JP3204277U - 浸透装置 - Google Patents
浸透装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3204277U JP3204277U JP2016001033U JP2016001033U JP3204277U JP 3204277 U JP3204277 U JP 3204277U JP 2016001033 U JP2016001033 U JP 2016001033U JP 2016001033 U JP2016001033 U JP 2016001033U JP 3204277 U JP3204277 U JP 3204277U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rotating
- heating chamber
- box
- tray
- bracket
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 131
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 13
- 230000003204 osmotic effect Effects 0.000 claims abstract 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 10
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 229910001172 neodymium magnet Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 9
- FWQVINSGEXZQHB-UHFFFAOYSA-K trifluorodysprosium Chemical compound F[Dy](F)F FWQVINSGEXZQHB-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 4
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011449 brick Substances 0.000 description 3
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical group [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000011534 incubation Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007712 rapid solidification Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/046—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D19/00—Arrangements of controlling devices
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D21/00—Arrangements of monitoring devices; Arrangements of safety devices
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D3/00—Charging; Discharging; Manipulation of charge
- F27D3/0024—Charging; Discharging; Manipulation of charge of metallic workpieces
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D7/00—Forming, maintaining, or circulating atmospheres in heating chambers
- F27D7/02—Supplying steam, vapour, gases, or liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/0253—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing permanent magnets
- H01F41/0293—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing permanent magnets diffusion of rare earth elements, e.g. Tb, Dy or Ho, into permanent magnets
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D3/00—Charging; Discharging; Manipulation of charge
- F27D2003/0034—Means for moving, conveying, transporting the charge in the furnace or in the charging facilities
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)
Abstract
【課題】浸透装置を提供する。【解決手段】浸透装置は、環状溝を有する加熱室２０と、加熱室の下端の開口端より下方に設けられた回転トレイ１０と、回転トレイに取り付けられた回転ブラケット１１０と、回転ブラケットに設けられたボックス４１０と、昇降機構と、動力伝達装置とを備え、回転ブラケット及びボックスが、昇降機構の作用により、上下方向に昇降移動することができ、回転ブラケットが動力伝達装置の作用により環状溝内で自転するとともに、回転トレイの中心軸の周りを公転することができる。本考案の浸透装置は、磁石位置の条件の同等性を実現するとともに、加熱環境の条件の同等性も実現するので、焼結磁石の高温浸透時及び空冷時に必須の温度条件の適合性が満たされ、製品の性能の適合性が確保される。【選択図】図１
Description
本考案は浸透装置に関し、特に、磁石表層の浸透処理に用いられる浸透装置に関する。
