JP3339808B2 - 半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用マスク - Google Patents
半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用マスクInfo
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- JP3339808B2 JP3339808B2 JP24959197A JP24959197A JP3339808B2 JP 3339808 B2 JP3339808 B2 JP 3339808B2 JP 24959197 A JP24959197 A JP 24959197A JP 24959197 A JP24959197 A JP 24959197A JP 3339808 B2 JP3339808 B2 JP 3339808B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法及び半導体装置製造用マスクに関する。
法及び半導体装置製造用マスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばμＢＧＡの製造においては、導体
回路パタ−ンを設けたＴＡＢテ−プ等のフレキシブルな
基板上に、弾性能のあるエラストマ−を介して半導体チ
ップを搭載し、前記基板と半導体チップの熱膨張差を吸
収する構造としている。
回路パタ−ンを設けたＴＡＢテ−プ等のフレキシブルな
基板上に、弾性能のあるエラストマ−を介して半導体チ
ップを搭載し、前記基板と半導体チップの熱膨張差を吸
収する構造としている。
【０００３】エラストマ−は前記熱膨張差を吸収するに
必要な所定厚みに一様に塗布する必要がある。
必要な所定厚みに一様に塗布する必要がある。
【０００４】従来のエラストマ−塗布は、所定厚みのエ
ラストマ−とするため当該厚み分のメタルマスクを使用
し、スクリ−ン印刷により行われていた。該塗布は、開
口部を設けたメタルマスクを基板上に置き、流動状のエ
ラストマ−をスキ−ジで前記開口部から前記基板上に練
り込んでいくのであるが、スキ−ジの進行方向側の開口
部端部付近に図５（ａ）に示すようにエラストマ−１の
盛り上がり２が例えば３０〜４０μｍの高さの突起が発
生する。
ラストマ−とするため当該厚み分のメタルマスクを使用
し、スクリ−ン印刷により行われていた。該塗布は、開
口部を設けたメタルマスクを基板上に置き、流動状のエ
ラストマ−をスキ−ジで前記開口部から前記基板上に練
り込んでいくのであるが、スキ−ジの進行方向側の開口
部端部付近に図５（ａ）に示すようにエラストマ−１の
盛り上がり２が例えば３０〜４０μｍの高さの突起が発
生する。
【０００５】
【この発明が解決しようとする課題】前記エラストマ−
１の盛り上がり２に起因して問題が生じる。その一つ
は、半導体チップ３を搭載するため接着剤４を、図５
（ｂ）に示すように前記エラストマ−１の盛り上がり２
をカバ−するために必要以上塗布せねばならず、その後
のダイアタッチの際に図５（Ｃ）のように接着剤４がは
み出し基板５等を汚し、その後のワイヤ−ボンディング
等に支障を及ぼす。
１の盛り上がり２に起因して問題が生じる。その一つ
は、半導体チップ３を搭載するため接着剤４を、図５
（ｂ）に示すように前記エラストマ−１の盛り上がり２
をカバ−するために必要以上塗布せねばならず、その後
のダイアタッチの際に図５（Ｃ）のように接着剤４がは
み出し基板５等を汚し、その後のワイヤ−ボンディング
等に支障を及ぼす。
【０００６】また、前記エラストマ−１の盛り上がり２
は片側だけに生じ、且つ左右で一般にその盛り上がり高
さに差異があり、図５（ｄ）のように半導体チップ３が
傾き易いことである。これらのことから信頼性のすぐれ
た半導体装置を製造するのが難しくなる。また、前記エ
ラストマ−の厚み不同を補修するには熟練と時間を要
し、生産性を低下させる。
は片側だけに生じ、且つ左右で一般にその盛り上がり高
さに差異があり、図５（ｄ）のように半導体チップ３が
傾き易いことである。これらのことから信頼性のすぐれ
た半導体装置を製造するのが難しくなる。また、前記エ
ラストマ−の厚み不同を補修するには熟練と時間を要
し、生産性を低下させる。
【０００７】さらに、従来のエラストマ−塗布に用いる
マスクは、摩耗し易く使用寿命が短く、例えば３００回
程度使用で使用不能になり、コスト高にもなっている。
マスクは、摩耗し易く使用寿命が短く、例えば３００回
程度使用で使用不能になり、コスト高にもなっている。
【０００８】本発明は、エラストマ−を一部に盛り上が
りや傾きを生じることなく基板に所定厚みに一様に塗布
し、信頼性のすぐれた半導体装置を生産性高く得ること
を目的とする。また、使用寿命の永いマスクを得ること
を第２の目的とする。
りや傾きを生じることなく基板に所定厚みに一様に塗布
し、信頼性のすぐれた半導体装置を生産性高く得ること
