JP2019106811A - 絶縁型スイッチング電源 - Google Patents

Abstract

【課題】フライバック方式の絶縁型スイッチング電源において、スイッチング素子のオフ時にトランスの一次コイルに発生する逆起電力を抑制する。【解決手段】第１のトランスと、第１のトランスの一次コイルと直列接続されかつ制御信号によりオンオフ制御されるスイッチング素子と、第１の接続点及び第２の接続点により第１のトランスの二次コイルと並列接続された一次コイルを具備し、第２の接続点が第２のトランスの二次コイルの一端であると共に第１の出力端でもある、第２のトランスと、第２の出力端から第１の接続点へ流れる電流を導通させかつその逆向きの電流を遮断するように接続された第１の整流要素と、第２の出力端から第２のトランスの二次コイルの他端へ流れる電流を導通させかつその逆向きの電流を遮断するように接続された第２の整流要素と、第１と第２の出力端の間のコンデンサと、を有する。【選択図】図１

Description

本発明は、サージ電圧を抑制することができるフライバック方式の絶縁型スイッチング電源に関する。

トランスを用いて入力側と出力側を絶縁する絶縁型スイッチング電源が知られている。入力が交流電圧の場合は、一般的には、ＡＣ／ＤＣ変換回路の後にＤＣ／ＤＣコンバータが配置されている（特許文献１〜５）。入力が直流電圧の場合は、直接ＤＣ／ＤＣコンバータに入力される。スイッチング電源の代表的方式として、フライバック方式とフォワード方式がある。

フライバック方式のスイッチング電源では、スイッチング素子のオン期間にフライバック用トランスの一次コイルに電流が流れるが、トランスの二次コイルに接続されたダイオードがオフであるために二次側には電流が流れず、トランスに磁気エネルギーが蓄積される。スイッチング素子のオフ期間には、トランスに蓄積された磁気エネルギーがダイオードを通じて二次側に電力として出力される。

特開平７−３１１５０号公報 特開平８−３３１８６０号公報 特開２００２−１０６３２号公報 特開２００５−２１８２２４号公報 特開２００７−３７２９７号公報

フライバック方式のスイッチング電源においては、スイッチング素子がオフになった瞬間にトランスの一次コイルに高い逆起電力（本明細書における「起電力」及び「逆起電力」は電圧の意味で用いる）すなわちサージ電圧が発生してスイッチング素子に印加される。このため、高耐圧のスイッチング素子を用いたり、逆起電力を処理するためのスナバ回路等を設けたりすることが必要であった。

以上の問題点に鑑み本発明の目的は、フライバック方式の絶縁型スイッチング電源において、スイッチング素子のオフ時にトランスの一次コイルに発生する逆起電力を抑制し、スイッチング素子に要求される耐圧性を軽減することである。

上記の目的を達成する本発明の絶縁型スイッチング電源の第１の態様は、以下の通りである。
（ａ）一次コイルと二次コイルを具備する第１のトランスと、
（ｂ）前記第１のトランスの一次コイルと直列接続されかつ制御信号によりオンオフ制御されるスイッチング素子と、
（ｃ）一次コイルと二次コイルを具備する第２のトランスであって、前記第１のトランスの二次コイルと該第２のトランスの一次コイルが第１の接続点及び第２の接続点により並列接続され、該第２の接続点が該第２のトランスの二次コイルの一端であると共に第１の出力端でもある、前記第２のトランスと、
（ｄ）第２の出力端から前記並列接続における第１の接続点へ流れる電流を導通させかつその逆向きの電流を遮断するように接続された第１の整流要素と、
（ｅ）第２の出力端から前記第２のトランスの二次コイルの他端へ流れる電流を導通させかつその逆向きの電流を遮断するように接続された第２の整流要素と、を有することを特徴とする。
さらに、本発明の絶縁型スイッチング電源の第２の態様は、以下の通りである。
（ａ）一次コイルと二次コイルを具備する第１のトランスと、
（ｂ）前記第１のトランスの一次コイルと直列接続されかつ制御信号によりオンオフ制御されるスイッチング素子と、
（ｃ）一次コイルと二次コイルを具備する第２のトランスであって、前記第１のトランスの二次コイルと該第２のトランスの一次コイルが第１の接続点及び第２の接続点により並列接続され、該第２の接続点が第１の出力端である、前記第２のトランスと、
（ｄ）前記第２のトランスの二次コイルの一端と前記第１の出力端の間に接続されたインダクタと、
（ｅ）第２の出力端から前記並列接続における第１の接続点へ流れる電流を導通させかつその逆向きの電流を遮断するように接続された第１の整流要素と、
（ｆ）第２の出力端から前記第２のトランスの二次コイルの他端へ流れる電流を導通させかつその逆向きの電流を遮断するように接続された第２の整流要素と、
（ｇ）第２の出力端から前記第２のトランスの二次コイルの一端へ流れる電流を導通させかつその逆向きの電流を遮断するように接続された第３の整流要素と、を有することを特徴とする。

