JP3232412B2 - ウエハーへのレジスト膜形成方法及びウエハーラミネーター - Google Patents

ウエハーへのレジスト膜形成方法及びウエハーラミネーター

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JP3232412B2 JP33852299A JP33852299A JP3232412B2 JP 3232412 B2 JP3232412 B2 JP 3232412B2 JP 33852299 A JP33852299 A JP 33852299A JP 33852299 A JP33852299 A JP 33852299A JP 3232412 B2 JP3232412 B2 JP 3232412B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウエハー
をはじめとする半導体ウエハーにレジスト膜を形成する
方法、及び前記方法を実行可能なウエハーラミネーター
に関する。
【0002】
【従来の技術】シリコンウエハーを用いて集積回路(I
C)を製造する場合、回路パターンを焼き付ける前段階
として、感光性を付与すべくシリコンウエハーの酸化膜
上にレジスト膜を形成する工程が必要である。レジスト
膜を形成する工程としては、従来、特開平10−165
883号に開示された回転式薄膜形成方法が知られてい
る。この方法では、ウエハーを回転させつつ、液状のレ
ジストをウエハーに霧状に吹き付けて、ウエハー上にレ
ジスト膜を形成する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このような回転式薄膜
形成方法では、遠心力の作用により、ウエハー周辺部の
膜厚が中心部と比較して厚くなり、全体にわたって均一
な膜厚が得にくい。更に、液状のレジストを吹き付ける
ため、ウエハーに付着せず飛散する無駄なレジストが多
く発生するし、膜形成に長時間を要する。また、以上の
ことから8μm程度の厚いレジスト膜を、現実的な時間
に均一な状態で得ることが難しく、回路パターン焼き付
け後の現像ないしエッチングの作用の調整が制限され、
ひいては回路設計の制限となっている。
【0004】よって、本発明のうち、請求項1から請求
項2に記載の発明の課題は、薄い膜は勿論厚いものであ
っても膜厚一定で連続的にレジスト膜を形成するととも
に、無駄なレジストの発生量を抑えることができる半導
体ウエハーへのレジスト膜形成方法を提供することにあ
る。
【0005】また、請求項3から請求項5に記載の発明
の課題は、前記レジスト膜形成方法を効果的に実行可能
な装置としてのウエハーラミネーターを提供することに
ある。
【0006】
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項1
に記載の発明は、ベース層に、レジスト層を重ねてなる
レジストフィルムのうち、レジスト層をウエハー形状に
カットする切り出し工程と、ウエハー形状に切り出した
レジスト層を取り出す取り出し工程と、取り出したウエ
ハー形状のレジスト層とウエハーとを、周辺が合致する
ように位置決めする位置決め工程と、位置決めしたレジ
スト層を貼付する貼付工程とを含むことを特徴とする。
【0008】また、請求項2に記載の発明は、請求項1
に記載の発明において、レジスト層を貼付したウエハー
を真空引きすることを特徴とする。
【0009】一方、請求項3に記載の発明は、前記レジ
スト膜形成方法を実行可能なウエハーラミネーターであ
って、ベース層上に、順にレジスト層、カバー層を重ね
てなるレジストフィルムを、流路へ繰り出す繰り出し機
構と、レジストフィルムを、流路上においてウエハーの
大きさ強の長さだけ進行し、その後一旦停止する動作を
繰り返すよう、断続的に巻き取り可能な巻き取り機構
と、停止したレジストフィルムのレジスト層及びカバー
層のみを、流路上でウエハー形状にカットする切り出し
機構、及び、ウエハー形状に切り出したレジスト層及び
カバー層を、流路上のベース層から吸着する吸着機構
と、吸着したレジスト層及びカバー層をウエハー上に移
送する移送機構、及び、レジスト層及びカバー層の周辺
がウエハーの周辺と合致するように移送機構を位置決め
する位置決め機構と、位置決めしたレジスト層及びカバ
ー層をウエハーに圧着する圧着機構とを備えたことを特