を目的とする。また、使用寿命の永いマスクを得ること
を第２の目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明の要旨は、導体回路パタ−ンを設けた基板の所望領域
にエラストマ−を塗布し、該エラストマ−を介し半導体
チップを搭載する半導体装置の製造方法において、前記
エラストマ−を編目状シ−トを設けたマスクの開口部か
ら前記網目状シ−トを経て基板に塗布することを特徴と
する半導体装置の製造方法にある。
明の要旨は、導体回路パタ−ンを設けた基板の所望領域
にエラストマ−を塗布し、該エラストマ−を介し半導体
チップを搭載する半導体装置の製造方法において、前記
エラストマ−を編目状シ−トを設けたマスクの開口部か
ら前記網目状シ−トを経て基板に塗布することを特徴と
する半導体装置の製造方法にある。
【００１０】他の要旨は導体回路パタ−ンを設けた基板
上に半導体チップを搭載するに先立ってエラストマ−を
塗布するマスクにおいて、網目状シ−トを、開口部を形
成したマスクに設けた半導体装置製造用マスクにある。
上に半導体チップを搭載するに先立ってエラストマ−を
塗布するマスクにおいて、網目状シ−トを、開口部を形
成したマスクに設けた半導体装置製造用マスクにある。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について図
１から図４を参照して説明する。図１は基板５の断面を
示すが、該基板５は、例えばフレキシブルな基板で絶縁
フィルム６と銅箔からから形成された導体回路パタ−ン
７が接着されて構成されている。基板５の所定位置に半
導体チップを搭載するためにエラストマ−１を塗布す
る。この塗布は図２に示すマスク８を基板５上に設置し
て行う。
１から図４を参照して説明する。図１は基板５の断面を
示すが、該基板５は、例えばフレキシブルな基板で絶縁
フィルム６と銅箔からから形成された導体回路パタ−ン
７が接着されて構成されている。基板５の所定位置に半
導体チップを搭載するためにエラストマ−１を塗布す
る。この塗布は図２に示すマスク８を基板５上に設置し
て行う。
【００１２】マスク８は、例えばメタルマスク製で開口
部９が所定間隔をおいて形成されていて、その上面に網
目が形成された網目状シ−ト１０が対薬品性の接着剤あ
るいは乳剤等により接着されている。この接着手段につ
いては接着させるものであれば任意になされる。しか
し、接着剤は開口部９内にはみ出さないようにすること
が望ましい。網目状シ−ト１０のメッシュの大きさは特
定しないが細かな網目とし、ポリエステル等の合成樹脂
あるいは金蔵等の細線により製作される。
部９が所定間隔をおいて形成されていて、その上面に網
目が形成された網目状シ−ト１０が対薬品性の接着剤あ
るいは乳剤等により接着されている。この接着手段につ
いては接着させるものであれば任意になされる。しか
し、接着剤は開口部９内にはみ出さないようにすること
が望ましい。網目状シ−ト１０のメッシュの大きさは特
定しないが細かな網目とし、ポリエステル等の合成樹脂
あるいは金蔵等の細線により製作される。
【００１３】前記基板５へのエラストマ−１の塗布は、
前記のように基板５上に網目状シ−ト１０を置き、図３
に示すようにその上面にエラストマ−１を供給し、スキ
−ジ１１により押し進めながら開口部９から練り込んで
前記基板５に塗布して行く。
前記のように基板５上に網目状シ−ト１０を置き、図３
に示すようにその上面にエラストマ−１を供給し、スキ
−ジ１１により押し進めながら開口部９から練り込んで
前記基板５に塗布して行く。
【００１４】該塗布の際、マスク８には前記のように網
目状シ−ト１０が設けられているので、開口部９上でエ
ラストマ−１が押し延ばされ一様な状態から網目を経て
細条にて流下し塗布される。これにより、前記スキ−ジ
１１の進行方向の開口部９端部側に盛り上がりや傾きを
生じることなく一定厚みに均一に塗布される。該塗布さ
れたエラストマ−１の上面には微細な凹凸があるが、厚
みが全体を通して均一であるので問題ない。
目状シ−ト１０が設けられているので、開口部９上でエ
ラストマ−１が押し延ばされ一様な状態から網目を経て
細条にて流下し塗布される。これにより、前記スキ−ジ
１１の進行方向の開口部９端部側に盛り上がりや傾きを
生じることなく一定厚みに均一に塗布される。該塗布さ
れたエラストマ−１の上面には微細な凹凸があるが、厚
みが全体を通して均一であるので問題ない。
【００１５】その後、半導体チップ３を基板５に搭載す
るために、前記エラストマ−１上に接着剤４を塗布する
が、前記のようにエラストマ−１には突起した箇所がな
いので、薄く塗布すればよく、半導体チップ３を搭載す
る際等に接着剤４のはみ出しが全くなく、図４に示すよ
うに半導体チップ３が傾くことなく正姿勢に精度く搭載
される。
るために、前記エラストマ−１上に接着剤４を塗布する
が、前記のようにエラストマ−１には突起した箇所がな
いので、薄く塗布すればよく、半導体チップ３を搭載す
る際等に接着剤４のはみ出しが全くなく、図４に示すよ
うに半導体チップ３が傾くことなく正姿勢に精度く搭載
される。
【００１６】これ以後、公知のように、半導体チップ３
の端子と基板５の導体回路パタ−ン７がワイヤ−（図示
しない）で接続され、当該接続部をエンキャップし、半
田ボ−ル（図示しない）等の外部端子を設置し半導体装
置が製造される。
の端子と基板５の導体回路パタ−ン７がワイヤ−（図示
しない）で接続され、当該接続部をエンキャップし、半
田ボ−ル（図示しない）等の外部端子を設置し半導体装
置が製造される。
【００１７】また、前記本発明の網目状シ−ト１０を設
けたマスク８は、エラストマ−１を基板５に塗布する際
の耐摩耗性が高く、摩滅が殆どなくその開口部９の形状
も永く変わらず使用寿命が大幅に例えば５倍以上に向上
する。
けたマスク８は、エラストマ−１を基板５に塗布する際
の耐摩耗性が高く、摩滅が殆どなくその開口部９の形状
も永く変わらず使用寿命が大幅に例えば５倍以上に向上
する。
【００１８】
【発明の効果】本発明は、前述のようであるから基板に
エラストマ−を一定厚みに塗布でき、信頼性のすぐれた
半導体装置が製造される。また製造途中でエラストマ−
の塗布形状の修正等が不要であるので生産性が向上す
る。さらに、マスクは寿命が永くなるとともに、コスト
低減が図れる。
エラストマ−を一定厚みに塗布でき、信頼性のすぐれた
半導体装置が製造される。また製造途中でエラストマ−
の塗布形状の修正等が不要であるので生産性が向上す
る。さらに、マスクは寿命が永くなるとともに、コスト
低減が図れる。
【図１】本発明の１実施例におけるエラストマ−を塗布
する基板を示す図。
する基板を示す図。
【図２】本発明の１実施例におけるマスクを示す図。
【図３】本発明の１実施例におけるエラストマ−塗布を
示す図。
示す図。
【図４】本発明の１実施例による半導体装置を示す図。
【図５】従来のエラストマ−塗布にかかわる課題を説明
するための図。
するための図。
１ エラストマ− ２ 盛り上がり ３ 半導体チップ ４ 接着剤 ５ 基板 ６ 絶縁フィルム ７ 導体回路パタ−ン ８ マスク ９ 開口部 １０ 網目状シ−ト １１ スキ−ジ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/52
Claims (2)
- 【請求項１】 導体回路パタ−ンを設けた基板にエラス
トマ−を塗布し、該エラストマ−を介し半導体チップを
搭載する半導体装置の製造方法において、前記エラスト
マ−をマスクの開口部から網目状シ−トを経て基板に塗
布することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 導体回路パタ−ンを設けた基板に半導体
チップを搭載するに先立ってエラストマ−を前記基板に
塗布するマスクにおいて、網目状シ−トを開口部を形成
したマスクに設けたことを特徴とする半導体装置製造用
マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24959197A JP3339808B2 (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24959197A JP3339808B2 (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1174289A JPH1174289A (ja) | 1999-03-16 |
| JP3339808B2 true JP3339808B2 (ja) | 2002-10-28 |
Family
ID=17195302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24959197A Expired - Fee Related JP3339808B2 (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3339808B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007510306A (ja) * | 2003-10-28 | 2007-04-19 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 平坦な上面を有するパッドの製造方法 |
-
1997
- 1997-08-29 JP JP24959197A patent/JP3339808B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1174289A (ja) | 1999-03-16 |
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Legal Events
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