KR100202195B1

KR100202195B1 - 과전원 차단 회로

Info

Publication number: KR100202195B1
Application number: KR1019960037948A
Authority: KR
Inventors: 장철상
Original assignee: 문정환; 엘지반도체주식회사
Priority date: 1996-09-03
Filing date: 1996-09-03
Publication date: 1999-06-15
Also published as: DE19708206A1; US5946270A; KR19980019738A; JPH10150718A; KR100216268B1; JP2923767B2

Abstract

본 발명은 전원의 불안정으로 인해 순간적인 전원 전압의 상승함으로 인해 전원 공급이 필요한 후단의 시스템 또는 부하 측에 충격을 주는 것을 방지하기 위하여 전원전압이 일정 범위를 벗어나는 경우 이를 검출하여 전원과 시스템간의 전원 공급로를 자동으로 차단함으로써 시스템에 충격이 가해지는 것을 방지하기 위한 전원차단회로에 관한 것으로: 입력되는 제어신호에 따라 전원발생수단에서 전력 소모형 장치에 제공되는 전원의 공급로를 개폐하는 전원전송로 개폐수단과; 상기 전원발생수단으로부터 발생되는 전원의 크기가 설정된 정상 전압범위의 이상으로 변동하여 이상전압이 발생되는 경우 이를 감지하는 전압 감지수단; 상기 전압감지수단에서 이상 전압이 발생되는 경우 출력하는 감지신호에 따라 상기 전압감지수단에서 상기 전원전송로 개폐수단에 제공하는 구동 제어신호를 전송차단 제어신호로 변환시키는 제어신호 변환수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 과전원 차단회로를 제공하는 것이다.

Description

과전원 차단회로

제1도는 종래 과전원 차단 방식을 설명하기 위한 예시도.

제2도는 본 발명에 따른 과전원 차단 회로의 구성도.

제3도는 본 발명에 따른 과전원 차단 회로의 동작을 설명하기 위한 전원전압 파형 예시도.

제4도와 제5도는 과전압 검출부의 각각 다른 실시예의 구성도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

R1R8 : 저항 N1, N2 : NMOS

10 : 부하 P1 : PMOS

LED : 발광 다이오드

본 발명은 과전원 차단 회로에 관한 것으로, 특히 전원의 불안정으로 인해 순간적인 전원 전압이 상승하여 시스템에 충격을 주는 것을 방지하기 위하여 전원전압이 일정 범위를 벗어나는 경우 이를 검출하여 전원과 시스템간의 전원 공급로를 자동으로 차단함으로써 시스템에 충격이 가해지는 것을 방지하기 위한 과전원 차단회로에 관한 것이다.

일반적으로, 불안전한 전원 상태 또는 순간 과전압(예를 들어, 서지전원) 등으로부터 특정 부하(10)를 보호하기 위하여 가장 많이 사용되는 방식이 전원공급로에 퓨즈(F)를 사용하는 것인데, 이러한 방식은 첨부한 제1(a) 도에 도시되어 있는바와 같다. 이러한 방식을 반도체 소자에 적용하는 경우 사용되는 퓨즈는 첨부한 제1(b) 도에 도시되어 있는 바와 같다.

상기 제1(a)도에 도시되어 있는 바와 같이 퓨즈를 사용하는 종래의 방식은 불안정한 전원으로 인해 과도한 전류 또는 전압이 걸리는 경우 퓨즈(F)가 단선되어 후단에 위치하는 부하(10)로 과전원이 공급되지 않도록 하는 방식이다.

이러한 방식을 반도체 회로에 적용시킨 경우 즉, 제1(b) 도에 도시되어 있는 메탈 퓨즈도 상술한 일반 퓨즈와 같이 좁아진 메탈 영역(Fa)이 단선되도록 구현되어 있다.

그러나 실제로 반도체 내부에 형성되는 메탈 퓨즈의 경우는 한번 끊어지면 복구가 영원히 불가능하여 해당 반도체를 폐기하게 됨으로써 실용성이 떨어지는 문제점이 발생되었다. 또한, 첨부한 제1(a) 도에 도시되어 있는 형태의 퓨즈도 단선 후 사용자가 이것을 교체하여야 한다는 번거로움이 문제점으로 제시되었다.

