JP3321403B2 - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
成膜装置及び成膜方法Info
- Publication number
- JP3321403B2 JP3321403B2 JP33714897A JP33714897A JP3321403B2 JP 3321403 B2 JP3321403 B2 JP 3321403B2 JP 33714897 A JP33714897 A JP 33714897A JP 33714897 A JP33714897 A JP 33714897A JP 3321403 B2 JP3321403 B2 JP 3321403B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- wafer
- shield
- film forming
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
工程等において用いる成膜装置及び及び成膜方法に関す
る。
T((Ba,Sr)TiO3 )やPZT(Pb(Zr,
Ti)O3 )などの高誘電体や強誘電体は、ゾル・ゲル
法やスパッタ法により成膜されている。スパッタ法で
は、BSTやPZTを焼結したターゲットをArガスで
スパッタすることにより成膜するが、BSTやPZTは
絶縁体であるため一般にRFスパッタ法が用いられる。
膜の付着を防止するためシールド(防着板)で覆われ
る。RFプラズマ放電中、Arイオンはターゲット表面
で生じる自己バイアスにより加速されターゲット物質を
スパッタするが、このとき一部のArイオンはウエハ表
面やシールドに生じているシース電位によって加速され
ウエハ表面やシールドを衝撃し、ウエハやシールドに付
着している膜を再スパッタする。また、このイオン衝撃
により、ウエハやシールドの温度も上昇することにな
る。
ZrやTiなどに比べて蒸気圧やスパッタイールドが高
く、そのため再蒸発量を制御することが非常に困難であ
る。つまり、Arイオンによるウエハやシールドの再ス
パッタ、或いはウエハやシールドの加熱により、スパッ
タイールド及び蒸気圧の高いPbが優先的に再蒸発する
ため、PZTの組成が変動することなる。例えば、ウエ
ハでの再スパッタが多い場合にはウエハ膜中のPbが減
少し、シールドでの再スパッタが多い場合には再スパッ
タされたPbがウエハヘ付着するためウエハ膜中でのP
bが増加することとなる。
スパッタ装置では、ウエハを載置するサセプタ及びシー
ルド全体の電位が固定(フローティング又はグランディ
ング)されているため、イオンの衝撃量をコントロール
することができない。また、サセプタ及びシールドの温
度についても特に処置が施されていない。したがって、
堆積物の再蒸発を適格にコントロールすることができ
ず、ウエハ上に成膜される膜の膜質、膜厚、組成等を均
一化することが困難であった。特に、ウエハ及びシール
ドの幾何学的配置により、ウエハ周辺部ではウエハ中央
部に比ベてシールドからの影響をより多く受けるため、
ウエハ半径方向での膜質、膜厚、組成等の均一性が得ら
れなかった。
たものであり、膜質、膜厚、組成など膜特性の均一性を
向上させることが可能な成膜装置及び成膜方法を提供す
ることを目的としている。
極と、このターゲット電極に対向してウエハを載置する
サセプタと、このサセプタの周囲に設けられたシールド
とを備えた成膜装置において、前記サセプタの電位分布
を制御する電位制御手段を設けたことを特徴とする(発
明Aとする)。
向(半径方向)に所定の電位分布を与えるようにするこ
とが好ましい。より具体的には、サセプタをその半径方
向に電気的に複数の領域に分割し、分割された各領域の
うち少なくとも一つの領域に他の領域とは異なった電位
を与えるようにする。
撃量に分布を持たせる、すなわち各領域上でイオンの衝
撃量に差をつけることができるため、ウエハ上の堆積物
の再蒸発量にも分布を持たせることができる。堆積物の
構成元素の中にスパッタイールドが高い元素が含まれて
いるような場合には、シールドにプラズマが引き寄せら
れ、シールド上及びシールド近傍のウエハ周辺部上の当
該元素のスパッタによる再蒸発によって、ウエハ中央部
ではウエハ周辺部に比ベて再蒸発物が多く付着し、ウエ
ハ面内(特に半径方向)での膜質、膜厚、組成等の膜特
性が不均一になるおそれがある。前記発明によれば、ウ
エハ上の堆積物の再蒸発量に分布を持たせることができ
るため(例えば、ウエハ中央部での再蒸発量がウエハ周
辺部での再蒸発量と総合的に等しくなるようにサセプタ
の電位分布を制御する)、ウエハに堆積される膜の膜特
