JP3325553B2 - ウェット処理装置 - Google Patents

ウェット処理装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、基板の加工処理
をコンベアタイプとして、薬液や純水をスプレーした後
に速やかに基板上部に設けた吸引手段より、処理後の薬
液やリンス水を吸引するウェット処理装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩ（集積回路デバイス）や液
晶デバイス等の製造工程で薬液と純水を使用して、洗浄
またはエッチング加工を行うことは、広く一般に行われ
ている。その方式としては、枚葉式でのスピンタイプ、
処理槽への浸液タイプがあるが、近年、ＬＳＩ基板や液
晶基板においては、微細かつ高段差部の加工を行う必要
性が高くなり、薬液への界面活性剤添加、または、基板
表面を親水性に変える等の工夫をして、それらを加工す
る工夫を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術のスピンタイプまたは浸液タイプの洗浄方式では、純
水のリンス効率が低く、微細かつ高段差部に入った薬液
が残留してしまうため、基板が不良となるという問題点
があった。例えば、エッチングを目的とした薬液の残留
においてはオーバーエッチングが生じるという問題点が
あった。
【０００４】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、基板の加工処理をコンベアタイ
プとして、薬液や純水をスプレーした後に速やかに基板
上部に設けた吸引手段より、処理後の薬液やリンス水を
吸引するウェット処理装置を得ることを目的とする。
【０００５】請求項１記載の発明にかかるウェット処理
装置は、基板表面に形成されている膜に所望の段差部を
形成するために前記膜上に処理液を供給する処理ノズル
と、前記所望の段差部を形成する際に前記基板表面に残
留処理液がある場合に、前記基板表面から離間されて非
接触で前記残留処理液を吸引して前記基板表面から前記
残留処理液を除去する吸入口を備えた吸引手段と、前記
処理ノズルから前記吸引手段の方向へ基板を載置した状
態で搬送する基板搬送手段とを有し、前記吸入口の先端
断面底部は前記基板の進行方向に沿って前記基板との距
離が漸増するように傾斜した形状であることを特徴とす
る。
【０００６】請求項２記載の発明にかかるウェット処理
装置は、請求項１に記載のウェット処理装置において、
前記吸引手段が前記処理ノズルに対して前記基板の進行
方向前段および後段に配置されていることを特徴とす
る。
【０００７】請求項３記載の発明にかかるウェット処理
装置は、請求項１または２に記載のウェット処理装置に
おいて、前記基板搬送手段は前記基板を所定速度で直進
させて搬送する手段であることを特徴とする。
【０００８】請求項４記載の発明にかかるウェット処理
装置は、請求項１または２に記載のウェット処理装置に
おいて、前記基板搬送手段は、前記基板を所定角速度で
前記処理ノズルから前記吸引手段の方向へ回転させて搬
送する手段であることを特徴とする。
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【００２１】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
実施の形態１を図面に基づいて詳細に説明する。図１
は、本発明の実施の形態１に係るウェット処理装置１０
および薬液除去方法を説明するための概略構成図であ
る。図１において、１０はウェット処理装置、１２は基
板、１４は高段差部、１６は残留薬液、１８は基板搬送
手段、２０は処理ノズル、２２は処理液、２４は薬液、
２６は純水、３０は吸引手段、３２は吸入口、３４は先
端断面底部を示している。
【００２２】図１を参照すると、本実施の形態のウェッ
ト処理装置１０は、基板１２の加工処理をコンベアタイ
プとして、薬液２４や純水２６をスプレーした後に速や
かに基板１２上部に設けた吸引手段３０より、処理後の
薬液２４やリンス水を吸引する構成を実現するために、
集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，
…，１２を載置した状態で搬送する１つの基板搬送手段
１８と、集積回路デバイスや液晶デバイス等の製造工程
で薬液と純水を使用して洗浄またはエッチング加工を行
う１つの処理ノズル２０と、処理ノズル２０の後段に設
置され吸入口３２を有する１つの吸引手段３０を備えて
いる。
【００２３】処理ノズル２０は、集積回路デバイスや液
晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の表面に形成
されている薄膜に薬液２４を主成分とする処理液２２を
所定ガス（本実施の形態では窒素ガスＮ2）とともに薄
膜上に供給して薄膜に所望の高段差部１４を形成するた
めの第１プロセス（洗浄またはエッチング加工プロセ
ス）を実行するための上下動可能なノズルである。
【００２４】吸引手段３０は、所望の高段差部１４を形
