JP2001284312A - ウェット処理装置および薬液除去方法 - Google Patents

ウェット処理装置および薬液除去方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、基板の加工処理をコンベアタイプ
として、薬液や純水をスプレーした後に速やかに基板上
部に設けた吸引手段より、処理後の薬液やリンス水を吸
引するウェット処理装置および薬液除去方法を得る。 【解決手段】 集積回路デバイスや液晶デバイス等の複
数の基板１２，…，１２を載置した状態で搬送する基板
搬送手段１８と、集積回路デバイスや液晶デバイス等の
製造工程で薬液と純水を使用して洗浄またはエッチング
加工を行う処理ノズル２０と、処理ノズル２０の後段に
設置され吸入口３２を有する吸引手段３０を備えてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、基板の加工処理
をコンベアタイプとして、薬液や純水をスプレーした後
に速やかに基板上部に設けた吸引手段より、処理後の薬
液やリンス水を吸引するウェット処理装置および薬液除
去方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩ（集積回路デバイス）や液
晶デバイス等の製造工程で薬液と純水を使用して、洗浄
またはエッチング加工を行うことは、広く一般に行われ
ている。その方式としては、枚葉式でのスピンタイプ、
処理槽への浸液タイプがあるが、近年、ＬＳＩ基板や液
晶基板においては、微細かつ高段差部の加工を行う必要
性が高くなり、薬液への界面活性剤添加、または、基板
表面を親水性に変える等の工夫をして、それらを加工す
る工夫を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術のスピンタイプまたは浸液タイプの洗浄方式では、純
水のリンス効率が低く、微細かつ高段差部に入った薬液
が残留してしまうため、基板が不良となるという問題点
があった。例えば、エッチングを目的とした薬液の残留
においてはオーバーエッチングが生じるという問題点が
あった。
【０００４】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、基板の加工処理をコンベアタイ
プとして、薬液や純水をスプレーした後に速やかに基板
上部に設けた吸引手段より、処理後の薬液やリンス水を
吸引するウェット処理装置および薬液除去方法を得るこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１記載
の発明にかかるウェット処理装置は、基板表面に形成さ
れている膜に所定薬液を主成分とする処理液を所定ガス
とともに当該膜上に供給して当該膜に所望の高段差部を
形成するための処理ノズルと、前記所望の高段差部を形
成する際に当該高段差部に除去すべき薬液が存在する薬
液残りが生じている場合に、当該高段差部の当該除去す
べき薬液を当該高段差部から離間されて非接触で当該高
段差部近傍の雰囲気とともに吸引して除去する吸引手段
を有するものである。
【０００６】請求項２記載の発明にかかるウェット処理
装置は、基板表面に形成されている膜に所定薬液を主成
分とする処理液を所定ガスとともに当該膜上に供給して
当該膜に所望の高段差部を形成するための処理ノズル
と、前記所望の高段差部を形成する際に当該高段差部に
除去すべき薬液が存在する薬液残りが生じている場合
に、当該高段差部から離間されて非接触で当該高段差部
近傍の雰囲気とともに前記基板表面を吸引して当該残留
薬液を吸引して基板表面から除去する吸引手段を有する
ものである。
【０００７】請求項３記載の発明にかかるウェット処理
装置は、基板表面に形成されている膜に所定薬液を主成
分とする処理液を所定ガスとともに当該膜上に供給して
当該膜に所望の高段差部を形成する第１プロセスを実行
するための処理ノズルと、基板の進行方向に対して前記
処理ノズルの後段に当該基板から離間されて配置され、
前記処理ノズルを用いて前記所望の高段差部を形成する
前記第１プロセスの終了後の所定の期間に、当該高段差
部の当該除去すべき薬液を当該高段差部から離間されて
非接触で当該高段差部近傍の雰囲気とともに吸引して除
去する第２プロセスを実行するための吸引手段を有する
ものである。
【０００８】請求項４記載の発明にかかるウェット処理
装置は、基板表面に形成されている膜に所定薬液を主成
分とする処理液を所定ガスとともに当該膜上に供給して
当該膜に所望の高段差部を形成する第１プロセスを実行
するための処理ノズルと、基板の進行方向に対して前記
処理ノズルの後段に当該基板から離間されて配置され、
前記処理ノズルを用いて前記所望の高段差部を形成する
前記第１プロセスの終了後の所定の期間に、当該高段差
部から離間されて非接触で当該高段差部近傍の雰囲気と
ともに前記基板表面を吸引して当該残留薬液を吸引して
基板表面から除去する第２プロセスを実行するための吸
引手段を有するものである。
【０００９】請求項５記載の発明にかかるウェット処理
装置は、基板表面に形成されている膜に所定薬液を主成
分とする処理液を所定ガスとともに当該膜上に供給して
当該膜に所望の高段差部を形成する第１プロセスを実行
するための処理ノズルと、基板の進行方向に対して前記
処理ノズルの前段および後段に当該基板から離間されて
配置され、前記処理ノズルを用いて前記所望の高段差部
を形成する前記第１プロセスの終了後の所定の期間に、
当該高段差部の当該除去すべき薬液を当該高段差部から
離間されて非接触で当該高段差部近傍の雰囲気とともに
吸引して除去する第２プロセスを実行するための吸引手
段を有するものである。
【００１０】請求項６記載の発明にかかるウェット処理
装置は、基板表面に形成されている膜に所定薬液を主成
分とする処理液を所定ガスとともに当該膜上に供給して
当該膜に所望の高段差部を形成する第１プロセスを実行
するための処理ノズルと、基板の進行方向に対して前記
処理ノズルの前段および後段に当該基板から離間されて
配置され、前記処理ノズルを用いて前記所望の高段差部
を形成する前記第１プロセスの終了後の所定の期間に、
当該高段差部から離間されて非接触で当該高段差部近傍
の雰囲気とともに前記基板表面を吸引して当該残留薬液
を吸引して基板表面から除去する第２プロセスを実行す
るための吸引手段を有するものである。
【００１１】請求項７記載の発明にかかるウェット処理
装置は、基板表面に形成されている膜に所定薬液を主成
分とする処理液を所定ガスとともに当該膜上に供給して
当該膜に所望の高段差部を形成する第１プロセスを実行
するための処理ノズルと、基板の進行方向に対して前記
処理ノズルの後段に当該基板から離間されて配置され、
前記処理ノズルを用いて前記所望の高段差部を形成する
前記第１プロセスの実行中に、当該高段差部の当該除去
すべき薬液を当該高段差部から離間されて非接触で当該
高段差部近傍の雰囲気とともに吸引して除去する第２プ
ロセスを実行するための吸引手段を有するものである。
【００１２】請求項８記載の発明にかかるウェット処理
装置は、基板表面に形成されている膜に所定薬液を主成
分とする処理液を所定ガスとともに当該膜上に供給して
当該膜に所望の高段差部を形成する第１プロセスを実行
するための処理ノズルと、基板の進行方向に対して前記
処理ノズルの後段に当該基板から離間されて配置され、
前記処理ノズルを用いて前記所望の高段差部を形成する
前記第１プロセスの実行中に、当該高段差部から離間さ
れて非接触で当該高段差部近傍の雰囲気とともに前記基
板表面を吸引して当該残留薬液を吸引して基板表面から
除去する第２プロセスを実行するための吸引手段を有す
るものである。
【００１３】請求項９記載の発明にかかるウェット処理
装置は、基板表面に形成されている膜に所定薬液を主成
分とする処理液を所定ガスとともに当該膜上に供給して
当該膜に所望の高段差部を形成する第１プロセスを実行
するための処理ノズルと、基板の進行方向に対して前記
処理ノズルの前段および後段に当該基板から離間されて
配置され、前記処理ノズルを用いて前記所望の高段差部
を形成する前記第１プロセスの実行中に、当該高段差部
の当該除去すべき薬液を当該高段差部から離間されて非
接触で当該高段差部近傍の雰囲気とともに吸引して除去
する第２プロセスを実行するための吸引手段を有するも
のである。
【００１４】請求項１０記載の発明にかかるウェット処
理装置は、基板表面に形成されている膜に所定薬液を主
成分とする処理液を所定ガスとともに当該膜上に供給し
て当該膜に所望の高段差部を形成する第１プロセスを実
行するための処理ノズルと、基板の進行方向に対して前
記処理ノズルの前段および後段に当該基板から離間され
て配置され、前記処理ノズルを用いて前記所望の高段差
部を形成する前記第１プロセスの実行中に、当該高段差
部から離間されて非接触で当該高段差部近傍の雰囲気と
ともに前記基板表面を吸引して当該残留薬液を吸引して
基板表面から除去する第２プロセスを実行するための吸
引手段を有するものである。
【００１５】請求項１１記載の発明にかかるウェット処
理装置は、上記請求項１乃至１０のいずれか一項に記載
