JP3303277B2 - 蛍光ｘ線分析用の試料ホルダ - Google Patents
蛍光ｘ線分析用の試料ホルダInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばシリコンウ
エハの汚染物質や河川水その他の汚染物質を含む液体試
料を蛍光Ｘ線分析するときに好適に使用される試料ホル
ダに関するものである。
エハの汚染物質や河川水その他の汚染物質を含む液体試
料を蛍光Ｘ線分析するときに好適に使用される試料ホル
ダに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の汚染物質を蛍光Ｘ線分析
するときには、試料ホルダからの散乱Ｘ線を極力少なく
して正確な分析を行うため、２μｍ程度の高分子膜で試
料を支持したり、図７のようなホルダを使用している。
図７のホルダは、その中央部に凹部４１を形成した高分
子成形品の薄板４０を用い、この凹部４１上に試料１０
を乗せることで、試料を集積させ、これに１次Ｘ線Ｒ１
を照射して試料１０から発生する蛍光Ｘ線Ｒ２をＸ線検
出器１３で検出することにより、試料１０の分析を行
う。
するときには、試料ホルダからの散乱Ｘ線を極力少なく
して正確な分析を行うため、２μｍ程度の高分子膜で試
料を支持したり、図７のようなホルダを使用している。
図７のホルダは、その中央部に凹部４１を形成した高分
子成形品の薄板４０を用い、この凹部４１上に試料１０
を乗せることで、試料を集積させ、これに１次Ｘ線Ｒ１
を照射して試料１０から発生する蛍光Ｘ線Ｒ２をＸ線検
出器１３で検出することにより、試料１０の分析を行
う。
【０００３】しかし、以上のようにしても、高分子膜ま
たは凹部４１は有限厚さのため、Ｘ線分析時に散乱Ｘ線
Ｒ３を発生させる。また、全反射型Ｘ線分析装置で分析
を行うような場合、１次Ｘ線Ｒ１の照射スポットの範囲
は試料１０よりも大きいので、凹部４１の周りの高分子
薄板４０からも散乱Ｘ線Ｒ３が発生する。これらがバッ
クグランドを大きくする原因となるので、正確な分析が
困難になる。
たは凹部４１は有限厚さのため、Ｘ線分析時に散乱Ｘ線
Ｒ３を発生させる。また、全反射型Ｘ線分析装置で分析
を行うような場合、１次Ｘ線Ｒ１の照射スポットの範囲
は試料１０よりも大きいので、凹部４１の周りの高分子
薄板４０からも散乱Ｘ線Ｒ３が発生する。これらがバッ
クグランドを大きくする原因となるので、正確な分析が
困難になる。
【０００４】以上の散乱Ｘ線の発生を抑制する試料ホル
ダとして、実開平６−３５９５７号公報記載の試料ホル
ダがある。試料ホルダの断面図を図８（ａ）に、平面図
を図８（ｂ）に示す。試料ホルダ１には、ホルダ本体５
０に試料１０を保持する線状または帯状の試料保持部材
５１が固定されている。試料保持部材５１は線状または
帯状であるから、１次Ｘ線Ｒ１が試料保持部材５１に照
射されても、試料保持部材５１から発生する散乱Ｘ線の
強度は低くなる。
ダとして、実開平６−３５９５７号公報記載の試料ホル
ダがある。試料ホルダの断面図を図８（ａ）に、平面図
を図８（ｂ）に示す。試料ホルダ１には、ホルダ本体５
０に試料１０を保持する線状または帯状の試料保持部材
５１が固定されている。試料保持部材５１は線状または
帯状であるから、１次Ｘ線Ｒ１が試料保持部材５１に照
射されても、試料保持部材５１から発生する散乱Ｘ線の
強度は低くなる。
【０００５】しかし、図８（ａ），（ｂ）の試料ホルダ
１は、試料保持部材５１が線状または帯状であるから、
試料１０の試料保持部材５１の長手方向における位置規
制が難しいため、１次Ｘ線Ｒ１の照射位置に対する試料
１０の位置決めは困難である。
１は、試料保持部材５１が線状または帯状であるから、
試料１０の試料保持部材５１の長手方向における位置規
制が難しいため、１次Ｘ線Ｒ１の照射位置に対する試料
１０の位置決めは困難である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、散乱Ｘ線の
