JP3227513B2 - 磁気ディスク加工用水溶性加工油剤組成物、該組成物を含む加工液及び該加工液を用いた磁気ディスクの加工方法 - Google Patents
磁気ディスク加工用水溶性加工油剤組成物、該組成物を含む加工液及び該加工液を用いた磁気ディスクの加工方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｎｉ系メッキ基板
上への表面加工用水溶性油剤組成物、該組成物を含む加
工液及び該加工液を用いたＮｉ系メッキ基板の表面加工
方法、即ち、平面研磨加工方法又はテクスチャ加工方法
に関する。
上への表面加工用水溶性油剤組成物、該組成物を含む加
工液及び該加工液を用いたＮｉ系メッキ基板の表面加工
方法、即ち、平面研磨加工方法又はテクスチャ加工方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、磁気ディスクの磁気特性を向
上させるため、磁気ディスク媒体の基板面上に設けられ
たＮｉ−Ｐメッキ等のＮｉ系メッキ基板の下地膜上に、
アルミナやダイヤモンド等の砥粒を用いて、平面研磨加
工後、微細な溝状の凹凸を残す加工（この加工をテクス
チャ加工という。）が行われている。
上させるため、磁気ディスク媒体の基板面上に設けられ
たＮｉ−Ｐメッキ等のＮｉ系メッキ基板の下地膜上に、
アルミナやダイヤモンド等の砥粒を用いて、平面研磨加
工後、微細な溝状の凹凸を残す加工（この加工をテクス
チャ加工という。）が行われている。
【０００３】このＮｉ系メッキ基板の平面研磨加工用加
工液とテクスチャ加工用加工液は、通常、砥粒を加える
前の加工液であっても、異なった２種の加工液を使用し
ており、同一の加工液を使用することは困難であった。
工液とテクスチャ加工用加工液は、通常、砥粒を加える
前の加工液であっても、異なった２種の加工液を使用し
ており、同一の加工液を使用することは困難であった。
【０００４】また、この表面加工としては、砥粒を分散
させた（遊離砥粒）加工液を下地膜上に流し込んで加工
する方法、テープに砥粒を固定させ（固定砥粒）、そこ
に加工液を流し込んで加工する方法が、一般に使用され
ている。
させた（遊離砥粒）加工液を下地膜上に流し込んで加工
する方法、テープに砥粒を固定させ（固定砥粒）、そこ
に加工液を流し込んで加工する方法が、一般に使用され
ている。
【０００５】これらテクスチャ加工の加工液としては、
純水、界面活性剤水溶液（特開平５−８１６７０号）が
用いられている。しかしながら、これらの加工液では、
加工性、砥粒を分散させた加工液における砥粒分散性、
加工時又は加工後における切り屑の下地膜上への非付着
性、即ち、加工後の洗浄性、さらには、平面研磨加工、
テクスチャ加工後、磁性膜を成膜した後の良好なエラー
特性を同時に満足させることはできなかった。
純水、界面活性剤水溶液（特開平５−８１６７０号）が
用いられている。しかしながら、これらの加工液では、
加工性、砥粒を分散させた加工液における砥粒分散性、
加工時又は加工後における切り屑の下地膜上への非付着
性、即ち、加工後の洗浄性、さらには、平面研磨加工、
テクスチャ加工後、磁性膜を成膜した後の良好なエラー
特性を同時に満足させることはできなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決するためになされたものであり、表面加工、即
ち、平面研磨加工及びテクスチャ加工の加工性、砥粒を
分散させた加工液における砥粒分散性、加工時又は加工
後における切り屑の下地膜上への非付着性、即ち、加工
後の洗浄性、さらには平面研磨加工、テクスチャ加工
後、磁性膜を成膜した後の良好なエラー特性を同時に満
足させることを目的としたものである。
点を解決するためになされたものであり、表面加工、即
ち、平面研磨加工及びテクスチャ加工の加工性、砥粒を
分散させた加工液における砥粒分散性、加工時又は加工
後における切り屑の下地膜上への非付着性、即ち、加工
後の洗浄性、さらには平面研磨加工、テクスチャ加工
後、磁性膜を成膜した後の良好なエラー特性を同時に満
足させることを目的としたものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するために、鋭意検討した結果、特定の界面活
性剤と特定溶剤を含む水溶性加工油剤組成物を用いた加
工液が、上記特性を同時に満足させることを見いだし、
本発明を完成するに至った。
的を達成するために、鋭意検討した結果、特定の界面活
性剤と特定溶剤を含む水溶性加工油剤組成物を用いた加
工液が、上記特性を同時に満足させることを見いだし、
本発明を完成するに至った。
【０００８】即ち、本発明は、（１）炭素数１〜１０の
アルコール系溶剤１〜８０重量部、（２）非イオン界面
活性剤１〜５０重量部及び（３）アニオン界面活性剤１
〜３０重量部を含有してなるＮｉ系メッキ基板加工用水
溶性油剤組成物を提供するものである。
アルコール系溶剤１〜８０重量部、（２）非イオン界面
活性剤１〜５０重量部及び（３）アニオン界面活性剤１
〜３０重量部を含有してなるＮｉ系メッキ基板加工用水
溶性油剤組成物を提供するものである。
【０００９】本発明のＮｉ系メッキ基板加工用水溶性油
剤組成物は、表面加工に際して、適当な希釈水、例え
ば、純水、イオン交換水等で希釈して加工液として使用
できる。本発明は、該Ｎｉ系メッキ基板加工用加工液も
提供する。即ち、本発明は、（１）炭素数１〜１０のア
ルコール系溶剤を０．０１〜３０重量％、（２）非イオ
ン界面活性剤を０．０１〜１０重量％及び（３）アニオ
ン界面活性剤を０．０１〜５重量％含有してなるＮｉ系
メッキ基板加工用加工液も提供する。
剤組成物は、表面加工に際して、適当な希釈水、例え
ば、純水、イオン交換水等で希釈して加工液として使用
できる。本発明は、該Ｎｉ系メッキ基板加工用加工液も
