP 10108895A JP 3460749 B2 JP3460749 B2 JP 3460749B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、検出装置に関し、より
詳細には、雰囲気中に含まれる特定ガスや雰囲気の流
速,流量,または、雰囲気の温度や受光した赤外線の量
による熱的変化を抵抗値変化として検出し、検出信号が
周囲温度の影響を受けないように設けられた信号引き出
し配線パターンを有する熱伝導式ガス検出装置および赤
外線,温度センサに関する。
【0002】
【従来の技術】熱伝導原理を利用したマイクロブリッジ
構造の湿度センサ,ガスセンサ,フローセンサ等の雰囲
気センサ、および温度センサは、発熱部又は受熱部を有
し、発熱部の動作温度により、それぞれ目的とする気体
の成分,濃度等の物性や流量,湿度等の物理量を選択的
に高感度に精度よく検出し、また、受熱部の抵抗変化か
ら雰囲気の温度,赤外線量などの物理量を検出する検出
装置である。しかし、センサの発熱部は、熱伝導性の物
質からなる熱容量を有する物体であるから、熱流によっ
て生ずる温度分布があり、発熱部のすべての部分の温度
を目的とする一定温度にコントロールすることは困難で
ある。
【0003】例えば、SnO2,ZnO,Fe23…等
の金属酸化物半導体からなるガスの感応物質を有するガ
スセンサの場合、このガスセンサを用いてエタノール又
はイソブタンを選別して検出するとき、感応物質の温度
は、エタノール検出の場合の温度が250〜350
(℃)、イソブタン検出の場合の温度が350〜450
(℃)の範囲に定められている。
【0004】発熱部と検出部とを一体にした構造で、こ
のような範囲の温度を保つようにコントロールすること
は困難で、発熱部と傍熱ヒータを組合わせる必要があ
る。しかし、傍熱ヒータ自体にも温度分布があり、例え
ば、中心位置では400℃であっても、端部では100
℃で、中心部と端部とでは大きい温度偏差が生ずる。感
応物質からなる検出部の温度分布が上記のように大きい
と、エタノールとイソブタンとを選別して検出すること
ができなくなり、LP(液化石油)ガスのガス洩れ警報
器として使用した場合、エタノールによってもガス洩れ
警報が発せられるので、警報の信頼性が損われる等の問
題があった。
【0005】検出部の温度分布が不均一であることによ
る検出精度への悪影響を解決するために、本出願人は、
特開平6−174672号公報による「検出器の検出部
構造」,特開昭62−220850号公報による「雰囲
気検出装置」を提案した。
【0006】特開平6−174672号公報による検出
部構造は、電気的絶縁材料の張り出し部を基板上の空中
に張り出して設け、この張り出し部上に温度分布が均一
となる部分に感応物質を有する開口部を設けて、開口部
の感応物質以外の感応物質が持ち込まれない構造とした
ものである。
【0007】特開昭62−220850号公報による雰
囲気検出装置は、基板に形成された凹部上に電気的絶縁
物質の皮膜を架橋し、この架橋された薄膜絶縁体上に、
長手方向に延びるヒータ部材と、ヒータ部材と平行に延
在し、略中央が互いに分離された検出部材を設け、更
に、検出部材の分離された部分とヒータ部材の中央部と
の間にガス感応物質を積層したもので、感応物質の温度
分布が一定となるようにヒータ形状が工夫されている。
【0008】また、発熱部と検出部とが別体構成ではな
く、発熱部と検出部とが兼用している構造および原理の
センサの場合は、構造上、発熱部自体が温度分布をもつ
ので、この温度分布影響が検出特性に現われるという問
題がある。
【0009】発熱部と検出部とを兼用している構造原理
のセンサの種類には、 (1)発熱温度が周囲雰囲気の熱伝導変化によって影響
され、発熱体の抵抗値変化として検出される方式の、湿
度センサや、結露センサや、ガスマロマトクラフ。 (2)発熱体の周囲雰囲気が流れる量に応じた熱により
生ずる発熱体の抵抗値の変化として検出される方式の、
風速センサや、流量センサ。 (3)抵抗体の周囲の雰囲気温度を抵抗体の抵抗値とし
て検出する温度センサ,赤外線を受けて生ずる熱により
上昇する温度を抵抗体,半導体,熱電体等により電気的
信号として変換する赤外線センサ。 等がある。これら雰囲気センサの中で、代表として従来