本発明により、絶縁型スイッチング電源において、スイッチング素子のオフ時にトランスの一次コイルに発生する逆起電力すなわちサージ電圧を抑制し、スイッチング素子に要求される耐圧性を軽減することが実現される。

図１は、本発明の絶縁型スイッチング電源の第１の実施形態の回路構成例を概略的に示した図である。 図２（ａ）（ｂ）は、それぞれ図１の回路におけるオン期間及びオフ期間の電流の流れを概略的に示した図である。 図３（ａ）（ｂ）は、それぞれ図１の回路におけるオン期間及びオフ期間のトランス二次側の電位関係の一例を概略的に示した図である。 図４は、本発明の絶縁型スイッチング電源の第２の実施形態の回路構成例を概略的に示した図である。 図５（ａ）（ｂ）は、それぞれ図４の回路におけるオン期間及びオフ期間の電流の流れを概略的に示した図である。 図６（ａ）（ｂ）は、それぞれ図４の回路におけるオン期間及びオフ期間のトランス二次側の電位関係の一例を概略的に示した図である。

以下、実施例を示した図面を参照しつつ、本発明による絶縁型スイッチング電源の実施形態について説明する。各実施形態の図面において、同一又は類似の構成要素については、同じ符号で示している。

以下では、直流電圧が入力されるＤＣ／ＤＣコンバータの場合を実施例として本発明の絶縁型スイッチング電源を説明する。しかしながら、本発明の絶縁型スイッチング電源は、電圧が一定の直流以外に、電圧が変動する脈流若しくは矩形波、又は交流等、どのような波形の電圧が入力されても同様に機能し、直流電圧を出力することができる電力変換装置である。

（１）第１の実施形態
（１−１）第１の実施形態の回路構成
図１は、本発明の絶縁型スイッチング電源の第１の実施形態の回路構成例を概略的に示した図である。

図１を参照して、第１の実施形態の回路構成を説明する。本回路は、トランスにより入力側と出力側を電気的に絶縁する絶縁型スイッチング電源であり、フライバック方式をベースとしている。このスイッチング電源は、第１のトランスＴ１及び第２のトランスＴ２を有する。トランスＴ１により一次側と二次側が絶縁されている。トランスＴ１は、一次コイル１Ｎｐと二次コイル１Ｎｓを具備する。トランスＴ２は、一次コイル２Ｎｐと二次コイル２Ｎｓを具備する。トランスＴ１及びトランスＴ２はいずれも、一次コイルと二次コイルの極性が逆向きであり、一般的なフライバック方式のトランスと同じである。トランスＴ１及びトランスＴ２はいずれも、結合度をできるだけ高くする、すなわち一次コイルと二次コイルを密結合とすることが好適である。

図中、各コイルの巻き始端を黒丸で示している。本明細書でコイルについて「一端」と「他端」という場合は、それぞれ「巻き始端」と「巻き終端」に対応する場合と、「巻き終端」と「巻き始端」に対応する場合のいずれも含むものとする。以下の説明では、各コイルについて、巻き始端を一端と称し、巻き終端を他端と称する。

入力電圧は、第１の入力端１と第２の入力端２からなる一対の端子間に印加される。トランスＴ１の一次コイル１Ｎｐの一端は、入力端１に接続されている。ここでは、入力端２が入力側基準電位端である。

