JP2984466B2 - リンギングチョ−クコンバ−タ - Google Patents

リンギングチョ−クコンバ−タ

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JP2984466B2
JP2984466B2 JP4168515A JP16851592A JP2984466B2 JP 2984466 B2 JP2984466 B2 JP 2984466B2 JP 4168515 A JP4168515 A JP 4168515A JP 16851592 A JP16851592 A JP 16851592A JP 2984466 B2 JP2984466 B2 JP 2984466B2
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capacitor
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transistor
control
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雅寛 遠藤
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HIGASHINE SHINDENGEN KK
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
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HIGASHINE SHINDENGEN KK
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する分野の説明】本発明は一石式コンバ−タ
に関するもので特に構成の簡単なリンギングチョ−クコ
ンバ−タ(Ringing choke converter以下RCC)の出
力制御回路の改良に関するものである。
【0002】
【従来技術】一般的なRCC回路は電圧変換機能を有す
るも出力制御機能を有しない。そこで本出願人は先に効
率的な出力電圧制御機能と過電流保護機能を備えた安価
なコンバ−タを提供した。
【0003】図3はこの回路例を示すもので図中A、B
は電圧検出部及び制御回路部であ (2) る。先ず電圧検出部Aは基準電圧を内蔵したシャントレ
ギュレ−タ22とこれを出力するホトカプラ−発光部2
1及び出力電圧(E0)を分圧する抵抗24、25より
成る。又、制御回路部Bにおいて、10はMOSトラン
ジスタ26のゲ−ト・ソ−ス間に接続された制御用トラ
ンジスタ、12はツェナ−ダイオ−ドで抵抗13及びコ
ンデンサ11と共に時定数回路を形成し、且つ帰還巻線
17の両端に接続され、又、該ツェナ−ダイオ−ド12
及びコンデンサ12の接続点(a)は制御用トランジス
タ10のベ−スに接続されている。次に14は帰還巻線
17の一端と前記接続点(a)間に接続された前記ホト
カプラ−の受光部でこれによりコンデンサ11の充電時
定数を調整する。
【0004】この回路の基本動作はMOSトランジスタ
26のオン時にトランスTに貯えられたエネルギ−をオ
フ時に整流ダイオ−ド18を通して出力する。なお、M
OSトランジスタ26のオフ動作はホトカプラ−受光部
14及びツェナ−ダイオ−ド12、抵抗13を流れる電
流とコンデンサ11の時定数回路において(a)点電位
が制御用トランジスタ10の電圧(VBE)を越えると該
トランジスタ10がオンし、これによりMOSトランジ
スタ26をオフせしめる。従って出力電圧を検出してホ
トカプラ−の電流を可変して、オン時間を制御すること
により出力電圧E0を一定に保つことが出来る。
【0005】上記の如く出力電圧が一定になるように制
御すると、負荷電流を増加することにより、又は入力電
圧(E1)が減少することにより、MOSトランジスタ
26のオン時間が増大する。つまり入力電圧(Ei)が
最低で最大負荷電流の時、上記オン時間は最大となりこ
の時、電圧検出部Aを介してのホトカプラ−受光部14
の電流を零となる如く設定すると、これ以上の出力電流
に対してコンデンサ11の充電時定数は最大となる。従
ってこの回路の出力電圧−電流特性は所謂フの字垂下特
性を得る。
【0006】 (3)
【従来技術の問題点】係る従来のRCC回路において、
発振周波数はコンデンサ11と充電電流で決まり、スイ
ッチングデバイスにMOSトランジスタ(以下MOSF
ET)26を使用した場合、制御トランジスタがONす
ると速い時間にOFFする。従って入力電圧が大きくな
るとコンデンサ11の充電電流は増加し、発振周波数は
高い方に変化するため、図5に示すように、フ字特性の
垂下点の電流値が小さくなるa−a′。このように従来
のRCC回路にMOSFETを使用することによって、
入力電圧の変動による垂下点の変動が大きくなるという
欠点があった。
【0007】
【発明の目的】本発明はMOSFETを使用したRCC
回路において入力電圧の変動による垂下点の変動を防止
したコンバ−タの提供を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための本発明の手段】本発明は制御ト
ランジスタ10のエミッタにエミッタ抵抗27を入れる
ことによってコンデンサの三角波のピ−ク電圧が上が
り、入力電圧の変化率より発振周波数の変化率が小さく
して、入力電圧の変動による垂下点の変動を抑えるよう
に構成する。また制御トランジスタ10のベ−スにベ−
ス抵抗を入れてもよい。
【0009】
【実施例】図1は本発明の実施例で、26はスイッチン
グデバイスであるMOSFET、10は制御トランジス
タ、11は発振周波数を決めるコンデンサ、14、21は
フィ−ドバック用のフォトカプラ、15、16、17は
トランスTの一次巻線、二次巻線、帰還巻線、27は制
御トランジスタ10のgmを下げるためのエミッタ抵抗
である。RCCの発振周波数はツェナ−ダイオ−ド12
の電流、フォトカプラ14の電流、コンデンサ11の容
量で決まり、負荷によ (4) って充電電流は変化し、垂下時にはフォトカプラからの
電流は無くなり、ツェナ−ダイオ−ドからの充電電流の
みである。
【0010】コンデンサ11の三角波のピ−ク電圧は制
御トランジスタ10がONする時のベ−スの電位を上げ
る。このことはコンデンサ11の三角波のピ−ク電圧が
上がることになり、同じ入力電圧の時の発振周波数はエ
ミッタ抵抗11がない時に比べ低くなる。
【0011】図2は本発明の他の実施例回路図で、上記
のエミッタ抵抗27に代えてベ−ス抵抗28を接続する
ようにしたものであり、これによっても同様な作用、効
果を得ることができる。
【0012】
【発明の効果】制御トランジスタ10のエミッタ又はベ
−スにエミッタ抵抗27又はベ−ス抵抗28を入れるこ
とによって、入力電圧の変化率より発振周波数の変化率
の方が小さくなるので、図4に示すように入力電圧の変
動による垂下点の変動を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例回路図
【図2】本発明の他の実施例回路図
【図3】従来回路図
【図4】本発明回路の出力特性図
【図5】従来回路の出力特性図 (5)
【符号の説明】
T 出力トランス 15 一次巻き線 16 二次巻線 17 帰還巻線 26 電界効果トランジスタ(MOSFET) 18 整流用ダイオ−ド 10 制御用トランジスタ 11 コンデンサ 12 ツェナ−ダイオ−ド 13 抵抗 14 受光部 22 シリ−ズレギュレ−タ 21 発光部 27 エミッタ抵抗 28 ベ−ス抵抗
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H02M 3/338 H02J 1/00 309 H02M 3/28

