JP3349856B2 - Icカードの製造方法 - Google Patents

Icカードの製造方法

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JP3349856B2 JP02179095A JP2179095A JP3349856B2 JP 3349856 B2 JP3349856 B2 JP 3349856B2 JP 02179095 A JP02179095 A JP 02179095A JP 2179095 A JP2179095 A JP 2179095A JP 3349856 B2 JP3349856 B2 JP 3349856B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ICカードとその製造
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】現在広く用いられているキャッシュカー
ド、クレジットカード等は、プラスチックカードに磁気
ストライプを塗布し、これに記録された情報を読み取り
できるようにしたものである。このような磁気記録方式
のものでは、第三者によって情報が解読され易い、記録
可能な情報量が少ないといった欠点がある。そこで近
年、メモリ、CPU等の機能を有するICをカード状基
体に実装した、いわゆるICカードが開発され、既に実
用段階に達しつつある。このようなICカードの製造方
法として、従来、プリント板の上にICチップを搭載・
実装し、注型樹脂にはめ込んでカード状に成形するとい
う方法が一般にとられている。実装基板、注型樹脂の材
質が異なるため、成形時の熱収縮率差により完成後のI
Cカードにそりが発生する。その結果、外観不良を招き
使用できなくなる場合もある。これまでにも以下に示す
ICカードの歪修正に関する技術が提案されている。 (1)成形時に発生する打痕、凹部等の歪の周辺部を、
カバーフィルムの軟化点以上の熱風により局部加熱して
歪を消去すること(特開平6−115285号公報)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術に示した(1)については、ICカード表面に発生し
た局部的な歪を解消するものであって、カード全体がそ
るといった歪に対しては効果がない。
【0004】本発明は、そりの改善に優れたICカード
とその製造方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明のICカードは、
複数の部品を実装したICカード基板上に積層されるス
ペーサ層及びその積層物の両側に積層されるスキン層
を、ICカードの断面中心軸に対して対称に構成したこ
とを特徴とする。
【0006】このようなICカードは、スペーサ層及び
スキン層が断面中心軸に対して非対称に構成したICカ
ードの場合、貼付ロールの上下ラミネートロールに温度
差、周速度差または貼付ロールへのラミネートフィルム
の入り角度をつけて積層することによって製造すること
ができる。
【0007】本発明者らは、従来技術に見られる各々の
問題を対策すべく鋭意実験・研究を重ねた結果、本発明
を完成するに至った。すなわち、複数の部品を実装した
ICカード基板上に積層されるスペーサ層及びその積層
物の両側に積層されるスキン層を、ICカードの断面中
心軸に対して対称に構成したICカードならびにスペー
サ層及びスキン層が断面中心軸に対して非対称の場合、
貼付ロールの上下ラミネートロールに温度差、周速度差
または貼付ロールへのラミネートフィルムの入り角度を
つけて構成するものである。
【0008】ICカードの製造において、スペーサ層及
びスキン層は断面中心軸に対して対称に構成することが
必要である。スペーサ層及びスキン層の厚は、3〜50
0μmまでのいずれかの厚みを有し、搭載部品厚・IC
カード総厚を考慮して、最適な厚を選定して積層するこ
とができる。
【0009】一方、スペーサ層及びスキン層が、断面中
心軸に対して非対称の場合、そり防止を目的に貼付ロー
ルの上下ラミネートロールに温度差、周速度差または貼
付ロールへのラミネートフィルムの入り角度をつけてI
Cカードを構成することが必要である。
【0010】温度差、周速度差、貼付ロールへのラミネ