表層にＤｙやＴｂを浸透させる技術は、高性能のＮｄＦｅＢ希土類永久磁石をブリケットに焼結した後の表層処理の新しい技術である。磁石表層の一定の深さ範囲にＤｙ又はＴｂを浸透させる処理は、磁石の耐熱性及び保磁力を著しく向上させることができるので、高性能のＮｄＦｅＢ希土類永久磁石の製造分野において初歩段階で適用されている。
真空高温浸透炉は、焼結永久磁石の表層にＤｙ又はＴｂを浸透させる熱処理を行う高温真空炉である。通常の高温真空炉の本体の構造は、加熱及び真空引きを行う炉体と、その内部でのワークの移動を駆動する駆動機構とを備える。例えば、従来技術において、キャビティを有する炉本体と、キャビティの開口に設けられた蓋と、前記蓋に設けられ、キャビティ内の加工されるワークの移動を観察する観察用孔と、前記加工されるワークの移動を駆動する駆動機構と、を備え、前記駆動機構を制御する制御ボックスをさらに備え、前記観察用孔にはモニタが設けられ、前記制御ボックスにはディスプレイが設けられ、前記モニタと前記ディスプレイが電気的に接続された高温真空炉が開示されている（例えば、特許文献1参照）。しかし、浸透技術は、温度に対して大変敏感なので、通常の高温真空炉はその要求を満たすことができない。浸透処理を行う際に、加熱室内の各被浸透磁石の温度の制御は、磁石表層の浸透の品質に直接影響を与える。各位置の磁石への加熱温度の差異及び昇降温速度の差異は、磁石の浸透層の厚み及び品質が異なる原因となり、製品の性能の適合性に深刻な悪影響を及ぼし、正常な製造ができなくなる可能性もある。
従来では、磁石の表層への浸透処理を行う浸透装置は、一般的には、通常の真空焼結炉が用いられる。例えば、ａ）真空急冷凝固技術によりＮｄＦｅＢ合金の磁性体の素材を製造するステップと、ｂ）前記素材に対して、面取り―洗浄処理―水晒し―表面改質―水晒しの処理を順に行うステップと、ｃ）処理された永久磁石に対して、ニッケル／重希土類複合層の電気めっきをするステップと、ｄ）ＮｄＦｅＢ焼結磁性体を真空熱処理炉内に入れて熱処理を行うステップとを含むＮｄＦｅＢ焼結永久磁石の保磁力を向上させる磁石の製造方法が開示されている（例えば、特許文献2参照）。通常の真空熱処理炉を用いて表層の浸透処理を行う場合の効果が理想には届かない。主な理由は以下のとおりである。浸透されたＮｄＦｅＢ磁石が炉体内で静止しており、加熱中に熱が外層に並べられた磁石から内層に並べられた磁石へ伝達され、熱処理炉内の各位置の温度にばらつきがある。このため、各位置に並べられた磁石は、加熱、保温、及び温度昇降時に、温度が均一ではなく、完成品の浸透層の深さが一致せず、性能にばらつきがある。
従来技術の問題を解消するために、本考案は、被浸透磁石の温度の不一致及び温度の昇降速度の不一致の問題を解決した浸透装置及び浸透方法を提供する。
本考案の浸透装置は、
環状溝を有し、且つ下端に加熱室開口端が設けられた加熱室と、
前記加熱室開口端より下方に設けられた回転トレイと、
前記回転トレイに取り付けられた回転ブラケットと、
前記回転ブラケットに設けられたボックスと、
回転ブラケットとボックスが、前記加熱室開口端から前記環状溝に進退可能であるように前記回転トレイを上下方向に昇降移動させる昇降機構と、
前記回転ブラケットを環状溝内で自転させるとともに、前記回転トレイの中心軸の周りを公転させる動力伝達装置と、
を備える。
環状溝を有し、且つ下端に加熱室開口端が設けられた加熱室と、
前記加熱室開口端より下方に設けられた回転トレイと、
前記回転トレイに取り付けられた回転ブラケットと、
前記回転ブラケットに設けられたボックスと、
回転ブラケットとボックスが、前記加熱室開口端から前記環状溝に進退可能であるように前記回転トレイを上下方向に昇降移動させる昇降機構と、
前記回転ブラケットを環状溝内で自転させるとともに、前記回転トレイの中心軸の周りを公転させる動力伝達装置と、
を備える。
本考案の浸透装置によれば、前記加熱室は、
前記環状溝の内壁の両側に設けられた加熱部材であって、前記回転ブラケットの中心からの距離が同一であり、ボックスをその両側から等距離で加熱する加熱部材と、
前記環状溝を形成し、表層が反射シールドであり、内部に耐火保温材が充填されている加熱室保温部材と、
を含むのが好ましい。
前記環状溝の内壁の両側に設けられた加熱部材であって、前記回転ブラケットの中心からの距離が同一であり、ボックスをその両側から等距離で加熱する加熱部材と、
前記環状溝を形成し、表層が反射シールドであり、内部に耐火保温材が充填されている加熱室保温部材と、
を含むのが好ましい。
本考案の浸透装置によれば、前記加熱室は、さらに、
加熱室の上部に設けられ、且つ環状アレイ状に配置されている通気口と、
前記通気口より下方に設けられ、前記通気口を開閉するための通気口開閉手段であって、閉状態で保温の機能を発揮する反射シールドを有し、閉状態では、前記通気口が完全に閉鎖されていない通気口開閉手段と、
を含むのが好ましい。
加熱室の上部に設けられ、且つ環状アレイ状に配置されている通気口と、
前記通気口より下方に設けられ、前記通気口を開閉するための通気口開閉手段であって、閉状態で保温の機能を発揮する反射シールドを有し、閉状態では、前記通気口が完全に閉鎖されていない通気口開閉手段と、
を含むのが好ましい。
本考案の浸透装置によれば、前記回転トレイは、
前記加熱室及び前記ボックスを保温するトレイ保温部材と、
前記トレイ保温部材より下方に設けられ、内部に冷却通路を有する支持部材と、
を含むのが好ましい。
前記加熱室及び前記ボックスを保温するトレイ保温部材と、
前記トレイ保温部材より下方に設けられ、内部に冷却通路を有する支持部材と、
を含むのが好ましい。
本考案の浸透装置によれば、前記浸透装置は、さらに、
前記回転トレイの回転速度及び前記加熱室の加熱温度を制御する制御器をさらに含むのが好ましい。
前記回転トレイの回転速度及び前記加熱室の加熱温度を制御する制御器をさらに含むのが好ましい。
本考案の浸透装置によれば、前記回転ブラケットは、回転機構により環状アレイ状に前記回転トレイに取り付けられるのが好ましい。
本考案の浸透装置によれば、前記動力伝達装置は、
前記回転トレイの回転及び前記回転ブラケットの前記回転トレイの中心軸の周りの公転を駆動する第１ドライバと、
前記回転ブラケットの自転を駆動する第２ドライバと、
を含むのが好ましい。
前記回転トレイの回転及び前記回転ブラケットの前記回転トレイの中心軸の周りの公転を駆動する第１ドライバと、
前記回転ブラケットの自転を駆動する第２ドライバと、
を含むのが好ましい。
本考案の浸透装置によれば、前記ボックスは、底部にボスを有し、上蓋に凹溝を有し、ボスと凹溝が、嵌合することにより、異なるボックスが同心に位置決めされて積み重ねられるように設けられているのが好ましい。
本考案の浸透装置によれば、前記回転ブラケットは、上部に凹溝を有し、前記回転ブラケットの凹溝と前記ボックスの底部のボスが、嵌合することにより、前記ボックスと前記回転ブラケットが同心に位置決めされて載置されるように設けられているのが好ましい。