性の均一性、特にウエハの半径方向の面内均一性を向上
させることが可能となる。
ターゲット電極に対向してウエハを載置するサセプタ
と、このサセプタの周囲に設けられたシールドとを備え
た成膜装置において、前記シールドの少なくとも前記サ
セプタ近傍の電位を制御する電位制御手段を設けたこと
を特徴とする(発明Bとする)。
る方向に所定の電位分布を与えるようにすることが好ま
しい。より具体的には、シールドをサセプタから離れる
方向に電気的に複数の領域に分割し、分割された各領域
のうち少なくとも一つの領域に他の領域とは異なった電
位を与えるようにする。
を制御することにより、シールド上及びシールド近傍の
ウエハ周辺部上の堆積物の再蒸発量を制御することがで
きる。堆積物の構成元素の中にスパッタイールドが高い
元素が含まれているような場合には、シールドにプラズ
マが引き寄せられるため、シールド上及びシールド近傍
のウエハ周辺部上の当該元素のスパッタによる再蒸発に
よって、ウエハ中央部ではウエハ周辺部に比ベて再蒸発
物が多く付着し、ウエハ面内(特に半径方向)での膜
質、膜厚、組成等の膜特性が不均一になるおそれがあ
る。前記発明によれば、シールド上(特に、サセプタ近
傍のシールド上)及びウエハ周辺部上の堆積物の再蒸発
量を制御することができるため(一般的には、シールド
上の堆積物の再蒸発量が少なくなるように電位を制御す
る)、ウエハに堆積される膜の膜特性の均一性、特にウ
エハの半径方向の面内均一性を向上させることが可能と
なる。
ンス調整手段(コイル、コンデンサ及び抵抗の中の少な
くとも一つ以上の素子を用いて構成される)又はバイア
ス印加手段(DCバイアスを印加するものでもRFバイ
アスを印加するものでもよい)をあげることができる。
ターゲット電極に対向してウエハを載置するサセプタ
と、このサセプタの周囲に設けられたシールドとを備え
た成膜装置において、前記サセプタの温度分布を制御す
る温度制御手段を設けたことを特徴とする(発明Cとす
る)。
向(半径方向)に所定の温度分布を与えるようにするこ
とが好ましい。より具体的には、サセプタをその半径方
向に熱伝導の小さい領域によって複数の領域に分割し、
分割された各領域のうち少なくとも一つの領域に他の領
域とは異なった温度を与えるようにする。
持たせる、すなわち各領域上の温度に差をつけることが
できるため、ウエハ上の堆積物の再蒸発量にも分布を持
たせることができる。堆積物の構成元素の中に蒸気圧が
高い元素が含まれているような場合には、シールド上及
びシールドからの熱輻射によるウエハ周辺部上の当該元
素の温度上昇による再蒸発によって、ウエハ中央部では
ウエハ周辺部に比ベて再蒸発物が多く付着し、ウエハ面
内(特に半径方向)での膜質、膜厚、組成等の膜特性が
不均一になるおそれがある。前記発明によれば、ウエハ
上の堆積物の再蒸発量に分布を持たせることができるた
め(例えば、ウエハ中央部での再蒸発量がウエハ周辺部
での再蒸発量と総合的に等しくなるようにサセプタの温
度分布を制御する)、ウエハに堆積される膜の膜特性の
均一性、特にウエハの半径方向の面内均一性を向上させ
ることが可能となる。
ターゲット電極に対向してウエハを載置するサセプタ
と、このサセプタの周囲に設けられたシールドとを備え
た成膜装置において、前記シールドの少なくとも前記サ
セプタ近傍の温度を制御する温度制御手段を設けたこと
を特徴とする(発明Dとする)。
る方向に所定の温度分布を与えるようにすることが好ま
しい。より具体的には、シールドをサセプタから離れる
方向に複数の領域に分割し、分割された各領域のうち少
なくとも一つの領域に他の領域とは異なった温度を与え
るようにする。
することにより、シールド上及びシールド近傍のウエハ
周辺部上の堆積物の再蒸発量を制御することができる。
堆積物の構成元素の中に蒸気圧が高い元素が含まれてい
るような場合には、シールド上及びシールドからの熱輻
射によるウエハ周辺部上の当該元素の温度上昇による再
蒸発によって、ウエハ中央部ではウエハ周辺部に比ベて
再蒸発物が多く付着し、ウエハ面内(特に半径方向)で
の膜質、膜厚、組成等の膜特性が不均一になるおそれが
ある。前記発明によれば、シールド上(特に、サセプタ
近傍のシールド上)及びウエハ周辺部上からの堆積物の
再蒸発量を制御することができるため(一般的には、シ
ールド上及びウエハ周辺部上の堆積物の再蒸発量が少な
くなるように温度を制御する)、ウエハに堆積される膜
の膜特性の均一性、特にウエハの半径方向の面内均一性
を向上させることが可能となる。
(抵抗加熱ヒーターや赤外線ランプヒーター等)又は冷
却手段(水冷パイプ等)をあげることができる。また、