発生を防止してより正確な分析ができ、試料の位置決め
を容易に行うことができる試料ホルダを提供することを
目的とする。
発生を防止してより正確な分析ができ、試料の位置決め
を容易に行うことができる試料ホルダを提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の試料ホルダは、周壁の内側に中空部を有
するフレームと、前記周壁に架け渡されて前記中空部ま
たはその軸方向の外側部分で互いに交差し、その交差点
で試料を支持する支持線材とを備えている。
め、請求項１の試料ホルダは、周壁の内側に中空部を有
するフレームと、前記周壁に架け渡されて前記中空部ま
たはその軸方向の外側部分で互いに交差し、その交差点
で試料を支持する支持線材とを備えている。
【０００８】試料分析時には、支持線材の交差点に試料
を中空に浮かせた状態で支持する。フレームは周壁の内
側に中空部を有しているため、試料に対し１次Ｘ線を中
空部に向かう方向から照射することにより、フレームに
当たる１次Ｘ線の量が抑制される結果、フレームからは
ほとんど散乱Ｘ線が発生しない。また、試料を中空部よ
りも上方で支持すると、１次Ｘ線の入射方向をフレーム
の軸心に対してほぼ直交方向に設定した場合でも、１次
Ｘ線がフレームに当たることによる散乱Ｘ線の発生をさ
らに抑制し、正確な分析が行われる。支持線材は細いも
のであるから、これから発生する散乱Ｘ線の強度は低
い。このため、Ｘ線分析時のバックグランドが小さくな
り、分析精度が向上する。しかも、試料を支持線材の交
差点で支持するため、試料を支持する位置は容易に決ま
る。特に、試料が液状の場合、この試料を支持線材の交
差点に確実に支持できる。
を中空に浮かせた状態で支持する。フレームは周壁の内
側に中空部を有しているため、試料に対し１次Ｘ線を中
空部に向かう方向から照射することにより、フレームに
当たる１次Ｘ線の量が抑制される結果、フレームからは
ほとんど散乱Ｘ線が発生しない。また、試料を中空部よ
りも上方で支持すると、１次Ｘ線の入射方向をフレーム
の軸心に対してほぼ直交方向に設定した場合でも、１次
Ｘ線がフレームに当たることによる散乱Ｘ線の発生をさ
らに抑制し、正確な分析が行われる。支持線材は細いも
のであるから、これから発生する散乱Ｘ線の強度は低
い。このため、Ｘ線分析時のバックグランドが小さくな
り、分析精度が向上する。しかも、試料を支持線材の交
差点で支持するため、試料を支持する位置は容易に決ま
る。特に、試料が液状の場合、この試料を支持線材の交
差点に確実に支持できる。
【０００９】本発明の好ましい実施形態では、フレーム
の頭部に、１次Ｘ線をフレームの一側方から入射させて
支持線材の交差点に導く第１の凹所を形成している。こ
の実施形態によれば、１次Ｘ線の入射方向をフレームの
軸心に対してほぼ直交方向に設定し、その第１凹所から
交差点の試料に向かって１次Ｘ線を照射することによ
り、散乱Ｘ線の発生を抑制し、正確な分析が行われる。
さらに、１次Ｘ線の入射方向をフレームの軸心とほぼ直
交させることにより、試料と対向状に設けるＸ線検出器
を試料に近付けて配置できるので、検出精度が向上す
る。
の頭部に、１次Ｘ線をフレームの一側方から入射させて
支持線材の交差点に導く第１の凹所を形成している。こ
の実施形態によれば、１次Ｘ線の入射方向をフレームの
軸心に対してほぼ直交方向に設定し、その第１凹所から
交差点の試料に向かって１次Ｘ線を照射することによ
り、散乱Ｘ線の発生を抑制し、正確な分析が行われる。
さらに、１次Ｘ線の入射方向をフレームの軸心とほぼ直
交させることにより、試料と対向状に設けるＸ線検出器
を試料に近付けて配置できるので、検出精度が向上す
る。
【００１０】また、好ましい実施形態では、フレームの
頭部に、支持線材の交差点を通った１次Ｘ線をフレーム
の他側方から出射させる第２の凹所を形成している。こ
の実施形態によれば、１次Ｘ線の入射方向をフレームの
軸心に対してほぼ直交方向に設定し、第１凹所から入射
して試料に照射された１次Ｘ線を、第２凹所から外方に
出射させることにより、１次Ｘ線がフレームに衝突する
ことがなくなるので、散乱Ｘ線の発生をより効果的に抑
制できる。
頭部に、支持線材の交差点を通った１次Ｘ線をフレーム
の他側方から出射させる第２の凹所を形成している。こ
の実施形態によれば、１次Ｘ線の入射方向をフレームの
軸心に対してほぼ直交方向に設定し、第１凹所から入射
して試料に照射された１次Ｘ線を、第２凹所から外方に
出射させることにより、１次Ｘ線がフレームに衝突する
ことがなくなるので、散乱Ｘ線の発生をより効果的に抑
制できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１は第１実施形態に係る蛍光Ｘ線
分析装置を示している。同図において、Ｘ線管１１から
出射した１次Ｘ線Ｒ１は、分光器１２で分光されて、試
料ホルダ１に支持した試料１０に照射される。試料１０
から発生する蛍光Ｘ線Ｒ２は、試料１０の上方に対向状
に配置した半導体検出器のようなＸ線検出器１３で検出
され、その出力信号を受けた分析器１４により、試料１
０の蛍光Ｘ線分析を行う。
基づいて説明する。図１は第１実施形態に係る蛍光Ｘ線
分析装置を示している。同図において、Ｘ線管１１から
出射した１次Ｘ線Ｒ１は、分光器１２で分光されて、試
料ホルダ１に支持した試料１０に照射される。試料１０
から発生する蛍光Ｘ線Ｒ２は、試料１０の上方に対向状
に配置した半導体検出器のようなＸ線検出器１３で検出
され、その出力信号を受けた分析器１４により、試料１
０の蛍光Ｘ線分析を行う。
【００１２】上記ホルダ１は、図２に示すように、周壁
２４の内側に中空部２１をもつ円筒状のフレーム２と、
試料１０を支持する２本の支持線材３，３を備えてい
る。フレーム２の頭部２０、すなわち周壁２４の上端面
には、線材３，３を固定するための切り込みからなる４
つの取付部２５が形成されている。各線材３の両端は対
向する各取付部２５に接着し、線材３，３をフレーム２
に固定する。各線材３は棒状で、各取付部２５に接着で
きる長さに調節しておく。これにより、線材３，３はフ
レーム２の周壁２４に架け渡されて、中空部２１におい
て平面視で９０°の角度で交差し、中央の交差点３１で
上下に接触してクロスし、交差点３１で試料１０を支持
する。図１に示すように、この交差点３１は中空部２１
の軸心、つまりフレーム２の軸心Ｃ上に位置している。
上記フレーム２は、高分子材料、アルミニウム、ステン
レス等で形成し、内径を１０〜１５ｍｍ程度としてい
る。分析時、上記ホルダ１は支持台１５上に軸心Ｃを支
持台１５の上面に直交させて設置する。このホルダ１
は、支持台１５に設けたストッパに、スプリングによっ
てストッパに押し付けるようにして装着してもよい。
２４の内側に中空部２１をもつ円筒状のフレーム２と、
試料１０を支持する２本の支持線材３，３を備えてい
る。フレーム２の頭部２０、すなわち周壁２４の上端面
には、線材３，３を固定するための切り込みからなる４
つの取付部２５が形成されている。各線材３の両端は対
向する各取付部２５に接着し、線材３，３をフレーム２
に固定する。各線材３は棒状で、各取付部２５に接着で
きる長さに調節しておく。これにより、線材３，３はフ
レーム２の周壁２４に架け渡されて、中空部２１におい
て平面視で９０°の角度で交差し、中央の交差点３１で
上下に接触してクロスし、交差点３１で試料１０を支持
する。図１に示すように、この交差点３１は中空部２１
の軸心、つまりフレーム２の軸心Ｃ上に位置している。
上記フレーム２は、高分子材料、アルミニウム、ステン
レス等で形成し、内径を１０〜１５ｍｍ程度としてい
る。分析時、上記ホルダ１は支持台１５上に軸心Ｃを支
持台１５の上面に直交させて設置する。このホルダ１
は、支持台１５に設けたストッパに、スプリングによっ
てストッパに押し付けるようにして装着してもよい。
【００１３】上記支持線材３としては、炭素繊維などの
高分子材料からなる直径０．１〜１μｍの細線を使用す
る。特に、炭素繊維を用いる場合、その主成分である炭
素の蛍光Ｘ線出射量が少ないため、Ｘ線分析時のバック
グランドを小さくできる。なお、支持線材３は、アルミ
ニウムのような金属材料で形成してもよい。
高分子材料からなる直径０．１〜１μｍの細線を使用す
る。特に、炭素繊維を用いる場合、その主成分である炭
素の蛍光Ｘ線出射量が少ないため、Ｘ線分析時のバック
グランドを小さくできる。なお、支持線材３は、アルミ
ニウムのような金属材料で形成してもよい。
【００１４】次に、以上のホルダ１を使用する場合の手
順について説明する。上記ホルダ１を用いて試料１０の
分析を行う場合、この試料１０としては、特に液体が好
適に使用される。例えばシリコンウエハの表面の汚染物
質を分析する場合、ウエハ表面に塗布したフッ酸で汚染
物質を溶解して、その溶液を使用する。また、河川水の
場合は、その水を直接用いる。そして、上記液体（例え
ば１０〜５００μリットル）を支持線材３に滴下する。
すると、液体は表面張力により各線材３の交差点３１に
集められ、常に交差点位置に確実に保持される。したが
って、試料が保持される位置は決っており、試料の位置
決めは容易である。交差点３１に集められた液体は、蒸
発・乾固して濃縮される。このような液体の滴下と乾固
を繰り返すことにより、試料１０がフレーム２の中空部
２１に浮いた状態で交差点３１に集積される。なお、上
記試料１０は、液体以外に固体や粉体などを用いること
もでき、この場合はペースト状として交差点３１に付着
させる。
順について説明する。上記ホルダ１を用いて試料１０の
分析を行う場合、この試料１０としては、特に液体が好
適に使用される。例えばシリコンウエハの表面の汚染物
質を分析する場合、ウエハ表面に塗布したフッ酸で汚染
物質を溶解して、その溶液を使用する。また、河川水の
場合は、その水を直接用いる。そして、上記液体（例え
ば１０〜５００μリットル）を支持線材３に滴下する。
すると、液体は表面張力により各線材３の交差点３１に
集められ、常に交差点位置に確実に保持される。したが
って、試料が保持される位置は決っており、試料の位置
決めは容易である。交差点３１に集められた液体は、蒸
発・乾固して濃縮される。このような液体の滴下と乾固
を繰り返すことにより、試料１０がフレーム２の中空部
２１に浮いた状態で交差点３１に集積される。なお、上
記試料１０は、液体以外に固体や粉体などを用いること
もでき、この場合はペースト状として交差点３１に付着
させる。
【００１５】この後、交差点３１に保持された試料１０
に対し１次Ｘ線Ｒ１をフレーム２の中空部２１に向かう
ように斜め方向から照射する。このようにすれば、１次
Ｘ線Ｒ１は、試料１０の手前でフレーム２に当たらない
ので、試料１０に有効に照射されるとともに、散乱Ｘ線
の発生が抑制される。また、各支持線材３は小径のた
め、これから発生する散乱Ｘ線の強度は低い。よって、
Ｘ線分析時のバックグランドが小となって、分析精度が
向上する。
に対し１次Ｘ線Ｒ１をフレーム２の中空部２１に向かう
ように斜め方向から照射する。このようにすれば、１次
Ｘ線Ｒ１は、試料１０の手前でフレーム２に当たらない
ので、試料１０に有効に照射されるとともに、散乱Ｘ線
の発生が抑制される。また、各支持線材３は小径のた
め、これから発生する散乱Ｘ線の強度は低い。よって、
Ｘ線分析時のバックグランドが小となって、分析精度が
向上する。
【００１６】図３（ａ）〜（ｃ）に示す第２実施形態で
は、フレーム２の頭部２０に、その頂面の一部を切欠く
ことにより、１次Ｘ線Ｒ１をフレーム２の一側方から入
射させて各支持線材３の交差点３１に導く第１の凹所２
２を形成している。
は、フレーム２の頭部２０に、その頂面の一部を切欠く
ことにより、１次Ｘ線Ｒ１をフレーム２の一側方から入
射させて各支持線材３の交差点３１に導く第１の凹所２
２を形成している。
【００１７】この場合、図３（ｂ）に示すように、１次
Ｘ線Ｒ１の入射方向をフレーム２の軸心Ｃと直交するほ
ぼ水平方向に設定して、第１凹所２２から交差点３１に
保持された試料１０に向かって照射する。このとき、１
次Ｘ線Ｒ１は第１の凹所２２を通過し、試料１０の手前
でフレーム２に当たらないので、散乱Ｘ線の発生が抑制
される。１次Ｘ線Ｒ１が試料１０を越えて照射方向前方
のフレーム２の内壁面２ａに衝突するのは避けられな
い。
Ｘ線Ｒ１の入射方向をフレーム２の軸心Ｃと直交するほ
ぼ水平方向に設定して、第１凹所２２から交差点３１に
保持された試料１０に向かって照射する。このとき、１
次Ｘ線Ｒ１は第１の凹所２２を通過し、試料１０の手前
でフレーム２に当たらないので、散乱Ｘ線の発生が抑制
される。１次Ｘ線Ｒ１が試料１０を越えて照射方向前方
のフレーム２の内壁面２ａに衝突するのは避けられな
い。
【００１８】１次Ｘ線Ｒ１のみでなく、複数の１次Ｘ線
を試料１０に照射してもよい。例えば、図３（ｃ）に示
すように、１次Ｘ線Ｒ１の照射と同時に１次Ｘ線Ｒ１２
を中空部２１に向かうように斜め方向から、１次Ｘ線Ｒ
１３を１次Ｘ線Ｒ１２より傾斜角度の大きい斜め方向か
ら試料１０に照射する。１次Ｘ線Ｒ１，Ｒ１２，Ｒ１３
が同じ波長（エネルギ）のＸ線である場合、試料１０に
照射する１次Ｘ線の強度は、３つの１次Ｘ線Ｒ１，Ｒ１
２，Ｒ１３の和となり、１次Ｘ線Ｒ１のみの場合よりも
大きくなるので、微量元素の分析が容易になる。
を試料１０に照射してもよい。例えば、図３（ｃ）に示
すように、１次Ｘ線Ｒ１の照射と同時に１次Ｘ線Ｒ１２
を中空部２１に向かうように斜め方向から、１次Ｘ線Ｒ
１３を１次Ｘ線Ｒ１２より傾斜角度の大きい斜め方向か
ら試料１０に照射する。１次Ｘ線Ｒ１，Ｒ１２，Ｒ１３
が同じ波長（エネルギ）のＸ線である場合、試料１０に
照射する１次Ｘ線の強度は、３つの１次Ｘ線Ｒ１，Ｒ１
２，Ｒ１３の和となり、１次Ｘ線Ｒ１のみの場合よりも
大きくなるので、微量元素の分析が容易になる。
【００１９】一方、試料１０の広い範囲の元素を蛍光Ｘ
線分析する場合、励起効率を上げるために、分析元素に
応じて試料１０に照射するＸ線の波長を換える必要があ
る。そこで、複数の１次Ｘ線Ｒ１，Ｒ１２，Ｒ１３の波
長を互いに異ならせると、同時に広い範囲の多元素分析
が可能となる。図１のＸ線検出器１３が半導体検出器で
ある場合、複数の１次Ｘ線を試料１０に照射すると、発
生する蛍光Ｘ線の強度が大きくなるために半導体検出器
が飽和するおそれがあるが、本発明の方法では、散乱Ｘ
線の発生が抑制されバックグランドが小さいので、半導
体検出器が飽和するおそれは少ない。
線分析する場合、励起効率を上げるために、分析元素に
応じて試料１０に照射するＸ線の波長を換える必要があ
る。そこで、複数の１次Ｘ線Ｒ１，Ｒ１２，Ｒ１３の波
長を互いに異ならせると、同時に広い範囲の多元素分析
が可能となる。図１のＸ線検出器１３が半導体検出器で
ある場合、複数の１次Ｘ線を試料１０に照射すると、発
生する蛍光Ｘ線の強度が大きくなるために半導体検出器
が飽和するおそれがあるが、本発明の方法では、散乱Ｘ
線の発生が抑制されバックグランドが小さいので、半導
体検出器が飽和するおそれは少ない。
【００２０】図４（ａ）〜（ｄ）に示す第３実施形態で
は、フレーム２の頭部２０で第１凹所２２との対向部位
に、第２凹所２３を形成している。これら図３、図４の
第２，３実施形態の場合、各支持線材３の各凹所２２，
２３と対向する部分の交差角度θを９０°以上とするこ
とが好ましい。このようにすれば、各支持線材３が第１
凹所２２から入射して試料１０を照射する１次Ｘ線Ｒ１
を妨害する割合が少なくなる。つまり、試料１０が１次
Ｘ線Ｒ１に対向する前面が大きく開かれて、多量の１次
Ｘ線Ｒ１が試料１０に照射される。
は、フレーム２の頭部２０で第１凹所２２との対向部位
に、第２凹所２３を形成している。これら図３、図４の
第２，３実施形態の場合、各支持線材３の各凹所２２，
２３と対向する部分の交差角度θを９０°以上とするこ
とが好ましい。このようにすれば、各支持線材３が第１
凹所２２から入射して試料１０を照射する１次Ｘ線Ｒ１
を妨害する割合が少なくなる。つまり、試料１０が１次
Ｘ線Ｒ１に対向する前面が大きく開かれて、多量の１次
Ｘ線Ｒ１が試料１０に照射される。
【００２１】この実施形態の場合も、１次Ｘ線Ｒ１の入
射方向をフレーム２の軸心Ｃと直交する水平方向に設定
して、第１凹所２２から入射して試料１０とその周辺を
通過した１次Ｘ線Ｒ１を、第２凹所２３から外方に出射
させる。これにより、１次Ｘ線Ｒ１が試料１０の手前と
これを越えた位置のいずれにおいてもフレーム２に衝突
するのを避けて、散乱Ｘ線の発生を抑制できる。
射方向をフレーム２の軸心Ｃと直交する水平方向に設定
して、第１凹所２２から入射して試料１０とその周辺を
通過した１次Ｘ線Ｒ１を、第２凹所２３から外方に出射
させる。これにより、１次Ｘ線Ｒ１が試料１０の手前と
これを越えた位置のいずれにおいてもフレーム２に衝突
するのを避けて、散乱Ｘ線の発生を抑制できる。
【００２２】第３実施形態では、支持線材３，３を取付
部２５に接着せずに、図４（ｄ）に示すようにフレーム
２の内壁面２ａに接着し、各支持線材３をフレーム２の
頭部２０側の中空部２１で交差させ、交差点３１で上下
に接触してクロスするように張設してもよい。この場
合、第１および第２凹所２２，２３が支持線材３よりも
低く形成されており、図４（ｂ）と同様に、１次Ｘ線Ｒ
１の入射方向をフレーム２の軸心Ｃと直交する水平方向
に設定して、第１凹所２２から入射して試料１０とその
周辺を通過した１次Ｘ線Ｒ１を、第２凹所２３から外方
に出射させる。図３の第２実施形態についても同様に、
各支持線材３をフレーム２の上端面よりも若干下方に配
置することができる。
部２５に接着せずに、図４（ｄ）に示すようにフレーム
２の内壁面２ａに接着し、各支持線材３をフレーム２の
頭部２０側の中空部２１で交差させ、交差点３１で上下
に接触してクロスするように張設してもよい。この場
合、第１および第２凹所２２，２３が支持線材３よりも
低く形成されており、図４（ｂ）と同様に、１次Ｘ線Ｒ
１の入射方向をフレーム２の軸心Ｃと直交する水平方向
に設定して、第１凹所２２から入射して試料１０とその
周辺を通過した１次Ｘ線Ｒ１を、第２凹所２３から外方
に出射させる。図３の第２実施形態についても同様に、
各支持線材３をフレーム２の上端面よりも若干下方に配
置することができる。
【００２３】図５（ａ）〜（ｃ）に示す第４実施形態で
は、線材３，３はフレーム２の周壁２４に架け渡され
て、中空部２１の軸方向の外側（この例では上方）で交
差し、中央の交差点３１で上下に接触してクロスし、交
差点３１で試料１０を支持する。支持線材３，３は中央
の交差点３１が最上部になるように湾曲している。この
場合、１次Ｘ線Ｒ１の入射方向をフレーム２の軸心Ｃと
直交するほぼ水平方向、かつ各支持線材３の交差角度θ
を２等分する方向に設定して、交差点３１に保持された
試料１０に向かって照射する。これにより、一次Ｘ線Ｒ
１はフレーム２には衝突することなく、試料１０とその
周辺を通過するので、散乱Ｘ線の発生が抑制される。ま
た、第２，３実施形態と同様に、各支持線材３の交差角
度θは９０°以上とすることが好ましい。
は、線材３，３はフレーム２の周壁２４に架け渡され
て、中空部２１の軸方向の外側（この例では上方）で交
差し、中央の交差点３１で上下に接触してクロスし、交
差点３１で試料１０を支持する。支持線材３，３は中央
の交差点３１が最上部になるように湾曲している。この
場合、１次Ｘ線Ｒ１の入射方向をフレーム２の軸心Ｃと
直交するほぼ水平方向、かつ各支持線材３の交差角度θ
を２等分する方向に設定して、交差点３１に保持された
試料１０に向かって照射する。これにより、一次Ｘ線Ｒ
１はフレーム２には衝突することなく、試料１０とその
周辺を通過するので、散乱Ｘ線の発生が抑制される。ま
た、第２，３実施形態と同様に、各支持線材３の交差角
度θは９０°以上とすることが好ましい。
【００２４】第２〜４実施形態において、試料１０に照
射する１次Ｘ線が軸心Ｃにほぼ直交する方向のＲ１のみ