本考案は、上述のいずれか一項に記載の浸透装置を使用し、磁石の高温浸透を行う方法をさらに提供する。この方法は、
（１）磁石を、単層で又は複数層を積層して、ボックスに装入し、
昇降機構により、回転トレイ及び回転ブラケットの全体を下降させ、前記ボックスを、単層で又は積層して、回転ブラケットに載置し、
昇降機構により、回転トレイ及び回転ブラケットの全体を上昇させ、前記ボックスを加熱室の環状溝に搬入する原料装入ステップと、
（２）加熱室の真空引きを行う真空引きステップと、
（３）動力伝達装置により回転トレイを回転させ、回転ブラケットを環状溝内で自転させるとともに、加熱室の環状溝の周りを公転させ、前記回転トレイの回転速度及び前記加熱室の加熱温度を制御して磁石の浸透処理を行う高温浸透ステップと、
（４）循環冷却されたアルゴンガスを通気口から加熱室に導入し、ボックスに装入された浸透済みの磁石を冷却する冷却ステップと、
（５）昇降機構により回転トレイを下降させ、浸透済みの磁石が装入されたボックスを搬出するボックス搬出ステップと、
を備える。
（１）磁石を、単層で又は複数層を積層して、ボックスに装入し、
昇降機構により、回転トレイ及び回転ブラケットの全体を下降させ、前記ボックスを、単層で又は積層して、回転ブラケットに載置し、
昇降機構により、回転トレイ及び回転ブラケットの全体を上昇させ、前記ボックスを加熱室の環状溝に搬入する原料装入ステップと、
（２）加熱室の真空引きを行う真空引きステップと、
（３）動力伝達装置により回転トレイを回転させ、回転ブラケットを環状溝内で自転させるとともに、加熱室の環状溝の周りを公転させ、前記回転トレイの回転速度及び前記加熱室の加熱温度を制御して磁石の浸透処理を行う高温浸透ステップと、
（４）循環冷却されたアルゴンガスを通気口から加熱室に導入し、ボックスに装入された浸透済みの磁石を冷却する冷却ステップと、
（５）昇降機構により回転トレイを下降させ、浸透済みの磁石が装入されたボックスを搬出するボックス搬出ステップと、
を備える。
本考案の有利な効果は以下のものである。ボックスは、回転ブラケットに載置され、回転ブラケットと共に自転するとともに環状溝を有する加熱室の周りを公転することによって、回転により位置を変換する高温浸透を行うことができ、磁石位置の条件の同等性が確保される。ボックスが同心で回転ブラケットに載置されるので、磁石位置の条件の同等性がさらに確保される。さらに、加熱室は環状溝構造を採用し、両側から等距離で加熱するので、加熱環境の条件の同等性が実現される。よって、本考案は、加熱室の各位置の温度の差異による磁石温度の差異が解消され、磁石の浸透層の厚みの一貫性が向上し、完成品の性能の一貫性が向上する。また、昇温速度及び降温速度を上昇させても、磁石温度の一貫性を確保できるので、エネルギー消費を低減し、生産サイクルを短縮できる。
以下は、図面及び具体的な実施例を参照しながら、本考案をさらに説明する。なお、本考案の範囲は下記説明に限られていない。
本考案に記載の「上」、「下」等の位置を限定する表現は、本考案の浸透装置の関連部材間の相対的な位置関係を説明するためのものにすぎない。本考案に記載の「耐高温」、「高強度」等の材料を限定する表現は、当該分野の技術常識に基づくものであり、通常の意味を有し、当業者であればその意味を明白に理解できるであろう。
＜浸透装置＞
本考案に係る浸透装置（拡散装置）は、磁石表層を浸透処理するための浸透装置、例えば、浸透炉として用いられる。具体的な実用例は、高温真空浸透炉を含むが、高温真空浸透炉に限らない。本考案に係る浸透装置は、環状溝を有し、且つ下端に加熱浸透処理の収納空間として加熱室開口端が設けられた加熱室と、前記加熱室開口端より下方に設けられた回転トレイと、前記回転トレイに取り付けられた回転ブラケットと、前記回転ブラケットに設けられたボックスと、昇降機構と、動力伝達装置とを備える。回転ブラケット及びボックスが、昇降機構の作用により、前記加熱室開口端から前記環状溝へ進退可能であるように上下方向に昇降移動する。前記回転ブラケットは、動力伝達装置の作用により、環状溝内を自転しながら、前記回転トレイの中心軸の周りを公転する。
本考案に係る浸透装置（拡散装置）は、磁石表層を浸透処理するための浸透装置、例えば、浸透炉として用いられる。具体的な実用例は、高温真空浸透炉を含むが、高温真空浸透炉に限らない。本考案に係る浸透装置は、環状溝を有し、且つ下端に加熱浸透処理の収納空間として加熱室開口端が設けられた加熱室と、前記加熱室開口端より下方に設けられた回転トレイと、前記回転トレイに取り付けられた回転ブラケットと、前記回転ブラケットに設けられたボックスと、昇降機構と、動力伝達装置とを備える。回転ブラケット及びボックスが、昇降機構の作用により、前記加熱室開口端から前記環状溝へ進退可能であるように上下方向に昇降移動する。前記回転ブラケットは、動力伝達装置の作用により、環状溝内を自転しながら、前記回転トレイの中心軸の周りを公転する。
本考案の浸透装置によれば、前記加熱室は、加熱部材と、加熱室保温部材とを備えるのが望ましい。前記加熱部材は、前記環状溝の内壁の両側に設けられ、分散するように配置することができる。例えば、ストライプ状や格子状に並べることができる。前記加熱部材は、環状溝の内壁の両側に環状に設けられるのが望ましい。好ましくは、両側の加熱部材から前記回転ブラケットの中心までの距離が同一である。これにより、ボックスに対して両側から等距離で加熱することができる。前記加熱部材は、当該分野の様々な耐高温金属材である。耐高温のモリブデン板が好ましい。厚さは１〜５ｍｍ、好ましくは１．５〜３ｍｍである。本考案の好適な一実施例において、厚さは２ｍｍである。各耐高温のモリブデン板の幅は３０〜８０ｍｍ、好ましくは４０〜６０ｍｍである。前記加熱室保温部材は、前記環状溝を形成する。加熱室保温部材は、表層が反射シールドであり、内部に耐火保温材が充填されている。前記反射シールドは、耐高温のモリブデン板などの様々な耐高温の金属板材である。厚さは０．１〜３ｍｍ、好ましくは１〜２ｍｍである。本考案の好適な一実施例において、厚さは１ｍｍである。耐火保温材は、当該分野においてよく用いられるものであればよい。耐火煉瓦又は耐高温ムライトが好ましい。
加熱処理に関連する他の部材も、耐高温材料で製造される。例えば、前記ボックスの材料は、耐熱性を有する鋼又は黒鉛を含んでもよい。
本考案の浸透装置によれば、前記加熱室は、通気口と、通気口開閉手段とを備えるのが望ましい。通気口は、加熱室の気圧を制御する気流通路である。加熱室の上部に設けられ、環状アレイ状に配置されていることが好ましい。通気口開閉手段は、前記通気口より下方に設けられ、前記通気口を開閉するためのものである。前記通気口開閉手段は、閉状態で保温の機能を発揮する反射シールドを有し、閉状態では、前記通気口を完全に閉鎖するわけではなく、加熱室の内外で気体流通が依然として可能であることが好ましい。