成する際に高段差部１４に除去すべき薬液２４（残留薬
液１６）が存在する薬液残りが生じている場合に、高段
差部１４の除去すべき薬液２４（残留薬液１６）を高段
差部１４から数ｃｍ程度離間されて非接触で高段差部１
４近傍（数μｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とともに
吸引して除去する機能を有している。
【００２５】吸引手段３０は少なくとも高段差部１４近
傍（数μｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気を高段差部１
４から数ｃｍ程度離間されて非接触で吸入するための吸
入口３２を有している。このとき、集積回路デバイスや
液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の進行方向
４０に平行方向（紙面左右方向）の吸入口３２の先端断
面底部３４は、集積回路デバイスや液晶デバイス等の複
数の基板１２，…，１２の進行方向４０に沿って集積回
路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１
２との距離が漸増するように傾斜した形状を備えてい
る。これにより、薬液２４、純水２６をスプレーした後
に速やかに集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の
基板１２，…，１２上部に高段差部１４から数ｃｍ程度
離間されて非接触で設けた、集積回路デバイスや液晶デ
バイス等の複数の基板１２，…，１２の進行方向４０に
平行方向（紙面左右方向）の吸入口３２の先端断面底部
３４を介して、吸収対象の高段差部１４の近傍の集積回
路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１
２上の水平方向（紙面左右方向）および垂直方向（紙面
垂直方向）に吸入圧力差（進行方向および基板１２上方
（紙面上方向）に向かって漸減するような圧力差）を発
生させることができる。これにより、吸収対象の高段差
部１４の近傍の集積回路デバイスや液晶デバイス等の複
数の基板１２，…，１２上の水平方向（紙面左右方向）
および垂直方向（紙面垂直方向）に空気流を発生させる
ことができ、吸収対象の高段差部１４に残存する薬液２
４を近傍の集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の
基板１２，…，１２上水平方向（紙面左右方向）に移動
させながら垂直方向（紙面垂直方向）に吸い上げること
ができるようになる。
【００２６】また、吸入口３２の先端断面底部３４は、
集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，
…，１２の進行方向４０に直交方向を長辺（長手方向の
辺）とし、かつ、集積回路デバイスや液晶デバイス等の
複数の基板１２，…，１２の進行方向４０に平行方向
（紙面左右方向）を短辺とするスリット形状（長辺＝数
１０ｃｍ〜数ｍ、短辺＝数１００μｍ〜数ｍｍ）を備え
ている。これにより、薬液２４、純水２６をスプレーし
た後に速やかに集積回路デバイスや液晶デバイス等の複
数の基板１２，…，１２上部に高段差部１４から数ｃｍ
程度離間されて非接触で設けた、スリット形状（長辺＝
数１０ｃｍ〜数ｍ、短辺＝数１００μｍ〜数ｍｍ）の先
端断面底部３４を介して、吸収対象の高段差部１４の近
傍の集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１
２，…，１２上の水平方向（紙面左右方向）および垂直
方向（紙面垂直方向）に吸入圧力差（進行方向および基
板１２上方（紙面上方向）に向かって漸減するような圧
力差）をスリット形状（長辺＝数１０ｃｍ〜数ｍ、短辺
＝数１００μｍ〜数ｍｍ）で発生させることができる。
これにより、吸収対象の高段差部１４の近傍の集積回路
デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２
上の水平方向（紙面左右方向）および垂直方向（紙面垂
直方向）に空気流をスリット形状（長辺＝数１０ｃｍ〜
数ｍ、短辺＝数１００μｍ〜数ｍｍ）で発生させること
ができ、吸収対象の高段差部１４に残存する薬液２４を
近傍の集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板
１２，…，１２上水平方向（紙面左右方向）に移動させ
ながら垂直方向（紙面垂直方向）にスリット形状（長辺
＝数１０ｃｍ〜数ｍ、短辺＝数１００μｍ〜数ｍｍ）で
吸い上げることができるようになる。なお、スリット形
状は本実施の形態に記載のものに限らず、丸型、矩形型
など、基板１２，…，１２の形状に合わせて適宜変更可
能であることは明白である。
【００２７】また、吸引手段３０は、所望の高段差部１
４を形成する際に高段差部１４に除去すべき薬液２４
（残留薬液１６）が存在する薬液残りが生じている場合
に、高段差部１４の除去すべき薬液２４（残留薬液１
６）を高段差部１４から数ｃｍ程度離間されて非接触で