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一次巻線、二次巻線及び帰還巻線を有す
    る出力トランスと、前記一次巻線にドレインが接続さ
    れ、ゲ−ト、ソ−スが前記帰還巻線間に接続された電界
    効果トランジスタと、前記二次巻線側に接続された整流
    用ダイオ−ドと、前記電界効果トランジスタの制御回路
    部を有するリンギングチョ−クコンバ−タにおいて、前
    記制御回路部は前記電界効果トランジスタのゲ−ト、ソ
    −ス間に接続された制御用トランジスタと、前記制御用
    トランジスタのベ−ス又はエミッタに直接接続されたベ
    −ス又は、エミッタ抵抗と、前記帰還巻線間に接続され
    た抵抗、ツェナ−ダイオ−ド、及びコンデンサより成る
    時定数回路と、前記ツェナ−ダイオ−ド及びコンデンサ
    の接続点を前記制御用トランジスタのベ−スに直接もし
    くは前記ベ−ス抵抗を介して接続する回路と、出力電圧
    に応じて前記コンデンサの充電時定数を調整する調整回
    路を備えたことを特徴とするリンギングチョ−クコンバ
    −タ。
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TR200200035T1 (tr) * 2000-05-11 2002-08-21 Sony Corporation Sviçlemeli güç kaynağı devresi

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