本考案の浸透装置によれば、前記回転トレイの回転速度及び前記加熱室の加熱温度を制御する制御器をさらに備えるのが望ましい。この制御器の種類及び制御プログラムは、特に制限されておらず、上記制御の機能を発揮できればよい。また、従来技術に基づいて実施すればよい。例えば、制御器は、回転トレイの回転速度を制御するインバータやインバータモータ装置の速度制御器及び加熱室内の温度を制御するパワー制御器を備えてもよい。
本考案の浸透装置によれば、前記回転トレイは、トレイ保温部材と、支持部材とを備えるのが望ましい。トレイ保温部材は、前記加熱室及び前記ボックスの保温を行う。支持部材は、前記トレイ保温部材より下方に設けられて、前記トレイ保温部材を支持する。前記支持部材は、高強度の耐高温金属材で製造されることが好ましい。前記支持部材の内部には、高温処理完了後に降温冷却処理を行うために、冷却通路があることが好ましい。
本考案の浸透装置によれば、前記回転ブラケットは回転機構により環状アレイ状に前記回転トレイに取り付けられるのが望ましい。前記回転機構は、前記回転ブラケットを相対的に固定しながら自転させるためのものであり、その具体的な形態については、特に制限しない。
本考案の浸透装置によれば、前記動力伝達装置は、第１ドライバと、第２ドライバとを備えるのが望ましい。第１ドライバは、前記回転トレイの回転及び前記回転ブラケットの前記回転トレイの中心軸の周りの公転を駆動するためのものであり、ウォーム減速機又はサイクロイド針輪減速機を備えてもよい。第２ドライバは、前記回転ブラケットの自転を駆動するためのものであり、前記回転トレイに取り付けられた駆動ギア及び前記回転ブラケットに設けられ、前記駆動ギアに噛み合う受動ギア備えてもよい。
本考案の浸透装置によれば、前記ボックスの間及び前記ボックスと前記回転ブラケットとの間は、様々な方法によって着脱自在に接続されている。前記ボックスの底部にボスを有し、上蓋に凹溝を有し、前記ボスと前記凹溝が、ボックスが同心に位置決めされて積み重ねられるように嵌合されることが好ましい。前記回転ブラケットの上部に凹溝を有し、前記回転ブラケットの前記凹溝と前記回転ブラケットの最底層のボックスの底部に位置する前記ボスは、前記ボックスと前記回転ブラケットが同心に位置決めされて載置されるように嵌合されることがより好ましい。ボスと凹溝は、円状、方形、三角形などの形状であってもよい。
＜浸透方法＞
本考案は、上述のいずれか一項に記載の浸透装置を使用し、磁石の高温浸透を行う方法をさらに提供する。この方法は、原料装入ステップ、真空引きステップ、高温浸透ステップ、冷却ステップ、及びボックス搬出ステップなどを備える。具体的なステップは以下のとおりである。
本考案は、上述のいずれか一項に記載の浸透装置を使用し、磁石の高温浸透を行う方法をさらに提供する。この方法は、原料装入ステップ、真空引きステップ、高温浸透ステップ、冷却ステップ、及びボックス搬出ステップなどを備える。具体的なステップは以下のとおりである。
（１）原料装入ステップ
磁石を、単層で又は複数層を積層して、ボックスに装入し、昇降機構により、回転トレイ及び回転ブラケットの全体を下降させ、前記ボックスを、単層で又は積層して、回転ブラケットに載置し、昇降機構により回転トレイ及び回転ブラケットの全体を上昇させ、前記ボックスを加熱室の環状溝に搬入する。前記磁石は、表層の処理を行った各種類の磁石である。例えば、表面にフッ化Ｄｙ極細粉末が塗布されたＮｄＦｅＢ焼結磁石を用いる。
磁石を、単層で又は複数層を積層して、ボックスに装入し、昇降機構により、回転トレイ及び回転ブラケットの全体を下降させ、前記ボックスを、単層で又は積層して、回転ブラケットに載置し、昇降機構により回転トレイ及び回転ブラケットの全体を上昇させ、前記ボックスを加熱室の環状溝に搬入する。前記磁石は、表層の処理を行った各種類の磁石である。例えば、表面にフッ化Ｄｙ極細粉末が塗布されたＮｄＦｅＢ焼結磁石を用いる。
（２）真空引きステップ
加熱室の真空引きを行う。具体的には、加熱室の上部の通気口より下方に設けられた通気口開閉手段を開とし、加熱室内の気体を抽出して浸透装置の外部に排出する。浸透装置内の圧力が所定値に達すると、前記通気口開閉手段を閉とする。通気口開閉手段の閉は、加熱室の気体通路を完全に閉鎖するわけではなく、反射シールドとして保温の機能を発揮すればよい。
加熱室の真空引きを行う。具体的には、加熱室の上部の通気口より下方に設けられた通気口開閉手段を開とし、加熱室内の気体を抽出して浸透装置の外部に排出する。浸透装置内の圧力が所定値に達すると、前記通気口開閉手段を閉とする。通気口開閉手段の閉は、加熱室の気体通路を完全に閉鎖するわけではなく、反射シールドとして保温の機能を発揮すればよい。
（３）高温浸透ステップ
動力伝達装置により回転トレイを回転し、回転ブラケットを環状溝内で自転させるとともに加熱室の環状溝の周りを公転させる。前記回転トレイの回転速度及び前記加熱室の加熱温度を制御し、磁石の浸透処理を行う。磁石の浸透処理においては、３〜８℃／ｍｉｎの速度で磁石を８５０〜９５０℃に昇温させ、保温時間を２〜５時間とし、フッ化ジスプロシウム粉末が蒸発し、磁石表面の元素と還元したＤｙ原子が磁石表面から磁石粒界相に拡散し、前記パワー制御器により３〜８℃／ｍｉｎの速度で温度を４００〜５００℃に下降させ、保温時間を２〜５時間とすることが好ましい。浸透処理においては、磁石を４〜６℃／ｍｉｎの速度で８８０〜９２０℃に昇温させ、保温時間を２．５〜３．５時間とし、フッ化ジスプロシウム粉末が蒸発し、磁石表面の元素と還元したジスプロシウム原子が磁石表面から磁石粒界相に拡散し、前記パワー制御器により４〜６℃／ｍｉｎの速度で温度を４２０〜４８０℃に下降させ、保温時間を２．５〜３．５時間とすることがより好ましい。
動力伝達装置により回転トレイを回転し、回転ブラケットを環状溝内で自転させるとともに加熱室の環状溝の周りを公転させる。前記回転トレイの回転速度及び前記加熱室の加熱温度を制御し、磁石の浸透処理を行う。磁石の浸透処理においては、３〜８℃／ｍｉｎの速度で磁石を８５０〜９５０℃に昇温させ、保温時間を２〜５時間とし、フッ化ジスプロシウム粉末が蒸発し、磁石表面の元素と還元したＤｙ原子が磁石表面から磁石粒界相に拡散し、前記パワー制御器により３〜８℃／ｍｉｎの速度で温度を４００〜５００℃に下降させ、保温時間を２〜５時間とすることが好ましい。浸透処理においては、磁石を４〜６℃／ｍｉｎの速度で８８０〜９２０℃に昇温させ、保温時間を２．５〜３．５時間とし、フッ化ジスプロシウム粉末が蒸発し、磁石表面の元素と還元したジスプロシウム原子が磁石表面から磁石粒界相に拡散し、前記パワー制御器により４〜６℃／ｍｉｎの速度で温度を４２０〜４８０℃に下降させ、保温時間を２．５〜３．５時間とすることがより好ましい。