ートフィルムの入り角度の付与のいずれか一つまたは複
数組合せてそりの修正を行うことができる。ICカード
積層時に使用する貼付ロールの上下ラミネートロールの
温度差は、上ラミネートロール温度と下ラミネートロー
ル温度との比で、0.5〜2の範囲で設定することが好
ましい。
【0011】貼付ロールの上下ラミネートの周速度差
は、上ラミネートロール周速度と下ラミネートロール周
速度との比で、0.5〜2の範囲で設定することが好ま
しい。貼付ロールの上下ラミネートロール接触水平面か
らのラミネートされるフィルムのロールへの入射角度で
規定される入り角度(図1に示す。)が、上ラミネート
フィルム入り角度と下ラミネートフィルム入り角度とも
0〜80度の範囲であることが好ましく、上下の入り角
度差をつけることが必要である。また、入り角度を大き
くとるためにより小さいロール径が好適に用いられる。
2枚のフィルムをラミネートする場合、本来そる側と反
対側のフィルムに対して、温度差(ロール温度をより高
くする)、周速度差(ロール速度をより速くする)、入
り角度(入り角度をより大きくする)をとることによ
り、そりの少ない積層物を得ることができる。
【0012】スペーサ層及びスキン層の材質としては、
ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル
共重合体等のポリオレフィンまたはオレフィンを主成分
とする共重合体もしくは、これらの混合物からなるフィ
ルムやポリビニルアルコール、ナイロン、塩化ビニル等
の熱可塑性フィルムさらに、ポリエステル、ポリイミ
ド、ポリカーボネート、ポリスチレン、エンジニアリン
グプラスチック等が用いられる。用途によっては、ガラ
ス含浸エポキシシート、金属板等が用いられる。複数の
スペーサ層及びスキン層を貼付・固定する方法として
は、熱融着、接着剤(熱可塑系、熱硬化系、光硬化系)
等が挙げられる。スペーサを貼付するにあたっては、予
め部品形状に打ち抜いて使用することが必要である。
【0013】
【作用】本発明のICカードの製造に関する技術的なポ
イントは、以下に示す2点である。 (1)スペーサ層及びスキン層を対称に積層・構成 (2)非対称での積層・構成の場合、温度差、周速度差
または貼付ロールへのラミネートフィルムの入り角度の
付与 異なる厚、材質の積層により構成した場合、ICカード
の断面中心軸に対して非対称となり易く、フィルムの熱
収縮率差から、ICカードは熱収縮率の高い側にそる可
能性が大きい。そこで、そる側と反対面に温度差、周速
度差または貼付ロールへのラミネートフィルムの入り角
度の付与を行うことにより、効果的にそりを防止するこ
とができる。その理由は以下の通りと推定される。厚の
異なる2枚のフィルム(A、B)を接着剤を介して、貼
付ロールにてラミネートする場合を想定(B面側が凸と
なるようなそり発生)すると、 ・フィルムB側のロール温度をフィルムAよりも高く設
定することにより、フィルムBがより収縮してそりを打
ち消す。 ・フィルムA側のロール周速度をフィルムBよりも高く
設定することにより、フィルムAがより延伸してそりを
打ち消す。 ・フィルムAのロールへの入り角度をフィルムBよりも
高く設定することにより、フィルムAがよりロールで延
伸してそりを打ち消す。
【0014】
【実施例】以下、本発明の実施例に基づいて説明する
が、本発明の範囲はこれら実施例によって何ら限定する
ものではない。
【0015】実施例1 図2に示すように、断面中心軸に対して対称となるよう
に、フィルムを積層したICカードを作成した。75μ
m厚のポリエチレンテレフタレートフィルム1をカード
基板とし、その上にICチップ2(220μm厚、4×
4mmサイズ)、アンテナ3(240μm厚、10mm
φ)及びペーパー電池4(230μm厚、15×10m
mサイズ)を搭載した。5×5mm、11mmφ、16
×11mmの3つの穴に打ち抜いた250μm厚のポリ
エチレンテレフタレートフィルム5(両面に感熱性接着
剤を12μm塗布済)をスペーサ層としてフィルム1に
貼付し、ICチップ2、アンテナ3、ペーパー電池4と
同じ高さとした。次に、フィルム1の下面に250μm
厚のポリエチレンテレフタレートフィルム6(両面に感
熱性接着剤を12μm塗布済)を貼付した。さらに、上
記積層物の表裏に50μm厚のポリエチレンテレフタレ
ートフィルム7、8(片面に感熱性接着剤を12μm塗
布済)をスキン層として貼付し、総厚747μmのIC
カードを得た。そり量は、長辺方向で0.6mm、短辺
方向で0.3mmであった。
【0016】実施例2 図3に示すように、断面中心軸に対して非対称となるよ
うに、フィルムを積層したICカードを作成した。カー
ド基板上に実装される部品群の高さが異なる場合のスペ
ーサの断面構成を示す。125μm厚のポリエチレンテ
レフタレートフィルム9をカード基板とし、その上にI
Cチップ10(220μm厚、4×4mmサイズ)、ア
ンテナ11(500μm厚、10mmφ)及びペーパー
電池12(100μm厚、15×10mmサイズ)を搭
載した。5×5mm、11mmφ、16×11mmの3
つの穴に打ち抜いた75μm厚のポリエチレンテレフタ
レートフィルム13(両面に感熱性接着剤を12μm塗
布済)を第1スペーサとしてフィルム1に貼付し、ペー
パー電池12と同じ高さとした。次に、第1スペーサ上
に5×5mm、11mmφの2つの穴に打ち抜いた10
0μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルム14
(両面に感熱性接着剤を10μm塗布済)を第2スペー
サとして貼付し、ICチップ10と同じ高さとした。さ
らに、第2スペーサ上に11mmφの穴に打ち抜いた2
50μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルム15
(両面に感熱性接着剤を15μm塗布済)を第3スペー
サとして貼付し、アンテナ11と同じ高さとした。第3
スペーサ上面及びフィルム9の下面に各々50μm厚の
ポリエチレンテレフタレートフィルム16、17(片面
に感熱性接着剤を10μm塗布済)をスキン層として貼
付し、総厚754μmのICカードを得た。ここで、フ
ィルム16、17は以下の様に貼付した。フィルム16
においては、貼付ロールの上ラミネートロールの温度を
140℃、下ラミネートロール温度を100℃(上ラミ
ネートロール温度と下ラミネートロール温度との比1.
4)とし、フィルム16が下側になるように貼付した。
フィルム17も上記同様に、1.4の温度差をつけてフ
ィルム17が上側になるように貼付した。そり量は、長
辺方向で0.8mm、短辺方向で0.5mmであった。
【0017】実施例3 実施例2と同様にICカードの積層物を作製した。ここ
で、フィルム16、17は以下の様に貼付した。フィル
ム16においては、貼付ロールの上ラミネートロールの
周速度を0.8m/min、下ラミネートロール周速度
を0.5m/min(上ラミネートロール周速度と下ラ
ミネートロール周速度との比1.6)とし、フィルム1
6が上側になるように貼付した。フィルム17も上記同
様に、1.6の周速度差をつけてフィルム17が下側に
なるように貼付した。そり量は、長辺方向で0.9m
m、短辺方向で0.6mmであった。
【0018】実施例4 実施例2と同様にICカードの積層物を作製した。ここ
で、フィルム16、17は以下の様に貼付した。フィル
ム16においては、貼付ロールの上ラミネートロール接
触水平面から上側に45度の入り角度でフィルム16を
貼付した。フィルム17においては、上記積層物(フィ
ルム16を貼付したもの)が45度の入り角度となるよ
うにフィルム17を貼付した。そり量は、長辺方向で
0.8mm、短辺方向で0.5mmであった。なお、そ
り量は以下の方法により測定した。(JISX−631
1) ICカード積層品を、(85.6×54mm)そりが発
生している側を下に凸になるようにして水平板を置い
た。水平板からカード上面までの距離をノギスで測定し
た。カードのそり規格量は、長辺方向で1.8mm以
下、短辺方向で1.3mm以下である。
【0019】
【発明の効果】本発明のICカードは、複数の部品を実
装したICカード基板上に積層されるスペーサ層及びそ
の積層物の両側に積層されるスキン層を、ICカードの
断面中心軸に対して対称に構成または、非対称に構成し
た場合でも、貼付ロールの上下ラミネートロールに温度
差、周速度差、貼付ロールへのラミネートフィルムの入
り角度をつけることにより、そりを大幅に抑制すること
ができる。その結果、完成されたICカードがフラット
となり、優れた外観性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を説明するための側面図であ
る。
【図2】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図3】本発明の他の実施例を示す断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 正勝 茨城県下館市大字下江連1250番地 日立 化成工業株式会社 結城工場内 (56)参考文献 特開 平7−172086(JP,A) 特公 平5−29958(JP,B2) 特公 平4−17478(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G06K 19/00 - 19/077 B42D 15/10 521

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 カード基板と、該カード基板の第1主面
    側に配置したスペーサ層と、該スペーサ層の表面に貼付
    した第1スキン層と、前記カード基板の第2主面に貼付
    した第2スキン層とを含むICカードの製造方法におい
    て、前記カード基板の第1主面側に前記スペーサ層を配置す
    る工程と 、 貼付ロールの上ラミネートロールの温度を下ラミネート
    ロールの温度より高くし、且つ前記第1スキン層が前記
    下ラミネートロール側になるようにして、前記スペーサ
    層に前記第1スキン層を貼付する工程と、 前記上ラミネートロールの温度を前記下ラミネートロー
    ルの温度より高くし、且つ前記第2スキン層が前記上ラ
    ミネートロール側になるようにして、前記第2スキン層
    を前記カード基板の第2主面に貼付する工程とを含む
    とを特徴とするICカードの製造方法。
  2. 【請求項2】 前記上ラミネートロール温度の前記下ラ
    ミネートロール温度に対する比が2以下であることを特
    徴とする請求項1に記載のICカードの製造方法。
  3. 【請求項3】 カード基板と、該カード基板の第1主面
    側に配置したスペーサ層と、該スペーサ層の表面に貼付
    した第1スキン層と、前記カード基板の第2主面に貼付
    した第2スキン層とを含むICカードの製造方法におい
    て、前記カード基板の第1主面側に前記スペーサ層を配置す
    る工程と 、 貼付ロールの上ラミネートロールの周速度を下ラミネー
    トロールの周速度より高くし、且つ前記第1スキン層が
    前記上ラミネートロール側になるようにして、前記スペ
    ーサ層に前記第1スキン層を貼付する工程と、 前記上ラミネートロールの周速度を前記下ラミネートロ
    ールの周速度より高くし、且つ前記第2スキン層が前記
    下ラミネートロール側になるようにして、前記第2スキ
    ン層を前記カード基板の第2主面に貼付する工程とを含
    ことを特徴とするICカードの製造方法。
  4. 【請求項4】 前記上ラミネートロール周速度の前記
    ラミネートロール周速度に対する比が2以下であること
    を特徴とする請求項に記載のICカードの製造方法。
  5. 【請求項5】 カード基板と、該カード基板の第1主面
    側に配置したスペーサ層と、該スペーサ層の表面に貼付
    した第1スキン層と、前記カード基板の第2主面に貼付
    した第2スキン層とを含むICカードの製造方法におい
    て、前記カード基板の第1主面側に前記スペーサ層を配置す
    る工程と前記第1スキン層が 貼付ロールの上ラミネートロールの
    接触水平面に対して80度以下の入り角度で、前記上ラ
    ミネートロール側になるようにして、前記スペーサ層に
    前記第1スキン層を貼付する工程と、 前記第1スキン層が貼付された積層体を、前記上ラミネ
    ートロールの接触水平面に対して80度以下の入り角度
    に設定し、且つ前記第2スキン層が前記下ラミネートロ
    ール側になるようにして、前記カード基板の第2主面に
    前記第2スキン層を貼付する工程とを含む ことを特徴と
    するICカードの製造方法。
  6. 【請求項6】 前記第1スキン層は前記上ラミネートロ
    ールの接触水平面に対して45度以上の前記入り角度
    且つ前記積層体は前記上ラミネートロールの接触水平面
    に対して45度以上の前記入り角度であることを特徴と
    する請求項5に記載のICカードの製造方法。
  7. 【請求項7】 カード基板と、該カード基板の第1主面
    側に配置したスペーサ層と、該スペーサ層の表面に貼付
    した第1スキン層と、前記カード基板の第2主面に貼付
    した第2スキン層とを含むICカードの製造方法におい
    て、 前記カード基板の第1主面側に前記スペーサ層を配置す
    る工程と、 貼付ロールの上ラミネートロールの温度を下ラミネート
    ロールの温度より高くし、且つ前記上ラミネートロール
    の周速度を前記下ラミネートロールの周速度より低く
    し、前記第1スキン層が前記下ラミネートロール側にな
    るようにして、前記スペーサ層に前記第1スキン層を貼
    付する工程と、 前記上ラミネートロールの温度を前記下ラミネートロー
    ルの温度より高くし、且つ前記上ラミネートロールの周
    速度を前記下ラミネートロールの周速度より低くし前記
    第2スキン層が前記上ラミネートロール側になるように
    して、前記第2スキン層を前記カード基板の第2主面に
    貼付する工程とを含むことを特徴とするICカードの製
    造方法。
  8. 【請求項8】 カード基板と、該カード基板の第1主面
    側に配置したスペーサ層と、該スペーサ層の表面に貼付
    した第1スキン層と、前記カード基板の第2主面に貼付
    した第2スキン層とを含むICカードの製造方法におい
    て、 前記カード基板の第1主面側に前記スペーサ層を配置す
    る工程と、 貼付ロールの上ラミネートロールの温度を下ラミネート
    ロールの温度より低くくし、且つ前記第1スキン層が前
    記上ラミネートロールの接触水平面に対して80度以下
    の入り角度となるようにして、前記第1スキン層を前記
    下ラミネートロール側になるようにして、前記スペーサ
    層に前記第1スキン層を貼付する工程と、 前記上ラミネートロールの温度を前記下ラミネートロー
    ルの温度より低くし、且つ前記第1スキン層が前記第1
    スキン層を貼付された積層体が、前記上ラミネートロー
    ルの接触水平面に対して80度以下の入り角度となる状
    態で、前記第2スキン層を前記下ラミネートロール側に
    なるようにして、前記第2スキン層を前記カード基板の
    第2主面に貼付する工程とを含むことを特徴とするIC
    カードの製造方法。
  9. 【請求項9】 カード基板と、該カード基板の第1主面
    側に配置したスペーサ層と、該スペーサ層の表面に貼付
    した第1スキン層と、前記カード基板の第2主面に貼付
    した第2スキン層とを含むICカードの製造方法におい
    て、 前記カード基板の第1主面側に前記スペーサ層を配置す
    る工程と、 貼付ロールの上ラミネートロールの周速度を下ラミネー
    トロールの周速度より高くし、且つ前記第1スキン層が
    前記上ラミネートロールの接触水平面に対して80度以
    下の入り角度となるようにして、前記第1スキン層を前
    記下ラミネートロール側になるようにして、前記スペー
    サ層に前記第1スキン層を貼付する工程と、 前記上ラミネートロールの周速度を前記下ラミネートロ
    ールの周速度より高くし、且つ前記第1スキン層が前記
    第1スキン層を貼付された積層体が、前記上ラミネート
    ロールの接触水平面に対して80度以下の入り角度とな
    る状態とし、前記第2スキン層を前記下ラミネートロー
    ル側になるようにして、前記第2スキン層を前記カード
    基板の第2主面に貼付する工程 とを含むことを特徴とす
    るICカードの製造方法。
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