提供する。即ち、本発明は、（１）炭素数１〜１０のア
ルコール系溶剤を０．０１〜３０重量％、（２）非イオ
ン界面活性剤を０．０１〜１０重量％及び（３）アニオ
ン界面活性剤を０．０１〜５重量％含有してなるＮｉ系
メッキ基板加工用加工液も提供する。
【００１０】上記加工液は、更に、ｐＨ調整剤を０．０
０１〜０．５重量％の濃度で含有していてもよい。
０１〜０．５重量％の濃度で含有していてもよい。
【００１１】上記加工液を用いた加工方法としては、
ａ）砥粒を分散させた加工液をＮｉ系メッキ基板と案内
部材の間に供給して加工する方法、ｂ）Ｎｉ系メッキ基
板を、加工液の存在下に砥粒を備えた研磨部材により加
工する方法がある。どちらの場合においても、本発明の
加工液を用いると、砥粒表面電位（ζ電位）が−２０ｍ
Ｖ以下となり、上記の特性を同時に満足させることを見
出した。即ち、本発明は、砥粒表面電位（ζ電位）を−
２０ｍＶ以下にする作用を有することを特徴とするＮｉ
系メッキ基板加工用加工液も提供する。
ａ）砥粒を分散させた加工液をＮｉ系メッキ基板と案内
部材の間に供給して加工する方法、ｂ）Ｎｉ系メッキ基
板を、加工液の存在下に砥粒を備えた研磨部材により加
工する方法がある。どちらの場合においても、本発明の
加工液を用いると、砥粒表面電位（ζ電位）が−２０ｍ
Ｖ以下となり、上記の特性を同時に満足させることを見
出した。即ち、本発明は、砥粒表面電位（ζ電位）を−
２０ｍＶ以下にする作用を有することを特徴とするＮｉ
系メッキ基板加工用加工液も提供する。
【００１２】また、更に砥粒を０．０１〜１０重量％の
割合で含有する上記加工液も提供する。
割合で含有する上記加工液も提供する。
【００１３】更に、本発明はＮｉ系メッキ基板の加工方
法も提供する。詳細には、上記記載の加工液に砥粒を分
散させた液又は砥粒を０．０１〜１０重量％の割合で含
有する上記加工液を、Ｎｉ系メッキ基板と案内部材の間
に供給し、砥粒が前記Ｎｉ系メッキ基板と前記案内部材
との間を通る際に、Ｎｉ系メッキ基板の表面加工、即
ち、平面研磨加工又はテクスチャ加工を行うことを特徴
とするＮｉ系メッキ基板の加工方法を提供する。
法も提供する。詳細には、上記記載の加工液に砥粒を分
散させた液又は砥粒を０．０１〜１０重量％の割合で含
有する上記加工液を、Ｎｉ系メッキ基板と案内部材の間
に供給し、砥粒が前記Ｎｉ系メッキ基板と前記案内部材
との間を通る際に、Ｎｉ系メッキ基板の表面加工、即
ち、平面研磨加工又はテクスチャ加工を行うことを特徴
とするＮｉ系メッキ基板の加工方法を提供する。
【００１４】また、上記記載の砥粒を含まない加工液の
存在下に、Ｎｉ系メッキ基板を砥粒を備えた研磨部材に
よりＮｉ系メッキ基板の表面加工、即ち、平面研磨加工
又はテクスチャ加工を行うことを特徴とするＮｉ系メッ
キ基板の加工方法も提供する。
存在下に、Ｎｉ系メッキ基板を砥粒を備えた研磨部材に
よりＮｉ系メッキ基板の表面加工、即ち、平面研磨加工
又はテクスチャ加工を行うことを特徴とするＮｉ系メッ
キ基板の加工方法も提供する。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳述する。
【００１６】（１）炭素数１〜１０のアルコール系溶剤 炭素数１〜１０のアルコール系溶剤としては、特に限定
的ではないが、以下の化合物が例示される。例えば、メ
タノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパ
ノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノール、ｔ−ブタノ
ール、ｎ−アミルアルコール、ｓ−アミルアルコール、
ｔ−アミルアルコール、３−メチル−１−ブタノール、
２−エチルブタノール、２−エチルヘキサノール、２−
オクタノール、ｎ−オクタノール、シクロヘキサノー
ル、テトラヒドロフルフリルアルコール、ネオペンチル
アルコール、ノナノール、ｎ−ヘキサノール、２−ヘプ
タノール、３−ヘプタノール、ｎ−ヘプタノール、ベン
ジルアルコール、３−ペンタノール、２−メチル−１−
ブタノール、３−メチル−２−ブタノール、４−メチル
−２−ペンタノール、エチレングリコール、エチレング
リコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノ
エチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピル
エーテル、エチレングリコールモノアセテ−ト、エチレ
ングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコー
ルモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシ
ルエーテル、エチレングリコールモノメトキシメチルエ
ーテル、１，３−オクチレングリコール、グリセリン、
グリセリン１，３−ジアセテ−ト、グリセリンモノアセ
テ−ト、ジエチレングリコール、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチル
エーテル、モノブチルエーテル、シクロヘキサンジオ−
ル、ジプロピレングリコール、ジプロピレングリコール
モノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチ
ルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエー
テル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ト
リエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ト
リエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレ
ングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリ
コール、トリプロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、トリメチレングリコール、トリメチロールエタン、
トリメチロールプロパン、１，２−ブタンジオ−ル、
１，３−ブタンジオ−ル、１，４−ブタンジオ−ル、プ
ロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチル
エーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、
プロピレングリコールモノブチルエーテル、ヘキシレン
グリコール、１，５−ペンタンジオ−ル等があげられ
る。本発明のアルコール系溶剤は単独でまたは２種以上
組み合わせて使用することができる。
的ではないが、以下の化合物が例示される。例えば、メ
タノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパ
ノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノール、ｔ−ブタノ
ール、ｎ−アミルアルコール、ｓ−アミルアルコール、
ｔ−アミルアルコール、３−メチル−１−ブタノール、
２−エチルブタノール、２−エチルヘキサノール、２−
オクタノール、ｎ−オクタノール、シクロヘキサノー
ル、テトラヒドロフルフリルアルコール、ネオペンチル
アルコール、ノナノール、ｎ−ヘキサノール、２−ヘプ
タノール、３−ヘプタノール、ｎ−ヘプタノール、ベン
ジルアルコール、３−ペンタノール、２−メチル−１−
ブタノール、３−メチル−２−ブタノール、４−メチル
−２−ペンタノール、エチレングリコール、エチレング
リコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノ
エチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピル
エーテル、エチレングリコールモノアセテ−ト、エチレ
ングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコー
ルモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシ
ルエーテル、エチレングリコールモノメトキシメチルエ
ーテル、１，３−オクチレングリコール、グリセリン、
グリセリン１，３−ジアセテ−ト、グリセリンモノアセ
テ−ト、ジエチレングリコール、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチル
エーテル、モノブチルエーテル、シクロヘキサンジオ−
ル、ジプロピレングリコール、ジプロピレングリコール
モノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチ
ルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエー
テル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ト
リエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ト
リエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレ
ングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリ
コール、トリプロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、トリメチレングリコール、トリメチロールエタン、
トリメチロールプロパン、１，２−ブタンジオ−ル、
１，３−ブタンジオ−ル、１，４−ブタンジオ−ル、プ
ロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチル
エーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、
プロピレングリコールモノブチルエーテル、ヘキシレン
グリコール、１，５−ペンタンジオ−ル等があげられ
る。本発明のアルコール系溶剤は単独でまたは２種以上
組み合わせて使用することができる。
【００１７】好ましくは、エチレングリコール、ジエチ
レングリコール、トリエチレングリコール、プロピレン
グリコール、ブチルカルビトール、エチルカルビトー
ル、グリセリン等が挙げられる。
レングリコール、トリエチレングリコール、プロピレン
グリコール、ブチルカルビトール、エチルカルビトー
ル、グリセリン等が挙げられる。
【００１８】（２）非イオン界面活性剤 非イオン界面活性剤としては、特に限定的ではないが、
以下の化合物が例示される。例えば、上記アルコールの
エチレンオキサイド付加物、またラウリルアルコール、
オレイルアルコール、ステアリルアルコール、リシノー
ル酸、ひまし油等の高級アルコールのエチレンオキサイ
ド付加物、ノニルフェノールのエチレンオキサイド付加
物、ジノニルフェノールのエチレンオキサイド付加物、
ソルビタンエステル、ソルビタンエステルのエチレンオ
キサイド付加物、２級アルコールのエチレンオキサイド
付加物、グリセリンモノアルキルエステルのエチレンオ
キサイド付加物、ポリエチレングリコール、ポリエチレ
ングリコールポリプロピレングリコールブロックコポリ
マ−、ポリエチレングリコールポリプロピレングリコー
ルランダムコポリマ−、オキシエチレンオキシプロピレ
ンブロックコポリマー等が挙げられる。本発明の非イオ