徴とする。
【0010】また、請求項4に記載の発明は、請求項3
に記載の発明において、圧着機構を圧着の際レジスト層
及びカバー層に加熱可能な熱圧着機構とするとともに、
吸着機構、移送機構、及び熱圧着機構を1つのヘッドユ
ニットとして構成し、レジスト層及びカバー層の吸着及
び移送時に熱圧着機構をレジスト層及びカバー層から遠
ざける退避機構をヘッドユニットに設けたことを特徴と
する。
【0011】更に、請求項5に記載の発明は、請求項
3,請求項4に記載の発明において、巻き取り機構は、
切り出し部分以外のレジスト層及びカバー層を巻き取る
カス巻き取り機構と、レジスト層及びカバー層の切り出
し部分を分離し吸着機構に吸着させるよう、ベース層の
みを巻き取るベース層巻き取り機構とからなることを特
徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につき、
図面に基づいて説明する。図1及び図2は本発明に係る
ウエハーラミネーター1の正面説明図である。なお、左
右方向に、フィルムが進んでいく右を正としてX軸をと
り、正背面方向に、正面側を正としてY軸をとり、鉛直
方向に、上を正としてZ軸をとる。
【0013】ウエハーラミネーター1は、機枠2、それ
ぞれ上面に水平な流路3a,3b,3cを有する左基台
4a,中央基台4b及び右基台4c、左基台4a内に配
置された繰り出し機構としての繰り出し部5、流路3a
の上側に設置された切り出し機構としてのレーザーカッ
ター6、中央基台4bと背面が一体で流路3bの上側に
位置するカス巻き取り機構としてのカス巻き取り部7、
右基台4cに内蔵されたベース層巻き取り機構としての
ベース層巻き取り部8、右基台4cよりX軸正側に離れ
た貼付台9、更に正側の仕上げ部10(図2)、基台4
右側から仕上げ部10左方までにおいてX軸に平行に延
設されたレール11に沿って移動可能なヘッドユニット
12、並びに、背面側のシーケンサー13、及びシーケ
ンサー13と電気的に接続された正面右側の操作盤14
等からなる。
【0014】機枠2は、図示しない紫外線カット窓を有
しているとともに、密閉構造となっており、図示しない
加圧装置によって内部圧を外部圧より高くして埃を排除
可能となっている。
【0015】繰り出し部5は、振り子20を正背面に備
えたフィルムロールLの取り付け軸21、振り子20の
左先端に軸支された調整ローラー22、転向ローラー2
3,24等からなる。フィルムロールLは、ポリエチレ
ンフィルムであるベース層Bの上に、順にフィルム状の
レジスト層R、カバーフィルムCを重ねてなるレジスト
フィルムF(図3(a)、以下単にフィルムという)を
巻いたものである。なお、フィルムFは、基板のパター
ン形成に用いられていたものを使用することができる。
【0016】また、フィルムロールLのフィルムF残存
量が少なくなるに従い、振り子20がおもりの作用によ
り動いて調整ローラー22が下降し、転向ローラー23
を介し繰り出したフィルムFの折り返し位置を下げるよ
うになっていて、フィルムFは張力を一定で転向ローラ
ー24に送られる。転向ローラー24は、流路3a〜3
cに対し平行にフィルムFを供給する。なお、振り子2
0の重量等を変ずることにより、繰り出すフィルムFの
張力を設定することができる。
【0017】レーザーカッター6は、赤色レーザーを照
射部28から鉛直に出力するレーザー部25と、図示し
ないサーボモーター及びスクリュー軸により、X位置及
びY位置を指定して出力部25を移動させる小シーケン
サー部26とからなる。小シーケンサー部26は、図示
しないコンピューターと電気的に接続されており、コン
ピューターは、CADソフトで描かれたウエハー形状の
軌跡を、多数のX,Y座標値に分離して連続的に小シー
ケンサー部26に出力する。
【0018】更に、レーザー部25のレーザー出力レベ
ルは、流路3a上におけるフィルムFの各層のうち、カ
バー層C及びレジスト層Rを切断するように調整されて
いる。従って、図3(b)(c)に示すように、レーザ
ーカッター8は、カバー層C及びレジスト層Rを、ノッ
チH’を有するウエハー形状の切り出し部U,U・・
と、その外側のカスKとに分断する。なお、レーザーに
よる切断においては、若干煙が立つので、レーザー部2
5には、煙を吸い取る吸入孔27が、照射部28の近傍
に形成されている。