スイッチング素子Ｑが、トランスＴ１の一次コイル１Ｎｐに直列接続されている。ここでは、スイッチング素子Ｑは一次コイル１Ｎｐと入力端２の間に接続されている。スイッチング素子Ｑは制御端を具備し、制御端は、一次コイル１Ｎｐを含む電流路を導通又は遮断するようにオンオフ制御される。

スイッチング素子Ｑの制御端は、制御信号Ｖｇにより制御される。制御信号Ｖｇは、例えば所定の周波数及びデューティ比のパルス波形をもつＰＷＭ信号である。図示の例では、スイッチング素子Ｑがｎチャネル形ＭＯＳＦＥＴ（以下「ＦＥＴＱ」と称する）であり、一端がドレイン、他端がソース、制御端がゲートである。この場合、制御信号Ｖｇは電圧信号である。

なお、ＦＥＴ以外のスイッチング素子として、例えばＩＧＢＴ又はバイポーラトランジスタを用いることもできる。

トランスＴ１の二次側には、第１の出力端である正極出力端ｐと第２の出力端である負極出力端ｎが設けられている。正極出力端ｐと負極出力端ｎの間に直流電圧が出力される。ここでは、負極出力端ｎが二次側基準電位端である。正極出力端ｐと負極出力端ｎの間に接続された負荷（図示せず）に出力電圧が印加され、出力電流が供給される。

トランスＴ１の二次コイル１Ｎｓに対してトランスＴ２の一次コイル２Ｎｐが並列接続されている。ここでは、第１の接続点ａにおいて、トランスＴ１の二次コイル１Ｎｓの一端とトランスＴ２の一次コイル２Ｎｐの一端とが接続されると共に、第２の接続点ｂにおいて、トランスＴ１の二次コイル１Ｎｓの他端とトランスＴ２の一次コイル２Ｎｐの他端とが接続されている。

さらに、第２の接続点ｂはトランスＴ２の二次コイル２Ｎｓの一端でもあり、かつ、第２の接続点ｂは、正極出力端ｐでもある。

さらに、第１の接続点ａと負極出力端ｎの間に第１の整流要素Ｄ１が接続されている。整流要素Ｄ１は、負極出力端ｎから第１の接続点ａへ流れる電流を導通させ、それとは逆方向の電流を遮断することができるように接続されている。したがって、整流要素Ｄ１がダイオードである場合、ダイオードＤ１は、アノードが負極出力端ｎに、カソードが第１の接続点ａに接続されている。

さらに、トランスＴ２の二次コイル２Ｎｓの他端と負極出力端ｎの間に第２の整流要素Ｄ２が接続されている。整流要素Ｄ２は、負極出力端ｎから二次コイル２Ｎｓの他端へ流れる電流を導通させ、それとは逆方向の電流を遮断することができるように接続されている。したがって、整流要素Ｄ２が例えばダイオードである場合、ダイオードＤ２は、アノードが負極出力端ｎに、カソードが二次コイル２Ｎｓの他端に接続されている。

本回路におけるダイオード等の整流要素は、順方向電圧降下が小さくかつ高速動作を行うものが好適である。なお、ダイオード以外の整流要素の例としては、同等の整流機能を有する他の素子又は回路を用いることができる（以下の実施形態の各整流要素についても同じ）。

さらに、正極出力端ｐと負極出力端ｎの間には、平滑用のコンデンサＣが接続されている。

図示しないが、スイッチング素子Ｑのための制御信号Ｖｇを発生する制御部を有することが好ましい。一例として制御部は、入力電圧及び／又は出力電圧を検出し、検出した電圧に基づいて制御信号Ｖｇのデューティ比を決定し、それに基づいて所定の高周波パルスの制御信号Ｖｇを生成する。このような制御部の主要部として、ＰＷＭＩＣを用いることができる（以下の実施形態においても同じ）。

（１−２）第１の実施形態の動作
図２及び図３を参照して図１に示した回路の動作を説明する。図２（ａ）及び（ｂ）は、それぞれオン期間及びオフ期間における電流の流れを概略的に示している（矢印は電流の向きを示す）。図３（ａ）及び（ｂ）は、それぞれオン期間及びオフ期間におけるトランスＴ１の二次側の各構成要素の電位関係の一例を模式的に示す図である。

図３（ａ）（ｂ）では、上下方向が電位の高低に対応しており、二次側基準電位（負極出力端ｎの電位）を太線で示している。トランスＴ１の二次コイル１Ｎｓ、トランスＴ２の一次コイル２Ｎｐ及び二次コイル２Ｎｓ、並びにコンデンサＣの両端電圧を両矢印で示している。また、各コイルについては、巻き始端側を黒丸で示している（他の実施形態の電位関係図についても同じ）。

なお、本回路の始動時及び停止時の過渡的動作は例外とし、本回路が定常状態にある場合の動作について説明する。定常状態では、平滑用のコンデンサＣは、リップル的な変動を除いてほぼ一定の両端電圧で充電されている。以下の説明では、コンデンサＣの充放電電流及び各ダイオードの順方向電圧降下については無視する（他の実施形態についても同じ）。

（１−２−１）オン期間におけるトランスＴ１の一次側及び二次側の動作
［オン期間：一次側］
トランスＴ１の一次側では、オン期間に制御信号Ｖｇがオンになると、ＦＥＴＱがオンとなり電流路が導通する。図２（ａ）に示すように、トランスＴ１の一次コイル１Ｎｐには、入力電圧による入力電流ｉ1が以下の経路で流れる。
・入力電流ｉ1：入力端１→トランスＴ１の一次コイル１Ｎｐ→ＦＥＴＱ→入力端２

トランスＴ１は、一次コイル１Ｎｐに電流ｉ1が流れることにより励磁され、オン期間に所定の磁気エネルギーが蓄積される。

［オン期間：二次側］
図２（ａ）に示すように、トランスＴ１の一次コイル１Ｎｐに入力電流ｉ1が流れることにより、二次コイル１Ｎｓに起電力が生じ、短絡電流である電流ｉ2が以下の経路で流れる。ダイオードＤ１は、逆バイアスとなるため遮断されている。
・電流ｉ2：トランスＴ１の二次コイル１Ｎｓ→トランスＴ２の一次コイル２Ｎｐ

図３（ａ）の電位関係図に示すように、トランスＴ２の一次コイル２Ｎｐの両端電圧は、トランスＴ１の二次コイル１Ｎｓに生じた起電力と同じ大きさである。トランスＴ２においては、一次コイル２Ｎｐに電流ｉ2が流れることにより、二次コイル２Ｎｓに起電力が生じる。ダイオードＤ２は、順バイアスとなるため導通し、以下の経路で電流ｉ3が流れる。
・電流ｉ3：負極出力端ｎ→ダイオードＤ２→トランスＴ２の二次コイル２Ｎｓ→正極出力端ｐ

トランスＴ２は、フォワード方式における外付けインダクタと同様に、回路始動時におけるコンデンサＣへの突入電流を抑制する効果もある。

トランスＴ２は、一次コイル２Ｎｐに流れる電流ｉ2により励磁されて磁気エネルギーが蓄積されると同時に、相互誘導により二次コイル２Ｎｓに電流ｉ3が流れ出力されることにより電力伝達が行われる。

ここで、トランスＴ１は、通常のフライバック方式とは異なり、二次コイル１Ｎｓに相互誘導による電流ｉ2が流れるので、通常のフライバック方式に比べてトランスＴ１に蓄積される磁気エネルギーは小さくなる。その低減した分の磁気エネルギーは、トランスＴ２に移行する。

好適には、トランスＴ１に蓄積される磁気エネルギーよりも、トランスＴ２に移行するエネルギーの方を大きくする。トランスＴ２に移行したエネルギーは、トランスＴ２に蓄積される磁気エネルギーと、トランスＴ２からの出力電力（電流ｉ3）になる。

したがって、本回路は、フライバック方式をベースとしているにも拘わらず、オン期間に外付けインダクタに磁気エネルギーを蓄積させかつ電力を出力するフォワード方式電源に類似しているとも言える。トランスＴ１、Ｔ２の各コイルのインダクタンス、巻数比及び巻線数等を適切に設計することにより、オン期間にトランスＴ２により大きなエネルギーを移行させることを実現できる。

（１−２−２）オフ期間におけるトランスＴ１の一次側及び二次側の動作
［オフ期間：一次側］
図２（ｂ）に示すように、トランスＴ１の一次側では、制御信号Ｖｇがオフになると、ＦＥＴＱもオフとなる。これにより、トランスＴ１の一次コイル１Ｎｐの電流路は遮断され、電流が零となる。その結果、トランスＴ１の一次コイル１Ｎｐ及び二次コイル１Ｎｓにそれぞれ逆起電力が生じる。

上述した通り、本回路ではトランスＴ２を設けたことにより、通常のフライバック方式電源に比べて、オン期間にトランスＴ１に蓄積される磁気エネルギーが少なくなるので、オフとなった瞬間にトランスＴ１の一次コイル１Ｎｐに生じる逆起電力すなわちサージ電圧も小さくなる。

スイッチング素子Ｑ（ＦＥＴの場合、ドレインソース間）には、入力電圧と一次コイル１Ｎｐに生じる逆起電力を加算した電圧が印加される。したがって、本回路では、スイッチング素子Ｑに要求される耐圧性が軽減されるとともに、スナバ回路等の処理容量を低減できる。同様に、トランスＴ１の磁気飽和の可能性も小さくなることから、トランスＴ１のサイズを小さくすることができる。

［オフ期間：二次側］
図３（ｂ）の電位関係図に示すように、オフ期間になると、トランスＴ１の二次コイル１Ｎｓ、トランスＴ２の一次コイル２Ｎｐ及び二次コイル２Ｎｓの各々の両端の電位関係が反転する。ダイオードＤ２は、逆バイアスとなり遮断される。一方、ダイオードＤ１が順バイアスとなり導通し、図２（ｂ）に示すように電流ｉ4及び電流ｉ5が以下の経路で流れる。
・電流ｉ4：負極出力端ｎ→ダイオードＤ１→トランスＴ２の一次コイル２Ｎｐ→正極出力端ｐ
・電流ｉ5：負極出力端ｎ→ダイオードＤ１→トランスＴ１の二次コイル１Ｎｓ→正極出力端ｐ

電流ｉ4が流れることにより、トランスＴ２にオン期間に蓄積された磁気エネルギーが、オフ期間に電力として出力される。また、電流ｉ5が流れることにより、トランスＴ１にオン期間に蓄積された磁気エネルギーが、オフ期間に電力として出力される。好適な設計においては、トランスＴ１に蓄積された磁気エネルギーは、トランスＴ２に蓄積された磁気エネルギーよりも小さいため、電流ｉ5は電流ｉ4に比べて小さい。

（２）第２の実施形態
（２−１）第２の実施形態の回路構成
本発明の絶縁型スイッチング電源の第２の実施形態は、第１の実施形態の変形形態である。図４は、第２の実施形態の回路構成例を概略的に示した図である。図５（ａ）及び（ｂ）は、それぞれオン期間及びオフ期間の電流の流れを概略的に示している。

第２の実施形態においても、フライバック方式の２つのトランスＴ１、Ｔ２を用いている。トランスＴ１の一次側の構成は、第１の実施形態と同じである。さらに、トランスＴ１の二次コイル１ＮｓとトランスＴ２の一次コイル２Ｎｐが並列接続された構成、その並列接続における第１の接続点ａと負極出力端ｎの間にダイオードＤ１が接続された構成、トランスＴ２の二次コイル２Ｎｓの他端と負極出力端ｎの間にダイオードＤ２が接続された構成、並びに、出力端ｐ、ｎの間に平滑用のコンデンサＣが接続された構成も、第１の実施形態と同じである。

第２の実施形態では、トランスＴ２の二次コイル２Ｎｓの一端と第２の接続点ｂすなわち、正極出力端ｐの間にインダクタＬが接続されている。

さらに、トランスＴ２の二次コイル２Ｎｓの一端と負極出力端ｎとの間に第３の整流要素Ｄ３が接続されている。整流要素Ｄ３は、負極出力端ｎから二次コイル２Ｎｓの一端へ流れる電流を導通させ、それとは逆方向の電流を遮断することができるように接続されている。したがって、整流要素Ｄ３が例えばダイオードである場合、ダイオードＤ３は、アノードが負極出力端ｎに、カソードが二次コイル２Ｎｓの一端に接続されている。

（２−２）第２の実施形態の動作説明
図５及び図６を参照して、第２の実施形態の動作について、主に第１の実施形態とは異なる点を説明する。図５（ａ）及び（ｂ）は、それぞれオン期間及びオフ期間における電流の流れを概略的に示している（矢印は電流の向きを示す）。図６（ａ）及び（ｂ）は、それぞれオン期間及びオフ期間におけるトランスＴ１の二次側の各構成要素の電位関係の一例を模式的に示す図である。

（２−２−１）オン期間におけるトランスＴ１の一次側及び二次側の動作
［オン期間：一次側］
トランスＴ１の一次側では、オン期間に制御信号Ｖｇがオンになると、ＦＥＴＱがオンとなり電流路が導通する。トランスＴ１の一次コイル１Ｎｐには、図５（ａ）に示すように入力電圧による入力電流ｉ1が以下の経路で流れる。
・入力電流ｉ1：入力端１→トランスＴ１の一次コイル１Ｎｐ→ＦＥＴＱ→入力端２

［オン期間：二次側］
図５（ａ）に示すように、トランスＴ１の一次コイル１Ｎｐに入力電流ｉ1が流れることにより、二次コイル１Ｎｓに起電力が生じ、短絡電流である電流ｉ2が以下の経路で流れる。ダイオードＤ１は、逆バイアスであるため遮断されている。
・電流ｉ2：トランスＴ１の二次コイル１Ｎｓ→トランスＴ２の一次コイル２Ｎｐ

図６（ａ）の電位関係図に示すように、トランスＴ２の一次コイル２ＮｐとトランスＴ１の二次コイル１Ｎｓは並列であるので両端電圧は同じ大きさである。トランスＴ２においては、一次コイル２Ｎｐに電流ｉ2が流れることにより、二次コイル２Ｎｓに起電力が生じる。ダイオードＤ２は順バイアスとなるため導通し、以下の経路で電流ｉ3が流れる。
・電流ｉ3：負極出力端ｎ→ダイオードＤ２→トランスＴ２の二次コイル２Ｎｓ→インダクタＬ→正極出力端ｐ

オン期間のトランスＴ２においては、一次コイル２Ｎｐに流れる電流ｉ2により励磁されて磁気エネルギーが蓄積されると同時に、相互誘導により二次コイル２Ｎｓに電流ｉ3が流れ出力されることにより、電力伝達も行われる。

インダクタＬは、通常のフォワード方式におけるインダクタと同様に、電流ｉ3が流れることにより励磁されて磁気エネルギーが蓄積される。また、インダクタＬは、回路始動時におけるコンデンサＣへ突入電流を抑制する役割も果たす。

なお、ダイオードＤ３は逆バイアスとなるため遮断されている。その他のオン期間の動作については、第１の実施形態と同じである。

第２の実施形態におけるオン期間の電流の流れは、第１の実施形態と同じである。第２の実施形態においても、トランスＴ１に蓄積させる磁気エネルギーよりも、トランスＴ２及びインダクタＬに移行させるエネルギーの方を大きくすることが好適である。

（２−２−２）オフ期間におけるトランスＴ１の一次側及び二次側の動作の詳細
［オフ期間：一次側］
トランスＴ１の一次側では、制御信号Ｖｇがオフになると、ＦＥＴＱもオフとなりスイッチが開く。トランスＴ１の一次コイル１Ｎｐの電流路は遮断され、電流が零となる。これによりトランスＴ１の一次コイル１Ｎｐ及び二次コイル１Ｎｓにそれぞれ逆起電力が生じる。

［オフ期間：二次側］
図６（ｂ）に示すように、オフ期間になると、トランスＴ１の二次コイル１Ｎｓ、トランスＴ２の一次コイル２Ｎｐ及び二次コイル２Ｎｓ、並びにインダクタＬの各々の両端の電位関係が反転する。第１の実施形態と同様に、ダイオードＤ２が逆バイアスとなり遮断される一方、ダイオードＤ１が順バイアスとなり導通し、図５（ｂ）に示すように電流ｉ4及び電流ｉ5が以下の経路で流れる。
・電流ｉ4：負極出力端ｎ→ダイオードＤ１→トランスＴ２の一次コイル２Ｎｐ→正極出力端ｐ
・電流ｉ5：負極出力端ｎ→ダイオードＤ１→トランスＴ１の二次コイル１Ｎｓ→正極出力端ｐ

電流ｉ4が流れることにより、トランスＴ２にオン期間に蓄積された磁気エネルギーが、オフ期間に電力として出力される。また、電流ｉ5が流れることにより、トランスＴ１にオン期間に蓄積された磁気エネルギーが、オフ期間に電力として出力される。

さらに、第２の実施形態においては、ダイオードＤ３が順バイアスとなり導通し、図５（ｂ）に示すように電流ｉ6が以下の経路で流れる。
・電流ｉ6：負極出力端ｎ→ダイオードＤ３→インダクタＬ→正極出力端ｐ

第２の実施形態では、第１の実施形態よりもオフ期間の電流の経路が多い。電流が分散されることにより、各構成要素に要求される処理容量が軽減され結果的に高出力化が可能となる。

１ 入力端
２ 入力端
ｐ 第１の出力端（正極出力端）
ｎ 第２の出力端（負極出力端）
Ｔ１、Ｔ２ トランス
１Ｎｐ、２Ｎｐ 一次コイル
１Ｎｓ ２Ｎｓ 二次コイル
Ｑ スイッチング素子（ＦＥＴ）
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３ 整流要素（ダイオード）
Ｃ コンデンサ
Ｌ インダクタ

Claims (2)

1. （ａ）一次コイルと二次コイルを具備する第１のトランスと、
   （ｂ）前記第１のトランスの一次コイルと直列接続されかつ制御信号によりオンオフ制御されるスイッチング素子と、
   （ｃ）一次コイルと二次コイルを具備する第２のトランスであって、前記第１のトランスの二次コイルと該第２のトランスの一次コイルが第１の接続点及び第２の接続点により並列接続され、該第２の接続点が該第２のトランスの二次コイルの一端であると共に第１の出力端でもある、前記第２のトランスと、
   （ｄ）第２の出力端から前記並列接続における第１の接続点へ流れる電流を導通させかつその逆向きの電流を遮断するように接続された第１の整流要素と、
   （ｅ）第２の出力端から前記第２のトランスの二次コイルの他端へ流れる電流を導通させかつその逆向きの電流を遮断するように接続された第２の整流要素と、を有することを特徴とする
   絶縁型スイッチング電源。
2. （ａ）一次コイルと二次コイルを具備する第１のトランスと、
   （ｂ）前記第１のトランスの一次コイルと直列接続されかつ制御信号によりオンオフ制御されるスイッチング素子と、
   （ｃ）一次コイルと二次コイルを具備する第２のトランスであって、前記第１のトランスの二次コイルと該第２のトランスの一次コイルが第１の接続点及び第２の接続点により並列接続され、該第２の接続点が第１の出力端である、前記第２のトランスと、
   （ｄ）前記第２のトランスの二次コイルの一端と前記第１の出力端の間に接続されたインダクタと、
   （ｅ）第２の出力端から前記並列接続における第１の接続点へ流れる電流を導通させかつその逆向きの電流を遮断するように接続された第１の整流要素と、
   （ｆ）第２の出力端から前記第２のトランスの二次コイルの他端へ流れる電流を導通させかつその逆向きの電流を遮断するように接続された第２の整流要素と、
   （ｇ）第２の出力端から前記第２のトランスの二次コイルの一端へ流れる電流を導通させかつその逆向きの電流を遮断するように接続された第３の整流要素と、を有することを特徴とする
   絶縁型スイッチング電源。

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