ン界面活性剤は単独でまたは２種以上組み合わせて使用
することができる。
以下の化合物が例示される。例えば、上記アルコールの
エチレンオキサイド付加物、またラウリルアルコール、
オレイルアルコール、ステアリルアルコール、リシノー
ル酸、ひまし油等の高級アルコールのエチレンオキサイ
ド付加物、ノニルフェノールのエチレンオキサイド付加
物、ジノニルフェノールのエチレンオキサイド付加物、
ソルビタンエステル、ソルビタンエステルのエチレンオ
キサイド付加物、２級アルコールのエチレンオキサイド
付加物、グリセリンモノアルキルエステルのエチレンオ
キサイド付加物、ポリエチレングリコール、ポリエチレ
ングリコールポリプロピレングリコールブロックコポリ
マ−、ポリエチレングリコールポリプロピレングリコー
ルランダムコポリマ−、オキシエチレンオキシプロピレ
ンブロックコポリマー等が挙げられる。本発明の非イオ
ン界面活性剤は単独でまたは２種以上組み合わせて使用
することができる。
【００１９】好ましくは、オキシエチレンオキシプロピ
レンブロックコポリマー（ＥＯＰＯコポリマー）、２級
アルコール（例えば、アルキル基炭素数１０〜１８の直
鎖型２級アルコール等の）のエチレンオキサイド（Ｅ
Ｏ）付加物、ノニルフェノールのエチレンオキサイド付
加物、ひまし油のエチレンオキサイド付加物等が挙げら
れる。
レンブロックコポリマー（ＥＯＰＯコポリマー）、２級
アルコール（例えば、アルキル基炭素数１０〜１８の直
鎖型２級アルコール等の）のエチレンオキサイド（Ｅ
Ｏ）付加物、ノニルフェノールのエチレンオキサイド付
加物、ひまし油のエチレンオキサイド付加物等が挙げら
れる。
【００２０】（３）アニオン界面活性剤 アニオン界面活性剤としては、特に限定的ではないが、
以下の化合物が例示される。例えば、オクタン酸、ノナ
ン酸、デカン酸、ラウリン酸、パルミチン酸、オレイン
酸、リノール酸、２−エチルヘキサン酸、イソノナン
酸、リシノール酸、ステアリン酸などのアルカリ金属
塩；ヘキサデカスルホン酸、ラウリルベンゼンスルホン
酸、α−オレフィンスルホン酸、ジイソプロピルナフタ
レンスルホン酸、トリイソプロピルナフタレンスルホン
酸、ジブチルナフタレンスルホン酸、トリブチルナフタ
レンスルホン酸などのアルカリ金属塩；ラウリル硫酸エ
ステル、ステアリル硫酸エステル、ラウリルアルコー
ル、オレイルアルコール、ステアリルアルコールなどの
エチレンオキサイド付加物の硫酸エステル、ノニルフェ
ノールのエチレンオキサイド付加物の硫酸エステル、ジ
ノニルフェノールのエチレンオキサイド付加物の硫酸エ
ステルなどの硫酸エステルのアルカリ金属塩；が挙げら
れる。アルカリ金属としては、ナトリウム、カリウム等
が挙げられる。本発明のアニオン界面活性剤は単独でま
たは２種以上組み合わせて使用することができる。
以下の化合物が例示される。例えば、オクタン酸、ノナ
ン酸、デカン酸、ラウリン酸、パルミチン酸、オレイン
酸、リノール酸、２−エチルヘキサン酸、イソノナン
酸、リシノール酸、ステアリン酸などのアルカリ金属
塩；ヘキサデカスルホン酸、ラウリルベンゼンスルホン
酸、α−オレフィンスルホン酸、ジイソプロピルナフタ
レンスルホン酸、トリイソプロピルナフタレンスルホン
酸、ジブチルナフタレンスルホン酸、トリブチルナフタ
レンスルホン酸などのアルカリ金属塩；ラウリル硫酸エ
ステル、ステアリル硫酸エステル、ラウリルアルコー
ル、オレイルアルコール、ステアリルアルコールなどの
エチレンオキサイド付加物の硫酸エステル、ノニルフェ
ノールのエチレンオキサイド付加物の硫酸エステル、ジ
ノニルフェノールのエチレンオキサイド付加物の硫酸エ
ステルなどの硫酸エステルのアルカリ金属塩；が挙げら
れる。アルカリ金属としては、ナトリウム、カリウム等
が挙げられる。本発明のアニオン界面活性剤は単独でま
たは２種以上組み合わせて使用することができる。
【００２１】好ましくは、ラウリン酸、オレイン酸、リ
シノール酸、ラウリルベンゼンスルホン酸のアルカリ金
属塩が挙げられる。
シノール酸、ラウリルベンゼンスルホン酸のアルカリ金
属塩が挙げられる。
【００２２】本発明の組成物 本発明のＮｉ系メッキ基板加工用水溶性油剤組成物は、
（１）炭素数１〜１０のアルコール系溶剤を１〜８０重
量部、（２）非イオン界面活性剤を１〜５０重量部及び
（３）アニオン界面活性剤を１〜３０重量部含有し、好
ましくは、（１）炭素数１〜１０のアルコール系溶剤を
２〜５０重量部、（２）非イオン界面活性剤を２〜３０
重量部及び（３）アニオン界面活性剤を１．５〜１５重
量部含有し、より好ましくは、（１）炭素数１〜１０の
アルコール系溶剤を５〜３０重量部、（２）非イオン界
面活性剤を３〜２０重量部及び（３）アニオン界面活性
剤を２〜１０重量部含有する。
（１）炭素数１〜１０のアルコール系溶剤を１〜８０重
量部、（２）非イオン界面活性剤を１〜５０重量部及び
（３）アニオン界面活性剤を１〜３０重量部含有し、好
ましくは、（１）炭素数１〜１０のアルコール系溶剤を
２〜５０重量部、（２）非イオン界面活性剤を２〜３０
重量部及び（３）アニオン界面活性剤を１．５〜１５重
量部含有し、より好ましくは、（１）炭素数１〜１０の
アルコール系溶剤を５〜３０重量部、（２）非イオン界
面活性剤を３〜２０重量部及び（３）アニオン界面活性
剤を２〜１０重量部含有する。
【００２３】この組成物は、上記３成分を混合すること
によって得られる。
によって得られる。
【００２４】本発明の加工液 本発明のＮｉ系メッキ基板加工用加工液は、上記Ｎｉ系
メッキ基板加工用組成物を、適当な希釈水、例えば、純
水、イオン交換水等で希釈して得られる。
メッキ基板加工用組成物を、適当な希釈水、例えば、純
水、イオン交換水等で希釈して得られる。
【００２５】（１）本発明の炭素数１〜１０のアルコー
ル系溶剤の加工液中の濃度としては、好ましくは０．０
１〜３０重量％、より好ましくは０．０５〜５重量％が
好ましく、とくに０．１〜２．０重量％が好ましい。
０．０１〜３０重量％だと加工性、切り屑非付着性、洗
浄性が良好であり、また粘度が上昇し過ぎるということ
もない。
ル系溶剤の加工液中の濃度としては、好ましくは０．０
１〜３０重量％、より好ましくは０．０５〜５重量％が
好ましく、とくに０．１〜２．０重量％が好ましい。
０．０１〜３０重量％だと加工性、切り屑非付着性、洗
浄性が良好であり、また粘度が上昇し過ぎるということ
もない。
【００２６】（２）本発明の非イオン界面活性剤の加工
液中の濃度としては、好ましくは０．０１〜１０重量
％、より好ましくは０．０５〜５重量％が好ましく、と
くに０．１〜２．０重量％が好ましい。０．０１〜１０
重量％だと加工性、切り屑非付着性、洗浄性が良好であ
り、また粘度が上昇し過ぎるということもない。
液中の濃度としては、好ましくは０．０１〜１０重量
％、より好ましくは０．０５〜５重量％が好ましく、と
くに０．１〜２．０重量％が好ましい。０．０１〜１０
重量％だと加工性、切り屑非付着性、洗浄性が良好であ
り、また粘度が上昇し過ぎるということもない。
【００２７】（３）本発明のアニオン界面活性剤の加工
液中の濃度としては、好ましくは０．０１〜５重量％、
より好ましくは０．０５〜２重量％が好ましく、とくに
０．１〜１．０重量％が好ましい。０．０１〜５重量％
だと加工性、切り屑非付着性、洗浄性が良好であり、ま
た粘度が上昇し過ぎるということもない。
液中の濃度としては、好ましくは０．０１〜５重量％、
より好ましくは０．０５〜２重量％が好ましく、とくに
０．１〜１．０重量％が好ましい。０．０１〜５重量％
だと加工性、切り屑非付着性、洗浄性が良好であり、ま
た粘度が上昇し過ぎるということもない。
【００２８】本発明Ｎｉ系メッキ基板加工用加工液は、
砥粒表面電位（ζ電位）を−２０ｍＶ以下にするもので
あり、好ましくは−４０ｍＶ以下にするものである。
砥粒表面電位（ζ電位）を−２０ｍＶ以下にするもので
あり、好ましくは−４０ｍＶ以下にするものである。
【００２９】砥粒表面電位（ζ電位）が−２０ｍＶ以下
であると、加工性も優れており、また切り屑の洗浄性も
優れている。更に、砥粒を分散させた場合には、その砥
粒の分散性も優れている。
であると、加工性も優れており、また切り屑の洗浄性も
優れている。更に、砥粒を分散させた場合には、その砥
粒の分散性も優れている。
【００３０】さらに、本発明の加工液中に、通常切削、
研削加工液に添加される潤滑剤、防腐剤等を添加しても
よい。濃度としては、通常使用される範囲で適宜配合さ
れる。
研削加工液に添加される潤滑剤、防腐剤等を添加しても
よい。濃度としては、通常使用される範囲で適宜配合さ
れる。
【００３１】また、ｐＨ調節剤として、酢酸、マロン
酸、クエン酸、リンゴ酸、安息香酸等の有機酸を添加し
てもよく、メカノケミカル作用により加工性も向上す
る。ｐＨ調整剤の加工液中の濃度としては、特に限定さ
れないが、好ましくは、０．００１〜０．５重量％、よ
り好ましくは、０．００２〜０．０１重量％となるのが
よい。
酸、クエン酸、リンゴ酸、安息香酸等の有機酸を添加し
てもよく、メカノケミカル作用により加工性も向上す
る。ｐＨ調整剤の加工液中の濃度としては、特に限定さ
れないが、好ましくは、０．００１〜０．５重量％、よ
り好ましくは、０．００２〜０．０１重量％となるのが
よい。
【００３２】砥粒 使用できる砥粒としては、通常使用される砥粒であれば
特に限定されないが、例えば、アルミナ、ダイヤモンド
などが挙げられる。砥粒の粒径も、特に限定されない
が、通常、０．１〜１０μｍのものを使用し、仕上がり
面形状により適宜選択する。
特に限定されないが、例えば、アルミナ、ダイヤモンド
などが挙げられる。砥粒の粒径も、特に限定されない
が、通常、０．１〜１０μｍのものを使用し、仕上がり
面形状により適宜選択する。
【００３３】本発明の加工方法 本発明の方法によって加工できるＮｉ系メッキ基板とし
ては、例えば、Ｎｉ−Ｐメッキ等のニッケルメッキを施
した磁気ディスク等が挙げられる。
ては、例えば、Ｎｉ−Ｐメッキ等のニッケルメッキを施
した磁気ディスク等が挙げられる。
【００３４】（Ｉ）本発明のＮｉ系メッキ基板のテクス
チャ加工方法 （Ｉ−１）砥粒を加えた上記加工液を、Ｎｉ系メッキ基
板と案内部材の間に供給し、砥粒が前記Ｎｉ系メッキ基
板と前記案内部材との間を通る際に、Ｎｉ系メッキ基板
に溝を形成させる方法である。
チャ加工方法 （Ｉ−１）砥粒を加えた上記加工液を、Ｎｉ系メッキ基
板と案内部材の間に供給し、砥粒が前記Ｎｉ系メッキ基
板と前記案内部材との間を通る際に、Ｎｉ系メッキ基板
に溝を形成させる方法である。
【００３５】砥粒の分散割合としては特に限定されない
が、０．０１〜１０重量％、好ましくは０．０１〜５重
量％、より好ましくは、０．０５〜２重量％になるよう
に添加することによって得られる。
が、０．０１〜１０重量％、好ましくは０．０１〜５重
量％、より好ましくは、０．０５〜２重量％になるよう
に添加することによって得られる。
【００３６】砥粒を分散させた加工液の調製方法として
は、特に限定されないが、例えば、上記加工液に砥粒を
添加することによって得られる。
は、特に限定されないが、例えば、上記加工液に砥粒を
添加することによって得られる。
【００３７】案内部材としては、ベルト状、円盤状等の
形状のものが使用でき、テープ等が使用できる。
形状のものが使用でき、テープ等が使用できる。
【００３８】具体的には、例えば、Ｎｉ系メッキ基板上
に、テープなどの案内部材を押しつけ圧力０．１〜５Ｋ
ｇ／ｃｍ2の範囲で、案内部材送り速度１〜１００ｍｍ
／分で送る際に、上記砥粒を含む加工液を滴下しなが
ら、加工する。
に、テープなどの案内部材を押しつけ圧力０．１〜５Ｋ
ｇ／ｃｍ2の範囲で、案内部材送り速度１〜１００ｍｍ
／分で送る際に、上記砥粒を含む加工液を滴下しなが
ら、加工する。
【００３９】（Ｉ−２）本発明の他のＮｉ系メッキ基板
のテクスチャ加工方法としては、上記砥粒を含まない加
工液の存在下に、Ｎｉ系メッキ基板を砥粒を備えた研磨
部材によりＮｉ系メッキ基板に溝を形成させる方法であ
る。
のテクスチャ加工方法としては、上記砥粒を含まない加
工液の存在下に、Ｎｉ系メッキ基板を砥粒を備えた研磨
部材によりＮｉ系メッキ基板に溝を形成させる方法であ
る。
【００４０】研磨部材としては、ラッピングテープ、ラ
ッピングディスク、ラッピングフィルム等が使用でき
る。砥粒の研磨部材への固定割合は、適宜選択される。
ッピングディスク、ラッピングフィルム等が使用でき
る。砥粒の研磨部材への固定割合は、適宜選択される。
【００４１】具体的には、例えば、Ｎｉ系メッキ基板上
に、砥粒を固定した研磨部材を押しつけ圧力０．１〜５
Ｋｇ／ｃｍ2の範囲で、研磨部材送り速度１〜１００ｍ
ｍ／分で送る際に、上記加工液を滴下しながら加工す
る。
に、砥粒を固定した研磨部材を押しつけ圧力０．１〜５
Ｋｇ／ｃｍ2の範囲で、研磨部材送り速度１〜１００ｍ
ｍ／分で送る際に、上記加工液を滴下しながら加工す
る。
【００４２】（ＩＩ）本発明のＮｉ系メッキ基板の平面
研磨加工方法 平面研磨加工においても、上記テクスチャ加工方法と同
様、本発明の加工液を用いて、砥粒の種類、平均粒径、
加工条件等を適宜選択することによって、上記いずれの
方法でも同様に行うことができる。
研磨加工方法 平面研磨加工においても、上記テクスチャ加工方法と同
様、本発明の加工液を用いて、砥粒の種類、平均粒径、
加工条件等を適宜選択することによって、上記いずれの
方法でも同様に行うことができる。
【００４３】上記条件は１例であり、砥粒の種類、平均
粒径等により、上記条件は、この記載を基に適宜選択さ
れる。
粒径等により、上記条件は、この記載を基に適宜選択さ
れる。
【００４４】
【発明の効果】平面研磨加工時及びテクスチャ加工時に
おいて、基板表面、砥粒、及び発生する切り屑は活性化
した表面を生じる。この活性化した表面に本発明加工液
中の主にアニオン界面活性剤が選択的に吸着し各表面を
保護し、切り屑の凝集、切り屑の研磨テープへの付着、
基板への切り屑および砥粒の付着を防止する。また、非
イオン界面活性剤及びアニオン界面活性剤の親水基およ
び疎水基の構造の選択により安定した加工性と洗浄性が
得られ、磁性膜を成膜した後のエラー特性にも優れてい
る。
おいて、基板表面、砥粒、及び発生する切り屑は活性化
した表面を生じる。この活性化した表面に本発明加工液
中の主にアニオン界面活性剤が選択的に吸着し各表面を
保護し、切り屑の凝集、切り屑の研磨テープへの付着、
基板への切り屑および砥粒の付着を防止する。また、非
イオン界面活性剤及びアニオン界面活性剤の親水基およ
び疎水基の構造の選択により安定した加工性と洗浄性が
得られ、磁性膜を成膜した後のエラー特性にも優れてい
る。
【００４５】また、砥粒への主にアニオン界面活性剤の
吸着により、マイナスの大きな表面電位（ζ電位）を形
成させ、砥粒の分散性を向上させている。このことによ
り均一な加工が可能となる。また、界面活性剤の例えば
ラウリル基等のアルキル基、例えばオレイル基等のアル
ケニル基および溶媒を選択することにより、分散性を向
上させ、持続性を持たせ、さらに再分散性を向上させて
いる。
吸着により、マイナスの大きな表面電位（ζ電位）を形
成させ、砥粒の分散性を向上させている。このことによ
り均一な加工が可能となる。また、界面活性剤の例えば
ラウリル基等のアルキル基、例えばオレイル基等のアル
ケニル基および溶媒を選択することにより、分散性を向
上させ、持続性を持たせ、さらに再分散性を向上させて
いる。
【００４６】本発明によれば、案内部材や研磨部材への
切り屑非付着性、加工後の洗浄性、及び加工性が保た
れ、磁性膜を成膜した後のエラー特性においても良好な
結果が得られる。
切り屑非付着性、加工後の洗浄性、及び加工性が保た
れ、磁性膜を成膜した後のエラー特性においても良好な
結果が得られる。
【００４７】以下実施例によって説明する。
【００４８】
実施例１〜７ 表１に示すような濃度の成分を含むテクスチャ加工用加
工液を、各成分を混合して調製した。ただし、表１中の
２級アルコールＥＯ付加物とは、「ソフタノール７０
（日本触媒株式会社製）」である。
工液を、各成分を混合して調製した。ただし、表１中の
２級アルコールＥＯ付加物とは、「ソフタノール７０
（日本触媒株式会社製）」である。
【００４９】
【表１】 実施例８ 上記実施例１〜７で得られた加工液及びエマルションタ
イプの従来品（以下比較例１という。組成：鉱油０．３
重量％、トリエタノールアミン０．５１重量％、ベンゼ
ンスルホン酸ナトリウム０．１５重量％、水９８．７１
重量％、オレイン酸０．３３重量％）に、砥粒としてア
ルミナ（ＷＡ＃８０００、加工液中の砥粒濃度：１重量
％、）を添加し、撹拌することによって８種類のＷＡス
ラリ−液を調製した。
イプの従来品（以下比較例１という。組成：鉱油０．３
重量％、トリエタノールアミン０．５１重量％、ベンゼ
ンスルホン酸ナトリウム０．１５重量％、水９８．７１
重量％、オレイン酸０．３３重量％）に、砥粒としてア
ルミナ（ＷＡ＃８０００、加工液中の砥粒濃度：１重量
％、）を添加し、撹拌することによって８種類のＷＡス
ラリ−液を調製した。
【００５０】それぞれのスラリー液について、分散性
（平均粒子径）、分散性の経時変化及び表面電位（ｍ
Ｖ）を、粒度分布測定（堀場製作所製、ＬＡ−５０
０）、ζ電位測定（ランクブラザーズ社製、ＭＡＲＫI
I）により求めた。
（平均粒子径）、分散性の経時変化及び表面電位（ｍ
Ｖ）を、粒度分布測定（堀場製作所製、ＬＡ−５０
０）、ζ電位測定（ランクブラザーズ社製、ＭＡＲＫI
I）により求めた。
【００５１】
【表２】 更に、これらスラリー液を用いて、Ｎｉ−Ｐメッキを施
した表面粗さ１０Åのアルミ基板（磁気ディスクの直
径：３．５インチ）にテクスチャ加工を施した。即ち、
アルミ基板に押しつけ圧力１．８Ｋｇ／ｃｍ2、テープ
送り１０ｍｍ／分でテープを送り、各スラリ−液滴下量
一定にて加工を行い、１０秒加工後の加工量（即ち、単
位面積当たりの切り屑の量）及び仕上がり面粗さを検査
した。
した表面粗さ１０Åのアルミ基板（磁気ディスクの直
径：３．５インチ）にテクスチャ加工を施した。即ち、
アルミ基板に押しつけ圧力１．８Ｋｇ／ｃｍ2、テープ
送り１０ｍｍ／分でテープを送り、各スラリ−液滴下量
一定にて加工を行い、１０秒加工後の加工量（即ち、単
位面積当たりの切り屑の量）及び仕上がり面粗さを検査
した。
【００５２】
【表３】 更に、上記テクスチャ加工後、アルミ基板を洗浄液、純
水等で洗浄して、常法に従って磁性膜を成膜した後のエ
ラ−品質特性を測定した。
水等で洗浄して、常法に従って磁性膜を成膜した後のエ
ラ−品質特性を測定した。
【００５３】即ち、得られた各磁性膜について、常法に
従ってグライドハイトとヒットカウント数の関係を表４
に、また２０，０００回ＣＳＳ（コンタクトスタ−トス
トップ）テスト後の摩擦係数を表５に示した。
従ってグライドハイトとヒットカウント数の関係を表４
に、また２０，０００回ＣＳＳ（コンタクトスタ−トス
トップ）テスト後の摩擦係数を表５に示した。
【００５４】
【表４】
【００５５】
【表５】 上記表１〜表５に示す結果より、加工液としての総合評
価を行った。
価を行った。
【００５６】
【表６】 ◎：大変優れている ○：優れている ×：普通 更に、本発明の実施例１〜４の加工液及び比較例１の加
工液を用いてテクスチャ加工したアルミ基板の表面を観
察した。
工液を用いてテクスチャ加工したアルミ基板の表面を観
察した。
【００５７】図１〜図４は、実施例１〜４の加工液を用
いてテクスチャ加工したアルミ基板の表面のＳＥＭ（sc
anning electron microscope、走査型電子顕微鏡）観察
像を示す。ＳＥＭは、エリオニクス社製、ＥＲＡ−８０
００ＦＥを用いた。
いてテクスチャ加工したアルミ基板の表面のＳＥＭ（sc
anning electron microscope、走査型電子顕微鏡）観察
像を示す。ＳＥＭは、エリオニクス社製、ＥＲＡ−８０
００ＦＥを用いた。
【００５８】図５及び図６は、実施例４及び比較例１の
加工液を用いてテクスチャ加工したアルミ基板の表面の
ＡＦＭ（atomic force microscope、原子間力顕微鏡）
観察像を示す。ＡＦＭは、デジタルインスツルメント社
製、Nano Scope IIIを用いた。図５及び図６に示す写真
の縦横の長さは、２μｍを示す。
加工液を用いてテクスチャ加工したアルミ基板の表面の
ＡＦＭ（atomic force microscope、原子間力顕微鏡）
観察像を示す。ＡＦＭは、デジタルインスツルメント社
製、Nano Scope IIIを用いた。図５及び図６に示す写真
の縦横の長さは、２μｍを示す。
【図１】 実施例１の加工液を用いてテクスチャ加工し
たアルミ基板の表面のＳＥＭ観察像を示す写真である。
たアルミ基板の表面のＳＥＭ観察像を示す写真である。
【図２】 実施例２の加工液を用いてテクスチャ加工し
たアルミ基板の表面のＳＥＭ観察像を示す写真である。
たアルミ基板の表面のＳＥＭ観察像を示す写真である。
【図３】 実施例３の加工液を用いてテクスチャ加工し
たアルミ基板の表面のＳＥＭ観察像を示す写真である。
たアルミ基板の表面のＳＥＭ観察像を示す写真である。
【図４】 実施例４の加工液を用いてテクスチャ加工し
たアルミ基板の表面のＳＥＭ観察像を示す写真である。
たアルミ基板の表面のＳＥＭ観察像を示す写真である。
【図５】 実施例４の加工液を用いてテクスチャ加工し
たアルミ基板の表面のＡＦＭ観察像を示す写真である。
たアルミ基板の表面のＡＦＭ観察像を示す写真である。
【図６】 比較例１の加工液を用いてテクスチャ加工し
たアルミ基板の表面のＡＦＭ観察像を示す写真である。
たアルミ基板の表面のＡＦＭ観察像を示す写真である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮下 武 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23F 1/28 B24B 37/00 C09K 3/14 550 C23F 3/06 G11B 5/84
Claims (8)
- 【請求項１】 （１）炭素数１〜１０のアルコール系溶
剤１〜８０重量部、（２）非イオン界面活性剤１〜５０
重量部及び（３）アニオン界面活性剤１〜３０重量部を
含有してなるＮｉ系メッキ基板加工用水溶性油剤組成
物。 - 【請求項２】 （１）炭素数１〜１０のアルコール系溶
剤を０．０１〜３０重量％、（２）非イオン界面活性剤
を０．０１〜１０重量％及び（３）アニオン界面活性剤
を０．０１〜５重量％含有してなるＮｉ系メッキ基板加
工用加工液。 - 【請求項３】 更に、ｐＨ調整剤を０．００１〜０．５
重量％の濃度で含有する請求項２に記載の加工液。 - 【請求項４】 砥粒表面電位（ζ電位）を−２０ｍＶ以
下にする作用を有することを特徴とするＮｉ系メッキ基
板加工用加工液。 - 【請求項５】 更に、砥粒を０．０１〜１０重量％の割
合で含む請求項２〜４のいずれかに記載の加工液。 - 【請求項６】 請求項２〜４のいずれかに記載の加工液
に砥粒を分散させ、それをＮｉ系メッキ基板と案内部材
の間に供給し、砥粒が前記Ｎｉ系メッキ基板と前記案内
部材との間を通る際に、Ｎｉ系メッキ基板の表面加工を
行うことを特徴とするＮｉ系メッキ基板の加工方法。 - 【請求項７】 （１）炭素数1〜10のアルコール系溶