の湿度センサについて述べる。
【0010】図7は、従来の湿度センサの一例を説明す
るための構造図であり、図7(A)は平面図、図7
(B)は図7(A)の矢視B−B線断面図で、図中、4
1は基板、42は絶縁薄膜、43は凹部、44は発熱抵
抗体である。
【0011】図7に示した湿度センサは、自己温度補償
方式の湿度センサ例を示すもので、発熱抵抗体44は、
低電力加熱したとき、湿度依存性が小さく、雰囲気温度
に依存した抵抗値を示し、高電力加熱のときは、湿度,
温度に応じて変化することを利用して温度依存分を減算
して湿度を求める湿度センサである。この湿度センサ
は、角形のシリコンSi(100)からなる基板41に
酸化タンタル(Ta25)の絶縁薄膜42を形成後、異
方性エッチングにより角形の凹部43と、凹部43上に
凹部43の対角線と平行な辺をもち、支持部42bで架
橋された四角な絶縁薄膜42aを形成し、更に、基板4
1上にパッド部44a,44bを有するジクザク状の白
金膜等からなる発熱抵抗体44を成膜し、更に、発熱抵
抗体44上に酸化シリコン(SiO2)被膜が成形され
ている。寸法としては、例えば、発熱抵抗体44を挟ん
だ絶縁薄膜間の厚さtが3μm、凹部43上の発熱抵抗
体44のリード44c間の長さN(X〜X4間)は約3
00μm、対角線M(X2〜X3)間の長さが260μm
である。
【0012】図8は、図7に示した湿度センサに8m
A,3.5Vの電力を印加したときの発熱抵抗体の温度
分布を示した図で、横軸は発熱抵抗体44の位置、縦軸
は温度である。
【0013】図8に示すように、図8に示した温度セン
サの凹部43上に設けられた発熱抵抗体44が8mA,
3.5Vの電力で加熱されたときの温度分布は、発熱抵
抗体44の対角線(X2〜X3)の範囲では100〜50
0(℃)の温度分布をもっているが、リード44a間
(X1〜X2),(X3〜X4)の間では、100℃から常
温迄連続的に低下している。次に、発熱抵抗体44の温
度と関連のある湿度(絶対湿度)と発熱導率の関係につ
いて述べる。
【0014】図9は、雰囲気温度に対する絶対湿度と熱
伝導率との関係の一例を説明するための図(第42回応
用物理学会関係連合講演会 論文[自己温度補償方式に
よるマイクロヒータ温度センサ(2)](1995年3月28
〜31日))であり、横軸は絶対温度(g/m3)、縦軸
は熱伝導度(W/mk)をあらわす。図9に示すよう
に、熱伝導率は、雰囲気温度の影響を受け、雰囲気温度
が773°k(500℃)のとき、絶対湿度0〜200
(g/m3)の範囲で、熱伝導率は540×10-4〜6
50×10-4(W/mk)に変化するが、雰囲気温度が
473°k(200℃)のとき、絶対湿度は略一定の値
380×10-4(W/mk)である。
【0015】湿度センサによる湿度検出は、発熱抵抗体
44が近傍の湿度雰囲気を発熱抵抗体44とほぼ同程度
の温度に加熱して、雰囲気との間で熱交換,熱伝導を行
うメカニズムであるから、発熱抵抗体44の温度そのも
のは、検出出力感度に反映される。
【0016】図10は、従来の流量センサを説明するた
めの図で、図10(A)は平面図、図10(B)は図1
0(A)の矢視B−B線断面図であり、図中、51は基
板、52は薄膜絶縁体、53は溝、54はスリット、5
5,57は検出部、56はヒータ部である。
【0017】図10に示した流量センサは、表面に薄膜
絶縁体52を有する矩形状の基板51中央の長辺方向に
一様な幅の溝53を設け、溝53中央部の薄膜絶縁体5
2に溝53に沿って設けられた一対の検出部55,57
と、検出部55,57に対し各々所定幅Lのスリット5
4に挟まれてヒータ部56等により構成されている。
【0018】図10に示した流量センサのヒータ部57
は、所定の一定電力で加熱されており、気体が矢印F方
向に流れると、溝53を通って流入した気体は、順次、
検出部55,ヒータ部56,検出部57を通り流出す
る。このとき、検出部55は流入した気体の温度を抵抗
値として検出するが、検出部57はヒータ部56により
加熱された気体流れからの熱伝導により加熱され、流れ
に応じた抵抗値を示し検出部55と57との抵抗値差か
ら当該気体の流量が計測される。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】上記特開昭62−22