の発明において、前記処理ノズルから前記吸引手段の方
向へ基板を載置した状態で所定速度で直進させて搬送す
る基板搬送手段を有するものである。
【００１６】請求項１２記載の発明にかかるウェット処
理装置は、上記請求項１乃至１０のいずれか一項に記載
の発明において、基板を載置した状態で所定角速度で前
記処理ノズルから前記吸引手段の方向へ回転させて搬送
する基板搬送手段を有するものである。
【００１７】請求項１３記載の発明にかかるウェット処
理装置は、上記請求項１乃至１２のいずれか一項に記載
の発明において、前記吸引手段は少なくとも前記高段差
部近傍の雰囲気を当該高段差部から離間されて非接触で
吸入するための吸入口を有し、基板の進行方向に平行方
向の当該吸入口の先端断面底部は、当該基板の進行方向
に沿って当該基板との距離が漸増するように傾斜した形
状を有するものである。
【００１８】請求項１４記載の発明にかかるウェット処
理装置は、上記請求項１乃至１３のいずれか一項に記載
の発明において、前記吸引手段は少なくとも前記高段差
部近傍の雰囲気を当該高段差部から離間されて非接触で
吸入するための吸入口を有し、前記吸入口の先端断面底
部は、基板の進行方向に直交方向を長辺とし、かつ、当
該基板の進行方向に平行方向を短辺とするスリット形状
を有するものである。
【００１９】請求項１５記載の発明にかかる薬液除去方
法は、基板表面に形成されている膜に所定薬液を主成分
とする処理液を所定ガスとともに当該膜上に供給して当
該膜に所望の高段差部を形成するための第１プロセス
と、前記第１プロセスに続いて、前記所望の高段差部を
形成する際に当該高段差部に除去すべき薬液が存在する
薬液残りが生じている場合に、当該高段差部の当該除去
すべき薬液を当該高段差部から離間されて非接触で当該
高段差部近傍の雰囲気とともに所定期間だけ吸引して除
去する第２プロセスを有するものである。
【００２０】請求項１６記載の発明にかかる薬液除去方
法は、基板表面に形成されている膜に所定薬液を主成分
とする処理液を所定ガスとともに当該膜上に供給して当
該膜に所望の高段差部を形成するための第１プロセス
と、前記第１プロセスに続いて、前記所望の高段差部を
形成する際に当該高段差部に除去すべき薬液が存在する
薬液残りが生じている場合に、当該高段差部から離間さ
れて非接触で当該高段差部近傍の雰囲気とともに前記基
板表面を所定期間だけ吸引して当該残留薬液を吸引して
基板表面から除去する第２プロセスを有するものであ
る。
【００２１】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
実施の形態１を図面に基づいて詳細に説明する。図１
は、本発明の実施の形態１に係るウェット処理装置１０
および薬液除去方法を説明するための概略構成図であ
る。図１において、１０はウェット処理装置、１２は基
板、１４は高段差部、１６は残留薬液、１８は基板搬送
手段、２０は処理ノズル、２２は処理液、２４は薬液、
２６は純水、３０は吸引手段、３２は吸入口、３４は先
端断面底部を示している。
【００２２】図１を参照すると、本実施の形態のウェッ
ト処理装置１０は、基板１２の加工処理をコンベアタイ
プとして、薬液２４や純水２６をスプレーした後に速や
かに基板１２上部に設けた吸引手段３０より、処理後の
薬液２４やリンス水を吸引する構成を実現するために、
集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，
…，１２を載置した状態で搬送する１つの基板搬送手段
１８と、集積回路デバイスや液晶デバイス等の製造工程
で薬液と純水を使用して洗浄またはエッチング加工を行
う１つの処理ノズル２０と、処理ノズル２０の後段に設
置され吸入口３２を有する１つの吸引手段３０を備えて
いる。
【００２３】処理ノズル２０は、集積回路デバイスや液
晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の表面に形成
されている薄膜に薬液２４を主成分とする処理液２２を
所定ガス（本実施の形態では窒素ガスＮ2）とともに薄
膜上に供給して薄膜に所望の高段差部１４を形成するた
めの第１プロセス（洗浄またはエッチング加工プロセ
ス）を実行するための上下動可能なノズルである。
【００２４】吸引手段３０は、所望の高段差部１４を形
成する際に高段差部１４に除去すべき薬液２４（残留薬
液１６）が存在する薬液残りが生じている場合に、高段
差部１４の除去すべき薬液２４（残留薬液１６）を高段
差部１４から数ｃｍ程度離間されて非接触で高段差部１
４近傍（数μｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とともに
吸引して除去する機能を有している。
【００２５】吸引手段３０は少なくとも高段差部１４近
傍（数μｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気を高段差部１
４から数ｃｍ程度離間されて非接触で吸入するための吸
入口３２を有している。このとき、集積回路デバイスや
液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の進行方向
４０に平行方向（紙面左右方向）の吸入口３２の先端断
面底部３４は、集積回路デバイスや液晶デバイス等の複
数の基板１２，…，１２の進行方向４０に沿って集積回
路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１
２との距離が漸増するように傾斜した形状を備えてい
る。これにより、薬液２４、純水２６をスプレーした後
に速やかに集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の
基板１２，…，１２上部に高段差部１４から数ｃｍ程度
離間されて非接触で設けた、集積回路デバイスや液晶デ
バイス等の複数の基板１２，…，１２の進行方向４０に
平行方向（紙面左右方向）の吸入口３２の先端断面底部
３４を介して、吸収対象の高段差部１４の近傍の集積回
路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１
２上の水平方向（紙面左右方向）および垂直方向（紙面
垂直方向）に吸入圧力差（進行方向および基板１２上方
（紙面上方向）に向かって漸減するような圧力差）を発
生させることができる。これにより、吸収対象の高段差
部１４の近傍の集積回路デバイスや液晶デバイス等の複
数の基板１２，…，１２上の水平方向（紙面左右方向）
および垂直方向（紙面垂直方向）に空気流を発生させる
ことができ、吸収対象の高段差部１４に残存する薬液２
４を近傍の集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の
基板１２，…，１２上水平方向（紙面左右方向）に移動
させながら垂直方向（紙面垂直方向）に吸い上げること
ができるようになる。
【００２６】また、吸入口３２の先端断面底部３４は、
集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，
…，１２の進行方向４０に直交方向を長辺（長手方向の
辺）とし、かつ、集積回路デバイスや液晶デバイス等の
複数の基板１２，…，１２の進行方向４０に平行方向
（紙面左右方向）を短辺とするスリット形状（長辺＝数
１０ｃｍ〜数ｍ、短辺＝数１００μｍ〜数ｍｍ）を備え
ている。これにより、薬液２４、純水２６をスプレーし
た後に速やかに集積回路デバイスや液晶デバイス等の複
数の基板１２，…，１２上部に高段差部１４から数ｃｍ
程度離間されて非接触で設けた、スリット形状（長辺＝
数１０ｃｍ〜数ｍ、短辺＝数１００μｍ〜数ｍｍ）の先
端断面底部３４を介して、吸収対象の高段差部１４の近
傍の集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１
２，…，１２上の水平方向（紙面左右方向）および垂直
方向（紙面垂直方向）に吸入圧力差（進行方向および基
板１２上方（紙面上方向）に向かって漸減するような圧
力差）をスリット形状（長辺＝数１０ｃｍ〜数ｍ、短辺
＝数１００μｍ〜数ｍｍ）で発生させることができる。
これにより、吸収対象の高段差部１４の近傍の集積回路
デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２
上の水平方向（紙面左右方向）および垂直方向（紙面垂
直方向）に空気流をスリット形状（長辺＝数１０ｃｍ〜
数ｍ、短辺＝数１００μｍ〜数ｍｍ）で発生させること
ができ、吸収対象の高段差部１４に残存する薬液２４を
近傍の集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板
１２，…，１２上水平方向（紙面左右方向）に移動させ
ながら垂直方向（紙面垂直方向）にスリット形状（長辺
＝数１０ｃｍ〜数ｍ、短辺＝数１００μｍ〜数ｍｍ）で
吸い上げることができるようになる。なお、スリット形
状は本実施の形態に記載のものに限らず、丸型、矩形型
など、基板１２，…，１２の形状に合わせて適宜変更可
能であることは明白である。
