JP3292770B2 - ワイヤボンディング方法およびその装置 - Google Patents

ワイヤボンディング方法およびその装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はIC、LSI等の電子素
子(チップ)をリードフレーム上に搭載させた後に該電
子素子をリードフレームのリードに金線等で電気的に接
続させるワイヤボンディング方法およびその装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】図7および図8を参照すると、従来のワ
イヤボンディング装置の一例が図示され、このワイヤボ
ンディング装置はリードフレームLFを案内する一対の
ガイドレール10を具備し、この一対のガイドレール1
0はその長手方向に沿って適当な間隔で設置された複数
対の支持コラム12上に敷設される。また、ワイヤボン
ディング装置はリードフレームLFを一対のガイドレー
ル10に沿って搬送するための搬送手段14を具備し、
この搬送手段14は一対のガイドレール10のうちの一
方のガイドレール側に設けられる。搬送手段14はガイ
ドレール10を支持する支持コラム12に取り付けられ
たガイドレール16と、このガイドレール16に沿って
移動自在となったキャリヤ部材18と、このキャリヤ部
材18から延びる固定アーム20と、キャリヤ部材18
に枢着された可動アーム22と、この可動アーム22を
駆動させるべく該キャリヤ部材18に取り付けられた電
磁ソレノイド24とからなる。固定アーム20の先端は
リードフレームLFの下面に接触させられ、また可動ア
ーム24の先端はリードフレームLFの上面側で該固定
アームの先端と整合し得るようになっている。電磁ソレ
ノイド24が通電されると、その作動ロッドが突出させ
られ、これにより可動アーム22は図7および図8にお
いて時計方向に回動させられて、リードフレームLFは
両アーム20および22の先端でもって挟まれる。この
状態でキャリヤ部材18をガイドレール16に沿って移
動させることにより、リードフレームLFは一対のガイ
ドレール10に沿って適宜搬送される。
【0003】ワイヤボンディング装置にはヒータブロッ
ク30が設けられ、このヒータブロック30は基台32
上から直立したガイド柱34に沿って上下に移動自在と
される。図7および図8では見ることはできないが、ガ
イド柱34には垂直方向スロットが形成され、この垂直
方向スロットからはヒータブロック30と一体となった
ロッド要素36が突出する。ロッド要素36の突出端に
はローラ要素38が取り付けられ、このローラ要素38
は偏心カム40と係合させられる。偏心カム40は駆動
モータ42の出力シャフトに装着され、該駆動モータ4
2は床面上の台座44に固定される。駆動モータ42で
もって偏心カム40を回転駆動させることにより、ヒー
タブロック30は図7に示す退避位置と図8に示す作動
位置すなわちボンディング位置との間で移動させられ
る。ヒータブロック30は通常は退避位置(図7)に置
かれているが、リードフレームLF上に搭載された電子
素子がヒータブロック30の上方位置に運ばれたとき、
ヒータブロック30は該退避位置からボンディング位置
(図8)まで上昇させられてリードフレームLFの下面
に当接させられる。
【0004】また、ワイヤボンディング装置にはボンデ
ィング位置に置かれたヒータブロック30に対してリー
ドフレームLFをクランプするためのクランパ手段46
が設けられ、このクランパ手段46は押え板48と、こ
の押え板48を上下方向に駆動するアクチュエータ例え
ば空圧作動シリンダ50とからなる。空圧作動シリンダ
50の作動により、押え板48が図7に示す上方位置す
なわち非クランプ位置から図8に示す下方位置すなわち
クランプ位置に下降させられると、押え板48がヒータ
ブロック30上のリードフレームLFに対して適用さ
れ、このとき矩形状窓部52内には図9に示すようにリ
ードフレーム搭載された電子素子Eと、その周囲に配列
された多数のリードLの内側端部とが露出される。
【0005】ワイヤボンディング装置は更に電子素子E
の端子パッドとリードLとの間を金線Gでもって接続さ
せるためのワイヤボンディング手段54を具備し、この
ワイヤボンディング手段は三次元方向に移動し得るキャ
リヤ(図示されない)上に設置されたボンディングヘッ
ド(図示されない)と、このボンディングヘッドから延
びたトランスデューサ56と、このトランスデューサ5
6の先端に取り付けられたキャピラリ58とからなる。
