JP3251192B2 - 過電流保護回路 - Google Patents

過電流保護回路

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JP3251192B2 JP07801597A JP7801597A JP3251192B2 JP 3251192 B2 JP3251192 B2 JP 3251192B2 JP 07801597 A JP07801597 A JP 07801597A JP 7801597 A JP7801597 A JP 7801597A JP 3251192 B2 JP3251192 B2 JP 3251192B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、電話交換機等に
使用されるスイッチング電源装置における過電流保護回
路に関し、特に過電流検出値に対する入力電圧の影響を
低減し、用途に応じて出力電圧の垂下形を選択できる過
電流保護回路である。
【0002】
【従来の技術】図6は、カレントトランスT1を用いた
1石フォワード型電源における従来の過電流保護回路の
回路図、図7は同過電流保護回路の検出電圧VC 、検出
電流ID ' の波形図、図8は同過電流保護回路の出力電
圧EO −出力電流IO の特性図である。通常、定格出力
電流が大きい場合や検出の容易さなどから、出力電流の
大きさを主トランスT2の1次側のパルス電流で間接的
に読み取るようにしている。特に、電力変換効率を高く
する場合等にはカレントトランスT1を用いる。図にお
いて、入力電源V1の正極はコンデンサC1の一端と接
続され、この接続点はカレントトランスT1の1次側巻
線の正極に接続されている。カレントトランスT1の1
次巻線の負極は電圧変換用の主トランスT2の1次側巻
線の正極に接続されており、この1次巻線の負極は主ス
イッチング素子Q1のドレインに接続されている。さら
に、主スイッチング素子Q1のソースとコンデンサC1
の他端は入力電源V1の負極に接続されている。
【0003】その主トランスT2の2次側巻線の正極は
ダイオードD2のアノードに接続され、ダイオードD2
のカソードはインダクタL1の一端に接続されている。
また、インダクタL1の他端はコンデンサC2の一端に
接続され、この接続点は負荷LDの一端に接続されてい
る。ダイオードD2とインダクタL1の接続点はダイオ
ードD3のカソードに接続されている。さらに、主トラ
ンスT2の2次巻線の負極はダイオードD3のアノード
とコンデンサC2の他端と負荷LDの他端とに接続され
ている。
【0004】カレントトランスT1の2次巻線の正極は
ダイオードD1のアノードの一端と接続されている。ま
た、ダイオードD1のカソードは電圧検出用の抵抗R1
の一端に接続され、抵抗R1の他端は制御回路N1内の
過電流検出用コンパレータIC1のプラス入力端子に接
続されている。その過電流検出用コンパレータIC1の
マイナス入力端子は比較電圧VTHの正極に接続されてい
る。さらに、カレントトランスT1の2次巻線負極と抵
抗R1の他端と基準電圧VTHの負極はそれぞれGNDに
接続されている。また、過電流検出用コンパレータIC
1の出力端子は、出力電圧EO を一定に保つように制御
する制御回路N1の駆動回路N2に接続されている。そ
の駆動回路N2の出力側は主スイチング素子Q1のゲー
トに接続されている。
【0005】次に、従来の1石フォワード型電源におけ
る過電流保護回路の動作について説明する。主スイチン
グ素子Q1は制御回路N1内の駆動回路N2から出力さ
れるパルス電圧によって、出力電圧EO を安定化するよ
うオン/オフのスイッチング動作を行っている。このと
き、主スイチング素子Q1には、オン時に出力電流IO
に比例したパルス電流ID が流れる。このパルス電流I
D はカレントトランスT1の1次側にも流れるため、カ
レントトランスT1の2次側にはパルス電流ID のn倍
の検出電流ID ' が流れる。この検出電流ID ' はカレ
ントトランスT1によって直流分がカットされた交流波
形として現れるが、ダイオードD1と抵抗R1によっ
て、直流再生が行われる。
【0006】そして、検出電流ID ' は抵抗R1によっ
て出力電流Io に比例した検出電圧VC に変換され、過
電流検出用コンパレータIC1に入力される。この検出
電圧VC は出力電流IO に比例しているため、出力電流
O を徐々に大きくしていくと、やがて過電流検出用コ
ンパレータIC1の基準電圧VTHに達する。このときの
出力電流IO が過電流検出値IODとなり、過電流の保護
動作が開始される。過電流の保護は、検出電圧VC が基
準電圧VTHに達すると、主スイチング素子Q1をターン
オフし、出力電流IO が過電流検出値IOD以上にならな
いようにする。そのため、負荷LDを過電流検出値IOD
時よりさらに重くしていくと、主スイチング素子Q1の
オン時間TONは徐々に狭くなるが、図7から分かるよ
うに実際には、出力電流IO は過電流検出値IODより徐
々に増加していく。この場合のEO −IO 特性は図8に
示すようになり、以下これを便宜上「への字垂下」と称
する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の過
電流保護回路では、「への字垂下」のため、負荷LDを
重くすると、出力電流Io は過電流検出値IOD以上(I
o ' )なる。また、主スイチング素子Q1のオン時間T
ONの長さによって過電流検出値IODが変化するため、
入力電源V1の入力電圧E1 の影響を直接受けることに
なる。電圧制御のスイッチング電源の場合、通常時は出
力電圧と基準電圧を比較するモード制御を行っている
が、過電流時には上述したように出力電流と基準電圧V
THのを比較するモードに切り替わる。このモードの変化
点(過電流検出点)においては、動作が不安定になる場
合が多い。
【0008】この解決策として最も有効なのが、抵抗R
1と過電流検出用コンパレータIC1の間にRCフィル
タ回路を挿入することであるが、この場合は検出した電
流波形が大きく鈍るため、「への字垂下」特性を助長す
る。この結果、出力電流IO の1.5倍、2倍といった
電流が負荷LDに流れ、過電流保護の機能を果たさな
い。これらの不具合によって、入力電圧変動範囲を考慮
し、かつ最低過電流検出設定値が定格出力電流を満足す
るように設定すると、垂下時の最高出力電流値は極めて
大きな値となる。そのため、設計上、考慮する要因が多
くなって設計が複雑になり、また垂下時の最高出力に合
わせた設計になるため、出力チョークコイル等の小型化
を阻害し、定格以上の大きな電流を流し、負荷を破壊す
る危険性があるという問題点があった。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる過電流保
護回路は、入力電源V1にカレントトランスT1の1次
巻線とスイッチング素子Q1を介して電圧変換用主トラ
ンスT2の1次巻線を接続し、電圧変換用主トランスT
2の2次巻線に2つのダイオードD2、D3とインダク
タL1とコンデンサC2とからなる平滑回路を設け、平
滑回路の出力側に負荷LDを接続し、出力電圧を一定に
保つように制御する制御回路N1内の駆動回路N2が出
力する駆動パルスによりスイッチング素子Q1を駆動
し、カレントトランスT1の2次巻線には整流ダイオー
ドD1を介して電圧変換用抵抗R1を接続し、過電流検
出用コンパレータIC1のプラス入力端子には電圧変換
用抵抗R1の検出電圧が印加され、そのマイナス入力端
子に基準電圧が印加され、その出力端子から駆動回路N
2に比較電圧が出力されて負荷LDに印加する電圧を安
定化させる過電流保護回路において、前記カレントトラ
ンスT1の1次巻線に接続されたは整流ダイオードD1
に垂下特性調整用抵抗R3を並列接続してなるものであ
る。
【0010】本発明においては、過電流保護回路におけ
る出力電流を検出するために設けられたカレントトラン
スT1の2次側に接続されている整流ダイオードD3と
並列に垂下特性調整用抵抗R3を付加し、その垂下特性
調整用抵抗R3の抵抗値を適当な値を選択することによ
って、出力電圧EO の垂下の形を「へ」の字から「定電
流」あるいは「フ」の字に自由に設定することが出来
る。
【0011】
【発明の実施の形態】 実施の形態1. (構成)の説明 図1は本発明の実施の形態1の過電流保護回路の回路
図、図2は同過電流保護回路のカレントトランスT1の
2次側の電流波形図、図3は同過電流保護回路の検出電
圧VC 、検出電流ID ' の波形図、図4は同過電流保護
回路のダイオードD1削除の場合の検出電圧VC 、検出
電流ID ' の波形図、図5は同過電流保護回路の出力電
圧EO −出力電流IO の特性図である。図1において、
図2に示す従来の構成と同一の構成は同一符号を付して
重複した構成の説明を省略する。本発明の実施の形態1
では、カレントトランスT1の2次巻線の正極に接続さ
れているダイオードD1に、垂下特性調整用抵抗R3を
並列接続して構成されている。
【0012】(動作)の説明 次に、本発明の実施の形態1の過電流保護回路の動作に
ついて説明する。主スイチング素子Q1は制御回路N1
内の駆動回路N2から出力されるパルス電圧によって、
オン/オフのスイッチング動作を行っている。このと
き、主スイチング素子Q1には、オン時に次式(1)で
表される出力電流IO に比例したパルス電流ID が流れ
る。
【0013】 ID =(ΔIO /(TON・ N))・t+(IO −ΔIO /2)/N ・・・(1) ここでΔIO =( TON/L)・(E1/N−EO ) L:L1のインダクタンス、TON:Q1のオン時間 このパルス電流ID はカレントトランスT1の1次側に
も流れるため、カレントトランスT1の2次側にはパル
ス電流ID のn倍の検出電流ID ' が流れる。前述した
ように、この検出電流ID ' はカレントトランスT1に
よって直流分がカットされており、図2に示すようにG
NDを中心に正側のエネルギーと負側のエネルギーが等
しくなる交流波形として現れる。このとき、検出電流I
D ' は次式(2)、IDA、IDBは次式(3)で、それぞ
れ表される。 ID ' =n・((ΔIO /(TON・ N))・t+(IO −ΔIO /2)/N) ・・・(2) IDA=(TC−TON)・ID ' /TC ・・・(3.1) 但し、TC:スイッチング周期 IDB=TON・ID ' /TC ・・・(3.2)
【0014】抵抗R3が無い場合(R3=∞)、従来例
どおりダイオードD1、電圧変換用抵抗R1によって直
流再生が行われ、検出電流ID ’は全て正側に現れる。
ここで、 ダイオードD1に垂下特性調整用抵抗R3を
付加することによって、直流の再生分が減少し、次式
(4)で表されるIDB' 分だけ負側にシフトする(図3
参照)。 IDB' =(IDB・R1)/(R1+R3) ・・・(4) と、表される。ダイオードD1を解除した場合(R3=
0)、カレントトランスT1の2次側の交流波形そのも
のが電圧変換用抵抗R1に印加されるが、このときは過
電流によって主スイチング素子Q1のオン時間TONが
短くなると、正負のエネルギーが等しくなるように正確
にシフトする(図4参照)。その結果、負荷N2が重く
なるほど出力電流IO が小さくなる(これを「フの字垂
下」と呼ぶ:[図5参照])。
【0015】このように垂下特性調整用抵抗R3の大き
さを変えることによって直流再生分を調整でき、上記R
3=∞時の「ヘの字垂下」から、R3=0時の「フの字
垂下」まで、任意の垂下特性を得ることができる。更
に、垂下特性調整用抵抗R3を0と∞の間の値で調整す
ることにより、負荷LDを重くしていくと定電流で垂下
する「定電流垂下」となる。これは、過電流検出値IOD
が主スイチング素子Q1のオン時間TONの長さに影響
されないためであるが、このことは過電流検出値IOD
入力電源V1の入力電圧E1 の変動に依らず一定である
ことを意味する。
【0016】(効果)の説明 以上のように実施の形態によれば、カレントトランスT