本発明に係る成膜方法は、前記成膜装置を用い、成膜中
にサセプタの電位分布又はシールドの少なくともサセプ
タ近傍の電位を変化させる、或いは、成膜中にサセプタ
の温度分布又はシールドの少なくともサセプタ近傍の温
度を変化させることを特徴とする。
(例えば膜厚が数十nm程度になるまで)とその後の成
膜時との電位や温度条件を変えることにより、膜厚方向
で異なった組成の膜を容易に得られるため、核生成密度
や配向性を制御することができ、電気特性の良い薄膜を
形成することが可能となる。
ネトロンスパッタ装置が代表的であり、特に、枚葉式R
Fスパッタ装置又はDC電力及びRF電力を重畳する枚
葉式スパッタ装置を用いることが好ましい。
としては、絶縁体膜、特に強誘電体膜や高誘電体膜があ
げられる。特に、PbやBi等を含む強誘電体膜や高誘
電体膜、すなわち他の構成元素よりもスパッタイールド
或いは蒸気圧の高い(再蒸発量の多い)元素を含む強誘
電体膜や高誘電体膜であることが好ましい。
説明する。まず、本発明の第1の実施形態について図1
を参照して説明する。図1は、枚葉式RFスパッタ成膜
装置の全体構成を示した図である。
構成するバッキングプレート11(ターゲット電極)及
びウエハ12を載置するサセプタ13a、13b(サセ
プタについては後述する)が対向して配置されている。
バッキングプレート11には、ターゲット14が貼り付
けられており、さらにマグネトロン放電用の回転マグネ
ット15が設けられている。また、バッキングプレート
11にはRF電源16から13.56MHzのRF電力
が供給されている。
a、13bとの間には、スパッタ時におけるチャンバー
壁17への膜の付着を防止するため、シールド(アース
シールド18a、上部シールド18b、下部シールド1
8c)がチャンバー壁17の周方向に設けられている。
アースシールド18aは接地され、上部シールド18b
及び下部シールド18cはポテンシャル調整回路19a
及び19bを介して接地されている。また、下部シール
ド18cには、下部シールド18cの周方向に沿って冷
却手段となる水冷パイプ20が取り付けられている。
セプタ13a及びその外周を取り囲む外方サセプタ13
bによって構成されており、内方サセプタ13a及び外
方サセプタ13b間は熱伝導率の悪い材料によって電気
的に遮断されている。内方サセプタ13a及び外方サセ
プタ13bには、それぞれポテンシャル調整用電極21
a及び21bが接続されており、それぞれポテンシャル
調整回路22a及び22bを介して接地されている。ま
た、内方サセプタ13a及び外方サセプタ13b内に
は、それぞれ冷却手段となる水冷パイプ23a及び23
bが設けられており、さらにサセプタ内には静電チャッ
ク用電極24が設けられている。また、外方サセプタ1
3bの周囲には、ウエハ12を支えるためのプラテンリ
ング25が設けられている。
b、22a及び22bは、抵抗、コイル、コンデンサの
中の少なくとも一つの部品からなる回路によって構成さ
れており、抵抗、コイル及びコンデンサの定数を変える
ことにより、それぞれ異なったインピーダンスに調整さ
れるようになっている。
参照して説明する。本例では、サセプタ13a及び13
bに接続されたポテンシャル調整回路22a及び22
b、或いは、シールド18b及び18cに接続されたポ
テンシャル調整回路19a及び19bを調整することに
より、スパッタによってウエハ12上に形成される膜の
膜特性をウエハ面内で均一に制御する方法を示す。な
お、ここでは強誘電体膜であるPZTを成膜する場合を
例に説明する。
2bによって膜特性を制御する方法について示す。すで
に述べたように、堆積物の構成元素の中にスパッタイー
ルドが高い元素が含まれているような場合(ここでは、
PZT中のPb)、シールド、特に下部シールド18c
上及びシールド近傍のウエハ周辺部上のPZT膜中のP
bのスパッタによる再蒸発によって、ウエハ中央部では
ウエハ周辺部に比ベてPbが多く付着する。したがっ
て、ウエハ半径方向での膜組成等が不均一になるおそれ
がある。そこで、ウエハ中央部とウエハ周辺部とで総合
的にPbの再蒸発量が等しくなるようにするため、プラ
ズマからのイオン衝撃がウエハ周辺部よりもウエハ中央
部で大きくなるように、ポテンシャル調整回路22a及
び22bを制御する。具体的には、プラズマとウエハ中
央部の電位差がプラズマとウエハ周辺部の電位差よりも
大きくなるように、外方サセプタ13b及び内方サセプ
タ13aの電位を制御する。
9bによって膜特性を制御する方法について示す。この
場合には、シールド、特に下部シールド18c上のPb
のスパッタによる再蒸発量自体が少なくなるようにする
ため、プラズマからのイオン衝撃がシールド18c上で
小さくなるように、ポテンシャル調整回路19a及び1
9bを制御する。具体的には、プラズマと少なくとも下
部シールド18cとの電位差の絶対値が小さくなるよう
に制御する。なお、上部シールド18bの電位は下部シ
ールド18cの電位或いはアースシールド18aの電位
と等しくしてもよいし、これらの電位の中間にしてもよ
い。
ってサセプタやシールドの電位を制御するようにした
が、サセプタやシールドにバイアス電圧(DCバイアス
或いはRFバイアス)を供給して電位を制御するように
してもよい。この場合の例を図2に示す。すなわち、サ
セプタにはバイアス電源31a及び31bを接続し、シ
ールドにはバイアス電源32a及び32bを接続してい
る。バイアス電源は、必ずしも二つ設ける必要はなく、
分割サセプタを可変インピーダンス回路で接続すること
により一つの電源でも実現可能である。具体的な制御方
法は、図1の例と同様であるため省略する。
シールドの電位とをそれぞれ個別に制御していたが、両
者を組み合わせて制御するようにしてもよい。また、図
1の例ではポテンシャル調整回路によってサセプタ及び
シールドの電位を制御し、図2の例ではバイアス電源に
よってサセプタ及びシールドの電位を制御しているが、
サセプタ及びシールドの一方の電位をポテンシャル調整
回路によって、他方の電位をバイアス電源によって制御
するようにしてもよい。さらに、上記の各例では、サセ
プタを中央部と周辺部に2分割しているが、必要に応じ
てサセプタの半径方向に3分割或いはそれ以上分割する
ようにしてもよい。また、シールドの分割数についても
適宜変更するようにしてもよい。
1を参照して説明する。本例では、サセプタ13a及び
13b内に設けられた水冷パイプ23a及び23b、或
いは、シールド18cに設けられた水冷パイプ20を調
整することにより、スパッタによってウエハ12上に形
成される膜の膜特性をウエハ面内で均一に制御する方法
を示す。なお、ここではPZTを成膜する場合を例に説
明する。
られた水冷パイプ23a及び23bによって膜特性を制
御する方法について示す。すでに述べたように、堆積物
の構成元素の中に蒸気圧が高い元素が含まれているよう
な場合(ここでは、PZT中のPb)、シールド、特に
下部シールド18cにおけるスパッタ時の加熱及びシー
ルドからの熱輻射によるウエハ周辺部での温度上昇によ
るPbの再蒸発によって、ウエハ中央部ではウエハ周辺
部に比ベてPbが多く付着する。したがって、ウエハ半
径方向での膜組成等が不均一になるおそれがある。そこ
で、ウエハ中央部とウエハ周辺部とで総合的にPbの再
蒸発量が等しくなるようにするため、ウエハ周辺部より
もウエハ中央部の温度が高くなるように設定する。すな
わち、水冷パイプ23a及び23bに流れる冷却水の量
を調整して、ウエハ中央部の温度がウエハ周辺部の温度
よりも高くなるようにする。例えば、外側の水冷パイプ
23bにのみ冷却水を流して、内側の水冷パイプ23a
には冷却水を流さないようにする。この場合には、内側
の水冷パイプ23aは実質的に不要となるため、外側の
水冷パイプ23bのみをサセプタ内に設けるようにして
もよい。
プによってサセプタの温度を制御するようにしたが、冷
却手段ではなく加熱手段によってサセプタの温度を制御
するようにしてもよい。
を設けた場合の例である。すなわち、内方サセプタ13
a及び外方サセプタ13b内にそれぞれ抵抗加熱ヒータ
ー33a及び33bを設けたものである。抵抗加熱ヒー
ター33a及び33bの発熱量を調整して、ウエハ中央
部の温度がウエハ周辺部の温度よりも高くなるようにす
る。例えば、内側のヒーター33aにのみ電流を流し
て、外側のヒーター33bには電流を流さないようにす
る。この場合には、外側のヒーター33bは実質的に不
要となるため、内側のヒーター33aのみをサセプタ内
に設けるようにしてもよい。
ターを設けた場合の例である。すなわち、内方サセプタ
13a及び外方サセプタ13b内にそれぞれ赤外線ラン
プヒーター34a及び34bを設けたものである。具体
的な制御方法は、図3の例と同様であるため省略する。
では、サセプタに冷却手段又は加熱手段の一方のみを設
けていたが、冷却手段及び加熱手段の双方を設けるよう
にしてもよい。例えば、内方サセプタ13a及び外方サ
セプタ13bの両方に水冷パイプを設けて両方に冷却水
を流しておき、内方サセプタ13aの加熱手段を加熱す
ることにより、ウエハ中央部の温度がウエハ周辺部の温
度よりも高くなるように制御してもよい。
20によって膜特性を制御する方法について示す。この
場合には、下部シールド18c上のスパッタによる温度
