JP3270465B2 - 回路保護装置 - Google Patents
回路保護装置Info
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- JP3270465B2 JP3270465B2 JP51646591A JP51646591A JP3270465B2 JP 3270465 B2 JP3270465 B2 JP 3270465B2 JP 51646591 A JP51646591 A JP 51646591A JP 51646591 A JP51646591 A JP 51646591A JP 3270465 B2 JP3270465 B2 JP 3270465B2
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- shunt
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- transistor
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/02—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess current
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
- H02H3/02—Details
- H02H3/021—Details concerning the disconnection itself, e.g. at a particular instant, particularly at zero value of current, disconnection in a predetermined order
- H02H3/023—Details concerning the disconnection itself, e.g. at a particular instant, particularly at zero value of current, disconnection in a predetermined order by short-circuiting
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
- H02H3/08—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current
- H02H3/087—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current for dc applications
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Air Bags (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Mobile Radio Communication Systems (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、過電流、例えば装置の故障に起因する過電
流、あるいは雷,静電放電,過渡状態ないしは他の異常
状態が生じている装置に起因する過渡的な過電流から電
気回路を保護するための装置および工夫に関するもので
ある。
流、あるいは雷,静電放電,過渡状態ないしは他の異常
状態が生じている装置に起因する過渡的な過電流から電
気回路を保護するための装置および工夫に関するもので
ある。
なお、本明細書の記述は本件出願の優先権の基礎たる
英国特許出願第9022237.3号および英国特許出願第90222
36.5号の明細書の記載に基づくものであって、当該英国
特許出願の番号を参照することによって当該英国特許出
願の明細書の記載内容が本明細書の一部分を構成するも
のとする。
英国特許出願第9022237.3号および英国特許出願第90222
36.5号の明細書の記載に基づくものであって、当該英国
特許出願の番号を参照することによって当該英国特許出
願の明細書の記載内容が本明細書の一部分を構成するも
のとする。
従来技術 過電流および過電圧から電気回路を保護するための回
路保護装置は数多く提案されている。例えば、電圧制御
トライアックは、電話回路のようなあるシステムを過電
圧から保護するために使用されている。この装置は、ラ
インと大地電位との間に接続され、ライン上の過渡的な
電圧が予め定められた値(一般的には200V)に達したと
きに電圧の過渡状態を分流するために作動し、装置を流
れる電流が減少して一定の値、すなわち保持電流以下に
なるまでオン状態が維持される。かかる装置には、ひと
たび作動すると200mAオーダーの短絡電流を十分に供給
することができる電話回線の直流電源によってオン状態
にラッチされ得る、という欠点がある。慣例のトライア
ックの保持電流は、通常、50mA以上であるが、このラッ
チングの問題を克服するためには、より大きい、例えば
300mAの保持電流を有するトライアックの使用が必要と
なる。しかしながら、これらのトライアックには、ある
過渡状態では完全にスイッチングが行われず、200mAの
電流が流れている間は200V程度の高電圧が維持され、そ
の結果、この装置や他の部品に大損傷を与えるおそれが
ある、という欠点がある。電話システムに使用するため
に提案された1つの回路がフランス特許出願第2,619,26
2号に開示されている。この回路は、過電圧および過電
流を保護する装置を組み合せたものを有しており、比較
回路が回線の一方の電圧を参照電圧と比較し、もしこの
一方の電圧が参照電圧より大きければ過渡状態は負荷の
間に分流され、かつ、直列に接続された電子スイッチン
グが開かれるようになっている。しかしながら、この装
置には、例えば短絡回路につながるシステム障害によっ
てトリガされず、流れる過電流によって直列スイッチが
損傷することがあるという問題を生じる。加えて、直列
スイッチが開かれる前に、大量の過渡電流が装置を流れ
ることがある。また、この装置は、電圧保護回路が過渡
電圧を単に最大値に制限しているにすぎないという欠点
もある。大量の過渡電流が装置のこの部分を流れるため
に、許容できない発熱も生じ得る。
路保護装置は数多く提案されている。例えば、電圧制御
トライアックは、電話回路のようなあるシステムを過電
圧から保護するために使用されている。この装置は、ラ
インと大地電位との間に接続され、ライン上の過渡的な
電圧が予め定められた値(一般的には200V)に達したと
きに電圧の過渡状態を分流するために作動し、装置を流
れる電流が減少して一定の値、すなわち保持電流以下に
なるまでオン状態が維持される。かかる装置には、ひと
たび作動すると200mAオーダーの短絡電流を十分に供給