【００２７】また、吸引手段３０は、所望の高段差部１
４を形成する際に高段差部１４に除去すべき薬液２４
（残留薬液１６）が存在する薬液残りが生じている場合
に、高段差部１４の除去すべき薬液２４（残留薬液１
６）を高段差部１４から数ｃｍ程度離間されて非接触で
高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲
気とともに吸引して除去する機能を有している。
【００２８】また、吸引手段３０は、集積回路デバイス
や液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の進行方
向４０に対して処理ノズル２０の後段に集積回路デバイ
スや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２から数
ｃｍ程度離間されて配置され、処理ノズル２０を用いて
所望の高段差部１４を形成する第１プロセス（洗浄また
はエッチング加工プロセス）の終了後の所定の期間に、
高段差部１４の除去すべき薬液２４（残留薬液１６）を
高段差部１４から数ｃｍ程度離間されて非接触で高段差
部１４近傍（数μｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とと
もに吸引して除去する第２プロセス（残留薬液除去プロ
セス）を実行する機能を有している。この場合、集積回
路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１
２の加工処理をコンベアタイプとすることができ、さら
に加えて、薬液２４、純水２６をスプレーした後に速や
かに集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１
２，…，１２上部に高段差部１４から数ｃｍ程度離間さ
れて非接触で処理ノズル２０の後段に設けた吸引手段３
０を介して、所望の高段差部１４を形成する第１プロセ
ス（洗浄またはエッチング加工プロセス）の終了後の所
定の期間に、高段差部１４に残存する薬液２４やリンス
水を次のプロセスに影響を与えない程度に処理ノズル２
０の後段から十分に吸引して除去できるようになる。
【００２９】また、吸引手段３０は、集積回路デバイス
や液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の進行方
向４０に対して処理ノズル２０の後段に集積回路デバイ
スや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２から数
ｃｍ程度離間されて配置され、処理ノズル２０を用いて
所望の高段差部１４を形成する第１プロセス（洗浄また
はエッチング加工プロセス）の終了後の所定の期間に、
高段差部１４から数ｃｍ程度離間されて非接触で高段差
部１４近傍（数μｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とと
もに集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１
２，…，１２の表面を上方へ吸引して残留薬液１６を吸
引して基板１２の表面から除去する第２プロセス（残留
薬液除去プロセス）を実行する機能を有している。この
場合、集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板
１２，…，１２の加工処理をコンベアタイプとすること
ができ、さらに加えて、薬液２４、純水２６をスプレー
した後に速やかに集積回路デバイスや液晶デバイス等の
複数の基板１２，…，１２上部に高段差部１４から数ｃ
ｍ程度離間されて非接触で処理ノズル２０の後段に設け
た吸引手段３０を介して、所望の高段差部１４を形成す
る第１プロセス（洗浄またはエッチング加工プロセス）
の終了後の所定の期間に、集積回路デバイスや液晶デバ
イス等の複数の基板１２，…，１２の表面に残存する薬
液２４やリンス水（特に、高段差部１４の薬液２４やリ
ンス水）を高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍｍ程度の範
囲）の雰囲気とともに次のプロセスに影響を与えない程
度に処理ノズル２０の後段から十分に吸引して除去でき
るようになる。
【００３０】また、吸引手段３０は、集積回路デバイス
や液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の進行方
向４０に対して処理ノズル２０の後段に集積回路デバイ
スや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２から数
ｃｍ程度離間されて配置され、処理ノズル２０を用いて
所望の高段差部１４を形成する第１プロセス（洗浄また
はエッチング加工プロセス）の実行中に、高段差部１４
の除去すべき薬液２４（残留薬液１６）を高段差部１４
から数ｃｍ程度離間されて非接触で高段差部１４近傍
（数μｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とともに吸引し
て除去する第２プロセス（残留薬液除去プロセス）を実
行する機能を有している。この場合、集積回路デバイス
や液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の加工処
理をコンベアタイプとすることができ、さらに加えて、
薬液２４、純水２６をスプレーした後に速やかに集積回
路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１
２上部に高段差部１４から数ｃｍ程度離間されて非接触
で処理ノズル２０の後段に設けた吸引手段３０を介し
て、処理ノズル２０を用いて所望の高段差部１４を形成
する第１プロセス（洗浄またはエッチング加工プロセ
ス）の実行中に、高段差部１４に残存する薬液２４やリ
ンス水を次のプロセスに影響を与えない程度に処理ノズ
ル２０の後段から十分に吸引して除去できるようにな
る。
【００３１】また、吸引手段３０は、集積回路デバイス
や液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の進行方
向４０に対して処理ノズル２０の後段に集積回路デバイ
スや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２から数
ｃｍ程度離間されて配置され、処理ノズル２０を用いて
所望の高段差部１４を形成する第１プロセス（洗浄また
はエッチング加工プロセス）の実行中に、高段差部１４
から数ｃｍ程度離間されて非接触で高段差部１４近傍
（数μｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とともに集積回
路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１
２の表面を上方へ吸引して残留薬液１６を吸引して基板
１２の表面から除去する第２プロセス（残留薬液除去プ
ロセス）を実行する機能を有している。この場合、集積
回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，
１２の加工処理をコンベアタイプとすることができ、さ
らに加えて、薬液２４、純水２６をスプレーした後に速
やかに集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板
１２，…，１２上部に高段差部１４から数ｃｍ程度離間
されて非接触で処理ノズル２０の後段に設けた吸引手段
３０を介して、処理ノズル２０を用いて所望の高段差部
１４を形成する第１プロセス（洗浄またはエッチング加
工プロセス）の実行中に、集積回路デバイスや液晶デバ
イス等の複数の基板１２，…，１２の表面に残存する薬
液２４やリンス水（特に、高段差部１４の薬液２４やリ
ンス水）を高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍｍ程度の範
囲）の雰囲気とともに次のプロセスに影響を与えない程
度に処理ノズル２０の後段から十分に吸引して除去でき
るようになる。
【００３２】基板搬送手段１８は、処理ノズル２０から
吸引手段３０の方向へ集積回路デバイスや液晶デバイス
等の複数の基板１２，…，１２を載置した状態で所定速
度で直進させて搬送する機能を有している。これによ
り、処理ノズル２０から吸引手段３０の方向へ集積回路
デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２
を直線的に移動（図中に示す矢印４０の方向に移動）さ
せながら複数の集積回路デバイスや液晶デバイス等の複
数の基板１２，…，１２のそれぞれに対する加工処理を
次々と実行する直進コンベアタイプとすることができ、
さらに加えて、薬液２４、純水２６をスプレーした後に
速やかに集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基
板１２，…，１２上部に高段差部１４から数ｃｍ程度離
間されて非接触で処理ノズル２０の近傍付近に設けた吸