（４）冷却ステップ
循環冷却される高純度のアルゴンガスを通気口から加熱室に導入し、ボックスに装入された浸透済みの磁石を冷却する。具体的な操作方法は、真空高温浸透炉内の圧力が５．５×１０４Ｐａ〜６．５×１０４Ｐａに達する場合、上記ガスの導入を停止し、加熱室内の温度が２０〜３０℃に下がった場合、循環冷却システムを停止し、回転トレイ及び回転ブラケットの回転を停止し、浸透装置の内外の気圧が同一となるように浸透装置内に大気を導入することが好ましい。
循環冷却される高純度のアルゴンガスを通気口から加熱室に導入し、ボックスに装入された浸透済みの磁石を冷却する。具体的な操作方法は、真空高温浸透炉内の圧力が５．５×１０４Ｐａ〜６．５×１０４Ｐａに達する場合、上記ガスの導入を停止し、加熱室内の温度が２０〜３０℃に下がった場合、循環冷却システムを停止し、回転トレイ及び回転ブラケットの回転を停止し、浸透装置の内外の気圧が同一となるように浸透装置内に大気を導入することが好ましい。
（５）ボックス搬出ステップ
昇降機構により回転トレイを下降させ、浸透済みの磁石が装入されたボックスを搬出する。
昇降機構により回転トレイを下降させ、浸透済みの磁石が装入されたボックスを搬出する。
実施例１
図１に示すように、この浸透装置は、回転トレイ１０、回転ブラケット１１０、加熱室２０、ボックス４１０等の部材を備える。
図１に示すように、この浸透装置は、回転トレイ１０、回転ブラケット１１０、加熱室２０、ボックス４１０等の部材を備える。
回転ブラケット１１０は、その下方の回転トレイ１０に取り付けられ、複数の回転ブラケットは、環状アレイ状に回転トレイ１０に取り付けられ、複数のボックスに対して高温浸透を行うことができる。回転ブラケット１１０の材料としては、耐熱性を有する鋼を用いる。回転ブラケット１１０と回転トレイ１０とは、回転機構１１２により一体的に取り付けられている。回転トレイ１０には、軸受が取り付けられた孔が設けられている。回転ブラケット１１０は、軸受により回転トレイに取り付けられている。
図１及び図４に示すように、回転トレイ１０の下方には、回転トレイ１０の回転を駆動する第１ドライバが取り付けられており、回転ブラケット１１０の下方には、第２ドライバが取り付けられていることで、前記回転トレイの回転によって回転ブラケットの自転を駆動する。第２ドライバは、ギア動力伝達形態を採用する。具体的には、前記回転トレイに取り付けられた駆動ギア３１０、および前記回転ブラケットに取り付けられ、且つ前記駆動ギアと噛み合う受動ギア１１１を用いる。回転ブラケット１１０と回転トレイ１０との間には、回転機構１１２が設けられているので、前記第１ドライバが回転トレイ１０の回転を駆動する際に、回転トレイ１０に取り付けられた回転ブラケット１１０は、回転トレイ１０の中心軸の周りを公転する。前記駆動ギアと従動ギアの噛合によって回転ブラケット１１０が自転する。
前記回転トレイ１０は円状であり、上端のトレイ保温部材１３０及び下端の支持部材１２０を備える。前記トレイ保温部材１３０は加熱室２０及び磁石の保温を行う。前記トレイ保温部材１３０の材料としては、耐火煉瓦又は耐高温ムライトが用いられる。前記支持部材１２０は耐熱性を有する鋼で製造され、高強度および耐高温性を有する。前記支持部材内において循環冷却水が内部に流通する冷却通路を有することにより、上方に載置される複数の回転ブラケットが支持されるとともに、下方の動力伝達装置の高温化が防止される。
前記加熱室２０は環状溝構造を有する。図１、２に示すように、加熱室２０の下端が開口端である。前記回転ブラケット１１０に装入されるボックス４１０は、前記加熱室２０の環状溝内で回転する。前記加熱室２０は、加熱部材２２０と加熱室保温部材２１０とを備え、前記加熱部材２２０が環状溝の内壁の左右両側に取り付けられ、両側の加熱部材２２０から回転ブラケット１１０の中心までの距離が同一であるので、ボックス４１０を両側から等距離で加熱することができる。前記加熱室保温部材２１０の表層は反射シールドであり、加熱室保温部材２１０の内部に耐火保温材料が充填され、加熱室２０及び磁石の保温が行われる。加熱部材２２０の材料としては、幅が５０ｍｍ、厚さが２ｍｍの高温のモリブデン板を用いられる。反射シールドの材料は、厚さが１ｍｍの高温のモリブデン板である。保温材料は、耐火煉瓦や耐高温ムライト等から選択される。
また、図１に示すように、加熱室２０の上方には、環状アレイ状に配置される複数の通気口２１１がさらに設けられている。空冷段階において、前記通気口２１１は、加熱室及びボックスにガスを吹き付けて冷却する。通気口２１１の下方には、通気口を開閉する通気口開閉手段２３０が取り付けられている。通気口開閉手段２３０を閉とする際、加熱室２０の気体通路は完全に閉鎖されず、反射シールドとして保温の機能を発揮すればよい。前記通気口開閉手段２３０の材料としては、厚さが１ｍｍの耐高温のモリブデン板を用いる。加熱室２０には、内部温度を測定するための温度センサがさらに設けられている。
前記浸透装置は、制御器をさらに備える。この制御器は、回転トレイの回転速度を制御するインバータ又はインバータモータ装置の速度制御器、及び加熱室内の温度を制御するパワー制御器を有する。
前記ボックス４１０は円筒状であり、底部が円形のボス状となっており、上蓋が円形の凹溝状となっている。ボスと凹溝の嵌合により、ボックスが同心に位置決めされて載置されることが実現される。ボックス４１０の材質は、耐熱性を有する鋼である。また、回転ブラケット１１０の上方が円形の凹溝状の構造となっており、前記凹溝と最底層のボックスの底部のボスとが嵌合することにより、ボックスと回転ブラケットが同心に位置決めされて載置されることが実現される。
実施例２
以下は、図面を参照しながら、フッ化ジスプロシウムの浸透、表面にフッ化ジスプロシウム極細粉末が塗布されたＮｄＦｅＢ焼結磁石の浸透を例として、本考案の浸透方法の流れを詳しく説明する。当然、当業者は、本考案の浸透方法により、他の磁石に対して高温浸透を行うことができる。
以下は、図面を参照しながら、フッ化ジスプロシウムの浸透、表面にフッ化ジスプロシウム極細粉末が塗布されたＮｄＦｅＢ焼結磁石の浸透を例として、本考案の浸透方法の流れを詳しく説明する。当然、当業者は、本考案の浸透方法により、他の磁石に対して高温浸透を行うことができる。
本実施例の具体的なプロセスは以下のとおりである。