のときには、試料１０に近付けたＸ線検出器１３の配置
が可能となる。つまり、図１のように、１次Ｘ線Ｒ１を
試料１０に対し、フレーム２の中空部２１に向かうよう
に、フレーム２の軸心Ｃに対して斜め方向から照射する
場合、Ｘ線検出器１３の下端部が１次Ｘ線Ｒ１を遮る恐
れがあるため、試料１０に近付けたＸ線検出器１３の配
置ができない。これに対し、１次Ｘ線Ｒ１の入射方向を
フレーム２の軸心Ｃと直交する水平方向に設定すれば、
Ｘ線検出器１３が１次Ｘ線Ｒ１を遮ることはないので、
図６のように、試料１０に対するＸ線検出器１３の近接
配置ができる。ここで、検出強度は、試料１０からＸ線
検出器１３までの距離の二乗に反比例するので、この距
離を小さくすれば検出強度が高められ、より精度の高い
分析が可能となる。
射する１次Ｘ線が軸心Ｃにほぼ直交する方向のＲ１のみ
のときには、試料１０に近付けたＸ線検出器１３の配置
が可能となる。つまり、図１のように、１次Ｘ線Ｒ１を
試料１０に対し、フレーム２の中空部２１に向かうよう
に、フレーム２の軸心Ｃに対して斜め方向から照射する
場合、Ｘ線検出器１３の下端部が１次Ｘ線Ｒ１を遮る恐
れがあるため、試料１０に近付けたＸ線検出器１３の配
置ができない。これに対し、１次Ｘ線Ｒ１の入射方向を
フレーム２の軸心Ｃと直交する水平方向に設定すれば、
Ｘ線検出器１３が１次Ｘ線Ｒ１を遮ることはないので、
図６のように、試料１０に対するＸ線検出器１３の近接
配置ができる。ここで、検出強度は、試料１０からＸ線
検出器１３までの距離の二乗に反比例するので、この距
離を小さくすれば検出強度が高められ、より精度の高い
分析が可能となる。
【００２５】以上の実施形態では、２本の支持線材３を
使用しているが、この支持線材３は２本以上を用いても
よい。また、上記フレーム２としては、円筒形状のもの
に限らず、例えば板状のものを用い、これに中空部を形
成して、フレームの周壁に複数の支持線材を架け渡し、
中空部またはその軸方向の外側部分で互いに交差させて
もよい。
使用しているが、この支持線材３は２本以上を用いても
よい。また、上記フレーム２としては、円筒形状のもの
に限らず、例えば板状のものを用い、これに中空部を形
成して、フレームの周壁に複数の支持線材を架け渡し、
中空部またはその軸方向の外側部分で互いに交差させて
もよい。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、散乱Ｘ
線の発生を効果的に防止できて、分析精度を高めること
ができ、その上、試料の位置決めを容易に行うことがで
きる。
線の発生を効果的に防止できて、分析精度を高めること
ができ、その上、試料の位置決めを容易に行うことがで
きる。
【図１】蛍光Ｘ線分析装置の概略的な構成図である。
【図２】本発明にかかる試料ホルダの第１実施形態を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図３】（ａ）は第２実施形態を示す平面図、（ｂ）お
よび（ｃ）はその斜視図である。
よび（ｃ）はその斜視図である。
【図４】（ａ）は第３実施形態を示す平面図、（ｂ），
（ｃ）および（ｄ）はその斜視図である。
（ｃ）および（ｄ）はその斜視図である。
【図５】（ａ）は第４実施形態を示す平面図、（ｂ）お
よび（ｃ）はその斜視図である。
よび（ｃ）はその斜視図である。
【図６】試料に対しＸ線検出器を近接配置した状態を示
す側面図である。
す側面図である。
【図７】従来のホルダを示す断面図である。
【図８】（ａ）は従来のホルダを示す断面図、（ｂ）は
その平面図である。
その平面図である。
１…ホルダ、２…フレーム、２０…頭部、２１…中空
部、２２…第１凹所、２３…第２凹所、２４…周壁、３
…支持線材、３１…交差点、１０…試料、Ｒ１…１次Ｘ
線。
部、２２…第１凹所、２３…第２凹所、２４…周壁、３
…支持線材、３１…交差点、１０…試料、Ｒ１…１次Ｘ
線。
Claims (3)
- 【請求項１】 試料に１次Ｘ線を照射して試料から発生