【0019】カス巻き取り部7は、カスKのみを、転向
板30及び転向ローラー31,32,33を介してカス
巻き取り軸34に導いて巻き取る。カス巻き取り軸34
は、ベルトを介して接続されたサーボモーター35によ
り駆動される。サーボモーター35は、シーケンサー1
3と電気的に接続されており、シーケンサー13は、図
3(c)に示す長さPだけベース層Bを巻き取る回転を
した後に一旦停止する動作を繰り返すよう、サーボモー
ター35を回転制御する。なお、長さPは、切り出し部
UのX方向長さとX方向間隔の前後各半分とを合わせた
ものである。
【0020】ベース層巻き取り部8は、流路3c上のフ
ィルムFのベース層Bのみを、X軸負側の下方に鋭角に
折り返す剥離ローラー40、及び転向ローラー41,4
2,43,44とにより導かれてきたベース層Bを巻き
取るベース層巻き取り軸45、ベース層巻き取り軸45
とベルトを介して接続されたサーボモーター46等から
なる。サーボモーター46は、シーケンサー13と電気
的に接続されており、シーケンサー13は、ベース層巻
き取り軸45がカス巻き取り軸34と同様の巻き取り動
作を行うように、サーボモーター46を駆動する。
【0021】ここで、ベース層Bは、前記巻き取り動作
で巻き取られることにより、レジスト層R及びカバー層
Cを乗せた状態で、長さPだけ流路上を断続的に進行す
る。即ち、ベース層巻き取り軸45は、フィルムFを、
ウエハーWの大きさ強の距離だけ断続的に進行させる。
また、ベース層Bのみを剥離ローラー40で鋭角に折り
戻すことにより、剥離ローラー40上において、カスK
を取った後のレジスト層R及びカバー層C、即ち切り出
し部Uが、ベース層Bから一部剥離する。なお、転向ロ
ーラー43も、サーボモーター46でベルト駆動して、
巻き取るベース層Bの絡まりを防ぐ。
【0022】貼付台9は、水平なウエハーWの載置部4
7を有している。載置部47は、シーケンサー13と電
気的に接続された図示しない送り装置と連結され、X軸
正側の搬入出位置(図1において点線で描かれる位置)
からX軸負側の貼付位置(実線の位置)まで、X軸に沿
って移動可能である。また、X軸負側には、X軸用セン
サー48a及びY軸用センサー48b(図5)を配した
センサー部48が立設されている。X軸用センサー48
aとY軸用センサー48bとは、シーケンサー13と電
気的に接続されている。
【0023】図2に示す仕上げ部10は、カセット5
0、加熱炉51(図2では上方にずらして示す)、回転
位置決め装置52、加熱及び真空引き可能な真空チャン
バ53と、これら及び貼付台9に囲まれ、ウエハーWを
下側から支えてそれぞれに出し入れ可能なロボットアー
ム54とを備えている。回転位置決め装置52は、ロボ
ットアーム54から供給されたウエハーWのノッチHと
中心とを割り出し、ウエハーWを、ノッチHが所定位置
となるように回転させて、ロボットアーム54に渡す。
【0024】図4にも示すヘッドユニット12は、レー
ル11に支持された外枠60と、外枠60内側の内枠6
1と、内枠61のX軸正側のシリンダー62と、シリン
ダー62の下先端に取り付け、最下部となった吸着機構
としての吸着板63と、内枠61のX軸負側においてY
軸周りに傾けて設けたスイングシリンダー64と、スイ
ングシリンダー64右下先端に連結された熱圧着機構と
しての熱圧着ローラー65等からなる。
【0025】外枠60には、レール11のスクリュー軸
66が通されているとともに、スクリュー軸66は、レ
ール11上側に設置したサーボモーター67と、ベルト
を介して接続されており、更にサーボモーター67はシ
ーケンサー13と電気的に接続されているので、ヘッド
ユニット12は、シーケンサー13の指示するX位置若
しくは移動量でX方向に移動可能である(移送機構)。
また、外枠60内には、シーケンサー13と電気的に接
続された図示しないサーボモーターと、このサーボモー
ターによって駆動され、内枠を通される、Y軸に沿った
スクリュー軸68とが設置され、内枠61は同様にY位
置ないし移動量を指定して移動可能である。
【0026】加えて、吸着板63は、ウエハーWの形状
やサイズに関わらず吸着するよう全体にわたり多数穿設
した図示しない孔に、負圧がかかかるように構成されて
おり、フィルムFの切り出し部Uを吸着する。更に、ス
イングシリンダー64は、シーケンサー13の指令によ
り伸縮し、縮退状態では熱圧着ローラー65を吸着板6
3に対して左上遠方に離し、伸張状態では吸着板63の
X軸負側近くに下降させる。
【0027】また、熱圧着ローラー65は、図示しない
ヒーター線を中心に鉄パイプを配し、更にゴムを周設し
た構造である。また、ゴムの表面温度を検出する図示し
ない熱センサーも有しており、シーケンサー13は表面
温度の入力に基づきヒーター線をフィードバック制御
し、熱圧着ローラー65の表面温度を一定に保つ。更
に、吸着板63、スイングシリンダー64及び熱圧着ロ
ーラー65は、シーケンサー13が制御するシリンダー
62によって、所定距離だけ上下動可能とされている。
【0028】以上のようになるウエハーラミネーター1
の動作を、図5及び図6も用いて説明する。レジスト膜
を形成する前のウエハーWは、酸化膜が形成された面を
上にしてカセット50に収納されている。ロボットアー
ム54は、カセット50からウエハーWを取り出し(図
6のステップ100)、加熱炉51に挿入する。一定時
間放置してウエハーWに予熱をかけた後(ステップ10
2)、ウエハーWを取り出して回転位置決め装置52に
渡し、貼付台9の載置部47に乗った際にノッチHが例
えばX軸の最も負側に位置するような姿勢までウエハー
Wを回転させて、ロボットアーム54が取り出すのを待
機する(ステップ104)。
【0029】そして、回転位置決めが十分完了する所定
時間後、ロボットアーム54は、ウエハーWを、回転位
置決め装置52から載置部47の所定位置に移す(ステ
ップ106)。載置部47は、ウエハーWが乗せ置かれ
る直前では、X軸正側の搬入出位置にあるが、ウエハー
Wが乗せ置かれると、ずれを起こさないようにしてX軸
負側の貼付位置に復帰する(ステップ108)。
【0030】一方、ウエハーWの載置と併行して、フィ
ルムFのレジスト層Rを含む切り出し部Uが導入され
る。この導入過程において、まず、繰り出し部5が、フ
ィルムロールLからの図3(a)のような3層のフィル
ムFを、張力一定で流路3aへ水平に供給する(ステッ
プ110)。なお、ウエハーラミネーター1停止時は、
振り子20を固定し、フィルムFが繰り出されないよう
にする。
【0031】流路3aに繰り出されたフィルムFの各層
のうちベース層Bは、流路3c終端下のベース層巻き取
り部8によって断続的に巻き取られる。ベース層Bは、
レジスト層R及びカバー層Cを乗せた状態で、図3
(c)に示す長さPだけ流路3a〜3c上を進行し、ま
た一定時間停止することを繰り返す。
【0032】また、流路3a上のX軸負側に配されたレ
ーザーカッター6は、各停止状態のフィルムFの各層の
うち、レジスト層R及びカバー層Cについて、図3
(b)(c)左側に示すように、ノッチH’を有するウ
エハーWの形状を次々に切り出す(切り出し工程として
のステップ112及び図5(a))。ウエハーWの形状
(サイズ)が変わっても、CADで描き直せば、変化し
たウエハーWの形状を切り出せる。
【0033】更に、吸入孔27が発生する煙を除去し、
ウエハーWへの混入を防止する。なお、広幅のフィルム
Fを、切り出す部分について特に平坦にするため、流路
3aの下側に吸着装置を設けたり、型枠で押さえたり、
押さえローラーを切り出す部分の両端に配したりする。
【0034】加えて、流路3b上のカット済みフィルム
Fのうち、カスKのみを、カス巻き取り部7で、図3
(b)右側あるいは図5(b)のように剥離し、巻き取
る(ステップ114)。カス巻き取り軸34の動作はベ
ース層巻き取り軸45と同調しており、剥離が良好に行
われる。また、カスKを予め巻き取っておくことによ
り、僅かな切り残しがあっても切り出し部Uから離すこ
とができ、次工程以降がスムーズとなる。
【0035】また更に、流路3cにおいては、図5
(c)に示すように、剥離ローラー40により若干ベー
ス層Bから剥離された状態で停止された切り出し部U
を、X軸負側の吸着位置(図1実線位置)にあるヘッド
ユニット12の吸着板63が吸着する(取り出し工程と
してのステップ116)。このとき、切り出し部UのX
軸負側の辺縁が、吸着板63から若干はみ出た状態とな
っている。
【0036】続いて、シーケンサー13は、ヘッドユニ
ット12の、X軸正方向への移動を開始する。貼付台9
手前のセンサー部48まで更にシーケンサー13は、図
5(d)に示すように、X軸用センサー48a及びY軸