高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲
気とともに吸引して除去する機能を有している。
【００２８】また、吸引手段３０は、集積回路デバイス
や液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の進行方
向４０に対して処理ノズル２０の後段に集積回路デバイ
スや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２から数
ｃｍ程度離間されて配置され、処理ノズル２０を用いて
所望の高段差部１４を形成する第１プロセス（洗浄また
はエッチング加工プロセス）の終了後の所定の期間に、
高段差部１４の除去すべき薬液２４（残留薬液１６）を
高段差部１４から数ｃｍ程度離間されて非接触で高段差
部１４近傍（数μｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とと
もに吸引して除去する第２プロセス（残留薬液除去プロ
セス）を実行する機能を有している。この場合、集積回
路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１
２の加工処理をコンベアタイプとすることができ、さら
に加えて、薬液２４、純水２６をスプレーした後に速や
かに集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１
２，…，１２上部に高段差部１４から数ｃｍ程度離間さ
れて非接触で処理ノズル２０の後段に設けた吸引手段３
０を介して、所望の高段差部１４を形成する第１プロセ
ス（洗浄またはエッチング加工プロセス）の終了後の所
定の期間に、高段差部１４に残存する薬液２４やリンス
水を次のプロセスに影響を与えない程度に処理ノズル２
０の後段から十分に吸引して除去できるようになる。
【００２９】また、吸引手段３０は、集積回路デバイス
や液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の進行方
向４０に対して処理ノズル２０の後段に集積回路デバイ
スや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２から数
ｃｍ程度離間されて配置され、処理ノズル２０を用いて
所望の高段差部１４を形成する第１プロセス（洗浄また
はエッチング加工プロセス）の終了後の所定の期間に、
高段差部１４から数ｃｍ程度離間されて非接触で高段差
部１４近傍（数μｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とと
もに集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１
２，…，１２の表面を上方へ吸引して残留薬液１６を吸
引して基板１２の表面から除去する第２プロセス（残留
薬液除去プロセス）を実行する機能を有している。この
場合、集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板
１２，…，１２の加工処理をコンベアタイプとすること
ができ、さらに加えて、薬液２４、純水２６をスプレー
した後に速やかに集積回路デバイスや液晶デバイス等の
複数の基板１２，…，１２上部に高段差部１４から数ｃ
ｍ程度離間されて非接触で処理ノズル２０の後段に設け
た吸引手段３０を介して、所望の高段差部１４を形成す
る第１プロセス（洗浄またはエッチング加工プロセス）
の終了後の所定の期間に、集積回路デバイスや液晶デバ
イス等の複数の基板１２，…，１２の表面に残存する薬
液２４やリンス水（特に、高段差部１４の薬液２４やリ
ンス水）を高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍｍ程度の範
囲）の雰囲気とともに次のプロセスに影響を与えない程
度に処理ノズル２０の後段から十分に吸引して除去でき
るようになる。
【００３０】また、吸引手段３０は、集積回路デバイス
や液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の進行方
向４０に対して処理ノズル２０の後段に集積回路デバイ
スや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２から数
ｃｍ程度離間されて配置され、処理ノズル２０を用いて
所望の高段差部１４を形成する第１プロセス（洗浄また
はエッチング加工プロセス）の実行中に、高段差部１４
の除去すべき薬液２４（残留薬液１６）を高段差部１４
から数ｃｍ程度離間されて非接触で高段差部１４近傍
（数μｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とともに吸引し
て除去する第２プロセス（残留薬液除去プロセス）を実
行する機能を有している。この場合、集積回路デバイス
や液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の加工処
理をコンベアタイプとすることができ、さらに加えて、
薬液２４、純水２６をスプレーした後に速やかに集積回
路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１
２上部に高段差部１４から数ｃｍ程度離間されて非接触
で処理ノズル２０の後段に設けた吸引手段３０を介し
て、処理ノズル２０を用いて所望の高段差部１４を形成
する第１プロセス（洗浄またはエッチング加工プロセ
ス）の実行中に、高段差部１４に残存する薬液２４やリ
ンス水を次のプロセスに影響を与えない程度に処理ノズ
ル２０の後段から十分に吸引して除去できるようにな
る。
【００３１】また、吸引手段３０は、集積回路デバイス
や液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の進行方
向４０に対して処理ノズル２０の後段に集積回路デバイ
スや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２から数
ｃｍ程度離間されて配置され、処理ノズル２０を用いて
所望の高段差部１４を形成する第１プロセス（洗浄また
はエッチング加工プロセス）の実行中に、高段差部１４
から数ｃｍ程度離間されて非接触で高段差部１４近傍
（数μｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とともに集積回
路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１
２の表面を上方へ吸引して残留薬液１６を吸引して基板
１２の表面から除去する第２プロセス（残留薬液除去プ
ロセス）を実行する機能を有している。この場合、集積
回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，
１２の加工処理をコンベアタイプとすることができ、さ
らに加えて、薬液２４、純水２６をスプレーした後に速
やかに集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板
１２，…，１２上部に高段差部１４から数ｃｍ程度離間
されて非接触で処理ノズル２０の後段に設けた吸引手段
３０を介して、処理ノズル２０を用いて所望の高段差部
１４を形成する第１プロセス（洗浄またはエッチング加
工プロセス）の実行中に、集積回路デバイスや液晶デバ
イス等の複数の基板１２，…，１２の表面に残存する薬
液２４やリンス水（特に、高段差部１４の薬液２４やリ
ンス水）を高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍｍ程度の範
囲）の雰囲気とともに次のプロセスに影響を与えない程
度に処理ノズル２０の後段から十分に吸引して除去でき
るようになる。
【００３２】基板搬送手段１８は、処理ノズル２０から
吸引手段３０の方向へ集積回路デバイスや液晶デバイス
等の複数の基板１２，…，１２を載置した状態で所定速
度で直進させて搬送する機能を有している。これによ
り、処理ノズル２０から吸引手段３０の方向へ集積回路
デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２
を直線的に移動（図中に示す矢印４０の方向に移動）さ
せながら複数の集積回路デバイスや液晶デバイス等の複
数の基板１２，…，１２のそれぞれに対する加工処理を
次々と実行する直進コンベアタイプとすることができ、
さらに加えて、薬液２４、純水２６をスプレーした後に
速やかに集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基
板１２，…，１２上部に高段差部１４から数ｃｍ程度離
間されて非接触で処理ノズル２０の近傍付近に設けた吸
引手段３０を介して、高段差部１４に残存する薬液２４
やリンス水を次のプロセスに影響を与えない程度に処理
ノズル２０の近傍付近から十分に吸引して除去できるよ
うになる。
【００３３】また、基板搬送手段１８は、集積回路デバ
イスや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２を載
置した状態で所定角速度で処理ノズル２０から吸引手段
３０の方向へ回転させて搬送するように構成してもよ
い。この場合、処理ノズル２０から吸引手段３０の方向
へ集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１
２，…，１２を集積回路デバイスや液晶デバイスの回転
移動（図中に示す矢印４０の方向に移動）させながら複
数の集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１
２，…，１２のそれぞれに対する加工処理を次々と実行
する回転コンベアタイプとすることができ、さらに加え
て、薬液２４、純水２６をスプレーした後に速やかに集
積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，
…，１２上部に高段差部１４から数ｃｍ程度離間されて
非接触で処理ノズル２０の近傍付近に設けた吸引手段３
０を介して、高段差部１４に残存する薬液２４やリンス
水を次のプロセスに影響を与えない程度に処理ノズル２
０の近傍付近から十分に吸引して除去できるようにな
る。
【００３４】以上説明したように本実施の形態のウェッ
ト処理装置１０によれば、集積回路デバイスや液晶デバ
イス等の複数の基板１２，…，１２の加工処理をコンベ
アタイプとすることができ、さらに加えて、薬液２４、
純水２６をスプレーした後に速やかに集積回路デバイス
や液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２上部に高
段差部１４から数ｃｍ程度離間されて非接触で設けた吸
引手段３０を介して、処理後に高段差部１４に残存する
薬液２４やリンス水を次のプロセスに影響を与えない程
度に十分に吸引して除去できるようになる。
【００３５】次に、図面に基づき実施の形態１のウェッ
ト処理装置１０の動作（薬液除去方法）について説明す
る。図１を参照すると、本実施の形態のウェット処理装
置１０は、まず、集積回路デバイスや液晶デバイス等の
複数の基板１２，…，１２の表面に形成されている薄膜
に薬液２４を主成分とする処理液２２を所定ガス（本実
施の形態では窒素ガスＮ2）とともに薄膜上に供給して
薄膜に所望の高段差部１４を形成するための第１プロセ
ス（洗浄またはエッチング加工プロセス）を実行する。
続いて、第１プロセス（洗浄またはエッチング加工プロ
セス）に続いて、所望の高段差部１４を形成する際に高
段差部１４に除去すべき薬液２４（残留薬液１６）が存
在する薬液残りが生じている場合に、高段差部１４の除
去すべき薬液２４（残留薬液１６）を高段差部１４から
数ｃｍ程度離間されて非接触で高段差部１４近傍（数μ
ｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とともに所定期間だけ
吸引して除去する第２プロセス（残留薬液除去プロセ
ス）を実行する。
【００３６】また、第２プロセス（残留薬液除去プロセ
ス）は、第１プロセス（洗浄またはエッチング加工プロ
セス）に続いて、所望の高段差部１４を形成する際に高
段差部１４に除去すべき薬液２４（残留薬液１６）が存
在する薬液残りが生じている場合に、高段差部１４から
数ｃｍ程度離間されて非接触で高段差部１４近傍（数μ
ｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とともに集積回路デバ
イスや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の表
面を所定期間だけ吸引して残留薬液１６を吸引して基板
１２の表面から除去するプロセスであってもよい。
【００３７】以上説明したように第１の実施の形態の薬
液除去方法によれば、集積回路デバイスや液晶デバイス
等の複数の基板１２，…，１２の加工処理をコンベアタ
イプとすることができ、さらに加えて、この場合、薬液
２４、純水２６をスプレーした後に速やかに集積回路デ
バイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２上
部に高段差部１４から数ｃｍ程度離間されて非接触で設
けた吸引手段３０を介して、処理後に集積回路デバイス
や液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の表面に
残存する薬液２４やリンス水（特に、高段差部１４の薬
液２４やリンス水）を高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍ
ｍ程度の範囲）の雰囲気とともに次のプロセスに影響を
与えない程度に十分に吸引して除去できるようになる。
【００３８】実施の形態２．以下、この発明の実施の形
態２を図面に基づいて詳細に説明する。図２は、本発明
の実施の形態２に係るウェット処理装置１０および薬液
除去方法を説明するための概略構成図である。図２にお
いて、１０はウェット処理装置、１２は基板、１４は高
段差部、１６は残留薬液、１８は基板搬送手段、２０は
処理ノズル、３０は吸引手段、３２は吸入口を示してい
る。なお、実施の形態１において既に記述したものと同
一の部分については、同一符号を付し、重複した説明は
省略する。
【００３９】図２を参照すると、本実施の形態のウェッ
ト処理装置１０は、基板１２の加工処理をコンベアタイ
プとして、薬液２４や純水２６をスプレーした後に速や
かに基板１２上部に設けた吸引手段３０より、処理後の
薬液２４やリンス水を吸引する構成を実現するために、
集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，
…，１２を載置した状態で搬送する１つの基板搬送手段
１８と、集積回路デバイスや液晶デバイス等の製造工程
で薬液と純水を使用して洗浄またはエッチング加工を行
う複数の処理ノズル２０（Ａ1，Ｂ1およびＣ1）と、処
理ノズル２０の後段に設置され吸入口３２を有する複数
の吸引手段３０（Ａ2，Ｂ2，Ｃ2およびＤ2）を備えてい
る。
【００４０】処理ノズル２０（Ａ1，Ｂ1およびＣ1）
は、集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１
２，…，１２の表面に形成されている薄膜に薬液２４を
主成分とする処理液２２を所定ガス（本実施の形態では
窒素ガスＮ2）とともに薄膜上に供給して薄膜に所望の
高段差部１４を形成する第１プロセス（洗浄またはエッ
チング加工プロセス）を実行するための上下動可能なノ
ズルである。
【００４１】上下動可能な吸引手段３０（Ａ2）は、集
積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，
…，１２の進行方向４０に対して処理ノズル２０（Ａ
1）の前段に集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数
の基板１２，…，１２から数ｃｍ程度離間されて配置さ
れ、処理ノズル２０（Ａ1）を用いて所望の高段差部１
４を形成する第１プロセス（洗浄またはエッチング加工
プロセス）の終了後の所定の期間に、高段差部１４の除
去すべき薬液２４（残留薬液１６）を高段差部１４から
数ｃｍ程度離間されて非接触で高段差部１４近傍（数μ
ｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とともに吸引して除去
する第２プロセス（残留薬液除去プロセス）を実行する
機能を有している。また、高段差部１４から数ｃｍ程度
離間されて非接触で高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍｍ
程度の範囲）の雰囲気とともに集積回路デバイスや液晶
デバイス等の複数の基板１２，…，１２の表面を上方へ
吸引して残留薬液１６を吸引して基板１２の表面から除
去する機能を有している。また、処理ノズル２０（Ａ
1）を用いて所望の高段差部１４を形成する第１プロセ
ス（洗浄またはエッチング加工プロセス）の実行中に、
高段差部１４から数ｃｍ程度離間されて非接触で高段差
部１４近傍（数μｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とと
もに集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１
２，…，１２の表面を上方へ吸引して残留薬液１６を吸
引して基板１２の表面から除去する第２プロセス（残留
薬液除去プロセス）を実行する機能を有している。
【００４２】上下動可能な吸引手段３０（Ｂ2）は、集
積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，
…，１２の進行方向４０に対して処理ノズル２０（Ｂ
1）の前段であって処理ノズル２０（Ａ1）の後段に、集
積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，
…，１２から数ｃｍ程度離間されて配置され、処理ノズ
ル２０（Ａ1またはＢ1）を用いて所望の高段差部１４を
形成する第１プロセス（洗浄またはエッチング加工プロ
セス）の終了後の所定の期間に、高段差部１４の除去す
べき薬液２４（残留薬液１６）を高段差部１４から数ｃ
ｍ程度離間されて非接触で高段差部１４近傍（数μｍ〜
数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とともに吸引して除去する
第２プロセス（残留薬液除去プロセス）を実行する機能
を有している。また、高段差部１４から数ｃｍ程度離間
されて非接触で高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍｍ程度
の範囲）の雰囲気とともに集積回路デバイスや液晶デバ
イス等の複数の基板１２，…，１２の表面を上方へ吸引
して残留薬液１６を吸引して基板１２の表面から除去す
る機能を有している。また、高段差部１４から数ｃｍ程
度離間されて非接触で高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍ
ｍ程度の範囲）の雰囲気とともに集積回路デバイスや液
晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の表面を上方
へ吸引して残留薬液１６を吸引して基板１２の表面から
除去する機能を有している。また、処理ノズル２０（Ａ
1またはＢ1）を用いて所望の高段差部１４を形成する第
１プロセス（洗浄またはエッチング加工プロセス）の実
行中に、高段差部１４から数ｃｍ程度離間されて非接触
で高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰
囲気とともに集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数
の基板１２，…，１２の表面を上方へ吸引して残留薬液
１６を吸引して基板１２の表面から除去する第２プロセ
ス（残留薬液除去プロセス）を実行する機能を有してい
る。
【００４３】上下動可能な吸引手段３０（Ｃ2）は、集
積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，
…，１２の進行方向４０に対して処理ノズル２０（Ｃ
1）の前段であって処理ノズル２０（Ｂ1）の後段に、集
積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，
…，１２から数ｃｍ程度離間されて配置され、処理ノズ
ル２０（Ｂ1またはＣ1）を用いて所望の高段差部１４を
形成する第１プロセス（洗浄またはエッチング加工プロ
セス）の終了後の所定の期間に、高段差部１４の除去す
べき薬液２４（残留薬液１６）を高段差部１４から数ｃ
ｍ程度離間されて非接触で高段差部１４近傍（数μｍ〜
数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とともに吸引して除去する
第２プロセス（残留薬液除去プロセス）を実行する機能
を有している。また、高段差部１４から数ｃｍ程度離間
されて非接触で高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍｍ程度
の範囲）の雰囲気とともに集積回路デバイスや液晶デバ
イス等の複数の基板１２，…，１２の表面を上方へ吸引
して残留薬液１６を吸引して基板１２の表面から除去す
る機能を有している。また、高段差部１４から数ｃｍ程
度離間されて非接触で高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍ
ｍ程度の範囲）の雰囲気とともに集積回路デバイスや液
晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の表面を上方
へ吸引して残留薬液１６を吸引して基板１２の表面から
除去する機能を有している。また、処理ノズル２０（Ｂ
1またはＣ1）を用いて所望の高段差部１４を形成する第
１プロセス（洗浄またはエッチング加工プロセス）の実
行中に、高段差部１４から数ｃｍ程度離間されて非接触
で高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰
囲気とともに集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数
の基板１２，…，１２の表面を上方へ吸引して残留薬液
１６を吸引して基板１２の表面から除去する第２プロセ
ス（残留薬液除去プロセス）を実行する機能を有してい
る。
【００４４】上下動可能な吸引手段３０（Ｄ2）は、集
積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，
…，１２の進行方向４０に対して処理ノズル２０（Ｃ
1）の後段に、集積回路デバイスや液晶デバイス等の複
数の基板１２，…，１２から数ｃｍ程度離間されて配置
され、処理ノズル２０（Ｃ1）を用いて所望の高段差部
１４を形成する第１プロセス（洗浄またはエッチング加
工プロセス）の終了後の所定の期間に、高段差部１４の
除去すべき薬液２４（残留薬液１６）を高段差部１４か
ら数ｃｍ程度離間されて非接触で高段差部１４近傍（数
μｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とともに吸引して除
去する第２プロセス（残留薬液除去プロセス）を実行す
る機能を有している。また、高段差部１４から数ｃｍ程
度離間されて非接触で高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍ
ｍ程度の範囲）の雰囲気とともに集積回路デバイスや液
晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の表面を上方
へ吸引して残留薬液１６を吸引して基板１２の表面から
除去する機能を有している。また、高段差部１４から数
ｃｍ程度離間されて非接触で高段差部１４近傍（数μｍ
〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とともに集積回路デバイ
スや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の表面
を上方へ吸引して残留薬液１６を吸引して基板１２の表
面から除去する機能を有している。また、処理ノズル２
０（Ｃ1）を用いて所望の高段差部１４を形成する第１
プロセス（洗浄またはエッチング加工プロセス）の実行
中に、高段差部１４から数ｃｍ程度離間されて非接触で
高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲
気とともに集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の
基板１２，…，１２の表面を上方へ吸引して残留薬液１
６を吸引して基板１２の表面から除去する第２プロセス
（残留薬液除去プロセス）を実行する機能を有してい
る。
【００４５】以上説明したように実施の形態２のウェッ
ト処理装置１０によれば、集積回路デバイスや液晶デバ
イス等の複数の基板１２，…，１２の加工処理をコンベ
アタイプとすることができ、さらに加えて、薬液２４、
純水２６をスプレーした後に速やかに集積回路デバイス
や液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２上部に高
段差部１４から数ｃｍ程度離間されて非接触で処理ノズ
ル２０（Ａ1，Ｂ1，Ｃ1）の前段および／または後段に
設けた吸引手段３０（Ａ2，Ｂ2，Ｃ2，Ｄ2）を介して、
処理ノズル２０（Ａ1，Ｂ1，Ｃ1）を用いて所望の高段
差部１４を形成する第１プロセス（洗浄またはエッチン
グ加工プロセス）の終了後の所定の期間に、高段差部１
４に残存する薬液２４やリンス水を次のプロセスに影響
を与えない程度に処理ノズル２０（Ａ1，Ｂ1，Ｃ1）の
前後から十分に吸引して除去できるようになる。
【００４６】なお、本発明が上記各実施の形態に限定さ
れず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施の形
態は適宜変更され得ることは明らかである。また上記構
成部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定され
ず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等にす
ることができる。また、各図において、同一構成要素に
は同一符号を付している。
【００４７】
【００４８】本発明によれば、吸収対象の高段差部の近
傍の基板上水平方向および垂直方向に吸入圧力差を発生
させることができる。これにより、吸収対象の高段差部
の近傍の基板上水平方向および垂直方向に空気流を発生
させることができ、吸収対象の高段差部に残存する薬液
を近傍の基板上水平方向に移動させながら垂直方向に吸
い上げることができるようになる。その結果、吸収対象
の高段差部に強く付着して残存する薬液の吸入効率を向
上できるようになり、処理後に高段差部に残存する薬液
やリンス水を次のプロセスに影響を与えない程度に十分
に吸引して除去できる。
【００４９】
【００５０】
【００５１】
【００５２】
【００５３】
【００５４】
【００５５】
【００５６】
【００５７】本発明によれば、処理ノズルから吸引手段
の方向へ基板を載置した状態で所定速度で直進させて搬
送する基板搬送手段を設けることで、処理ノズルから吸
引手段の方向へ基板を直線的に移動させながら複数の基
板のそれぞれに対する加工処理を次々と実行する直進コ
ンベアタイプとすることができる。
【００５８】本発明によれば、基板を載置した状態で所
定角速度で前記処理ノズルから前記吸引手段の方向へ回
転させて搬送する基板搬送手段を設けることで、処理ノ
ズルから吸引手段の方向へ基板を回転移動させながら複
数の基板のそれぞれに対する加工処理を次々と実行する
回転コンベアタイプとすることができる。
【００５９】
【００６０】
【００６１】
【００６２】
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１に係るウェット処理装
置および薬液除去方法を説明するための概略構成図であ
る。
【図２】 本発明の実施の形態２に係るウェット処理装
置および薬液除去方法を説明するための概略構成図であ
る。
【符号の説明】
１０ ウェット処理装置、 １２ 基板、 １４ 高段
差部、 １６ 残留薬液、 １８ 基板搬送手段、 ２
０ 処理ノズル、 ２２ 処理液、 ２４ 薬液、 ２
６ 純水、 ３０ 吸引手段、 ３２ 吸入口、 ３４
先端断面底部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 H01L 21/306

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板表面に形成されている膜に所望の段
    差部を形成するために前記膜上に処理液を供給する処理
    ノズルと、 前記所望の段差部を形成する際に前記基板表面に残留処
    理液がある場合に、前記基板表面から離間されて非接触
    で前記残留処理液を吸引して前記基板表面から前記残留
    処理液を除去する吸入口を備えた吸引手段と、 前記処理ノズルから前記吸引手段の方向へ基板を載置し
    た状態で搬送する基板搬送手段とを有し、 前記吸入口の先端断面底部は前記基板の進行方向に沿っ
    て前記基板との距離が漸増するように傾斜した形状であ
    る ことを特徴とするウェット処理装置。
  2. 【請求項２】 前記吸引手段が、前記処理ノズルに対し
    て前記基板の進行方向前段および後段に配置されている
    請求項１に記載のウェット処理装置。
  3. 【請求項３】 前記基板搬送手段は、前記基板を所定速
    度で直進させて搬送する手段である請求項１または２に
    記載のウェット処理装置。
  4. 【請求項４】 前記基板搬送手段は、前記基板を所定角
    速度で前記処理ノズルから前記吸引手段の方向へ回転さ
    せて搬送する手段である請求項１または２に記載のウェ
    ット処理装置。
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