引手段３０を介して、高段差部１４に残存する薬液２４
やリンス水を次のプロセスに影響を与えない程度に処理
ノズル２０の近傍付近から十分に吸引して除去できるよ
うになる。
【００３３】また、基板搬送手段１８は、集積回路デバ
イスや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２を載
置した状態で所定角速度で処理ノズル２０から吸引手段
３０の方向へ回転させて搬送するように構成してもよ
い。この場合、処理ノズル２０から吸引手段３０の方向
へ集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１
２，…，１２を集積回路デバイスや液晶デバイスの回転
移動（図中に示す矢印４０の方向に移動）させながら複
数の集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１
２，…，１２のそれぞれに対する加工処理を次々と実行
する回転コンベアタイプとすることができ、さらに加え
て、薬液２４、純水２６をスプレーした後に速やかに集
積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，
…，１２上部に高段差部１４から数ｃｍ程度離間されて
非接触で処理ノズル２０の近傍付近に設けた吸引手段３
０を介して、高段差部１４に残存する薬液２４やリンス
水を次のプロセスに影響を与えない程度に処理ノズル２
０の近傍付近から十分に吸引して除去できるようにな
る。
【００３４】以上説明したように本実施の形態のウェッ
ト処理装置１０によれば、集積回路デバイスや液晶デバ
イス等の複数の基板１２，…，１２の加工処理をコンベ
アタイプとすることができ、さらに加えて、薬液２４、
純水２６をスプレーした後に速やかに集積回路デバイス
や液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２上部に高
段差部１４から数ｃｍ程度離間されて非接触で設けた吸
引手段３０を介して、処理後に高段差部１４に残存する
薬液２４やリンス水を次のプロセスに影響を与えない程
度に十分に吸引して除去できるようになる。
【００３５】次に、図面に基づき実施の形態１のウェッ
ト処理装置１０の動作（薬液除去方法）について説明す
る。図１を参照すると、本実施の形態のウェット処理装
置１０は、まず、集積回路デバイスや液晶デバイス等の
複数の基板１２，…，１２の表面に形成されている薄膜
に薬液２４を主成分とする処理液２２を所定ガス（本実
施の形態では窒素ガスＮ2）とともに薄膜上に供給して
薄膜に所望の高段差部１４を形成するための第１プロセ
ス（洗浄またはエッチング加工プロセス）を実行する。
続いて、第１プロセス（洗浄またはエッチング加工プロ
セス）に続いて、所望の高段差部１４を形成する際に高
段差部１４に除去すべき薬液２４（残留薬液１６）が存
在する薬液残りが生じている場合に、高段差部１４の除
去すべき薬液２４（残留薬液１６）を高段差部１４から
数ｃｍ程度離間されて非接触で高段差部１４近傍（数μ
ｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とともに所定期間だけ
吸引して除去する第２プロセス（残留薬液除去プロセ
ス）を実行する。
【００３６】また、第２プロセス（残留薬液除去プロセ
ス）は、第１プロセス（洗浄またはエッチング加工プロ
セス）に続いて、所望の高段差部１４を形成する際に高
段差部１４に除去すべき薬液２４（残留薬液１６）が存
在する薬液残りが生じている場合に、高段差部１４から
数ｃｍ程度離間されて非接触で高段差部１４近傍（数μ
ｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とともに集積回路デバ
イスや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の表
面を所定期間だけ吸引して残留薬液１６を吸引して基板
１２の表面から除去するプロセスであってもよい。
【００３７】以上説明したように第１の実施の形態の薬
液除去方法によれば、集積回路デバイスや液晶デバイス
等の複数の基板１２，…，１２の加工処理をコンベアタ
イプとすることができ、さらに加えて、この場合、薬液
２４、純水２６をスプレーした後に速やかに集積回路デ
バイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２上
部に高段差部１４から数ｃｍ程度離間されて非接触で設
けた吸引手段３０を介して、処理後に集積回路デバイス
や液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の表面に
残存する薬液２４やリンス水（特に、高段差部１４の薬
液２４やリンス水）を高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍ
ｍ程度の範囲）の雰囲気とともに次のプロセスに影響を
与えない程度に十分に吸引して除去できるようになる。
【００３８】実施の形態２．以下、この発明の実施の形
態２を図面に基づいて詳細に説明する。図２は、本発明
の実施の形態２に係るウェット処理装置１０および薬液
除去方法を説明するための概略構成図である。図２にお
いて、１０はウェット処理装置、１２は基板、１４は高
段差部、１６は残留薬液、１８は基板搬送手段、２０は
処理ノズル、３０は吸引手段、３２は吸入口を示してい
る。なお、実施の形態１において既に記述したものと同
一の部分については、同一符号を付し、重複した説明は
省略する。
【００３９】図２を参照すると、本実施の形態のウェッ
ト処理装置１０は、基板１２の加工処理をコンベアタイ
プとして、薬液２４や純水２６をスプレーした後に速や
かに基板１２上部に設けた吸引手段３０より、処理後の
薬液２４やリンス水を吸引する構成を実現するために、
集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，
…，１２を載置した状態で搬送する１つの基板搬送手段
１８と、集積回路デバイスや液晶デバイス等の製造工程
で薬液と純水を使用して洗浄またはエッチング加工を行
う複数の処理ノズル２０（Ａ1，Ｂ1およびＣ1）と、処
理ノズル２０の後段に設置され吸入口３２を有する複数
の吸引手段３０（Ａ2，Ｂ2，Ｃ2およびＤ2）を備えてい
る。
【００４０】処理ノズル２０（Ａ1，Ｂ1およびＣ1）
は、集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１
２，…，１２の表面に形成されている薄膜に薬液２４を
主成分とする処理液２２を所定ガス（本実施の形態では
窒素ガスＮ2）とともに薄膜上に供給して薄膜に所望の
高段差部１４を形成する第１プロセス（洗浄またはエッ
チング加工プロセス）を実行するための上下動可能なノ
ズルである。
【００４１】上下動可能な吸引手段３０（Ａ2）は、集
積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，
…，１２の進行方向４０に対して処理ノズル２０（Ａ
1）の前段に集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数
の基板１２，…，１２から数ｃｍ程度離間されて配置さ
れ、処理ノズル２０（Ａ1）を用いて所望の高段差部１
４を形成する第１プロセス（洗浄またはエッチング加工
プロセス）の終了後の所定の期間に、高段差部１４の除
去すべき薬液２４（残留薬液１６）を高段差部１４から
数ｃｍ程度離間されて非接触で高段差部１４近傍（数μ
ｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とともに吸引して除去
する第２プロセス（残留薬液除去プロセス）を実行する
機能を有している。また、高段差部１４から数ｃｍ程度
離間されて非接触で高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍｍ
程度の範囲）の雰囲気とともに集積回路デバイスや液晶
デバイス等の複数の基板１２，…，１２の表面を上方へ
吸引して残留薬液１６を吸引して基板１２の表面から除
去する機能を有している。また、処理ノズル２０（Ａ
1）を用いて所望の高段差部１４を形成する第１プロセ
ス（洗浄またはエッチング加工プロセス）の実行中に、
高段差部１４から数ｃｍ程度離間されて非接触で高段差
部１４近傍（数μｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とと
もに集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１
２，…，１２の表面を上方へ吸引して残留薬液１６を吸
引して基板１２の表面から除去する第２プロセス（残留
薬液除去プロセス）を実行する機能を有している。
【００４２】上下動可能な吸引手段３０（Ｂ2）は、集
積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，
…，１２の進行方向４０に対して処理ノズル２０（Ｂ
1）の前段であって処理ノズル２０（Ａ1）の後段に、集
積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，
…，１２から数ｃｍ程度離間されて配置され、処理ノズ
ル２０（Ａ1またはＢ1）を用いて所望の高段差部１４を
形成する第１プロセス（洗浄またはエッチング加工プロ
セス）の終了後の所定の期間に、高段差部１４の除去す
べき薬液２４（残留薬液１６）を高段差部１４から数ｃ
ｍ程度離間されて非接触で高段差部１４近傍（数μｍ〜
数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とともに吸引して除去する
第２プロセス（残留薬液除去プロセス）を実行する機能
を有している。また、高段差部１４から数ｃｍ程度離間
されて非接触で高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍｍ程度
の範囲）の雰囲気とともに集積回路デバイスや液晶デバ
イス等の複数の基板１２，…，１２の表面を上方へ吸引
して残留薬液１６を吸引して基板１２の表面から除去す
る機能を有している。また、高段差部１４から数ｃｍ程
度離間されて非接触で高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍ
ｍ程度の範囲）の雰囲気とともに集積回路デバイスや液
晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の表面を上方
へ吸引して残留薬液１６を吸引して基板１２の表面から
除去する機能を有している。また、処理ノズル２０（Ａ
1またはＢ1）を用いて所望の高段差部１４を形成する第
１プロセス（洗浄またはエッチング加工プロセス）の実
行中に、高段差部１４から数ｃｍ程度離間されて非接触
で高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰
囲気とともに集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数
の基板１２，…，１２の表面を上方へ吸引して残留薬液
１６を吸引して基板１２の表面から除去する第２プロセ
ス（残留薬液除去プロセス）を実行する機能を有してい
る。
【００４３】上下動可能な吸引手段３０（Ｃ2）は、集
積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，
…，１２の進行方向４０に対して処理ノズル２０（Ｃ
1）の前段であって処理ノズル２０（Ｂ1）の後段に、集
積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，
…，１２から数ｃｍ程度離間されて配置され、処理ノズ
ル２０（Ｂ1またはＣ1）を用いて所望の高段差部１４を
形成する第１プロセス（洗浄またはエッチング加工プロ
セス）の終了後の所定の期間に、高段差部１４の除去す
べき薬液２４（残留薬液１６）を高段差部１４から数ｃ
ｍ程度離間されて非接触で高段差部１４近傍（数μｍ〜
数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とともに吸引して除去する
第２プロセス（残留薬液除去プロセス）を実行する機能
を有している。また、高段差部１４から数ｃｍ程度離間
されて非接触で高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍｍ程度
の範囲）の雰囲気とともに集積回路デバイスや液晶デバ
イス等の複数の基板１２，…，１２の表面を上方へ吸引
して残留薬液１６を吸引して基板１２の表面から除去す
る機能を有している。また、高段差部１４から数ｃｍ程
度離間されて非接触で高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍ
ｍ程度の範囲）の雰囲気とともに集積回路デバイスや液
晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の表面を上方
へ吸引して残留薬液１６を吸引して基板１２の表面から
除去する機能を有している。また、処理ノズル２０（Ｂ
1またはＣ1）を用いて所望の高段差部１４を形成する第
１プロセス（洗浄またはエッチング加工プロセス）の実
行中に、高段差部１４から数ｃｍ程度離間されて非接触
で高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰
囲気とともに集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数
の基板１２，…，１２の表面を上方へ吸引して残留薬液
１６を吸引して基板１２の表面から除去する第２プロセ
ス（残留薬液除去プロセス）を実行する機能を有してい
る。
【００４４】上下動可能な吸引手段３０（Ｄ2）は、集
積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の基板１２，
…，１２の進行方向４０に対して処理ノズル２０（Ｃ
1）の後段に、集積回路デバイスや液晶デバイス等の複
数の基板１２，…，１２から数ｃｍ程度離間されて配置
され、処理ノズル２０（Ｃ1）を用いて所望の高段差部
１４を形成する第１プロセス（洗浄またはエッチング加
工プロセス）の終了後の所定の期間に、高段差部１４の
除去すべき薬液２４（残留薬液１６）を高段差部１４か
ら数ｃｍ程度離間されて非接触で高段差部１４近傍（数
μｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とともに吸引して除
去する第２プロセス（残留薬液除去プロセス）を実行す
る機能を有している。また、高段差部１４から数ｃｍ程
度離間されて非接触で高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍ
ｍ程度の範囲）の雰囲気とともに集積回路デバイスや液
晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の表面を上方
へ吸引して残留薬液１６を吸引して基板１２の表面から
除去する機能を有している。また、高段差部１４から数
ｃｍ程度離間されて非接触で高段差部１４近傍（数μｍ
〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲気とともに集積回路デバイ
スや液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２の表面
を上方へ吸引して残留薬液１６を吸引して基板１２の表
面から除去する機能を有している。また、処理ノズル２
０（Ｃ1）を用いて所望の高段差部１４を形成する第１
プロセス（洗浄またはエッチング加工プロセス）の実行
中に、高段差部１４から数ｃｍ程度離間されて非接触で
高段差部１４近傍（数μｍ〜数ｍｍ程度の範囲）の雰囲
気とともに集積回路デバイスや液晶デバイス等の複数の
基板１２，…，１２の表面を上方へ吸引して残留薬液１
６を吸引して基板１２の表面から除去する第２プロセス
（残留薬液除去プロセス）を実行する機能を有してい
る。
【００４５】以上説明したように実施の形態２のウェッ
ト処理装置１０によれば、集積回路デバイスや液晶デバ
イス等の複数の基板１２，…，１２の加工処理をコンベ
アタイプとすることができ、さらに加えて、薬液２４、
純水２６をスプレーした後に速やかに集積回路デバイス
や液晶デバイス等の複数の基板１２，…，１２上部に高
段差部１４から数ｃｍ程度離間されて非接触で処理ノズ
ル２０（Ａ1，Ｂ1，Ｃ1）の前段および／または後段に
設けた吸引手段３０（Ａ2，Ｂ2，Ｃ2，Ｄ2）を介して、
処理ノズル２０（Ａ1，Ｂ1，Ｃ1）を用いて所望の高段
差部１４を形成する第１プロセス（洗浄またはエッチン
グ加工プロセス）の終了後の所定の期間に、高段差部１
４に残存する薬液２４やリンス水を次のプロセスに影響
を与えない程度に処理ノズル２０（Ａ1，Ｂ1，Ｃ1）の
前後から十分に吸引して除去できるようになる。
【００４６】なお、本発明が上記各実施の形態に限定さ
れず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施の形
態は適宜変更され得ることは明らかである。また上記構
成部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定され
ず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等にす
ることができる。また、各図において、同一構成要素に
は同一符号を付している。
【００４７】
【発明の効果】この発明の請求項１記載の発明は以上説
明したように、基板表面に形成されている膜に所定薬液
を主成分とする処理液を所定ガスとともに当該膜上に供
給して当該膜に所望の高段差部を形成するための処理ノ
ズルと、前記所望の高段差部を形成する際に当該高段差
部に除去すべき薬液が存在する薬液残りが生じている場
合に、当該高段差部の当該除去すべき薬液を当該高段差
部から離間されて非接触で当該高段差部近傍の雰囲気と
ともに吸引して除去する吸引手段を設けることで、基板