する蛍光Ｘ線に基づいて試料の分析を行う蛍光Ｘ線分析
に使用される試料ホルダであって、 周壁の内側に中空部を有するフレームと、 前記周壁に架け渡されて前記中空部またはその軸方向の
外側部分で互いに交差し、その交差点で前記試料を支持
する支持線材とを備えた試料ホルダ。 - 【請求項２】 請求項１において、前記フレームの頭部
に、前記１次Ｘ線をフレームの一側方から入射させて前
記交差点に導く第１の凹所が形成されている試料ホル
ダ。 - 【請求項３】 請求項２において、前記フレームの頭部
に、前記交差点を通った１次Ｘ線をフレームの他側方か
ら出射させる第２の凹部が形成されている試料ホルダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15072697A JP3303277B2 (ja) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | 蛍光ｘ線分析用の試料ホルダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15072697A JP3303277B2 (ja) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | 蛍光ｘ線分析用の試料ホルダ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10339709A JPH10339709A (ja) | 1998-12-22 |
| JP3303277B2 true JP3303277B2 (ja) | 2002-07-15 |
Family
ID=15503078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15072697A Expired - Fee Related JP3303277B2 (ja) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | 蛍光ｘ線分析用の試料ホルダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3303277B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4166099B2 (ja) * | 2003-02-14 | 2008-10-15 | Ｔｄｋ株式会社 | 試料容器 |
| JP4854005B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2012-01-11 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 蛍光ｘ線分析装置 |
| JP4838821B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2011-12-14 | 株式会社リガク | 蛍光ｘ線分析用試料保持具ならびにそれを用いる蛍光ｘ線分析方法および装置 |
| JP5083179B2 (ja) * | 2008-11-12 | 2012-11-28 | 住友電気工業株式会社 | 赤外分光法で定量分析するための検量線の作成方法および赤外分光法による定量方法 |
| KR101481456B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2015-01-13 | 한국기계연구원 | 자력형 시료홀더 |
-
1997
- 1997-06-09 JP JP15072697A patent/JP3303277B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10339709A (ja) | 1998-12-22 |
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