用センサー48bそれぞれの、切り出し部U周辺の検知
位置と、ヘッドユニット12の位置との差分を利用し
て、以後のX,Y移動量を補正する(位置決め工程とし
てのステップ118)。なお、センサー部48の作動位
置が、図1に想像線(左側)で示してある。
【0037】補正は、貼付位置にある載置部47の所定
位置に乗せられたウエハーWの周辺が、切り出し部Uの
周辺と合致することを基準に行われ、従って、ヘッドユ
ニット12は、切り出し部Uを、図5(e)のように合
致状態まで移送する(ステップ120)。合致すると、
シーケンサー13の指令に基づきシリンダー62が作動
し、吸着板63が所定量下降して、切り出し部Uがウエ
ハーW上に接触する。
【0038】そして、シーケンサー13は、スイングシ
リンダー64を作動させ、熱圧着ローラー65を、切り
出し部Uのはみ出し部分の上側まで進出させる(ステッ
プ122)。進出とともに、切り出し部UのX軸負側が
周辺合致状態で貼付されて、貼り始め位置が固定され、
以後の貼付をずれなくスムーズにする。また、熱圧着ロ
ーラー65は、ウエハーWの形状のレジスト層Rを含む
切り出し部Uの圧着時のみにスイングして下がるので、
レジスト層Rが熱から保護される。
【0039】更にシーケンサー13は、吸着板63の吸
着力を弱めるとともに、ヘッドユニット12をX軸正側
へ移動させる。この移動により、図5(f)のように、
熱圧着ローラー65が、切り出し部Uを、ウエハーW上
に、互いの周辺が合致した状態で熱圧着する(貼付工程
としてのステップ124)。なお、貼り始め位置と貼り
終わり位置が、図1にそれぞれ右側と中央の想像線で示
してある。
【0040】図5(g)のように切り出し部Uをウエハ
ーWの酸化膜上に貼り終わると、シーケンサー13は、
ヘッドユニット12を、吸着位置へ戻す(ステップ12
6)。ヘッドユニット13が吸着位置から移動し、復帰
する間に、カス巻き取り軸34とベース層巻き取り軸4
5が一回動作し、フィルムFが次の停止状態となってい
る。
【0041】一方、ヘッドユニット12の復帰中におい
て、切り出し部Uが貼付されたウエハーWを乗せた載置
部47が、X軸正側の搬入出位置に移動する(ステップ
128)。載置部47が搬入出位置に達すると、ロボッ
トアーム54は、ウエハーWをつかみ、仕上げ部10に
搬出する(ステップ130)。
【0042】仕上げ部10においては、まずロボットア
ーム54がウエハーWを真空チャンバ53に投入し、加
熱しながら真空引きする(ステップ132,134)。
この加熱及び真空引きにより、圧着時に気泡が出現して
しまっても取り去ることができ、仕上がり時のレジスト
膜厚を均一にすることができる。
【0043】そして、カセットの元の位置に挿入し(ス
テップ136)、切り出し部U貼付前の新たなウエハー
Wの搬入に備える。以上の動作を繰り返して、ウエハー
Wの形状のレジスト層Rを次々に貼付し、ウエハーWに
レジスト膜を連続的に形成する。なお、切り出し部Uを
貼付したウエハーWは、半導体製造における次段階の現
像処理をする装置に導入されるが、導入前に切り出し部
Uのカバー層Cが剥離される。切り出し部Uがカバー層
Cを有することにより、ウエハーW上においてレジスト
層Rが保護される。
【0044】このようなウエハーラミネーター1では、
フィルムFのレジスト層RをウエハーWに貼付すること
によりレジスト膜を形成するので、レジスト膜の厚み
を、周辺部が盛り上がることなく、全体にわたり均一に
することができる。また、フィルムFの種類を変えるだ
けで様々な厚みのレジスト膜を形成することができ、8
μm程度の厚いレジスト膜も均一に形成することができ
る。なお、フィルムFの種類が変わった場合には、巻き
取り部8のサーボモーター46に連結された図示しない
クラッチや押さえローラー、繰り出し部5の振り子20
即ち繰り出し張力等を調整することにより、均一な仕上
がりを保つことができる。
【0045】更に、ウエハーラミネーター1の動作にお
いては、切り出し工程と位置決め工程が含まれるので、
ウエハーWの形状ないしサイズに合致させて連続的にレ
ジスト膜を形成することができる。また、熱圧着ローラ
ー62が切り出し部UないしウエハーWを加熱しながら
圧着するので、切り出し部Uをしわの発生なく伸張状態
で圧着することができ、レジスト膜の均一性に寄与する
ことができる。加えて、吸着板62と外枠60及び内枠
61と熱圧着ローラー65とがヘッドユニット12とし
てまとめられているので、ウエハーラミネーター1の構
成をシンプルにすることができる。
【0046】なお、本発明は、以上の実施形態に限定さ
れるものではなく、次に一部示すように様々に変更可能
である。各種部材の形状や配置は、例えば良好な吸着を
確保すべく吸着板をウエハー形状としたり、吸着孔をウ
エハー形状に沿って配したりする等、様々に変更でき
る。フィルムは、必ずしも3層構造であることはなく、
レジスト層とベース層の2層構造等とすることができ
る。各種部材の位置決めあるいは巻き取り量等の制御
は、シーケンサー、サーボモーター及びスクリュー軸に
よって行う態様に限定されず、位置検出装置やセンサー
を組み合わせて制御する等できる。
【0047】フィルムは、レーザーによりカットする必
要はなく、刃を相対的に走行させて切断することもでき
る。カスは、独立して巻き取る必要はなく、ベース層と
一緒に巻き取ることもできる。切り出し部Uの吸着は、
負圧を印加するものに限られない。また、フィルムFの
剥離板あるいは剥離ローラーは、互いに自由に入れ替え
ることができる。
【0048】加えて、熱圧着ローラーの退避は、スイン
グシリンダーを用いたものではなく、大容量のヒーター
を圧着時のみ作動させて実現することも可能である。ま
た、熱圧着の精度によっては、ウエハーの予熱や、仕上
げとしての真空引き、加熱を省略することができる。更
に、熱圧着ローラーの熱発生源はヒーター線でなくペル
チェ素子等に変更することができるし、レジストの材質
の改良があったり十分な予熱をかけられるようになった
場合には、圧着時に熱を加えない圧着ローラーを使用す
ることができる。
【0049】
【0050】
【発明の効果】本発明のうち、請求項1に記載の発明
は、レジスト層を切り出してウエハーに貼付することに
より、レジスト膜を形成するので、中心部と円周部とに
関わらず膜厚一定でレジスト膜を形成することができ、
更に無駄なレジストの発生量を抑えることができ、しか
も厚いレジスト膜でも均一に形成できてIC回路パター
ンの設計の幅を広げ、加えて、ウエハーの形状に合致し
た状態で、新たなウエハーに次々に、即ち更に短時間の
うちに、レジスト膜を形成できる、という効果を奏す
る。
【0051】更に、請求項2に記載の発明は、請求項1
に記載の発明において、レジストを貼付したウエハーを
真空引きするので、請求項1に記載の発明の効果の他、
万一気泡がレジストフィルムとウエハーとの間に発生し
ても、気泡を除去し、レジスト膜厚の均一性を保つ、と
いう効果を奏する。
【0052】加えて、請求項3に記載の発明は、ウエハ
ーラミネーターとして、繰り出し機構と、巻き取り機構
と、切り出し機構及び吸着機構と、位置決め機構と、圧
着機構とを備えた装置であるので、フィルム状のレジス
トを、薄いものから厚いものまで均一且つ連続的に貼付
する方法を実行可能な装置を提供できる、という効果を
奏する。
【0053】また、請求項4に記載の発明は、請求項3
に記載の発明において、圧着機構を熱圧着機構とすると
ともに、吸着機構、移送機構、及び熱圧着機構を1つの
ヘッドユニットとして構成し、更に熱圧着機構をレジス
ト層及びカバー層から遠ざけることのできる退避機構を
ヘッドユニットに設けたので、請求項3に記載の発明の
効果の他、均一な貼付のための加熱をすることができ、
また熱圧着機構が貼付時のみフィルム状のレジストに近
づけるようにしてレジストを保護するとともに、構成を
コンパクトにすることができる、という効果を奏する。
【0054】更に、請求項5に記載の発明は、請求項
3,請求項4に記載の発明において、巻き取り機構をカ
ス巻き取り機構と、ベース層巻き取り機構とから構成し
たので、請求項3,請求項4に記載の発明の効果の他、
切り残しがあっても動作をスムーズにすることができ
る、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】ウエハーラミネーターの一部正面説明図であ
る。
【図2】ウエハーラミネーターの一部(仕上げ部10)
の正面説明図である。
【図3】(a)切り出し前のレジストフィルムの斜視説
明図である。 (b)レジストフィルムの切り出し及びカス取りを示す
斜視説明図である。 (c)レジストフィルムの切り出しを表す断面説明図で
ある。
【図4】ヘッドユニットの斜視説明図である。
【図5】(a)〜(g)はウエハーラミネーターの工程
説明図である。
【図6】ウエハーラミネーターの工程を示すフローチャ
ートである。
【符号の説明】
1・・ウエハーラミネーター、5・・繰り出し部、6・
・レーザーカッター、7・・カス巻き取り部、8・・ベ
ース層巻き取り部、9・・貼付台、10・・仕上げ部、
11・・レール、12・・ヘッドユニット、13・・シ
ーケンサー、34・・カス巻き取り軸、35,46,6
7・・サーボモーター、40・・剥離ローラー、45・
・ベース層巻き取り軸、47・・載置部、48・・セン
サー部、50・・カセット、51・・加熱炉、52・・
回転位置決め装置、53・・真空チャンバ、54・・ロ
ボットアーム、60・・外枠、61・・内枠、62・・
シリンダー、63・・吸着板、64・・スイングシリン
ダー、65・・熱圧着ローラー、66,68・・スクリ
ュー軸、B・・ベース層、C・・カバー層、F・・フィ
ルム、H,H’・・ノッチ、K・・カス、P・・(巻き
取り)長さ、R・・レジスト層、U・・切り出し部、W
・・ウエハー。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−349727(JP,A) 特開 平4−256320(JP,A) 実開 昭55−115045(JP,U) 実開 昭62−20784(JP,U) 実公 平6−11198(JP,Y2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 G03F 7/004 512 G03F 7/16 501

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ベース層に、レジスト層を重ねてなるレ
    ジストフィルムのうち、レジスト層をウエハー形状にカ
    ットする切り出し工程と、 ウエハー形状に切り出したレジスト層を取り出す取り出
    し工程と、 取り出したウエハー形状のレジスト層とウエハーとを、
    周辺が合致するように位置決めする位置決め工程と、 位置決めしたレジスト層を貼付する貼付工程とを含むこ
    とを特徴とするウエハーへのレジスト膜形成方法。
  2. 【請求項2】 レジスト層を貼付したウエハーを真空引
    きすることを特徴とする請求項1に記載のウエハーへの
    レジスト膜形成方法。
  3. 【請求項3】 ベース層上に、順にレジスト層、カバー
    層を重ねてなるレジストフィルムを、流路へ繰り出す繰
    り出し機構と、 レジストフィルムを、流路上においてウエハーの大きさ
    強の長さだけ進行し、その後一旦停止する動作を繰り返
    すよう、断続的に巻き取り可能な巻き取り機構と、 停止したレジストフィルムのレジスト層及びカバー層の
    みを、流路上でウエハー形状にカットする切り出し機
    構、及び、ウエハー形状に切り出したレジスト層及びカ
    バー層を、流路上のベース層から吸着する吸着機構と、 吸着したレジスト層及びカバー層をウエハー上に移送す
    る移送機構、及び、レジスト層及びカバー層の周辺がウ
    エハーの周辺と合致するように移送機構を位置決めする
    位置決め機構と、 位置決めしたレジスト層及びカバー層をウエハーに圧着
    する圧着機構とを備えたことを特徴とするウエハーラミ
    ネーター。
  4. 【請求項4】 圧着機構を圧着の際レジスト層及びカバ
    ー層に加熱可能な熱圧着機構とするとともに、吸着機
    構、移送機構、及び熱圧着機構を1つのヘッドユニット
    として構成し、レジスト層及びカバー層の吸着及び移送
    時に熱圧着機構をレジスト層及びカバー層から遠ざける
    退避機構をヘッドユニットに設けたことを特徴とする
    求項3に記載のウエハーラミネーター。
  5. 【請求項5】 巻き取り機構は、切り出し部分以外のレ
    ジスト層及びカバー層を巻き取るカス巻き取り機構と、
    レジスト層及びカバー層の切り出し部分を剥離し吸着機
    構に吸着させるよう、ベース層のみを巻き取るベース層
    巻き取り機構とからなることを特徴とする請求項3また
    は請求項4に記載のウエハーラミネーター。
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