상술한 바와 같은 일반적인 퓨즈의 문제점을 해소하기 위한 본 발명의 제1 목적은, 전원의 불안정으로 인해 순간적인 전원 전압의 상승함으로 인해 전원공급이 필요한 후단의 시스템 또는 부하 측에 충격을 주는 것을 방지하기 위하여 전원전압이 일정 범위를 벗어나는 경우 이를 검출하여 전원과 시스템간의 전원 공급로를 자동으로 차단함으로써 시스템에 충격이 가해지는 것을 방지하기 위한 전원 차단회로를 제공하는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은, 전원을 발생시키는 전원발생수단과 상기 전원발생수단에서 제공되는 전원을 구동원으로 하여 동작하는 전력 소모형 부하를 구비하고 있는 시스템에서의 과전원 차단 장치에 있어서, 입력되는 제어신호에 따라 전원발생수단에서 전력 소모형 장치에 제공되는 전원의 공급로를 개폐하는 전원전송로 개폐수단과, 상기 전원발생수단으로부터 발생되는 전원의 크기가 설정된 정상 전압범위의 이상으로 변동하여 이상전압이 발생되는 경우 이를 감지하는 전압 감지수단, 및 상기 전압감지수단에서 이상 전압이 발생되는 경우 출력하는 감지신호에 따라 상기 전압감지수단에서 상기 전원전송로 개폐수단에 제공하는 구동제어신호를 전송차단 제어신호로 변환시키는 제어신호 변환수단을 포함하는데 있다.

상기 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명의 부가적인 특징은 상기 제어신호 변환수단의 동작시 이를 감지하여 사용자에게 경고하는 과전압 발생 경고수단을 더 포함하는데 있다.

상기 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명의 부가적인 특징으로 상기 과전압 발생 경고수단은 상기 제어신호 변환수단의 동작으로 인해 상기 구동 제어신호가 전송차단 제어신호로 변화되는 경우 온동작하는 스위칭 수단과 상기 스위칭 수단의 온동작시 상기 전원전송로 개폐수단에 입력되는 전원을 입력받아 빛을 발생시키는 발광수단으로 구성된다.

상기 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 부가적인 특징으로 상기 전압 감지수단은 상기 전원발생수단에서 전압이 발생하는 가를 검출하는 전압발생 인식수단과, 상기 전원발생수단에서 발생되는 전압의 과도여부를 검출하는 과전압인식수단으로 구성된다.

상기 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 부가적인 특징으로 상기 전압 발생 인식수단은 전압강하폭이 작은 제1 전압강하 수단과 상대적으로 전압강하폭이 매우 큰 제2 전압강하 수단이 직렬로 연결되어 있으며, 직렬 연결된 상태의 전압강하 수단들이 상기 전원발생수단에 병렬 연결되어 있다.

상기 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 부가적인 특징으로는 상기 전압발생 인식수단을 구성하는 상기 제1, 제2 전압강하 수단들은 저항으로 구성되며, 제2 전압강하 수단으로 사용된 저항에 걸리는 전압을 출력한다.

상기 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 부가적인 특징으로 상기 과전압 인식수단은 전압강하폭이 매우 큰 제3 전압강하 수단과 상대적으로 전압강하폭이 매우 작은 제4 전압강하 수단이 직렬로 연결되어 있으며, 직렬 연결된 상태의 전압강하 수단들이 상기 전원발생수단에 병렬 연결되어 있다.

상기 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 부가적인 특징으로 상기 과전압 인식수단을 구성하는 상기 제3, 제4 전압강하 수단들은 저항으로 구성되며, 제4 전압강하 수단에 걸리는 전압을 과전압 인식신호로 출력한다.

상기 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 부가적인 특징은 상기 과전압인식수단은 전압강하폭이 매우 큰 제3 전압강하 수단과 상대적으로 전압강하폭이 매우 작은 제4 전압강하 수단이 직렬로 연결되어 있으며, 상기 제4 전압강하 수단에 걸리는 전압을 다단의 전압강하형 스위칭 수단을 통해 출력한다.

상기 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 부가적인 특징으로 상기 과전압 인식수단은 전압강하폭이 매우 큰 제3 전압강하 수단과 상대적으로 전압강하폭이 매우 작은 제4 전압강하 수단이 직렬로 연결되어 있으며, 상기 제4 전압강하수단에 걸리는 전압을 직렬 연결된 전압강하폭이 매우 큰 제5 전압강 수단과 상대적으로 전압강하폭이 매우 작은 제6 전압강하 수단에 의하여 재분압되어 상기 제6 전압강하 수단에 걸리는 전압이 출력된다.