1の2次側に接続されている整流ダイオードD1と並列
に垂下特性調整用抵抗3を付加することによって、垂下
の形を「へ」の字から「定電流」或いは「フ」の字に自
由に設定することができるため、電源装置、負荷の特性
を考慮しながら、定格電流以上の余分な電流を流さない
最適な過電流保護回路が実現できる。また、入力電圧E
1 の影響を受けない過電流保護回路を実現することも容
易である。このことは、部品の設計を容易にすると共
に、更なる小型化に貢献することができる。
【0017】(利用形態)の説明 この実施に形態1は、1例に過ぎず他の形態でも実現可
能である。例えば実施の形態1では、カレントトランス
T1を用いた過電流保護回路について述べたが、抵抗を
用いても実現可能である。また、主スイッチング素子は
MOS FETに限らず、BJT等も可能である。さら
に実施の形態1では、1石フォワード型の電源装置に適
用したが、ハーフブリッジ型やフルブリッジ型等にも適
用できることはいうまでもない。
【0018】
【発明の効果】本発明は以上説明したとおり、過電流保
護回路における出力電流を検出するために設けられたカ
レントトランスT1の2次側に接続されている整流ダイ
オードD1と並列に垂下特性調整用抵抗R3を付加する
ことによって、出力電圧EO の垂下の形を「へ」の字か
ら「定電流」あるいは「フ」の字に自由に設定すること
が出来るため、電源装置に接続される負荷の特性を考慮
しながら、定格電流以上の余分な電流を流さない最適な
過電流保護回路が実現でき、また入力電圧E1 の影響を
受けない過電流保護回路を実現することも容易であるた
め、部品の設計を容易にすると共に、更なる小型化に貢
献することが出来るという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1の過電流保護回路の回路
図である。
【図2】同過電流保護回路のカレントトランスT1の2
次側の電流波形図である。
【図3】同過電流保護回路の検出電圧VC 、検出電流の
D ' の波形図である。
【図4】同過電流保護回路のダイオードD1削除の場合
の検出電圧VC 、検出電流のID ' の波形図である。
【図5】同過電流保護回路の出力電圧EO −出力電流I
O の特性図である。
【図6】従来の過電流保護回路の回路図である。
【図7】同過電流保護回路の検出電圧VC 、検出電流の
D ' の波形図である。
【図8】同過電流保護回路の出力電圧EO −出力電流I
O の特性図である。
【符号の説明】
V1 入力電源、 C1〜C2 コンデンサ、T1 カ
レントトランス、T2主トランス、D1〜D3 ダイオ
ード、Q1 スイッチング素子、L1 インダクタ、L
D 負荷、R1 抵抗、R3 垂下特性調整用抵抗、I
C1 過電流検出用コンパレータ、N1 制御回路、N
2 駆動回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H02M 3/28 H02M 1/00 H02M 3/335

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 カレントトランスの1次巻線とスイッチ
    ング素子を介して、入力電源に1次巻線を接続した電圧
    変換用主トランスと、 前記電圧変換用主トランスの2次巻線に接続された平滑
    回路と、 前記平滑回路の出力側に接続された負荷と、 前記カレントトランスの2次巻線に接続された整流ダイ
    オードと、 前記カレントトランスの2次巻線と前記整流ダイオード
    に並列接続された電圧変換用抵抗と、 前記電圧変換用抵抗の検出電圧と基準電圧とを比較した
    結果に基づき、前記スイッチング素子を駆動して、前記
    負荷に印加される出力電圧を一定に保つように制御する
    制御回路と、 前記整流ダイオードに並列接続された垂下特性調整用抵
    抗と、 を有することを特徴とする過電流保護回路。
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