上昇を抑制してPbの再蒸発量が少なくなるようにする
ため、水冷パイプ20に流れる冷却水の量を調整すれば
よい。
シールドの温度とをそれぞれ個別に制御していたが、両
者を組み合わせて制御するようにしてもよい。次に、本
発明の第3の実施形態について図1を参照して説明す
る。本実施形態では、半導体メモリのキャパシタ用誘電
体膜としてPZT膜を成膜するときの例を示している。
上部シールド18b及び下部シールド18cはアース電
位に落としてある。キャパシタの下部電極としてTiを
20nm、Ptを175nmの膜厚でスパッタ成膜した
ウエハをチャンバーに導入した後、チャンバー内を5×
10-6Paまで真空引きし、その後Arガスを0.5P
a導入する。続いて、1.5kWの高周波電力をカソー
ドに印加してRFプラズマを発生させ、PZTターゲッ
ト14をスパッタしてPZT膜をウエハ12上に成膜さ
せる。この時、ポテンシャル調整回路22a、22bに
よりインピーダンスを調整し、プラズマと内方サセプタ
13aとの電位差がプラズマと外方サセプタ13bとの
電位差よりも大きくなるように設定しておく。これによ
り、ウエハ中央部からのPbの再蒸発量がウエハ外周部
からの再蒸発量よりも多くなる。シールドから再蒸発し
たPbのウエハ上への再付着量はウエハ中央部の方がウ
エハ外周部よりも多くなるため、上記のように外方サセ
プタ13b及び内方サセプタ13aの電位を設定してお
くことにより、ウエハ12全面にわたってPbの再蒸発
量と再付着量とのバランスがとれ、ウエハ上に成膜され
るPZT膜の膜特性の均一性を向上させることができ
る。また、シールドの温度上昇を抑えるため水冷パイプ
20によって下部シールドを冷却し、シールドに付着し
たPZT膜中のPbの再蒸発を抑制するようにしてい
る。
ャル調整回路22a、22bによりインピーダンスを調
整し、内方サセプタ13a及び外方サセプタ13b両者
のプラズマとの電位差を成膜初期の電位差よりも小さく
する。この状態でさらに6分間成膜を行い、トータルで
200nmのPZT膜を成膜する。
法により深さ方向に分析した結果、PZT膜と下地のP
t膜との界面部分ではArイオン衝撃が大きいため、P
bのモル比(Pb/(Zr+Ti))が相対的に少な
く、1.0という値であった。一方、PZT膜の表面付
近ではArイオン衝撃が小さくなるため、Pb量が増加
してモル比は1.1であった。
ZT膜と下地のPt膜との界面で過剰なPbがないた
め、Ptの面方位である<111>を継承して<111
>に強く配向する。また、PZT膜の表面付近では余剰
のPbが存在しているので、PZT膜の成膜後に行われ
るRTA処理によってPbが蒸発する分を補償すること
ができる。
電位を調整して膜組成等を変化させるようにしたが、成
膜途中でサセプタの温度を調整して膜組成等を変化させ
るようにすることも可能である。
たが、本発明はこれら各実施形態に限定されるものでは
なく、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形し
て実施可能である。
ドの電位或いは温度を制御することにより、ウエハ上或
いはシールド上に成膜された堆積物の再蒸発を制御する
ことがきるので、膜質、膜厚、組成など膜特性の均一
性、特にウエハの半径方向の面内均一性を向上させるこ
とが可能となる。
た図。
した図であり、図1のポテンシャル調整回路の代わりに
バイアス電源を用いた場合の例を示した図。
した図であり、図1の水冷パイプの代わりに抵抗加熱ヒ
ーターを用いた場合の例を示した図。
した図であり、図1の水冷パイプの代わりに赤外線ラン
プヒーターを用いた場合の例を示した図。
路 20、23a、23b…水冷パイプ 21a、21b…ポテンシャル調整用電極 24…静電チャック用電極 25…プラテンリング 31a、31b、32a、32b…バイアス電源 33a、33b…抵抗加熱ヒーター 34a、34b…赤外線ランプヒーター
Claims (5)
- 【請求項1】ターゲット電極と、このターゲット電極に
対向してウエハを載置するサセプタと、このサセプタの
周囲に設けられたシールドとを備えた成膜装置におい
て、前記サセプタの電位分布を制御する電位制御手段と
してインピーダンス調整手段又はRFバイアス印加手段
を設けたことを特徴とする成膜装置。 - 【請求項2】ターゲット電極と、このターゲット電極に
対向してウエハを載置するサセプタと、このサセプタの
周囲に設けられたシールドとを備えた成膜装置におい
て、前記シールドの少なくとも前記サセプタ近傍の電位
を制御する電位制御手段としてインピーダンス調整手段
又はRFバイアス印加手段を設けたことを特徴とする成
膜装置。 - 【請求項3】ターゲット電極と、このターゲット電極に