の加工処理をコンベアタイプとすることができ、さらに
加えて、薬液、純水をスプレーした後に速やかに基板上
部に高段差部から離間されて非接触で設けた吸引手段を
介して、処理後に高段差部に残存する薬液やリンス水を
次のプロセスに影響を与えない程度に十分に吸引して除
去できるようになるといった効果を奏する。
【００４８】請求項２記載の発明は以上説明したよう
に、基板表面に形成されている膜に所定薬液を主成分と
する処理液を所定ガスとともに当該膜上に供給して当該
膜に所望の高段差部を形成するための処理ノズルと、前
記所望の高段差部を形成する際に当該高段差部に除去す
べき薬液が存在する薬液残りが生じている場合に、当該
高段差部から離間されて非接触で当該高段差部近傍の雰
囲気とともに前記基板表面を吸引して当該残留薬液を吸
引して基板表面から除去する吸引手段を設けることで、
基板の加工処理をコンベアタイプとすることができ、さ
らに加えて、薬液、純水をスプレーした後に速やかに基
板上部に高段差部から離間されて非接触で設けた吸引手
段を介して、処理後に基板表面に残存する薬液やリンス
水を高段差部近傍の雰囲気とともに次のプロセスに影響
を与えない程度に十分に吸引して除去できるようになる
といった効果を奏する。
【００４９】請求項３記載の発明は以上説明したよう
に、基板表面に形成されている膜に所定薬液を主成分と
する処理液を所定ガスとともに当該膜上に供給して当該
膜に所望の高段差部を形成する第１プロセスを実行する
ための処理ノズルと、基板の進行方向に対して前記処理
ノズルの後段に当該基板から離間されて配置され、前記
処理ノズルを用いて前記所望の高段差部を形成する前記
第１プロセスの終了後の所定の期間に、当該高段差部の
当該除去すべき薬液を当該高段差部から離間されて非接
触で当該高段差部近傍の雰囲気とともに吸引して除去す
る第２プロセスを実行するための吸引手段を設けること
で、基板の加工処理をコンベアタイプとすることがで
き、さらに加えて、薬液、純水をスプレーした後に速や
かに基板上部に高段差部から離間されて非接触で処理ノ
ズルの後段に設けた吸引手段を介して、所望の高段差部
を形成する前記第１プロセスの終了後の所定の期間に、
高段差部に残存する薬液やリンス水を次のプロセスに影
響を与えない程度に処理ノズルの後段から十分に吸引し
て除去できるようになるといった効果を奏する。
【００５０】請求項４記載の発明は以上説明したよう
に、基板表面に形成されている膜に所定薬液を主成分と
する処理液を所定ガスとともに当該膜上に供給して当該
膜に所望の高段差部を形成する第１プロセスを実行する
ための処理ノズルと、基板の進行方向に対して前記処理
ノズルの後段に当該基板から離間されて配置され、前記
処理ノズルを用いて前記所望の高段差部を形成する前記
第１プロセスの終了後の所定の期間に、当該高段差部か
ら離間されて非接触で当該高段差部近傍の雰囲気ととも
に前記基板表面を吸引して当該残留薬液を吸引して基板
表面から除去する第２プロセスを実行するための吸引手
段を設けることで、基板の加工処理をコンベアタイプと
することができ、さらに加えて、薬液、純水をスプレー
した後に速やかに基板上部に高段差部から離間されて非
接触で処理ノズルの後段に設けた吸引手段を介して、所
望の高段差部を形成する前記第１プロセスの終了後の所
定の期間に、基板表面に残存する薬液やリンス水を高段
差部近傍の雰囲気とともに次のプロセスに影響を与えな
い程度に処理ノズルの後段から十分に吸引して除去でき
るようになるといった効果を奏する。
【００５１】請求項５記載の発明は以上説明したよう
に、基板表面に形成されている膜に所定薬液を主成分と
する処理液を所定ガスとともに当該膜上に供給して当該
膜に所望の高段差部を形成する第１プロセスを実行する
ための処理ノズルと、基板の進行方向に対して前記処理
ノズルの前段および後段に当該基板から離間されて配置
され、前記処理ノズルを用いて前記所望の高段差部を形
成する前記第１プロセスの終了後の所定の期間に、当該
高段差部の当該除去すべき薬液を当該高段差部から離間
されて非接触で当該高段差部近傍の雰囲気とともに吸引
して除去する第２プロセスを実行するための吸引手段を
設けることで、基板の加工処理をコンベアタイプとする
ことができ、さらに加えて、薬液、純水をスプレーした
後に速やかに基板上部に高段差部から離間されて非接触
で処理ノズルの前段および後段に設けた吸引手段を介し
て、処理ノズルを用いて所望の高段差部を形成する第１
プロセスの終了後の所定の期間に、高段差部に残存する
薬液やリンス水を次のプロセスに影響を与えない程度に
処理ノズルの前後から十分に吸引して除去できるように
なるといった効果を奏する。
【００５２】請求項６記載の発明は以上説明したよう
に、基板表面に形成されている膜に所定薬液を主成分と
する処理液を所定ガスとともに当該膜上に供給して当該
膜に所望の高段差部を形成する第１プロセスを実行する
ための処理ノズルと、基板の進行方向に対して前記処理
ノズルの前段および後段に当該基板から離間されて配置
され、前記処理ノズルを用いて前記所望の高段差部を形
成する前記第１プロセスの終了後の所定の期間に、当該
高段差部から離間されて非接触で当該高段差部近傍の雰
囲気とともに前記基板表面を吸引して当該残留薬液を吸
引して基板表面から除去する第２プロセスを実行するた
めの吸引手段を設けることで、基板の加工処理をコンベ
アタイプとすることができ、さらに加えて、薬液、純水
をスプレーした後に速やかに基板上部に高段差部から離
間されて非接触で処理ノズルの前段および後段に設けた
吸引手段を介して、処理ノズルを用いて所望の高段差部
を形成する第１プロセスの終了後の所定の期間に、基板
表面に残存する薬液やリンス水を高段差部近傍の雰囲気
とともに次のプロセスに影響を与えない程度に処理ノズ
ルの前後から十分に吸引して除去できるようになるとい
った効果を奏する。
【００５３】請求項７記載の発明は以上説明したよう
に、基板表面に形成されている膜に所定薬液を主成分と
する処理液を所定ガスとともに当該膜上に供給して当該
膜に所望の高段差部を形成する第１プロセスを実行する
ための処理ノズルと、基板の進行方向に対して前記処理
ノズルの後段に当該基板から離間されて配置され、前記
処理ノズルを用いて前記所望の高段差部を形成する前記
第１プロセスの実行中に、当該高段差部の当該除去すべ
き薬液を当該高段差部から離間されて非接触で当該高段
差部近傍の雰囲気とともに吸引して除去する第２プロセ
スを実行するための吸引手段を設けることで、基板の加
工処理をコンベアタイプとすることができ、さらに加え
て、薬液、純水をスプレーした後に速やかに基板上部に
高段差部から離間されて非接触で処理ノズルの後段に設
けた吸引手段を介して、処理ノズルを用いて所望の高段
差部を形成する第１プロセスの実行中に、高段差部に残
存する薬液やリンス水を次のプロセスに影響を与えない
程度に処理ノズルの後段から十分に吸引して除去できる
ようになるといった効果を奏する。
【００５４】請求項８記載の発明は以上説明したよう
に、基板表面に形成されている膜に所定薬液を主成分と
する処理液を所定ガスとともに当該膜上に供給して当該
膜に所望の高段差部を形成する第１プロセスを実行する
ための処理ノズルと、基板の進行方向に対して前記処理
ノズルの後段に当該基板から離間されて配置され、前記
処理ノズルを用いて前記所望の高段差部を形成する前記
第１プロセスの実行中に、当該高段差部から離間されて
非接触で当該高段差部近傍の雰囲気とともに前記基板表
面を吸引して当該残留薬液を吸引して基板表面から除去
する第２プロセスを実行するための吸引手段を設けるこ
とで、基板の加工処理をコンベアタイプとすることがで
き、さらに加えて、薬液、純水をスプレーした後に速や
かに基板上部に高段差部から離間されて非接触で処理ノ
ズルの後段に設けた吸引手段を介して、処理ノズルを用
いて所望の高段差部を形成する第１プロセスの実行中
に、基板表面に残存する薬液やリンス水を高段差部近傍
の雰囲気とともに次のプロセスに影響を与えない程度に
処理ノズルの後段から十分に吸引して除去できるように
なるといった効果を奏する。
【００５５】請求項９記載の発明は以上説明したよう
に、基板表面に形成されている膜に所定薬液を主成分と
する処理液を所定ガスとともに当該膜上に供給して当該
膜に所望の高段差部を形成する第１プロセスを実行する
ための処理ノズルと、基板の進行方向に対して前記処理
ノズルの前段および後段に当該基板から離間されて配置
され、前記処理ノズルを用いて前記所望の高段差部を形
成する前記第１プロセスの実行中に、当該高段差部の当
該除去すべき薬液を当該高段差部から離間されて非接触
で当該高段差部近傍の雰囲気とともに吸引して除去する
第２プロセスを実行するための吸引手段を設けること
で、基板の加工処理をコンベアタイプとすることがで
き、さらに加えて、薬液、純水をスプレーした後に速や
かに基板上部に高段差部から離間されて非接触で処理ノ
ズルの前段および後段に設けた吸引手段を介して、処理
ノズルを用いて所望の高段差部を形成する第１プロセス
の実行中に、高段差部に残存する薬液やリンス水を次の
プロセスに影響を与えない程度に処理ノズルの前後から
十分に吸引して除去できるようになるといった効果を奏
する。
【００５６】請求項１０記載の発明は以上説明したよう
に、基板表面に形成されている膜に所定薬液を主成分と
する処理液を所定ガスとともに当該膜上に供給して当該
膜に所望の高段差部を形成する第１プロセスを実行する
ための処理ノズルと、基板の進行方向に対して前記処理
ノズルの前段および後段に当該基板から離間されて配置
され、前記処理ノズルを用いて前記所望の高段差部を形
成する前記第１プロセスの実行中に、当該高段差部から
離間されて非接触で当該高段差部近傍の雰囲気とともに
前記基板表面を吸引して当該残留薬液を吸引して基板表
面から除去する第２プロセスを実行するための吸引手段
を設けることで、基板の加工処理をコンベアタイプとす
ることができ、さらに加えて、薬液、純水をスプレーし
た後に速やかに基板上部に高段差部から離間されて非接
触で処理ノズルの前段および後段に設けた吸引手段を介
して、処理ノズルを用いて所望の高段差部を形成する第
１プロセスの実行中に、基板表面に残存する薬液やリン
ス水を高段差部近傍の雰囲気とともに次のプロセスに影
響を与えない程度に処理ノズルの前段および後段から十
分に吸引して除去できるようになるといった効果を奏す
る。
【００５７】請求項１１記載の発明は以上説明したよう
に、上記請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の発明
において、前記処理ノズルから前記吸引手段の方向へ基
板を載置した状態で所定速度で直進させて搬送する基板
搬送手段を設けることで、処理ノズルから吸引手段の方
向へ基板を直線的に移動させながら複数の基板のそれぞ
れに対する加工処理を次々と実行する直進コンベアタイ
プとすることができ、さらに加えて、薬液、純水をスプ
レーした後に速やかに基板上部に高段差部から離間され
て非接触で処理ノズルの近傍付近に設けた吸引手段を介
して、高段差部に残存する薬液やリンス水を次のプロセ
スに影響を与えない程度に処理ノズルの近傍付近から十
分に吸引して除去できるようになるといった効果を奏す
る。
【００５８】請求項１２記載の発明は以上説明したよう
に、上記請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の発明
において、基板を載置した状態で所定角速度で前記処理
ノズルから前記吸引手段の方向へ回転させて搬送する基
板搬送手段を設けることで、処理ノズルから吸引手段の
方向へ基板を回転移動させながら複数の基板のそれぞれ
に対する加工処理を次々と実行する回転コンベアタイプ
とすることができ、さらに加えて、薬液、純水をスプレ
ーした後に速やかに基板上部に高段差部から離間されて
非接触で処理ノズルの近傍付近に設けた吸引手段を介し
て、高段差部に残存する薬液やリンス水を次のプロセス
に影響を与えない程度に処理ノズルの近傍付近から十分
に吸引して除去できるようになるといった効果を奏す
る。
【００５９】請求項１３記載の発明は以上説明したよう
に、上記請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の発明
において、前記吸引手段は少なくとも前記高段差部近傍
の雰囲気を当該高段差部から離間されて非接触で吸入す
るための吸入口を有し、基板の進行方向に平行方向の当
該吸入口の先端断面底部は、当該基板の進行方向に沿っ
て当該基板との距離が漸増するように傾斜した形状を設
けることで、薬液、純水をスプレーした後に速やかに基
板上部に高段差部から離間されて非接触で設けた、基板
の進行方向に平行方向の吸入口の先端断面底部を介し
て、吸収対象の高段差部の近傍の基板上水平方向および
垂直方向に吸入圧力差を発生させることができる。これ
により、吸収対象の高段差部の近傍の基板上水平方向お
よび垂直方向に空気流を発生させることができ、吸収対
象の高段差部に残存する薬液を近傍の基板上水平方向に
移動させながら垂直方向に吸い上げることができるよう
になる。その結果、吸収対象の高段差部に強く付着して
残存する薬液の吸入効率を向上できるようになり、処理
後に高段差部に残存する薬液やリンス水を次のプロセス
に影響を与えない程度にさらに十分に吸引して除去でき
るようになるといった効果を奏する。
【００６０】請求項１４記載の発明は以上説明したよう
に、上記請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の発明
において、前記吸引手段は少なくとも前記高段差部近傍
の雰囲気を当該高段差部から離間されて非接触で吸入す
るための吸入口を有し、前記吸入口の先端断面底部は、
基板の進行方向に直交方向を長辺とし、かつ、当該基板
の進行方向に平行方向を短辺とするスリット形状を設け
ることで、薬液、純水をスプレーした後に速やかに基板
上部に高段差部から離間されて非接触で設けた、スリッ
ト形状の先端断面底部を介して、吸収対象の高段差部の
近傍の基板上水平方向および垂直方向に吸入圧力差をス
リット形状で発生させることができる。これにより、吸
収対象の高段差部の近傍の基板上水平方向および垂直方
向に空気流をスリット形状で発生させることができ、吸
収対象の高段差部に残存する薬液を近傍の基板上水平方
向に移動させながら垂直方向にスリット形状で吸い上げ
ることができるようになる。その結果、吸収対象の高段
差部に強く付着して残存する薬液の吸入効率を向上でき
るようになり、処理後に高段差部に残存する薬液やリン
ス水を次のプロセスに影響を与えない程度にさらに十分
に吸引して除去できるようになるといった効果を奏す
る。
【００６１】請求項１５記載の発明は以上説明したよう
に、基板表面に形成されている膜に所定薬液を主成分と
する処理液を所定ガスとともに当該膜上に供給して当該
膜に所望の高段差部を形成するための第１プロセスと、
前記第１プロセスに続いて、前記所望の高段差部を形成
する際に当該高段差部に除去すべき薬液が存在する薬液
残りが生じている場合に、当該高段差部の当該除去すべ
き薬液を当該高段差部から離間されて非接触で当該高段
差部近傍の雰囲気とともに所定期間だけ吸引して除去す
る第２プロセスを設けることで、基板の加工処理をコン
ベアタイプとすることができ、さらに加えて、薬液、純
水をスプレーした後に速やかに基板上部に高段差部から
離間されて非接触で設けた吸引手段を介して、処理後に
高段差部に残存する薬液やリンス水を次のプロセスに影
響を与えない程度に十分に吸引して除去できるようにな
るといった効果を奏する。
【００６２】請求項１６記載の発明は以上説明したよう
に、基板表面に形成されている膜に所定薬液を主成分と
する処理液を所定ガスとともに当該膜上に供給して当該
膜に所望の高段差部を形成するための第１プロセスと、
前記第１プロセスに続いて、前記所望の高段差部を形成
する際に当該高段差部に除去すべき薬液が存在する薬液
残りが生じている場合に、当該高段差部から離間されて
非接触で当該高段差部近傍の雰囲気とともに前記基板表
面を所定期間だけ吸引して当該残留薬液を吸引して基板
表面から除去する第２プロセスを設けることで、基板の
加工処理をコンベアタイプとすることができ、さらに加
えて、薬液、純水をスプレーした後に速やかに基板上部
に高段差部から離間されて非接触で設けた吸引手段を介
して、処理後に基板表面に残存する薬液やリンス水を高
段差部近傍の雰囲気とともに次のプロセスに影響を与え
ない程度に十分に吸引して除去できるようになるといっ
た効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１に係るウェット処理装
置および薬液除去方法を説明するための概略構成図であ
る。
【図２】 本発明の実施の形態２に係るウェット処理装
置および薬液除去方法を説明するための概略構成図であ
る。
【符号の説明】
１０ ウェット処理装置、 １２ 基板、 １４ 高段
差部、 １６ 残留薬液、 １８ 基板搬送手段、 ２
０ 処理ノズル、 ２２ 処理液、 ２４ 薬液、 ２
６ 純水、 ３０ 吸引手段、 ３２ 吸入口、 ３４
先端断面底部。

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板表面に形成されている膜に所定薬液
    を主成分とする処理液を所定ガスとともに当該膜上に供
    給して当該膜に所望の高段差部を形成するための処理ノ
    ズルと、 前記所望の高段差部を形成する際に当該高段差部に除去
    すべき薬液が存在する薬液残りが生じている場合に、当
    該高段差部の当該除去すべき薬液を当該高段差部から離
    間されて非接触で当該高段差部近傍の雰囲気とともに吸
    引して除去する吸引手段を有することを特徴とするウェ
    ット処理装置。
  2. 【請求項２】 基板表面に形成されている膜に所定薬液
    を主成分とする処理液を所定ガスとともに当該膜上に供
    給して当該膜に所望の高段差部を形成するための処理ノ
    ズルと、 前記所望の高段差部を形成する際に当該高段差部に除去
    すべき薬液が存在する薬液残りが生じている場合に、当
    該高段差部から離間されて非接触で当該高段差部近傍の