上述のボンディングヘッド内には超音波振動源が設けら
れ、これによりトランスデューサ56はその長手方向に
振動させられる。図7および図8に示すように金線Gは
キャピラリ58に供給され、該キャピラリ58の先端か
ら金線Gの端部が引き出される。
【0006】以上で述べた従来のワイヤボンディング装
置の作動について述べると、先ずキャピラリ58の先端
から引き出された金線の端部を放電により溶融させて金
球すなわちビードを形成し、このビードによりキャピラ
リ58からの金線Gの抜出しが阻止される。次いで、ト
ランスデューサ58が下降させられて、ビードが電子素
子Eの端子パッド上に超音波熱圧着され、その後トラン
スデューサ58は上昇させられて、所定のリードL上に
移動させられる。続いて、トランスデューサ58が下降
させられて、キャピラリ58が該所定のリードL上に押
し付けられ、このとき該リードLに対して金線が超音波
熱圧着される。次に、トランスデューサ58が上昇させ
られ、このとき金線は放電により切断され、そこに再び
ビードが形成される。このような動作を繰り返すことに
より、電子素子Eの端子パッドとリードLとが図9に示
すように金線Gでもって互いに電気的に接続される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ヒータブロ
ック30とガイド柱34との間には例えばクロスローラ
ガイド機構が組み込まれ、これにより該ヒータブロック
30の案内時に所謂ガタを可及的に排除するようにして
いるが、しかしながら数ミクロク程度のガタは不可避的
に伴う。このため金線Gの超音波熱圧着時にトランスデ
ューサ56からキャピラリ58に伝達される超音波振動
の一部はヒータブロック30によって吸収され、このた
め金線Gの超音波熱圧着効率が低下する点が問題とされ
る。
【0008】また、上述したようなタイプのワイヤボン
ディング装置、すなわちリードフレームLを固定状態と
して、トランスデューサ56をリードLの配列に沿って
順次移動させるタイプのワイヤボンディング装置にあっ
ては、リードLの向きによって金線Gの超音波熱圧着効
率が異なる点も問題点として指摘されている。詳述する
と、トランスデューサ56はその長手方向に振動させら
れるので、トランスデューサ56の長手方向に一致した
方向に延在するリードL(すなわち、図9において左右
方向に延びるリードL)の超音波熱圧着は比較的良好で
あるが、しかしトランスデューサ56の長手方向に対し
て直角に延在するリードLの超音波熱圧着は不良となり
がちである。というのは、トランスデューサ56の長手
方向に一致した方向に延在するリードLは超音波熱圧着
時にその長手方向に超音波振動を受けるために該リード
LはリードフレームLFの平面内に留められるが、しか
しトランスデューサ56の長手方向に対して直角に延在
するリードLは超音波熱圧着時に捩じれ変形を受けるの
で、後者のリードに対する金線Gの超音波熱圧着は前者
のリードに比べて劣ることになる。特に、トランスデュ
ーサ56の長手方向に対して直角に延在するリードLに
対する金線Gの超音波熱圧着はその捩じれ変形と上述し
たようなヒータブロック30による超音波振動の吸収問
題との双方の理由のために非常に劣悪なものとなり易
い。
【0009】更に、電子素子の端子パッドとリードフレ
ームLFのリードLとに対する金線等の超音波熱圧着に
ついては該金線等の端部に形成したビードでもって行わ
れるが、超音波圧着効率が低い場合には該ビードの直径
を比較的大きなものとしなければならず、このため上述
したようなタイプのワイヤボンディング装置は集積度の
大きな電子部品、すなわちリードLの配列ピッチの小さ
な電子部品の製造には適さないものとなる。
【0010】したがって、本発明は、上述したようなワ
イヤボンディング技術において、リードフレームのリー
ドに対する金線等の超音波熱圧着効率を改善して向上さ
せることを目的とする。
【0011】
【0012】
【課題を解決するための手段】 本発明によれば、電子素
子をリードフレーム上に搭載させた後に該電子素子をリ
ードフレームのリードに金線等で電気的に接続させるワ
イヤボンディング方法において、可動ヒータブロックを
退避位置からボンディング位置に移動し、可動ヒータブ
ロック上にリードフレームの電子素子搭載部を載せてク
ランプし、可動ヒータブロック上のリードフレームの電
子素子搭載部に対して金線等を適宜供給しつつ該可動ヒ
ータブロック上で電子素子とリードフレームのリードと
に該金線等を超音波熱圧着することにより該電子素子と
該リードとの間に電気的接続を成す際に該超音波熱圧着
時の超音波振動の振幅を増幅させるように該可動ヒータ
ブロックを振動させることを特徴とするワイヤボンディ
ング方法が提供される。また、本発明の第2の局面によ
れば、電子素子をリードフレーム上に搭載させた後に該
電子素子をリードフレームのリードに金線等で電気的に
接続させるワイヤボンディング装置であって、退避位置
とボンディング位置との間で移動自在となった可動ヒー
タブロックと、ボンディング位置に移動させられた可動
ヒータブロック上にリードフレームの電子素子搭載部を
配置させるべく該リードフレームを移動させるための搬
送手段と、可動ヒータブロック上に載せられたリードフ
レームの電子素子搭載部を該可動ヒータブロックに対し
てクランプするためのクランパ手段と、可動ヒータブロ
ック上のリードフレームの電子素子搭載部に金線等を適
宜供給しつつ該可動ヒータブロック上で電子素子とリー
ドフレームのリードとに該金線等を超音波熱圧着するこ
とにより該電子素子と該リードとの間に電気的接続を成
すためのワイヤボンディング手段と、このワイヤボンデ
ィング手段による超音波熱圧着時の超音波振動の振幅を
増幅させるように可動ヒータブロックを振動させるため
の振動手段とを具備することを特徴とするワイヤボンデ
ィング装置が提供される。
【0013】さらに、本発明によれば、電子素子をリー
ドフレーム上に搭載させた後に該電子素子をリードフレ
ームのリードに金線等で電気的に接続させるワイヤボン
ディング方法において、可動ヒータブロックを退避位置
からボンディング位置に移動し、可動ヒータブロック上
にリードフレームの電子素子搭載部を載せてクランプ
し、可動ヒータブロック上のリードフレームの電子素子
搭載部に対して金線等を適宜供給し、可動ヒータブロッ
ク上のリードフレームの電子素子搭載部に対して適宜供
給された金線等を電子素子とリードフレームのリードと
に超音波熱圧着させてその間に電気的接続を成すべく該
ヒータブロックを振動させることを特徴とするワイヤボ
ンディング方法が提供される。また、本発明の第3の局
面によれば、電子素子をリードフレーム上に搭載させた
後に該電子素子をリードフレームのリードに金線等で電
気的に接続させるワイヤボンディング装置であって退避
位置とボンディング位置との間で移動自在となった可動
ヒータブロックと、ボンディング位置に移動させられた
可動ヒータブロック上にリードフレームの電子素子搭載
部を配置させるべく該リードフレームを移動させるため
の搬送手段と、可動ヒータブロック上に載せられたリー
ドフレームの電子素子搭載部を該可動ヒータブロックに
対してクランプするためのクランパ手段と、可動ヒータ
ブロック上のリードフレームの電子素子搭載部に金線等
を適宜供給するための供給手段と、この供給手段によっ
て適宜供給された金線等を可動ヒータブロック上で電子
素子とリードフレームのリードとに超音波熱圧着して該
電子素子と該リードとの間に電気的接続を成すべく該ヒ
ータブロックを振動させるための振動手段とを具備する
ことを特徴とするワイヤボンディング装置が提供され
る。
【0014】
【0015】
【作用】 本発明に よれば、リードフレーム上の電子素子
とそのリードとに対する金線等の超音波熱圧着が可動ヒ
ータブロック上で行われるが、しかし該可動ヒータブロ
ックは超音波熱圧着時の超音波振動の振幅を増幅させる
ように振動させられるので、超音波熱圧着効率は改善さ
れ得ることになる。
【0016】更に、リードフレーム上の電子素子とその
リードとに対する金線等の超音波熱圧着が可動ヒータブ
ロック上で行われるが、しかし超音波熱圧着時の超音波
振動は該可動ヒータブロック自体を振動させることによ
り得られるので、超音波熱圧着効率は改善され得ること
になる。
【0017】
【実施例】次に、添付図面の図1ないし図8を参照し
て、本発明による保護ワイヤボンディング方法およびそ
の装置の実施例について説明する。先ず、図1および図
2を参照すると、本発明の第1の局面に従って構成され
たワイヤボンディング装置が示され、このワイヤボンデ
ィング装置も図7および図8で説明したワイヤボンディ
ング装置と同様な構成要素を具備し、それら構成要素に
ついては同じ参照符号が付されている。本実施例では、
リードフレームLFを案内する一対のガイドレール10
はその長手方向に沿って適当な間隔で設置された複数の
ビーム部材60上に取り付けられ、これらビーム部材6
0のうちの少なくとも2つには一対のロッド要素62が