상기 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 부가적인 특징으로 상기 전원전송로 개폐수단은 드레인 단자에 상기 전원발생수단의 일단이 연결되며 있으며 소스단자가 상기 전력소모형 장치의 전원 입력단에 연결되고 온/오프 동작을 제어하는 게이트 단자에는 상기 전압발생 인식수단의 출력신호가 입력되는 NMOS를 사용한다.

상기 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 부가적인 특징으로 상기 제어신호 변환수단은 상기 과전압 인식수단의 출력신호를 게이트단자에 입력받아 온/오프 동작하며 온 동작시 드레인 단자에 걸리는 상기 전압발생 인식수단의 출력신호를 풀다운함으로써 상기 전원전송로 개폐수단을 오프 동작시키는 NMOS를 사용한다.

상기 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 특징은, 외부의 전원발생수단에서 제공되는 전원을 구동원으로 하여 동작하는 전력 소모형 부하를 구비하고 있는 반도체 칩에서의 과전원 차단회로에 있어서, 입력되는 제어신호에 따라 전원발생수단에서 전력 소모형 장치에 제공되는 전원의 공급로를 개폐하는 전원전송로 개폐수단과, 상기 전원발생수단으로부터 발생되는 전원의 크기가 설정된 정상 전압범위의 이상으로 변동하여 이상전압이 발생되는 경우 이를 감지하는 전압감시수단과, 상기 전압감지수단에서 이상 전압이 발생되는 경우 출력하는 감지신호에 따라 상기 전압감지수단에서 상기 전원전송로 개폐수단에 제공하는 구동제어신호를 전송차단 제어신호로 변화시키는 제어신호 변화수단, 및 상기 제어신호 변환수단의 동작시 이를 감지하여 사용자에게 경고하는 과전압 발생 경고수단을 포함하는데 있다.

상기 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 특징에 부가적인 특징으로 상기 과전압 발생 경고수단은 상기 제어신호 변환수단의 동작으로 인해 상기 구동 제어신호가 전송차단 제어신호로 변환되는 경우 온동작하는 스위칭 수단과, 상기 스위칭 수단의 온동작시 상기 전원전송로 개폐수단에 입력되는 전원을 입력받아 빛을 발생시키는 발광수단으로 구성되되 상기 발광수단은 반도체 칩 외부에 구성된다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.

제2도는 본 발명에 따른 과전원 차단회로의 구성도로서, 전원을 발생시키는 전원발생부(P)의 양단에 병렬 연결되어 있으며, 상기 전원발생부(P)로부터 발생되는 전원의 크기가 설정된 정상 전압범위 이상으로 변동하는 경우 이를 감지하는 전압감지부(SV)와, 드레인 단자에 상기 전원발생부(P)의 일단이 연결되어 있으며 구동전원이 필요한 부하(10)의 전원 입력단에 소스단자가 연결되고 게이트 단자에 입력되는 구동신호에 따라 온/오프 동작하는 제2 NMOS(N2)와, 상기 제2 NMOS(N2)의 게이트 단자에 입력되는 신호를 드레인 단자에 입력받고 상기 전압감지부(SV)에서 출력되는 이상전압 감지신호를 게이트 단자에 입력받아 온/오프 동작하며 온동작시 상기 제2 NMOS(N2)의 구동신호를 풀다운시켜 상기 제2 NMOS(N2)를 오프 동작시키는 제1 NMOS(N1)와, 상기 제2 NMOS(N2)의 게이트 단자에 입력되는 신호를 게이트 단자에 입력받아 상기 제2 NMOS(N2)와 반동하여 동작하는 제1 PMOS(P1)와, 상기 제1 PMOS(P1)의 온동작시 상기 제2 NMOS(N2)의 드레인 단자에 입력되는 신호를 입력받아 상기 제1 PMOS(P1)의 소스단자에 입력함으로써 발광 동작하는 발광다이오드(LED) 및 상기 제1 NMOS(N2)의 드레인 단자와 발광 다이오드(LED)의 입력단을 연결하는 제5 저항(R5)으로 구성된다.

상기 전원감지부(SV)의 구성은 네 개의 저항(R1R4)이 두 개씩 각각 직렬 연결되고 직렬 연결된 두 개의 저항군은 상기 전원발생부(P)에 각각 병렬 연결된다.