対向してウエハを載置するサセプタと、このサセプタの
周囲に設けられたシールドとを備えた成膜装置におい
て、前記シールドの少なくとも前記サセプタ近傍の温度
を制御する温度制御手段として冷却手段を設けたことを
特徴とする成膜装置。 - 【請求項4】ターゲット電極と、このターゲット電極に
対向してウエハを載置するサセプタと、このサセプタの
周囲に設けられたシールドとを備えた成膜装置を用いた
成膜方法において、成膜中に前記サセプタの電位分布又
は前記シールドの少なくとも前記サセプタ近傍の電位を
インピーダンス調整手段又はRFバイアス印加手段によ
って変化させることを特徴とする成膜方法。 - 【請求項5】ターゲット電極と、このターゲット電極に
対向してウエハを載置するサセプタと、このサセプタの
周囲に設けられたシールドとを備えた成膜装置を用いた
成膜方法において、成膜中に前記シールドの少なくとも
前記サセプタ近傍の温度を冷却手段によって変化させる
ことを特徴とする成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33714897A JP3321403B2 (ja) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | 成膜装置及び成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33714897A JP3321403B2 (ja) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | 成膜装置及び成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11176821A JPH11176821A (ja) | 1999-07-02 |
JP3321403B2 true JP3321403B2 (ja) | 2002-09-03 |
Family
ID=18305901
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33714897A Expired - Fee Related JP3321403B2 (ja) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | 成膜装置及び成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3321403B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107492491A (zh) * | 2016-06-10 | 2017-12-19 | 株式会社日立国际电气 | 半导体装置的制造方法及衬底处理装置 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6358376B1 (en) * | 2000-07-10 | 2002-03-19 | Applied Materials, Inc. | Biased shield in a magnetron sputter reactor |
JP2004095700A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置、載置台、処理方法 |
US7182816B2 (en) * | 2003-08-18 | 2007-02-27 | Tokyo Electron Limited | Particulate reduction using temperature-controlled chamber shield |
US7895970B2 (en) | 2005-09-29 | 2011-03-01 | Tokyo Electron Limited | Structure for plasma processing chamber, plasma processing chamber, plasma processing apparatus, and plasma processing chamber component |
US20070125646A1 (en) * | 2005-11-25 | 2007-06-07 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target for titanium sputtering chamber |
JP5274753B2 (ja) * | 2006-06-08 | 2013-08-28 | 株式会社アルバック | 含Pb結晶薄膜の形成方法 |
JP2009049234A (ja) * | 2007-08-21 | 2009-03-05 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体の製造方法及びiii族窒化物半導体製造装置、iii族窒化物半導体発光素子の製造方法及びiii族窒化物半導体発光素子、並びにランプ |
JP4355032B2 (ja) * | 2007-12-05 | 2009-10-28 | パナソニック株式会社 | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
JP2009158416A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Ulvac Japan Ltd | 固体電解質薄膜の製造方法、平行平板型マグネトロンスパッタ装置、及び薄膜固体リチウムイオン2次電池の製造方法 |
JP2008179894A (ja) * | 2008-01-21 | 2008-08-07 | Fujifilm Corp | 成膜装置、成膜方法、絶縁膜、誘電体膜、圧電膜、強誘電体膜、圧電素子および液体吐出装置 |
JP2010090445A (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング装置、および成膜方法 |
JP5663062B2 (ja) * | 2008-11-17 | 2015-02-04 | 富士フイルム株式会社 | 成膜方法、成膜装置、圧電体膜、圧電素子、液体吐出装置、及び圧電型超音波振動子 |
JP5654939B2 (ja) * | 2011-04-20 | 2015-01-14 | 株式会社アルバック | 成膜装置 |
JP2013038169A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜製造方法および薄膜製造装置 |
US20130284589A1 (en) * | 2012-04-30 | 2013-10-31 | Youming Li | Radio frequency tuned substrate biased physical vapor deposition apparatus and method of operation |
JP2012153983A (ja) * | 2012-05-07 | 2012-08-16 | Ulvac Japan Ltd | 固体電解質薄膜の製造方法、及び薄膜固体リチウムイオン2次電池の製造方法 |
KR102038647B1 (ko) * | 2013-06-21 | 2019-10-30 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판 지지 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 |
JP6109224B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2017-04-05 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置 |
JP6230573B2 (ja) * | 2015-07-06 | 2017-11-15 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、プログラム、基板処理システム及び基板処理装置 |
DE102016213951A1 (de) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | Robert Bosch Gmbh | Verbesserte Lenkung von Ionen aus einem Plasma auf ein zu beschichtendes Substrat |
JP7223738B2 (ja) * | 2020-11-12 | 2023-02-16 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
-
1997
- 1997-12-08 JP JP33714897A patent/JP3321403B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107492491A (zh) * | 2016-06-10 | 2017-12-19 | 株式会社日立国际电气 | 半导体装置的制造方法及衬底处理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11176821A (ja) | 1999-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3321403B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