その下側から吊下するように取り付けられる。ロッド要
素62は床面上に設置された支持枠64の頂部に形成さ
れたガイド孔に挿通させられ、その下端は偏心カム66
に係合させられる。偏心カム66はシャフト68上に固
着され、このシャフト68はモータ70によって適宜駆
動される。偏心カム66をモータ70でもって回転駆動
することにより、一対のガイドレール10は図1に示す
上方位置と図2に示し下方位置との間で移動させられ
る。搬送手段14は図7および図8に示したものと実質
的に同じ構成を持つが、そのガイドレール16はビーム
部材60に取り付けられて支持され、このため搬送手段
14自体も一対のガイドレール10と共に上下動する。
本実施例では、ヒータブロック30′を固定ヒータブロ
ックとして構成して、基台32上から直立した支持柱3
4′上に固定保持することが特徴とされる。
【0018】以上で述べたワイヤボンディング装置の作
動において、搬送手段14によりリードフレームLFを
一対のガイドレール10に沿って搬送する間、該一対の
ガイドレール10は図1に示す上方位置に上昇させら
れ、またクランパ手段46の押え板48も上方位置すな
わち非クランプ位置に留められる。リードフレームLF
上に搭載された電子素子が固定ヒータブロック30′の
上方位置に運ばれると、搬送手段14の作動は停止され
る。次いで、モータ70の駆動により偏心カム66が駆
動され、これにより一対のガイドローラ10は図2に示
す下方位置まで下降され、このときリードフレームLF
の電子素子搭載部が固定ヒータブロック30′上に載せ
られる。続いて、空圧作動シリンダ50の作動により、
押え板48が図1に示す非クランプ位置から図2に示す
クランプ位置に下降させられ、これにより押え板48は
図9に示した態様でリードフレームLFの電子素子搭載
部に適用される。次に、ワイヤボンディング手段54で
もってワイヤボンディングが行われるが、このワイヤボ
ンディング作動は先に述べた場合と同様であるが、しか
し本発明の第1の局面によれば、固定ヒータブロック3
0′上でワイヤボンディング作動が行われるので、金線
Gの超音波熱圧着時にトランスデューサ56からキャピ
ラリ58に伝達される超音波振動が固定ヒータブロック
30によって吸収される割合は大巾に低減され得る。か
くして、電子素子の端子パッドおよびリードに対する金
線Gの超音波熱圧着が良好に行い得る。
【0019】図3を参照すると、本発明による第2の局
面に従って構成されたワイヤボンディング装置が示さ
れ、このワイヤボンディング装置は図7および図8に示
すワイヤボンディング装置とほぼ同様に構成される。本
発明の第2の局面によれば、ヒータブロックすなわち可
動ヒータブロック30には支持ブラケット72が固着さ
れ、この支持ブラケット72上には振動源74が搭載さ
れる。実施例では、振動源74は高速モータ76と、こ
の高速モータ76の出力シャフトに半径方向に片持ち梁
の態様で取り付けられたアーム要素78と、このアーム
要素78の先端には装着された重り80とからなる。高
速モータ76は回転駆動されると、アーム要素78は重
り80と共に高速回転し、このため可動ヒータブロック
30には所定の周波数を持つ振動が与えられる。かかる
周波数については、ワイヤボンディング手段54のキャ
ピラリ58に与えられる超音波振動の振幅を増幅するよ
うに選ばれる。例えば、図4に示すように、キャピラリ
58に与えられる振動と可動ヒータブロック30の振動
を一致させることにより、その合成振動は大巾に増幅さ
れる。かくして、電子素子の端子パッドおよびリードフ
レームLFのリードに対する金線Gの超音波熱圧着効率
は飛躍的に高められる。また、図5に示すように、キャ
ピラリ58に与えられる振動の位相と可動ヒータブロッ
ク30の振動の位相とを互いに零からπ/2の範囲内で
ずらして、その合成振動の振幅の増幅程度を適宜調節し
てもよい。
【0020】図6には図5に示した実施例の変形実施例
が示され、この変形実施例では、振動源74は例えば圧
電素子、磁歪素子等の振動素子82と、この振動素子8
2から突出する振動伝達ロッド要素84とからなる。振
動素子82は基台32上に設置された支持柱86上に設
置され、可動ヒータブロック30が退避位置から作動位
置すなわちボンディング位置(図6)まで上昇されたと
き、振動伝達ロッド要素86が可動ヒータブロック30
の側面に衝合するようになっている。図6に示すよう
に、可動ヒータブロック30の側面の一部、すなわち振
動伝達ロッド要素84が配置される側面部の上側にはテ
ーパ面88が形成され、可動ヒータブロック30の上昇
時、振動伝達ロッド要素86は該テーパ面88を経て可
動ヒータブロック30の側面に衝合させられる。このよ
うな構成によっても、可動ヒータブロック30には所定
の周波数を持つ振動が与えられ得る。
【0021】本発明の第3の局面によるワイヤボンディ
ング装置は図3および図6に示したワイヤボンディング
装置と実質的に同じものとして構成されるが、しかしそ
こではワイヤボンディング手段56は可動ヒータブロッ
ク30上のリードフレームLFの電子素子搭載部に金線
Gを供給する供給手段として機能し、そのトランスデュ
ーサ56には超音波振動は与えられない。その代わり
に、可動ヒータブロック30自体が振動源74によって
振動させられ、これにより電子素子の端子パッドとリー
ドフレームのリードとに対する金線Gの超音波熱圧着が
行われる。このような構成にあっては、大きな慣性を持
つ可動ヒータブロック30自体が振動させられるので、
良好な超音波熱圧着効率が得られる。
【0022】
【発明の効果】以上の記載から明らかなように、本発明
によれば、電子素子の端子パッドとリードフレームのリ
ードとに対する金線等の超音波熱圧着効率が向上するの
で、電子部品の生産性が改善される。また、超音波熱圧
着効率の向上により、金線等の端部に形成するビードの
径を小さくすることができるので、本発明によるワイヤ
ボンディング装置を集積度の更に高い電子部品の製造に
も使用することが可能である。更に、超音波熱圧着効率
の向上のためにヒータブロックの加熱温度を低く設定す
るという作用効果も得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の局面に従って構成されたワイヤ
ボンディング装置を非ワイヤボンディング作動状態で示
す概略図である。
【図2】図1のワイヤボンディング装置をワイヤボンデ
ィング作動状態で示す概略図である。
【図3】本発明の第2の局面に従って構成されたワイヤ
ボンディング装置をワイヤボンディング作動状態で示す
図である。
【図4】図3のワイヤボンディング装置による超音波熱
圧着時の振動増幅の一例を図解するグラフである。
【図5】図3のワイヤボンディング装置による超音波熱
圧着時の振動増幅のその他の例を図解するグラフであ
る。
【図6】図3のワイヤボンディング装置の変形実施例を
示す概略図である。
【図7】従来のワイヤボンディング装置を非ワイヤボン
ディング作動状態で示す概略図である。
【図8】図7のワイヤボンディング装置をワイヤボンデ
ィング作動状態で示す概略図である。
【図9】図8のワイヤボンディング装置でのリードフレ
ームの電子部品搭載部を示す部分平面図である。
【符号の説明】
10…ガイドレール 12…支持コラム 14…搬送手段 16…ガイドレール 18…キャリヤ部材 20…固定アーム 22…可動アーム 24…電磁ソレノイド 30…可動ヒータブロック 30′…固定ヒータブッロク 32…基台 34…ガイド柱 34′…支持柱 36…ロッド要素 38…ローラ要素 40…偏心カム 42…駆動モータ 44…台座 46…クランパ手段 48…押え板 50…空圧作動シリンダ 52…矩形状窓部 54…ワイヤボンディング手段 56…トランスデューサ 58…キャピラリ 60…ビーム部材 62…ロッド要素 64…支持枠 66…偏心カム 68…シャフト 70…モータ 72…支持ブラケット 74…振動源 76…高速モータ 78…アーム要素 80…重り 82…振動素子 84…振動伝達ロッド要素 86…支持柱 88…テーパ面 LF…リードフレーム L…リード G…金線 E…電子素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/60

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子素子(E)をリードフレーム(L
    F)上に搭載させた後に該電子素子(E)をリードフレ
    ーム(LF)のリード(L)に金線(G)等で電気的に
    接続させるワイヤボンディング方法において、 可動ヒータブロック(30)を退避位置からボンディン
    グ位置に移動し、 前記可動ヒータブロック(30)上にリードフレーム
    (LF)の電子素子搭載部を載せてクランプし、 前記可動ヒータブロック(30)上のリードフレーム
    (LF)の電子素子搭載部に対して金線(G)等を適宜
    供給しつつ該可動ヒータブロック(30)上で電子素子
    (E)とリードフレーム(LF)のリード(L)とに該
    金線(G)等を超音波熱圧着することにより該電子素子
    と該リードとの間に電気的接続を成す際に該超音波熱圧
    着時の超音波振動の振幅を増幅させるように該可動ヒー
    タブロック(30)を振動させることを特徴とするワイ
    ヤボンディング方法。
  2. 【請求項2】 電子素子(E)をリードフレーム(L
    F)上に搭載させた後に該電子素子(E)をリードフレ
    ーム(LF)のリード(L)に金線(G)等で電気的に
    接続させるワイヤボンディング装置であって、 退避位置とボンディング位置との間で移動自在となった
    可動ヒータブロック(30)と、 前記ボンディング位置に移動させられた可動ヒータブロ
    ック(30)上にリードフレーム(LF)の電子素子搭
    載部を配置させるべく該リードフレーム(LF)を移動
    させるための搬送手段(14)と、 前記可動ヒータブロック(30)上に載せられたリード
    フレーム(LF)の電子素子搭載部を該可動ヒータブロ
    ック(30)に対してクランプするためのクランパ手段
    (46)と、 前記可動ヒータブロック(30)上のリードフレーム
    (LF)の電子素子搭載部に金線(G)等を適宜供給し
    つつ該可動ヒータブロック(30)上で電子素子(E)
    とリードフレーム(LF)のリード(L)とに該金線
    (G)等を超音波熱圧着することにより該電子素子
    (E)と該リード(L)との間に電気的接続を成すため
    のワイヤボンディング手段(56)と、 前記ワイヤボンディング手段(56)による超音波熱圧
    着時の超音波振動の振幅を増幅させるように前記可動ヒ
    ータブロック(30)を振動させるための振動手段(7
    4)とを具備することを特徴とするワイヤボンディング
    装置。
  3. 【請求項3】 電子素子(E)をリードフレーム(F
    L)上に搭載させた後に該電子素子(E)をリードフレ
    ーム(LF)のリード(L)に金線(G)等で電気的に
    接続させるワイヤボンディング方法において、 可動ヒータブロック(30)を退避位置からボンディン
    グ位置に移動し、 前記可動ヒータブロック(30)上にリードフレーム
    (LF)の電子素子搭載部を載せてクランプし、 前記可動ヒータブロック(30)上のリードフレーム
    (LF)の電子素子搭載部に対して金線(G)等を適宜
    供給し、 前記可動ヒータブロック(30)上のリードフレーム
    (LF)の電子素子搭載部に対して適宜供給された金線
    (G)等を電子素子(E)とリードフレーム(LF)の
    リード(L)とに超音波熱圧着させてその間に電気的接
    続を成すべく該ヒータブロック(30)を振動させるこ
    とを特徴とするワイヤボンディング方法。
  4. 【請求項4】 電子素子(E)をリードフレーム(L
    F)上に搭載させた後に該電子素子をリードフレーム
    (LF)のリード(L)に金線(G)等で電気的に接続
    させるワイヤボンディング装置であって、 退避位置とボンディング位置との間で移動自在となった
    可動ヒータブロック(30)と、 前記ボンディング位置に移動させられた可動ヒータブロ
    ック(30)上にリードフレーム(LF)の電子素子搭
    載部を配置させるべく該リードフレーム(LF)を移動
    させるための搬送手段(14)と、 前記可動ヒータブロック(30)上に載せられたリード
    フレーム(LF)の電子素子搭載部を該可動ヒータブロ
    ック(30)に対してクランプするためのクランパ手段
    (46)と、 前記可動ヒータブロック(30)上のリードフレーム
    (LF)の電子素子搭載部に金線等を適宜供給するため
    の供給手段(54)と、 前記供給手段(54)によって適宜供給された金線
    (G)等を前記可動ヒータブロック(30)上で電子素
    子(E)とリードフレーム(LF)のリード(L)とに
    超音波熱圧着して該電子素子(E)と該リード(L)と
    の間に電気的接続を成すべく該可動ヒータブロック(3
    0)を振動させるための振動手段(74)とを具備する
    ことを特徴とするワイヤボンディング装置。
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