    雰囲気とともに前記基板表面を吸引して当該残留薬液を
    吸引して基板表面から除去する吸引手段を有することを
    特徴とするウェット処理装置。
  3. 【請求項３】 基板表面に形成されている膜に所定薬液
    を主成分とする処理液を所定ガスとともに当該膜上に供
    給して当該膜に所望の高段差部を形成する第１プロセス
    を実行するための処理ノズルと、 基板の進行方向に対して前記処理ノズルの後段に当該基
    板から離間されて配置され、前記処理ノズルを用いて前
    記所望の高段差部を形成する前記第１プロセスの終了後
    の所定の期間に、当該高段差部の当該除去すべき薬液を
    当該高段差部から離間されて非接触で当該高段差部近傍
    の雰囲気とともに吸引して除去する第２プロセスを実行
    するための吸引手段を有することを特徴とするウェット
    処理装置。
  4. 【請求項４】 基板表面に形成されている膜に所定薬液
    を主成分とする処理液を所定ガスとともに当該膜上に供
    給して当該膜に所望の高段差部を形成する第１プロセス
    を実行するための処理ノズルと、 基板の進行方向に対して前記処理ノズルの後段に当該基
    板から離間されて配置され、前記処理ノズルを用いて前
    記所望の高段差部を形成する前記第１プロセスの終了後
    の所定の期間に、当該高段差部から離間されて非接触で
    当該高段差部近傍の雰囲気とともに前記基板表面を吸引
    して当該残留薬液を吸引して基板表面から除去する第２
    プロセスを実行するための吸引手段を有することを特徴
    とするウェット処理装置。
  5. 【請求項５】 基板表面に形成されている膜に所定薬液
    を主成分とする処理液を所定ガスとともに当該膜上に供
    給して当該膜に所望の高段差部を形成する第１プロセス
    を実行するための処理ノズルと、 基板の進行方向に対して前記処理ノズルの前段および後
    段に当該基板から離間されて配置され、前記処理ノズル
    を用いて前記所望の高段差部を形成する前記第１プロセ
    スの終了後の所定の期間に、当該高段差部の当該除去す
    べき薬液を当該高段差部から離間されて非接触で当該高
    段差部近傍の雰囲気とともに吸引して除去する第２プロ
    セスを実行するための吸引手段を有することを特徴とす
    るウェット処理装置。
  6. 【請求項６】 基板表面に形成されている膜に所定薬液
    を主成分とする処理液を所定ガスとともに当該膜上に供
    給して当該膜に所望の高段差部を形成する第１プロセス
    を実行するための処理ノズルと、 基板の進行方向に対して前記処理ノズルの前段および後
    段に当該基板から離間されて配置され、前記処理ノズル
    を用いて前記所望の高段差部を形成する前記第１プロセ
    スの終了後の所定の期間に、当該高段差部から離間され
    て非接触で当該高段差部近傍の雰囲気とともに前記基板
    表面を吸引して当該残留薬液を吸引して基板表面から除
    去する第２プロセスを実行するための吸引手段を有する
    ことを特徴とするウェット処理装置。
  7. 【請求項７】 基板表面に形成されている膜に所定薬液
    を主成分とする処理液を所定ガスとともに当該膜上に供
    給して当該膜に所望の高段差部を形成する第１プロセス
    を実行するための処理ノズルと、 基板の進行方向に対して前記処理ノズルの後段に当該基
    板から離間されて配置され、前記処理ノズルを用いて前
    記所望の高段差部を形成する前記第１プロセスの実行中
    に、当該高段差部の当該除去すべき薬液を当該高段差部
    から離間されて非接触で当該高段差部近傍の雰囲気とと
    もに吸引して除去する第２プロセスを実行するための吸
    引手段を有することを特徴とするウェット処理装置。
  8. 【請求項８】 基板表面に形成されている膜に所定薬液
    を主成分とする処理液を所定ガスとともに当該膜上に供
    給して当該膜に所望の高段差部を形成する第１プロセス
    を実行するための処理ノズルと、 基板の進行方向に対して前記処理ノズルの後段に当該基
    板から離間されて配置され、前記処理ノズルを用いて前
    記所望の高段差部を形成する前記第１プロセスの実行中
    に、当該高段差部から離間されて非接触で当該高段差部
    近傍の雰囲気とともに前記基板表面を吸引して当該残留
    薬液を吸引して基板表面から除去する第２プロセスを実
    行するための吸引手段を有することを特徴とするウェッ
    ト処理装置。
  9. 【請求項９】 基板表面に形成されている膜に所定薬液
    を主成分とする処理液を所定ガスとともに当該膜上に供
    給して当該膜に所望の高段差部を形成する第１プロセス
    を実行するための処理ノズルと、 基板の進行方向に対して前記処理ノズルの前段および後
    段に当該基板から離間されて配置され、前記処理ノズル
    を用いて前記所望の高段差部を形成する前記第１プロセ
    スの実行中に、当該高段差部の当該除去すべき薬液を当
    該高段差部から離間されて非接触で当該高段差部近傍の
    雰囲気とともに吸引して除去する第２プロセスを実行す
    るための吸引手段を有することを特徴とするウェット処
    理装置。
  10. 【請求項１０】 基板表面に形成されている膜に所定薬
    液を主成分とする処理液を所定ガスとともに当該膜上に
    供給して当該膜に所望の高段差部を形成する第１プロセ
    スを実行するための処理ノズルと、 基板の進行方向に対して前記処理ノズルの前段および後
    段に当該基板から離間されて配置され、前記処理ノズル
    を用いて前記所望の高段差部を形成する前記第１プロセ
    スの実行中に、当該高段差部から離間されて非接触で当
    該高段差部近傍の雰囲気とともに前記基板表面を吸引し
    て当該残留薬液を吸引して基板表面から除去する第２プ
    ロセスを実行するための吸引手段を有することを特徴と
    するウェット処理装置。
  11. 【請求項１１】 前記処理ノズルから前記吸引手段の方
    向へ基板を載置した状態で所定速度で直進させて搬送す
    る基板搬送手段を有することを特徴とする請求項１乃至
    １０のいずれか一項に記載のウェット処理装置。
  12. 【請求項１２】 基板を載置した状態で所定角速度で前
    記処理ノズルから前記吸引手段の方向へ回転させて搬送
    する基板搬送手段を有することを特徴とする請求項１乃
    至１０のいずれか一項に記載のウェット処理装置。
  13. 【請求項１３】 前記吸引手段は少なくとも前記高段差
    部近傍の雰囲気を当該高段差部から離間されて非接触で
    吸入するための吸入口を有し、基板の進行方向に平行方
    向の当該吸入口の先端断面底部は、当該基板の進行方向
    に沿って当該基板との距離が漸増するように傾斜した形
    状を有することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれ
    か一項に記載のウェット処理装置。
  14. 【請求項１４】 前記吸引手段は少なくとも前記高段差
    部近傍の雰囲気を当該高段差部から離間されて非接触で
    吸入するための吸入口を有し、 前記吸入口の先端断面底部は、基板の進行方向に直交方
    向を長辺とし、かつ、当該基板の進行方向に平行方向を
    短辺とするスリット形状を有することを特徴とする請求
    項１乃至１３のいずれか一項に記載のウェット処理装
    置。
  15. 【請求項１５】 基板表面に形成されている膜に所定薬
    液を主成分とする処理液を所定ガスとともに当該膜上に
    供給して当該膜に所望の高段差部を形成するための第１
    プロセスと、 前記第１プロセスに続いて、前記所望の高段差部を形成
    する際に当該高段差部に除去すべき薬液が存在する薬液
    残りが生じている場合に、当該高段差部の当該除去すべ
    き薬液を当該高段差部から離間されて非接触で当該高段
    差部近傍の雰囲気とともに所定期間だけ吸引して除去す
    る第２プロセスを有することを特徴とする薬液除去方
    法。
  16. 【請求項１６】 基板表面に形成されている膜に所定薬
    液を主成分とする処理液を所定ガスとともに当該膜上に
    供給して当該膜に所望の高段差部を形成するための第１
    プロセスと、 前記第１プロセスに続いて、前記所望の高段差部を形成
    する際に当該高段差部に除去すべき薬液が存在する薬液
    残りが生じている場合に、当該高段差部から離間されて
    非接触で当該高段差部近傍の雰囲気とともに前記基板表
    面を所定期間だけ吸引して当該残留薬液を吸引して基板
    表面から除去する第２プロセスを有することを特徴とす
    る薬液除去方法。
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