상기 전압감지부(SV)를 구성하고 있는 저항 중 직렬 연결된 제1, 제2 저항(R1, R2)에서 제1 저항(R1)의 저항치가 제2 저항(R2)의 저항치에 비하여 상대적으로 매우 작으며, 그로 인해 상기 전원발생부(P)에서 전압이 발생하는 가를 검출하는 역할을 수행한다. 왜냐하면, 상기 제1 저항(R1)과 제2 저항(R2)의 저항비에 따라 상기 전원발생부(P)에서 발생되는 전압이 대부분 상기 제2 저항(R2)에 걸리게 되어, 상기 전원발생부(P)에서 예를 들어 5V의 전압이 발생하는 경우 상기 제2 저항(R2)에 걸리는 전압도 거의 5V의 전압상태를 유지한다.

또한 전압감지부(SV)를 구성하고 있는 저항중 직렬 연결된 제3, 제4 저할(R3, R4)에서 제3 저항(R3)의 저항치가 제4 저항(R4)의 저항치에 비하여 상대적으로 매우 크며, 그로 인해 상기 전원발생부(P)에서 과전압이 발생하는가를 검출하는 역할을 수행한다. 왜냐하면, 상기 제3 저항(R3)과 제4 저항(R4)의 저항비에 따라 상기 전원발생부(P)에서 발생되는 전압이 대부분 상기 제3 저항(R3)에 걸리게되어 상기 전원발생부(P)에서 예를 들어 5V의 전압이 발생하는 경우 상기 제4 저항(R4)에 걸리는 전압은 거의 0.7V 미만의 전압상태를 유지하게 된다.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 과전원 차단장치의 동작을 첨부한 제3도를 참조하여 살펴보면, 전원발생부(P)에서 발생되는 전원전압이 이상전압(Vdg)을 벗어나지 않는 경우에는 제1 저항(R1)과 제2 저항(R2)에 의하여 분압된 전위가 상기 제1, 제2 저항(R1, R2)의 저항치에 따른 전압강하 현상에 의해 하이상태가 된다(R1R2). 그에 따라, 제2 NMOS(N2)는 온동작하게 되어 상기 전원발생부(P)에서 발생되는 전원전압이 부하(10)에 전달된다.

반면에, 만약 상기 전원발생부(P)에서 발생되는 전원전압이 이상전압(Vdg)의 범위를 벗어나는 경우 즉, 제3도에 도시되어 있는 ⓓ에서 ⓔ까지의 구간에 대응하는 과전압이 발생되면, 제3 저항(R3)과 제4 저항(R4)에 의하여 분압된 전위가 상기 제3, 제4 저항(R3, R4)의 저항치에 따른 전압강하 현상에 의해 하이상태가 된다(R3R4). 그에 따라 제1 NMOS(N1)는 온동작하게 되어 상기 제2 NMOS(N2)의 게이트단자에 전달되던 상기 제1, 제2 저항(R1, R2)의 분압전위를 접지전위로 변화 시키게 된다.

그에 따라, 상기 제2 NMOS(N2)의 게이트단자에 입력되는 신호의 전위가 로우상태가 되어 상기 제2 NMOS(N2)는 오프동작하게 된다. 그러므로 상기 전원발생부(P)에서 발생되는 과전압이 상기 부하(10)에 전달되는 것을 차단하게 된다.

이때, 상기 제2 NMOS(N2)의 게이트 단자를 게이트 단자로 사용하는 제1 PMOS(P1)는 게이트 단자에 로우신호가 입력됨에 따라 온동작되어 상기 제2 NMOS(N2)의 드레인 단자에 인가되던 전원을 제5 저항(R5)과 발광다이오드(LED)를 통해 소스단자에 입력받아 드레인 단자와 연결되어 있는 접지로 도통시킨다.

상기 제1 PMOS(P1)의 온동작으로 인해 전류가 흐르게 되는 상기 발광다이오드(LED)는 빛을 발산하여 사용자에게 과전압이 발생되었음을 경고하게 된다.

이후, 상기 전원발생부(P)에서 발생되는 전압이 이상전압(Vdg) 이하로 떨어지는 경우 상기 제3 저항(R3)고 제4 저항(R4)에 의하여 분압된 전위가 하이상태에서 로우상태로 전환되어 제1 NMOS(N1)가 오프동작하면서 전술한 정상상태의 동작을 수행하게 되어 상기 부하(10)는 정상적인 전원을 공급받게 된다.

상술한 본 발명에 따른 과전원 차단회로는 반도체 칩 내에 구비될 수도 있으며, 상기 제1(a) 도에서와 같이 일반적인 퓨즈의 기능을 대신할 수도 있는데, 반도체칩 내에 내장되는 경우 상기 발광 다이오드(LED)는 칩 외부에 구비되게 된다.

또한, 일반퓨즈와 같은 기능을 수행하는 경우 전압감지부(SV)를 구성하고 있는 저항들(41-R4)의 비가 상기 전원발생부(P)에서 발생되는 전원전압에 따라 적당히 조정될 수 있으며, 각 모스 트랜지스터(N1, N2, P1)를 보호하기 위한 수단들이 부가될 수 있을 것이며, 많은 변형 또는 응용예가 있을 수 있다.

상술한 본 발명의 실시예에서는 과전압 발생시 전원의 전송로를 차단하여 후단의 부하(10)에 이상이 발생되거나 소손되는 것을 방지하는 개념을 갖는 것이나, 이하에서 설명하는 다른 실시예에서는 과전압을 정상전압으로 다운시켜 전달하는 것으로, 첨부한 제4도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.

이상과 같이 본 발명에 따른 두 가지의 실시예를 살펴보았는데, 과전압 발생의 유무를 제3, 제4 저항(R3, R4)의 분압으로 판단되는 본 발명의 실시예에서 보다 정확한 검출을 위한 실시예가 첨부한 제4도와 제5도에 도시되어 있다.

제4도에 도시되어 있는 회로의 특징은 상기 제1 NMOS(N1)의 게이트 단자에 걸리는 신호를 다단의 MOS를 통과시켜 각 MOS의 드레인 소스간의 전압강하를 통해 보다 정교한 게이트 전압을 유지시키도록 한 것으로 단순한 저항만을 사용한 경우보다는 제1 NMOS(N1)의 게이트 전위를 임의로 설정하기에 용이하다는 장점이 있다.

또한, 제5도에 도시되어 있는 회로의 특징은 다단의 저항을 사용한 분압방식을 통해 제1 NMOS(N1)의 게이트 전위의 흔들림을 방지한다는 효과가 있다.

이상으로 본 발명에 따른 각각의 실시예를 설명하였는데, 상술한 바와 같은 본 발명에 따른 회로를 제공하여 전원의 불안정으로 인해 순간적인 전원전압이 상승함으로 인해 시스템에 충격을 주는 것을 방지하기 위하여 전원전압이 일정 범위를 벗어나는 경우 이를 검출하여 전원과 시스템간의 전원공급로를 자동으로 차단하여 시스템의 손상을 방지할 수 있으며 사용자의 편리성을 추구하는 효과가 있다.

Claims

전원을 발생시키는 전원발생수단과 상기 전원발생수단에서 제공되는 전원을 구동원으로 하여 동작하는 전력 소모형 부하를 구비하고 있다는 시스템에서의 과전원 차단 장치에 있어서, 입력되는 제어신호에 따라 전원발생수단에서 전력 소모형 장치에 제공되는 전원의 공급로를 개폐하는 전원전송로 개폐수단과; 상기 전원발생수단으로부터 발생되는 전원의 크기가 설정된 정상 전압범위의 이상으로 변동하여 이상전압이 발생되는 경우 이를 감지하는 전압 감지수단; 상기 전압감지수단에서 이상 전압이 발생되는 경우 출력하는 감지신호에 따라 상기 전압감지수단에서 상기 전원전송로 개폐수단에 제공하는 구동 제어신호를 전송차단 제어신호로 변환시키는 제어신호 변환수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 과전원 차단회로.
제1항에 있어서, 상기 제어신호 변환수단의 동작시 이를 감지하여 사용자에게 경고하는 과전압 발생 경고수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 과전원 차단회로.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 과전압 발생 경고수단은 상기 제어신호 변환수단의 동작으로 인해 상기 구동 제어신호가 전송차단 제어신호로 변화되는 경우 온동작하는 스위칭 수단과; 상기 스위칭 수단의 온동작시 상기 전원전송로 개폐수단에 입력되는 전원을 입력받아 빛을 발생시키는 발광수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 과전원 차단회로.
제1항에 있어서, 상기 전압감지수단은 상기 전원발생수단에서 전압이 발생하는 가를 검출하는 전압발생 인식수단과; 상기 전원발생수단에서 발생되는 전압의 과도여부를 검출하는 과전압인식수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 과전원 차단회로.
제4항에 있어서, 상기 전압발생 인식수단은 전압강하폭이 작은 제1 전압강하 수단과 상대적으로 전압강하폭이 매우 큰 제2 전압강하 수단이 직렬로 연결되어 있으며, 직렬 연결된 상태의 전압강하 수단들이 상기 전원발생수단에 병렬 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 과전원 차단회로.
제5항에 있어서, 상기 전압발생 인식수단을 구성하는 상기 제1, 제2 전압강하 수단들은 저항으로 구성되며, 제2 전압강하 수단으로 사용된 저항에 걸리는 전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 과전원 차단회로.
제4항에 있어서, 상기 과전압 인식수단은 전압강하폭이 매우 큰 제3 전압강하 수단과 상대적으로 전압강하폭이 매우 작은 제4 전압강하 수단이 직렬로 연결되어 있으며, 직렬 연결된 상태의 전압강하 수단들이 상기 전원발생수단에 병렬 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 과전원 차단회로.
제7항에 있어서, 상기 과전압 인식수단을 구성하는 상기 제3, 제4 전압강하 수단들은 저항으로 구성되며, 제4 전압강하 수단에 걸리는 전압을 과전압 인식신호로 출력하는 것을 특징으로 하는 과전원 차단회로.
제4항에 있어서, 상기 과전압 인식수단은 전압강하폭이 매우 큰 제3 전압강하 수단과 상대적으로 전압강하폭이 매우 작은 제4 전압강하 수단이 직렬로 연결되어 있으며, 상기 제4 전압강하 수단에 걸리는 전압을 다단의 전압강하형 스위칭 수단을 통해 출력하는 것을 특징으로 하는 과전원 차단회로.
제4항에 있어서, 상기 과전압 인식수단은 전압강하폭이 매우 큰 제3 전압강하 수단과 상대적으로 전압강하폭이 매우 작은 제4 전압강하 수단이 직렬로 연결되어 있으며, 상기 제4 전압강하 수단에 걸리는 전압을 직렬 연결된 전압강하폭이 매우 큰 제5 전압강 수단과 상대적으로 전압강하폭이 매우 작은 제6 전압강하 수단에 의하여 재분압되어 상기 제6 전압강하 수단에 걸리는 전압이 출력되는 것을 특징으로 하는 과전원 차단회로.
제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 전원전송로 개폐수단은 드레인 단자에 상기 전원발생수단의 일단이 연결되어 있으며 소스단자가 상기 전력소모형 장치의 전원 입력단에 연결되고 온/오프 동작을 제어하는 게이트 단자에는 상기 전압발생 인식수단의 출력신호가 입력되는 NMOS를 사용하는 것을 특징으로 하는 과전원 차단회로.
제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 제어신호 변환수단은 상기 과전압 인식수단의 출력신호를 게이트단자에 입력받아 온/오프 동작하며 온 동작시 드레인 단자에 걸리는 상기 전압발생 인식수단의 출력신호를 풀다운함으로써 상기 전원전송로 개폐수단을 오프 동작시키는 NMOS를 사용하는 것을 특징으로 하는 과전원 차단회로.
외부의 전원발생수단에서 제공되는 전원을 구동원으로 하여 동작하는 전력 소모형 부하를 구비하고 있는 반도체 칩에서의 과전원 차단회로에 있어서, 입력되는 제어신호에 따라 전원발생수단에서 전력 소모형 장치에 제공되는 전원의 공급로를 개폐하는 전원전송로 개폐수단과; 상기 전원발생수단으로부터 발생되는 전원의 크기가 설정된 정상 전압범위의 이상으로 변동하여 이상전압이 발생되는 경우 이를 감지하는 전압감지수단과; 상기 전압감지수단에서 이상 전압이 발생되는 경우 출력하는 감지신호에 따라 상기 전압감지수단에서 상기 전원전송로 개폐수단에 제공하는 구동제어신호를 전송차단 제어신호로 변화시키는 제어신호 변화수단과; 상기 제어신호 변환수단의 동작시 이를 감지하여 사용자에게 경고하는 과전압 발생 경고수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩에서의 과전원 차단회로.
제13항에 있어서, 상기 과전압 발생 경고수단은 상기 제어신호 변환수단의 동작으로 인해 상기 구동 제어신호가 전송차단 제어신호로 변환되는 경우 온동작하는 스위칭 수단과; 상기 스위칭 수단의 온동작시 상기 전원전송로 개폐수단에 입력되는 전원을 입력받아 빛을 발생시키는 발광수단으로 구성되되 상기 발광수단은 반도체 칩 외부에 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩에서의 과전원 차단회로.