0850号公報,特開平6−174672号公報,図
7,図10に示した熱伝導原理を利用した発熱部又は受
熱部を有するマイクロブリッジ構造の雰囲気センサは、
Si等の熱伝導性基板の空洞部又は溝に架橋支持又は片
持支持された薄膜絶縁体を有し、空洞上の薄膜絶縁体上
に発熱部、又は、発熱部と発熱部に隣接して設けられた
検出部があり、これらの発熱部,検出部パターンのパッ
ト部は、架橋又は片持支持部を介して基板上に設けられ
ている。
【0020】雰囲気センサには、発熱部と検出とが兼用
された方式、又は、発熱部と検出部とが分離した方式が
あるが、その何れの場合も、高感度,高精度な検出を行
うためには、発熱部,検出部の温度が均一な分布をもっ
ていなければならない。しかし、基板と基板の空洞上又
は溝上に設けられた検出部,加熱部との間はリードで接
続されて、その間では、温度傾斜を有している。検出
部,加熱部は熱効率を高め、高感度にするため、温度抵
抗係数の大きい抵抗体が用いられている。必然的に周囲
温度影響を受け易く、均一な温度分布にすることは困難
である。特開昭62−220850号公報による雰囲気
検出装置,特開平6−174672号公報による検出器
の検出部構造は、検出部の温度分布を均一にする構造を
もっているが、何れの場合もリード上に設けられた検出
部と基板との間が離間しており、この間に温度傾斜が生
ずる。しかし、前述した提案では、温度傾斜影響は打ち
消されていない。また、ボロメータやサーモパイルの原
理を用いたマイクロブリッジ構造の赤外線センサや、温
度センサの場合も、同様に温度分布の問題がある。
【0021】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたもので、加熱部又は検出部の信号検出位置を均
一な温度分布をもったパターンの両端領域として、検出
感度および精度を高めることを目的とするものである。
【0022】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、(1)発熱体パターンを含む薄膜層が、
空洞部上に架橋支持又は片持支持された基板において、
前記発熱体パターンの両端付近にそれぞれ接続された引
き出し配線パターンを設け、該引き出し配線パターン間
で信号を検出する構造としたこと、更には、(2)前記
(1)において、前記発熱体パターンと、前記引き出し
配線パターンは、前記基板の空洞部上において、電気的
に接続したこと、更には、(3)前記(1)又は(2)
において、前記引き出し配線パターンは、熱容量が前記
発熱体パターンを加熱駆動するための該発熱体パターン
のリードよりも小さく、熱伝導率が小さい材料としたこ
と、更には、(4)前記(1)又は(2)又は(3)に
おいて、前記発熱体パターンの加熱温度が、周囲雰囲気
の熱伝導率変化または周囲雰囲気の流量に応じた熱移動
の変化量を該発熱体パターンの抵抗変化として検出する
湿度センサ,結露センサ,ガスクロマトグラフ、または
風速センサ,流量センサであること、更には、(5)前
記(1)又は(2)又は(3)において、周囲の雰囲気
温度、または赤外線を受けて前記発熱体パターンの抵抗
値が変化する抵抗値として検出される温度センサまたは
赤外線センサとしたことを特徴とするものである。
【0023】
【作用】半導体基板に形成された空洞上に架橋支持又は
片持支持された薄膜絶縁体上に発熱体パターンを設けた
マイクロブリッジ構造の雰囲気センサにおいて、発熱体
パターンが加熱されたとき、発熱体パターンの温度分布
が不均一であるために生ずる感度,精度が低下すること
がないように、発熱体パターンを加熱するためのリード
以外に、発熱体パターンの温度が均一な範囲である両端
付近に他のリードを接続して均一な温度の加熱部(又は
検出部)の信号を検出する。
【0024】
【実施例】
実施例1(請求項1に対応) 図1は、本発明による検出装置の一例を説明するための
平面図であり、図中、1は基板、2は薄膜絶縁体、3は
空洞、4は発熱体パターン、5は引き出し配線パター
ン、6は接続部である。
【0025】図1に示した検出装置は、図7に示した自
己温度補償方式の湿度センサに、本発明による引き出し
配線パターン5を設けたもので、角形形状のSi(10
0)基板1の上面に薄膜絶縁体2を形成後、薄膜絶縁体
2上に蒸着,CVD(Chemical Vapor Deposition),
スパッタリングなどの方法により、発熱体パターン4を
形成するための白金(Pt)等の酸化に安定な金属を成
膜する。次に、フォトリソグラフィ,異方性エッチング
などにより、空洞3の上部に四角状の薄膜絶縁体2aと
架橋部2bを形成する。
【0026】薄膜絶縁体2aには、四角状の薄膜絶縁体
2aの辺に平行したジクザク形状の発熱体パターン4を
設け、発熱体パターン4の両端は、各々基板1に設けた
パッド部4c,4dと接続している。引き出し配線パタ
ーン5は、発熱体パターン4の最外周に対して、更に外
側の位置に配置し、発熱体パターン4の最外周の辺と前
の外周の辺とが交わる位置のコンタクト部6で発熱体パ
ターン4と接続し、基板1上のパット部4c近傍にパッ
ド部5aを設けている。同様に、パッド部4d側の発熱
体パターン4の最外周の辺の更に外側の位置に引き出し
配線パターン5を設け、基板1上のパッド部4aブ傍に
パッド部4dを設けている。また、パッド部5a,5
b,4c,4dには、各々リードA,B,C,Dが接続
している。
【0027】図2は、図1に示した検出装置の駆動検出
回路の一例を説明するためのブロック回路であり、図
中、7はヒータ電源、8は検出回路で、図1と同様の作
用をする部分には、図1の場合と同じ参照番号が付して
ある。
【0028】ヒータ電源7は、例えば定電流電源で、検
出装置の発熱体パターン4のリードC,Dに接続され、
発熱体パターン4を加熱駆動する。検出回路8は、引き
出し配線パターン5のリードA,Bに接続されてリード
A,B間の電圧信号を検出する。
【0029】図1に示した検出装置を図2の駆動検出回
路に接続した場合、リードA,B間には殆ど電流は流れ
ないが、引き出し配線パターン5は発熱体パターン4と
コンタクト部6で接続しているので、コンタクト部6の
温度は発熱体パターン4の温度と略々等しく、均熱分布
領域として定められたコンタクト部6間の温度分布の均
一化が損われることがないので、温度依存性が相対的に
小さく、より高感度の特性が得られる。また、区間(A
〜B)の検出領域は熱容量の大きい基板1から離間して
いるため、基板1の持っている温度により影響されにく
く、高速応答で雰囲気の温度・湿度の検出がより正確に
なる。
【0030】実施例2(請求項2に対応) 図3は、本発明による検出装置の他の実施例を説明する
ための平面図であり、図中、9は引き出し配線パターン
であり、図1と同様の作用をする部分には、図1の場合
と同じ参照番号が付されてある。
【0031】図3に示した検出装置は、図1に示した実
施例1による引き出し配線パターン9が空洞3上に配置
された四角形状の加熱パターン4の最外周に対し、更に
外側に配置され、発熱体パターン4を支持する薄膜絶縁
体2の支持部2b側からパッド部5a,5bに達してパ
ターニングされているのに対し、図3に示した実施例2
による引き出し配線パターン9は、空洞3の上部で発熱
体パターン4,コンタクト部6と電気的に接続し、薄膜
絶縁体2の支持部2c上部を通り、基板1上に設けられ
たパッド部9a,9bに達し、パッド部9a,9b上の
リードA,Bを接続している。
【0032】図4は、図3の検出装置を用いて温,湿度
を検出するブロック回路の一例を説明するための図であ
り、図中、21はヒータ電源、22は温湿検出部、2
3,24は温度検出部である。
【0033】発熱体パターン4のリードC,Dは、ヒー
タ電源21に接続され、引き出し配線パターン9のリー
ドA,Bは温湿検出器22に接続される。また、接続さ
れた引き出し配線パターン9の一方のリードAと発熱体
パターン4の一方のリードCとは、温度検出部23に接
続され、接続された引き出しと引き出し配線パターン9
の他方のリードと発熱体パターン4の他方のリードDと
は、温度検出部24に接続される。
【0034】図4において、ヒータ電源21がONさ
れ、リードC,D間にヒータ電源21から、例えば、8
mAの電流が流れると、リードA−B間には3Vの電圧
が発生し、高温に熱せられる。このとき、同時にリード
C−A間およびB−D間にも8mAの電流が流れて加熱
されるが、回路パターンが短かいので、抵抗が小さく、
更にリードが低温な基板1上にあるので、温度は上らな
い。従って、温度検出部23,24で検出された温度
は、リードA−B間に4mA加えた場合、低温度状態で
あり、温湿検出部22の出力から温度検出部23又は2
4の温度、或いは温度検出部23,24の平均温度を減
算することにより、湿度を求めることができる。
【0035】上述のように、引き出し配線パターン9を
空洞3上部で発熱体パターン4の温度の均熱分布範囲に
接続され、しかも、発熱体パターン4の均熱範囲外の外
部接続区間では、低抵抗で、しかも熱容量が小さいの
で、高精度な湿度等の物理量検出が可能となる。更に
は、加熱パターン4は、基板1に対し四ヵ所で支持され
る構造であるため、安定で外部振動影響が小さく、精度
維持が可能となる。次に、湿度センサ以外の雰囲気セン
サとして流量センサの例について述べる。
【0036】図5は、本発明による流量センサを説明す
るための図であり、図中、11は基板、12は薄膜絶縁
体、13は溝、14はスリット、15,17は流量信号
検出部、16はヒータ、18は雰囲気温度検出用の引き
出し配線パターン、19はヒータ温度モニタ用引き出し
配線パターン、20は流量検出用の引き出し配線パター
ンである。
【0037】図5に示した流量センサは、表面に薄膜絶
縁体12を有する矩形状の基板11中央に長辺方向に一
様な幅の溝13を設け、溝13中央部の薄膜絶縁体12
に、流れ方向矢印F側から順次スリット14で区画され
た金属薄膜からなるU字状の流量信号検出部15,ヒー
タ16,流量信号検出部17を設けたものである。ま
た、上流側のU字状流量信号検出部15の開口近傍から
は、各々雰囲気温度検出用引き出し配線パターン18が
接続され、同様に、下流側のU字状の流量信号検出部1
7にも各々流量検出用引き出し配線パターン20が接続
されている。また、ヒータ16には、ヒータ温度モニタ
用引き出し配線パターン19が接続されている。
【0038】図5に示した流量センサは、まず、ヒータ
16の端子16aにヒータ電源(図示せず)を接続して
矢印F方向に流れた気体を一定の電力で加熱し、加熱さ
れた気体から熱伝導により加熱され、流量に応じて抵抗
が変化する流量信号検出部17の信号を流量検出用引き
出し配線パターン20から取り出す。同時に、ヒータ1
6の加熱により、熱影響を受けず流れる雰囲気温度を流
量信号検出部15に接続された雰囲気温度検出用引き出
し配線パターン18を介して取り出し、流量信号検出用
引き出し配線パターン20との差信号に基づいて流量を
検出する。
【0039】図5に示した流量センサは、流量信号検出
部15と17の温度差に比例した抵抗値の差を電圧信号
として検出するが、流量信号検出部15,17各々の端
子15a,17aは、温度差のある基板11に設けられ
ているので、端子15a,17a近傍の流量信号検出部
15,17の温度は溝13上の温度よりも低く、流量に
応じた温度とはならず、これが検出誤差要因となってい
るが、雰囲気温度検出用引き出し配線パターン18およ
び流量信号検出用引き出し配線パターン20は、各々流
量信号検出部15,17の均熱温度分布の部分に接合さ
れているので、前記誤差要因は除かれ、高精度な気体流
量が検出される。また、ヒータ温度16もヒータ温度モ
ニタ19により温度分布影響を受けずにモニタできる。
【0040】以上、本発明による雰囲気センサに設けら
れた各々の引き出し配線部は、発熱体パターン等の均熱
範囲に接続されているが、非加熱要素であるため、発熱
体パターンにとっては負荷熱容量となっている。この結
果、引き出し配線パターンは接続近傍のヒータ温度を低
下させる要因となっている。このような引き出し配線パ
ターンの熱容量を低下させ、発熱体パターン等の熱放散
をできるだけ少なくするためには、引き出し配線パター
ンは、下記の条件をもっていなければならない。
【0041】(1)引き出し配線部のパターン幅,厚さを
ヒータパターンより小さくし、熱容量を下げる。また、
引き出し配線パターンには、電流が殆ど流れず、ヒータ
に要求される許容電流密度とは無関係で、発生電圧を検
出できることであることから、導電性機能さえあれば良
い。 (2)ヒータからの熱流を少なくするために、熱伝導率の
小さな材料を選択する。引き出し配線材料として、例え
ば、W,Mo,Pt,PtIr等の発熱体よりも熱伝導
率が1桁小さいITO(Indium Tin Oxide),Ni−C
r,ステンレス合金が用いられる(請求項3に対応)。
【0042】従来の発熱体パターンは、発熱体パターン
からの熱放散するのを防止するため、断面形状は極端に
細くしたパターンであり、しかも、強度が要求されてい
た。しかし、上述の如く引き出し配線パターンを設ける
ことにより、上述の発熱体パターンに要求された制限が
緩和され、自由度の大きい発熱体パターンの設計が可能
となり、更に高強度が要求される分野への応用も広が
る。
【0043】以上、引き出し配線パターン4,9,1
7,18,19を有する雰囲気センサとして、湿度セン
サ,流量センサについて述べたが、流量センサは、風速
センサとしても用いられる。また、引き出し配線パター
ンを設けるのは、他の熱伝導式の気体検出センサにも適
用できるものであり、例えば、相対湿度が100%に近
くなった露結状態を急激な抵抗変化として検出する露セ
ンサ,その他ガスクロマトグラフにおいて、カラムを通
過した検出目的のガスを熱伝導型検出法で検出するガス
クロマトグラフの検出装置等にも利用できる(請求項4
に対応)。
【0044】また、受熱部を有する検出装置として、赤
外線センサや温度センサ等があげられる。ここで、赤外
線センサの例を説明する。図6は、本発明による赤外線
センサの一例を説明するための図で、図6(A)は平面
図、図6(B)は図6(A)の矢視B−B線断面であ
り、図中、31は基板、32は薄膜絶縁体、33は空
洞、34は抵抗体、35は引き出し配線パターン、36
は赤外線吸収層である。
【0045】図6に示した赤外線センサは、Si(10
0)の基板31上に薄膜絶縁体32を形成したあと、異
方性エッチングにより空洞33を設けるとともに、空洞
33上に円形状の抵抗体薄膜32aおよび抵抗体薄膜3
2aを基板31に十字状に架橋支持して、予め絶縁体薄
膜32上に成膜された抵抗の温度係数が大きい導電材
料、例えば、NiCrにより円形状のジクザク構造をも
った抵抗体34、および、リードパターン34aおよび
基板32上にパッド部34e,34fを設け、更に、円
形状ジクザク構造の最外周辺に折り曲げられる位置に引
き出し配線パターン35を設け、基板32上にパッド部
35とリードGおよびパッド部35bとリード線Hを設
ける。次に、円形状の抵抗体34の上面にSiO2等の
絶縁皮膜32を形成し、更にその上面に黒色微粉状白金
の白金黒等の赤外線吸収層36を塗布している。
【0046】図6に示した赤外線センサは、赤外線を赤
外線吸収層36で受けて熱交換し、得られた熱により加
熱された抵抗体34の抵抗値によって赤外線量を検知す
るもので、抵抗体34に対して抵抗体34と低温側のリ
ード34aとの接続部近傍は熱伝導による温度低下が生
ずるが、引き出し配線パターン35は、熱伝導率,熱容
量が小さく、抵抗体34の均熱温度分布領域に接続され
ているので、赤外線吸収層36で吸収された赤外線量に
比例した熱量が吸収され、正確な赤外線検出が可能とな
る。
【0047】また、抵抗体34の抵抗値から温度を検知
する温度計は、図6に示した赤外線吸収層を除くことに
より構成されるので、引き出し配線パターン35は赤外
線センサの場合と同様の作用により検出精度が向上する
(請求項5に対応)。
【0048】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、以下に示す効果がある。 請求項1に対応する効果:発熱体パターンを有するマイ
クロブリッジ構造の雰囲気センサにおいて、発熱体パタ
ーンの均一な温度分布をもった両端付近から各々引き出
し配線パターンを設けたので、高温側の発熱体パターン
と低温側の端子部との間の熱伝導による温度差による悪
影響を受けることなく、高精度で高応答性の雰囲気セン
サを得ることができる。 請求項2に対応する効果:基板に設けられた空洞5上の
発熱体パターンに、発熱体パターンのリードパターンと
は別に、引き出し配線パターンを空洞部上で発熱体パタ
ーンの均熱範囲内に接続したので、請求項1と同じ効果
が得られるとともに、引き出し配線パターンのリードパ
ターンを発熱体パターンのリードパターンと異なる位置
に設けることができるので、支持部剛性が高く、外乱影
響を受けにくくすることができる。 請求項3に対応する効果:引き出し配線パターンの断面
積を発熱体パターンの断面積より小さくして、熱容量を
小さくし、しかも、熱伝導率の小さい材料としたので、
引き出し配線パターンが発熱体パターンに与える熱影響
が小さく、引き出し配線パターンを設けた効果がより向
上する。 請求項4に対応する効果:前記請求項1〜3の効果を有
するので、高精度で応答性の優れた湿度センサ,結露セ
ンサ,ガスクロストグラフ,流量センサ、風速計が得ら
れる。 請求項5に対応する効果:受熱部を有するセンサに対し
ても引き出し配線パターンを設けたので、請求項1〜3
と同様な効果が得られる高精度な赤外線センサ,温度セ
ンサが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による検出装置の一例を説明するため
の平面図である。
【図2】 図1に示した検出装置の駆動検出回路の一例
を説明するためのブロック回路である。
【図3】 本発明による検出装置の他の実施例を説明す
るための平面図である。
【図4】 図3の検出装置を用いて温,湿度を検出する
ブロック回路の一例を説明するための図である。
【図5】 本発明による流量センサを説明するための図
である。
【図6】 本発明による赤外線センサの一例を説明する
ための図である。
【図7】 従来の湿度センサの一例を説明するための構
造図である。
【図8】 図7に示した湿度センサに8mA,3.5V
の電力を印加したときの発熱抵抗体の温度分布を示した
図である。
【図9】 雰囲気温度に対する絶対湿度と熱伝導率との
関係を示す図である。
【図10】 従来の流量センサを説明するための図であ
る。
【符号の説明】
1…基板、2…絶縁体薄膜、3…空洞、4…加熱体パタ
ーン、5…引き出し配線パターン、6…接続部、7…ヒ
ータ電源、8…検出回路、9…引き出し配線パターン、
11…基板、12…絶縁体薄膜、13…溝、14…スリ
ット、15,17…流量信号検出部、18…雰囲気温度
検出引き出し線パターン、19…ヒータ温度モニタ用引
き出し線パターン、20…流量検出引き出し線パター
ン、21…ヒータ電源、22…温湿検出部、23,24
…温度検出部、41…基板、42…絶縁薄膜、43…凹
部、44…発熱抵抗体、51…基板、52…絶縁体皮
膜、53…溝、54…スリット、55,57…検出部、
56…ヒータ部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01P 5/12 G01N 27/18

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発熱体パターンを含む薄膜層が、空洞部
    上に架橋支持又は片持支持された基板において、前記発
    熱体パターンの両端付近にそれぞれ接続された引き出し
    配線パターンを設け、該引き出し配線パターン間で信号
    を検出する構造としたことを特徴とする検出装置。
  2. 【請求項2】 前記発熱体パターンと、前記引き出し配
    線パターンは、前記基板の空洞部上において、電気的に
    接続したことを特徴とする請求項1に記載の検出装置。
  3. 【請求項3】 前記引き出し配線パターンは、熱容量が
    前記発熱体パターンを加熱駆動するための該発熱体パタ
    ーンのリードよりも小さく、熱伝導率が小さい材料とし
    たことを特徴とする請求項1又は2に記載の検出装置。
  4. 【請求項4】 前記発熱体パターンの加熱温度が、周囲
    雰囲気の熱伝導率変化または周囲雰囲気の流量に応じた
    熱移動の変化量を該発熱体パターンの抵抗変化として検
    出する湿度センサ,結露センサ,ガスクロマトグラフ、
    または風速センサ,流量センサであることを特徴とする
    請求項1又は2又は3に記載の検出装置。
  5. 【請求項5】 周囲の雰囲気温度、または赤外線を受け
    て前記発熱体パターンの抵抗値が変化する抵抗値として
    検出される温度センサまたは赤外線センサとしたことを
    特徴とする請求項1又は2又は3に記載の検出装置。
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