剤を0.01〜30重量％、（２）非イオン界面活性剤を0.01
〜10重量％及び（３）アニオン界面活性剤を0.01〜5重
量％含有してなり、並びに砥粒表面電位（ζ電位）が-2
0 mV以下にする加工液を、Ni系メッキ基板と案内部材の
間に供給し、砥粒が前記Ni系メッキ基板の表面加工を行
うことを特徴とするNi系メッキ基板の加工方法。 - 【請求項８】 請求項２〜４のいずれかに記載の加工液
の存在下に、Ｎｉ系メッキ基板を砥粒を備えた研磨部材
によりＮｉ系メッキ基板の表面加工を行うことを特徴と
するＮｉ系メッキ基板の加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9318596A JP3227513B2 (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 磁気ディスク加工用水溶性加工油剤組成物、該組成物を含む加工液及び該加工液を用いた磁気ディスクの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9318596A JP3227513B2 (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 磁気ディスク加工用水溶性加工油剤組成物、該組成物を含む加工液及び該加工液を用いた磁気ディスクの加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09256171A JPH09256171A (ja) | 1997-09-30 |
| JP3227513B2 true JP3227513B2 (ja) | 2001-11-12 |
Family
ID=14075526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9318596A Expired - Fee Related JP3227513B2 (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 磁気ディスク加工用水溶性加工油剤組成物、該組成物を含む加工液及び該加工液を用いた磁気ディスクの加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3227513B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009147394A (ja) * | 2009-03-30 | 2009-07-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨液及び研磨方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG108221A1 (en) | 1999-03-15 | 2005-01-28 | Tokyo Magnetic Printing | Free abrasive slurry compositions and a grinding method using the same |
| JP2001294888A (ja) * | 2000-04-11 | 2001-10-23 | Yushiro Chem Ind Co Ltd | 掛け捨て方式研削加工用油剤 |
| GB2393186B (en) | 2002-07-31 | 2006-02-22 | Kao Corp | Polishing composition |
| JP4651024B2 (ja) * | 2006-02-08 | 2011-03-16 | 石原薬品株式会社 | 研磨組成物及びその用途 |
| JP5192953B2 (ja) * | 2007-09-14 | 2013-05-08 | 三洋化成工業株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板洗浄剤 |
| JP5226278B2 (ja) * | 2007-11-08 | 2013-07-03 | 株式会社クラレ | 研磨用スラリー |
| CN103403123B (zh) * | 2011-01-26 | 2015-04-08 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物、使用其的研磨方法及基板的制造方法 |
| WO2013047286A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
| WO2013047287A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
| JP6910940B2 (ja) * | 2017-12-11 | 2021-07-28 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
-
1996
- 1996-03-22 JP JP9318596A patent/JP3227513B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009147394A (ja) * | 2009-03-30 | 2009-07-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨液及び研磨方法 |
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|---|---|
| JPH09256171A (ja) | 1997-09-30 |
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