することができる電話回線の直流電源によってオン状態
にラッチされ得る、という欠点がある。慣例のトライア
ックの保持電流は、通常、50mA以上であるが、このラッ
チングの問題を克服するためには、より大きい、例えば
300mAの保持電流を有するトライアックの使用が必要と
なる。しかしながら、これらのトライアックには、ある
過渡状態では完全にスイッチングが行われず、200mAの
電流が流れている間は200V程度の高電圧が維持され、そ
の結果、この装置や他の部品に大損傷を与えるおそれが
ある、という欠点がある。電話システムに使用するため
に提案された1つの回路がフランス特許出願第2,619,26
2号に開示されている。この回路は、過電圧および過電
流を保護する装置を組み合せたものを有しており、比較
回路が回線の一方の電圧を参照電圧と比較し、もしこの
一方の電圧が参照電圧より大きければ過渡状態は負荷の
間に分流され、かつ、直列に接続された電子スイッチン
グが開かれるようになっている。しかしながら、この装
置には、例えば短絡回路につながるシステム障害によっ
てトリガされず、流れる過電流によって直列スイッチが
損傷することがあるという問題を生じる。加えて、直列
スイッチが開かれる前に、大量の過渡電流が装置を流れ
ることがある。また、この装置は、電圧保護回路が過渡
電圧を単に最大値に制限しているにすぎないという欠点
もある。大量の過渡電流が装置のこの部分を流れるため
に、許容できない発熱も生じ得る。
発明の開示 本発明の1つの形態は、回路の回線に接続され過電流
が生じると開状態になるように意図された直列スイッチ
ング回路と、通常の作動状態においては開き、直列スイ
ッチング回路によってトリガされたときに過渡電流を負
荷間に分流し、ないしは接地させる分流スイッチング回
路とを含む回路保護装置を提供することにある。
が生じると開状態になるように意図された直列スイッチ
ング回路と、通常の作動状態においては開き、直列スイ
ッチング回路によってトリガされたときに過渡電流を負
荷間に分流し、ないしは接地させる分流スイッチング回
路とを含む回路保護装置を提供することにある。
本発明に係る装置は、過電圧が生じるおそれのみなら
ず、例えば上述したようなシステム障害のように過電流
が生じるおそれから負荷回路を保護することができると
いう利点を有している。さらに、直列スイッチング回路
が分流スイッチング回路ではなくパルスによって直接に
付勢されることによって、負荷回路をそのようなおそれ
から分離する際の遅延を減少させることが可能となる。
ず、例えば上述したようなシステム障害のように過電流
が生じるおそれから負荷回路を保護することができると
いう利点を有している。さらに、直列スイッチング回路
が分流スイッチング回路ではなくパルスによって直接に
付勢されることによって、負荷回路をそのようなおそれ
から分離する際の遅延を減少させることが可能となる。
電話システムにおいては、分流スイッチング回路は第
1の着信側ワイヤ、すなわち結線と大地電位との間に直
接に接続されるであろうし、直列スイッチング回路は分
流スイッチング回路と交換機との間の結線に接続される
であろう。第2の結線は、同様の方法で接続されるであ
ろう。システムが過渡状態になると、直列スイッチング
回路が開き、それと同時に直列スイッチング回路によっ
て分流スイッチング回路が閉じ、その結果、過渡状態は
大地電位に分流される。直列スイッチング回路が開いて
いるので、システム電流は交換機から流れず、分流スイ
ッチング回路をラッチさせる。過渡状態が過ぎると、直
列スイッチング回路間でシステム電圧は低下する。電話
加入者への回線が開放回路となると直ちに、すなわち電
話加入者がハンドセットを元に戻すことによって、この
回路は直ちに通常状態にリセットされるであろう。
1の着信側ワイヤ、すなわち結線と大地電位との間に直
接に接続されるであろうし、直列スイッチング回路は分
流スイッチング回路と交換機との間の結線に接続される
であろう。第2の結線は、同様の方法で接続されるであ
ろう。システムが過渡状態になると、直列スイッチング
回路が開き、それと同時に直列スイッチング回路によっ
て分流スイッチング回路が閉じ、その結果、過渡状態は
大地電位に分流される。直列スイッチング回路が開いて
いるので、システム電流は交換機から流れず、分流スイ
ッチング回路をラッチさせる。過渡状態が過ぎると、直
列スイッチング回路間でシステム電圧は低下する。電話
加入者への回線が開放回路となると直ちに、すなわち電
話加入者がハンドセットを元に戻すことによって、この
回路は直ちに通常状態にリセットされるであろう。
本発明の好ましい実施例においては、直列スイッチン
グ回路には、この直列スイッチング回路を流れる電流を
制御する直列スイッチング・トランジスタが含まれる。
この直列スイッチング・トランジスタは、そのベースま
たはゲートに接続された分圧器の一腕を構成する直列制
御トランジスタによって制御されるのが好ましい。直列
制御トランジスタのベースまたはゲートの電圧は、直列
スイッチング・トランジスタ両端における電圧降下に依
存するので、直列スイッチング・トランジスタの両端に
おける電圧降下が増大すると、直列制御トランジスタの
順方向バイアスが増大する。直列制御トランジスタが一
層導通状態になるにつれて、直列スイッチング・トラン
ジスタの逆方向バイアスが増大し、スイッチング・トラ
ンジスタを阻止状態にスイッチングする。この状態が生
じると直ちに、スイッチング・トランジスタの両端での
電圧降下は実質的に増大して、制御トランジスタをその
“オン”状態ないしは低抵抗状態に維持し、従って、直
列スイッチング・トランジスタは本装置がリセットされ
るまで阻止状態を維持する。
グ回路には、この直列スイッチング回路を流れる電流を
制御する直列スイッチング・トランジスタが含まれる。
この直列スイッチング・トランジスタは、そのベースま
たはゲートに接続された分圧器の一腕を構成する直列制
御トランジスタによって制御されるのが好ましい。直列
制御トランジスタのベースまたはゲートの電圧は、直列
スイッチング・トランジスタ両端における電圧降下に依
存するので、直列スイッチング・トランジスタの両端に
おける電圧降下が増大すると、直列制御トランジスタの
順方向バイアスが増大する。直列制御トランジスタが一
層導通状態になるにつれて、直列スイッチング・トラン
ジスタの逆方向バイアスが増大し、スイッチング・トラ
ンジスタを阻止状態にスイッチングする。この状態が生
じると直ちに、スイッチング・トランジスタの両端での
電圧降下は実質的に増大して、制御トランジスタをその
“オン”状態ないしは低抵抗状態に維持し、従って、直
列スイッチング・トランジスタは本装置がリセットされ
るまで阻止状態を維持する。
このようにして、本装置は、直列スイッチング・トラ
ンジスタと直列に抵抗性のコンポーネントを接続してい
ないので、直列スイッチング回路の両端の電圧降下は、
直列スイッチング・トランジスタ(および必要に応じて
整流ダイオード)のコレクタ−エミッタ間、あるいはド
レイン−ソース間の電圧降下にのみ起因する。直列抵抗
を省略することにより、負荷電流を負担するコンポーネ
ントの個数を減少させることができ、ひいては装置の集
積化を一層容易にすることが可能となる。
ンジスタと直列に抵抗性のコンポーネントを接続してい
ないので、直列スイッチング回路の両端の電圧降下は、
直列スイッチング・トランジスタ(および必要に応じて
整流ダイオード)のコレクタ−エミッタ間、あるいはド
レイン−ソース間の電圧降下にのみ起因する。直列抵抗
を省略することにより、負荷電流を負担するコンポーネ
ントの個数を減少させることができ、ひいては装置の集
積化を一層容易にすることが可能となる。
分流スイッチング回路は、回路のラインと帰線ないし
は大地電位との間に接続される電圧フォールドバッグ
(foldback)・デバイスを含むのが好ましい。フォール
ドバッグ・デバイスは、分流スイッチング回路の残余の
部分によって供給されるパルスによってトリガされ得る
ようにすることが必要であるから、サイリスタあるいは
トライアックが好ましい。分流スイッチング回路は、フ
ォールドバッグ・デバイスと直列に接続される抵抗性コ
ンポーネントを有しないのが好ましいので、ラインと帰
線または大地との間の電圧降下は、フォールドバッグ・
デバイスの両端の電圧降下にのみ起因する。このように
して、過渡状態が分流される時に分流スイッチング回路
におけるエネルギーの消費が最小となる。
は大地電位との間に接続される電圧フォールドバッグ
(foldback)・デバイスを含むのが好ましい。フォール
ドバッグ・デバイスは、分流スイッチング回路の残余の
部分によって供給されるパルスによってトリガされ得る
ようにすることが必要であるから、サイリスタあるいは
トライアックが好ましい。分流スイッチング回路は、フ
ォールドバッグ・デバイスと直列に接続される抵抗性コ
ンポーネントを有しないのが好ましいので、ラインと帰
線または大地との間の電圧降下は、フォールドバッグ・
デバイスの両端の電圧降下にのみ起因する。このように
して、過渡状態が分流される時に分流スイッチング回路
におけるエネルギーの消費が最小となる。
分流スイッチング回路は、ラインからフォールドバッ
グ・デバイスに電流をスイッチングするように配設され
た分流スイッチング・トランジスタを有するようにして
もよい。この場合、分流スイッチング・トランジスタの
ベースまたはゲートのバイアスは、分流制御トランジス
タによって制御されるようにして、そのベースまたはゲ
ートの電圧が直列スイッチング回路の両端の電圧降下に
依存するようにしてもよい。例えば、分流スイッチング
・トランジスタのベースまたはゲートを、スイッチング
回路にまたがり、その一腕が分流制御トランジスタを具
えた分圧器に接続してもよい。この場合、分流制御トラ
ンジスタのベースまたはゲートの電圧を、直列分流スイ
ッチング回路によって決定されるようにして、例えば直
列スイッチング回路のスイッチングによって分流制御ト
ランジスタを逆バイアスし、それによって、分流スイッ
チング・トランジスタが順バイアスされるようにしても
よい。
グ・デバイスに電流をスイッチングするように配設され
た分流スイッチング・トランジスタを有するようにして
もよい。この場合、分流スイッチング・トランジスタの
ベースまたはゲートのバイアスは、分流制御トランジス
タによって制御されるようにして、そのベースまたはゲ
ートの電圧が直列スイッチング回路の両端の電圧降下に
依存するようにしてもよい。例えば、分流スイッチング
・トランジスタのベースまたはゲートを、スイッチング
回路にまたがり、その一腕が分流制御トランジスタを具
えた分圧器に接続してもよい。この場合、分流制御トラ
ンジスタのベースまたはゲートの電圧を、直列分流スイ
ッチング回路によって決定されるようにして、例えば直
列スイッチング回路のスイッチングによって分流制御ト
ランジスタを逆バイアスし、それによって、分流スイッ
チング・トランジスタが順バイアスされるようにしても
よい。
このような形態の3端子保護装置の構成は、電圧フォ
ールドバッグ・デバイスを含むと否とにかかわらず、新
規なものである。したがって、本発明の第2の形態は、
保護すべき回路のラインに直列に接続されるように意図
され、通常の回路電流は通過させるものの過電流発生時
には阻止状態にスイッチングするスイッチング回路を具
えた回路保護装置を提供することにある。この装置は、
分流スイッチング・トランジスタと、分流スイッチング
・トランジスタのベースまたはゲートのバイアスを制御
し、およびそのベースまたはゲートの電圧が直列スイッ
チング回路の両端間の電圧降下に依存する分流制御トラ
ンジスタとを含むスイッチング回路に接続された分流端
子を具えている。
ールドバッグ・デバイスを含むと否とにかかわらず、新
規なものである。したがって、本発明の第2の形態は、
保護すべき回路のラインに直列に接続されるように意図
され、通常の回路電流は通過させるものの過電流発生時
には阻止状態にスイッチングするスイッチング回路を具
えた回路保護装置を提供することにある。この装置は、
分流スイッチング・トランジスタと、分流スイッチング
・トランジスタのベースまたはゲートのバイアスを制御
し、およびそのベースまたはゲートの電圧が直列スイッ
チング回路の両端間の電圧降下に依存する分流制御トラ
ンジスタとを含むスイッチング回路に接続された分流端
子を具えている。
本発明の第2の形態に係る装置は、好ましくは上述し
たように直列スイッチング回路および分流スイッチング
回路を含むものである。
たように直列スイッチング回路および分流スイッチング
回路を含むものである。
動作時においては、分流端子は、負荷両端のいかなる
過電流をも分流するために、電気回路の帰線に直接に接
続することができる。この装置においては、過渡電流
は、トランジスタスイッチングを通してのみ負荷両端間
で分流させることができるので、この装置における温度
上昇は、比較的低い値に保つことができる。ある実施例
においては、この分流端子を接続しないでおいておき、
この装置を2端子装置として使用することもできる。し
ばしば分流端子を他の装置に接続することが適当である
こともある。例えば、ラインにおける反射の発生を阻止
したり減少したりするために、この端子を、ラインおよ
び/または電気回路とほぼ同じインピーダンスを有する
負荷を介して帰線に接続することができる。かかる構成
は、たとえば、多数のスタブがメイン・バスから取出さ
れているローカル・エリア・ネットワーク(LAN)に使
用される。これらスタブに関連するいずれかの装置が故
障すると、これによってバス上の負荷を変化させる。そ
の結果、LAN全体が機能を停止する前に、限られた個数
の装置故障のみしか対処することができない。これに代
わり、もし本装置により整合した負荷を回路に接続すれ
ば、たとえ非常に多くの装置故障が発生したとしても、
LANは機能し続けるだろう。
過電流をも分流するために、電気回路の帰線に直接に接
続することができる。この装置においては、過渡電流
は、トランジスタスイッチングを通してのみ負荷両端間
で分流させることができるので、この装置における温度
上昇は、比較的低い値に保つことができる。ある実施例
においては、この分流端子を接続しないでおいておき、
この装置を2端子装置として使用することもできる。し
ばしば分流端子を他の装置に接続することが適当である
こともある。例えば、ラインにおける反射の発生を阻止
したり減少したりするために、この端子を、ラインおよ
び/または電気回路とほぼ同じインピーダンスを有する
負荷を介して帰線に接続することができる。かかる構成
は、たとえば、多数のスタブがメイン・バスから取出さ
れているローカル・エリア・ネットワーク(LAN)に使
用される。これらスタブに関連するいずれかの装置が故
障すると、これによってバス上の負荷を変化させる。そ
の結果、LAN全体が機能を停止する前に、限られた個数
の装置故障のみしか対処することができない。これに代
わり、もし本装置により整合した負荷を回路に接続すれ
ば、たとえ非常に多くの装置故障が発生したとしても、
LANは機能し続けるだろう。
あるいはまた、分流端子は、過渡状態吸収用負荷と接
続してもよい。電気回路における故障によって過電流が
生じそうな場合、第3の端子によって送出された信号を
バックアップ・システムにおいて切り替えることが適当
であることもある。分流スイッチング・トランジスタに
は過電流の全てを流す必要はないかもしれない。これに
代え、分流端子を、分流スイッチング・トランジスタよ
り大きな電流を流すことができる付加的な回路保護装
置、好ましくはサイリスタやトライアックのようなフォ
ールドバックないしはクロウバー(crowbar)装置に接
続して、上記付加的装置をトリガするようにしてもよ
い。
続してもよい。電気回路における故障によって過電流が
生じそうな場合、第3の端子によって送出された信号を
バックアップ・システムにおいて切り替えることが適当
であることもある。分流スイッチング・トランジスタに
は過電流の全てを流す必要はないかもしれない。これに
代え、分流端子を、分流スイッチング・トランジスタよ
り大きな電流を流すことができる付加的な回路保護装
置、好ましくはサイリスタやトライアックのようなフォ
ールドバックないしはクロウバー(crowbar)装置に接
続して、上記付加的装置をトリガするようにしてもよ
い。
直列トランジスタのパラメータの各々は温度と共に変
化し、制御トランジスタは通常の動作中は高抵抗状態に
なっているために、制御トランジスタの特性がスイッチ
ング・トランジスタの特性を支配する。直列制御トラン
ジスタのパラメータが変化すると、このトランジスタは
より低い電圧でオンになり、それにより、温度が上昇し
ても、本装置のトリップ電流は減少する。この効果は、
制御トランジスタのゲートおよびソースと並列に接続さ
れた抵抗に正の抵抗温度係数(PTC)をもたせることに
より、あるいはスイッチング・トランジスタのベースま
たはゲートに接続された抵抗に負の抵抗温度係数(NT
C)をもたせることにより、解消することができる。後
者の例は、構成をモノリシック・デバイスの形態にする
場合に好ましい。
化し、制御トランジスタは通常の動作中は高抵抗状態に
なっているために、制御トランジスタの特性がスイッチ
ング・トランジスタの特性を支配する。直列制御トラン
ジスタのパラメータが変化すると、このトランジスタは
より低い電圧でオンになり、それにより、温度が上昇し
ても、本装置のトリップ電流は減少する。この効果は、
制御トランジスタのゲートおよびソースと並列に接続さ
れた抵抗に正の抵抗温度係数(PTC)をもたせることに
より、あるいはスイッチング・トランジスタのベースま
たはゲートに接続された抵抗に負の抵抗温度係数(NT
C)をもたせることにより、解消することができる。後
者の例は、構成をモノリシック・デバイスの形態にする
場合に好ましい。
動作時においては、分流端子は、負荷両端間の過電流
を分流するために、電気回路の帰線に直接に接続する
か、あるいは例えば電話システムにおける平衡ペアの場
合には、大地電圧に接続する。この構成においては、過
渡電流は、フォールドバッグ・デバイスを通してのみ負
荷両端間で分流させ、あるいは接地させることができる
ので、本装置における電力消費は比較的低い値に保つこ
とができる。
を分流するために、電気回路の帰線に直接に接続する
か、あるいは例えば電話システムにおける平衡ペアの場
合には、大地電圧に接続する。この構成においては、過
渡電流は、フォールドバッグ・デバイスを通してのみ負
荷両端間で分流させ、あるいは接地させることができる
ので、本装置における電力消費は比較的低い値に保つこ
とができる。
本装置を交流回路で使用しようとする場合には、直列
スイッチング装置を整流ブリッジ回路を介してラインに
接続する。分流スイッチング・トランジスタを、ライン
と第3の端子との間に別個の整流ブリッジ回路を介して
接続するのが好ましい。あるいはまた、本発明に係る1
対の等価な回路保護装置を用い、これら2つの装置が異
なるサイクルの交流信号を扱うようにしてもよい。この
構成は、ブリッジダイオード両端間における電圧降下を
除去し、または減少させる利点を有する。
スイッチング装置を整流ブリッジ回路を介してラインに
接続する。分流スイッチング・トランジスタを、ライン
と第3の端子との間に別個の整流ブリッジ回路を介して
接続するのが好ましい。あるいはまた、本発明に係る1
対の等価な回路保護装置を用い、これら2つの装置が異
なるサイクルの交流信号を扱うようにしてもよい。この
構成は、ブリッジダイオード両端間における電圧降下を
除去し、または減少させる利点を有する。
本発明に係る過電流保護装置には、バイポーラ・トラ
ンジスタおよび/または電界効果トランジスタを用いて
もよい。バイポーラ・トランジスタを使用する場合に
は、トランジスタがオンにスイッチングされるときに要
求されるベース電流が少なくてすむように、スイッチン
グ・トランジスタとしてダーリントン(Darlington)配
置においてこれらバイポーラ・トランジスタを用いるの
が好ましい。このベース電流は、スイッチング・トラン
ジスタのベースとコレクタとの間に接続された抵抗を介
して供給されることが必要である。回路が阻止状態にス
イッチングされるときには、スイッチング・トランジス
タのベース電流は制御トランジスタ(この時点ではオン
状態)を通って流れ、漏れ電流となる。しかしながら、
本装置が阻止状態にあるとき、抵抗の両端間における電
圧降下は著しく大きく、漏れ電流はスイッチング・トラ
ンジスタのベース電流より大きな値となる。もし、スイ
ッチング・トランジスタとしてダーリントン・ペアない
しはトリプレットを使用した場合には、実効直流電流の
ゲインは相当に大きくなり、その結果、より大きな値の
抵抗値を用いることが可能となる。
ンジスタおよび/または電界効果トランジスタを用いて
もよい。バイポーラ・トランジスタを使用する場合に
は、トランジスタがオンにスイッチングされるときに要
求されるベース電流が少なくてすむように、スイッチン
グ・トランジスタとしてダーリントン(Darlington)配
置においてこれらバイポーラ・トランジスタを用いるの
が好ましい。このベース電流は、スイッチング・トラン
ジスタのベースとコレクタとの間に接続された抵抗を介
して供給されることが必要である。回路が阻止状態にス
イッチングされるときには、スイッチング・トランジス
タのベース電流は制御トランジスタ(この時点ではオン
状態)を通って流れ、漏れ電流となる。しかしながら、
本装置が阻止状態にあるとき、抵抗の両端間における電
圧降下は著しく大きく、漏れ電流はスイッチング・トラ
ンジスタのベース電流より大きな値となる。もし、スイ
ッチング・トランジスタとしてダーリントン・ペアない
しはトリプレットを使用した場合には、実効直流電流の
ゲインは相当に大きくなり、その結果、より大きな値の
抵抗値を用いることが可能となる。
電界効果トランジスタを使用する場合には、エンハン
スメント形MOSFETが好ましい。本装置を集積回路として
製造することができ、その場合には、スイッチング回路
(およびパルス発生回路)で使用される抵抗は、MOSFE
T、例えばNMOSロジックにおけるようにゲートおよびド
レインと接続されたMOSFETによって構成することができ
る。あるいはまた、スイッチング・トランジスタのベー
スあるいはゲート用の分圧器を共に構成する制御トラン
ジスタおよび抵抗は、相補形のn−チャンネルおよびp
−チャンネルの1対のFETをCMOSロジックの形態に接続
したものを用いることができる。
スメント形MOSFETが好ましい。本装置を集積回路として
製造することができ、その場合には、スイッチング回路
(およびパルス発生回路)で使用される抵抗は、MOSFE
T、例えばNMOSロジックにおけるようにゲートおよびド
レインと接続されたMOSFETによって構成することができ
る。あるいはまた、スイッチング・トランジスタのベー
スあるいはゲート用の分圧器を共に構成する制御トラン
ジスタおよび抵抗は、相補形のn−チャンネルおよびp
−チャンネルの1対のFETをCMOSロジックの形態に接続
したものを用いることができる。
1対のラインにより本装置が構成される場合には、本
装置は3端子構成配置として用いることができる。しか
しながら、1対の3端子構成配置が共通の第3の端子、
または共通の分流スイッチング構成配置を有するように
して、5端子構成配置を構成することができる。さらに
加えて、例えば平衡状態にある1対のラインを保護する
ために、4端子の装置を構成し、ここで分流スイッチン
グ回路は1対のライン両端間の異常電流を分流するよう
にしてもよい。
装置は3端子構成配置として用いることができる。しか
しながら、1対の3端子構成配置が共通の第3の端子、
または共通の分流スイッチング構成配置を有するように
して、5端子構成配置を構成することができる。さらに
加えて、例えば平衡状態にある1対のラインを保護する
ために、4端子の装置を構成し、ここで分流スイッチン
グ回路は1対のライン両端間の異常電流を分流するよう
にしてもよい。
本発明に係る装置は、ディスクリートな部品を用いて
作ってもよし、あるいは公知の技術を用いてモノリシッ
クに構成してもよい。
作ってもよし、あるいは公知の技術を用いてモノリシッ
クに構成してもよい。
図面の簡単な説明 本発明に係るいくつかの回路を添付図面を参照しなが
ら実施例により説明する。
ら実施例により説明する。
第1図は本発明に係る装置の一実施例を示す回路図で
ある。
ある。
第2図は第1図に示した装置の変形例を示す回路図で
ある。
ある。
第3図は本発明に係る装置の変形例を示す回路図であ
る。
る。
発明を実施するための最良の形態 第1図は、本発明に係る回路保護装置を示すものであ
り、直流回路に用いて好適であり、3つの端子1,2およ
び3を有している。この装置は、直列回路のラインに端
子1および2を接続してその回路のラインに直列に接続
するとともに、端子3を、帰線,二次負荷またはバック
アップシステムに接続する。あるいはまた、端子3を、
必要に応じて二次負荷を介して、分離点または大地電位
点と接続してもよい。
り、直流回路に用いて好適であり、3つの端子1,2およ
び3を有している。この装置は、直列回路のラインに端
子1および2を接続してその回路のラインに直列に接続
するとともに、端子3を、帰線,二次負荷またはバック
アップシステムに接続する。あるいはまた、端子3を、
必要に応じて二次負荷を介して、分離点または大地電位
点と接続してもよい。
本装置は、ラインに直列に接続されたスイッチング・
トランジスタ4を具えた直列スイッチング回路を有して
いる。このスイッチング・トランジスタ4のゲートは分
圧器に接続され、その分圧器がスイッチング・トランジ
スタ4の両端に接続され、その分圧器は1MΩの抵抗5お
よび制御トランジスタ6から構成される。制御トランジ
スタ6のゲートは、2つの1MΩの抵抗7および8から構
成されるとともにスイッチング・トランジスタ4の両端
に接続されたもう一つの分圧器に接続されて、制御トラ
ンジスタ6のゲート電圧がスイッチング・トランジスタ
4の両端間の電圧降下の半分に保持されるようにする。
トランジスタ4を具えた直列スイッチング回路を有して
いる。このスイッチング・トランジスタ4のゲートは分
圧器に接続され、その分圧器がスイッチング・トランジ
スタ4の両端に接続され、その分圧器は1MΩの抵抗5お
よび制御トランジスタ6から構成される。制御トランジ
スタ6のゲートは、2つの1MΩの抵抗7および8から構
成されるとともにスイッチング・トランジスタ4の両端
に接続されたもう一つの分圧器に接続されて、制御トラ
ンジスタ6のゲート電圧がスイッチング・トランジスタ
4の両端間の電圧降下の半分に保持されるようにする。
本装置は、端子3に接続された分流スイッチング回路
をも有し、この場合スイッチング回路は端子1および3
間の電流の流れを制御する分流スイッチング・トランジ
スタ9を有する。分流スイッチング・トランジスタ9の
ゲートは、スイッチング・トランジスタ9の両端に接続
されるとともに1MΩの抵抗10および分流制御トランジス
タ11から構成された分圧器と接続されている。分流制御
トランジスタ11のゲートは、トランジスタ4のゲートと
同一の分圧器に接続されている。本装置で使用されてい
る全てのトランジスタは、エンハンスメント形MOSFETで
ある。
をも有し、この場合スイッチング回路は端子1および3
間の電流の流れを制御する分流スイッチング・トランジ
スタ9を有する。分流スイッチング・トランジスタ9の
ゲートは、スイッチング・トランジスタ9の両端に接続
されるとともに1MΩの抵抗10および分流制御トランジス
タ11から構成された分圧器と接続されている。分流制御
トランジスタ11のゲートは、トランジスタ4のゲートと
同一の分圧器に接続されている。本装置で使用されてい
る全てのトランジスタは、エンハンスメント形MOSFETで
ある。
動作時には、端子1および2は、回路のラインと接続
される。回路に電流が全く流れていないときには、全て
のトランジスタは高抵抗ないしは“オフ”状態にあるの
で、本装置の直列抵抗は、抵抗7および8により約2MΩ
となる。電圧が上昇するとき、トランジスタ6はオフ状
態で1012Ωオーダーの抵抗値を示し、したがって、トラ
ンジスタ4のゲートは入力電圧に保持されるから、供給
端子1の電圧がトランジスタ4のスイッチ・オンしきい
値に達するまで電流が流れることはない。この電圧はい
ったんしきい値を超えると、トランジスタ4は導通状態
になり、そのV/I特性は、トランジスタ4のオン状態に
おける抵抗値と等価な抵抗のラインに従うが、このV/I
特性にはトランジスタ4のスイッチ・オンしきい値だけ
のオフセット電圧(約2V)が生ずる。供給電圧がこのよ
うなレベルにある場合には、トランジスタ4のゲート電
圧と同じゲート電圧に維持されているトランジスタ11は
オン状態にあり、これによって、分流スイッチング・ト
ランジスタは零バイアスされ、したがってオフ状態にあ
る。本装置は、代表的には、2Vの電圧降下をともなう20
0mΩの直列抵抗と、通常の動作状態における1MΩの分流
抵抗とを有している。
される。回路に電流が全く流れていないときには、全て
のトランジスタは高抵抗ないしは“オフ”状態にあるの
で、本装置の直列抵抗は、抵抗7および8により約2MΩ
となる。電圧が上昇するとき、トランジスタ6はオフ状
態で1012Ωオーダーの抵抗値を示し、したがって、トラ
ンジスタ4のゲートは入力電圧に保持されるから、供給
端子1の電圧がトランジスタ4のスイッチ・オンしきい
値に達するまで電流が流れることはない。この電圧はい
ったんしきい値を超えると、トランジスタ4は導通状態
になり、そのV/I特性は、トランジスタ4のオン状態に
おける抵抗値と等価な抵抗のラインに従うが、このV/I
特性にはトランジスタ4のスイッチ・オンしきい値だけ
のオフセット電圧(約2V)が生ずる。供給電圧がこのよ
うなレベルにある場合には、トランジスタ4のゲート電
圧と同じゲート電圧に維持されているトランジスタ11は
オン状態にあり、これによって、分流スイッチング・ト
ランジスタは零バイアスされ、したがってオフ状態にあ
る。本装置は、代表的には、2Vの電圧降下をともなう20
0mΩの直列抵抗と、通常の動作状態における1MΩの分流
抵抗とを有している。
過渡的な過電流ないしは回路故障に起因してスイッチ
ング・トランジスタ4の両端間の電圧降下が増大する
と、制御トランジスタ6のスイッチ・オンしきい値に到
達するまで、トランジスタ6のゲート電圧が上昇し、し
きい値を超えたとき、スイッチング・トランジスタ4の
ゲート電圧はそのソース電圧の値に向けて下降し、トラ
ンジスタ4はオフ状態に変化する。それと同時に、分流
制御トランジスタ11のゲート電圧はほぼそのソース電圧
にまで下降し、トランジスタ11がオフ状態に変化し、そ
れにより分流スイッチング・トランジスタ9のゲートが
順方向にバイアスされて、このトランジスタ9をオン状
態に変化させることになる。直列スイッチング・トラン
ジスタ4のオフ状態における電圧降下はオン状態におけ
るときよりも大きいため、直列制御トランジスタ6は順
方向バイアス状態に保持され、これによって、本装置
は、直列スイッチング・トランジスタ4がオフ状態にあ
り、および分流スイッチング・トランジスタ9がオン状
態にある状態で、そのトリップされた状態に永久に保持
されることになる。
ング・トランジスタ4の両端間の電圧降下が増大する
と、制御トランジスタ6のスイッチ・オンしきい値に到
達するまで、トランジスタ6のゲート電圧が上昇し、し
きい値を超えたとき、スイッチング・トランジスタ4の
ゲート電圧はそのソース電圧の値に向けて下降し、トラ
ンジスタ4はオフ状態に変化する。それと同時に、分流
制御トランジスタ11のゲート電圧はほぼそのソース電圧
にまで下降し、トランジスタ11がオフ状態に変化し、そ
れにより分流スイッチング・トランジスタ9のゲートが
順方向にバイアスされて、このトランジスタ9をオン状
態に変化させることになる。直列スイッチング・トラン
ジスタ4のオフ状態における電圧降下はオン状態におけ
るときよりも大きいため、直列制御トランジスタ6は順
方向バイアス状態に保持され、これによって、本装置
は、直列スイッチング・トランジスタ4がオフ状態にあ
り、および分流スイッチング・トランジスタ9がオン状
態にある状態で、そのトリップされた状態に永久に保持
されることになる。
第2図は、第1図に示した回路の変形例を示すもの
で、ここでは電界効果トランジスタがバイポーラ・トラ
ンジスタで置き換えられ、および直列スイッチング・ト
ランジスタ4と分流スイッチング・トランジスタ9とに
対しては、電界効果トランジスタがダーリントン接続さ
れた1対のトランジスタで置き換えられている。さら
に、1μFのコンデンサ12が抵抗8と並列に配設されて
いる。コンデンサ12は電流の短い過渡状態による本装置
のトラップを防止している。所望に応じて、コンデンサ
の値を1μF以下に設定することができ、この場合、か
かる装置は、例えばタングステン・フィラメントの電球
とともに使用するのに十分な時定数を付与することにな
る。
で、ここでは電界効果トランジスタがバイポーラ・トラ
ンジスタで置き換えられ、および直列スイッチング・ト
ランジスタ4と分流スイッチング・トランジスタ9とに
対しては、電界効果トランジスタがダーリントン接続さ
れた1対のトランジスタで置き換えられている。さら
に、1μFのコンデンサ12が抵抗8と並列に配設されて
いる。コンデンサ12は電流の短い過渡状態による本装置
のトラップを防止している。所望に応じて、コンデンサ
の値を1μF以下に設定することができ、この場合、か
かる装置は、例えばタングステン・フィラメントの電球
とともに使用するのに十分な時定数を付与することにな
る。
第3図は、装置の変形例を示すものであり、例えば電
話装置に用いることができる。この装置においては、分
流ライン15を2つのサイリスタから構成されたトライア
ック17のベースに接続する。
話装置に用いることができる。この装置においては、分
流ライン15を2つのサイリスタから構成されたトライア
ック17のベースに接続する。
この回路においては、分流制御トランジスタ11のベー
スが、第2図に示したようには直列スイッチング・トラ
ンジスタ4のベースとは接続されておらず、その代りに
トランジスタ6'と抵抗5'とから構成されたさらに別の分
圧器に接続されている。また、トランジスタ6'のベース
は、抵抗7'と8'から構成された他の分圧器に接続されて
いる。
スが、第2図に示したようには直列スイッチング・トラ
ンジスタ4のベースとは接続されておらず、その代りに
トランジスタ6'と抵抗5'とから構成されたさらに別の分
圧器に接続されている。また、トランジスタ6'のベース
は、抵抗7'と8'から構成された他の分圧器に接続されて
いる。
本装置に過渡状態が生じると、直列スイッチング・ト
ランジスタ4は上述したようにオフにスイッチングさ
れ、分流スイッチング・トランジスタ9はオンになる。
これにより、過電流の一部がトライアック17のベースに
流入し、このトライアック17をオンにスイッチングす
る。
ランジスタ4は上述したようにオフにスイッチングさ
れ、分流スイッチング・トランジスタ9はオンになる。
これにより、過電流の一部がトライアック17のベースに
流入し、このトライアック17をオンにスイッチングす
る。
抵抗5',7'および8'とトランジスタ6'とから構成され
る第2の分圧器回路を使用する目的は、分流スイッチン
グ回路を制御するとともに、スイッチング電流が回路の
負荷に依存しないようにすることにある。
る第2の分圧器回路を使用する目的は、分流スイッチン
グ回路を制御するとともに、スイッチング電流が回路の
負荷に依存しないようにすることにある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 米国特許4110809(US,A) 西独国特許出願公開3725390(DE, A1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H02H 3/087 H02H 3/08
Claims (21)
- 【請求項1】回路のラインに接続可能であって、 過電流が生じると開放状態にスイッチングする直列スイ
ッチング回路と、 通常の動作状態では開放されているが、前記直列スイッ
チング回路によってトリガされたときに前記回路の負荷
の両端子間またはグランドに過電流を分流させる分流ス
イッチング回路と を具えたことを特徴とする回路保護装置。 - 【請求項2】前記直列スイッチング回路は直列スイッチ
ング・トランジスタを含み、前記装置は前記直列スイッ
チング・トランジスタと直列に接続された抵抗性コンポ
ーネントを有せず、前記直列スイッチング回路の両端子
間の電圧降下は前記直列スイッチング・トランジスタの
コレクタ−エミッタ間あるいはドレイン−ソース間電圧
降下および整流ダイオードが設けられているときにはそ
の整流ダイオードにのみ起因するようにしたことを特徴
とする請求の範囲第1項に記載の装置。 - 【請求項3】前記直列スイッチング回路は、前記直列ス
イッチング・トランジスタのベースまたはゲート電圧を
決定する直列制御トランジスタを含むことを特徴とする
請求の範囲第2項に記載の装置。 - 【請求項4】前記直列制御トランジスタのベースまたは
ゲートは、前記直列スイッチング・トランジスタの両端
子間に接続された分圧器の分圧出力点に接続されている
ことを特徴とする請求の範囲第3項に記載の装置。 - 【請求項5】前記分流スイッチング回路は、前記回路の
ラインと帰線もしくはグランドとの間に接続された電圧
フォールドバック・デバイスを具えたことを特徴とする
請求の範囲第1項ないし第4項のいずれかに記載の装
置。 - 【請求項6】前記フォールドバッグ・デバイスはサイリ
スタまたはトライアックであることを特徴とする請求の
範囲第5項に記載の装置。 - 【請求項7】前記分流スイッチング回路は前記フォール
ドバッグ・デバイスと直列に接続された抵抗性コンポー
ネントを有せず、前記ラインと帰線もしくはグランドと
の間の電圧降下は前記フォールドバッグ・デバイス両端
子間の電圧降下にのみ起因することを特徴とする請求の
範囲第5項または第6項に記載の装置。 - 【請求項8】前記分流スイッチング回路は、ラインから
前記フォールドバッグ・デバイスに電流を切り換えて前
記フォールドバッグ・デバイスをトリガするように配設
された分流スイッチング・トランジスタを含むことを特
徴とする請求の範囲第5項ないし第7項のいずれかに記
載の装置。 - 【請求項9】前記分流スイッチング回路は、前記分流ス
イッチング・トランジスタのベースまたはゲートのバイ
アスを制御するとともに、そのベースまたはゲートの電
圧が前記直列スイッチング回路の両端子間の電圧降下に
依存する分流制御トランジスタを含むことを特徴とする
請求の範囲第8項に記載の装置。 - 【請求項10】前記分流スイッチング・トランジスタの
ベースまたはゲートは、前記直列スイッチング回路の両
端子間に接続された分圧器を有し、その分圧器の一腕に
前記直列制御トランジスタを具えたことを特徴とする請
求の範囲第9項に記載の装置。 - 【請求項11】保護されるべき回路のラインに直列に接
続可能であって、通常の回路電流は通過させるが、過電
流が発生すると阻止状態にスイッチングする直列スイッ
チング回路を具えた回路保護装置であって、 前記回路保護装置は、分流スイッチング回路に接続され
た分流端子を含み、 前記分流スイッチング回路は、分流スイッチング・トラ
ンジスタおよび分流制御トランジスタを含み、 前記分流制御トランジスタは、前記分流スイッチング・
トランジスタのベースまたはゲートのバイアスを制御
し、前記分流制御トランジスタのベースまたはゲートの
電圧は前記直列スイッチング回路の両端子間の電圧降下
に依存し、 通常の回路状態においては前記分流スイッチング・トラ
ンジスタは阻止状態にあるが、前記直列スイッチング回
路が阻止状態にスイッチングすると前記分流スイッチン
グ・トランジスタが導通状態にバイアスされるようにし
たことを特徴とする回路保護装置。 - 【請求項12】前記直列スイッチング回路は、前記直列
スイッチング回路を流れる電流を制御する直列スイッチ
ング・トランジスタを含むことを特徴とする請求の範囲
第11項に記載の装置。 - 【請求項13】前記直列スイッチング・トランジスタは
直列制御トランジスタにより制御され、該直列制御トラ
ンジスタのベースまたはゲート電圧は前記直列スイッチ
ング・トランジスタの両端子間の電圧降下に依存し、前
記直列スイッチング・トランジスタの両端子間の電圧降
下が増大すると、前記直列制御トランジスタの順方向バ
イアスが増大して、前記直列制御トランジスタが低抵抗
状態になることによって前記直列スイッチング・トラン
ジスタが高抵抗状態にスイッチングするようにしたこと
を特徴とする請求の範囲第12項に記載の装置。 - 【請求項14】前記分流制御トランジスタのベースまた
はゲートを、前記直列スイッチング回路の両端子間に接
続された分圧器に接続し、該分圧器を構成する一つのア
ームとして前記直列制御トランジスタを具えたことを特
徴とする請求の範囲第13項に記載の装置。 - 【請求項15】前記直列スイッチング・トランジスタと
直列に接続された抵抗性コンポーネントをもたないこと
を特徴とする請求の範囲第13項または第14項に記載の装
置。 - 【請求項16】分流端子が帰線に直接に接続されている
ことを特徴とする請求の範囲第11項ないし第15項のいず
れかに記載の装置。 - 【請求項17】前記分流端子は、ラインのインピーダン
スとほぼ同じインピーダンスを有する負荷を介して前記
帰線に接続されることを特徴とする請求の範囲第11項な
いし第15項のいずれかに記載の装置。 - 【請求項18】前記分流端子は、過電流が発生すると動
作するようになっているバックアップ回路と接続される
ことを特徴とする請求の範囲第11項ないし第15項のいず
れかに記載の装置。 - 【請求項19】前記分流端子は、過渡状態を吸収する負
荷に接続されていることを特徴とする請求の範囲第11項
ないし第16項のいずれかに記載の装置。 - 【請求項20】整流ブリッジ回路を介してラインと接続
されることを特徴とする請求の範囲第1項ないし第19項
のいずれかに記載の装置。 - 【請求項21】請求の範囲第1項ないし第20項のいずれ
かに記載された装置を一対具え、一対の電流伝送ライン
に直列に接続されるように構成して、いずれかのライン
に生じた過電流を回路の負荷の両端子間あるいは共通の
グランドに分流するようにしたことを特徴とする回路保
護ユニット。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB909022236A GB9022236D0 (en) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | Circuit protection arrangement |
GB909022237A GB9022237D0 (en) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | Circuit protection arrangement |
GB9022236.5 | 1990-10-12 | ||
GB9022237.3 | 1990-10-12 | ||
PCT/GB1991/001760 WO1992007402A1 (en) | 1990-10-12 | 1991-10-10 | Circuit protection arrangement |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06502062A JPH06502062A (ja) | 1994-03-03 |
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Family
ID=26297795
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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---|---|
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EP (1) | EP0552273B1 (ja) |
JP (1) | JP3270465B2 (ja) |
KR (1) | KR930702811A (ja) |
CN (1) | CN1050459C (ja) |
AT (1) | ATE146313T1 (ja) |
AU (1) | AU663473B2 (ja) |
BR (1) | BR9106976A (ja) |
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DE (1) | DE69123598T2 (ja) |
DK (1) | DK0552273T3 (ja) |
ES (1) | ES2096664T3 (ja) |
GR (1) | GR3022003T3 (ja) |
IE (1) | IE913602A1 (ja) |
NO (1) | NO931327D0 (ja) |
PT (1) | PT99196B (ja) |
WO (1) | WO1992007402A1 (ja) |
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GB9100283D0 (en) * | 1991-01-07 | 1991-02-20 | Raychem Ltd | Overcurrent protection device |
JP3283964B2 (ja) * | 1992-06-09 | 2002-05-20 | ロックウェル・インターナショナル・コーポレイション | モデムサージ保護回路およびサージ保護方法 |
TW264598B (ja) * | 1992-07-01 | 1995-12-01 | Ray Chem Ltd | |
GB9213992D0 (en) * | 1992-07-01 | 1992-08-12 | Raychem Ltd | Remotely actuated switch and protection circuit |
GB9218134D0 (en) * | 1992-08-26 | 1992-10-14 | Raychem Sa Nv | Communication channel switching arrangement |
DE59303075D1 (de) * | 1993-04-15 | 1996-08-01 | Siemens Ag | Ausgabe-Treiberschaltung mit freischaltbarem Ausgang |
KR100202195B1 (ko) * | 1996-09-03 | 1999-06-15 | 문정환 | 과전원 차단 회로 |
DE19739246A1 (de) * | 1997-09-08 | 1999-03-11 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung und Verfahren zum Überlastschutz für ein Schaltelement |
GB9820132D0 (en) | 1998-09-16 | 1998-11-11 | Raychem Ltd | Battery over-discharge protection |
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FI20002021A (fi) * | 2000-09-13 | 2002-03-14 | Nokia Corp | Suojaus vikatilanteita vastaan telekommunikaatioverkossa |
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