US5707498A (en) | Avoiding contamination from induction coil in ionized sputtering | |
US8133362B2 (en) | Physical vapor deposition with multi-point clamp | |
US4424101A (en) | Method of depositing doped refractory metal silicides using DC magnetron/RF diode mode co-sputtering techniques | |
JP3134977U (ja) | 冷却pvdシールド | |
JPH0860355A (ja) | 処理装置 | |
US9181619B2 (en) | Physical vapor deposition with heat diffuser | |
JP2000282219A (ja) | 有機膜真空蒸着用マスク再生方法及び装置 | |
KR19980032631A (ko) | 스퍼터링을 위한 플라즈마 발생용 액티브 시일드 | |
JPH07335553A (ja) | 処理装置および処理方法 | |
JP2012518722A (ja) | インピーダンス整合回路網による物理的蒸着 | |
TWI766904B (zh) | 用於在基板處理中減少顆粒的處理套件屏蔽、物理氣相沉積腔室及方法 | |
US20080296143A1 (en) | Plasma Systems with Magnetic Filter Devices to Alter Film Deposition/Etching Characteristics | |
JPH11229132A (ja) | スパッタ成膜装置およびスパッタ成膜方法 | |
US6660140B2 (en) | Sputtering apparatus | |
US11674216B2 (en) | Methods and apparatus for depositing aluminum by physical vapor deposition (PVD) with controlled cooling | |
KR980011764A (ko) | 전면 고밀도 플라즈마 증착 제공 방법 및 그 장치 | |
TW201638367A (zh) | 為減少在反應性磁控管濺鍍反應器中製程偏移的計數器式 時間補償 | |
JP3513206B2 (ja) | 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 | |
JPH11315376A (ja) | イオン化スパッタリング装置 | |
US20110209989A1 (en) | Physical vapor deposition with insulated clamp | |
JP3387616B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2004349370A (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP3529308B2 (ja) | スパッタ装置及びスパッタ方法 | |
JP2681466B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090621 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090621 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100621 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100621 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110621 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120621 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |