JP3326717B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP3326717B2 JP3326717B2 JP02950599A JP2950599A JP3326717B2 JP 3326717 B2 JP3326717 B2 JP 3326717B2 JP 02950599 A JP02950599 A JP 02950599A JP 2950599 A JP2950599 A JP 2950599A JP 3326717 B2 JP3326717 B2 JP 3326717B2
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- oxide film
- silicon
- gate oxide
- gate
- nitrogen
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンＭＯＳデ
バイスに於けるゲートの形成方法を改善した半導体装置
の製造方法に関する。
バイスに於けるゲートの形成方法を改善した半導体装置
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、シリコンＭＯＳデバイスは、その
微細化にともなって、種々な物理的、及び、技術的な限
界に直面している状態に在り、これを打開する為の技術
イノベーションが必要とされている。
微細化にともなって、種々な物理的、及び、技術的な限
界に直面している状態に在り、これを打開する為の技術
イノベーションが必要とされている。
【０００３】シリコンＭＯＳデバイスを高性能化する為
の一手段として、ゲート酸化膜の薄膜化が挙げられ、学
会発表論文では、直接トンネリングが起こってしまうよ
うな１．５〔ｎｍ〕の極薄ゲート酸化膜を用いた高速動
作トランジスタの動作について報告がなされている。
の一手段として、ゲート酸化膜の薄膜化が挙げられ、学
会発表論文では、直接トンネリングが起こってしまうよ
うな１．５〔ｎｍ〕の極薄ゲート酸化膜を用いた高速動
作トランジスタの動作について報告がなされている。
【０００４】然しながら、例えばデュアル・ゲートＣＭ
ＯＳ、即ち、ｐチャネルＭＯＳトランジスタに於ける多
結晶シリコン・ゲートに硼素を、また、ｎチャネルＭＯ
Ｓトランジスタに於ける多結晶シリコン・ゲートに燐を
それぞれ導入したＣＭＯＳに於いて、ゲート酸化膜を薄
膜化した場合、ｐチャネルＭＯＳトランジスタに於ける
ｐ+ ゲートからチャネル領域へ硼素が突き抜け易い。
ＯＳ、即ち、ｐチャネルＭＯＳトランジスタに於ける多
結晶シリコン・ゲートに硼素を、また、ｎチャネルＭＯ
Ｓトランジスタに於ける多結晶シリコン・ゲートに燐を
それぞれ導入したＣＭＯＳに於いて、ゲート酸化膜を薄
膜化した場合、ｐチャネルＭＯＳトランジスタに於ける
ｐ+ ゲートからチャネル領域へ硼素が突き抜け易い。
【０００５】前記のような不純物イオンの突き抜けを抑
制するには、ゲート酸化膜の窒化が有効であるとされて
いる。
制するには、ゲート酸化膜の窒化が有効であるとされて
いる。
【０００６】例えば、ゲート酸化膜を温度５００〔℃〕
以上でアンモニアに曝した場合、アンモニアの熱分解で
生成された水素に依ってゲート酸化膜が還元され、そこ
で発生したシリコンのダングリング・ボンドに窒素原子
が容易に結合して酸窒化層となるものである。
以上でアンモニアに曝した場合、アンモニアの熱分解で
生成された水素に依ってゲート酸化膜が還元され、そこ
で発生したシリコンのダングリング・ボンドに窒素原子
が容易に結合して酸窒化層となるものである。
【０００７】酸窒化層は酸化膜に比較して緻密な構造に
なるので、硼素の拡散を阻止する機能があり、しかも、
金属との反応が少ない旨の長所をもっているが、前記し
たように、アンモニアを用いた場合、１０〔原子％〕〜
２０〔原子％〕もの窒素が取り込まれた「重い」窒化と
なる為、高密度の固定電荷、界面準位が発生し、電子の
チャネル移動度が劣化する旨の問題を生じ、また、アン
モニアが分解することで必然的に発生する水素を多く取
り込んでしまう為、電子トラップが多くなる欠点もあ
る。
なるので、硼素の拡散を阻止する機能があり、しかも、
金属との反応が少ない旨の長所をもっているが、前記し
たように、アンモニアを用いた場合、１０〔原子％〕〜
２０〔原子％〕もの窒素が取り込まれた「重い」窒化と
なる為、高密度の固定電荷、界面準位が発生し、電子の
チャネル移動度が劣化する旨の問題を生じ、また、アン
モニアが分解することで必然的に発生する水素を多く取
り込んでしまう為、電子トラップが多くなる欠点もあ
る。
【０００８】そこで、亜酸化窒素（Ｎ2 Ｏ）を用いたＲ
ＴＰ（ｒａｐｉｄ ｔｈｅｒｍａｌｐｒｏｃｅｓｓ）に
依って、１〔原子％〕前後の「軽い」窒化を行って、硼
素の拡散を抑制する試みがなされた。
ＴＰ（ｒａｐｉｄ ｔｈｅｒｍａｌｐｒｏｃｅｓｓ）に
依って、１〔原子％〕前後の「軽い」窒化を行って、硼
素の拡散を抑制する試みがなされた。
【０００９】Ｎ2 Ｏを用いることに依って、水素を取り
込まない窒化が可能になると同時にＮ2 Ｏの窒化力が弱
い為に結果的に「軽い」窒化になるのである。
込まない窒化が可能になると同時にＮ2 Ｏの窒化力が弱
い為に結果的に「軽い」窒化になるのである。
【００１０】「軽い」窒化を行うことで、酸化膜と比較
した場合には、若干のＶthシフトが見られるが、「重
い」窒化の場合に見られたキャリヤ移動度の低下は、キ
ャリヤ移動度のピーク値が若干低下するものの、高電界
に於いては逆にキャリヤ移動度が向上する旨の現象が見
られた。また、ホット・キャリヤ・ストレスに依る増幅
度ｇm 劣化はｐチャネル又はｎチャネルの両方とも抑制
できることが判った。この理由は、Ｎ2 Ｏ酸窒化が水素
結合を作らず、界面に強固なＳｉ−Ｎ結合を生成する為
である。
した場合には、若干のＶthシフトが見られるが、「重
い」窒化の場合に見られたキャリヤ移動度の低下は、キ
ャリヤ移動度のピーク値が若干低下するものの、高電界
に於いては逆にキャリヤ移動度が向上する旨の現象が見
られた。また、ホット・キャリヤ・ストレスに依る増幅
度ｇm 劣化はｐチャネル又はｎチャネルの両方とも抑制
できることが判った。この理由は、Ｎ2 Ｏ酸窒化が水素
結合を作らず、界面に強固なＳｉ−Ｎ結合を生成する為
である。
【００１１】ところで、Ｎ2 Ｏを用いた酸窒化では、最
初、Ｎ2 Ｏ＋Ｏ→２ＮＯ、なる熱分解反応が起こって一
酸化窒素（ＮＯ）が発生して始めて窒化が可能になるも
のであり、従って、１〔％〕以上の窒素を制御性良く導
入するには、１０００〔℃〕以上の高温が必要となり、
ＣＭＯＳに於けるチャネルの不純物濃度プロファイルを
変えてしまう旨の問題があり、また、Ｎ2 Ｏ酸窒化を短
時間でＲＴＰ処理しようとすると熱分解が不完全とな
り、面内の酸窒化が不均一になる。
初、Ｎ2 Ｏ＋Ｏ→２ＮＯ、なる熱分解反応が起こって一
酸化窒素（ＮＯ）が発生して始めて窒化が可能になるも
のであり、従って、１〔％〕以上の窒素を制御性良く導
入するには、１０００〔℃〕以上の高温が必要となり、
ＣＭＯＳに於けるチャネルの不純物濃度プロファイルを
変えてしまう旨の問題があり、また、Ｎ2 Ｏ酸窒化を短
時間でＲＴＰ処理しようとすると熱分解が不完全とな
り、面内の酸窒化が不均一になる。
【００１２】そこで、ＮＯガスを用いた酸窒化技術が開
発された。ＮＯガスは、Ｎ2 Ｏ酸窒化と同様に水素を取
り込む心配がない上、Ｎ2 Ｏ酸窒化で必要となるＮＯ生
成熱反応が不要であることから、比較的、低温で窒化す
ることができ、また、均一性も良好である。
発された。ＮＯガスは、Ｎ2 Ｏ酸窒化と同様に水素を取
り込む心配がない上、Ｎ2 Ｏ酸窒化で必要となるＮＯ生
成熱反応が不要であることから、比較的、低温で窒化す
ることができ、また、均一性も良好である。
【００１３】然しながら、Ｎ2 Ｏ酸窒化も同じである
が、ＮＯ酸窒化では、シリコン基板と酸化膜との界面に
窒化層が生成される為、多結晶シリコンから拡散した硼
素が酸化膜中に滞留する旨の問題がある。
が、ＮＯ酸窒化では、シリコン基板と酸化膜との界面に
窒化層が生成される為、多結晶シリコンから拡散した硼
素が酸化膜中に滞留する旨の問題がある。
【００１４】酸化膜中に存在する硼素は、ＴＤＤＢ（ｔ
ｉｍｅ ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ
ｂｒｅａｋｄｏｗｎ）寿命を短くすると共にストレス・
リーク電流を増加させる旨の問題もある。
ｉｍｅ ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ
ｂｒｅａｋｄｏｗｎ）寿命を短くすると共にストレス・
リーク電流を増加させる旨の問題もある。
【００１５】また、低濃度であるとはいえ、界面に窒素
が存在すれば、キャリヤ移動度が低下してオン電流が減
少する旨の問題も起こる。
が存在すれば、キャリヤ移動度が低下してオン電流が減
少する旨の問題も起こる。
【００１６】前記した酸窒化技術とは別に、多結晶シリ
コン・ゲートに窒素イオンを打ち込んで、多結晶シリコ
ンと酸化膜との界面に窒化層を形成する方法も提案され
ているが、そのようにした場合、多結晶シリコン中に窒
素原子が多量に残留して多結晶シリコンの抵抗を上昇さ
せてしまう旨の問題がある。
コン・ゲートに窒素イオンを打ち込んで、多結晶シリコ
ンと酸化膜との界面に窒化層を形成する方法も提案され
ているが、そのようにした場合、多結晶シリコン中に窒
素原子が多量に残留して多結晶シリコンの抵抗を上昇さ
せてしまう旨の問題がある。
【００１７】また、ゲート酸化膜上にゲート窒化層を堆
積する方法もあるが、信頼性を充分に確保する為には、
ゲート絶縁膜の膜厚が厚くなりすぎてしまう旨の問題が
あった。
積する方法もあるが、信頼性を充分に確保する為には、
ゲート絶縁膜の膜厚が厚くなりすぎてしまう旨の問題が
あった。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】本発明では、多結晶シ
リコン・ゲートとゲート酸化膜との界面で硼素などの不
純物が通過するのを阻止できるようにして、不純物がチ
ャネル領域に突き抜けることがないようにする。
リコン・ゲートとゲート酸化膜との界面で硼素などの不
純物が通過するのを阻止できるようにして、不純物がチ
ャネル領域に突き抜けることがないようにする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】従来の技術に見られるよ
うに、シリコン基板表面を酸化してゲート酸化膜を形成
してから窒化を行っても、ゲート酸化膜の表面のみに窒
素を偏在させることは困難であり、それを実現するに
は、一工夫が必要である。
うに、シリコン基板表面を酸化してゲート酸化膜を形成
してから窒化を行っても、ゲート酸化膜の表面のみに窒
素を偏在させることは困難であり、それを実現するに
は、一工夫が必要である。
【００２０】本発明では、当初、シリコン基板表面を熱
酸化してゲート酸化膜を形成する点では従来の技術と変
わりないが、その後、ゲート酸化膜に於けるシリコンと
酸素との結合を切断してから窒化を行うことが基本にな
っている。
酸化してゲート酸化膜を形成する点では従来の技術と変
わりないが、その後、ゲート酸化膜に於けるシリコンと
酸素との結合を切断してから窒化を行うことが基本にな
っている。
【００２１】前記したところから、本発明に依る半導体
装置の製造方法では、シリコン半導体基板（例えばシリ
コン・ウエハ１）上にゲート酸化膜（例えば酸化膜２）
を形成してから稀ガス（Ａｒ，Ｎｅ，Ｈｅ，Ｘｅ，Ｋ
ｒ）雰囲気中でプラズマ照射してゲート酸化膜に於ける
シリコンと酸素の結合を切断する工程と、次いで、Ｎ2
を含む雰囲気中でプラズマ照射して窒素とシリコンとを
結合させゲート酸化膜表面上に窒化層（例えば窒化層
３）を生成させる工程と、次いで、Ｎ2 を含む雰囲気中
で熱処理を行ってプラズマ・ダメージを回復させる工程
と、その後、前記窒化層が生成されたゲート酸化膜上に
多結晶シリコン膜を形成する工程とが含まれてなること
を特徴とする。
装置の製造方法では、シリコン半導体基板（例えばシリ
コン・ウエハ１）上にゲート酸化膜（例えば酸化膜２）
を形成してから稀ガス（Ａｒ，Ｎｅ，Ｈｅ，Ｘｅ，Ｋ
ｒ）雰囲気中でプラズマ照射してゲート酸化膜に於ける
シリコンと酸素の結合を切断する工程と、次いで、Ｎ2
を含む雰囲気中でプラズマ照射して窒素とシリコンとを
結合させゲート酸化膜表面上に窒化層（例えば窒化層
３）を生成させる工程と、次いで、Ｎ2 を含む雰囲気中
で熱処理を行ってプラズマ・ダメージを回復させる工程
と、その後、前記窒化層が生成されたゲート酸化膜上に
多結晶シリコン膜を形成する工程とが含まれてなること
を特徴とする。
【００２２】前記手段を採ることに依り、多結晶シリコ
ンと酸化膜との界面に於ける窒素濃度は高く、且つ、酸
化膜とシリコン基板との界面に於ける窒素濃度は低く維
持した窒素濃度プロファイルが実現され、従って、多結
晶シリコンから拡散する不純物が酸化膜を突き抜けるこ
とはなくなり、また、酸化膜中に該不純物が滞留するこ
ともなくなる。
ンと酸化膜との界面に於ける窒素濃度は高く、且つ、酸
化膜とシリコン基板との界面に於ける窒素濃度は低く維
持した窒素濃度プロファイルが実現され、従って、多結
晶シリコンから拡散する不純物が酸化膜を突き抜けるこ
とはなくなり、また、酸化膜中に該不純物が滞留するこ
ともなくなる。
【００２３】その結果、半導体装置のしきい値Ｖthが変
動することはなくなり、また、Ｑbdで表される電荷量、
即ち、ＴＤＤＢ寿命を測定して得られる破壊に到るまで
の通過電荷量が低下することもなく、更にまた、チャネ
ル領域に窒素が存在するとしても、ごく微量であって、
チャネルに於けるキャリヤ移動度を低下させるようなこ
とはなく、しかも、ホット・エレクトロン劣化を抑止す
るのにも有効である。
動することはなくなり、また、Ｑbdで表される電荷量、
即ち、ＴＤＤＢ寿命を測定して得られる破壊に到るまで
の通過電荷量が低下することもなく、更にまた、チャネ
ル領域に窒素が存在するとしても、ごく微量であって、
チャネルに於けるキャリヤ移動度を低下させるようなこ
とはなく、しかも、ホット・エレクトロン劣化を抑止す
るのにも有効である。
【００２４】
【発明の実施の形態】図１は本発明に於ける一実施の形
態を説明する為の工程要所に於ける半導体装置を表す要
部切断側面図であり、以下、図を参照しつつ説明する。
態を説明する為の工程要所に於ける半導体装置を表す要
部切断側面図であり、以下、図を参照しつつ説明する。
【００２５】図１（Ａ）参照 １−（１） 熱酸化法を適用することに依り、シリコン・ウエハ１に
厚さが２６〔Å〕の酸化膜２を形成する。
厚さが２６〔Å〕の酸化膜２を形成する。
【００２６】１−（２） ダウン・フロー型プラズマ発生装置内に酸化膜２をもつ
シリコン・ウエハ１をセットし、流量を１００〔ｓｃｃ
ｍ〕としたＡｒを流し、圧力を１０〔Ｔｏｒｒ〕、プラ
ズマ・パワーを１〔ｋＷ〕、時間を６０〔秒〕としてプ
ラズマ照射を行う。
シリコン・ウエハ１をセットし、流量を１００〔ｓｃｃ
ｍ〕としたＡｒを流し、圧力を１０〔Ｔｏｒｒ〕、プラ
ズマ・パワーを１〔ｋＷ〕、時間を６０〔秒〕としてプ
ラズマ照射を行う。
【００２７】この表面処理に依って、酸化膜２に於ける
シリコンと酸素の結合はＡｒの励起エネルギ（１１．６
〔ｅＶ〕）に依って切断されてしまう。
シリコンと酸素の結合はＡｒの励起エネルギ（１１．６
〔ｅＶ〕）に依って切断されてしまう。
【００２８】図１（Ｂ）参照 １−（３） 流量を５００〔ｓｃｃｍ〕としたＮ2 を流し、圧力を１
０〔Ｔｏｒｒ〕、プラズマ・パワーを１〔ｋＷ〕、時間
を６０〔秒〕として窒素プラズマに曝すことで、酸化膜
２の表面に於けるシリコンのボンドに窒素ラジカル或い
は窒素イオンを結合させて窒化層３を形成する。
０〔Ｔｏｒｒ〕、プラズマ・パワーを１〔ｋＷ〕、時間
を６０〔秒〕として窒素プラズマに曝すことで、酸化膜
２の表面に於けるシリコンのボンドに窒素ラジカル或い
は窒素イオンを結合させて窒化層３を形成する。
【００２９】プラズマ・ダメージを回復させる為、Ｎ2
雰囲気中で時間３０〔分〕の熱処理を行なう。
雰囲気中で時間３０〔分〕の熱処理を行なう。
【００３０】ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ
ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を適用して多結晶シリコン膜
を形成し、パターニングして多結晶シリコン・ゲートを
形成する。
ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を適用して多結晶シリコン膜
を形成し、パターニングして多結晶シリコン・ゲートを
形成する。
【００３１】後の適当な段階に於ける他の領域の形成、
例えばソース領域及びドレイン領域の形成などに合わせ
て多結晶シリコン・ゲートにも例えば硼素を導入する。
例えばソース領域及びドレイン領域の形成などに合わせ
て多結晶シリコン・ゲートにも例えば硼素を導入する。
【００３２】以上のようにして形成した多結晶シリコン
・ゲートから、硼素がチャネル領域に突き抜けることは
なかった。
・ゲートから、硼素がチャネル領域に突き抜けることは
なかった。
【００３３】図２は図１について説明した半導体装置に
於ける窒素の深さプロファイルを表す線図であり、横軸
には深さ〔ｎｍ〕を、縦軸には窒素濃度をそれぞれ採っ
てある。尚、このデータは、ＳＩＭＳ（ｓｅｃｏｎｄａ
ｒｙ ｉｏｎ ｍａｓｓ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）
に依る解析で得られたものである。
於ける窒素の深さプロファイルを表す線図であり、横軸
には深さ〔ｎｍ〕を、縦軸には窒素濃度をそれぞれ採っ
てある。尚、このデータは、ＳＩＭＳ（ｓｅｃｏｎｄａ
ｒｙ ｉｏｎ ｍａｓｓ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）
に依る解析で得られたものである。
【００３４】図から明らかなように、多結晶シリコン・
ゲートと酸化膜との界面に於ける窒素濃度は３×１０19
〔cm-3〕になっていることが看取されよう。
ゲートと酸化膜との界面に於ける窒素濃度は３×１０19
〔cm-3〕になっていることが看取されよう。
【００３５】本発明では、前記実施の形態に限られるこ
となく、他に多くの改変を実現することができる。
となく、他に多くの改変を実現することができる。
【００３６】例えば、前記実施の形態に於いては、酸化
膜中に於けるシリコンと酸素との結合を切断する為、Ａ
ｒ雰囲気中でプラズマを照射したが、これは、Ｎｅ雰囲
気、Ｈｅ雰囲気、Ｘｅ雰囲気、Ｋｒ雰囲気に代替しても
同効である。
膜中に於けるシリコンと酸素との結合を切断する為、Ａ
ｒ雰囲気中でプラズマを照射したが、これは、Ｎｅ雰囲
気、Ｈｅ雰囲気、Ｘｅ雰囲気、Ｋｒ雰囲気に代替しても
同効である。
【００３７】
【発明の効果】本発明に依る半導体装置の製造方法に於
いては、シリコン半導体基板上にゲート酸化膜を形成し
てから稀ガス雰囲気中でプラズマ照射してゲート酸化膜
に於けるシリコンと酸素の結合を切断し、Ｎ2 を含む雰
囲気中でプラズマ照射して窒素とシリコンとを結合させ
ゲート酸化膜表面上に窒化層を生成させ、Ｎ2 を含む雰
囲気中で熱処理を行ってプラズマ・ダメージを回復さ
せ、窒化層が生成されたゲート酸化膜上に多結晶シリコ
ン膜を形成する。
いては、シリコン半導体基板上にゲート酸化膜を形成し
てから稀ガス雰囲気中でプラズマ照射してゲート酸化膜
に於けるシリコンと酸素の結合を切断し、Ｎ2 を含む雰
囲気中でプラズマ照射して窒素とシリコンとを結合させ
ゲート酸化膜表面上に窒化層を生成させ、Ｎ2 を含む雰
囲気中で熱処理を行ってプラズマ・ダメージを回復さ
せ、窒化層が生成されたゲート酸化膜上に多結晶シリコ
ン膜を形成する。
【００３８】前記構成を採ることに依り、多結晶シリコ
ンと酸化膜との界面に於ける窒素濃度は高く、且つ、酸
化膜とシリコン基板との界面に於ける窒素濃度は低く維
持した窒素濃度プロファイルが実現され、従って、多結
晶シリコンから拡散する不純物が酸化膜を突き抜けるこ
とはなくなり、また、酸化膜中に該不純物が滞留するこ
ともなくなる。
ンと酸化膜との界面に於ける窒素濃度は高く、且つ、酸
化膜とシリコン基板との界面に於ける窒素濃度は低く維
持した窒素濃度プロファイルが実現され、従って、多結
晶シリコンから拡散する不純物が酸化膜を突き抜けるこ
とはなくなり、また、酸化膜中に該不純物が滞留するこ
ともなくなる。
【００３９】その結果、半導体装置のしきい値Ｖthが変
動することはなくなり、また、Ｑbdで表される電荷量、
即ち、ＴＤＤＢ寿命を測定して得られる破壊に到るまで
の通過電荷量が低下することもなく、更にまた、チャネ
ル領域に窒素が存在するとしても、ごく微量であって、
チャネルに於けるキャリヤ移動度を低下させるようなこ
とはなく、しかも、ホット・エレクトロン劣化を抑止す
るのにも有効である。
動することはなくなり、また、Ｑbdで表される電荷量、
即ち、ＴＤＤＢ寿命を測定して得られる破壊に到るまで
の通過電荷量が低下することもなく、更にまた、チャネ
ル領域に窒素が存在するとしても、ごく微量であって、
チャネルに於けるキャリヤ移動度を低下させるようなこ
とはなく、しかも、ホット・エレクトロン劣化を抑止す
るのにも有効である。
【図１】本発明に於ける一実施の形態を説明する為の工
程要所に於ける半導体装置を表す要部切断側面図であ
る。
程要所に於ける半導体装置を表す要部切断側面図であ
る。
【図２】図１について説明した半導体装置に於ける窒素
の深さプロファイルを表す線図である。
の深さプロファイルを表す線図である。
１ シリコン・ウエハ ２ 酸化膜 ３ 窒化層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 27/092 (56)参考文献 特開 平11−16900（ＪＰ，Ａ) 特開2000−216154（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−140392（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−50295（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 29/78 H01L 21/336 H01L 21/28 301 H01L 21/283 H01L 21/318 H01L 21/8238 H01L 27/092
Claims (1)
- 【請求項１】シリコン半導体基板上にゲート酸化膜を形
成してから稀ガス雰囲気中でプラズマ照射してゲート酸
化膜に於けるシリコンと酸素の結合を切断する工程と、 次いで、Ｎ2 を含む雰囲気中でプラズマ照射して窒素と
シリコンとを結合させゲート酸化膜表面上に窒化層を生
成させる工程と、 次いで、Ｎ2 を含む雰囲気中で熱処理を行ってプラズマ
・ダメージを回復させる工程と、 その後、前記窒化層が生成されたゲート酸化膜上に多結
晶シリコン膜を形成する工程とが含まれてなることを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02950599A JP3326717B2 (ja) | 1999-02-08 | 1999-02-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02950599A JP3326717B2 (ja) | 1999-02-08 | 1999-02-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000228522A JP2000228522A (ja) | 2000-08-15 |
| JP3326717B2 true JP3326717B2 (ja) | 2002-09-24 |
Family
ID=12277959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02950599A Expired - Lifetime JP3326717B2 (ja) | 1999-02-08 | 1999-02-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3326717B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4397491B2 (ja) | 1999-11-30 | 2010-01-13 | 財団法人国際科学振興財団 | １１１面方位を表面に有するシリコンを用いた半導体装置およびその形成方法 |
| KR100349363B1 (ko) * | 2000-10-10 | 2002-08-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고유전 게이트 절연막을 갖는 피모스 소자의 제조방법 |
| JP2002222941A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-08-09 | Sony Corp | Ｍｉｓ型半導体装置及びその製造方法 |
| JP2003060198A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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