原料装入ステップにおいて、表面にフッ化ジスプロシウム極細粉末が塗布されたＮｄＦｅＢ焼結磁石を環状アレイ状に円筒状のボックス４１０に装入する。磁石は、ボックス４１０において、単層で載置されているか、又は複数層を積層して載置されている。昇降機構により、回転トレイ１０及び回転ブラケット１１０の全体を下降させる。昇降機構は、油圧シリンダーから動力を提供する。フッ化ジスプロシウム極細粉末が塗布されたＮｄＦｅＢ焼結磁石が装入されたボックス４１０を回転ブラケット１１０に積み重ねて載置する。図５に示すように、ボックス４１０の底部の円状ボス、ボックスの上蓋の円状凹溝、及び回転ブラケット１１０の上方の円状凹溝は、積み重ねて載置されたボックス４１０と回転ブラケット１１０が同心であることが確実になる。ボックス４１０の載置の高さは、加熱室２０の温度均一領域の高さ以下である。ボックス４１０の載置完了後に、回転トレイ１０が回転ブラケット１１０とともに上昇し、炉体を閉とする。このとき、フッ化ジスプロシウム極細粉末が塗布されたＮｄＦｅＢ焼結磁石が装入されたボックス４１０は、環状溝構造を有する加熱室２０に導入される。環状溝構造を有する加熱室２０において、磁石が高温浸透される。また、高温下で安定性を有する加熱部材２２０は、加熱室２０の溝内壁の左右両側に取り付けられ、左右両側の加熱部材２２０から回転ブラケット１１０の中心までの距離が同一となる。上述したように、積み重ねて載置されたボックス４１０と回転ブラケット１１０が同心にあるので、両側の加熱部材２２０からボックス４１０の中心までの距離が同一となる。これにより、磁石を両側から等距離で熱処理することができる。加熱室２０の加熱室保温部材２１０は、表層が反射シールドであり、内部に耐火保温材料が充填されており、後の加熱ステップにおいて、加熱室２０及び磁石を保温する。
真空引きステップにおいて、真空引きシステムの作動を開始する。通気口２１１より下方に設けられた通気口開閉手段２３０を開とし、加熱室内の気体を速やかに抽出して浸透装置の外部に排出する。浸透装置内の圧力が所定値に達すると、前記通気口開閉手段を閉とする。炉体内の圧力が１×１０-３Ｐａ以下に達すると、通気口開閉手段２３０を閉とする。
高温浸透ステップにおいて、回転トレイ１０及び回転ブラケット１１０の回転を開始し、加熱室内の加熱部材２２０を加熱し始める。通気口２１１より下方の通気口開閉手段２３０を閉とする。このとき、加熱室２０の気体通路は完全に閉鎖されず、反射シールドとして保温の機能を発揮すればよい。加熱室内の温度センサ及びパワー制御器の制御により、加熱部材２２０は、フッ化ジスプロシウム極細粉末が塗布されたＮｄＦｅＢ焼結磁石を５℃／ｍｉｎの速度で９００℃に昇温させ、保温時間を３時間とする。この間には、フッ化ジスプロシウム粉末が蒸発し、磁石表面の元素と還元したＤｙ原子が磁石表面から磁石粒界相に拡散する。その後、同様に温度センサ及びパワー制御器の制御により、５℃／ｍｉｎの速度で温度を４５０℃に下降させ、保温時間を３時間とする。これで加熱を停止し、浸透及び時効プロセスが完了する。
次に、空冷段階に入る。炉体内に高純度のアルゴンガスを導入する。炉体内の圧力が６× １０４Ｐａに達すると、ガスの導入を停止する。通気口２１１より下方に設けられた開閉手段２３０を開とし、循環空冷システムが作動し始める。循環冷却された高純度のアルゴンガスは、環状アレイで並ぶ複数の通気口２１１から加熱室２０に導入される。ボックス４１０に装入された浸透済みのＮｄＦｅＢ磁石が冷却される。温度センサの制御により、加熱室２０内の温度が２５℃に下がると、循環空冷システムの作動が停止し、回転トレイ１０及び回転ブラケット１１０の回転が停止し、炉体内外の気圧が同一となるように炉体内に大気が導入される。
最後に、ボックス搬出段階に入る。回転トレイ１０を下降させ、浸透済みの磁石が装入されたボックス４１０を搬出する。ここまですべてのステップが完了する。
なお、昇温から空冷までに、回転トレイ１０及び回転ブラケット１１０は常に回転状態を維持することに注意する必要がある。
上述したように、本考案の浸透装置は、回転ブラケット１１０及び環状溝構造を有する加熱室２０によって、ボックス４１０が、高温浸透ステップ及び空冷ステップにおいて、自転しながら環状溝構造を有する加熱室２０の周りを公転するので、被浸透磁石の位置の条件の同等性が実現された。また、加熱室２０は環状溝構造を有するので、ボックス４１０と回転ブラケット１１０が同心に位置決めされて載置され、加熱部材２２０は磁石を両側から同距離で加熱する。これにより、加熱環境の条件の同等性が実現され、被浸透磁石の高温浸透段階及び空冷段階での温度の適合性が確保され、磁石の浸透層の厚みの一致性が向上し、完成品の性能の適合性が向上する。また、昇温速度及び降温速度が上昇しても、磁石温度の適合性を確保できるので、エネルギー消費が低減され、生産サイクルが短縮する。
１０ 回転トレイ
１１０ 回転ブラケット
１２０ 支持部材、
１３０ トレイ保温部材
１１１ 従動ギア
１１２ 回転機構
２０ 加熱室
２１０ 加熱室保温部材
２２０ 加熱部材
２３０ 通気口開閉手段
２１１ 通気口
３１０ 駆動ギア
４１０ ボックス
１１０ 回転ブラケット
１２０ 支持部材、
１３０ トレイ保温部材
１１１ 従動ギア
１１２ 回転機構
２０ 加熱室
２１０ 加熱室保温部材
２２０ 加熱部材
２３０ 通気口開閉手段
２１１ 通気口
３１０ 駆動ギア
４１０ ボックス
Claims (9)
- 環状溝を有し、且つ下端に加熱室開口端が設けられた加熱室と、
前記加熱室開口端より下方に設けられた回転トレイと、
前記回転トレイに取り付けられた回転ブラケットと、
前記回転ブラケットに設けられたボックスと、
回転ブラケットとボックスが、前記加熱室開口端から前記環状溝に進退できるように前記回転トレイを上下方向に昇降移動させる昇降機構と、
前記回転ブラケットを環状溝内で自転させるとともに、前記回転トレイの中心軸の周りを公転させる動力伝達装置と、
を備えることを特徴とする浸透装置。 - 前記加熱室は、
前記環状溝の内壁の両側に設けられた加熱部材であって、前記回転ブラケットの中心からの距離が同一であり、ボックスをその両側から等距離で加熱する加熱部材と、
前記環状溝を形成し、表層が反射シールドであり、内部に耐火保温材が充填される加熱室保温部材と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の浸透装置。 - 前記加熱室は、さらに、
加熱室の上部に設けられ、且つ環状アレイ状に配置されている通気口と、
前記通気口より下方に設けられ、前記通気口を開閉するための通気口開閉手段であって、閉状態で保温の機能を発揮する反射シールドを有し、閉状態では、前記通気口が完全に閉鎖されていない通気口開閉手段と、
を有することを特徴とする請求項１または２に記載の浸透装置。 - 前記回転トレイは、
前記加熱室及び前記ボックスを保温するトレイ保温部材と、
前記トレイ保温部材より下方に設けられ、且つ内部に冷却通路を有する支持部材と、
を有することを特徴とする請求項１または２に記載の浸透装置。 - 前記浸透装置は、さらに、
前記回転トレイの回転速度及び前記加熱室の加熱温度を制御する制御器
を有することを特徴とする請求項１に記載の浸透装置。 - 前記回転ブラケットは、回転機構により環状アレイ状に前記回転トレイに取り付けられることを特徴とする請求項１に記載の浸透装置。
- 前記動力伝達装置は、
前記回転トレイの回転及び前記回転ブラケットの前記回転トレイの中心軸の周りの公転を駆動する第１ドライバと、
前記回転ブラケットの自転を駆動する第２ドライバと、
を有することを特徴とする請求項１に記載の浸透装置。 - 前記ボックスは、底部にボスを有し、上蓋に凹溝を有し、ボスと凹溝が、嵌合することにより、異なるボックスが同心に位置決めされて積み重ねられるように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の浸透装置。
- 前記回転ブラケットは、上部に凹溝を有し、前記回転ブラケットの凹溝と前記ボックスの底部のボスが、嵌合することにより、前記ボックスと前記回転ブラケットが同心に位置決めされて載置されるように設けられていることを特徴とする請求項８に記載の浸透装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510514589.1 | 2015-08-20 | ||
| CN201510514589.1A CN105063550B (zh) | 2015-08-20 | 2015-08-20 | 渗透装置及方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3204277U true JP3204277U (ja) | 2016-05-26 |
Family
ID=54493048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016001033U Active JP3204277U (ja) | 2015-08-20 | 2016-03-07 | 浸透装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10138540B2 (ja) |
| EP (1) | EP3121828B1 (ja) |
| JP (1) | JP3204277U (ja) |
| CN (1) | CN105063550B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022056372A (ja) * | 2020-09-29 | 2022-04-08 | 煙台東星磁性材料株式有限公司 | 結晶粒界を調整可能なＮｄ－Ｆｅ－Ｂ系磁性体の製造方法 |
| KR20220098640A (ko) * | 2021-01-04 | 2022-07-12 | 왕병철 | 치과 보철용 지르코니아 소결로 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108504990A (zh) * | 2017-02-24 | 2018-09-07 | 东莞超汇链条有限公司 | 一种新型固体渗金属炉台结构 |
| CN107097170A (zh) * | 2017-04-13 | 2017-08-29 | 天津市汇晶丰精密机械有限公司 | 一种压衬套装置 |
| CN107971147B (zh) * | 2017-12-25 | 2024-03-26 | 惠州雷通光电器件有限公司 | Led器件离心方法与装置 |
| CN108456903A (zh) * | 2018-03-30 | 2018-08-28 | 深圳宝福珠宝有限公司 | 一种升降式加热装置及铂金发黑处理方法 |
| TW201946214A (zh) * | 2018-04-28 | 2019-12-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於旋轉料架處理腔室的原位晶圓旋轉 |
| CN111883750B (zh) * | 2020-07-02 | 2021-06-22 | 安徽南都华铂新材料科技有限公司 | 一种三元前驱体掺杂包覆装置及其使用方法 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4501766A (en) * | 1982-02-03 | 1985-02-26 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Film depositing apparatus and a film depositing method |
| JPS63262472A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 膜形成方法 |
| US5795448A (en) * | 1995-12-08 | 1998-08-18 | Sony Corporation | Magnetic device for rotating a substrate |
| JP5049722B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2012-10-17 | 株式会社アルバック | 焼結体の製造方法及びこの焼結体の製造方法により製造されるネオジウム鉄ボロン系焼結磁石 |
| DE102008010041A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Schichtabscheidevorrichtung und Verfahren zu deren Betrieb |
| JP2010073823A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜方法、及びコンピュータ可読記憶媒体 |
| JP5348670B2 (ja) * | 2008-10-08 | 2013-11-20 | 株式会社アルバック | 蒸発材料 |
| CN201864761U (zh) * | 2010-11-10 | 2011-06-15 | 成都天马铁路轴承有限公司 | 台阶式炉底的环型加热炉 |
| US20120160167A1 (en) * | 2010-12-28 | 2012-06-28 | Ofs Fitel Llc | External Heating of Substrate Tubes in Plasma Chemical Vapor Deposition Processes |
| CN102154690B (zh) * | 2011-05-23 | 2012-05-30 | 东莞市天域半导体科技有限公司 | 行星式外延生长设备中托盘的构成方法和装置 |
| CN102331194A (zh) | 2011-07-27 | 2012-01-25 | 太仓市华瑞真空炉业有限公司 | 高温真空炉 |
| CN202420169U (zh) * | 2011-12-15 | 2012-09-05 | 王洪举 | 行星反应炉 |
| CN102568806A (zh) * | 2011-12-29 | 2012-07-11 | 包头天和磁材技术有限责任公司 | 一种通过渗透法制备稀土永磁体的方法及方法中使用的石墨盒 |
| CN202808872U (zh) * | 2012-10-12 | 2013-03-20 | 爱协林天捷热处理系统（唐山）有限公司 | 多环并用的环形加热炉热处理生产线 |
| CN103776263A (zh) * | 2012-10-19 | 2014-05-07 | 湖北中冶窑炉有限公司 | 外环炉墙单侧供热的环形炉 |
| CN103839670B (zh) | 2014-03-18 | 2016-05-11 | 安徽大地熊新材料股份有限公司 | 一种制备高矫顽力的烧结钕铁硼永磁体的方法 |
| CN204519011U (zh) * | 2015-02-06 | 2015-08-05 | 林最杰 | 一种旋转烤炉 |
-
2015
- 2015-08-20 CN CN201510514589.1A patent/CN105063550B/zh active Active
-
2016
- 2016-02-24 EP EP16157097.3A patent/EP3121828B1/en active Active
- 2016-03-03 US US15/059,806 patent/US10138540B2/en active Active
- 2016-03-07 JP JP2016001033U patent/JP3204277U/ja active Active
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022056372A (ja) * | 2020-09-29 | 2022-04-08 | 煙台東星磁性材料株式有限公司 | 結晶粒界を調整可能なＮｄ－Ｆｅ－Ｂ系磁性体の製造方法 |
| JP7250410B2 (ja) | 2020-09-29 | 2023-04-03 | 煙台東星磁性材料株式有限公司 | 結晶粒界を調整可能なＮｄ－Ｆｅ－Ｂ系磁性体の製造方法 |
| JP7409754B2 (ja) | 2020-09-29 | 2024-01-09 | 煙台東星磁性材料株式有限公司 | 結晶粒界を調整可能なＮｄ－Ｆｅ－Ｂ系磁性体の製造方法 |
| KR20220098640A (ko) * | 2021-01-04 | 2022-07-12 | 왕병철 | 치과 보철용 지르코니아 소결로 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105063550A (zh) | 2015-11-18 |
| EP3121828B1 (en) | 2019-01-23 |
| US10138540B2 (en) | 2018-11-27 |
| CN105063550B (zh) | 2017-11-28 |
| US20170051390A1 (en) | 2017-02-23 |
| EP3121828A1 (en) | 2017-01-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3204277U (ja) | 浸透装置 | |
| US8375891B2 (en) | Vacuum vapor processing apparatus | |
| CN107326155B (zh) | 一种稀土永磁真空烧结热处理方法及真空热处理设备 | |
| CN108405855A (zh) | 一种用于金属粉末注射成形的脱脂烧结炉 | |
| JP2012028446A (ja) | ＳｉＣ半導体ウエーハ熱処理装置 | |
| JPWO2017033861A1 (ja) | 拡散処理装置およびそれを用いたｒ−ｔ−ｂ系焼結磁石の製造方法 | |
| JP4735813B2 (ja) | 熱処理装置と蒸着処理装置の複合装置 | |
| CN107321977B (zh) | 一种稀土永磁真空烧结方法及真空烧结热处理设备 | |
| CN204251647U (zh) | 旋转热处理炉 | |
| KR100529585B1 (ko) | 고융점 활성금속 진공정밀주조용 진공챔버 및 원심주조장치 | |
| CN107326156B (zh) | 一种钕铁硼永磁真空烧结热处理方法及真空热处理设备 | |
| CN108823447B (zh) | 一种用于制备泡沫合金的熔炼时效一体炉 | |
| CN113048783B (zh) | 一种钐钴真空烧结炉及其应用方法 | |
| CN116447876A (zh) | 一种保证均匀进气和温度均匀的烧结炉腔体结构 | |
| CN216663301U (zh) | 一种半导体材料退火装置 | |
| CN206359608U (zh) | 一种纳米镀膜设备旋转升降载物平台装置 | |
| CN114197056B (zh) | 一种半导体材料退火装置及退火方法 | |
| CN207608605U (zh) | 一种铝合金淬火炉及铝合金热处理系统 | |
| CN114636311A (zh) | 热处理装置 | |
| CN207313668U (zh) | 一种用于铜合金的真空感应熔炼炉 | |
| CN215983885U (zh) | 一种梯级温度真空炉 | |
| CN107099684B (zh) | 一种用于铜合金的真空感应熔炼炉 | |
| CN216898380U (zh) | 一种锰锌铁氧体磁芯均热烧结装置 | |
| CN221005894U (zh) | 均匀受热的真空烧结装置 | |
| CN215893234U (zh) | 一种智能化靶材生产用真空烧结炉 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3204277 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R323533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |